JP6172658B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 n型層
3 発光層
4 p型層
5 p側電極
6 n型化形成領域
7 n側電極
8 不純物供給層
9 溝
10 遮光剤等
11 発光素子アレイ
12 実装基板
Claims (3)
- 成長基板上に、n型層、発光層およびp型層を成長させる成長工程と、
チャネリング条件下においてp型層の表面からn型層に到達する範囲にn型不純物としてシリコンをイオン注入するチャネリング工程と、
前記チャネリング工程によりn型不純物としてシリコンイオンが注入された領域を、アンモニアを含む雰囲気中でアニールすることによりn型化するアニール工程と、
前記アニール工程によりn型化された領域の表面にn側電極を接続するn側電極構成工程と
を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記チャネリング工程によりn型不純物としてシリコンがイオン注入された領域の表面側から、非チャネリング条件下においてn型不純物としてシリコンをイオン注入するイオン注入工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記p型層の表面に前記不純物と同種の元素を含む不純物供給膜を形成する成膜工程と、
前記チャネリング工程によりシリコンがイオン注入された領域の表面に成膜された不純物供給膜の表面に対してイオンビームを照射することにより、該不純物供給膜に含まれる不純物元素をノックオンによりイオン注入してなるノックオン工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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