JP6227090B1 - 給電制御装置及び給電制御装置に対する制御特性の補正データ生成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)従来技術の課題の説明
前記特許文献1による「電気負荷の電流制御装置」は,電流制御装置100A単独で校正運転が行える特徴がある一方で,校正運転を行うためのマイクロプロセッサ111Aの制御負担が大きくなるとともに,温度センサ171の校正も行う必要がある。
この発明の第1の目的は,適用された安価な回路部品の個体バラツキ変動や,環境温度の変動又は電源電圧の変動があっても,高精度な負荷電流の制御が行えて,しかも,校正運転及び実働運転中における給電制御装置内のマイクロプロセッサに制御負担を軽減し,能率よく校正作業が行える小型安価な給電制御装置を提供することである。
この給電制御装置は,プログラムメモリと協働するマイクロプロセッサを主体として構成された第1集積回路素子と,一対の直並列変換器を介して互いにシリアル接続されて,前記複数の誘導性負荷に給電する複数の駆動開閉素子を含む第2集積回路素子とが同一筐体内に収納されて,前記複数の駆動開閉素子の発生熱は前記筐体に伝熱熱放散するように構成されており,
前記第1集積回路素子は更に,目標電流設定手段によって決定された前記負荷電流Ifiを得るための目標電流Itiに応動して,前記複数の駆動開閉素子に対する通電デューティγi・βiを直接指示するパルス幅変調信号である開閉指令信号DRViであるか,又は,指令デューティαiが前記目標電流Itiと最大目標電流Imaxとの比率Iti/Imaxである前段のパルス幅変調信号である駆動指令信号CNTiを発生して,前記第2集積回路素子によって通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生する。
前記マイクロプロセッサは,前記複数の温度センサによる検出温度,又はこの検出温度と前記電源電圧Vbに比例した電源検出電圧Vbaを含む前記補正媒介変数となる複数のアナログ信号電圧を,マルチプレクサを介して受信してから親側AD変換器によってデジタル変換することによって,又は,送信側で子側AD変換器によってデジタル変換を行ってから前記一対の直並列変換器を介して受信した上り監視データによって,運転中の前記補正媒介変数の現在値を得て,この現在値と前記補正データとを組合わせて,前記パルス幅変調信号のオン/オフデューティを補正するための現在抵抗算出手段を備えており,
前記データメモリには,調整ツールによって演算算出された前記補正データが,前記一対の直並列変換器のうちの子局側の直並列変換器を介して格納されている。
給電制御装置が,第1集積回路素子と協働する第2集積回路素子によって構成され,この第2集積回路素子は複数の誘導性負荷に対して,個別に可変の負荷電流Ifi(i=1・2・・・m,以下同様)を供給するための駆動開閉素子と,この駆動開閉素子を開閉制御する駆動ゲート回路と,前記負荷電流Ifiを検出する電流検出抵抗とを備えていて,この電流検出抵抗の両端電圧を増幅して得られる電流検出電圧Vfiを前記負荷電流Ifiで割って得られる等価抵抗として,適用された回路部品の個体バラツキ変動と,環境温度又は電源電圧の変動によって変動する現在抵抗Rti=Vfi/Ifiを算出するために,算式(1b)で示された第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は算式(3b)で示された第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を算出するための給電制御装置に対する制御特性の補正データ生成方法であって,
Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4=Vfi/Ifi ・・・・・・・(1b)
Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2=Vfi/Ifi ・・(3b)
前記第2集積回路素子の単品を,着脱自在に搭載した調整ボードと,この調整ボードを介してこの第2集積回路素子に接続された調整ツールとを備えている。
前記調整ツールは,演算制御部と,設定表示部と,選択・書込指令部と,前記第2集積回路素子内の子局側の直並列変換器とシリアル接続された親局側の直並列変換器と,前記第2集積回路素子に開閉指令信号DRVi又は駆動指令信号CNTiであるパルス幅変調信号を発生する通電指令部と,前記第2集積回路素子が発生する補正媒介変数の現在値が入力される第1AD変換器及び第2AD変換器と,環境調整部とを備え,
前記第1AD変換器は,前記第2集積回路素子が発生する制御電圧VccをAD基準電圧Vrefとして作動し,この第2集積回路素子が送信した前記補正媒介変数の現在値であるアナログ信号電圧Vfi・V3・Vaiをデジタル変換して,前記演算制御部に入力する。
前記第2AD変換器に印加されるAD基準電圧Vrfは,前記第1AD変換器に印加されるAD基準電圧Vrefよりも高精度であって,前記電流計Ai1又は前記電流検出電圧Vfiがデジタル信号電圧としてその計測値を発生する場合には,そのデジタル計測値がそのまま前記演算制御部に入力されて,前記第2AD変換器は不要となり,
前記環境調整部は,前記演算制御部から前記設定表示部を介して作動して,前記疑似負荷抵抗の抵抗値の変更指令と,前記電圧調整器に対する出力電圧の変更指令と,前記第2集積回路素子内に設けられた前記定電圧電源の環境温度と,前記電流検出抵抗の環境温度に対する変更指令を発生する第1ステップを備えている。
前記選択・書込指令部は,前記第2集積回路素子から送信される前記補正媒介変数の種別を指定するアドレス情報を送信するとともに,前記演算制御部によって算出された,前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を各電流検出抵抗に対する補正係数として,前記第2集積回路素子内のデータメモリに転送書込みする第3ステップを備えている。
(1)構成の詳細な説明
以下,この発明の実施の形態1による給電制御装置の全体回路ブロック図である図1と,図1のものの一つの給電回路部に関する詳細回路ブロック図である図2について,その構成を詳細に説明する。
図2において,定電圧電源410は直列開閉素子419の導通状態を制御して,電源電圧Vbから降圧された例えばDC5Vの安定化電圧である制御電圧Vccを生成するものであり,比較回路418は制御電圧Vccを分圧抵抗415・416で分圧して得られる分圧電圧と,電源基準電圧417によって生成された基準電圧V00とを比較して,制御電圧VccがDC5Vを超過すると直列開閉素子419が開路する関係に負帰還制御を行うようになっている。
以下,図1・図2のとおり構成された実施の形態1による給電制御装置について,図3A〜図3Dで示す特性線図と,図4で示すフローチャートに基づいて,その作用と動作を詳細に説明する。
Rti=(ki1×Ti+ki2×T0+ki3×Vba+ki4)×G0×R0
=Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4 ・・・・(1a)
Ti=Ti0+ki5×Ifi2 ・・・・・(2)
Rti=[ki1×(Ti0+ki5×Ifi2)+ki2×T0+ki3×Vba+ki4)×G0×R0
=Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2・・・(3a)
但し,Ki5=ki1×ki5×G0×R0
Rti=Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Iti2・・・・・(4a)
以下,図1・図2のとおり構成された実施の形態1による給電制御装置について,補正データを生成するための調整ツールの全体構成図である図5と,調整ツールの動作説明用フローチャートである図6について詳細に説明する。
Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4=Vfi/Ifi ・・・・・・・(1b)
Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2=Vfi/Ifi ・・(3b)
以上の説明で明らかなとおり,この発明の実施の形態1による給電制御装置は,直流電源101から給電されて,複数の誘導性負荷104i(i=1・2・・・m)に対して,個別に可変の負荷電流Ifiを供給する給電制御装置100Aであって,
この給電制御装置は,プログラムメモリ211と協働するマイクロプロセッサ210を主体として構成された第1集積回路素子200Aと,一対の直並列変換器221・421を介して互いにシリアル接続されて,前記複数の誘導性負荷104iに給電する複数の駆動開閉素子45iを含む第2集積回路素子400Aとが同一筐体内に収納されて,前記複数の駆動開閉素子45iの発生熱は前記筐体に伝熱熱放散するように構成されており,
前記第1集積回路素子200Aは更に,目標電流設定手段241によって決定された前記負荷電流Ifiを得るための目標電流Itiに応動して,前記複数の駆動開閉素子45iに対する通電デューティγiを直接指示するパルス幅変調信号である開閉指令信号DRViを発生し,
前記第2集積回路素子400Aは更に,前記直流電源101の電源電圧Vbを降圧して安定化した制御電圧Vccを生成して,前記第1集積回路素子200Aに給電する定電圧電源410と,前記誘導性負荷104iのそれぞれと直列接続された電流検出抵抗50iと,この電流検出抵抗の両端電圧を増幅して前記負荷電流Ifiに比例した電流検出電圧Vfiを発生する複数の電流検出回路47iと,前記パルス幅変調信号に応動して,前記複数の駆動開閉素子45iのそれぞれを断続駆動して,その閉路期間と断続周期との比率である通電デューティγiを可変制御する複数の駆動ゲート回路48iと,前記複数の電流検出抵抗50iの現在温度を個別に検出するか,又は代表して検出する1個又は複数個の抵抗温度検出素子44i0・44iと,前記定電圧電源410の現在温度を検出する電源温度検出素子440とを含む複数の温度センサと,不揮発性のデータメモリ422とを備えている。
前記マイクロプロセッサ210は,前記複数の温度センサによる検出温度,又はこの検出温度と前記電源電圧Vbに比例した電源検出電圧Vbaを含む前記補正媒介変数となる複数のアナログ信号電圧を,マルチプレクサ430を介して受信してから親側AD変換器230によってデジタル変換することによって,運転中の前記補正媒介変数の現在値を得て,この現在値と前記補正データとを組合わせて,前記パルス幅変調信号のオン/オフデューティを補正するための現在抵抗算出手段242を備えており,
前記データメモリ422には,調整ツール900Aによって演算算出された前記補正データが,前記一対の直並列変換器のうちの子局側の直並列変換器421を介して格納されている。
前記データメモリ422には,前記現在抵抗Rtiと前記電流検出抵抗50i自体の基準環境における設計基準抵抗R0との関係式である算式(1a)で示された,第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4の内の一部又は全部である複数の係数が前記制御特性の補正データとして格納されており,
Rti=(ki1×Ti+ki2×T0+ki3×Vba+ki4)×G0×R0
=Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4 ・・・(1a)
前記算式(1a)において,G0は前記電流検出回路47iにおける増幅率の設計基準値であり,定数ki1は前記抵抗温度検出素子44iによる温度検出電圧Tiの補正係数であり,定数ki2は前記電源温度検出素子440による温度検出電圧T0の補正係数であり,定数ki3は前記電流検出抵抗50iが前記誘導性負荷104iの上流位置に接続されている場合に,前記電流検出回路47iで発生するコモン電圧誤差の補正係数であり,定数ki4はその他のオフセット誤差成分となっていて,前記算式(1a)で示された前記現在抵抗Rtiは,前記電流検出回路47iによる増幅後の値に換算されていて,この現在抵抗Rtiに前記負荷電流Ifiを掛け合わせると前記電流検出電圧Vfiとなるものであり,
前記マイクロプロセッサ210は,前記抵抗温度検出素子44iによる温度検出電圧Tiの現在値と,前記電源温度検出素子440による温度検出電圧T0の現在値と,前記電源検出電圧Vbaの現在値との一部又は全部を読出して,前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4の一部又は全部を適用して,前記算式(1a)によって前記現在抵抗Rtiを推定算出する前記現在抵抗算出手段242を備えている。
Ti=Ti0+ki5×Ifi2 ・・・・・(2)
前記現在抵抗Rtiは,前記算式(1a)に前記算式(2)を代入した算式(3a)によって算出され,
Rti=[ki1×(Ti0+ki5×Ifi2)+ki2×T0+ki3×Vba+ki4)]×G0×R0 =Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2 ・・・(3a)
但し,Ki5=ki1×ki5×G0×R0
前記現在抵抗算出手段242は,前記代表温度検出素子44i0による前記温度検出電圧Ti0の現在値と,前記電源温度検出素子440による温度検出電圧T0の現在値と,前記電源検出電圧Vbaの現在値との一部又は全部を読出すとともに,前記第1から第5の補正係数Ki1からKi5の一部又は全部を適用して,算式(4a)によって前記現在抵抗Rtiを推定算出し,
Rti=Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Iti2 ・・・・(4a)
前記算式(4a)においては,前記算式(3a)における負荷電流Ifiに代わって,これと近似している目標電流Itiが適用されている。
前記マイクロプロセッサ210は,前記目標電流Itiに対して推定された前記現在抵抗Rtiを掛けて得られる補正された目標検出電圧Vtiと,前記電流検出電圧Vfiのデジタル値を比較して,この比較入力が相互に一致するように前記駆動開閉素子45iの通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生する負帰還制御手段244を備え,
前記第2集積回路素子400Aは,前記開閉指令信号DRViに応動する前記駆動ゲート回路48iを介して前記駆動開閉素子45iを断続駆動するようになっている。
前記転流回路素子46iと前記駆動開閉素子45iとは,互いに直列接続されたPチャネル型又はNチャネル型の電界効果型のトランジスタであって,
前記駆動開閉素子45iが前記誘導性負荷104iの上流位置に接続されているときには,その内部寄生ダイオードのカソード端子は,下流位置に接続されている前記転流回路素子46iの内部寄生ダイオードのアノード端子と接続され,
前記駆動開閉素子45iが前記誘導性負荷104iの下流位置に接続されているときには,その内部寄生ダイオードのアノード端子は,上流位置に接続されている前記転流回路素子46iの内部寄生ダイオードのカソード端子と接続され,
前記駆動ゲート回路48iは,前記駆動開閉素子45iが閉路駆動する前に前記転流回路素子46iの駆動を停止し,前記駆動開閉素子45iの閉路駆動を停止した後に前記転流回路素子46iを閉路駆動して,その内部寄生ダイオードの導通方向と同じ方向に導通駆動するようになっている。
Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4=Vfi/Ifi ・・・・・・・(1b)
Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2=Vfi/Ifi ・・(3b)
前記第2集積回路素子400Aの単品を,着脱自在に搭載した調整ボード800と,この調整ボード800を介してこの第2集積回路素子に接続された調整ツール900Aとを備え,
前記調整ボード800には,電圧調整器940を介して直流電源101が接続されて前記第2集積回路素子400Aに給電し,この第2集積回路素子は電流計Ai1と標準サンプル負荷104との直列回路に対して前記負荷電流Ifiを供給するとともに,この第2集積回路素子に設けられた定電圧電源410の出力回路には疑似負荷抵抗910が接続されている。
前記第1AD変換器909aは,前記第2集積回路素子400Aが発生する制御電圧VccをAD基準電圧Vrefとして作動し,この第2集積回路素子が送信した前記補正媒介変数の現在値であるアナログ信号電圧Vfi・V3をデジタル変換して,前記演算制御部901に入力し,
前記第2AD変換器909bは,前記電流計Ai1がアナログ信号電圧としてその計測値を発生する場合に,高精度定電圧電源908が発生する安定化電圧をAD基準電圧Vrfとして作動して,測定された負荷電流Ifiの値をデジタル変換して前記演算制御部901に入力し,
前記第2AD変換器909bに印加されるAD基準電圧Vrfは,前記第1AD変換器909aに印加されるAD基準電圧Vrefよりも高精度であって,前記電流計Ai1がデジタル信号電圧としてその計測値を発生する場合には,そのデジタル計測値がそのまま前記演算制御部901に入力されて,前記第2AD変換器909bは不要となっている。
前記演算制御部901は,前記算式(1b)又は前記算式(3b)における抵抗温度検出素子44iによる温度検出電圧Ti,又は代表温度検出素子44i0による温度検出電圧Ti0と,電源温度検出素子440による温度検出電圧T0と,電源検出電圧Vbaと,電流検出電圧Vfiの値,及び前記電流計Ai1で計測された負荷電流Ifiの値を補正媒介変数の現在値として読出して,第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を未知数とする4個又は5個以上の連立方程式を各電流検出抵抗50i毎に作成し,最小二乗法によって前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を算出する第2ステップ611を備え,
前記選択・書込指令部903は,前記第2集積回路素子400Aから送信される前記補正媒介変数の種別を指定するアドレス情報を送信するとともに,前記演算制御部901によって算出された,前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を各電流検出抵抗50iに対する補正係数として,前記第2集積回路素子400A内のデータメモリ422に転送書込みする第3ステップ607を備えている。
前記複数の電流検出抵抗50iの環境温度は,前記通電指令部905から前記複数の駆動開閉素子45iに対する前記パルス幅変調信号DRViを一斉に発生し,その通電デューティを大小又は大中小に設定しておいて前記標準サンプル負荷104の負荷電流Ifiを増減調整することによって調整されるとともに,前記複数の電流検出抵抗50iに対しては,第1気流調整電磁弁920と噴射ノズルを介して冷気又は暖気を一斉噴射して,速やかに高低又は高中低の複数段階の温度調整が行われ,
前記定電圧電源410の環境温度は,前記疑似負荷抵抗910の抵抗値を変更して,この定電圧電源に対する出力電流を増減調整することによって調整されるとともに,この定電圧電源に対して第2気流調整電磁弁930と噴射ノズルを介して冷気又は暖気を噴射して,速やかに高低又は高中低の複数段階の温度調整が行われ,
前記複数の電流検出抵抗50i,又は前記定電圧電源410に対する負荷電流Ifiや出力電流の大きさと,前記第1気流調整電磁弁920又は前記第2気流調整電磁弁930による気流の適正流量は,目的とする温度に対応して予め実験測定された値が適用されるようになっている。
(1)構成の詳細な説明
以下,この発明の実施の形態2による給電制御装置の全体回路ブロック図である図7と,図7のものの一つの給電回路部に関する詳細回路ブロック図である図8について,図1,図2のものとの相違点を中心にしてその構成を詳細に説明する。
マルチプレクサ430は子局直並列変換器421から得られたマイクロプロセッサ210からの選択指令によって,どれか一つのアナログ入力信号を選択し,被選択アナログ信号MPX0として第1集積回路素子200Bに送信するようになっている。
以下,図7・図8のとおり構成された実施の形態2による給電制御装置について,図9で示すフローチャートに基づいて,その作用と動作を詳細に説明する。
以下,図7・図8のとおり構成された実施の形態2による給電制御装置について,補正データを生成するための調整ツールの全体構成図である図10について,図5のものとの相違点を中心にして詳細に説明する。
以上の説明で明らかなとおり,この発明の実施の形態2による給電制御装置は,直流電源101から給電されて,複数の誘導性負荷104i(i=1・2・・・m,以下同様)に対して,個別に可変の負荷電流Ifiを供給する給電制御装置100Bであって,
この給電制御装置は,プログラムメモリ211と協働するマイクロプロセッサ210を主体として構成された第1集積回路素子200Bと,一対の直並列変換器221・421を介して互いにシリアル接続されて,前記複数の誘導性負荷104iに給電する複数の駆動開閉素子45iを含む第2集積回路素子400Bとが同一筐体内に収納されて,前記複数の駆動開閉素子45iの発生熱は前記筐体に伝熱熱放散するように構成されており,
前記第1集積回路素子200Bは更に,目標電流設定手段241によって決定された前記負荷電流Ifiを得るための目標電流Itiに応動して,指令デューティαiが前記目標電流Itiと最大目標電流Imaxとの比率Iti/Imaxである前段のパルス幅変調信号である駆動指令信号CNTiを発生して,前記第2集積回路素子400Bによって通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生する。
前記マイクロプロセッサ210は,前記複数の温度センサによる検出温度,又はこの検出温度と前記電源電圧Vbに比例した電源検出電圧Vbaを含む前記補正媒介変数となる複数のアナログ信号電圧を,マルチプレクサ430を介して受信してから親側AD変換器230によってデジタル変換をすることによって,運転中の前記補正媒介変数の現在値を得て,この現在値と前記補正データとを組合わせて,前記パルス幅変調信号のオン/オフデューティを補正するための現在抵抗算出手段242を備えており,
前記データメモリ422には,調整ツール900Bによって演算算出された前記補正データが,前記一対の直並列変換器のうちの子局側の直並列変換器421を介して格納されている。
前記第2集積回路素子400Bは,前記負荷電流Ifiが前記最大目標電流Imaxであるときの前記電流検出電圧Vfiの最大値が,前記制御電圧Vcc以下となるように制限するとともに,前記駆動指令信号CNTiを平滑回路51iによって平滑して得られる前記目標検出電圧Vtiのアナログ変換値と,前記電流検出電圧Vfiとを比較して,この比較入力が相互に一致するように前記駆動開閉素子45iの通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生する負帰還制御回路49iを備え,
前記電流検出電圧Vfiの値は,前記補正媒介変数の一部として,前記マルチプレクサ430を介して第2集積回路素子400Bの出力端子に出力されているが,マイクロプロセッサ210はその入力処理は不要であり,この電流検出電圧Vfは前記調整ツール900Bにおいて使用されるものとなっている。
前記第2集積回路素子400Bの単品を,着脱自在に搭載した調整ボード800と,この調整ボード800を介してこの第2集積回路素子に接続された調整ツール900Bとを備え,
前記調整ボード800には,電圧調整器940を介して直流電源101が接続されて前記第2集積回路素子400Bに給電し,この第2集積回路素子は電流計Ai1と標準サンプル負荷104との直列回路に対して前記負荷電流Ifiを供給するとともに,この第2集積回路素子に設けられた定電圧電源410の出力回路には疑似負荷抵抗910が接続されている。
前記第1AD変換器909aは,前記第2集積回路素子400Bが発生する制御電圧VccをAD基準電圧Vrefとして作動し,この第2集積回路素子が送信した前記補正媒介変数の現在値であるアナログ信号電圧V3をデジタル変換して,前記演算制御部901に入力し,
前記第2AD変換器909bは,前記電流計Ai1又は前記電流検出電圧Vfiがアナログ信号電圧としてその計測値を発生して,電流検出電圧Vfiが前記第2集積回路素子400B内内で負帰還制御に使用されているものである場合に,高精度定電圧電源908が発生する安定化電圧をAD基準電圧Vrfとして作動して,測定された負荷電流Ifi又は電流検出電圧Vfiの値をデジタル変換して前記演算制御部901に入力し,
前記第2AD変換器909bに印加されるAD基準電圧Vrfは,前記第1AD変換器909aに印加されるAD基準電圧Vrefよりも高精度であって,前記電流計Ai1又は前記電流検出電圧Vfiがデジタル信号電圧としてその計測値を発生する場合には,そのデジタル計測値がそのまま前記演算制御部901に入力されて,前記第2AD変換器909bは不要となる。
前記演算制御部901は,前述した算式(1b)又は前述した算式(3b)における抵抗温度検出素子44iによる温度検出電圧Ti,又は代表温度検出素子44i0による温度検出電圧Ti0と,電源温度検出素子440による温度検出電圧T0と,電源検出電圧Vbaと,電流検出電圧Vfiの値,及び前記電流計Ai1で計測された負荷電流Ifiの値を補正媒介変数の現在値として読出して,第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を未知数とする4個又は5個以上の連立方程式を各電流検出抵抗50i毎に作成し,最小二乗法によって前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を算出する第2ステップ611を備え,
前記選択・書込指令部903は,前記第2集積回路素子400Bから送信される前記補正媒介変数の種別を指定するアドレス情報を送信するとともに,前記演算制御部901によって算出された,前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を各電流検出抵抗50iに対する補正係数として,前記第2集積回路素子400B内のデータメモリ422に転送書込みする第3ステップ607を備えている。
(1)構成の詳細な説明
以下,この発明の実施の形態3による給電制御装置の全体回路ブロック図である図11と,図11のものの一つの給電回路部に関する詳細回路ブロック図である図12について,図1,図2のものとの相違点を中心にしてその構成を詳細に説明する。
以下,図11・図12のとおり構成された実施の形態3による給電制御装置について,図13で示すフローチャートに基づいて,その作用と動作を詳細に説明する。
以下,図11・図12のとおり構成された実施の形態3による給電制御装置について,補正データを生成するための調整ツールの全体構成図である図15について,図5のものとの相違点を中心にして詳細に説明する。
以上の説明で明らかなとおり,この発明の実施の形態3による給電制御装置は,直流電源101から給電されて,複数の誘導性負荷104i(i=1・2・・・m,以下同様)に対して,個別に可変の負荷電流Ifiを供給する給電制御装置100Cであって,
この給電制御装置は,プログラムメモリ211と協働するマイクロプロセッサ210を主体として構成された第1集積回路素子200Cと,一対の直並列変換器221・421を介して互いにシリアル接続されて,前記複数の誘導性負荷104iに給電する複数の駆動開閉素子45iを含む第2集積回路素子400Cとが同一筐体内に収納されて,前記複数の駆動開閉素子45iの発生熱は前記筐体に伝熱熱放散するように構成されており,
前記第1集積回路素子200Cは更に,目標電流設定手段241によって決定された前記負荷電流Ifiを得るための目標電流Itiに応動して,前記複数の駆動開閉素子45iに対する通電デューティβiを直接指示するパルス幅変調信号である開閉指令信号DRViを発生し,
前記第2集積回路素子400Cは更に,前記直流電源101の電源電圧Vbを降圧して安定化した制御電圧Vccを生成して,前記第1集積回路素子200Cに給電する定電圧電源410と,前記誘導性負荷104iのそれぞれと直列接続された電流検出抵抗50iと,この電流検出抵抗の両端電圧を増幅して前記負荷電流Ifiに比例した電流検出電圧Vfiを発生する複数の電流検出回路47iと,前記パルス幅変調信号に応動して,前記複数の駆動開閉素子45iのそれぞれを断続駆動して,その閉路期間と断続周期との比率である通電デューティγiを可変制御する複数の駆動ゲート回路48iと,前記複数の電流検出抵抗50iの現在温度を個別に検出するか,又は代表して検出する1個又は複数個の抵抗温度検出素子44i0・44iと,前記定電圧電源410の現在温度を検出する電源温度検出素子440とを含む複数の温度センサと,不揮発性のデータメモリ422とを備えている。
前記マイクロプロセッサ210は,前記複数の温度センサによる検出温度,又はこの検出温度と前記電源電圧Vbに比例した電源検出電圧Vbaを含む前記補正媒介変数となる複数のアナログ信号電圧を,送信側で子側AD変換器450によってデジタル変換を行ってから前記一対の直並列変換器421・221を介して受信した上り監視データによって,運転中の前記補正媒介変数の現在値を得て,この現在値と前記補正データとを組合わせて,前記パルス幅変調信号のオン/オフデューティを補正するための現在抵抗算出手段242を備えており,
前記データメモリ422には,調整ツール900Cによって演算算出された前記補正データが,前記一対の直並列変換器のうちの子局側の直並列変換器421を介して格納されている。
前記負荷電流算出手段246は,前記上り監視データとして受信した前記電流検出電圧Vfiの値を,前記現在抵抗算出手段242によって算出された前記現在抵抗Rtiで割って,負荷電流Ifi=Vfi/Rtiを算出し,
前記現在負荷抵抗算出手段247は,運転開始時においては前記誘導性負荷104iの負荷基準抵抗Rc0を適用し,前記駆動開閉素子45iの複数回の断続動作によって,前記負荷電流算出手段246によって算出された前記負荷電流Ifiが安定した後には,前記誘導性負荷104iに対する平均印加電圧Vaiを前記負荷電流Ifiで割って,現在負荷抵抗Rci=Vai/ Ifiを算出し,
前記目標印加電圧算出手段248は,前記目標電流設定手段241によって設定された前記目標電流Itiに対して,前記現在負荷抵抗算出手段247によって算出された前記現在負荷抵抗Rciを掛けて得られる目標印加電圧Vbti=Iti×Rciを算出する。
前記第2集積回路素子400Cは,前記開閉指令信号DRViに応動する前記駆動ゲート回路48iを介して前記駆動開閉素子45iを断続駆動するとともに,
前記電流検出電圧Vfiの値は,前記補正媒介変数の一部として,前記上り監視データに含まれて前記マイクロプロセッサ210に送信され,
前記平均印加電圧Vaiは,断続動作する前記駆動開閉素子45iの出力電圧を平滑コンデンサで平滑する印加電圧検出回路53iの出力電圧であって,この平均印加電圧Vaiの値は,AD変換器23iを介して個別に前記第1集積回路素子200Cに設けられた前記マイクロプロセッサ210に入力されるようになっている。
前記第2集積回路素子400Cの単品を,着脱自在に搭載した調整ボード800と,この調整ボード800を介してこの第2集積回路素子に接続された調整ツール900Cとを備え,
前記調整ボード800には,電圧調整器940を介して直流電源101が接続されて前記第2集積回路素子400Cに給電し,この第2集積回路素子は電流計Ai1と標準サンプル負荷104との直列回路に対して前記負荷電流Ifiを供給するとともに,この第2集積回路素子に設けられた定電圧電源410の出力回路には疑似負荷抵抗910が接続されている。
前記第1AD変換器909aは,前記第2集積回路素子400Cが発生する制御電圧VccをAD基準電圧Vrefとして作動し,この第2集積回路素子が送信した前記補正媒介変数の現在値であるアナログ信号電圧Vaiをデジタル変換して,前記演算制御部901に入力し,
前記第2AD変換器909bは,前記電流計Ai1がアナログ信号電圧としてその計測値を発生して,高精度定電圧電源908が発生する安定化電圧をAD基準電圧Vrfとして作動して,測定された負荷電流Ifiの値をデジタル変換して前記演算制御部901に入力し,
前記第2AD変換器909bに印加されるAD基準電圧Vrfは,前記第1AD変換器909aに印加されるAD基準電圧Vrefよりも高精度であって,前記電流計Ai1がデジタル信号電圧としてその計測値を発生する場合には,そのデジタル計測値がそのまま前記演算制御部901に入力されて,前記第2AD変換器909bは不要となる。
前記演算制御部901は,前述した算式(1b)又は前述した算式(3b)における抵抗温度検出素子44iによる温度検出電圧Ti,又は代表温度検出素子44i0による温度検出電圧Ti0と,電源温度検出素子440による温度検出電圧T0と,電源検出電圧Vbaと,電流検出電圧Vfiの値,及び前記電流計Ai1で計測された負荷電流Ifiの値を補正媒介変数の現在値として読出して,第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を未知数とする4個又は5個以上の連立方程式を各電流検出抵抗50i毎に作成し,最小二乗法によって前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を算出する第2ステップ611を備え,
前記選択・書込指令部903は,前記第2集積回路素子400Cから送信される前記補正媒介変数の種別を指定するアドレス情報を送信するとともに,前記演算制御部901によって算出された,前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を各電流検出抵抗50iに対する補正係数として,前記第2集積回路素子400C内のデータメモリ422に転送書込みする第3ステップ607を備えている。
Claims (10)
- 直流電源から給電されて,複数の誘導性負荷に対して,個別に可変の負荷電流Ifi(i=1・2・・・m,以下同様)を供給する給電制御装置であって,
この給電制御装置は,プログラムメモリと協働するマイクロプロセッサを主体として構成された第1集積回路素子と,一対の直並列変換器を介して互いにシリアル接続されて,前記複数の誘導性負荷に給電する複数の駆動開閉素子を含む第2集積回路素子とが同一筐体内に収納されて,前記複数の駆動開閉素子の発生熱は前記筐体に伝熱熱放散するように構成されており,
前記第1集積回路素子は更に,目標電流設定手段によって決定された前記負荷電流Ifiを得るための目標電流Itiに応動して,前記複数の駆動開閉素子に対する通電デューティγi・βiを直接指示するパルス幅変調信号である開閉指令信号DRViであるか,又は,指令デューティαiが前記目標電流Itiと最大目標電流Imaxとの比率Iti/Imaxである前段のパルス幅変調信号である駆動指令信号CNTiを発生して,前記第2集積回路素子によって通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生し,
前記第2集積回路素子は更に,前記直流電源の電源電圧Vbを降圧して安定化した制御電圧Vccを生成して,前記第1集積回路素子に給電する定電圧電源と,前記誘導性負荷のそれぞれと直列接続された電流検出抵抗と,この電流検出抵抗の両端電圧を増幅して前記負荷電流Ifiに比例した電流検出電圧Vfiを発生する複数の電流検出回路と,前記パルス幅変調信号に応動して,前記複数の駆動開閉素子のそれぞれを断続駆動して,その閉路期間と断続周期との比率である通電デューティγiを可変制御する複数の駆動ゲート回路と,前記複数の電流検出抵抗の現在温度を個別に検出するか,又は代表して検出する1個又は複数個の抵抗温度検出素子と,前記定電圧電源の現在温度を検出する電源温度検出素子とを含む複数の温度センサと,不揮発性のデータメモリとを備え,
前記データメモリには,補正媒介変数で指定された環境状態の変動と,前記電流検出抵抗と前記電流検出回路を含む回路部品の個体バラツキ変動に伴って変動する前記電流検出電圧Vfiの値を,前記負荷電流Ifiで割って得られる換算等価抵抗の現在抵抗Rtiを算出するための,制御特性の補正データが格納されていて,この補正データは運転開始時に前記第1集積回路素子内のバッファメモリにシリアル送信されており,
前記マイクロプロセッサは,前記複数の温度センサによる検出温度,又はこの検出温度と前記電源電圧Vbに比例した電源検出電圧Vbaを含む前記補正媒介変数となる複数のアナログ信号電圧を,マルチプレクサを介して受信してから親側AD変換器によってデジタル変換することによって,又は,送信側で子側AD変換器によってデジタル変換を行ってから前記一対の直並列変換器を介して受信した上り監視データによって,運転中の前記補正媒介変数の現在値を得て,この現在値と前記補正データとを組合わせて,前記パルス幅変調信号のオン/オフデューティを補正するための現在抵抗算出手段を備えており,
前記データメモリには,調整ツールによって演算算出された前記補正データが,前記一対の直並列変換器のうちの子局側の直並列変換器を介して格納されている
給電制御装置。 - 前記電流検出電圧Vfiは,前記電流検出抵抗の両端電圧を前記電流検出回路に設けられた増幅器によって増幅して得られたものであり,前記親側AD変換器及び前記子側AD変換器には,AD基準電圧Vrefとして前記定電圧電源が発生する前記制御電圧Vccが使用されていて,アナログ入力信号電圧が前記AD基準電圧Vrefと合致しているときに,AD変換器の分解能で定まるフルスケールのデジタル出力を発生し,
前記データメモリには,前記現在抵抗Rtiと前記電流検出抵抗自体の基準環境における設計基準抵抗R0との関係式である算式(1a)で示された,第1から第4の補正係数Ki1からKi4の内の一部又は全部である複数の係数が前記制御特性の補正データとして格納されており,
Rti=(ki1×Ti+ki2×T0+ki3×Vba+ki4)×G0×R0
=Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4 ・・・・(1a)
前記算式(1a)において,G0は前記電流検出回路における増幅率の設計基準値であり,定数ki1は前記抵抗温度検出素子による温度検出電圧Tiの補正係数であり,定数ki2は前記電源温度検出素子による温度検出電圧T0の補正係数であり,定数ki3は前記電流検出抵抗が前記誘導性負荷の上流位置に接続されている場合に,前記電流検出回路で発生するコモン電圧誤差の補正係数であり,定数ki4はその他のオフセット誤差成分となっていて,前記算式(1a)で示された前記現在抵抗Rtiは,前記電流検出回路による増幅後の値に換算されていて,この現在抵抗Rtiに前記負荷電流Ifiを掛け合わせると前記電流検出電圧Vfiとなるものであり,
前記マイクロプロセッサは,前記抵抗温度検出素子による温度検出電圧Tiの現在値と,前記電源温度検出素子による温度検出電圧T0の現在値と,前記電源検出電圧Vbaの現在値との一部又は全部を読出して,前記第1から第4の補正係数Ki1からKi4の一部又は全部を適用して,前記算式(1a)によって前記現在抵抗Rtiを推定算出する前記現在抵抗算出手段を備えている
請求項1に記載の給電制御装置。 - 前記複数の電流検出抵抗が密集配置されていて,前記抵抗温度検出素子が全ての前記電流検出抵抗の現在温度を代表して,温度検出電圧Ti0を発生する1個の代表温度検出素子となっている場合において,前記算式(1a)における各電流検出抵抗に対する温度検出電圧Tiは,前記負荷電流Ifiによる発熱を考慮した定数ki5を適用した算式(2)によって算出され,
Ti=Ti0+ki5×Ifi2 ・・・・・(2)
前記現在抵抗Rtiは,前記算式(1a)に前記算式(2)を代入した算式(3a)によって算出され,
Rti=[ki1×(Ti0+ki5×Ifi2)+ki2×T0+ki3×Vba+ki4)]×G0×R0
=Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2 ・・(3a)
但し,Ki5=ki1×ki5×G0×R0
前記現在抵抗算出手段は,前記代表温度検出素子による前記温度検出電圧Ti0の現在値と,前記電源温度検出素子による温度検出電圧T0の現在値と,前記電源検出電圧Vbaの現在値との一部又は全部を読出すとともに,前記第1から第5の補正係数Ki1からKi5の一部又は全部を適用して,算式(4a)によって前記現在抵抗Rtiを推定算出し,
Rti=Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Iti2 ・・・・(4a)
前記算式(4a)においては,前記算式(3a)式における負荷電流Ifiに代わって,これと近似している目標電流Itiが適用されている
請求項2に記載の給電制御装置。 - 前記現在抵抗算出手段は更に,前記目標電流Itiの時系列データを格納するシフトレジスタを備え,前記算式(4a)で適用される前記目標電流Itiは,実機筐体内に搭載されているときの,前記電流検出抵抗の熱時定数に相当する最新の所定時間における,二乗電流値の移動平均値が適用される
請求項3に記載の給電制御装置。 - 前記電流検出電圧Vfiの値は,AD変換器を介して個別に前記第1集積回路素子に設けられた前記マイクロプロセッサに入力され,前記マイクロプロセッサは,前記目標電流Itiに対して推定された前記現在抵抗Rtiを掛けて得られる補正された目標検出電圧Vtiと,前記電流検出電圧Vfiのデジタル値を比較して,この比較入力が相互に一致するように前記駆動開閉素子の通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生する負帰還制御手段を備え,
前記第2集積回路素子は,前記開閉指令信号DRViに応動する前記駆動ゲート回路を介して前記駆動開閉素子を断続駆動する
請求項2から4のいずれか1項に記載の給電制御装置。 - 前記第1集積回路素子に設けられた前記マイクロプロセッサは,前記目標電流Itiに対して推定された前記現在抵抗Rtiを掛けて得られる補正された目標検出電圧Vtiと,前記最大目標電流Imaxに対して前記現在抵抗Rtiを掛けて得られる最大目標検出電圧Vmax=Imax×Rtiとの比率である指令デューティαi=Iti/Imax=Vti/Vmaxとなる前記駆動指令信号CNTiを発生するPWM変換手段を備え,このPWM変換手段が発生するパルス幅変調信号である前記駆動指令信号CNTiの信号電源電圧は前記制御電圧Vccであり,
前記第2集積回路素子は,前記負荷電流Ifiが前記最大目標電流Imaxであるときの前記電流検出電圧Vfiの最大値が,前記制御電圧Vcc以下となるように制限するとともに,前記駆動指令信号CNTiを平滑回路によって平滑して得られる前記目標検出電圧Vtiのアナログ変換値と,前記電流検出電圧Vfiとを比較して,この比較入力が相互に一致するように前記駆動開閉素子の通電デューティγiとなる前記開閉指令信号DRViを発生する負帰還制御回路を備え,
前記電流検出電圧Vfiの値は,前記補正媒介変数の一部として,前記マルチプレクサを介して第2集積回路素子の出力端子に出力されているが,マイクロプロセッサはその入力処理は不要であり,この電流検出電圧Vfは前記調整ツールにおいて使用される
請求項2から4のいずれか1項に記載の給電制御装置。 - 前記第1集積回路素子に設けられた前記マイクロプロセッサは,前記現在抵抗算出手段と,負荷電流算出手段と,現在負荷抵抗算出手段と目標印加電圧算出手段と,断続駆動指令手段とを備え,
前記負荷電流算出手段は,前記上り監視データとして受信した前記電流検出電圧Vfiの値を,前記現在抵抗算出手段によって算出された前記現在抵抗Rtiで割って,負荷電流Ifi=Vfi/Rtiを算出し,
前記現在負荷抵抗算出手段は,運転開始時においては前記誘導性負荷の負荷基準抵抗Rc0を適用し,前記駆動開閉素子の複数回の断続動作によって,前記負荷電流算出手段によって算出された前記負荷電流Ifiが安定した後には,前記誘導性負荷に対する平均印加電圧Vaiを前記負荷電流Ifiで割って,現在負荷抵抗Rci=Vai/ Ifiを算出し,
前記目標印加電圧算出手段は,前記目標電流設定手段によって設定された前記目標電流Itiに対して,前記現在負荷抵抗算出手段によって算出された前記現在負荷抵抗Rciを掛けて得られる目標印加電圧Vbti=Iti×Rciを算出し,
前記断続駆動指令手段は,前記目標印加電圧算出手段によって算出された前記目標印加電圧Vbtiと,前記電源電圧Vbとの比率である通電デューティβi=Vbti/Vbとなる前記開閉指令信号DRViを発生し,
前記第2集積回路素子は,前記開閉指令信号DRViに応動する前記駆動ゲート回路を介して前記駆動開閉素子を断続駆動するとともに,
前記電流検出電圧Vfiの値は,前記補正媒介変数の一部として,前記上り監視データに含まれて前記マイクロプロセッサに送信され,
前記平均印加電圧Vaiは,断続動作する前記駆動開閉素子の出力電圧を平滑コンデンサで平滑する印加電圧検出回路の出力電圧であって,この平均印加電圧Vaiの値は,AD変換器を介して個別に前記第1集積回路素子に設けられた前記マイクロプロセッサに入力される
請求項2から4のいずれか1項に記載の給電制御装置。 - 前記第2集積回路素子は更に,前記複数の誘導性負荷と,それぞれの上流位置又は下流位置に直列接続された前記電流検出抵抗との直列回路に対して並列接続された転流回路素子を備え,
前記転流回路素子と前記駆動開閉素子とは,互いに直列接続されたPチャネル型又はNチャネル型の電界効果型のトランジスタであって,
前記駆動開閉素子が前記誘導性負荷の上流位置に接続されているときには,その内部寄生ダイオードのカソード端子は,下流位置に接続されている前記転流回路素子の内部寄生ダイオードのアノード端子と接続され,
前記駆動開閉素子が前記誘導性負荷の下流位置に接続されているときには,その内部寄生ダイオードのアノード端子は,上流位置に接続されている前記転流回路素子の内部寄生ダイオードのカソード端子と接続され,
前記駆動ゲート回路は,前記駆動開閉素子が閉路駆動する前に前記転流回路素子の駆動を停止し,前記駆動開閉素子の閉路駆動を停止した後に前記転流回路素子を閉路駆動して,その内部寄生ダイオードの導通方向と同じ方向に導通駆動する
請求項1から7のいずれか1項に記載の給電制御装置。 - 給電制御装置が,第1集積回路素子と協働する第2集積回路素子によって構成され,この第2集積回路素子は複数の誘導性負荷に対して,個別に可変の負荷電流Ifi(i=1・2・・・m,以下同様)を供給するための駆動開閉素子と,この駆動開閉素子を開閉制御する駆動ゲート回路と,前記負荷電流Ifiを検出する電流検出抵抗とを備えていて,この電流検出抵抗の両端電圧を増幅して得られる電流検出電圧Vfiを前記負荷電流Ifiで割って得られる等価抵抗として,適用された回路部品の個体バラツキ変動と,環境温度又は電源電圧の変動によって変動する現在抵抗Rti=Vfi/Ifiを算出するために,算式(1b)で示された第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は算式(3b)で示された第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を算出するための給電制御装置に対する制御特性の補正データ生成方法であって,
Ki1×Ti+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4=Vfi/Ifi ・・・・・・・(1b)
Ki1×Ti0+Ki2×T0+Ki3×Vba+Ki4+Ki5×Ifi2=Vfi/Ifi ・・(3b)
前記第2集積回路素子の単品を,着脱自在に搭載した調整ボードと,この調整ボードを介してこの第2集積回路素子に接続された調整ツールとを備え,
前記調整ボードには,電圧調整器を介して直流電源が接続されて前記第2集積回路素子に給電し,この第2集積回路素子は電流計Ai1と標準サンプル負荷との直列回路に対して前記負荷電流Ifiを供給するとともに,この第2集積回路素子に設けられた定電圧電源の出力回路には疑似負荷抵抗が接続され,
前記調整ツールは,演算制御部と,設定表示部と,選択・書込指令部と,前記第2集積回路素子内の子局側の直並列変換器とシリアル接続された親局側の直並列変換器と,前記第2集積回路素子に開閉指令信号DRVi又は駆動指令信号CNTiであるパルス幅変調信号を発生する通電指令部と,前記第2集積回路素子が発生する補正媒介変数の現在値が入力される第1AD変換器及び第2AD変換器と,環境調整部とを備え,
前記第1AD変換器は,前記第2集積回路素子が発生する制御電圧VccをAD基準電圧Vrefとして作動し,この第2集積回路素子が送信した前記補正媒介変数の現在値であるアナログ信号電圧Vfi・V3・Vaiをデジタル変換して,前記演算制御部に入力し,
前記第2AD変換器は,前記電流計Ai1又は前記電流検出電圧Vfiがアナログ信号電圧としてその計測値を発生して,電流検出電圧Vfiが前記第2集積回路素子内で負帰還制御に使用されているものである場合に,高精度定電圧電源が発生する安定化電圧をAD基準電圧Vrfとして作動して,測定された負荷電流Ifi又は電流検出電圧Vfiの値をデジタル変換して前記演算制御部に入力し,
前記第2AD変換器に印加されるAD基準電圧Vrfは,前記第1AD変換器に印加されるAD基準電圧Vrefよりも高精度であって,前記電流計Ai1又は前記電流検出電圧Vfiがデジタル信号電圧としてその計測値を発生する場合には,そのデジタル計測値がそのまま前記演算制御部に入力されて,前記第2AD変換器は不要となり,
前記環境調整部は,前記演算制御部から前記設定表示部を介して作動して,前記疑似負荷抵抗の抵抗値の変更指令と,前記電圧調整器に対する出力電圧の変更指令と,前記第2集積回路素子内に設けられた前記定電圧電源の環境温度と,前記電流検出抵抗の環境温度に対する変更指令を発生する第1ステップを備え,
前記演算制御部は,前記算式(1b)又は前記算式(3b)における抵抗温度検出素子による温度検出電圧Ti,又は代表温度検出素子による温度検出電圧Ti0と,電源温度検出素子による温度検出電圧T0と,電源検出電圧Vbaと,電流検出電圧Vfiの値,及び前記電流計Ai1で計測された負荷電流Ifiの値を補正媒介変数の現在値として読出して,第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を未知数とする4個又は5個以上の連立方程式を各電流検出抵抗毎に作成し,最小二乗法によって前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を算出する第2ステップを備え,
前記選択・書込指令部は,前記第2集積回路素子から送信される前記補正媒介変数の種別を指定するアドレス情報を送信するとともに,前記演算制御部によって算出された,前記第1から第4の補正係数Ki1〜Ki4,又は前記第1から第5の補正係数Ki1〜Ki5を各電流検出抵抗に対する補正係数として,前記第2集積回路素子内のデータメモリに転送書込みする第3ステップを備えている
給電制御装置に対する制御特性の補正データ生成方法。 - 前記第1ステップにおいて,前記複数の電流検出抵抗の環境温度は,前記通電指令部から前記複数の駆動開閉素子に対する前記パルス幅変調信号DRVi・CNTiを一斉に発生し,その通電デューティを大小又は大中小に設定しておいて前記標準サンプル負荷の負荷電流Ifiを増減調整することによって調整されるとともに,前記複数の電流検出抵抗に対しては,第1気流調整電磁弁と噴射ノズルを介して冷気又は暖気を一斉噴射して,速やかに高低又は高中低の複数段階の温度調整が行われ,
前記定電圧電源の環境温度は,前記疑似負荷抵抗の抵抗値を変更して,この定電圧電源に対する出力電流を増減調整することによって調整されるとともに,この定電圧電源に対して第2気流調整電磁弁と噴射ノズルを介して冷気又は暖気を噴射して,速やかに高低又は高中低の複数段階の温度調整が行われ,
前記複数の電流検出抵抗,又は前記定電圧電源に対する負荷電流Ifiや出力電流の大きさと,前記第1気流調整電磁弁又は前記第2気流調整電磁弁による気流の適正流量は,目的とする温度に対応して予め実験測定された値が適用される
請求項9に記載の給電制御装置に対する制御特性の補正データ生成方法。
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