JP6215820B2 - タッチパネル及び電極製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、タッチパネル及び電極製造方法に関するものである。

最近、多様な電子製品でディスプレイ装置に表示された画像に指またはスタイラス（stylus）などの入力装置を接触する方式により入力を行なうタッチパネルが適用されている。

タッチパネルは、抵抗膜方式のタッチパネルと静電容量方式のタッチパネルとに大別できる。抵抗膜方式のタッチパネルは入力装置の圧力によってガラスと電極が短絡されて位置が検出される。静電容量方式のタッチパネルは指が接触した時、電極間の静電容量が変化することを感知して位置が検出される。

このようなタッチパネルの電極に最も広く使われるインジウムすず酸化物（indium tin oxide；ＩＴＯ）は値段が高く、電極形成のために高温蒸着と真空工程が必要である。また、基板の曲げと撓みにより物理的に打撃を受けやすくなって、 電極への特性が悪化し、これによってフレキシブル（flexible）素子に適合しないという問題点がある。

このような問題点を解決するために代替電極に対する活発な研究が進められている。

本発明の目的は、透過度が高く、抵抗が低い電極を含むタッチパネルを提供することにある。

本発明の他の目的は、透過度が高く、抵抗が低い電極を提供することにある。

本発明に従うタッチパネルは、基板、及び前記基板の上に位置し、接触位置を感知する透明電極を含み、前記透明電極は長さが３０μｍから５０μｍの金属ナノワイヤーを含む。

本発明に従う電極製造方法は、ナノワイヤーを準備するステップ、前記ナノワイヤーを基板の上にコーティングするステップ、及び前記基板を硬化するステップを含む。

本発明に従うタッチパネルに含まれる透明電極は、直径が３０ｎｍから６０ｎｍであり、長さが３０μｍから５０μｍの金属ナノワイヤーを使用する。これによって、高い光学的特性及び電気的な特性を有することができる。即ち、前記金属ナノワイヤー自体がネットワーク構造で電極を構成することができる。この際、前記金属ナノワイヤーは細くて長く形成されるため、透過度及び透明度を高め、抵抗を減少させることができる。

本発明に従う電極製造方法により製造された電極は、高い透過度を維持させることができる。また、前記電極は、反射率が少なく、高い伝導度を有し、高い光透過性及び低いヘイズを有する。また、前記電極は面抵抗が小さくて前記電極が適用されたタッチパネルの性能を向上させることができる。

本発明の第１実施形態に従うタッチパネルの概略的な斜視図である。 本発明の第２実施形態に従うタッチパネルの概略的な斜視図である。 本発明の実施形態に従う電極製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態に従う電極製造方法に含まれるナノワイヤーを準備するステップを説明するためのフローチャートである。

本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの「上／の上（on）」に、または「下／の下（under）」に形成されるという記載は、「直接（directly）」または「他の層を介して」形成されるものを全て含む。各層の上／の上または下／の下に対する基準は、図面を基準として説明する。

図面においての各層（膜）、領域、パターン、または構造物の厚さやサイズは説明の明確性及び便宜のために変形できるので、実際のサイズを全的に反映するものではない。

以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。

まず、図１を参照して、第１実施形態に従うタッチパネル１００を詳細に説明する。

第１実施形態に従うタッチパネル１００は抵抗膜方式のタッチパネルであって、前記タッチパネル１００は２つの基板１０、１２に形成される透明電極２２、２４が接触して動作する方式である。

具体的に、第１実施形態に従うタッチパネル１００は第１基板１０及び前記第１基板１０と離隔する第２基板１２を含み、前記第１基板１０に形成される第１透明電極２２、前記第２基板１２に形成される第２透明電極２４、及び前記第１基板１０と前記第２基板１２が離隔した部分に挿入される回路基板５０を含む。

前記第１基板１０及び前記第２基板１２の各々に第１透明電極２２及び第２透明電極２４が形成され、これは電気的不導体で形成された球形状のドットスペーサ（dot spacer）３０により離れている。このように上・下に形成された第１透明電極２２及び第２透明電極２４が接触するようになれば、その接触位置によって上・下に形成された第１透明電極２２及び第２透明電極２４の面抵抗によって抵抗値が可変される。可変された抵抗値によって、電流、電圧が変わるようになり、これによって入力位置を検出することができる。このようなタッチパネル１００では第１及び第２基板１０、１２を合着する粘着剤４０がさらに形成できる。

前記第１及び第２透明電極２２、２４は、金属ナノワイヤーを含むことができる。具体的に、前記第１及び第２透明電極２２、２４は、銀ナノワイヤーを含むことができる。

前記金属ナノワイヤーは、約３０μｍ以上の長さを有することができる。より詳しくは、前記金属ナノワイヤーは長さが３０μｍから５０μｍでありうる。

前記金属ナノワイヤーは、約６０μｍ以下の直径を有することができる。より詳しくは、前記金属ナノワイヤーは直径が３０ｎｍから６０ｎｍでありうる。

前記金属ナノワイヤーが前記第１及び第２透明電極２２、２４に使われる場合、高い光学的特性及び電気的な特性を有することができる。即ち、前記金属ナノワイヤー自体がネットワーク構造で電極を構成することができる。この際、前記金属ナノワイヤーは細くて長く形成されるため、透過度及び透明度を高め、抵抗を減少させることができる。

図面に図示してはいないが、前記タッチパネル１００の下端に液晶パネルがさらに位置することができる。液晶パネルは液晶表示装置の表示部であって、２枚のガラス基板の間に注入された液晶セルの光透過率を調節することによって、画像を表示するようになる。液晶セルの各々は、ビデオ信号、即ち該当画素信号に応答して透過される光量を調節する。前記タッチパネル１００及び前記液晶パネルが合着されて液晶表示装置を構成することができる。

以下、図２を参照して、第２実施形態に従うタッチパネル２００を詳細に説明する。明確で、かつ簡略な説明のために第１実施形態と同一または極めて類似な部分に対しては詳細な説明を省略し、互いに異なる部分のみを詳細に説明する。

第２実施形態に従うタッチパネル２００は、静電容量方式のタッチパネルであって、このようなタッチパネルに指などの入力装置が接触すれば、入力装置が接触した部分で静電容量の差が発生し、この差が発生した部分を接触位置として検出することができる。

具体的に、第２実施形態に従うタッチパネル２００は、第１基板１１０及び前記第１基板１１０と離隔する第２基板１１２を含み、前記第１基板１１０に形成される第１透明電極１２２、前記第２基板１１２に形成される第２透明電極１２４、及び前記第１基板１１０と前記第２基板１１２が離隔した部分に挿入される回路基板１５０を含む。

前記第１基板１１０及び前記第２基板１１２の間に形成される光学用透明接着剤（optically clear adhesive；ＯＣＡ）１３０は光透過率を落とさないながらも２つの層が安定的に接合できる。

前記第２基板１１２の下端には保護層１４０が位置できる。前記保護層１４０は、タッチパネル２００が衝撃により破損される時、破片の飛散を防止するための飛散防止層でありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、前記保護層１４０は反射による眩しさや画面が見えない現象を防ぐために可視光領域の光の反射率を低下させる役割をする反射防止層でありうる。

前記第１及び第２透明電極１２２、１２４は、金属ナノワイヤーを含むことができる。前記金属ナノワイヤーは、前述した第１実施形態に従うタッチパネル１００に含まれる金属ナノワイヤーと同一または類似することができる。

以下、図３及び図４を参照して、実施形態に従う電極製造方法を説明する。

図３は、本発明の実施形態に従う電極製造方法を説明するためのフローチャートである。図４は、本発明の実施形態に従う電極製造方法に含まれるナノワイヤーを準備するステップ（ＳＴ１００）を説明するためのフローチャートである。

図３を参照すると、実施形態に従う電極製造方法は、ナノワイヤーを準備するステップ（ＳＴ１００）、コーティングするステップ（ＳＴ２００）、及び硬化するステップ（ＳＴ３００）を含む。

前記ナノワイヤーを準備するステップ（ＳＴ１００）では、直径は３０ｎｍから６０ｎｍであり、長さは３０μｍから５０μｍのナノワイヤーを準備することができる。

具体的に、図４を参照すると、実施形態に従うナノワイヤー製造方法は、溶媒を加熱するステップ（ＳＴ１１０）、溶媒にキャッピング剤を添加するステップ（ＳＴ１２０）、溶媒に触媒を添加するステップ（ＳＴ１３０）、溶媒に金属化合物を添加するステップ（ＳＴ１４０）、溶媒に常温の溶媒を追加で添加するステップ（ＳＴ１５０）、及びナノワイヤーを精製するステップ（ＳＴ１６０）を含むことができる。このようなステップは全て必須なものではなく、製造方法によって一部のステップが遂行されないことがあり、各ステップの順序が変わることもある。前述した各ステップをより詳しく説明すれば、次の通りである。

溶媒を加熱するステップ（ＳＴ１１０）では、溶媒を金属ナノワイヤーの形成に適した反応温度に加熱する。

溶媒にはポリオール（polyol）を使用することができる。このようなポリオールは他の物質を混合する溶媒としての役割と共に、弱い還元剤（mile reducing agent）の役割を共に遂行する。これによって、前記溶媒は前記金属化合物を還元させて、金属ナノワイヤーを形成することができる。

前記溶媒は、少なくとも２種類以上の物質の混合物でありうる。例えば、前記溶媒は、第１溶媒及び第２溶媒を含むことができる。より詳しくは、前記溶媒は前記第１溶媒及び前記第２溶媒の混合物を含むことができる。

前記第１溶媒は相対的に低い第１還元力を有する。より詳しくは、前記第１溶媒は前記第２溶媒より低い還元力を有する。前記第１溶媒の例としては、エチレングリコールなどを挙げることができる。

前記第２溶媒は、相対的に高い第２還元力を有する。より詳しくは、前記第２溶媒は前記第１溶媒より高い還元力を有する。即ち、前記第２還元力は前記第１還元力より大きい。ここで、前記第２還元力は前記第１還元力に比べて相対的に一層高いということを意味するものであり、前記第１還元力及び前記第２還元力は全体的に低いことがある。

前記第２溶媒の例としては、プロピレングリコールなどを挙げることができる。また、前記第１溶媒及び前記第２溶媒にグリセリン、グリセロール、またはグルコースなどが使用できる。

前記第１溶媒及び前記第２溶媒の割合は前記反応温度及び前記金属化合物の種類及び特性によって多様に変わることができる。前記第１溶媒及び前記第２溶媒の体積比は約１：２から約１：４でありうる。例えば、銀ナノワイヤーを形成するために、エチレングリコール及びプロピレングリコールの混合物が溶媒に使われる時、エチレングリコール及びプロピレングリコールの体積比は約１：２から約１：４でありうる。より詳しくは、全体混合溶媒のうち、エチレングリコールの割合は約２０ｖｏｌ％から約３０ｖｏｌ％であり、プロピレングリコールの割合は約７０ｖｏｌ％から約８０ｖｏｌ％でありうる。

前記反応温度は前記溶媒及び前記金属化合物の種類及び特性を考慮して多様に調節できる。特に、前記反応温度は使われる溶媒によって多様に変えることができる。例えば、前記溶媒がエチレングリコール及びプロピレングリコールの混合物を含む場合、前記反応温度は約１２０℃から約１２６℃でありうる。

次に、溶媒にキャッピング剤を添加するステップ（ＳＴ１２０）では、ワイヤー形成を誘導するキャッピング剤を溶媒に添加する。ナノワイヤー形成のための還元があまり早くなされれば、金属が凝集されながらワイヤー形状をなすことが困難であるところ、このようなキャッピング剤は溶媒内の物質が適切に分散されるようにして凝集を防止する役割をする。

キャッピング剤には多様な物質を使用することができるが、一例に、ポリビニルピロリジン（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド（ＣＴＡＢ）、セチルトリメチルアンモニウムクロライド（ＣＴＡＣ）、ポリアクリルアミド（ＰＡＡ）などを使用することができる。

次に、溶媒に触媒を添加するステップ（ＳＴ１３０）では、天日塩または精製塩を触媒に添加する。このような天日塩または精製塩はＮａＣｌと共に、多様な金属またはハロゲン元素を備えて金属ナノワイヤー形成のためのシード（seed）形成及び金属ナノワイヤー形成の反応を促進する役割をする。前述した多様な金属またはハロゲン元素にはＭｇ、Ｋ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｓｅ、Ｍｎ、Ｐ、Ｂｒ、Ｉなどを挙げることができる。

一例に、天日塩は８０〜９０重量％のＮａＣｌ、３〜１２重量％のＨ_２Ｏ、０．２〜１．２重量％のＭｇ、０．０５〜０．５重量％のＫ、１〜８重量％の追加元素を含むことができる。追加元素にはＺｎ、Ｆｅ、Ｓｅ、Ｍｎ、Ｐ、Ｂｒ、Ｉなどを挙げることができる。このような追加元素は４〜８重量％だけ含まれることが好ましい。

一例として、精製塩は９９重量％以上のＮａＣｌ、０．２〜１．０重量％のＨ_２Ｏ、０．０２〜０．０４重量％のＭｇ、０．０３〜０．０８重量％のＫ、０．４重量％以下の追加元素を含むことができる。前記追加元素にはＺｎ、Ｆｅ、Ｓｅ、Ｍｎ、Ｐ、Ｂｒ、Ｉなどを挙げることができる。この際、追加元素は０．０２〜０．４重量％だけ含まみうる。このように、精製塩はＭｇ、Ｋ、Ｂｒなどの追加元素などの添加含有量が天日塩よりは少ないが、これらを一定割合以上に含んでいるので、金属ナノワイヤーの形成を促進することができる。

このように、天日塩または精製塩はＮａＣｌと共に、Ｍｇ、Ｋ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｓｅ、Ｍｎ、Ｐ、Ｂｒ、Ｉなどが一定割合で添加されているので、金属ナノワイヤー形成反応を容易にすることができる。特に、ハロゲン元素であるＣｌ、Ｂｒ、Ｉは、ナノワイヤー形成の主要要素として作用することができる。そして、Ｍｇは金属化合物の金属（一例に、銀）を還元することに重要な助触媒として作用することができる。前述した組成は触媒としての役割を適切に遂行することができるように限定されたものである。

そして、前述したように、精製塩または天日塩を使用すれば、前述した金属またはハロゲン元素を別々に添加する必要無しで、精製塩または天日塩を単独に添加して製造工程を簡単にすることができる効果がある。

次に、溶媒に金属化合物を添加するステップ（ＳＴ１４０）では、溶媒に金属化合物を添加して反応溶液を形成する。

この際、金属化合物は別途の溶媒に溶かした状態でキャッピング剤及び触媒が添加された溶媒に添加できる。別途の溶媒には最初に使用した溶媒と同一な物質または異なる物質を使用することができる。そして、金属化合物は触媒を添加した後に一定時間が過ぎた後に添加できる。これは、温度を適切な反応温度に安定化するためのものである。

ここで、金属化合物は製造を所望する金属ナノワイヤーを形成するための金属を含んだ化合物である。銀ナノワイヤーを形成しようとする場合には、金属化合物にＡｇＣｌ、ＡｇＮＯ_３、またはＫＡｇ（ＣＮ）_２などを使用することができる。

このようにキャッピング剤及び触媒が添加された溶媒に金属化合物を添加すれば、反応が起こりながら金属ナノワイヤーの形成が始まる。

本実施形態において、キャッピング剤はＡｇＣｌ、ＡｇＮＯ₃、またはＫＡｇ（ＣＮ）₂などのような金属化合物１００重量部に対して６０から３３０重量部だけ添加できる。キャッピング剤が６０重量部未満に添加された場合には凝集現象を十分に防止することができない。そして、キャッピング剤が３３０重量部を超過して添加された場合には球形、立方形のような金属ナノパーティクルが形成されることができ、製造された金属ナノワイヤーにキャッピング剤が残存して電気伝導度を低下させることができる。

そして、触媒は前記金属化合物１００重量部に対して０．００５から０．５重量部だけ添加できる。触媒が０．００５重量部未満に添加された場合には反応を十分に促進することができない。そして、触媒が０．５重量部を超過して添加された場合には銀の還元が急激に進行して銀ナノパーティクルが生成されるか、ナノワイヤーの直径が太くなり、長さが短くなることがあり、製造された金属ナノワイヤーに触媒が残存して電気伝導度を低下させうる。

次に、反応溶液に常温の溶媒を追加で添加するステップ（ＳＴ１５０）では反応が始まった溶媒に常温の溶媒を追加で添加する。このような常温の溶媒は最初に使用した溶媒と同一な物質または異なる物質を使用することができる。一例に、常温の溶媒にはエチレングリコール、プロピレングリコールなどのポリオールを使用することができる。

反応が始まった溶媒は一定の反応温度維持のために持続的に加熱することによって反応中に温度が上昇しうるが、前述したように反応が始まった溶媒に常温の溶媒を添加して溶媒の温度を一時的に落として反応温度をより一定に維持させることができる。

常温の溶媒を追加で添加するステップ（ＳＴ１５０）は、反応時間、反応溶液の温度などを考慮して一回または多数回遂行できる。

次に、ナノワイヤーを精製するステップ（ＳＴ１６０）は、反応溶液で金属ナノワイヤーを精製して回収する。

より詳しくは、反応溶液に、水より非極性溶媒であるアセトンなどを添加すれば、金属ナノワイヤーの表面に残存したキャッピング剤により金属ナノワイヤーが溶液の下部に沈殿する。これは、キャッピング剤が溶媒内ではよく溶解されるが、アセトンなどでは溶解されず、凝集して沈殿するためである。その後に上層溶液を捨てれば、キャッピング剤の一部と形成されたナノ粒子などが除去される。

残った溶液に蒸溜水を添加すれば、金属ナノワイヤーと金属ナノ粒子が分散され、追加でアセトンなどを添加すれば、金属ナノワイヤーは沈殿し、金属ナノ粒子は上層溶液内に分散される。その後に上層溶液を捨てれば、キャッピング剤の一部と凝集により形成された金属ナノ粒子などが除去される。このような工程を反復実行して金属ナノワイヤーを回収した後、これを蒸溜水に保管する。金属ナノワイヤーを蒸溜水に保管することによって、金属ナノワイヤーの再凝集を防止することができる。

このように、前記ナノワイヤーを準備するステップ（ＳＴ１００）では、還元力が互いに異なる第１溶媒及び前記第２溶媒を使用して、金属化合物を還元させ、金属ナノワイヤーを形成させる。

特に、還元力が相対的に高い前記第２溶媒は前記金属ナノワイヤーの長さを増加させ、還元力が相対的に低い前記第１溶媒は前記金属ナノワイヤーを細く形成することができる。即ち、前記第１溶媒及び前記第２溶媒によって、前記金属ナノワイヤーは細くて長く形成できる。これによって、前記ナノワイヤーを準備するステップ（ＳＴ１００）では大きい縦横比を有する金属ナノワイヤーを提供することができる。即ち、前記ナノワイヤーを準備するステップ（ＳＴ１００）を通じて直径は３０ｎｍから６０ｎｍであり、長さは３０μｍから５０μｍのナノワイヤーを準備することができる。

次に、前記コーティングするステップ（ＳＴ２００）では、前記ナノワイヤーを基板にコーティングすることができる。

前記コーティングするステップ（ＳＴ２００）の前に、電極物質を準備するステップをさらに含むことができる。前記電極物質を準備するステップでは、前記ナノワイヤーをエタノールに分散して電極物質を製造することができる。

その後、前記コーティングするステップ（ＳＴ２００）で、前記電極物質を前記基板にコーティングすることができる。これを通じて、前記ナノワイヤーが互いに固まらないで均一に分散した状態で前記基板にコーティングできる。したがって、前記ナノワイヤーを含んだ電極の透過性を向上させることができ、抵抗を低下することができる。

前記ナノワイヤーは、前記電極物質に対して０．３重量％から０．５重量％含まれるうる。前記ナノワイヤーが前記電極物質に対して０．３重量％未満に含まれる場合、電気伝導度が低下することがある。前記ナノワイヤーが前記電極物質に対して０．５重量％超過して含まれる場合、前記ナノワイヤー同士が凝集して透過度が低下しうる。

前記コーティングするステップ（ＳＴ２００）では、ディップコーティングすることができる。ディップコーティングはコーティング方法の一種類であり、被コーティング材をコーティング溶液またはスラリーに浸して被コーティング材の表面に前駆体（precursor）層を形成した後、適当な温度に焼成して塗膜を得る方法をいう。

前記ディップコーティングは１ｍｍ／ｓから３ｍｍ／ｓの速度でなすることができる。具体的に、前記基板を前記電極物質に浸した後、１ｍｍ／ｓから３ｍｍ／ｓの速度で押し上げることができる。

しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、前記コーティングするステップ（ＳＴ２００）ではスピン（spin）コーティング、フロー（flow）コーティング、スプレー（spray）コーティング、スリットダイ（slit die）コーティング、及びロール（roll）コーティングなどの多様なコーティング方法により形成できる。

次に、前記硬化するステップ（ＳＴ３００）ではコーティングされた前記基板を硬化することができる。

具体的には、前記コーティングするステップ（ＳＴ２００）の後、前記基板を大気下で乾燥させた後、２℃／分から１０℃／分の速度で昇温することができる。次に、１００℃から１５０℃の温度で１０分から５０分の間硬化させることができる。

実施形態に従う電極製造方法により製造された電極は高い透過度を維持させることができる。また、前記電極は、反射率が少なく、高い伝導度を有し、高い光透過性及び低いヘイズを有する。また、前記電極は面抵抗が小さく、前記電極が適用されたタッチパネルの性能を向上させることができる。

以下、実施形態を通じて本発明をより詳しく説明する。しかしながら、実施形態は本発明を例示するためのものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。

実施形態
エチレングリコール及びプロピレングリコールを約１：３の割合で混合して、約２００ｍｌの溶媒を形成した。前記溶媒は約１２６℃に加熱され、６．６８ｇのポリビニルピロリドンを添加して溶かした後、０．１ｇのＫＢｒ及び０．５ｇのＡｇＣｌを添加した。約１時間３０分後に、約２．２ｇのＡｇＮＯ_３及び０．５ｇのＡｇＣｌを１００ｍｌのエチレングリコール及びプロピレングリコールの混合液（約１：３の割合）に溶かしてポリビニルピロリドン、ＫＢｒ及び溶媒の混合溶液に添加した。その後、１時間位反応が続くようにして銀ナノワイヤーの形成を完了した。

反応が完了した溶液にアセトン５００ｍｌを添加した後、エチレングリコール及びプロピレングリコールと銀ナノ粒子が分散された上層溶液を捨てた。

１００ｍｌの蒸溜水を添加して凝集された銀ナノワイヤーと銀ナノ粒子を分散させた。そして、アセトン５００ｍｌを添加した後、エチレングリコール及びプロピレングリコールと銀ナノ粒子が分散した上層溶液を捨てた。このような工程を３回反復実施した後、１０ｍｌの蒸溜水に保管した。

前記銀ナノワイヤーをエタノールに分散して電極物質を準備した。前記銀ナノワイヤーは前記電極物質に対して０．３重量％含まれた。前記電極物質に基板を浸した後、約２ｍｍ／ｓの速度で押し上げてディップコーティングを実施した。コーティングされた前記基板を大気下で乾燥した後、約１５０℃で硬化した。

比較例
基板にインジウムすず酸化物（indium tin oxide；ＩＴＯ）を蒸着した。

前記実施形態と比較例を通じて形成された電極の特性を各々測定した。前記実施形態及び比較例に対し、ヘイズ（haze）、全光線透過率、透過度、及び抵抗を各々測定して＜表１＞にその結果を表した。

＜表１＞を参考すると、実施形態の４００ｎｍから７００ｎｍでのヘイズが１．０％以下に測定されて、比較例に比べて透明度が改善されることが分かる。また、実施形態の４００ｎｍから７００ｎｍでの全光線透過率及び透過度が９０％以上に測定されて、比較例に比べて透過率及び透過度が向上することが分かる。また、実施形態の抵抗が比較例の抵抗に比べて１００Ω以上低く測定されて、低抵抗電極を具現することができた。

以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。ひいては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。

以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない多様な変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (5)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向配置され、第１表面及び前記第１表面と反対側の第２表面を含む第２基板と、
   前記第１基板の上に配置されて接触位置を感知する第１透明電極と、
   前記第２基板の前記第２表面の上に配置され、前記第１透明電極と静電容量変化を有する第２透明電極と、
   を含み、
   前記第１透明電極及び前記第２透明電極は、分散媒と、長さが３０μｍから５０μｍの金属ナノワイヤーとを含み、
   前記金属ナノワイヤーは、前記分散媒の全体重量に対して０．３重量％から０．５重量％含まれることを特徴とするタッチパネル。
2. 前記金属ナノワイヤーは直径が３０ｎｍから６０ｎｍである、請求項１に記載のタッチパネル。
3. 前記金属は銀を含む、請求項１又は２に記載のタッチパネル。
4. 第１還元力を有する第１溶媒と前記第１還元力より大きい第２還元力を有する第２溶媒に金属化合物を添加し、前記金属化合物を加熱して金属ナノワイヤーを形成するステップを含む、ナノワイヤーを準備するステップと、
   前記ナノワイヤーを基板の上にコーティングするステップと、
   前記基板を硬化するステップと、
   を含み、
   前記ナノワイヤーは、前記電極物質に対して０．３重量％〜０．５重量％含み、
   前記第１溶媒はエチレングルコールを含み、前記第２溶媒はプロピレングリコールを含むことを特徴とする電極製造方法。
5. 前記コーティングするステップの前に、前記ナノワイヤーをエタノールに分散して溶液を準備するステップをさらに含む、請求項４に記載の電極製造方法。

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