JP6205571B2 - 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、インク並びに電子機器に関する。

情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度な性能を有する表示素子が要求されている。その中で、次世代表示素子として注目されている有機ＥＬ素子は自発光型表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。

有機ＥＬ素子における発光層等を構成する有機膜は、低分子材料と高分子材料に大別されるが、この有機膜の成膜方法としては、低分子材料の場合には真空蒸着法等の乾式法が挙げられる。一方、高分子材料の場合には、スピンコーティング、インクジェット、ノズルコート、凸版印刷、反転オフセット印刷およびレーザー転写等の湿式法（塗布法）が挙げられる。

上記湿式法のうち、接触転写方式であるレーザー転写としては、例えば凹凸を有するドナーフィルムを用いた手法が開示されている（特許文献１）。ところが、この転写方式では、ドナーフィルムの凹凸上に有機膜を形成するため、有機膜の膜厚均一性を確保しにくい。

一方で、例えば特許文献２に記載されているような反転オフセット印刷は、転写用のブランケットに有機膜を均一な膜厚でコートすることから成膜精度が高く、高精細な印刷が可能であるため注目されている。

特開２００６−２１６５６３号公報 特開２００４−１８６１１１号公報

上記のような成膜手法のうち、例えば反転オフセット印刷では、ブランケット上に版を用いて転写用パターンを形成する。このため、互いに異なる色の発光層を画素毎にパターン形成する場合、次のような問題が生じる。即ち、ブランケット表面の版でオフしたエリアに色素が残り、この残存色素が非パターン領域（隣接画素等）に付着する。これによって、混色が生じ、あるいは発光効率が低下して、表示品位が低下してしまう。

したがって、互いに波長の異なる色光を発する複数の発光層をパターン形成する際に、混色を抑制して表示品位を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供することが望ましい。

本開示の一実施の形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備え、第１発光層は、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含み、第２発光層は、平面視で第１発光層と異なる領域に設けられ、他の層との上下いずれかの界面付近に、第１発光層のドーパントである低分子材料または高分子材料を含むものである。

尚、低分子材料とは、例えば重量平均分子量５万以下のモノマーであることが望ましい。

本開示の一実施の形態の有機ＥＬ表示装置では、第１発光層が、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含む。これにより、例えば反転オフセット印刷により第１発光層を形成した場合、第２有機ＥＬ素子において、第１および第２の色光の混色が抑制される。

本開示の一実施の形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、第１発光層を形成する際に、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を用い、第２発光層は、平面視で第１発光層と異なる領域に設けられ、他の層との上下いずれかの界面付近に、第１発光層のドーパントである低分子材料または高分子材料を含むものである。

本開示の一実施の形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法では、第１発光層を形成する際に、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を用いると共に、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を用いる。これにより、例えば反転オフセット印刷により第１発光層を形成した場合、第２有機ＥＬ素子において、第１および第２の色光の混色が抑制された有機ＥＬ表示装置を製造可能となる。

本開示の一実施の形態のインクは、第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬ表示装置の、第１発光層を形成する際に用いられ、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含むものである。

本開示の一実施の形態の電子機器は、上記本開示の一実施の形態の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。

本開示の一実施の形態の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法並びに電子機器によれば、第１発光層が、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含む。これにより、例えば反転オフセット印刷により第１発光層を形成した場合、第２有機ＥＬ素子において、第１および第２の色光の混色を抑制することができる。よって、互いに波長の異なる色光を発する複数の発光層をパターン形成する際に、混色を抑制して表示品位を向上させることが可能となる。

本開示の一実施の形態のインクによれば、ホスト材料として第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含むことにより、これを用いて第１発光層を形成した場合、第２有機ＥＬ素子において、第１および第２の色光の混色を抑制することができる。よって、互いに波長の異なる色光を発する複数の発光層をパターン形成する際に、混色を抑制して表示品位を向上させることが可能となる。

本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５Ａに続く工程を表す断面図である。 図５Ａに示した工程を説明するための模式図である。 図６Ａに続く工程を表す断面図である。 図６Ｂに続く工程を表す断面図である。 図７Ａに続く工程を表す断面図である。 図７Ｂに続く工程を表す断面図である。 図７Ｃに続く工程を表す断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 図８Ｂに続く工程を表す断面図である。 実施例および比較例のＧ発光強度を表す特性図である。 実施例および比較例のＧ発光強度を表す特性図である。 Ｒドーパントの高分子発光材料Ｇ１に対する比率と、Ｇ発光強度との関係を表す特性図である。 本開示の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置の適用例２の外観を表す斜視図である。 適用例３の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 適用例６の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。 適用例６の開いた状態の正面図および側面図である。

以下、本開示の実施の形態について図面を参照して以下の順に詳細に説明する。
１．第１の実施の形態（赤色発光層（Ｒ低分子材料，高分子発光材料Ｇ１），緑色発光層を反転オフセット印刷、青色発光層を真空蒸着法により形成した有機ＥＬ表示装置の例）２．第２の実施の形態（赤色発光層（Ｒ低分子材料，増粘剤），緑色発光層を反転オフセット印刷、青色発光層を真空蒸着法により形成した有機ＥＬ表示装置の例）
３．適用例１〜６（電子機器の例）

＜第１の実施の形態＞
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表すものである。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、基板１１０の上に、表示領域１１０Ａとして、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，有機ＥＬ素子１０Ｇ，有機ＥＬ素子１０Ｂがマトリクス状に配置されたものである。表示領域１１０Ａの周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０Ａ内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１１よりも下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。即ち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，有機ＥＬ素子１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））であり、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）またはスタガ構造（トップゲート型）を有している。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

また、表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｒ（第１有機ＥＬ素子）と、緑色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｇ（第２有機ＥＬ素子）と、青色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｂとが、全体としてマトリクス状に配置されている。隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。

図３は図１に示した有機ＥＬ表示装置の断面構成を表したものである。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂではそれぞれ、基板１１０（図３には図示せず）の側から、陽極（アノード）としての下部電極１１、正孔注入層（ＨＩＬ）１２Ｂおよび正孔輸送層（ＨＴＬ）１２Ａがこの順に積層されている。有機ＥＬ素子１０Ｒでは、正孔輸送層１２Ａ上に赤色発光層１３Ｒ（第１発光層）が、有機ＥＬ素子１０Ｇでは、正孔輸送層１２Ａ上に緑色発光層１３Ｇ（第２発光層）がそれぞれパターン形成されている。これらの正孔輸送層１２Ａ、赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇを覆って、接続層（ＨＣＬ）１４が形成され、この接続層１４上に、青色発光層１４Ｂ、電子輸送層１５Ａ、電子注入層１５Ｂおよび陰極（カソード）としての上部電極１６がこの順に積層されている。詳細は後述するが、本実施の形態では、赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇが、例えば反転オフセット印刷によりパターン形成され、青色発光層１４Ｂが、例えば真空蒸着法により形成される。即ち、下部電極１１および上部電極１６間の有機層のうち、赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇが素子領域毎（画素毎）に設けられ、その他の層は各素子領域に共通の層として設けられている。

尚、図示はしないが、これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層により被覆され、更にこの保護層上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層を間にしてガラスなどよりなる封止用基板が貼り合わされることにより封止されている。

基板１１０は、その一主面側に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが配列形成される支持体であって、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造、表面処理を行うことが必要である。

下部電極１１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごと（画素毎）に設けられている。下部電極１１は、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、下部電極１１は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などの透明導電膜との積層構造を有していてもよい。なお、下部電極１１が陽極として使われる場合には、下部電極１１は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。但し、アルミニウム（Ａｌ）合金のように、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料であっても、適切な正孔注入層を設けることによって下部電極１１として使用することが可能である。

正孔注入層１２Ｂは、各発光層（赤色発光層１３Ｒ，緑色発光層１３Ｇ，青色発光層１４Ｂ）への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１２Ｂの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適切なものが選択されればよいが、例えばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、またはカーボンなどが挙げられる。

正孔注入層１２Ｂに用いられる材料が高分子材料である場合には、その高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は１万〜３０万の範囲であればよく、特に５０００〜２０万程度が好ましい。また、２０００〜１万程度のオリゴマーを用いてもよいが、Ｍｗが５０００未満では正孔輸送層以後の層を形成する際に、正孔注入層が溶解してしまう虞がある。また３０万を超えると材料がゲル化し、成膜が困難になる虞がある。

正孔注入層１２Ｂの構成材料として使用される典型的な導電性高分子としては、例えばポリアニリン、オリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。この他、エイチ・シー・スタルク製Nafion(商標)で市販されているポリマー、または商品名Liquion(商標)で溶解形態で市販されているポリマーや、日産化学製エルソース（商標）や、綜研化学製導電性ポリマーベラゾール（商標）などがある。この正孔注入層１２Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍである。

正孔輸送層１２Ａは、各発光層（赤色発光層１３Ｒ，緑色発光層１３Ｇ，青色発光層１４Ｂ）への正孔輸送効率を高めるためのものであるである。正孔輸送層１２Ａを構成する高分子材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリアニリン、ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールなどを用いることができる。具体的には、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４'−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ，式（１−１））、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ'−ビス｛４−ブチルフェニル｝−ベンジジンＮ，Ｎ'−｛１，４−ジフェニレン｝）］（式（１−２））、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）］（ＰＦＯ，式（１−３））が好ましいが、この限りではない。

正孔輸送層１２Ａに用いられる材料が高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万〜３０万であることが好ましく、特に１０万〜２０万であることが好ましい。Ｍｗが５万未満では、発光層を形成するときに、高分子材料中の低分子成分が脱落し、正孔注入層１２Ｂ，正孔輸送層１２Ａにドットが生じるため、有機ＥＬ素子の初期性能が低下したり、素子の劣化を引き起こすおそれがある。一方、３０万を越えると、材料がゲル化するため、成膜が困難になるおそれがある。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ；Gel Permiation Chromatography）により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。この正孔輸送層１２Ａの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。

（赤色発光層１３Ｒ）
赤色発光層１３Ｒは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。赤色発光層１３Ｒの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。この赤色発光層１３Ｒは、ホスト材料（母材）として、赤色光（第１の色光）を非発光（または非主発光、以下同様）である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして、赤色光を発光する低分子材料を含むものである。ここで、低分子材料とは、モノマーまたはこのモノマーを２〜１０個結合したオリゴマーとし、５万以下の重量平均分子量を有するものが好ましい。但し、重量平均分子量が上記範囲を超えた低分子材料を必ずしも除外するものではない。

赤色発光層１３Ｒにホスト材料として含まれる高分子材料は、例えば赤色光（例えば波長６２０〜７５０ｎｍ）よりも短波長の（エネルギーの高い）色光を発光する高分子材料である。本実施の形態では、このような高分子材料として、例えば波長５００〜５５０ｎｍの範囲にスペクトルピークを有する色光（緑色光）を発光する高分子材料（高分子発光材料Ｇ１）が用いられる。このような構成により、いわゆるダウンコンバージョンによってエネルギーの低い赤色光を発光可能となっている（緑色光を励起光として、緑色光よりも低いエネルギーの赤色光が発光する）。

高分子発光材料Ｇ１としては、例えばポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体またはシジベンゾフラン誘導体が挙げられる。この高分子発光材料Ｇ１は、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（tris(2-phenylpyridine)iridium）をコアに有するデンドリマー（樹状高分子）、またはそのような樹状構造を有する高分子材料であることが望ましい。デンドリマーの樹木部に、例えばフェニルカルバゾール基、フェニレン基、エチレン基、フルオレン基を含んでもよい。この高分子発光材料Ｇ１の発光波長は、側鎖のイリジウム（Ｉｒ）錯体の配位子を変更することで変えることができる。

このような高分子発光材料Ｇ１の一例としては、例えば以下の一般式（１−１）に示したＧＰＰ、または一般式（１−２）に示したＰＮＤＯＦが挙げられる。ＧＰＰは、緑色燐光発光材料であるが、ポリビニル主鎖骨格の側鎖に、燐光発光性の基の他にも、正孔輸送性基（例えば、ＨＭＴＰＤ）あるいは電子輸送性基（例えば、ＴＢＰｈＢ）を有してもよい。

赤色発光層１３Ｒにドーパントとして含まれる低分子材料（低分子発光材料ｒ１）は、例えば赤色燐光発光性を有する低分子材料である。具体的には、例えば、以下の一般式（２−１）に表されるビス（２−（２'−ベンゾ［４,５ａ］チエニル)ピリジナト−Ｎ,Ｃ３')イリジウム（アセチルアセトネート）（ＢｔｐＩｒ；bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium acetyl-acetate）が挙げられる。

尚、低分子発光材料ｒ１は、この他にも、例えばナイルレッド、ＤＣＭあるいはＤＪＣＴであってもよい。但し、効率の高い赤色燐光を得るという観点から、上記のようなＩｒ錯体であることが望ましい。また、赤色燐光性を有するものであれば、必ずしも低分子材料に限られず、例えば、以下の一般式（２−２）に表されるＲＰＰ、または一般式（２−３）に表されるＰＰＤＯＦのような高分子材料であってもよい。

上記のような赤色発光層１３Ｒ（および緑色発光層１３Ｇ）は、詳細は後述するが、例えば反転オフセット印刷により形成されるものである。印刷の際には、上記高分子発光材料Ｇ１および低分子発光材料ｒ１は、例えばトルエン、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、ブサイドクメン(１，２，４−トリメチルベンゼン)、ジハイドロベンゾフラン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、ｐ−アニシルアルコール、ジメチルナフタレン、3-メチルビフェニル、４−メチルビフェニル、３−イソプロピルビフェニル、モノイソプロピルナフタレンなどの有機溶媒のうちの少なくとも１種類以上を使って溶解される。赤色発光層１３Ｒの反転オフセット印刷の際には、それらの混合溶液、即ち、高分子発光材料Ｇ１、低分子発光材料ｒ１および有機溶媒を含むインク（以下、「Ｒインク」という）が、ブランケット上に例えばスピンコート等によって塗布されて使用される。

ここで、ドーパント材料のホスト材料に対するドープ濃度（以下、単にドープ濃度という）は、効率の観点から、１０重量％以下であることが望ましい。ドープ濃度が１０重量％よりも大きくなると、隣接した３重項励起子が相互作用によって失括することから、十分な効率が得にくいためである。

ところが、本実施の形態のＲインクでは、ホスト材料が高分子発光材料Ｇ１であることから、低分子発光材料ｒ１のドープ濃度が低すぎると、Ｇ発光がＲ発光よりも強くなり、例えばＣＩＥ−ｘｙ色度図において色度（０．４７，０．５０）のオレンジ色になってしまう。ここで、実際に測定されたＧスペクトル強度から、赤色発光層１３Ｒにおける低分子発光材料ｒ１の濃度は、Ｒインクの場合の１／５程度に低下する。また、赤色発光層１３Ｒにおける低分子発光材料ｒ１の濃度が４重量％以上であれば、Ｇ発光を抑制することができることがわかっている。これらのことから、Ｒインクにおける低分子発光材料ｒ１の濃度は、２０重量％以上であることが望ましい。後述するように、低分子発光材料ｒ１の濃度が３０重量％以上である場合には、例えば色度（０．６０，０．３９）１４．２ｃｄ／Ａの赤色を得ることができる。

尚、低分子材料（モノマーまたはオリゴマー）は、低分子化合物が同じ反応または類似の反応を連鎖的に繰り返すことにより生じた高分子量の重合体または縮合体の分子からなる化合物以外のものであって、分子量が実質的に単一であるものを指す。また加熱による分子間の新たな化学結合は生じず、単分子で存在する。このような低分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は５万以下であることが好ましい。

また、低分子発光材料ｒ１の代わりに、上述したようなＲ高分子発光材料を用いる場合は、重量に対するＲ燐光基数が少ないため、Ｒインクにおける濃度が、低分子材料を用いる場合よりも高いことが望ましく、例えば３０重量％以上であることが望ましい。

更に、この赤色発光層１３Ｒには、低分子正孔輸送材、低分子ホスト材あるいはスピロ系材料として、次のような低分子材料が含まれていてもよい。例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。

具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７,７,８,８−テトラシアノ−２，３，５，６-テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４、４、４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２、２’−チエニルピロール）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

好ましくは、以下の式（３−１）〜式（３−３）で表わされる低分子材料が用いられるとよい。

（Ａ１〜Ａ３は芳香族炭化水素基、複素環基またはそれらの誘導体である。）

（Ｚは含窒素炭化水素基あるいはその誘導体である。Ｌ１は２価の芳香族環基が１ないし４個結合した基、具体的には１〜４個の芳香族環が連結した２価の基、またはその誘導体である。Ａ４およびＡ５は、芳香族炭化水素基あるいは芳香族複素環基、またはその誘導体である。但し、Ａ４およびＡ５は互いに結合して環状構造を形成してもよい。）

（Ｌ２は２価の芳香族環基が２ないし６個結合した基である。具体的には２〜６個の芳香族環が連結した２価の基、またはその誘導体である。Ａ６〜Ａ９は、芳香族炭化水素基あるいは複素環基、またはその誘導体が１〜１０個結合した基である。）

更に、赤色発光層１３Ｒには、Ｇ消光材として、緑色発光性高分子のＴ１準位と赤色発光性高分子のＴ１準位との間に、Ｔ１準位をもつホール輸送性の低分子材料が添加されていてもよい。このような低分子材料としては、例えば以下の一般式（４−１）〜（４−１６）に示したようなアミン系低分子材料が挙げられる。

（緑色発光層１３Ｇ）
緑色発光層１３Ｇは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、緑色光を発生するものである。緑色発光層１３Ｇの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。この緑色発光層１３Ｒは、緑色光を発光する高分子発光材料または低分子発光材料あるいはその両方を含むものである。緑色発光層１３Ｇにおいて用いられる高分子発光材料としては、上述の高分子発光材料Ｇ１として挙げたものと同様のものが挙げられる。例えばポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体またはシジベンゾフラン誘導体が挙げられる。ポリマーとして架橋されていることが望ましいが、分子量５千以上のデンドリマーまたはそのような樹状構造を有する高分子材料であってもよい。また、緑色発光層１３Ｇにおける高分子発光材料の発光波長は、側鎖のイリジウム（Ｉｒ）錯体の配位子を変更することで変えることができる。

この緑色発光層１３Ｇについても、上記赤色発光層１３Ｒと同様、上述の式（３−１）〜（３−３）で表されるような低分子材料が含まれていてもよいが、Ｇ消光材としてのアミン系低分子材料については含まれていないことが望ましい。

緑色発光層１３Ｇの上下の他の層との界面付近（ここでは正孔輸送層１２Ａとの界面付近）には、シロキサン等を含む薄膜層１３ａが形成されると共に、赤色発光層１３Ｒに含まれる低分子発光材料ｒ１が付着している。これらの薄膜層１３ａおよび低分子発光材料ｒ１は、後述する反転オフセット印刷の際に有機ＥＬ素子１０Ｇの素子領域に形成されるもの（反転オフセット印刷の痕跡）である。

（接続層１４）
接続層１４は、例えば真空蒸着法を用いて形成するため、低分子材料（特にモノマー）により構成されていることが好ましい。オリゴマーまたは高分子材料のような重合された分子は蒸着中分解が起こる虞があるためである。なお、接続層１４では、分子量の異なる２種以上の低分子材料が混合して用いられていてもよいし、それらが積層されていてもよい。尚、この接続層１４の厚みは１ｎｍ以上であることが望ましく、これにより青色発光層１４Ｂの特性を向上させることができる。

（青色発光層１４Ｂ）
青色発光層１４Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、青色光を発生するものである。本実施形態においては、この青色発光層１４Ｂがアントラセン化合物をホスト材料として、青色もしくは緑色の蛍光性色素のゲスト材料がドーピングされており、青色もしくは緑色の発光光を発生する。ホスト材料としては、以下の一般式（５）に示すアントラセン誘導体をホスト材料として用いることが好ましい。

但し、上記一般式（５）中において、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基，炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。

アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フルオレニル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−クリセニル基、６−クリセニル基、２−フルオランテニル基、３−フルオランテニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等が挙げられる。

複素環基としては、例えば、ヘテロ原子としてＯ、Ｎ、Ｓを含有する５員または６員環の芳香族複素環基、炭素数２〜２０の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。また、芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、例えば、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては，例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、などが挙げられる。

アミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数１〜６の脂肪族及び／又は１〜４環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。

尚、上記置換基の２種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していてもよい。

青色発光層１４Ｂに含まれる発光性ゲスト材料としては、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光もしくは燐光色素、さらには金属錯体等の有機発光材料が用いられる。ここで、青色の発光性ゲスト材料とは、発光の波長範囲が約４００ｎｍ〜４９０ｎｍの範囲にピークを有する化合物を示す。このよう化合物として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体などの有機物質が用いられる。なかでも、アミノナフタレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体から選択されることが好ましい。具体的には、例えば、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものが挙げられる。

電子輸送層１５Ａは、赤色発光層１３Ｒ，緑色発光層１３Ｇ，青色発光層１４Ｂへの電子輸送効率を高めるためのものであり、青色発光層１４Ｂの全面に共通層として設けられている。電子輸送層１５Ａの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはそれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。

電子注入層１５Ｂは、電子注入効率を高めるためのものであり、電子輸送層１５Ａの全面に共通層として設けられている。電子注入層１５Ｂの材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ₂ＣＯ₃ ）、さらにはこれらの酸化物及び複合酸化物の混合物を用いることができる。また、電子注入層１５Ｂは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物及び複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物及び複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用してもよい。

上部電極１６は、例えば、厚みが２ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、金属導電膜により構成されている。具体的には、Ａｌ，Ｍｇ，ＣａまたはＮａの合金が挙げられる。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、上部電極１６の材料は、ＡｌとＬｉとの合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。

更に、上部電極１６は、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層でもよい。この場合には、さらに第３層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。なお、上部電極１６は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極として用いられる。

尚、この上部電極１６上に形成される保護層（図示せず）は、例えば厚みが２〜３μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）,アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）,アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。また、封止用基板は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されており、この封止用基板に、例えば、カラーフィルタおよび遮光膜（いずれも図示せず）が設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光を取り出すと共に、外光の反射光等を吸収して、コントラストを改善することができる。

この有機ＥＬ表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図４〜図５Ｂは、上記のような有機ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図示はしないが、上述した材料よりなる基板１１０の上に、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成し、例えば感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜（図示せず）を設ける。この後、下部電極１１を有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの素子領域１０ｒ１，１０ｇ１，１０ｂ１の各々ごとに形成する。続いて、基板１１０の下部電極１１を形成した側の表面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。

次に、図４に示したように、下部電極１１上に、正孔注入層１２Ｂ（例えば、日産化学製エルソース、ＮＤ１５０１）を、例えばスピンコートにより塗布し、ホットプレート用いて、大気中にて２２０℃の温度で１時間加熱することにより、熱硬化させる。続いて、正孔輸送層１２Ａ（ＴＦＢ）を、例えばスピンコートにより塗布し、ホットプレート用いて、窒素中にて１８０℃の温度で１時間加熱することにより、熱硬化させる。

次に、正孔輸送層１２Ａ上に、反転オフセット印刷により、赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇをパターン形成する。赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇの形成順序は、特に限定されないが、本実施の形態では、１色目に赤色発光層１３Ｒを形成し、２色目に緑色発光層１３Ｇを形成する場合を例に挙げる。

まず、図５Ａに示したように、正孔輸送層１２Ａ上の素子領域１０ｒ１に、赤色発光層１３Ｒ（高分子発光材料Ｇ１，低分子発光材料ｒ１）を、反転オフセット印刷により、形成する。図６Ａ〜図８Ｃに、反転オフセット印刷の具体的手順について模式的に示す。

具体的には、シリコン（例えばフジクラゴム（ＳＴＤ７００））よりなるブランケット６０を用意し、このブランケット６０の表面を膨潤させる。例えば、シロキサン等の正孔輸送性材料を含む溶液を、例えばスピンコート法により、ブランケット６０上の全面にわたって塗布する。これにより、ブランケット６０の表層が膨潤した状態となり、ブランケット６０の表面を適度な湿度に保つことができ、後の転写工程において良好な膜形成が可能となる。続いて、図６Ａに示したように、ブランケット６０の全面にわたって、上述したＲインク（例えば３０重量％の低分子発光材料ｒ１（ＢｔｐＩｒ）を高分子発光材料Ｇ１に添加し、キシレンで溶解したもの）を滴下する。この後（例えば１分後）、図６Ｂに示したように、例えば３０００ｒｐｍ²秒回転させ、スピンコートした。

次いで、ブランケット６０上に赤色発光層１３Ｒの印刷パターン層（印刷パターン層１３ｒ１）を形成する。具体的には、まず、図７Ａに示したように、素子領域１０ｒ１に対応して凹部を有する凹版６１と、ブランケット６０のインクＤ１ｒの層とを向かい合わせて配置し、図７Ｂに示したように、凹版６１をブランケット６０上のインクＤ１ｒの層に押し付け、ローラー等で加圧する。この後、図７Ｃに示したように、ブランケット６０を凹版６１から剥離することにより、インクＤ１ｒの層のうちの不要部分（Ｄ１ｒ'）は、凹版６１の凸部分に転写され、ブランケット６０上から除去（オフ）される。これにより、ブランケット６０上には、素子領域１０ｒ１に対応する赤色発光層１３Ｒの印刷パターン１３ｒ１が形成される。尚、図中ではライン状パターンで示したが、ＴＦＴ画素配列と矛盾なければパターンの形状はライン状に限定されるものでは無い。

続いて、ブランケット６０上の赤色発光層１３Ｒの印刷パターン層１３ｒ１を基板１１０側へ転写する。具体的には、まず、図８Ａに示したように、正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１２Ａを形成済みの基板１１０と、ブランケット６０とを向かい合わせて配置する。この際、詳細には、図８Ａの右図に示したように、転写前のブランケット６０の表面には、印刷パターン層１３ｒ１を除く領域に、凹版６１によってオフしきれなかった残渣部Ｘｒが生じる。この残渣部Ｘｒは、例えば正孔輸送性材料（シロキサン等）と低分子発光材料ｒ１とを含んでおり、印刷パターン層１３ｒ１と共に転写されることによって、他の素子領域（例えば、素子領域１０ｇ１）に転写されることとなる。

この後、基板１１０と印刷パターン層１３ｒ１とをアライメントし、図８Ｂに示したように、基板１１０上に、ブランケット６０の印刷パターン層１３ｒ１を押し付ける。次いで、ブランケット６０を基板１１０から剥離することにより、基板１１０上に赤色発光層１３Ｒがパターン形成される（図８Ｃ）。また、この際、図８Ｃには図示はしないが、ブランケット６０上に形成された残渣部Ｘｒも同時に基板１１０へ転写される。

次に、図５Ｂに示したように、上記赤色発光層１３Ｒの場合と同様にして、素子領域１０ｇ１に緑色発光層１３Ｇを、反転オフセット印刷により形成する。尚、この際に用いるインクとしては、例えば、上述したトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（tris(2-phenylpyridine)iridium）をコアに有するデンドリマー型の高分子材料をキシレンで溶解したものを用いることができる。

この後、赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇを転写形成した後の基板１１０を、例えば窒素雰囲気中１３０℃で３０分間、ホットプレートを用いて加熱し、熱硬化する。

次に、これらの赤色発光層１３Ｒおよび緑色発光層１３Ｇ上に、例えば真空蒸着法により、上述した材料等よりなる接続層１４、青色発光層１４Ｂ、電子輸送層１５Ａをそれぞれ成膜する。青色発光層１４Ｂとしては、例えばＡＤＮ（９,１０−ジ（２-ナフチル）アントラセン）と青色ドーパントとを重量比で９５：５の割合で共蒸着する。電子輸送層１５Ａとしては、例えばＡｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）を真空蒸着法により、１５ｎｍの厚みで成膜する。電子注入層１５Ｂとしては、例えばＬｉＦを０．３ｎｍの厚みで成膜する。

次いで、電子注入層１５Ｂ上に、上部電極１６を、例えば真空蒸着法またはスパッタ法により成膜する。上部電極１６としては、例えばアルミニウムを１５０ｎｍ蒸着する。この後、例えば蒸着法やＣＶＤ法により上述したような材料からなる保護層を形成し、次いで、カラーフィルタ等が設けられた封止用基板を、接着層を間にして保護層の上に貼り合わせる。以上により、図３に示した有機ＥＬ表示装置を形成することができる。

本実施の形態の有機ＥＬ表示装置では、赤色発光層１３Ｒが、ホスト材料として、赤色光を非発光である高分子材料（高分子発光材料Ｇ１）を含むと共に、ドーパントとして、赤色光を発光する低分子材料（低分子発光材料ｒ１）を含む。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒでは、いわゆるダウンコンバージョンにより、赤色の発光が得られる。

一方、このような赤色発光層１３Ｒを例えば反転オフセット印刷により形成した場合、ブランケット上の残渣に起因して、他画素への混色が問題となる。しかしながら、本実施の形態では、赤色発光層１３Ｒを形成する際に用いるインクＤ１ｒにおいて、赤色光を発光する低分子材料ｒ１よりも、緑色光を発光する高分子発光材料Ｇ１の濃度が高い。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｇでは、上記のような色素の残渣（残渣部Ｘｒ）が転写されてしまった場合にも、赤色発光性の高分子材料からなるインクを用いた場合に比べて、赤色の色素の付着量が低減され、赤色光の影響が緩和される。しかも、ダウンコンバージョンを利用することにより、高分子発光材料Ｇ１をホスト材料として用いることができ、インクＤ１ｒにおいて反転オフセット印刷に必要とされる粘度を保ちつつ、緑色発光層１３Ｇへの影響を抑制することができる。

従って、本実施の形態では、反転オフセット印刷により赤色発光層１３Ｒを形成した場合にも、緑色発光層１３Ｇにおける赤色の混色が抑制される。よって、有機ＥＬ表示装置において、互いに波長の異なる色光を発する複数の発光層をパターン形成する際に、混色を抑制して表示品位を向上させることが可能となる。

（実施例１）
ここで、実施例１として、上述した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇを形成し、有機ＥＬ素子１０Ｇのｘｙ色度および発光強度を測定したところ、緑色発光層１３Ｇにおける赤色光の混色は見られず、ｘｙ色度（０．３１，０．６４）効率３０ｃｄ／Ａを得ることができた。また、図９に示したように、波長６００ｎｍのスペクトル強度が０．０１５であり、スペクトルにサブピークは見られなかった。また、赤色発光層１３Ｒでは、（０．６０，０．３９）１４ｃｄ／Ａの赤色を得ることができた。尚、赤色発光層１３Ｒを形成する際に用いるインクとしては、高分子発光材料Ｇ１に対する濃度が３０重量％の低分子発光材料ｒ１（ＢｔｐＩｒ）を、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（tris(2-phenylpyridine)iridium）をコアに有するデンドリマー型の高分子材料に添加し、キシレンで溶解したものを用いた。また、緑色発光層１３Ｇを形成する際に用いるインクとしては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（tris(2-phenylpyridine)iridium）をコアに有するデンドリマー型の高分子材料をキシレンで溶解したものを用いた。

（比較例）
上記実施例１の比較例として、Ｒインクとして、高分子発光材料（ＲＰＰ）をキシレンで溶解したものを用いて、反転オフセット印刷を行ったところ、緑色発光層における赤色の混色が見られ、ｘｙ色度（０．３３，０．６２）効率２９ｃｄ／Ａであった。また、図９に示したように、波長６００ｎｍにおけるスペクトル強度が０．０２であり、サブピークが観察された。また、この赤色発光層では、(０．６２，０．３４)１５ｃｄ／Ａであった。

（実施例２）
また、Ｒインクとして、上記実施例１と同様の高分子発光材料Ｇ１に、２０重量％の赤色高分子燐光ドーパント（ＲＰＰ）を添加し、キシレンで溶解したものを用いたこと以外は、上記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子１０Ｇのｘｙ色度および発光強度を測定した。その結果、緑色発光層１３Ｇにおける赤色光の混色は見られず、ｘｙ色度（０．３１，０．６４）効率３０ｃｄ／Ａを得ることができた。また、図１０に示したように、波長６００ｎｍのスペクトル強度が０．０１５であり、スペクトルにサブピークはほぼ見られなかった。また、赤色発光層１３Ｒでは、（０．６０，０．３９）１３ｃｄ／Ａの赤色を得ることができた。尚、図１０には、実施例１および比較例の結果も示している。また、Ｒ低分子ドーパントを用いた上記実施例１では、Ｒ高分子ドーパントを用いた実施例２に比べ、波長６００ｎｍ付近でのスペクトル強度が低減されていることがわかる。これは、ＲＰＰのようなバイポーラ型のＲ高分子材料よりも、Ｒ低分子材料が正孔輸送層１２Ａとの界面付近に存在する方が、赤色光に対する再結合率を低くできるためである。従って、実施例１では、実施例２よりも更に赤色光の混色を抑制することができる。

（実施例３）
また、Ｒインクとして、上記実施例１と同様の高分子発光材料Ｇ１に、２７重量％の赤色低分子燐光ドーパント（ＢｔｐＩｒ）と、上記一般式（４−２）で表される化合物とを添加し、キシレンで溶解したものを用いたこと以外は、上記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子１０Ｇのｘｙ色度および発光強度を測定した。その結果、緑色発光層１３Ｇにおける赤色光の混色は見られず、ｘｙ色度（０．３１，０．６４）効率３０ｃｄ／Ａを得ることができた。また、波長６００ｎｍのスペクトル強度が０．０１５であり、スペクトルにサブピークは見られなかった。また、赤色発光層１３Ｒでは、（０．６１，０．３７）１４ｃｄ／Ａの赤色を得ることができた。

（実施例４）
他方、高分子発光材料Ｇ１と低分子発光材料ｒ１とを含むＲインクにおける好適なＲドーパント濃度（低分子発光材料ｒ１の高分子発光材料Ｇ１に対する混合比率）は、その用途によって異なる。例えば、スピンコート法により成膜する場合と、本実施の形態のように反転オフセット印刷により成膜する場合とでは、Ｒドーパント濃度の好適範囲が異なる。ここで、実施例４−１として、スピンコート用のＲインク（便宜上、ＲインクＩ₁とする）を調整し、このＲインクＩ₁を用いて成膜した赤色発光層におけるＧ光のピーク強度を測定した。この際、ＲインクＩ₁のＲドーパント濃度を、１％，２％，１０％と変化させた。また、実施例４−２として、反転オフセット印刷用のＲインク（便宜上、ＲインクＩ₂）を調整し、このＲインクＩ₂を用いて成膜した赤色発光層におけるＧ光のピーク強度を測定した。この際、ＲインクＩ₂のＲドーパント濃度を１０％，２７％，３０％と変化させた。それらの結果の一部を、図１１に示す。尚、図中括弧内に記載した比率は、ＲインクＩ₁，Ｉ₂における高分子発光材料Ｇ１（実施例１と同様の高分子材料）と低分子発光材料ｒ１（ＢｔｐＩｒ）との各体積比（Ｇ１：ｒ１）を示す。この結果、まず、スピンコート用のＲインクＩ₁を用いた実施例４−１では、Ｒドーパント濃度が１％のときピーク強度が０．０６となり、Ｒドーパント濃度が２％のときピーク強度が０．０３となった。これらの結果から、Ｒドーパント濃度が約３％以上であれば、Ｇ発光をほぼ０（ゼロ）まで抑制できることがわかった。実際、Ｒドーパント濃度１０％のときには、ピーク強度は０であることが確認された。一方、反転オフセット印刷用のＲインクＩ₂を用いた実施例４−２では、Ｒドーパント濃度が１０％であっても、ピーク強度が約０．０３となったことから、Ｇ発光の影響を低減するためには、Ｒドーパント濃度が、その倍の２０％以上であることが望ましいと言える。実際、図１１には図示していないが、Ｒドーパント濃度が２７％のときピーク強度が約０．０１となり、Ｒドーパント濃度が３０％のときピーク強度が０となることが確認された。以上のことから、形成手法によってＲインクにおける好適なＲドーパント濃度が異なり、反転オフセット印刷用途では、スピンコート用途よりもＲドーパント濃度を高めることが望ましい。また、本実施の形態では、各色発光層を、主に反転オフセット印刷によって形成する場合を例示しているが、Ｒドーパント濃度を適切に設定することにより、他の手法、例えばスピンコート法等の塗布法により形成することも可能である。即ち、本実施の形態において説明したＲインク（本開示における「インク」）は、反転オフセット印刷に限らず、他の成膜手法にも使用可能である。

尚、上記第１の実施の形態では、赤色発光層１３Ｒにおいて、緑色光を発光する高分子発光材料Ｇ１をホスト材料としたが、ダウンコンバージョンが生じる組み合わせであれば、これらに限定されるものではない。例えば、赤色発光層１３Ｒが、高分子発光材料Ｇ１お代わりに、以下の一般式（６）で表される青色発光の高分子材料（ＰＡＤＯＦ）をホスト材料として含んでいてもよい。また、緑色発光層１３Ｇが、ホスト材料として、一般式（６）で表される青色発光の高分子材料を含むと共に、ドーパントとして、以下の一般式（７）により表される緑色発光の低分子材料を含んでいてもよい。この場合にも、緑色発光層１３Ｇを反転オフセット印刷により形成する場合に、緑色の色素が有機ＥＬ素子１０Ｂの素子領域に付着することによる青色発光層への緑色光の混色を抑制することができる。更には、赤色発光層１３Ｒの代わりに黄色発光層を設けた構成であってもよい。この黄色発光層は、例えば以下の一般式（８）で表される黄色発光の低分子材料、ビス（２−フェニルベンゾチオゾラト−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（アセチルアセトネート）（Bis(2-phenylbenzothiozolato-N,C2)Iridium(acetylacetonate)；Ｂｔ₂Ｉｒ（acac））をドーパントとして含む。

＜第２の実施の形態＞
第１の実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。本開示の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成は図示しないが、第１の実施の形態と同様に、例えば基板１１０の上に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された表示領域が形成されている。表示領域内には画素駆動回路が設けられている。図１２は第２の実施の形態における有機ＥＬ装置の断面構成を表したものである。上記第１の実施の形態では、赤色発光層１３Ｒにおいて、赤色光を非発光である高分子材料として、緑色光を発光する高分子発光材料Ｇ１を例示したが、赤色発光層１３Ｒに用いられるホスト材料としての高分子材料は、いわゆる増粘剤であってもよい。増粘材としては、例えば以下の一般式（９−１）〜（９−３）により表される高分子材料が挙げられる。このように、赤色発光層１３Ｒ（あるいは緑色発光層１３Ｇ）に用いられる高分子材料は、燐光性を有していないものであってもよい。

＜適用例＞
以下、上記実施の形態で説明した有機ＥＬ表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

図１３Ａおよび図１３Ｂは、スマートフォンの外観を表している。このスマートフォンは、例えば、表示部１１０（有機ＥＬ表示装置）および非表示部（筐体）１２０と、操作部１３０とを備えている。操作部１３０は、図１３Ａに示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、図１３Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。

図１４は、テレビジョン装置の外観構成を表している。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００（表示装置１）を備えている。

図１５Ａおよび図１５Ｂは、デジタルスチルカメラの外観構成を表しており、それぞれ前面および後面を示している。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部３１０と、表示部３２０（有機ＥＬ表示装置）と、メニュースイッチ３３０と、シャッターボタン３４０とを備えている。

図１６は、ノート型のパーソナルコンピュータの外観構成を表している。このパーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０と、文字等の入力操作用のキーボード４２０と、画像を表示する表示部４３０（有機ＥＬ表示装置）とを備えている。

図１７は、ビデオカメラの外観構成を表している。このビデオカメラは、例えば、本体部５１０と、その本体部５１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０と、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３０と、表示部５４０（有機ＥＬ表示装置）とを備えている。

図１８Ａおよび図１８Ｂは、携帯電話機の外観構成を表している。この携帯電話機は、例えば、上側筐体６１０と下側筐体６２０とが連結部（ヒンジ部）６３０により連結されたものであり、ディスプレイ６４０（表示装置１）と、サブディスプレイ６５０と、ピクチャーライト６６０と、カメラ６７０とを備えている。

以上、実施の形態および実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、本開示のインクとして、反転オフセット印刷において使用されるインクを例に挙げて説明したが、これに限定されず、ある色の画素（上記例ではＧ画素）に他の色のインク（上記例ではＲインク）が付着し得る、他の様々な手法（塗布法または印刷法）に適用可能である。同様に、本開示の有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器においても、第１発光層は反転オフセット印刷により形成されたものに限定されるものではない。

また、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

更に、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

尚、本開示は、以下のような構成であってもよい。
（１）
第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備え、
前記第１発光層は、ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含む
有機ＥＬ表示装置。
（２）
前記高分子材料は、前記第２の色光を発光する材料である
上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）
前記第１発光層は、前記第１の色光として赤色光を発光する赤色発光層であり、
前記第２発光層は、前記第２の色光として緑色光を発光する緑色発光層である
上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）
青色光を発光する青色発光層を有する第３有機ＥＬ素子を更に備え、
前記赤色発光層および前記緑色発光層は素子毎に設けられ、
前記青色発光層は、前記第１有機ＥＬ素子、前記第２有機ＥＬ素子および前記第３有機ＥＬ素子に共通の層として設けられている
上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）
前記赤色発光層と前記青色発光層との間、および前記緑色発光層と前記青色発光層との間には、正孔輸送性を有する接続層が設けられている
上記（４）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）
前記第１発光層は、前記第１の色光として赤色光を発光する赤色発光層であり、
前記第２発光層は、前記第２の色光として青色光を発光する青色発光層である
上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）
前記第１発光層は、前記第１の色光として緑色光を発光する緑色発光層であり、
前記第２発光層は、前記第２の色光として青色光を発光する青色発光層である
上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）
前記第１発光層は、前記第１の色光として黄色光を発光する黄色発光層である
上記（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）
前記高分子材料は、デンドリマーまたはポリマーである
上記（１）〜（８）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）
前記第２発光層は、他の層との上下いずれかの界面付近に、前記第１発光層のドーパントである前記低分子材料を含む
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）
前記高分子材料は増粘剤である
上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１２）
第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記第１発光層を形成する際に、ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料をそれぞれ用いる
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）
前記第１発光層および前記第２発光層を、反転オフセット印刷により形成する
上記（１２）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）
前記高分子材料は、前記第２の色光を発光する材料である
上記（１３）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）
前記第１発光層は、前記第１の色光として赤色光を発光する赤色発光層であり、
前記第２発光層は、前記第２の色光として緑色光を発光する緑色発光層である
上記（１４）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）
前記赤色発光層および前記緑色発光層とを形成した後、青色光を発光する青色発光層を蒸着法により形成する工程を更に含む
上記（１５）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）
前記高分子材料は増粘剤である
上記（１２）〜（１６）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１８）
第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬ表示装置の、前記第１発光層を形成する際に用いられ、
ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含む
インク。
（１９）
第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備え、
前記第１発光層は、ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含む
有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。

本出願は、日本国特許庁において２０１２年１０月１１日に出願された日本特許出願番号第２０１２−２２５７５０号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (18)

1. 第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備え、
   前記第１発光層は、ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含み、
   前記第２発光層は、平面視で前記第１発光層と異なる領域に設けられ、他の層との上下いずれかの界面付近に、前記第１発光層のドーパントである前記低分子材料または前記高分子材料を含む
   有機ＥＬ表示装置。
2. 前記ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である前記高分子材料は、前記第２の色光を発光する材料である
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第１発光層は、前記第１の色光として赤色光を発光する赤色発光層であり、
   前記第２発光層は、前記第２の色光として緑色光を発光する緑色発光層である
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 青色光を発光する青色発光層を有する第３有機ＥＬ素子を更に備え、
   前記赤色発光層および前記緑色発光層は素子毎に設けられ、
   前記青色発光層は、前記第１有機ＥＬ素子、前記第２有機ＥＬ素子および前記第３有機ＥＬ素子に共通の層として設けられている
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記赤色発光層と前記青色発光層との間、および前記緑色発光層と前記青色発光層との間には、正孔輸送性を有する接続層が設けられている
   請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第１発光層は、前記第１の色光として赤色光を発光する赤色発光層であり、
   前記第２発光層は、前記第２の色光として青色光を発光する青色発光層である
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記第１発光層は、前記第１の色光として緑色光を発光する緑色発光層であり、
   前記第２発光層は、前記第２の色光として青色光を発光する青色発光層である
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記第１発光層は、前記第１の色光として黄色光を発光する黄色発光層である
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 前記ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料は、デンドリマーまたはポリマーである
   請求項１乃至８のうちいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記第１発光層では、前記ドーパントとして前記第１の色光を発光する前記低分子材料または前記高分子材料の濃度が２０重量％以上である
    請求項１乃至８のうちいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 前記ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料は増粘剤である
    請求項１乃至８のうちいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    前記第１発光層を形成する際に、ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料をそれぞれ用い、
    前記第２発光層は、平面視で前記第１発光層と異なる領域に設けられ、他の層との上下いずれかの界面付近に、前記第１発光層のドーパントである前記低分子材料または前記高分子材料を含む
    有機ＥＬ表示装置の製造方法。
13. 前記第１発光層および前記第２発光層を、反転オフセット印刷により形成する
    請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
14. 前記ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である前記高分子材料は、前記第２の色光を発光する材料である
    請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
15. 前記第１発光層は、前記第１の色光として赤色光を発光する赤色発光層であり、
    前記第２発光層は、前記第２の色光として緑色光を発光する緑色発光層である
    請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
16. 前記赤色発光層および前記緑色発光層とを形成した後、青色光を発光する青色発光層を蒸着法により形成する工程を更に含む
    請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
17. 前記ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料は増粘剤である
    請求項１２または１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
18. 第１の色光を発光する第１発光層を有する第１有機ＥＬ素子と、前記第１の色光よりも短波長の第２の色光を発光する第２発光層を有する第２有機ＥＬ素子とを備え、
    前記第１発光層は、ホスト材料として前記第１の色光を非発光または非主発光である高分子材料を含むと共に、ドーパントとして前記第１の色光を発光する低分子材料または高分子材料を含み、
    前記第２発光層は、平面視で前記第１発光層と異なる領域に設けられ、他の層との上下いずれかの界面付近に、前記第１発光層のドーパントである前記低分子材料または前記高分子材料を含む
    有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。

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