JPH0375537A - 感圧要素 - Google Patents
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- JPH0375537A JPH0375537A JP2156585A JP15658590A JPH0375537A JP H0375537 A JPH0375537 A JP H0375537A JP 2156585 A JP2156585 A JP 2156585A JP 15658590 A JP15658590 A JP 15658590A JP H0375537 A JPH0375537 A JP H0375537A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H35/00—Switches operated by change of a physical condition
- H01H35/24—Switches operated by change of fluid pressure, by fluid pressure waves, or by change of fluid flow
- H01H35/34—Switches operated by change of fluid pressure, by fluid pressure waves, or by change of fluid flow actuated by diaphragm
- H01H35/343—Switches operated by change of fluid pressure, by fluid pressure waves, or by change of fluid flow actuated by diaphragm by snap acting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
- G01L9/0048—Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief
-
- G—PHYSICS
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
L1ユ」すl九1
本発明は密閉型の圧力センサーに係り、特に、冷蔵装置
や、化学的に反対で、高価あるいは有毒な圧力媒体、流
体あるいはその他のその様な環境のように、密閉性を必
要とする環境において用いるための、ゲージおよび絶対
圧力の感圧要素のための密閉型の圧力センサーに関する
。
や、化学的に反対で、高価あるいは有毒な圧力媒体、流
体あるいはその他のその様な環境のように、密閉性を必
要とする環境において用いるための、ゲージおよび絶対
圧力の感圧要素のための密閉型の圧力センサーに関する
。
史釆且I
冷蔵装置や、化学的に反対で、高価あるいは有毒な圧力
媒体、流体あるいはその他のその様な環境のように、密
閉性を必要とする環境において圧力を感知するには、一
般的に、その様な環境に対して不透過的になっていて、
化学的に安定で、耐腐食性があり、温度変化に対して敏
感でない壁部を有した圧力センサーを用いることが必要
である。
媒体、流体あるいはその他のその様な環境のように、密
閉性を必要とする環境において圧力を感知するには、一
般的に、その様な環境に対して不透過的になっていて、
化学的に安定で、耐腐食性があり、温度変化に対して敏
感でない壁部を有した圧力センサーを用いることが必要
である。
その様な圧力センサーは感圧要素を加圧媒体から溶接密
閉あるいは隔離し、加圧媒体を環境へ漏洩あるいは浸出
させるのを防止しなければならない。
閉あるいは隔離し、加圧媒体を環境へ漏洩あるいは浸出
させるのを防止しなければならない。
その様な圧力感知のために用いられる1つの型のセンサ
ーは材料の弾性特性(ばね率〉という機械的な原理に基
づいており、センサーの少な(とも1つの壁部は、圧力
がかかったときに予測可能なセンサーの弾性的な変形あ
るいは撓みを生じるように設計、製作される。この撓み
は、トランスデユーサの場合には電気的なアナログ信号
を発するため、あるいは圧力スイッチの場合には機械的
に接点をrMrllするために用いられる。測定してい
る圧力を正確に評価するためには、この弾性的な壁部は
加圧媒体と直接的に接触しなければならず、また加圧媒
体を収納している装置の他の壁部に対して結合しなけれ
ばならず、そのような他の壁部から圧力測定のために用
いられる弾性壁部への迷走力と迷走撓みとの機械的な結
合を防止あるいは最少化しなければならない。
ーは材料の弾性特性(ばね率〉という機械的な原理に基
づいており、センサーの少な(とも1つの壁部は、圧力
がかかったときに予測可能なセンサーの弾性的な変形あ
るいは撓みを生じるように設計、製作される。この撓み
は、トランスデユーサの場合には電気的なアナログ信号
を発するため、あるいは圧力スイッチの場合には機械的
に接点をrMrllするために用いられる。測定してい
る圧力を正確に評価するためには、この弾性的な壁部は
加圧媒体と直接的に接触しなければならず、また加圧媒
体を収納している装置の他の壁部に対して結合しなけれ
ばならず、そのような他の壁部から圧力測定のために用
いられる弾性壁部への迷走力と迷走撓みとの機械的な結
合を防止あるいは最少化しなければならない。
明が解決しようとする問題点
従来から、その様な圧力センサーにおける弾性壁部はダ
イアフラムを用いて構成されており、これは密閉形式を
提供し、ゴムのシートや、カプトンや、シリコンゴムや
、シリコンゲルおよびその類似物のような屈曲性のある
人工材料を用いる事によって作られる。その様な従来技
術による圧力センサーは、加圧装置の密閉性を長期間に
亘って、維持することをしばしば必要としている。一般
的にいって低価格のセンサーではこの要求を満たすこと
はできず、その理由は圧力シールが上述したような有機
的な合成物でできているからである。
イアフラムを用いて構成されており、これは密閉形式を
提供し、ゴムのシートや、カプトンや、シリコンゴムや
、シリコンゲルおよびその類似物のような屈曲性のある
人工材料を用いる事によって作られる。その様な従来技
術による圧力センサーは、加圧装置の密閉性を長期間に
亘って、維持することをしばしば必要としている。一般
的にいって低価格のセンサーではこの要求を満たすこと
はできず、その理由は圧力シールが上述したような有機
的な合成物でできているからである。
これらの合成物は長期間において性能が低下するかもし
れず、また(あるいは)その繰り返し運動によって性能
が低下するかもしれず、また(あるいは)ある種の化学
的な圧力流体と組み合わせて用いるのに適していないか
もしれず、また(あるいは〉望みのあるいは必要な温r
!1範囲において有効でないかもしれない。
れず、また(あるいは)その繰り返し運動によって性能
が低下するかもしれず、また(あるいは)ある種の化学
的な圧力流体と組み合わせて用いるのに適していないか
もしれず、また(あるいは〉望みのあるいは必要な温r
!1範囲において有効でないかもしれない。
テキサス インスツルメンツ インコーホレーテッドに
よって市販されているクリクラン20PSという圧力ス
イッチによって得られるような他の方法においては、単
一あるいは多数の屈曲性薄膜(圧力ディスク〉を、ディ
スクの外周部分において、7ランジ状の剛的な圧力フィ
ッティングに溶接あるいはろうづけすることによってそ
の密閉性を得ている。溶接の過程における材料組成と予
校正された薄膜との間に生じる望ましくない相互作用(
溶接の固形化時の応力〉の結果として正確度の低いセン
サーが作られ、温度に対する敏感性を示し、溶接結合部
が早く疲労してしまう。
よって市販されているクリクラン20PSという圧力ス
イッチによって得られるような他の方法においては、単
一あるいは多数の屈曲性薄膜(圧力ディスク〉を、ディ
スクの外周部分において、7ランジ状の剛的な圧力フィ
ッティングに溶接あるいはろうづけすることによってそ
の密閉性を得ている。溶接の過程における材料組成と予
校正された薄膜との間に生じる望ましくない相互作用(
溶接の固形化時の応力〉の結果として正確度の低いセン
サーが作られ、温度に対する敏感性を示し、溶接結合部
が早く疲労してしまう。
ベロー型のセンサーは、撓みを限定するために予応力の
かかった、あるいは力伝達部材によって支持された波形
(高い屈曲性を有する)の管あるいは1lsiを用いて
いる。ベローは7ランジ状の圧力ポートに対してろつづ
けあるいは溶接されている。この波形は撓みにたいして
最少の抵抗を有しており、力比率(ばね率〉に対して比
較的直線的な撓みを提供し、測定精度と圧力ポートにお
ける最大許容圧力との間で妥協するように設計されてい
る。高い系統圧力のためには、薄膜はべ〇−薄膜を永久
に変形させてしまわないような厚さにしなければならな
い。ベローは主として流体媒体をシールするという機能
を満足させ、また流体圧力によって伝えられる力の高い
部分に対して耐え、支持しなければならない。従って、
溶接密閉材料は、前述したタイプの環境において用いる
ことができ、前述した必要な特性を提供し、比較的経済
的に製作することができることを必要とする。
かかった、あるいは力伝達部材によって支持された波形
(高い屈曲性を有する)の管あるいは1lsiを用いて
いる。ベローは7ランジ状の圧力ポートに対してろつづ
けあるいは溶接されている。この波形は撓みにたいして
最少の抵抗を有しており、力比率(ばね率〉に対して比
較的直線的な撓みを提供し、測定精度と圧力ポートにお
ける最大許容圧力との間で妥協するように設計されてい
る。高い系統圧力のためには、薄膜はべ〇−薄膜を永久
に変形させてしまわないような厚さにしなければならな
い。ベローは主として流体媒体をシールするという機能
を満足させ、また流体圧力によって伝えられる力の高い
部分に対して耐え、支持しなければならない。従って、
溶接密閉材料は、前述したタイプの環境において用いる
ことができ、前述した必要な特性を提供し、比較的経済
的に製作することができることを必要とする。
問題点を するための
本発明による低価格の溶接密閉においては、高温に対し
て、および化学的に安定な材料を用いており、前記材料
は、限定的ではないが、インコネル、銅合金、アルミニ
ウム、好ましくはステンレス鋼からなり、圧力容器の要
素に対しては、例えば、限定的ではないが、タングステ
ンガスのアーク溶接(TIG溶接)や、抵抗溶接、電気
ビーム溶接あるいはレーザー溶接のような、金属と金属
との溶接によって結合されている。そのようにして作り
出された結合部は高い耐荷重性を有するだけではなく、
溶接密閉性を与えるように設計されている。金属結合は
わざわざ熱膨脹係数の似た材料から形成されるので、温
度傾斜による漏洩の危険性は最少となる。また、前記結
合部は圧力媒体によって生じる作用力とは関係がないの
で、その様な結合部は、ディスク支持体による支持によ
って、単に薄膜厚さの幅だけを必要とする。
て、および化学的に安定な材料を用いており、前記材料
は、限定的ではないが、インコネル、銅合金、アルミニ
ウム、好ましくはステンレス鋼からなり、圧力容器の要
素に対しては、例えば、限定的ではないが、タングステ
ンガスのアーク溶接(TIG溶接)や、抵抗溶接、電気
ビーム溶接あるいはレーザー溶接のような、金属と金属
との溶接によって結合されている。そのようにして作り
出された結合部は高い耐荷重性を有するだけではなく、
溶接密閉性を与えるように設計されている。金属結合は
わざわざ熱膨脹係数の似た材料から形成されるので、温
度傾斜による漏洩の危険性は最少となる。また、前記結
合部は圧力媒体によって生じる作用力とは関係がないの
で、その様な結合部は、ディスク支持体による支持によ
って、単に薄膜厚さの幅だけを必要とする。
溶接を便利にするために、溶接密閉の材料は、従来の可
能な技術を用いて容易に結合させることのできるものが
選択される。薄膜材料の屈曲抵抗がセンサーの測定精度
に影響を与えるので、最も低い屈曲抵抗が得られるよう
な物理的パラメータ〈ばね率〉が選択される。ばね率は
長さく直径)の直接的な関数であり、より出力が大きく
なると材料の厚さの関数となる。溶接密閉材料の厚さは
、使用される材料に必要とされる有用性および材料の処
理の便利性に合致しながらできるだけ薄くなるように選
択される。ステンレス鋼についていうと、材料の厚さは
2ミル(0,05m+)であることが好ましく、測定誤
差は1.5psi (0,11旬/α2)以下である
。しかしながら、溶接密閉を提供できる他の材料を用い
ることもでき、それらはろうづけあるいは溶接可能であ
り、また延性は重要ではないが約40%の延性を有した
ものがよい。感圧要素と密接に接触するために、材料は
大きな伸び値あるいは延性と、低い比例限度とを有して
いることが必要である。焼きなまされたステンレス鋼は
これらの望ましい特性を示し、本発明にとって好ましい
溶接密閉材料である。比例限度が低いということは、薄
膜を比較的低い系統圧力(約150ないし2001)S
i (約10.5ないし14 Ks/ tyi2)
)において、薄膜を破壊することなしに変形させること
ができ、薄膜が力を支持する構造物およびセンサー要素
に接触することを保証することができるようになること
を意味する。
能な技術を用いて容易に結合させることのできるものが
選択される。薄膜材料の屈曲抵抗がセンサーの測定精度
に影響を与えるので、最も低い屈曲抵抗が得られるよう
な物理的パラメータ〈ばね率〉が選択される。ばね率は
長さく直径)の直接的な関数であり、より出力が大きく
なると材料の厚さの関数となる。溶接密閉材料の厚さは
、使用される材料に必要とされる有用性および材料の処
理の便利性に合致しながらできるだけ薄くなるように選
択される。ステンレス鋼についていうと、材料の厚さは
2ミル(0,05m+)であることが好ましく、測定誤
差は1.5psi (0,11旬/α2)以下である
。しかしながら、溶接密閉を提供できる他の材料を用い
ることもでき、それらはろうづけあるいは溶接可能であ
り、また延性は重要ではないが約40%の延性を有した
ものがよい。感圧要素と密接に接触するために、材料は
大きな伸び値あるいは延性と、低い比例限度とを有して
いることが必要である。焼きなまされたステンレス鋼は
これらの望ましい特性を示し、本発明にとって好ましい
溶接密閉材料である。比例限度が低いということは、薄
膜を比較的低い系統圧力(約150ないし2001)S
i (約10.5ないし14 Ks/ tyi2)
)において、薄膜を破壊することなしに変形させること
ができ、薄膜が力を支持する構造物およびセンサー要素
に接触することを保証することができるようになること
を意味する。
さらに、測定目的のために薄膜が移動(撓み〉している
間に生じる半径方向の力と、壁部を支えている力によっ
て生じる半径方向の力とは、それらがil膜を永久的に
変形(伸び〉させてしまうので、最少になるであろう。
間に生じる半径方向の力と、壁部を支えている力によっ
て生じる半径方向の力とは、それらがil膜を永久的に
変形(伸び〉させてしまうので、最少になるであろう。
半径方向の力の変化をさらに最少化するためには、ダイ
アフラムシールのフランジ部分がダイアフラムの測定面
から偏った平面の中に位置していることが重要である。
アフラムシールのフランジ部分がダイアフラムの測定面
から偏った平面の中に位置していることが重要である。
これは迷走してきた力をトルクに変換させ、そのトルク
はダイアフラムのフランジ部分と測定面との間で測定の
ためには使用されていない領域(静止〉の中で吸収され
てしまう。この領域は単一の回旋部の1つであり、溶接
密閉結合部からはある直線距離と半径だけ離れており、
結合部の破壊と薄膜の破壊とを最少化し、感圧要素の中
への迷走力の伝幡を最少化する。
はダイアフラムのフランジ部分と測定面との間で測定の
ためには使用されていない領域(静止〉の中で吸収され
てしまう。この領域は単一の回旋部の1つであり、溶接
密閉結合部からはある直線距離と半径だけ離れており、
結合部の破壊と薄膜の破壊とを最少化し、感圧要素の中
への迷走力の伝幡を最少化する。
紙よりも薄い金属のi1膜を生産し、処理し、回旋部を
形成することは、最初は費用のかかることに思われるが
、本発明の手順に関してはほぼ全く技能を必要とするも
のではない。この溶接密閉部は、最初は比較的平坦な金
属性の、好ましくは焼きなまされたステンレス鋼の薄膜
を用いることによって形成される。薄膜の形成あるいは
着座は、全て他の構造部品を結合し、薄膜の外周フラン
ジ部分をそれに溶接してしまった後で行なわれる。
形成することは、最初は費用のかかることに思われるが
、本発明の手順に関してはほぼ全く技能を必要とするも
のではない。この溶接密閉部は、最初は比較的平坦な金
属性の、好ましくは焼きなまされたステンレス鋼の薄膜
を用いることによって形成される。薄膜の形成あるいは
着座は、全て他の構造部品を結合し、薄膜の外周フラン
ジ部分をそれに溶接してしまった後で行なわれる。
薄膜はこの時点ではその中央部の測定面部分においては
大きく皺がよっていて、その上にかかる圧力に応じた動
きの正確な測定には適していない。
大きく皺がよっていて、その上にかかる圧力に応じた動
きの正確な測定には適していない。
従って、皺がよっていなくて、ダイアフラムのフランジ
部分の平面から偏ったダイアフラムの平坦な、あるいは
曲がった中央部分あるいは測定面を提供することが必要
である。このことは着座した薄膜をかなりの高圧の下で
平坦あるいは凸状になった表面上に配置することによっ
て行われるが、ダイアフラムの測定面の望みの最終的な
形状に応じて、この表面は薄膜のシートあるいはフラン
ジ部分から偏ることになり、前記表面に対して薄膜をあ
てて、前記表面の形状に再成型し、皺を除去する。平坦
な表面に接触したダイアフラムの中央部分はその表面の
形状になるが、前記表面の偏りに等しい長さだけダイア
フラムのシートあるいは7ランジの平面から偏ることに
なるであろう。
部分の平面から偏ったダイアフラムの平坦な、あるいは
曲がった中央部分あるいは測定面を提供することが必要
である。このことは着座した薄膜をかなりの高圧の下で
平坦あるいは凸状になった表面上に配置することによっ
て行われるが、ダイアフラムの測定面の望みの最終的な
形状に応じて、この表面は薄膜のシートあるいはフラン
ジ部分から偏ることになり、前記表面に対して薄膜をあ
てて、前記表面の形状に再成型し、皺を除去する。平坦
な表面に接触したダイアフラムの中央部分はその表面の
形状になるが、前記表面の偏りに等しい長さだけダイア
フラムのシートあるいは7ランジの平面から偏ることに
なるであろう。
測定は、標準的な方法においては、トランスデユーサあ
るいはスイッチのようなダイアフラム運動に応答する装
置をダイアフラムの中央部分の感圧部分の表面上におい
て、ダイアプラムの受圧表面から離して位置させること
によって行われる。
るいはスイッチのようなダイアフラム運動に応答する装
置をダイアフラムの中央部分の感圧部分の表面上におい
て、ダイアプラムの受圧表面から離して位置させること
によって行われる。
他の実施例として、部分真空のような周辺圧力より低い
圧力を測定するために、最初の圧力バイアスをその受圧
側からダイアフラムへかけることができる。この様にし
て、ダイアフラムに対する正の圧力を、たとえかかって
いる圧力が部分真空であっても、感知することができる
。
圧力を測定するために、最初の圧力バイアスをその受圧
側からダイアフラムへかけることができる。この様にし
て、ダイアフラムに対する正の圧力を、たとえかかって
いる圧力が部分真空であっても、感知することができる
。
L皇1
第1図を参照すると、本発明による感圧要素が示されて
いる。前記要素1は圧力フィッティング3を含み、これ
は傾斜のついたねじ部材として示されているが、その他
の既知のねじのついた、あるいはねじのついていないそ
の様な装置に置き換えることができることが分かるであ
ろう。前記圧力フィッティング3の中央部分には圧力ポ
ート5が延在している。前記圧力フィッティング3の後
部は、圧力フィッティングをそのための適当なソケット
の中に固定するためのレンチあるいはその類似物を受は
止めるための多角形状のナツト部分7を有している。前
記圧力フィッティング3の一部分として、あるいは、ろ
うづけ、抵抗溶接あるいはその類似方法によって圧力フ
ィッティングに固定された別個の部材として、好ましく
はステンレス鋼でできた7ランジ9が設けられている。
いる。前記要素1は圧力フィッティング3を含み、これ
は傾斜のついたねじ部材として示されているが、その他
の既知のねじのついた、あるいはねじのついていないそ
の様な装置に置き換えることができることが分かるであ
ろう。前記圧力フィッティング3の中央部分には圧力ポ
ート5が延在している。前記圧力フィッティング3の後
部は、圧力フィッティングをそのための適当なソケット
の中に固定するためのレンチあるいはその類似物を受は
止めるための多角形状のナツト部分7を有している。前
記圧力フィッティング3の一部分として、あるいは、ろ
うづけ、抵抗溶接あるいはその類似方法によって圧力フ
ィッティングに固定された別個の部材として、好ましく
はステンレス鋼でできた7ランジ9が設けられている。
7ランジ9とディスク支持体13との間には、好ましく
はステンレス鋼でできた薄膜11が着座している。フラ
ンジ9と薄膜11とディスク支持体13との間には溶接
15によって溶接密閉が形成されており、これはどのよ
うな既知の方法、例えば、TIGWI接あるいは抵抗溶
接、電気ビーム溶接、あるいはレーザー溶接によって得
られる。
はステンレス鋼でできた薄膜11が着座している。フラ
ンジ9と薄膜11とディスク支持体13との間には溶接
15によって溶接密閉が形成されており、これはどのよ
うな既知の方法、例えば、TIGWI接あるいは抵抗溶
接、電気ビーム溶接、あるいはレーザー溶接によって得
られる。
好ましくは2ミル(0,05履)の厚さを有したfi膜
11は、フランジ9とディスク支持体13との間に位置
した平坦な7ランジ部分17と、前記フランジ部分の平
面から偏った平坦な感圧部分19と、前記7ランジ部分
と平坦な感圧部分とを橋渡ししている円弧の形態の回旋
部21とを有している。薄薄膜1を望みの形状にまで形
成する方法は前に述べている。
11は、フランジ9とディスク支持体13との間に位置
した平坦な7ランジ部分17と、前記フランジ部分の平
面から偏った平坦な感圧部分19と、前記7ランジ部分
と平坦な感圧部分とを橋渡ししている円弧の形態の回旋
部21とを有している。薄薄膜1を望みの形状にまで形
成する方法は前に述べている。
第2図の実施例として、第1図を再び参照すると、カデ
ィスク23とバイアスねじ25とが示されており、これ
らはいずれも上述した第1の実施例の部品を構成してい
ない。図から分かるように、バイアスばね25はフィッ
ティング3内のチェンバーの中に着座しており、これは
その一端において圧力ポート5を取り囲み、またその他
端はカディスク23内の凹所の中に着座している。カデ
ィスク23はばね25のパイアスカによってダイアフラ
ム11に対して押し付けられており、ダイアフラムある
いは薄膜11に対して初期通常圧力を与えている。この
様にして、感圧要素1は圧力ポート5にかかる部分真空
を測定することができ、その様な部分真空状態の下では
、薄wA11に減少してはいるが正の圧力がかかること
になるであろう。
ィスク23とバイアスねじ25とが示されており、これ
らはいずれも上述した第1の実施例の部品を構成してい
ない。図から分かるように、バイアスばね25はフィッ
ティング3内のチェンバーの中に着座しており、これは
その一端において圧力ポート5を取り囲み、またその他
端はカディスク23内の凹所の中に着座している。カデ
ィスク23はばね25のパイアスカによってダイアフラ
ム11に対して押し付けられており、ダイアフラムある
いは薄膜11に対して初期通常圧力を与えている。この
様にして、感圧要素1は圧力ポート5にかかる部分真空
を測定することができ、その様な部分真空状態の下では
、薄wA11に減少してはいるが正の圧力がかかること
になるであろう。
第2図を参照すると、第1図の感圧要素と組み合わせら
れた代表的なトランスデユーザ装置が示されている。第
2図における全ての要素には第1図と同じ参考番号が付
されており、同一あるいは類似の構造物を示している。
れた代表的なトランスデユーザ装置が示されている。第
2図における全ての要素には第1図と同じ参考番号が付
されており、同一あるいは類似の構造物を示している。
図から分かるように、基準圧力ポート33を有する鋼製
のシェル31がフランジ9の上に固定され、それらの間
にガスケット35が挿入されている。既知の型のセラミ
ック類のコンデンサ型感圧要素37がディスク支持体1
3の上に固定され、それらはガスケット39によって隔
離されており、これについてはそれ以上の説明は不要で
ある。前記コンデンサの上にはコンデンサ37の容量の
結果として感知された圧力を測定するための標準的な電
子回路41が位置しており、エポキシ43によってそこ
に固定されており、電子回路を環境から密封し、構造物
に強度を与えている。シェル31はエポキシ43の中に
固定された熱可塑性のハウジング45における7ランジ
上に固定されている。If電子回路41らエポキシ43
とハウジングとを貫通する電気コネクタ47が外部装置
との連結のための端子となっている。
のシェル31がフランジ9の上に固定され、それらの間
にガスケット35が挿入されている。既知の型のセラミ
ック類のコンデンサ型感圧要素37がディスク支持体1
3の上に固定され、それらはガスケット39によって隔
離されており、これについてはそれ以上の説明は不要で
ある。前記コンデンサの上にはコンデンサ37の容量の
結果として感知された圧力を測定するための標準的な電
子回路41が位置しており、エポキシ43によってそこ
に固定されており、電子回路を環境から密封し、構造物
に強度を与えている。シェル31はエポキシ43の中に
固定された熱可塑性のハウジング45における7ランジ
上に固定されている。If電子回路41らエポキシ43
とハウジングとを貫通する電気コネクタ47が外部装置
との連結のための端子となっている。
第3図および第3a図を参照すると、第1図の感圧要素
に連結された代表的なスイッチ装置51が示されている
。第3図および第3a図における全ての要素には第1図
と同一の番gが付されており同一あるいは類似の部品を
示している。この実施例においては、第1図および第2
図における感圧要素は、フランジ9およびディスク支持
体53に溶接された薄膜あるいはダイアフラム55に置
き換え・られている。前記ダイアフラム55は球の一部
分の形状をしており、単一金属のディスクあるいは2種
の金属をはり合わせたディスク57によって中央部分を
支持されている。前記ディスク57は最初は球の一部分
の形状になっており、後で述べるように、第1図および
第2図の実施例では平坦でしわの寄っていない形状にな
っているダイアフラムをその中央部分において同じ球部
分の形状にさせている。前記ダイアフラム11は、その
低圧側においては、ダイアフラムとディスク支持体13
との間に固定された単一金属のディスクあるいは2種の
金属をはり合わせたディスク51を有している。前記デ
ィスク支持体13はビン59を案内する孔部分61を有
しており、薊記ビンはディスク57上に着座し、ディス
ク支持体13の孔の中を貫通し、また前記支持体はスイ
ッチ組立体51の一部分となっている通常時開のスイッ
チアーム65と接触するガイド63を有している。
に連結された代表的なスイッチ装置51が示されている
。第3図および第3a図における全ての要素には第1図
と同一の番gが付されており同一あるいは類似の部品を
示している。この実施例においては、第1図および第2
図における感圧要素は、フランジ9およびディスク支持
体53に溶接された薄膜あるいはダイアフラム55に置
き換え・られている。前記ダイアフラム55は球の一部
分の形状をしており、単一金属のディスクあるいは2種
の金属をはり合わせたディスク57によって中央部分を
支持されている。前記ディスク57は最初は球の一部分
の形状になっており、後で述べるように、第1図および
第2図の実施例では平坦でしわの寄っていない形状にな
っているダイアフラムをその中央部分において同じ球部
分の形状にさせている。前記ダイアフラム11は、その
低圧側においては、ダイアフラムとディスク支持体13
との間に固定された単一金属のディスクあるいは2種の
金属をはり合わせたディスク51を有している。前記デ
ィスク支持体13はビン59を案内する孔部分61を有
しており、薊記ビンはディスク57上に着座し、ディス
ク支持体13の孔の中を貫通し、また前記支持体はスイ
ッチ組立体51の一部分となっている通常時開のスイッ
チアーム65と接触するガイド63を有している。
前記ビン59は電気スイッチアーム65の位置のための
寸法的な基準ポイントを提供している。
寸法的な基準ポイントを提供している。
スイッチアーム65はこれもまたスイッチ組立体51の
一部分である第一端P69に固定されている。第二端子
71は通常時はスイッチアーム65から分離されており
、これもまたスイッチ組立体51の一部分を構成してい
る。エポキシ製の鋳込みシール73がスイッチ組立体5
1を収納し、電気端子69.71が外部との連結のため
にそれを貫通している。エポキシの鋳造体の上にはステ
ンレス鋼製のりテーナ79が位置し、それに対するロー
ルインあるいはクリンプ81によってスイッチ組立体5
1に固定されている。全体的な構造物の上にはシールド
83が位置し、これはエポキシ鋳造体73を保持するた
めに金属あるいはエラストーマでできており、本装置を
環境から遮断し、またブレスばめによってスイッチ組立
体に保持されている。
一部分である第一端P69に固定されている。第二端子
71は通常時はスイッチアーム65から分離されており
、これもまたスイッチ組立体51の一部分を構成してい
る。エポキシ製の鋳込みシール73がスイッチ組立体5
1を収納し、電気端子69.71が外部との連結のため
にそれを貫通している。エポキシの鋳造体の上にはステ
ンレス鋼製のりテーナ79が位置し、それに対するロー
ルインあるいはクリンプ81によってスイッチ組立体5
1に固定されている。全体的な構造物の上にはシールド
83が位置し、これはエポキシ鋳造体73を保持するた
めに金属あるいはエラストーマでできており、本装置を
環境から遮断し、またブレスばめによってスイッチ組立
体に保持されている。
前記スイッチは標準的な方法によって作動し、ある所定
の最小圧力がダイアフラム55にかかると、ディスク5
7は第3a図の点線で示されたような別の位置へ瞬藺移
動し、ビン59を孔61を通って上方へ押上げるであろ
う。これによってスイッチアーム65は端子71に対し
て移動され、回路を完成させ、所定の圧力を感知したこ
とを知らせることになる。
の最小圧力がダイアフラム55にかかると、ディスク5
7は第3a図の点線で示されたような別の位置へ瞬藺移
動し、ビン59を孔61を通って上方へ押上げるであろ
う。これによってスイッチアーム65は端子71に対し
て移動され、回路を完成させ、所定の圧力を感知したこ
とを知らせることになる。
ダイアフラムのシート面と、ダイアフラムの中心を通る
前記シート面に平行な平面との間の長さは;am可能で
あることが分かるはずである。正確な解放圧力の設定点
をつくり出すために、ダイアフラムのための支持体53
の中心は、組立てが完了した後に調節される。これは摘
要される最大の系統仕様圧力より少なくとも3倍高い流
体圧力(500から3500Dsi (35から24
5Ny/α2〉〉で実行される。。
前記シート面に平行な平面との間の長さは;am可能で
あることが分かるはずである。正確な解放圧力の設定点
をつくり出すために、ダイアフラムのための支持体53
の中心は、組立てが完了した後に調節される。これは摘
要される最大の系統仕様圧力より少なくとも3倍高い流
体圧力(500から3500Dsi (35から24
5Ny/α2〉〉で実行される。。
ダイアフラムにしわが寄らないようにして、支持体の形
状に合致させるようにするために、ダイアノラム55は
最初は、例えば第3a図に示すように、7ランジ9とデ
ィスク支持体53とに対して溶接されている。次にディ
スク57がその上に配置されるが、必ずしもそれと接触
させる必要はなく、ディスク支持体53によって所定位
置に保持される。ディスク57は球面の一部分としてボ
されているが、どのような形、例えば第1図および第2
図におけるような平坦な形であってもよく、ダイアフラ
ム55は以下に説明するようにして形状を合致させるこ
とが理解できるであろう。
状に合致させるようにするために、ダイアノラム55は
最初は、例えば第3a図に示すように、7ランジ9とデ
ィスク支持体53とに対して溶接されている。次にディ
スク57がその上に配置されるが、必ずしもそれと接触
させる必要はなく、ディスク支持体53によって所定位
置に保持される。ディスク57は球面の一部分としてボ
されているが、どのような形、例えば第1図および第2
図におけるような平坦な形であってもよく、ダイアフラ
ム55は以下に説明するようにして形状を合致させるこ
とが理解できるであろう。
上述したようにダイアフラム55が固定され、ディスク
が所定位置に配置されると、圧力ポート5において約5
00ないし3500psi (35ないし24FIF
/α2)の非常に高い圧力がかけられる。この様な装置
が通常扱うような圧力よりも一般的にいって高いこの高
圧がダイアフラム55を押して、ダイアプラムをディス
ク57に対して押付け、ダイアフラムの部分をディスク
に接触させ、ディスクの形状に合致させる。この手順は
装置を実際に使用する前の単に一回きりである。ディス
ク57と接触したダイアフラム55の部分の形状は、上
述した高圧をかけた後は、第3図および第3a図の実施
例における球面の一部分になったり、第1図および第2
図の実施例における平坦な部材になったりすることがわ
かるであろう。ダイアフラムはこの新しい形状を保持す
るであろう。
が所定位置に配置されると、圧力ポート5において約5
00ないし3500psi (35ないし24FIF
/α2)の非常に高い圧力がかけられる。この様な装置
が通常扱うような圧力よりも一般的にいって高いこの高
圧がダイアフラム55を押して、ダイアプラムをディス
ク57に対して押付け、ダイアフラムの部分をディスク
に接触させ、ディスクの形状に合致させる。この手順は
装置を実際に使用する前の単に一回きりである。ディス
ク57と接触したダイアフラム55の部分の形状は、上
述した高圧をかけた後は、第3図および第3a図の実施
例における球面の一部分になったり、第1図および第2
図の実施例における平坦な部材になったりすることがわ
かるであろう。ダイアフラムはこの新しい形状を保持す
るであろう。
また、高圧をかけた後でも、ダイアフラムはフランジ9
とディスク支持体53とに対して溶接された平坦な外側
フランジ部分と、第3a図におけるラジアル部分85お
よび第1図におけるラジアル部分21と、ディスク57
の形状に準じている内側部分とを有している。前記ラジ
アル部分85と結合したダイアフラムの内側部分のエッ
ヂはダイアフラムのフランジ部分の平面から偏っており
、そこでダイアフラムの7ランジ部分は前記ラジアル部
分85と結合しており、これによってそれに対する圧力
の変化によるダイアフラムの移動がラジアル部分85に
沿ってのみたわみを生じさせる。
とディスク支持体53とに対して溶接された平坦な外側
フランジ部分と、第3a図におけるラジアル部分85お
よび第1図におけるラジアル部分21と、ディスク57
の形状に準じている内側部分とを有している。前記ラジ
アル部分85と結合したダイアフラムの内側部分のエッ
ヂはダイアフラムのフランジ部分の平面から偏っており
、そこでダイアフラムの7ランジ部分は前記ラジアル部
分85と結合しており、これによってそれに対する圧力
の変化によるダイアフラムの移動がラジアル部分85に
沿ってのみたわみを生じさせる。
本発明に関して特定の好ましい実施例について説明して
きたが、当業界においては多くの変更と4゜ 修正が可能であることがすぐ明らかになるであろう。し
たがって、添付した特許請求の範囲はそのような変更お
よび修正を全て含めるように、従来技術の観点において
できるだけ広範囲に解釈されることを意図するものであ
る。
きたが、当業界においては多くの変更と4゜ 修正が可能であることがすぐ明らかになるであろう。し
たがって、添付した特許請求の範囲はそのような変更お
よび修正を全て含めるように、従来技術の観点において
できるだけ広範囲に解釈されることを意図するものであ
る。
第1図は真空センサーあるいは大気圧以外の参考圧力を
有するセンサーのための、カディスクを備えたばねから
なる、本発明による溶接密閉を施した感圧要素の図、第
2図は第1図の感圧要素と結合した代表的なトランスデ
ユーり装置の図、第3図および第3a図は第1図の感圧
要素と結合したディスク支持体を有するバイメタルある
いは単一メタルの、校正用ばねディスクを用いた代表的
な自由ディスク型のスイッチを示す。 図において、 1・・・感圧要素 3・・・ハウジング 5・・・圧力ポート 9・・・外周7ランジ部 11.55・・・ダイアフラム 21.85・・・回旋部(無支持部〉 57・・・ディスク部材 である。
有するセンサーのための、カディスクを備えたばねから
なる、本発明による溶接密閉を施した感圧要素の図、第
2図は第1図の感圧要素と結合した代表的なトランスデ
ユーり装置の図、第3図および第3a図は第1図の感圧
要素と結合したディスク支持体を有するバイメタルある
いは単一メタルの、校正用ばねディスクを用いた代表的
な自由ディスク型のスイッチを示す。 図において、 1・・・感圧要素 3・・・ハウジング 5・・・圧力ポート 9・・・外周7ランジ部 11.55・・・ダイアフラム 21.85・・・回旋部(無支持部〉 57・・・ディスク部材 である。
Claims (22)
- (1)感圧要素において、 屈曲性薄膜受け部を有したハウジングと、 前記ハウジング内で固定された所定の形状を有した屈曲
性のあるディスク部材と、 前記ハウジング内に配置されていて、前記ディスク部材
よりもかなりもっと屈曲性のある屈曲性薄膜と、 を包含し、前記屈曲性薄膜は、 前記薄膜受け部に対して密閉固定された外周部分と、 前記ディスク部材を押してその形状に合致する中央部分
と、 前記外周部分の内側部分と前記中央部分の外側部分とを
結合する中間の無支持部分と、 を有することを特徴とする感圧要素。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の装置において、前記
屈曲性薄膜はステンレス鋼でできている感圧要素。 - (3)特許請求の範囲第1項記載の装置において、前記
中央部分の外側部分は前記薄膜の前記外周部分を含む平
面から偏っている感圧要素。 - (4)特許請求の範囲第2項記載の装置において、前記
中央部分の外側部分は前記薄膜の前記外周部分を含む平
面から偏つており、前記中央部分の平面は前記第1平面
と平行になつている感圧要素。 - (5)特許請求の範囲第1項記載の装置において、さら
に、前記ハウジングの中で前記屈曲性薄膜の1つの表面
にまで延在する入口ポートと、前記屈曲性薄膜の動きに
応答し、前記屈曲性薄膜の反対側の表面に接触して前記
動きを示す装置とを含む感圧要素。 - (6)特許請求の範囲第2項記載の装置において、さら
に、前記ハウジングの中で前記屈曲性薄膜の1つの表面
にまで延在する入口ポートと、前記屈曲性薄膜の動きに
応答し、前記屈曲性薄膜の反対側の表面に接触して前記
動きを示す装置とを含む感圧要素。 - (7)特許請求の範囲第3項記載の装置において、さら
に、前記ハウジングの中で前記屈曲性薄膜の1つの表面
にまで延在する入口ポートと、前記屈曲性薄膜の動きに
応答し、前記屈曲性薄膜の反対側の表面に接触して前記
動きを示す装置とを含む感圧要素。 - (8)特許請求の範囲第4項記載の装置において、さら
に、前記ハウジングの中で前記屈曲性薄膜の1つの表面
にまで延在する入口ポートと、前記屈曲性薄膜の動きに
応答し、前記屈曲性薄膜の反対側の表面に接触して前記
動きを示す装置とを含む感圧要素。 - (9)特許請求の範囲第1項記載の装置において、さら
に、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対し
て通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (10)特許請求の範囲第2項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (11)特許請求の範囲第3項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (12)特許請求の範囲第4項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (13)特許請求の範囲第5項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (14)特許請求の範囲第6項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (15)特許請求の範囲第7項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (16)特許請求の範囲第8項記載の装置において、さ
らに、前記ハウジング内に位置して前記屈曲性薄膜に対
して通常バイアスを加える装置を含む感圧要素。 - (17)感圧要素のための密閉されたダイアフラムの製
法において、 固定的な形状に変形することのできるダイアフラムを準
備することと、 前記ダイアフラムのエッジ部分を固定部材に密閉固定す
ることと、 十分な圧力の下で、前記ダイアフラムの中央部分を、所
定の形をした、前記ダイアフラムよりも剛性の高い表面
に対して押し付け、前記ダイアフラムの前記中央部分を
前記表面の形状に合致させ、皺のよつていない平坦な中
央ダイアフラムを形成することと、を有するダイアフラ
ムの製法。 - (18)特許請求の範囲第17項記載の方法において、
さらに、前記エッジ部分の内側部分と前記中央部分の外
側部分とを連結している中間無支持部分を形成すること
と、前記中央部分の前記外側部分を前記エッジ部分を含
む平面から偏らせることとを含むダイアフラムの製法。 - (19)特許請求の範囲第17項記載の方法において、
前記ダイアフラムはステンレス鋼でできているダイアフ
ラムの製法。 - (20)特許請求の範囲第18項記載の方法において、
前記ダイアフラムはステンレス鋼でできているダイアフ
ラムの製法。 - (21)感圧要素において、 エッジ部分と、中央部分と、前記エッジ部分と前記中央
部分とを連結している中間部分とを有するダイアフラム
と、 固定部材と を含み、 前記ダイアフラムのエッジ部分は、前記固定部材に対し
て密閉固定され、 所定の第1平面内に位置しており、 前記中央ダイアフラム部分の外周部分は前記第1平面か
ら偏つた第2平面の中に位置している、感圧要素。 - (22)特許請求の範囲第21項記載の装置において、
前記ダイアフラムはステンレス鋼でできている感圧要素
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/366,793 US5025667A (en) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Hermetic pressure sensor |
US366793 | 1994-12-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0375537A true JPH0375537A (ja) | 1991-03-29 |
JP2858882B2 JP2858882B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=23444532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2156585A Expired - Fee Related JP2858882B2 (ja) | 1989-06-15 | 1990-06-14 | 感圧要素 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5025667A (ja) |
EP (1) | EP0403254B1 (ja) |
JP (1) | JP2858882B2 (ja) |
DE (1) | DE69015704T2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05141996A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-08 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサ用ケース |
JP2009117217A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Yamatake Corp | 圧力スイッチ用ダイアフラム及びこれを備えた圧力スイッチ |
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---|---|---|---|---|
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US5351548A (en) * | 1992-12-02 | 1994-10-04 | Walbro Corporation | Capacitive pressure sensor |
US5315877A (en) * | 1993-02-19 | 1994-05-31 | Kavlico Corporation | Low cost versatile pressure transducer |
IT1272381B (it) * | 1993-04-28 | 1997-06-23 | Siceb Spa | Sensore di pressione per comando di impianti di condizionamento e simili |
US5386729A (en) * | 1993-09-22 | 1995-02-07 | The Babcock & Wilcox Company | Temperature compensated microbend fiber optic differential pressure transducer |
US5563347A (en) * | 1994-09-12 | 1996-10-08 | Ivac Corp | Pressure sensing vessel adapted to be preloaded against a sensor |
EP0764960B1 (en) * | 1995-09-19 | 2004-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Fluid pressure responsive electric switch and method for assembling same |
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US6584851B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-07-01 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Fluid pressure sensor having a pressure port |
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