JP6148112B2 - 光透過度測定方法 - Google Patents
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Description
多層膜反射基板はSiとMo層が各4nmの厚さごとに交互に40層程度積層された形状を有するため、製作は難しく、大変高価である。また、EUV光における反射率測定装置も大変高価である。
光透過度被測定物質とは光透過度が測定される対象物質である。典型的には光透過度被測定物質はフォトレジストである。本明細書においてはフォトレジストを例として本発明が説明されるが、本発明の測定方法はこれに限定されること無く任意の物質について適用可能である。
T(透過率)=レジスト膜付サンプルの透過光強度Ii/レジスト膜無しのサンプルの透過光強度I0
得られた透過率は、たとえばリソグラフィーシミュレーションに必要なBパラメータの算出に使用される。
EUVの光源としては任意のものが使用できる。たとえば、XeジェットLLP等のレーザープラズマ光源、キャピラリー放電プラズマ光源等の放電プラズマ光源が使用できる。レーザープラズマ光源としては、固体ターゲットのものおよびガスターゲットのものの両者が好適に使用でき、レーザーとしてはたとえば、YAGレーザーやエキシマレーザーが使用できる。
1) 両面研磨のSi基板上にSiO2膜を形成し、フォトレジストを塗布して、リソグラフィー技術で超薄膜領域を作るパターンを形成する。
2) レジストパターンをマスクとして、SiO2膜加工し、SiO2マスクを用いてDeep Si RIE法(深掘りSi反応性イオンエッチング法)によりSiの深掘りエッチングを行う。
3) 得られたSi基板の超薄膜領域の光透過度を測定する。
4) Si基板の超薄膜領域の裏面部分(エッチング面と反対側)にフォトレジストを塗布する。
5) 再度、光透過度を測定する。
図2に示す構造の透過率測定用の超薄膜Si基板を使用した。
2インチSi基板(厚さ400μm)の中心に直径5mmの領域を、フォトエッチング技術により厚さ25nmまで超薄膜化した。得られた超薄膜領域に波長が13.5nmのEUV光を照射し、光透過度を測定した。その後、この基板に図3に示す特殊なスピンチャックを用いて、基板裏面にレジストを塗布した。レジストは、PHS系のEUVレジストを用いた。膜厚は100nmであった。またプリベークは90℃/90秒とした。波長が13.5nmのEUV光を照射し、光透過度を測定した。図4にEUVレジストの透過率測定結果を示す。
図5に示す構造の、1mm格子を持つ薄膜Si基板を使用した。この基板では超薄膜領域を格子状にし、強度を保持している。この基板を使用し、実施例1と同様にして厚さ25nmまで超薄膜化した領域を得た。透過率の測定結果を図6に示す。1mm格子を持つ基板でも、透過率測定は可能であり、実施例1と同じ結果が得られることがわかった。
Claims (7)
- Si基板の片面に、光が透過可能な厚さにされた超薄膜領域を形成する工程、該超薄膜領域の光透過度を測定する工程、該Si基板の他方の面上に光透過度被測定物質を塗布する工程、および該Si基板と該被測定物質の光透過度を測定する工程を含む、光透過度測定方法。
- 光透過度被測定物質がフォトレジストである、請求項1記載の方法。
- Si基板の片面に超薄膜領域を形成する工程が、エッチングにより行われる、請求項1または2記載の方法。
- 該エッチングが深掘りエッチング法により行われる、請求項3記載の方法。
- 該超薄膜領域のSi基板の厚さが10ナノメートルから80ナノメートルの範囲である、請求項1から4のいずれか1項記載の方法。
- 該超薄膜領域が格子構造を有する、請求項1から5のいずれか1項記載の方法。
- 光がEUV光である、請求項1から6のいずれか1項記載の方法。
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