JP6191598B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
本願は、2012年5月1日に出願された日本国特願2012−104538号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
以下、本発明の基板処理装置の第1実施形態を、図1ないし図4を参照して説明する。
図1は、基板処理装置100の要部の正面断面図、図2はマスクと基板とが近接する箇所の部分拡大図である。
なお、本実施形態では、鉛直方向をZ方向とし、マスクユニットMU及び基板保持ユニットSUの回転軸線と平行な方向をY方向とし、Z方向及びY方向と直交する方向をX方向として説明する。
フレキシブルな有機ELディスプレイパネル、タッチパネル、カラーフィルター、電磁波防止フィルタ等を作る場合、基板Pとしては、厚みが200μm〜25μm程度のポリエチレン・テレフタレート(PET)やポリエチレン・ナフタレート(PEN)等の樹脂シートが使われる。
回転ドラム30は、Y軸と平行で、回転軸線AX1の−Z側に設定された回転軸線(第2の軸線)AX2回りに回転する円柱状に形成されており、内部には中空部が設けられ慣性モーメントが小さくなるように設定されている。回転ドラム30の外周面は、基板Sを接触保持する基板保持面31とされており、マスク保持部20のマスク保持面22aとは最も近接した位置において、Z方向に、例えば50〜100μm程度の空間Kを隔てて配置されている。
図4に示すように、カバーCは、ベースフィルムBFがY方向に延びたスリット状に露出して光Lが透過する透過領域(透過性膜部)TAと、遮光膜SFにより透過領域を囲む領域に形成され光Lを遮光する遮光領域(遮光性膜部)SAとを有している。透過領域TAは、基板Sに対する露光幅dを有し、露光領域を設定するものであり、透過領域TA及び遮光領域SAは、カバーCの長さ方向に所定間隔をあけて複数配列されている。
尚、カバーCは、例えば厚さ20〜50μmの箔状に圧延されたステンレス、チタン等の金属薄板(遮光性)の表面に反射防止膜や反射低減用の塗料膜(無光沢塗装)を形成したものに、図4のような透過領域TAとして機能するスリット状の開口部を設けた構成であっても良い。
まず、送り制御部TCが、位置検出装置54により検出されたカバーCにおける透過領域TAの位置に基づいてカバーCを送らせ、図2に示すように、透過領域TAを空間Kにおいてマスク保持部20と回転ドラム30とが最も近接する位置に位置決めする。
このとき、カバーCは、支持機構53によって厚さ方向で支持されているため、XY平面と平行に安定して送られる。
次に、基板処理装置100の第2実施形態について、図5及び図6を参照して説明する。この図において、図1乃至図4に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第1実施形態では、シート状のカバーCを設ける構成について説明したが、第2実施形態では、カバーCを剛性の大きな支持部で支持する構成について説明する。
図5及び図6に示すように、カバーユニットCUは、カバーCと、剛性板部41A、41B、フレーム42A、42Bとから構成されている。剛性板部41A、41B及びフレーム42A、42Bは、金属、セラミックス、プラスチック等、カバーCよりも剛性の大きな材料で形成されており、剛性支持部を構成している。
基板Sの送り方向の下流側に配置されるフレーム42Bには、吸気孔47を介してカバーCとマスク保持部20との間の領域を負圧吸引する吸引部48が設けられている。
一方、基板Sの送り方向の上流側に配置されるフレーム42Aには、給気孔49を介してカバーCとマスク保持部20との間の領域に異物除去用の清浄な気体を供給する給気部50が設けられている。給気部50と給気孔49との間には、異物除去用の気体を温度調整する温度調整部51が介装されている。
次に、上記の基板処理装置100を備えたデバイス製造システムについて、図7を参照して説明する。
図7は、デバイス製造システム(フレキシブル・ディスプレー製造ライン)SYSの一部の構成を示す図である。ここでは、供給ロールFR1から引き出された可撓性の基板P(シート、フィルム等)が、順次、n台の処理装置U1,U2,U3,U4,U5,…Unを経て、回収ロールFR2に巻き上げられるまでの例を示している。上位制御装置CONTは、製造ラインを構成する各処理装置U1〜Unを統括制御する。
Claims (23)
- マスクのパターンからの光を基板の表面に照射する基板処理装置であって、
所定の軸線回りに回転可能であると共に、該軸線から一定半径の円筒面に沿って前記マスクのパターンを保持するマスク保持部と、
前記基板の表面が前記マスク保持部の前記円筒面と所定の空間を隔てて配置されるように、前記基板を保持する基板保持部と、
前記マスク保持部と前記基板保持部との間で前記空間を区画すると共に、前記マスク保持部の前記円筒面と前記基板保持部で保持される前記基板の表面との間の間隔寸法よりも小さい厚みで形成され、少なくとも一部が前記パターンからの光に対して透過性を有する可撓性薄板材と、
前記可撓性薄板材を支持して、前記基板に向かう前記パターンからの光の光路を横切る方向に、前記可撓性薄板材に所定の張力を付与すると共に、前記可撓性薄板材を前記軸線と交差する方向に所定の長さずつ移送する送り部を有する支持機構と、
を備える基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記支持機構は、前記光の光路を挟んだ前記可撓性薄板材の移送方向の両側に設けられ、前記可撓性薄板材を厚さ方向で保持する保持部を備える、
基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記保持部は、前記光に対して遮光性を備える、
基板処理装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部は、前記所定の軸線と略平行な第2の軸線周りに回転可能な回転ドラムを含み、該回転ドラムの外周面で支持される前記基板を、前記回転ドラムの回転によって前記第2の軸線と略直交する方向に移動させ、
前記可撓性薄板材は、前記マスク保持部の前記円筒面と前記回転ドラムの外周面とが最も近接している空間において、前記光に対して透過性を有する領域が前記所定の軸線方向に延びたスリット状に形成されている、
基板処理装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部は、前記マスク保持部に向けて凸状のシリンドリカル形状のエアパッド面による基板保持面を有し、前記エアパッド面に沿って前記基板を保持する、
基板処理装置。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記マスク保持部と前記基板保持部との対向方向に関する前記可撓性薄板材の位置を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に応じて前記可撓性薄板材の前記対向方向の位置を調整する位置調整部と、
をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記可撓性薄板材を帯電させる帯電部をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記支持機構の前記保持部は、前記可撓性薄板材よりも大きい剛性を有し、前記可撓性薄板材を挟んだ両側で前記可撓性薄板材を支持する剛性支持部である、
基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置であって、
前記剛性支持部は、前記マスク保持部と前記可撓性薄板材との間の領域を負圧吸引する吸引部を備える、
基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記剛性支持部は、前記吸引部に向けて異物除去用の気体を給気する給気部をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記給気部から給気される前記気体の温度を調整する温度調整部をさらに備える、
基板処理装置。 - マスクのパターンからの光を基板の表面に照射する基板処理装置であって、
第1の軸線回りに回転可能であると共に、前記第1の軸線から一定半径の円筒面に沿って前記マスクのパターンを保持するマスク保持部と、
前記第1の軸線と略平行な第2の軸線周りに回転可能な回転ドラムを含み、該回転ドラムの外周面で支持される前記基板の表面が前記マスク保持部の前記円筒面と所定の空間を隔てて配置されるように前記基板を保持すると共に、前記回転ドラムの回転によって前記第2の軸線と略直交する方向に前記基板を移動させる基板保持部と、
前記マスク保持部の前記円筒面と前記回転ドラムの外周面で支持される前記基板との間に配置されると共に、前記マスクのパターンからの光のうち、前記基板の表面に設定される照明領域に向かう光を透過させる透過性膜部と、該透過性膜部の周囲に達する光を遮蔽する遮光性膜部とを有する可撓性薄板材と、
前記可撓性薄板材を支持する支持機構と、
を備える基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置であって、
前記可撓性薄板材は、前記回転ドラムで支持される前記基板の表面と前記マスク保持部の前記円筒面との間にプロキシミティ方式で設定される間隙の寸法よりも小さい厚みで形成され、
前記支持機構は、前記基板に向かう前記パターンからの光の光路を横切る方向に、前記可撓性薄板材に所定の張力を付与すると共に、前記可撓性薄板材を前記軸線と交差する方向に所定の長さずつ移送する送り部を備える、
基板処理装置。 - 請求項13に記載の基板処理装置であって、
前記支持機構は、前記光の光路を挟んだ前記可撓性薄板材の移送方向の両側に設けられ、前記可撓性薄板材を厚さ方向で保持する保持部を備える、
基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置であって、
前記保持部は、前記光に対して遮光性を備える、
基板処理装置。 - 請求項12〜請求項15のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記可撓性薄板材の前記透過性膜部は、前記マスク保持部の前記円筒面と前記回転ドラムの外周面とが最も近接している空間において、前記光に対して透過性を有する領域が前記所定の軸線方向に延びたスリット状に形成されている、
基板処理装置。 - 請求項12〜請求項15のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記支持機構は、前記可撓性薄板材の前記透過性膜部よりも大きい剛性を有し、前記透過性膜部を挟んだ両側で前記透過性膜部を支持する剛性支持部を備える、
基板処理装置。 - 請求項17に記載の基板処理装置であって、
前記剛性支持部は、前記マスク保持部と前記透過性膜部との間の領域を負圧吸引する吸引部を備える、
基板処理装置。 - 請求項18に記載の基板処理装置であって、
前記剛性支持部は、前記吸引部に向けて異物除去用の気体を給気する給気部をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項19に記載の基板処理装置であって、
前記給気部から給気される前記気体の温度を調整する温度調整部をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項12〜請求項20のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記マスク保持部と前記基板保持部との対向方向に関する前記可撓性薄板材の位置を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に応じて前記可撓性薄板材の前記対向方向の位置を調整する位置調整部と、をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項12〜請求項21のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記可撓性薄板材を帯電させる帯電部をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置であって、
前記マスク保持部と前記基板保持部との間に設けられ、前記基板保持部の前記回転ドラムで支持された前記基板の表面上で、前記第2の軸線の方向にスリット状に延びる照明領域に、前記マスクのパターンの一部分の像を投影する投影光学系、を更に備え、
前記可撓性薄板材は、前記投影光学系と前記回転ドラムで支持される前記基板との間に形成される空間に配置される、
基板処理装置。
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