JP6185674B2 - 結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物及びテクスチャーエッチング方法 - Google Patents
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Description
2.前記1において、前記Mは、ナトリウム又はカリウムである、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
3.前記1において、前記アルカリ化合物は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、テトラヒドロキシメチルアンモニウム及びテトラヒドロキシエチルアンモニウムからなる群から選択される少なくとも一つである、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
4.前記1において、前記エッチング液組成物は、多糖類を更に含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
5.前記4において、前記多糖類は、グルカン系化合物、フルクタン系化合物、マンナン系化合物、ガラクタン系化合物及びこれらの金属塩からなる群から選択される少なくとも一つである結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
6.前記4において、前記多糖類は、セルロース、ジメチルアミノエチルセルロース、ジエチルアミノエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、4-アミノベンジルセルロース、トリエチルアミノエチルセルロース、シアノエチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、アルギン酸、アミロース、アミロペクチン、ペクチン、澱粉、デキストリン、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリン、ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン、メチル-β-シクロデキストリン、デキストラン、デキストラン硫酸ナトリウム、サポニン、グリコーゲン、ザイモサン、レンチナン、シゾフィラン及びこれらの金属塩からなる群から選択された1種以上のグルカン系化合物である、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
7.前記1において、前記アルカリ化合物0.5乃至5重量%、前記化学式1の化合物0.001乃至5重量%及び残量の水を含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
8.前記7において、前記エッチング液組成物は、多糖類0.0001乃至2重量%を更に含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
9.前記1乃至8のいずれか1つに記載のエッチング液組成物による結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法。
10.前記9において、前記エッチング液組成物を50乃至100 ℃の温度で、30秒乃至60分間噴霧させることを含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法。
11.前記9において、前記エッチング液組成物に前記ウェーハを50乃至100 ℃の温度で、30秒乃至60分間浸漬させる、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法。
本発明の結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物は、アルカリ化合物と特定構造のポリエチレングリコール系化合物を含む。
本発明は、前記結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物を用いた結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法を提供する。
下記の表1及び表2に記載された成分と含量に残量の水(H2O)を添加し、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物を製造した。
単結晶シリコンウェーハ(156mm×156mm)を実施例及び比較例の結晶性シリコンウェーハのアルカリエッチング液組成物に浸漬させた。
エッチング前後のウェーハの重量変化を測定した。
2.テクスチャーの反射率評価
エッチングされた単結晶シリコンウェーハの表面にUV分光光度計を用いて600nmの波長帯を持つ光を照射した時の反射率を測定した。
3.テクスチャーの均一性(外観)評価
エッチングされた単結晶シリコンウェーハの表面のテクスチャーの均一性は光学顕微鏡及びSEMを利用し、ピラミッドのサイズはSEMを用いて評価した。
<評価基準>
◎ : ウェーハの全面にピラミッド形成
○ : ウェーハの一部にピラミッド未形成(ピラミッド構造の未形成程度が5%未満)
△ : ウェーハの一部にピラミッド未形成(ピラミッド構造の未形成程度が5乃至50%)
× : ウェーハにピラミッド未形成(ピラミッド未形成程度が90%以上)
4.連続エッチング工程数
初期エッチング工程のエッチング量、反射率、外観を基準に、連続エッチング工程進行時のエッチング量の変化幅が±0.2g以内、反射率の変化幅が±1%以内、外観に白い斑点、ムラの発生、ギラツキ等の無い範囲までのエッチング工程数を測定した。
Claims (11)
- 請求項1において、前記Mは、ナトリウム又はカリウムである、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項1において、前記アルカリ化合物は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、テトラヒドロキシメチルアンモニウム及びテトラヒドロキシエチルアンモニウムからなる群から選択される少なくとも一つである、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項1において、前記エッチング液組成物は、多糖類を更に含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項4において、前記多糖類は、グルカン系化合物、フルクタン系化合物、マンナン系化合物、ガラクタン系化合物及びこれらの金属塩からなる群から選択される少なくとも一つである、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項4において、前記多糖類は、セルロース、ジメチルアミノエチルセルロース、ジエチルアミノエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、4-アミノベンジルセルロース、トリエチルアミノエチルセルロース、シアノエチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、アルギン酸、アミロース、アミロペクチン、ペクチン、澱粉、デキストリン、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリン、ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン、メチル-β-シクロデキストリン、デキストラン、デキストラン硫酸ナトリウム、サポニン、グリコーゲン、ザイモサン、レンチナン、シゾフィラン及びこれらの金属塩からなる群から選択された1種以上のグルカン系化合物である、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項1において、前記アルカリ化合物0.5乃至5重量%、前記化学式1の化合物0.001乃至5重量%及び残量の水を含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項7において、前記エッチング液組成物は、多糖類0.0001乃至2重量%を更に含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング液組成物。
- 請求項1乃至8のいずれか1つに記載のエッチング液組成物による結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法。
- 請求項9において、前記エッチング液組成物を50乃至100℃の温度で、30秒乃至60分間噴霧させることを含んだ、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法。
- 請求項9において、前記エッチング液組成物に前記ウェーハを50乃至100℃の温度で、30秒乃至60分間浸漬させる、結晶性シリコンウェーハのテクスチャーエッチング方法。
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