JP6229592B2 - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Description
本発明の一形態によれば、プラズマCVD装置が提供される。このプラズマCVD装置は;チャンバと;前記チャンバの外部に配置された磁場形成部と;前記チャンバの内部において陰極として機能する処理対象のワークと対向し、かつ、前記チャンバを挟んで前記磁場形成部と対向する位置に配置され、第1の支持部材により前記チャンバに支持されている板状の陽極であって、前記第1の支持部材が挿入される第1の穴が形成されている陽極と;を備え;前記第1の穴に前記第1の支持部材が挿入された状態において、前記第1の穴には、前記陽極における前記ワークと対向する対向面と平行な方向に前記第1の支持部材と隣接する空隙が形成されており;前記第1の穴に形成されている前記空隙は、前記第1の穴に挿入された前記第1の支持部材に対して、前記対向面の中央部から外周縁に向かう方向と平行な方向に隣接して配置されている、プラズマCVD装置。
A1.装置構成:
図1は、本発明の一実施形態としてのプラズマCVD装置の概略構成を示す断面図である。図1では、プラズマCVD装置100が載置された状態における水平面(X−Y平面)でのプラズマCVD装置100の断面を示している。なお、図1では、+Z方向が鉛直上方を示す。プラズマCVD装置100は、プラズマCVD(plasma CVD: plasma-enhanced chemical vapor deposition)法によりワーク50の表面に薄膜を形成する。本実施形態では、ワーク50として、燃料電池用セパレータに用いられる金属製の薄板状の基板が用いられる。なお、セパレータ用の基板に限らず、プラズマCVD法により成膜可能な任意の基板をワークとして採用することができる。また、本実施形態では、ワーク50に形成される薄膜として、炭素薄膜が用いられる。炭素薄膜の構造としては、アモルファス構造や、グラファイト構造を採用することができる。
図3は、プラズマCVD装置100を用いた成膜処理の手順を示すフローチャートである。まず、予備真空室にワーク50がセットされる(ステップS105)。予備真空室が真空状態にされる(ステップS110)。ゲートバルブが開かれ、チャンバ10内にワーク50が搬入されて所定位置にセットされる(ステップS115)。また、その後ゲートバルブが閉じられる。
図4は、第2実施形態のプラズマCVD装置の概略構成を示す断面図である。第2実施形態のプラズマCVD装置100aは、陽極20とチャンバ10の内壁との間においてヒーター70が陽極20に接して配置されている点において、図1に示す第1実施形態のプラズマCVD装置100と異なる。第2実施形態のプラズマCVD装置100aにおける他の構成要素は、第1実施形態のプラズマCVD装置100における構成要素と同じであるので、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
図5は、第3実施形態における陽極の構成を示す平面図である。第3実施形態の陽極20aは、逃がし穴210に代えて逃がし穴210aを備えている点において、第1実施形態のプラズマCVD装置100と異なる。第3実施形態のプラズマCVD装置における他の構成要素は、第1実施形態のプラズマCVD装置100における構成要素と同じであるので、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
D1.変形例1:
各実施形態におけるプラズマCVD装置100,100aの構成は、あくまでも一例であり、種々変形可能である。例えば、各実施形態では、支持部材21は、チャンバ10に溶接により固定されていたが、溶接に代えて、ボルトを用いて固定する方法や、チャンバ10に穴を形成してかかる穴に支持部材21を圧入する方法など、任意の固定方法を採用してもよい。また、例えば、各実施形態では、固定穴220に挿入される支持部材21は、陽極20,20aと溶接されていなかったが、溶接されてもよい。また、例えば、各実施形態では、ワーク50は、ワーク50の両面が、鉛直方向(Z軸方向)と平行となるように配置されていたが、鉛直方向に代えて、水平方向(X軸方向)と平行となるように配置してもよい。また、例えば、各実施形態において、固定穴220の少なくとも一部を省略してもよい。また、各実施形態において、固定穴220の少なくとも一部を逃がし穴210に変更してもよい。また、各実施形態において、スリット230を省略してもよい。また、例えば、各実施形態では、固定穴220は、陽極20,20aの四隅に配置されていたが、四隅に代えて又は四隅に加えて、他の任意の位置に配置してもよい。また、例えば、各実施形態では、逃がし210,210aに挿入される支持部材21と、固定穴220に挿入される支持部材21とは同じ種類であったが、これらの支持部材を互いに異なる種類としてもよい。
各実施形態におけるスリット230の形状および配置位置は、図2および図5に示す形状および配置位置に限定されるものではない。例えば、スリットの形状として、平面視で円周状の形状としてもよい。また、平面視で一本または互いに平行な多数の直線状の形状としてもよい。また、例えば、スリット230の配置位置として、スリット230の中心位置が陽極20,20aの中心位置からずれた位置となるような配置位置としてもよい。また、スリット230と同様な平面視形状のスリットを複数設けてもよい。
各実施形態において、支持部材21の断面形状は円形であったが、円形に代えて矩形や台形など、任意の形状としてもよい。この場合であっても、支持部材21に対して、面方向に隣接して空隙211が形成されるように逃がし穴210を設けることにより、各実施形態と同様な効果を得ることができる。
各実施形態において、永久磁石30は、ネオジム磁石により構成されていたが、ネオジム磁石に代えて、フェライト磁石やサマリウムコバルト磁石など、任意の永久磁石を用いて構成してもよい。また、各実施形態において、永久磁石30に代えて、電磁石など、陽極20におけるワーク50と対向する面において磁束密度を形成可能な任意の磁場形成部を、本発明のプラズマCVD装置に採用することができる。
20…陽極
20a…陽極
21…支持部材
30…永久磁石
40…ヨーク
41…固定部材
50…ワーク(陰極)
60…バイアス電源
70…ヒーター
210…逃がし穴
210a…逃がし穴
211…空隙
220…固定穴
230…スリット
100…プラズマCVD装置
100a…プラズマCVD装置
P…プラズマ
Claims (10)
- プラズマCVD装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの外部に配置された磁場形成部と、
前記チャンバの内部において陰極として機能する処理対象のワークと対向し、かつ、前記チャンバを挟んで前記磁場形成部と対向する位置に配置され、第1の支持部材により前記チャンバに支持されている板状の陽極であって、前記第1の支持部材が挿入される第1の穴が形成されている陽極と、
を備え、
前記第1の穴に前記第1の支持部材が挿入された状態において、前記第1の穴には、前記陽極における前記ワークと対向する対向面と平行な方向に前記第1の支持部材と隣接する空隙が形成されており、
前記第1の穴に形成されている前記空隙は、前記第1の穴に挿入された前記第1の支持部材に対して、前記対向面の中央部から外周縁に向かう方向と平行な方向に隣接して配置されている、プラズマCVD装置。 - 請求項1に記載のプラズマCVD装置であって、
前記対向面にスリットが形成されている、プラズマCVD装置。 - 請求項2に記載のプラズマCVD装置において、
前記陽極には、前記スリットと前記第1の穴との間に、前記陽極を前記チャンバに固定するための第2の支持部材が挿入される第2の穴が形成されており、
前記第2の穴に前記第2の支持部材が挿入された状態において、前記第2の穴には、前記第1の支持部材が挿入された状態における前記第1の穴に形成されている空隙よりも小さな空隙が形成されている、プラズマCVD装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のプラズマCVD装置において、
前記陽極と前記チャンバとの間、および前記チャンバと前記磁場形成部との間に空隙が形成されている、プラズマCVD装置。 - 請求項4に記載のプラズマCVD装置において、さらに、
前記陽極と前記チャンバとの間の前記空隙に、前記陽極に接して配置されているヒーターを備える、プラズマCVD装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載のプラズマCVD装置において、
前記磁場形成部は、前記チャンバと対向して配置されている永久磁石を有する、プラズマCVD装置。 - 請求項6に記載のプラズマCVD装置において、
前記永久磁石は、ネオジム磁石である、プラズマCVD装置。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載のプラズマCVD装置において、
前記第1の支持部材の挿入方向に見た前記第1の穴の形状は、前記対向面と平行な方向に沿って延伸している形状である、プラズマCVD装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載のプラズマCVD装置において、
前記第1の穴は、前記対向面の中央部から外周縁に向かう方向と平行な方向に沿って形成されている、プラズマCVD装置。 - 請求項2に記載のプラズマCVD装置において、
前記陽極における前記対向面の平面視形状は矩形であり、
前記スリットは、前記対向面の外縁の一辺と平行な部分と、該一辺と直交する他辺と平行な部分とが交差した十字状の平面視形状を有する、プラズマCVD装置。
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