JP6213897B2 - 接合方法 - Google Patents
接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6213897B2 JP6213897B2 JP2013247923A JP2013247923A JP6213897B2 JP 6213897 B2 JP6213897 B2 JP 6213897B2 JP 2013247923 A JP2013247923 A JP 2013247923A JP 2013247923 A JP2013247923 A JP 2013247923A JP 6213897 B2 JP6213897 B2 JP 6213897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- joined
- joining
- bonding
- materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
すなわち、アルミニウム系材料とインサート材との間に共晶反応を生じさせることによって、アルミニウム系材料表面の酸化皮膜を除去し、生じた共晶溶融物と共に接合面から排出することによって、酸化皮膜による接合品質への影響が解消され、健全な接合が可能になる。
また、本発明の半導体装置は、本発明の上記接合方法によって接合されていることを特徴とする。
このとき、両接合面の少なくとも一方に、多数の突起を設け、これらの少なくとも60%の突起を接合面に対して傾斜した状態に形成するようにしている。
また、突起を接合面に直立させることなく、接合面に対して予め傾斜させたため、接合時における相手接合面からの押圧によって、突起が変形して倒れ易くなり、接合面同士の接触面積が増す結果、突起の加工精度のばらつきを吸収して、接合品質が安定したものとなり、接合強度や電気伝導性、熱伝導性の向上が可能になる。
すなわち、直立した非傾斜突起がの占める割合が40%を超えると、このような突起から成る凹凸構造全体としての変形能が不足し、上記のような効果が得られなくなることによる。
次いで、このような突起から成る凹凸構造を備えた接合面の間に、酸化皮膜を備えた被接合材を構成する金属と共晶反応を生じる元素を含むインサート材を介在させる。
接合面の酸化皮膜が局部的、機械的に破壊され、新生面が露出し、共晶反応が発生する温度に到達すると、共晶反応が生じ、接合界面に被接合材中の元素とインサート材に含まれる元素との共晶反応による溶融物が生成する。
このとき、接合面には多数の突起から成る凹凸構造が形成されており、突起の先端が選択的に相手面に接触し、局所的に応力を増大させるため、低い荷重で酸化皮膜を局所破壊して、共晶反応を引き起こすことができ、低い荷重のもとに、新生面による強固な接合が可能となる。
このとき、被接合材1、1の表面、ここでは図中上側の被接合材1の接合面には、多数の突起1cから成る凹凸構造が形成されており、これら被接合材1、1の表面には、それぞれAl2O3を主成分とする酸化皮膜1aが生成している。
亀裂Cを介して、被接合材1の新生面とインサート材2が直接的に接触した状態で、接合面の温度が共晶反応が発生する温度に到達すると、被接合材1中のAlとインサート材2のZnとの間に共晶反応を起こし、共晶溶融相が発生する。そして、図1(d)に示すように、共晶溶融範囲が拡がり、破壊された酸化皮膜1aの欠片が共晶溶融相中に分散する。
この実施形態による凹凸構造は、図3(a)に示すように、接合面上に、ピッチpで隙間なく縦横方向に並べられた無数の四角錐状の突起1cから構成されている。
すなわち、d/Lの値が0.1に満たない突起1cは、その形状を傾けたことにはならず、傾斜させたことによる本発明の効果が十分に得られないことがあることによる。
この実施形態による凹凸構造は、図4(a)に示すように、接合面上に、ピッチpで横方向に隙間なく平行に並べられた無数の三角柱状の突起1cから構成されている。
この頂点Tからの垂線と底面との交点Cと底面の重心Gとの位置関係については、図4(c)及び(d)に示すように、上記四角錐の場合と同様に、重心Gと交点Cとを結ぶ線分が底面と交差する点をそれぞれE1、E2とし、E1−E2間距離をL、重心Gと交点Cとの距離をdとするとき、d/Lの値が0.1以上であることが望ましい。
この実施形態による凹凸構造は、図5(a)に示すように、接合面上に、ピッチpで隙間なく縦横方向に並べられた無数の四角錐台状の突起1cから構成されている。
すなわち、図5(c)及び(d)に示すように、重心Gと交点Cとを結ぶ線分が底面と交差する点をそれぞれE1、E2とし、E1−E2間距離をL、重心G−交点C間距離をdとするとき、d/Lの値が0.1以上であることが望ましい。
すなわち、酸化皮膜が形成されない金(Au)同士の接合を除き、すべての実用金属、例えば、銅及び銅合金、ニッケル及びニッケル合金、鉄鋼材料などに適用することが可能である。また、同種材料のみならず、異種材料間の接合にも適用することができる。
なお、「主成分」とは上記金属の含有量が80%以上のものを言うものとする。具体的には、Zn,Mg,Sn,Zn+Mg,Zn+Sn,Mg+Sn,Zn+Mg+Sn,Zn+Al,Mg+Al,Sn+Al,Zn+Mg+Al,Zn+Sn+Al,Mg+Sn+Al,Zn+Mg+Sn+Alを80%以上含有する金属(純金属又は合金)を意味する。
なお、Cuとの間に共晶反応を生じる金属としては、上記の他に、Ti(チタン)を挙げることができるが、Tiの融点はCuの融点よりも高いことから、上記同様に、Tiに予めCuを合金化したCuよりも低融点の合金をインサート材として使用することが必要となる。
なお、Si(ケイ素)もMgとの間に共晶反応を生じる元素であるが、Siの融点はMgの融点よりも高いため、上記同様に、予めMgを合金化したMgよりも低融点の合金をインサート材として使用することが必要となる。また、上記Alについても、Mgの融点に近いことから、同様にMgを合金化したインサート材を用いることが望ましい。
また、Cuの他に、Niとの間に共晶反応を生じる金属として、Ti,Nb(ニオブ),Cr(クロム)を挙げることができるが、これら金属の融点は何れもNiの融点よりも高いため、予めNiを合金化することによって、上記同様にNiよりも低融点化した合金をインサート材として使用する必要がある。
また、めっきやパウダーデポジション法によって、両材料の一方あるいは両方の接合面にインサート材を予め被覆しておくことも可能である。
もちろん、真空中で行うことも可能であるが、真空設備が必要となるばかりでなく、インサート材の溶融により真空計やゲートバルブを損傷する可能性があるので、大気中で行うことがコスト的にも有利である。
また、接合温度については、高過ぎると、母材が溶け込むために液相が過剰に発生し、液相が過多になると接合界面に残存し、強度が得られなくなる傾向がある。具体的には、共晶点以上、共晶点+100℃までの温度範囲が好ましい。
図6は、半導体チップを上記接合方法により絶縁基板上に接合して成る半導体装置の構造を示す概略断面図である。
上記配線金属13はアルミニウム合金から成るものであり、シリコンチップ14の接合面には、予めアルミニウムによるコーティングが施してあり、これらアルミニウム系金属同士が本発明方法によって接合されている。
そして、これら配線金属13とシリコンチップ14間に、厚さ25μmのAl−Sn−Zn合金の急冷箔帯をインサート材として配置し、治具を用いて、常時15MPa以下の加圧力が掛かるように固定される。
この方法によれば、Pb(鉛)フリーであることに加えて、低温度、短時間で接合が完了することから、半導体チップへの熱影響を最小限のものとすることができ、部品の歪みや性能劣化を防止することができる。また、複数のチップを同時に接合することができる。なお、半導体チップとしては、上記したシリコンチップ以外にも、種々のもの、例えばSiCやGaNなどを用いることができる。
(発明例1)
図7に示すように、JIS H 4000に、A1070として規定される工業用純アルミニウム(99.99%Al)から成る長さ15mm、径5mmの丸棒3と、長さ25mm、径10mmの丸棒4を用意した。
このとき、径10mmの丸棒4の接合面には、図3に示したような角錐状の突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0.35)から成る凹凸構造をダイヤモンド工具を用いた切削加工によって形成した。
そして、大気中において接合部の周囲に配置した高周波加熱コイルSによって400℃に加熱し、5MPaで加圧した状態に1分間保持することによって、上記丸棒3、4を接合した。
丸棒4の接合面に、図4に示したような三角柱を並列させた鋸歯状断面を有する突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0.35)から成る凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例1と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、発明例2とした。
丸棒4の接合面に、図5に示したような角錐台状の突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、w=0.02mm、d/L=0.35)から成る凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例1と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、発明例3とした。
丸棒3及び丸棒4をASTM(アメリカ材料試験協会)にAZ91として規定されるマグネシウム合金(9%Al)から成るものとしたことの他は、上記発明例1と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、発明例4とした。
丸棒3及び丸棒4を無酸素銅から成るものとしたことの他は、上記発明例1と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、発明例5とした。
インサート材を用いることなく、上記発明例1と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例1とした。
インサート材を用いることなく、上記発明例2と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例2とした。
インサート材を用いることなく、上記発明例3と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例3とした。
丸棒4の接合面に、対称形状をなす角錐状突起(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記比較例1(インサート材なし)と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例4とした。
丸棒4の接合面に、二等辺三角形断面を有する屋根型の突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記比較例2(インサート材なし)と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例5とした。
丸棒4の接合面に、対称形状をなす角錐台状突起(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、w=0.02mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記比較例3(インサート材なし)と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例4とした。
丸棒4の接合面に、対称形状をなす角錐状突起(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例1(インサート材あり)と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例7とした。
丸棒4の接合面に、二等辺三角形断面を有する屋根型の突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例2と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例8とした。
丸棒4の接合面に、対称形状をなす角錐台状突起(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、w=0.02mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例3と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例9とした。
丸棒4の接合面に、対称形状をなす角錐状突起(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例4(マグネシウム合金から成る被接合材)と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例10とした。
丸棒4の接合面に、対称形状をなす角錐状突起(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例5(無酸素銅から成る被接合材)と同様の操作を繰り返すことによって、丸棒3、4を接合し、比較例11とした。
上記によって得られた丸棒3と丸棒4との各接合体の接合強度を万能試験器による引張試験(引張速度:1mm/分)によって評価した。なお、試験の繰り返し数は5回とし、その平均値をもって接合強度とすると共に、標準偏差をばらつきの指標として求めた。
また、丸棒3、4の端部にワイヤを溶接して、四点端子法により接合界面の電気抵抗を求めると共に、レーザフラッシュ法により接合界面の熱伝導度を求めた。これらの結果を表1に纏めて示す。
(発明例6)
図8に示すように、15mm×15mm×0.635mmのAlNから成るセラミックス板5の両面に、12mm×12mm×0.5mmの純アルミニウムから成る板材6、6を貼り付けたセラミックス基板の上に、Siから成る半導体チップ7を接合した。
接合に際して、半導体チップ7の接合面には純アルミニウムをスパッタリングする一方、図中上側のアルミニウム板材6の表面には、図4に示したような鋸歯状断面を有する突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0.35)から成る凹凸構造をダイヤモンド工具を用いた切削加工によって形成した。
アルミニウム板材6の接合面に、二等辺三角形断面を有する屋根型の突起1c(a=0.1mm、h=0.1mm、p=0.1mm、d/L=0)を直立させてなる凹凸構造を形成したこと以外は、上記発明例6と同様の操作を繰り返すことによって、半導体チップ7をセラミックス基板上のアルミニウム板材6に接合した。
上記によって得られた半導体装置の接合強度をダイシェア試験(シェア速度:100μm/秒)によって評価した。このとき、試験の繰り返し数を5回とし、その平均値をもって接合強度とすると共に、標準偏差をばらつきの指標として求めた。
また、得られた半導体装置を簡易回路に組み込んで、接合界面の電気抵抗を求めると共に、レーザフラッシュ法によって接合界面の熱伝導度を求めた。
これらの結果を表2に示す。
1a 酸化皮膜
1c 突起
2 インサート材
Claims (3)
- 少なくとも一方が表面に酸化皮膜を形成している2つの金属部材の間にインサート材を介在させた状態の被接合材を相対的に加圧しつつ加熱し、酸化皮膜を形成している金属とインサート材の間で共晶反応を発生させ、生じた共晶反応溶融物を酸化皮膜と共に接合面から排出して上記被接合材を接合するに際して、
上記金属部材の接合面の少なくとも一方に、上記酸化皮膜を破壊するために複数の突起を設け、
上記微細突起の先端部が点状をなし、60%以上を占める微細突起の頂点から当該突起の底面に下ろした垂線と底面との交点が底面の重心からずれていることを特徴とする接合方法。 - 少なくとも一方が表面に酸化皮膜を形成している2つの金属部材の間にインサート材を介在させた状態の被接合材を相対的に加圧しつつ加熱し、酸化皮膜を形成している金属とインサート材の間で共晶反応を発生させ、生じた共晶反応溶融物を酸化皮膜と共に接合面から排出して上記被接合材を接合するに際して、
上記金属部材の接合面の少なくとも一方に、上記酸化皮膜を破壊するために複数の突起を設け、
上記微細突起の先端部が線状をなし、60%以上を占める微細突起の最頂線の中点から当該突起の底面に下ろした垂線と底面との交点が底面の重心からずれていることを特徴とする接合方法。 - 少なくとも一方が表面に酸化皮膜を形成している2つの金属部材の間にインサート材を介在させた状態の被接合材を相対的に加圧しつつ加熱し、酸化皮膜を形成している金属とインサート材の間で共晶反応を発生させ、生じた共晶反応溶融物を酸化皮膜と共に接合面から排出して上記被接合材を接合するに際して、
上記金属部材の接合面の少なくとも一方に、上記酸化皮膜を破壊するために複数の突起を設け、
上記微細突起の先端部が面状をなし、60%以上を占める微細突起の頂面の重心から当該突起の底面に下ろした垂線と底面との交点が底面の重心からずれていることを特徴とする接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013247923A JP6213897B2 (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013247923A JP6213897B2 (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015104744A JP2015104744A (ja) | 2015-06-08 |
JP6213897B2 true JP6213897B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=53435197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013247923A Active JP6213897B2 (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6213897B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4601052B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-12-22 | 日産自動車株式会社 | 異種金属の接合方法 |
JP6003108B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2016-10-05 | 日産自動車株式会社 | 接合方法及び接合部品の製造方法 |
JP2013176782A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Nissan Motor Co Ltd | 金属材料の接合方法 |
-
2013
- 2013-11-29 JP JP2013247923A patent/JP6213897B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015104744A (ja) | 2015-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6003108B2 (ja) | 接合方法及び接合部品の製造方法 | |
JP5527635B2 (ja) | アルミニウム系金属の接合方法 | |
WO2013129281A1 (ja) | 金属材料の接合方法 | |
Zhong et al. | Effect of multiple reflow processes on the reliability of ball grid array (BGA) solder joints | |
JP4350753B2 (ja) | ヒートシンク部材およびその製造方法 | |
CN104272455A (zh) | 镀铝铜结合导线及制作其的方法 | |
JP2009088476A (ja) | 半導体装置 | |
JP6016095B2 (ja) | 接合方法及び接合部品 | |
JP5050440B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPWO2015004956A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
Yao et al. | Effect of cooling rate on interfacial fatigue-crack growth in Sn-Pb solder joints | |
CN104272456A (zh) | 镀铝铜结合导线及制作其的方法 | |
JP6213897B2 (ja) | 接合方法 | |
JP5376356B2 (ja) | 電子素子の実装方法および該実装方法によって実装された電子部品 | |
WO2018232374A1 (en) | Solder ribbon with embedded mesh for improved reliability of semiconductor die to substrate attachment | |
Kumar et al. | Thermosonic ball bonding behavior of Ag-Au-Pd alloy wire | |
JP2013063458A (ja) | 接合方法及び接合部品 | |
JP2006051523A (ja) | 導電部品用クラッド材およびその製造方法 | |
JP2015080812A (ja) | 接合方法 | |
JP2015199076A (ja) | 接合方法 | |
JP2023512826A (ja) | フリーはんだ箔 | |
Kim et al. | Ambient temperature ultrasonic bonding of Si-dice using Sn-3.5 wt.% Ag | |
JP2002009190A (ja) | セラミック基板及びその製造方法 | |
JP6344605B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6757006B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170828 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6213897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170910 |