JP6154653B2 - リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

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JP6415374B2 (ja) * 2015-03-31 2018-10-31 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用現像液及びレジストパターン形成方法
WO2017002497A1 (ja) * 2015-06-30 2017-01-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2018060193A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、キット
US12197129B2 (en) * 2018-08-23 2025-01-14 Tokyo Electron Limited Substrate treatment method and substrate treatment system
WO2022054721A1 (ja) * 2020-09-08 2022-03-17 富士フイルム株式会社 パターン形成方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586990B2 (ja) * 1996-02-20 2004-11-10 旭化成ケミカルズ株式会社 感光性樹脂印刷版用現像液及び感光性樹脂印刷版の製造方法
JP2000019743A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Kao Corp レジスト用現像液
US7326521B1 (en) * 2006-08-31 2008-02-05 Eastman Kodak Company Method of imaging and developing negative-working elements
JP2011033842A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Fujifilm Corp 化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法
US8703401B2 (en) * 2011-06-01 2014-04-22 Jsr Corporation Method for forming pattern and developer

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