JP6224252B2 - 標的処理ユニット - Google Patents
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Description
リソグラフィユニット
図1は、リソグラフィユニット10(または検査ユニット)などの例示の標的処理マシンの斜視図を概略的に示す。複数のかかるリソグラフィユニット10が、リソグラフィユニットクラスタ(図示せず)を形成するために当接状態で横並びに配置され得る。リソグラフィユニット10は、投影コラム46(図2aおよび図2bを参照)を収容するための真空チャンバ30と(好ましくは下方側部に)、電子機器22を収容するためのキャビネット12と(好ましくは真空チャンバ30の上方に位置決めされる上方側部に)を備える。電子機器22は、真空チャンバ30の内部に収容される投影コラムの部分を含むデバイスを制御するために使用され得る。リニア軸受部材(例えばレール)38が、真空チャンバ30の頂側部32上に設けられて、真空チャンバ30の頂部上へのキャビネット12の位置決めを容易にするための、または真空チャンバ30に対してキャビネット12を前方へと補修位置に移動させるためのガイド機構を形成し得る。この構成では、真空チャンバ30は、その頂部表面上に機器キャビネット12の重量を支持する。
真空チャンバ
図2aは、標的処理ユニット10の一実施形態における真空チャンバ30の正面図を示す。真空チャンバ30は、真空環境(典型的には10-3バールまたはそれ未満)内での標的31の処理を可能にするために、封止可能であり内部に真空を印加するように構成された真空ケーシング39を備える。真空チャンバ30は、標的31と、真空チャンバ30の内側で標的31を処理するための投影コラム46とを収容するように構成される。真空チャンバ30は、真空ケーシング39(外方層)と、支持ケーシング40(中間層)と、キャリアフレーム42を有するキャリアケーシング41(最内領域)とを備える。投影レンズアセンブリ50を有する投影コラム46は、真空チャンバ30の内側でキャリアフレーム42により収容および支持され、キャリアケーシング41の内部に画成された空間内に配置される。荷電粒子ビームレットを使用する用途では、キャリアケーシング41は、磁気遮蔽材料から作製されることが好ましい。
投影コラム
図2bは、リソグラフィユニット10の一実施形態における投影コラム46の概略図を示す。投影コラム46は、真空チャンバ30の内部に収容された標的31を処理(または検査)するために使用される1つまたは複数の処理ビーム47を発生および操作するように構成される。投影コラム46は、図2bに示されるようにモジュール式に実装され得る。光学素子が、リソグラフィユニット10から個別に除去され得るモジュールへとグループ化される。モジュール式サブシステムは、荷電粒子ビーム源92とビームコリメータアレイ94とを含む照明光学モジュール90、開口アレイとコンデンサレンズアレイ98とを含むコンデンサレンズモジュール96、ビームレットブランカアレイ102を含むビーム切替えモジュール100、およびレンズ素子54を有する投影レンズアセンブリ50を備え得る。投影レンズ素子は、参照数字54で一体的に示されるビームストップアレイ、ビーム偏向器アレイ、および投影レンズアレイを備える。ビームストップアレイは、ビームレットブランカアレイ102によりブランキング偏向を受けているビームレット47を阻止するための、および前記ビームブランカアレイ102によりブランキング偏向を受けていないビームレット47を通過させるための開口アレイを備えてもよい。ビーム偏向器アレイは、好ましくは前記ビームブランカアレイ102の下流に配置される。投影レンズアレイは、投影レンズアセンブリ50の下方エッジの付近に平面レンズ電極を備える。各平面レンズ電極は、ビームレット47を通過させ合焦させるためのレンズ開口アレイを備え、レンズ開口は、鉛直方向に対応するビームレット操作要素の開口と整列される。キャリアフレーム42は、対応するモジュール50、90、96、100のための収容空間をそれぞれが与える複数の高さを有する階段状プロファイルの支持領域を備え得る。
投影レンズアセンブリ
図3aは、キャリアフレーム42内に位置決めするように構成された投影レンズアセンブリ50の上面図を概略的に示す。投影レンズアセンブリ50の構成要素は、リソグラフィユニット10内に設けられたソースデバイスおよび/または宛先デバイスとの間で電力の伝達、制御信号の通信、冷却流体の連通、および/または他の電気接続もしくは流体連通を必要とする場合がある。一方の端部では、導管60は、投影レンズアセンブリ50の構成要素に接続される。導管60の遠位端部65に設けられたコネクタ66は、コネクタパネル48の前方側部に設けられた相補コネクタ49に接続可能である。
さらなる態様
半導体産業では、高い精度および信頼性を有するより小さな構造体を製造することへの高まり続ける要望が存在する。リソグラフィシステムでは、この要望は、結果として位置決めおよび配向に対する極めて高い要求をもたらす。製造工場環境および/または電気回路において他のマシンにより引き起こされる外部振動は、リソグラフィ装置内における位置決め精度に対してマイナスの影響を有し得る。同様に、例えばステージ移動などにより引き起こされるリソグラフィ装置内の振動が、かかる精度に対してマイナスの影響を有し得る。
中間導管アセンブリ
図6は、中間導管37を備える中間導管アセンブリ108の一実施形態の斜視図を示す。中間導管37は、支持ケーシング40とキャリアケーシング41との間に可撓性および湾曲状の第1の中間部分37aを(図1および図2aと同様に)、および支持ケーシング40と真空ケーシング39との間に可撓性および湾曲状の第2の中間部分37bを(図1および図2aと同様に)備える。第1の中間導管部分37aは、2つの装着部材34a、34bの間に延在する。第2の中間導管部分37bは、第1の装着部材34aとアクセスポート36との間に延在する。第1の装着部材34aは、支持ケーシング40に中間導管部分37を固定し、第2の装着部材34bは、キャリアケーシング41に中間導管部分37を固定し、アクセスポート36は、真空ケーシング39に中間導管部分37を固定する。
側方導管アセンブリ
図7〜図9は、標的処理ユニットの側方側部に沿ってケーブル分配構成体を備える標的処理ユニットの一実施形態を示す。先行の図面(ならびに特に図1および図2a)を参照として既に上述された標的処理ユニットの特徴が、図7〜図9に示される標的処理ユニット10’にも存在してもよく、ここでは全てが再び論じられるとは限らない。図7〜図9を参照として論じられる特徴については、同様の参照数字は、同様の特徴について使用されるが、実施形態同士を識別するためにプライム符号を伴って示される。
また、以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項を、そのまま、付記しておく。
[1] 標的処理ユニット(10)であって、
標的(31)に向かうビームを発生させ、成形し、および配向する投影コラム(46)であって、前記標的に前記ビームを配向するための投影レンズアセンブリ(50)を備えた投影コラム(46)と、
前記投影レンズアセンブリを収容するためのキャリアフレーム(42)と、
ここで、前記投影レンズアセンブリ(50)は、レンズ素子(54)を収容するための平面レンズ支持体(52)を備え、ここにおいて、前記平面レンズ支持体は、面(P)に広がり、接続領域(58)と側方エッジ(56)とを備え、前記平面レンズ支持体は、前記キャリアフレーム(42)内へと前記面(P)に対して平行な挿入方向(X)に沿った挿入用に構成されるものであり、
前記接続領域から起始し、前記面に対して平行に配向された複数の導管(60〜64)と、
前記導管を収容するように構成された導管ガイド体(70)と、を備え、
前記導管ガイド体は、前記側方エッジを越えて側方領域(B)まで、前記面に対して平行におよび前記挿入方向(X)に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記接続領域から前記導管を案内するように構成された第1のガイド部分(72)と、
前記導管ガイド体の傾斜エッジ(79)に向かって、前記面(P)に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記側方領域(B)から前記導管を案内するための第2のガイド部分(78)と、を備える、標的処理ユニット(10)。
[2] 前記キャリアフレーム(42)は、前記投影レンズアセンブリの前記導管ガイド体(70)の少なくとも一部に対して相補的な形状を有する切欠部(82)を前記側方領域(B)に備える、[1]に記載の標的処理ユニット(10)。
[3] 前記投影レンズアセンブリ(50)と前記標的処理ユニットに設けられたソースデバイスおよび/または宛先デバイスとの間に電気接続および/または流体連通を確立するために、前記導管(60〜64)の遠位端部(65)に接続するための相補コネクタ(49)を備えるコネクタパネル(48)を備える、[1]または[2]に記載の標的処理ユニット(10)。
[4] 前記導管は、前記導管ガイド体(70〜81)の内部に収容され、前記導管ガイド体の外側は、前記挿入方向に沿って実質的に線対称である、[1]から[3]のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[5] 前記導管は、局所的に平行な構成で前記導管ガイド体(70〜81)内に収容される、[1]から[4]のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[6] 前記平面レンズ支持体(52)、前記第1のガイド部分(72)、ならびに前記平面レンズ支持体(52)および前記第1のガイド部分(72)により収容される前記導管(60〜64)の部分は、前記面(P)に対して平行な第1の面(P1)と前記面(P)に対して平行な第2の面(P2)との間に垂直方向(Z)に完全に画定される、[1]から[5]のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[7] 前記接続領域(58)は、前記平面レンズ支持体の後方エッジ(58)を形成する、前記請求項のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[8] 前記平面レンズ支持体(52)は、前記挿入方向(X)に対して共に平行である2つの相対側方エッジ(56、57)を備える大体において多角形の剛性支持プレートを備え、前記後方エッジ(58)は、前記挿入方向に対して少なくとも部分的に逆方向である方向を向く、[7]に記載の標的処理ユニット(10)。
[9] 前記多角形の剛性支持プレート(52)は、正五角形を有し、前記2つの相対側方エッジ(56、57)および前記後方エッジは、相互連結され、2つの残りのエッジは、中間に位置する角部に当接部材(55)を有する先端部を形成する、[8]に記載の標的処理ユニット(10)。
[10] 前記導管ガイド体(70〜81)は、前記平面レンズ支持体(52)の前記後方エッジ(58)に沿って設けられ、前記第1のガイド部分(72)は、前記面(P)内に配置されたおよび前記挿入方向(X)に対して共に平行である2つのさらなる相対側方エッジ(74、75)を備える大体において四辺形の剛性支持プレート(73)を備える、[7]から[9]のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[11] 前記多角形の剛性支持プレート(52)および/または四辺形の剛性支持プレート(73)は、磁気遮蔽材料を備える、[8]から[10]のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[12] 前記挿入方向(X)に沿っておよび前記面(P)に対して平行に前記キャリアフレーム(42)内へと前記平面レンズ支持体(52)を位置決めするために、前記多角形の剛性支持プレート(52)の前記相対側方エッジ(56、57)に沿ってガイド部材(59)を備える、[8]または[9]に記載の標的処理ユニット(10)。
[13] 各導管(60〜64)は、遠位導管端部(65)に導管コネクタ(66)を備え、前記導管コネクタは、前記面(P)から垂直に距離を置いて前記側方領域(B)に設けられたコネクタパネル(48)上の相補コネクタ(49)に接続するように構成される、前記請求項のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[14] コネクタパネル(48)および相補コネクタ(49)は、前記面(P)に対して垂直である垂直方向(Z)に配置される、[2]から[13]のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[15] 前記導管ガイド体は、スレッジ(80)を備え、前記スレッジは、前記第2のガイド部分(78)と前記第1のガイド部分(72)の少なくとも一部とを備え、前記スレッジは、前記キャリアフレーム(42)内へと前記スレッジを位置決めするために前記挿入方向(X)に沿ってスレッジガイド部材(81)を備える、前記請求項のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[16] ビームブランカによるブランキング偏向を有する荷電粒子ビームレットを阻止し、前記ビームブランカによるブランキング偏向を有さない荷電粒子ビームレットを通過させるための開口アレイを備えるビームストップアレイと、
複数の荷電粒子ビームレットを通過させるための貫通開口部を備える支持要素と、
前記支持要素により支持される複数の電極と、
前記電極の上流におよび前記ビームブランカの下流に配置された偏向器ユニットと
を備え、
前記ビームストップアレイは、前記偏向器ユニットと前記電極との間に配置され、
前記電極は、前記投影レンズアセンブリの下流遠位エッジにより画定された面の中または付近に配置され、前記電極のそれぞれが、伝達された荷電粒子ビームレットに通路を与えるための前記貫通開口部に整列されたレンズ穴アレイを備える、前記請求項のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
[17] 標的(31)に向かってビームを配向するための投影レンズアセンブリ(50)であって、
レンズ素子(54)を収容するための平面レンズ支持体(52)と、ここで、前記平面レンズ支持体は、面(P)に広がり、接続領域(58)と側方エッジ(56)とを備え、前記平面レンズ支持体は、標的処理ユニット(10)のキャリアフレーム(42)内へと前記面(P)に対して平行な挿入方向(X)に沿った挿入用に構成されるものであり、
前記接続領域から起始し、前記面に対して平行に配向された複数の導管(60〜64)と、
前記導管を収容するように構成された導管ガイド体(70〜81)と、を備え、
前記導管ガイド体は、前記側方エッジを越えて側方領域(B)まで、前記面に対して平行におよび前記挿入方向(X)に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記接続領域から前記導管を案内するように構成された第1のガイド部分(72)と、
前記導管ガイド体の傾斜エッジ(79)に向かって、前記面(P)に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記側方領域(B)から前記導管を案内するための第2のガイド部分(78)と、を備える、投影レンズアセンブリ(50)。
[18] 前記導管は、前記導管ガイド体(70〜81)の内部に収容され、前記導管ガイド体の外側は、前記挿入方向に沿って実質的に線対称である、[17]に記載の投影レンズアセンブリ。
[19] 前記導管(60〜64)は、局所的に平行な構成で前記ガイド体(70〜81)内に収容される、[17]または[18]に記載の投影レンズアセンブリ。
[20] 前記平面レンズ支持体(52)、前記第1のガイド部分(72)、ならびに前記平面レンズ支持体(52)により収容される前記導管(60〜64)の部分は、前記面(P)に対して平行な第1の面(P1)と第2の面(P2)との間に垂直方向(Z)に完全に画定される、[17]から[19]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
[21] 前記接続領域(58)は、前記平面レンズ支持体の後方エッジ(58)を形成する、[17]から[20]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
[22] 前記平面レンズ支持体(52)は、前記挿入方向(X)に対して共に平行である2つの相対側方エッジ(56、57)を備える大体において多角形の剛性支持プレートを備え、前記後方エッジ(58)は、前記挿入方向に対して少なくとも部分的に逆方向である方向を向く、[21]に記載の投影レンズアセンブリ。
[23] 前記多角形の剛性支持プレート(52)は、正五角形を有し、前記2つの相対側方エッジ(56、57)および前記後方エッジは、相互連結され、2つの残りのエッジは、中間に位置する角部に当接部材(55)を有する先端部を形成する、[22]に記載の投影レンズアセンブリ。
[24] 前記導管ガイド体(70〜81)は、前記平面レンズ支持体(52)の前記後方エッジ(58)に沿って設けられ、前記第1のガイド部分(72)は、前記面(P)内に配置されたおよび前記挿入方向(X)に対して共に平行である2つのさらなる相対側方エッジ(74、75)を備える大体において四辺形の剛性支持プレート(73)を備える、[21]から[23]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
[25] 前記多角形の剛性支持プレート(52)および/または四辺形の剛性支持プレート(73)は、磁気遮蔽材料を備える、[22]から[24]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
[26] 前記挿入方向(X)に沿っておよび前記面(P)に対して平行に前記キャリアフレーム(42)内へと前記レンズ支持体(52)を位置決めするために、前記多角形の剛性支持プレート(52)の前記相対側方エッジ(56、57)に沿ってガイド部材(59)を備える、[22]または[23]に記載の投影レンズアセンブリ。
[27] 各導管(60〜64)は、遠位導管端部(65)に導管コネクタ(66)を備え、前記導管コネクタは、前記面(P)から垂直に距離を置いて前記側方領域(B)に設けられたコネクタパネル(48)上の相補コネクタ(49)に接続するように構成される、[17]から[26]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
[28] 前記導管ガイド体(70〜81)は、スレッジ(80)を備え、前記スレッジは、前記第2のガイド部分(78)と前記第1のガイド部分(72)の少なくとも一部とを備え、前記スレッジは、前記キャリアフレーム(42)内へと前記スレッジを位置決めするために前記挿入方向(X)に沿ってスレッジガイド部材(81)を備える、[17]から[27]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
[29] ビームブランカ(102)によるブランキング偏向を有する荷電粒子ビームレット(47)を阻止し、前記ビームブランカによるブランキング偏向を有さない荷電粒子ビームレットを通過させるための開口アレイを備えるビームストップアレイと、
複数の荷電粒子ビームレットを通過させるための貫通開口部を備える支持要素と、
前記支持要素により支持される複数の電極と、
前記電極の上流におよび前記ビームブランカの下流に配置された偏向器ユニットと
を備え、
前記ビームストップアレイは、前記偏向器ユニットと前記電極との間に配置され、
前記電極は、前記投影レンズアセンブリの下流遠位エッジにより画定された面の中または付近に配置され、前記電極のそれぞれが、伝達された荷電粒子ビームレットに通路を与えるための前記貫通開口部に整列されたレンズ穴アレイを備える、[17]から[28]のいずれか一項に記載の投影レンズアセンブリ。
c1.標的処理ユニット(10)であって、
電子機器(22)を着脱可能に接続するためのアクセスポート(36)と、
投影コラム(46)の1つまたは複数のパーツ(50、90、96、100)を着脱可能に接続するためのコネクタパネル(48)と
を備え、
アクセスポート(36)は、標的処理ユニット(10)の外部に少なくとも部分的に配置され、コネクタパネル(48)は、標的処理ユニット(10)の内部に配置され、アクセスポート(36)およびコネクタパネル(48)は、1つまたは複数の中間導管(37)を介して振動/運動が分断されるように接続される、標的処理ユニット(10)。
投影コラム(46)を収容するための真空チャンバ(30)と
を備え、
投影コラム(46)は、標的(31)に向かうビームを発生させる、成形する、および配向するように構成され、
投影レンズアセンブリ(50)などの投影コラム(46)の1つまたは複数のパーツ(50、90、96、100)は、1つまたは複数の導管(26、37、60)を介して電子機器(22)に通信接続可能であり、
真空チャンバ(30)は、
真空チャンバ(30)内に真空環境を与えるように構成された真空ケーシング(39)と、
キャリアケーシングを支持するように構成された真空ケーシング(39)内の支持ケーシング(40)と、
投影コラム(46)を支持するように構成された支持ケーシング(40)内のキャリアケーシング(41)と
を備え、
標的処理ユニット(10)は、1つまたは複数の導管(26、37、60)を少なくとも部分的に備える中間導管アセンブリ(108)をさらに備え、ここにおいて、中間導管アセンブリ(108)は、
キャリアケーシング(41)の内方側部に装着されたコネクタパネル(48)と、
キャリアケーシング(41)の外方側部に連結された第2の装着部材(34b)と、1つまたは複数の中間導管(37)が、コネクタパネル(48)から起始し、第2の装着部材(34b)に案内される、
支持ケーシング(40)の内方側部に装着された第1の装着部材(34a)と、ここにおいて、1つまたは複数の中間導管(37)の第1の可撓性中間導管部分(37a)が、第1の装着部材(34a)と第2の装着部材(34b)との間に延在する、
真空ケーシング(39)の外方側に設けられたアクセスポート(36)と、ここにおいて、1つまたは複数の中間導管(37)の第2の可撓性中間導管部分(37b)が、第1の装着部材(34a)とアクセスポート(36)との間に延在する、
を備える、項c1または項c2のいずれかに記載の標的処理ユニット(10)。
真空チャンバ(30)は、
真空チャンバ(30)内に真空環境を与えるように構成された真空ケーシング(39)と、キャリアケーシングを支持するように構成された真空ケーシング(39)内の支持ケーシング(40)と、投影コラム(46)を支持するように構成された支持ケーシング(40)内のキャリアケーシング(41)とを備え、
真空チャンバ(10)は、1つまたは複数の導管(26、37、60)を少なくとも部分的に備える中間導管アセンブリ(108)をさらに備え、ここにおいて、中間導管アセンブリ(108)は、
キャリアケーシング(41)の内方側部に装着されたコネクタパネル(48)と、第2の装着部材(34b)が、キャリアケーシング(41)の外方側部に連結され、1つまたは複数の中間導管(37)は、コネクタパネル(48)から起始し、第2の装着部材(34b)に案内される、
支持ケーシング(40)の内方側部に装着された第1の装着部材(34a)と、ここにおいて、1つまたは複数の中間導管(37)の第1の可撓性中間導管部分(37a)が、第1の装着部材(34a)と第2の装着部材(34b)との間に延在する、
真空ケーシング(39)の外方側部に設けられたアクセスポート(36)と、ここにおいて、1つまたは複数の中間導管(37)の第2の可撓性中間導管部分(37b)が、第1の装着部材(34a)とアクセスポート(36)との間に延在する
を備える、投影コラム(46)を収容するように構成された項c12またはc13に記載の真空チャンバ(30)。
真空チャンバ(30)は、真空チャンバ(30)内に真空環境を与えるように構成された真空ケーシング(39)と、キャリアケーシングを支持するように構成された真空ケーシング(39)内の支持ケーシング(40)と、投影コラム(46)を支持するように構成された支持ケーシング(40)内のキャリアケーシング(41)とを備え、
中間導管アセンブリ(108)は、1つまたは複数の導管(26、37、60)を少なくとも部分的に備え、中間導管アセンブリ(108)は、
キャリアケーシング(41)の内方側部に装着されたコネクタパネル(48)と、第2の装着部材(34b)が、キャリアケーシング(41)の外方側部に連結されるように構成され、1つまたは複数の中間導管(37)は、コネクタパネル(48)から起始し、第2の装着部材(34b)に案内されるように構成される、
支持ケーシング(40)の内方側部に装着された第1の装着部材(34a)と、ここにおいて、1つまたは複数の中間導管(37)の第1の可撓性中間導管部分(37a)が、第1の装着部材(34a)と第2の装着部材(34b)との間に延在するように構成される、
真空ケーシング(39)の外方側部に装着されるように構成されたアクセスポート(36)と、ここにおいて、1つまたは複数の中間導管(37)の第2の可撓性中間導管部分(37b)が、第1の装着部材(34a)とアクセスポート(36)との間に延在するように構成される、
をさらに備える、項c16に記載の中間導管アセンブリ(108)。
標的と標的を操作するための複数のデバイス(46、114)とを収容するための内方空間を画成する真空チャンバ(30)と、ここにおいて、真空チャンバは、内方空間内で真空を維持するように構成される、
複数のデバイスを制御する、給電する、および冷却する中の少なくとも1つを行うための機器(22)を収容するためのキャビネット(12)と、
ここにおいて、デバイスは、
ビームを発生させるおよび露光中に標的(31)に向かってビームを投影するための投影コラム(46)と、
標的(31)を支持するための位置決めシステム(114)と
を備え、
位置決めシステムは、投影コラムに対して可動的に構成され、位置決めシステムおよび投影コラムは、真空チャンバの空間的に別個の部分を占め、
標的処理ユニットは、
キャビネットの内部の対応する機器(22)に投影コラムと位置決めシステムとを接続するための複数の導管(26、37、60、110)と、
各導管が相互的な阻害を伴わずに投影コラムにおよび位置決めシステムに個別に接続するのを可能にする個別の導管経路を形成するために、真空チャンバの空間的に別個の部分に向かっておよびその中に対応する導管を送るための第1の導管ガイド構成体および第2の導管ガイド構成体(108、120、140)と
をさらに備える、標的処理ユニット(10)。
第1の導管ガイドアセンブリ(108)が、第1の壁部から投影コラム(46)に対応する導管(26、37、60)をアプローチおよび接続させるように構成され、
第2の導管ガイドアセンブリ(120、140)が、第2の壁部から位置決めシステム(114)に対応する導管(110)をアプローチおよび接続させるように構成される、項c18に記載の標的処理ユニット(10)。
真空チャンバの内方空間内に設けられ、第1の導管ガイドアセンブリ(108)の導管(37、26)に投影コラムから導管(60)を着脱可能におよび選択的に接続するように構成されたコネクタパネル(48)と
を備える、項c19〜c21のいずれか一項に記載の標的処理ユニット(10)。
12 キャビネット
13 前方側部
15 キャビネットドア
16 (前方)プレナム
18 ラック
20 棚
22 電子機器
24 冷却フレーム
25 鉛直方向壁部部分
26 キャビネット導管(ケーブル)
27 鉛直方向凹部
28 床部開口
30 真空チャンバ
31 標的
32 頂側部
33 凹状セクション
34a 第1の導管装着部材/アンカー
34b 第2の導管装着部材/アンカー
35 連結壁部
36 アクセスポート
37 中間導管
37a 第1の可撓性中間導管部分
37b 第2の可撓性中間導管部分
38 軸受部材(レール)
39 真空ケーシング
40 支持ケーシング
41 キャリアケーシング
42 キャリアフレーム
43 懸吊ベース
44 懸吊部材
45 懸吊ロッド
46 投影コラム
47 ビームレット
48 コネクタパネル
49 相補コネクタ
50 投影レンズアセンブリ
52 レンズ支持体(五角形支持プレート)
53 レンズ切欠部
54 レンズ素子
55 当接部材
56 第1の側方エッジ
57 第2の側方エッジ
58 接続領域(後方エッジ)
59 ガイド部材(ホイール)
60 信号導管
62 電力導管
64 流体導管
65 遠位端部
66 導管コネクタ
67 洗浄剤供給チューブ
68 レンズキャリアリング(温度安定性)
69 アライメントセンサ
70 導管ガイド体
72 第1のガイド部分(側方ガイド部分)
73 四辺形支持プレート
74 第1のさらなる側方エッジ
75 第2のさらなる側方エッジ
76 さらなるガイド部材(ホイール)
78 第2のガイド部分(鉛直方向ガイド部分)
79 傾斜エッジ
80 (湾曲状)スレッジ
81 スレッジガイド部材
82 スレッジ切欠部
83 さらなるレール
90 照明光学モジュール
92 荷電粒子ビーム源
94 ビームコリメータアレイ
96 コンデンサレンズモジュール
98 開口アレイおよびコンデンサレンズアレイ
100 ビーム切替えモジュール
102 ビームレットブランカアレイ
108 中間導管アセンブリ
110 さらなる導管
112 さらなる機器
114 標的位置決めシステム
114a チャック
114c 短ストロークステージ
116 光ビームセンサ
120 第1のケーブルガイドケーシング
122 第1のケーブルダクト(例えば溝)
124 第1の側壁部
126 第1の上方ダクト開口
128 第1の下方ダクト開口
130 キャビネットフロア
132 第1のダクト壁部部材
134 鉛直方向凹状壁部
140 第2のケーブルガイドケーシング
142 第2のケーブルダクト(例えば溝)
144 第2の側壁部
146 第2の上方ダクト開口
148 第2の下方ダクト開口
150 真空チャンバ頂部
152 第2のダクト壁部部材
166 上方チャンバ領域
168 下方チャンバ領域
170 ベースプレート領域
172 ベースプレート
X 縦方向
Y 横方向
Z 垂直方向(鉛直方向)
P 面
P1 上方面
P2 下方面
B 側方領域
h 支持プレート高さ
上記のリストは、本明細書に上述の通り説明され、添付の図を伴って示された代替実施形態の関連する様をも含むものである。簡潔化および明瞭化のみを目的として、プライム符号を付けられたかかる実施形態の要素は、上記から省いた。
Claims (21)
- 標的処理ユニットであって、
標的に向かうビームを発生させ、成形し、および配向する投影コラムであって、前記標的に前記ビームを配向するための投影レンズアセンブリを備えた投影コラムと、
前記投影レンズアセンブリを収容するためのキャリアフレームと、ここで、前記投影レンズアセンブリは、レンズ素子を収容するための平面レンズ支持体を備え、ここにおいて、前記平面レンズ支持体は、面に広がり、接続領域と側方エッジとを備え、前記平面レンズ支持体は、前記キャリアフレーム内へと前記面に対して平行な挿入方向に沿った挿入用に構成されるものであり、
前記接続領域から起始し、前記面に対して平行に配向された複数の導管と、
前記複数の導管を収容するように構成された導管ガイド体と、を備え、
前記導管ガイド体は、前記側方エッジを越えて側方領域まで、前記面に対して平行におよび前記挿入方向に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記接続領域から前記複数の導管を案内するように構成された第1のガイド部分と、
前記導管ガイド体の傾斜エッジに向かって、前記面に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記側方領域から前記複数の導管を案内するための第2のガイド部分とを備える、標的処理ユニット。 - 前記キャリアフレームは、前記投影レンズアセンブリの前記導管ガイド体の少なくとも一部に対して相補的な形状を有する切欠部を前記側方領域に備える、請求項1に記載の標的処理ユニット。
- 前記投影レンズアセンブリと前記標的処理ユニットに設けられたソースデバイスおよび/または宛先デバイスとの間に電気接続および/または流体連通を確立するために、前記導管の遠位端部に接続するための相補コネクタを備えるコネクタパネルを備える、請求項1に記載の標的処理ユニット。
- 前記導管は、前記導管ガイド体の内部に収容され、前記導管ガイド体の外側は、前記挿入方向に沿って実質的に線対称である、請求項1に記載の標的処理ユニット。
- 前記平面レンズ支持体、前記第1のガイド部分、ならびに前記平面レンズ支持体および前記第1のガイド部分により収容される前記導管の部分は、前記面に対して平行な第1の面と前記面に対して平行な第2の面との間に垂直方向に完全に画定される、請求項1に記載の標的処理ユニット。
- 前記平面レンズ支持体は、前記挿入方向に対して共に平行である2つの相対側方エッジを備える大体において多角形の剛性支持プレートを備え、後方エッジが、前記挿入方向に対して少なくとも部分的に逆方向である方向を向く、請求項1に記載の標的処理ユニット。
- 前記挿入方向に沿っておよび前記面に対して平行に前記キャリアフレーム内へと前記平面レンズ支持体を位置決めするために、前記多角形の剛性支持プレートの前記相対側方エッジに沿ってガイド部材を備える、請求項6に記載の標的処理ユニット。
- 各導管は、遠位導管端部に導管コネクタを備え、前記導管コネクタは、前記面から垂直に距離を置いて前記側方領域に設けられたコネクタパネル上の相補コネクタに接続するように構成される、請求項1に記載の標的処理ユニット。
- コネクタパネルおよび相補コネクタは、前記面に対して垂直である垂直方向に配置される、請求項2に記載の標的処理ユニット。
- 標的に向かってビームを配向するための投影レンズアセンブリであって、
レンズ素子を収容するための平面レンズ支持体と、ここで、前記平面レンズ支持体は、面に広がり、接続領域と側方エッジとを備え、前記平面レンズ支持体は、標的処理ユニットのキャリアフレーム内へと前記面に対して平行な挿入方向に沿った挿入用に構成されるものであり、
前記接続領域から起始し、前記面に対して平行に配向された複数の導管と、
前記複数の導管を収容するように構成された導管ガイド体と、を備え、
前記導管ガイド体は、前記側方エッジを越えて側方領域まで、前記面に対して平行におよび前記挿入方向に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記接続領域から前記複数の導管を案内するように構成された第1のガイド部分と、
前記導管ガイド体の傾斜エッジに向かって、前記面に対して垂直な非ゼロの方向成分を有して前記側方領域から前記複数の導管を案内するための第2のガイド部分とを備える、投影レンズアセンブリ。 - 前記導管は、前記導管ガイド体の内部に収容され、前記導管ガイド体の外側は、前記挿入方向に沿って実質的に線対称である、請求項10に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記導管は、局所的に平行な構成で前記導管ガイド体内に収容される、請求項10に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記平面レンズ支持体、前記第1のガイド部分、ならびに前記平面レンズ支持体により収容される前記導管の部分は、前記面に対して平行な第1の面と第2の面との間に垂直方向に完全に画定される、請求項10に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記接続領域は、前記平面レンズ支持体の後方エッジを形成する、請求項10に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記平面レンズ支持体は、前記挿入方向に対して共に平行である2つの相対側方エッジを備える大体において多角形の剛性支持プレートを備え、前記後方エッジは、前記挿入方向に対して少なくとも部分的に逆方向である方向を向く、請求項14に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記多角形の剛性支持プレートは、五角形を有し、前記2つの相対側方エッジおよび前記後方エッジは、相互連結され、2つの残りのエッジは、中間に位置する角部に当接部材を有する先端部を形成する、請求項15に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記導管ガイド体は、前記平面レンズ支持体の前記後方エッジに沿って設けられ、前記第1のガイド部分は、前記面内に配置されたおよび前記挿入方向に対して共に平行である2つのさらなる相対側方エッジを備える大体において四辺形の剛性支持プレートを備える、請求項14に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記多角形の剛性支持プレートおよび/または四辺形の剛性支持プレートは、磁気遮蔽材料を備える、請求項15に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記挿入方向に沿っておよび前記面に対して平行に前記キャリアフレーム内へと前記平面レンズ支持体を位置決めするために、前記多角形の剛性支持プレートの前記相対側方エッジに沿ってガイド部材を備える、請求項15に記載の投影レンズアセンブリ。
- 各導管は、遠位導管端部に導管コネクタを備え、前記導管コネクタは、前記面から垂直に距離を置いて前記側方領域に設けられたコネクタパネル上の相補コネクタに接続するように構成される、請求項10に記載の投影レンズアセンブリ。
- 前記導管ガイド体は、スレッジを備え、前記スレッジは、前記第2のガイド部分と前記第1のガイド部分の少なくとも一部とを備え、前記スレッジは、前記キャリアフレーム内へと前記スレッジを位置決めするために前記挿入方向に沿ってスレッジガイド部材を備える、請求項10に記載の投影レンズアセンブリ。
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Families Citing this family (9)
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Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4831270A (en) * | 1987-05-21 | 1989-05-16 | Ion Implant Services | Ion implantation apparatus |
US5250808A (en) * | 1987-05-21 | 1993-10-05 | Electroscan Corporation | Integrated electron optical/differential pumping/imaging signal system for an environmental scanning electron microscope |
EP0979426A1 (en) | 1996-06-10 | 2000-02-16 | Holographic Lithography Systems, Inc. | Holographic patterning method and tool for production environments |
US6714278B2 (en) * | 1996-11-25 | 2004-03-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
TWI221000B (en) * | 2001-02-13 | 2004-09-11 | Nikon Corp | Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method |
US6756706B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-06-29 | Nikon Corporation | Method and apparatus for cooling power supply wires used to drive stages in electron beam lithography machines |
JP2004055933A (ja) | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、及び電子ビーム計測モジュール |
JP2005106166A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Nikon Corp | アクティブ除振装置及び露光装置 |
JP2005209702A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Fujitsu Access Ltd | 電子機器用キャビネット |
JP4405867B2 (ja) | 2004-06-29 | 2010-01-27 | キヤノン株式会社 | 電子線露光装置、および、デバイス製造方法 |
JP2006079911A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム検出器 |
JP5408674B2 (ja) | 2008-02-26 | 2014-02-05 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 投影レンズ構成体 |
US8226795B2 (en) * | 2009-02-03 | 2012-07-24 | Nordson Corporation | Magnetic clips and substrate holders for use in a plasma processing system |
NL1036912C2 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical system comprising an electrostatic deflector. |
US8362441B2 (en) * | 2009-10-09 | 2013-01-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Enhanced integrity projection lens assembly |
NL2003619C2 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-12 | Mapper Lithography Ip Bv | Projection lens assembly. |
US8570055B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-10-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Capacitive sensing system |
WO2011104176A1 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20120069317A1 (en) * | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Jerry Peijster | Lithography system arranged on a foundation, and method for arranging a lithography system on said foundation |
EP2681624B1 (en) * | 2010-12-14 | 2016-07-20 | Mapper Lithography IP B.V. | Lithography system and method of processing substrates in such a lithography system |
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