JP6147399B2 - 成膜装置及び製造装置 - Google Patents
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Description
た製造装置に関する。また、その成膜装置を用いて成膜する半導体装置の作製方法に関す
る。
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
を低減することが進められている。また、基板の大型化に伴い、成膜装置及び製造装置の
大型化が進んでいる。
枚ずつ成膜する枚葉式の成膜装置がある。バッチ式の成膜装置に比べて、枚葉式の成膜装
置は生産性が悪い。
機化合物を含む層(以下、EL層とも記す)を発光層とするEL素子は、有機化合物を含
む層が陽極と、陰極との間に挟まれた構造を有し、陽極と陰極とに電場を加えることによ
り、EL層からルミネッセンス(Electro Luminescence)が発光す
る。有機化合物を発光体として用いたEL素子は、次世代の照明への応用が期待されてい
る。また、有機化合物を発光体として用いたEL素子は、低電圧、低消費電力駆動などの
特徴を有している。
に長時間を要する、或いは、処理室毎にそれぞれの工程に要する時間が異なるため、自動
化工程として設計することが困難であり、生産性を向上させることに限界がある。特に、
EL層を蒸着して積層するには長時間要するため、基板1枚当りの処理時間を短縮するこ
とに限界があった。
装置も生産性のよい装置を用いることが重要である。
に開示されている。
。
う保護層をスパッタ装置で形成し、基板1枚当りの処理時間を短縮することも課題の一つ
としている。
層は蒸着装置で形成し、その後の第2の電極層や保護層をスパッタ装置で一括に成膜する
。少なくとも一方のスパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面が
セットされた状態で成膜を行う。このスパッタ装置をCPスパッタ装置(Columna
r Plasma Sputtering system)とも呼ぶ。なお、少なくとも
基板の周縁にはスパッタ成膜を行わないようにマスクを用いて第2の電極層や保護層を選
択的に形成することもできる。
、スパッタ成膜室の前室(搬送室とも呼ぶ)であるチャンバーを介して連結するように接
続される。チャンバーには少なくとも排気手段と、搬送手段と、基板ホルダー移載機を備
えている。なお、基板ホルダーは、基板を複数枚固定することができ、チャンバー(搬送
室)とスパッタチャンバーの間を行き来することができる。
バー(搬送室)において、その1ユニットを一括に減圧し、スパッタ装置のチャンバーに
導入する。そして、一対をなすスパッタリングターゲットの間にその1ユニットをセット
した後、一括に成膜する。例えば、1ユニットが基板10枚であれば、一括で10枚の基
板の雰囲気を減圧し、一括に成膜を行うため、大幅に基板1枚当りの処理時間を短縮する
ことができる。
せ手段を設ける。EL層の蒸着を終えて1枚ずつ搬送された基板を額縁状のマスクと位置
合わせを行い、額縁状のマスクと重ねた基板を基板ホルダーに順次セットし、チャンバー
(搬送室)において、その一つの基板ホルダーに収納する1ユニットを一括に減圧し、ス
パッタ装置のチャンバーに導入する。そして、一対をなすスパッタリングターゲットの間
にその1ユニットをセットした後、一括に成膜する。例えば、1ユニットが基板10枚で
あれば10枚のマスクを使用し、一括で10枚の基板及びマスクの雰囲気を減圧し、一括
に成膜を行うため、大幅に基板1枚当りの処理時間を短縮することができる。
ッタ装置を用いた場合、蒸着を終えた基板1枚ずつをチャンバーにおいて減圧し、スパッ
タ装置のチャンバーに導入した後、成膜することはトータルの処理時間が長時間となるた
め、基板1枚当りの処理時間を短縮することに限界があった。
数の基板を収納する基板ホルダーと、を有するスパッタチャンバーと、該スパッタチャン
バーと連結し、且つ、複数の基板の雰囲気を減圧するチャンバーと、該チャンバーと連結
する蒸着チャンバーとを有し、スパッタチャンバー、チャンバー、及び蒸着チャンバーは
それぞれ排気手段を有する製造装置である。
に収納されたマスクと基板との位置合わせを行う機構を有することを特徴の一つとしてい
る。
表面は、垂直な位置関係であることを特徴の一つとしている。
行え、さらに一括に成膜を行うため、基板1枚当りの処理時間を短縮できる。
る。
う保護層をそれぞれ一括でスパッタ装置で形成し、基板1枚当りの処理時間を大幅に短縮
することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
図1は、スパッタ成膜室の内部に配置されている部材の位置関係を示す図である。
定し、固定された複数の基板を挟むように一対のスパッタリングターゲットを配置する。
即ち、図1に示すように、基板の表面とスパッタリングターゲット表面は、概略垂直な位
置関係となるように配置される。
中の矢印の方向に移動させて成膜を行う例を示している。基板ホルダーを移動させる機構
を設けることに限定されず、相対的に移動することができればよいため、一対のスパッタ
リングターゲットを移動させてもよいし、両方が移動できる機構としてもよい。
スパッタチャンバーと、被処理基板を固定する基板ホルダーと、スパッタリングターゲッ
トを保持するターゲットホルダーと、ターゲットホルダーに保持されたスパッタリングタ
ーゲットに対応する電極と、その電極にスパッタリングのためのDC電圧(またはAC電
圧)を印加する電力供給手段と、スパッタチャンバー内にガスを供給するガス供給手段と
を有している。
などの希ガスを導入し、被成膜基板を陽極、スパッタリングターゲットを陰極とし、被成
膜基板とスパッタリングターゲットの間にグロー放電を興してプラズマを発生させる。そ
して、プラズマ中の陽イオンをスパッタリングターゲットに衝突させ、弾き飛ばされるス
パッタリングターゲット成分の粒子を、被成膜基板に堆積させて材料膜を形成する。
基板の被成膜領域における、ある一点において、第1のスパッタリングターゲット11か
らの距離と、第2のスパッタリングターゲット12からの距離の和は、他の点においても
同じである。従って、一対のスパッタリングターゲットを用いることで、膜厚の均一性を
確保することができる。
ーゲット11と、第2のスパッタリングターゲット12の間に直流(DC)または交流(
AC)を印加する。また、基板は、フローティング電位、またはグラウンドなどの固定電
位とする。
トと呼ばれる金属板に貼り合わせて構成されている。バッキングプレートは、ターゲット
材料の冷却とスパッタ電極としての役割をもつため、熱伝導性および導電性に優れた銅が
多用されている。バッキングプレート内部または背面に冷却路を形成し、冷却路に冷却液
として水や油脂等を循環させることでスパッタリングターゲット材料の冷却効率を高める
ことができる。ただし、水の気化温度は100℃であるため、スパッタリングターゲット
を100℃以上に保ちたい場合は、水ではなく油脂等を用いるとよい。
や、場合によっては単結晶が用いられる。具体的には、シリコン、酸化シリコン、アルミ
ニウム、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、酸化シリコンを添加したインジ
ウム錫酸化物などを用いる。
ウム錫酸化物を用いれば、導電層として、発光素子の一方の電極層(第1の電極層または
第2の電極層)に用いることができる。
スパッタチャンバー内に酸素ガス、または窒素ガスを供給すれば、絶縁層を形成すること
ができる。また、アンモニアガスや、一酸化二窒素などをスパッタチャンバーに導入して
成膜を行ってもよい。こうして得られた窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリ
コン膜、または酸化アルミニウム膜を絶縁層として半導体装置に用いることができる。例
えば発光素子の保護層などに用いることができる。
例を図2に示す。
に示すスパッタチャンバーを用いる例であり、図2のインライン方式の製造装置の成膜チ
ャンバー214〜216及びスパッタチャンバー217〜220のいずれか一に用いる。
子を形成し、封止を行うまでの流れを以下に簡略に説明する。
複数の基板をセットする。例えば、基板投入室221、222、223にセット可能な基
板のサイズは、300mm×360mm、600mm×720mm、620mm×750
mmなどとする。
。ロードロック室225では、前処理として基板に付着している水分などを除去する真空
ベークなどを行う。次いで、アライメント室227に搬送し、マスクストック室231に
収納されている蒸着マスクと基板とを重ねて位置合わせを行う。
次行う。図2では、13個の蒸着チャンバーが直列に接続され、EL層を適宜成膜する。
とが好ましく、基板は、被成膜面を下向きにしてセットされている。フェイスダウン方式
とは、基板の被成膜面が下を向いた状態で成膜する方式をいい、この方式によればゴミの
付着などを抑えることができる。
イメント室228に導入される。ここで蒸着マスクを取り外し、新しいマスクと位置合わ
せを行う。この新しいマスクは、後に形成する第2の電極層のパターン形成のためのもの
である。なお、隔壁を用いることによって第2の電極層の分断を行う場合には、蒸着マス
クを取り外すのみである。取り外した蒸着マスクは、マスクストック室232に収納され
る。マスクストック室には新しいマスクも収納されている。そして、位置合わせを終えた
基板は搬送室241に搬送する。
て蒸着を行うことができるため、蒸着マスクを用いて成膜チャンバー214、215、2
16のいずれかで第2の電極層を形成する。この場合、成膜チャンバー214、215、
216は蒸着チャンバーとも呼べる。また、下方射出型の発光素子を形成する場合に第2
の電極層としてアルミニウムターゲットなどを用いてスパッタを行うこともできる。図1
に示したバッチ式のスパッタリング装置は、一対のスパッタリングターゲットを用いるた
め、アルゴンや被膜形成用スパッタ粒子が基板の被成膜面に与えるダメージが少なく好ま
しい。
てスパッタ成膜を行う。スパッタ前室である搬送室241では、基板の向きを変えて複数
の基板とマスクを基板ホルダーにセットし、且つ、成膜チャンバー内に複数の被処理基板
を基板ホルダーごと搬送する機構を有する。また、搬送室241には、排気手段が設けら
れ、搬送室241と連結している成膜チャンバー内と同じ真空度となるように減圧が行わ
れる。マスクは格子状のマスクを用い、成膜チャンバー214、215、216のいずれ
か一で選択的に第2の電極層を形成する。この場合、成膜チャンバー214、215、2
16はスパッタチャンバーとも呼べる。
そして、アライメント室229に導入される。ここでマスクを取り外し、新しいマスクと
位置合わせを行う。この後に形成するのは保護層であり、アライメント室229では端子
取り出しのための電極露出部分や、シールパターンを形成する領域に保護層が形成されな
いようにする額縁状のマスクとの位置合わせを行う。取り外したマスクは、マスクストッ
ク室233に収納される。そして、位置合わせを終えた基板は搬送室243に搬送する。
板とマスクを基板ホルダーにセットする。そして、搬送室243の排気手段により、搬送
室243と連結しているスパッタチャンバー内と同じ真空度となるように減圧が行われる
。
を終えた基板は基板ストック室238に搬送する。下方射出型の発光素子を形成する場合
、保護層が十分な信頼性を確保できるのであれば、保護層のみの封止で発光装置を完成さ
せることができる。
によりロードロック室226に導入する。ロードロック室226では、前処理として基板
に付着している水分などを除去する真空ベークなどを行う。次いで、シールパターン形成
室234に搬送し、封止用の基板に所望のシールパターンを形成する。そして、封止用の
基板ストック室244に搬送する。封止用の基板ストック室244ではシール材の仮硬化
のためのベークや光照射を行う。
されている保護層が形成された基板と、封止用の基板ストック室244に収納されている
シールパターンが形成された封止用の基板とを1枚ずつ取り出して、封止室230に搬入
する。そして、封止室230で2枚の基板の位置合わせを行って貼り合わせて固定する。
室230から取り出す。こうして、下方射出型の発光装置、或いは上方射出型の発光装置
を作製することができる。
234、封止用の基板ストック室244、搬送室237、及び封止室230は、乾燥雰囲
気または減圧雰囲気とすることが好ましい。
な処理を行って基板ストック室238に搬送するまでは大気に触れることのないインライ
ン方式の製造装置とすることが好ましい。勿論、基板がロードロック室225から基板ス
トック室238に至るまでの雰囲気は、乾燥雰囲気または減圧雰囲気とする。
ができる。特に、バッチ式のスパッタ装置を用いることにより、一括に成膜を行うため、
基板1枚当りの処理時間を短縮できる。
例を図3(B)に示す。なお、この断面構造は一例であって特に限定されない。また、図
3(B)は図3(A)の上面図におけるA−A’間の断面に相当する。
33b、平坦化層134、第1の隔壁107、第1の発光素子111、第2の発光素子1
12、第3の発光素子113、第2の隔壁139(脚部139a及び台部139b)、第
1の保護層138a、及び第2の保護層138bを有する。
の電極層103a上に形成されたEL層102aと、EL層上に形成された第2の電極層
108aとを備える。
の電極層103b上に形成されたEL層102bと、EL層102b上に形成された第2
の電極層108bとを備える。
の電極層103c上に形成されたEL層102cと、EL層102c上に形成された第2
の電極層108cとを備える。
。第3の発光素子113において、第2の電極層108cは、取り出し電極160を介し
て配線133bと接続している。
第2の電極層108aが第1の隔壁107を介して第1の電極層103aの端部と交差す
る。また、第2の電極層108aと第1の電極層103bとは、直接接続している。よっ
て、第1の発光素子111と第2の発光素子112は、直列接続している。
地となる層に他の層がなだらかな角度で厚さを増して接する構成をいう。順テーパ状とす
ることで、その上に形成する膜が途切れてしまう現象を防ぐことができる。
台部139bが第1の電極層103b上に突出した領域に含まれ、回り込みを抑制して成
膜するEL層102aは第1の電極層103b上には形成されず、回り込みを促進して成
膜する第2の電極層108aのみが第1の電極層103bに接して形成される。
が高められた発光装置を実現できる。
うに設けられている。よって、第1の電極層103aの端部に生じる段差部における第1
の電極層103aと第2の電極層108aの短絡を防止でき、信頼性の高い発光装置を実
現できる。
域における第1の電極層103bと第2の電極層108bの短絡を防止できる。
信頼性の高い発光装置を実現するためにさらに好ましい。
した台部を備える。図3(B)では、第2の隔壁139が、脚部139aと台部139b
からなる。脚部139aと台部139bが異なる材料で形成されている例を示したが特に
限定されず、1種の材料で、第2の隔壁139を作製することもできる。第2の隔壁13
9は、無機絶縁材料、有機絶縁材料(ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の
有機樹脂)を用いて形成することができる。例えば、ネガ型の感光性を有する樹脂材料を
用いることができる。また、第2の隔壁139の断面形状はT字形状とも呼べる。第2の
隔壁139の断面形状は特に限定されず、逆テーパ形状としてもよい。
する様子を示す。図4(A)はスパッタチャンバー内の断面構造の一部を示しており、第
1のスパッタリングターゲット411上に重なるように第2のスパッタリングターゲット
412が配置され、それらの間に基板400が配置される。基板400の平面は、第1の
スパッタリングターゲット411の表面となす角度が約90°である。また、基板400
には隔壁416が設けられ、第1の電極層と第2の電極層の短絡を防止できる。
が成膜されないようにする。特に基板400の側面及び周縁部は、スパッタリングターゲ
ットに近く、スパッタダメージを受ける恐れがあるため、メタルマスクで保護することは
有用である。
ゲット411上に6枚の大型基板が配置されている様子を示している。それぞれの基板4
00には額縁状のメタルマスク414で保護されており、覆われていない領域に金属層が
形成される。また、バッチ式のスパッタ装置とするため、6枚の基板を一つのカセットに
収納して成膜を行ってもよい。ここでは6枚の基板を同時に成膜する例を示したが特に限
定されず、基板サイズやスパッタリングターゲットサイズによって適宜変更可能である。
16によって分断され、第2の電極層となる。隔壁416は、隔壁を間に挟んで配置され
た第2の電極層同士の短絡を防いでいる。なお、図3(B)とは隔壁の形状が逆テーパ形
状という点と、第1の保護層及び第2の保護層が形成されていない点を除いてほぼ同一で
あるため、同一の部分には同じ符号を用い、ここでは詳細な説明は省略することとする。
図4(C)に示す断面構造が得られたら、図3(B)と同様に第1の保護層及び第2の保
護層を形成すれば下面射出型の発光装置を実現できる。
光ユニット10はそれぞれ並列に接続し、それぞれの発光ユニット10には、コンバータ
150に接続される配線133a、及び配線133bが接続される。なお、配線133a
、及び配線133bの材料としては、銅(Cu)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、
タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカン
ジウム(Sc)、ニッケル(Ni)、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材
料を用いて、単層で又は積層して形成する。本実施の形態の配線は、チタン膜上に銅膜を
積層する構成とする。銅は抵抗が低いため、好適に用いることができる。配線の膜厚は、
2μm以上35μm以下とすることが好ましい。
るAC−DCコンバータや、DC−DCコンバータなどを用いることができる。コンバー
タ150に接続される配線133a及び配線133bには、異なる電圧が出力される。配
線133a及び配線133bに接続される発光素子は、この電圧差により電流を流し、発
光させることができる。
の数を適宜設定すればよい。コンバータ150の流すことのできる電流が大きいほど、多
くの発光ユニット10を並列に接続することができる。
5(B)は、発光ユニット10の構成とそれらの接続関係を模式的に示した図であり、図
5(C)は、発光ユニット10内の複数の発光素子の接続関係を示す等価回路である。
a及び配線133bに接続される。本実施の形態では、複数の発光素子1100は、行方
向、列方向にマトリクス状に複数配置する構成について例示する。発光ユニット10に設
ける発光素子1100の数は、上記コンバータ150の出力特性や、レイアウトなどによ
って適宜設定すればよい。
を有する。
された発光素子1100は、第2の電極層が隣接する発光素子1100の第1の電極層に
接続され、これが繰り返されることにより、直列接続されている。また、上記直列に接続
される複数の発光素子1100の一群が、列方向に並列に接続されている。
このような構成とすることにより、配線133a、及び配線133bのそれぞれの発光素
子に接続する部分を共有して用いることができるため、発光ユニット10間のスペースを
小さくでき、基板面積に対する発光面積を大きくすることができる。
向に隣接する各発光素子間において、それぞれの発光素子の第1の電極層、又は第2の電
極層を接続し、列方向に並列接続する構成としてもよい。このように、直列接続、並列接
続を組み合わせた接続関係とすることにより、例えば発光ユニット10内の一つの発光素
子1100がショート、若しくは絶縁化してしまったときでも、当該発光素子1100に
隣接する他の発光素子1100に流れる電流が遮断されること無く、発光させることが可
能となる。
。図6(A)に示す発光装置は、第1の基板100a上に、第1のガラス層173aが形
成され、第1のガラス層173a上に複数の発光ユニット10が設けられている。図6(
A)において、第1のガラス層173a及び第2のガラス層173bは、シール材171
で貼り合わされている。図6(A)に示す発光装置は、第1のガラス層173a、第2の
ガラス層173b及びシール材171で囲まれた空間175に発光ユニット10を備える
構成となっている。また、第1の基板100a及び第2の基板100bは、シール材17
2で貼り合わされている。
からなることが好ましい。同じ材料で形成することで、熱歪みや物理的衝撃による形状不
良を抑制することができる。よって、作製時及び使用時における発光装置の変形や破損な
どを抑制することができる。
化できる。さらに、水分又は不純物等が発光装置の外部から発光装置に含まれるEL層や
金属材料を含む電極層などに侵入することを抑制することができる。
場合の発光装置の一例を説明する。図6(B)に示す発光装置は、第1の基板100a上
に複数の発光ユニット10が設けられている。図6(B)において、第1の基板100a
及び第2の基板100bは、シール材171及びシール材172で貼り合わされている。
、ニッケル等の金属、または、アルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金な
どを用いることができる。金属基板の膜厚に特に限定はないが、例えば、10μm以上2
00μm以下のものを用いると、発光装置の軽量化が図れるため好ましい。
きる。
(B)に示すように、第2の基板100bのサイズを第1の基板100aよりも小さくす
ることで、発光装置の厚みを変えずに厚みのあるコンバータを内蔵することができる。
とシール材172とが接していても良い。
6(A))。また、シール材171で充填する構成を適用することもできる(図6(B)
)。また、シール材171、シール材172とは異なる充填材を用いて、空間175を充
填することもできる。充填材として、シール材として用いる材料の中でも粘性の低い材料
を用いることで、空間175を充填することが容易となる。
ルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いるこ
とができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によ
って水分を吸着する物質を用いてもよい。
化型の材料を用いても良い。シール材171には、ガラス同士を接着することができる材
料、シール材172には、有機樹脂同士を接着することができる材料を用いる。これらの
材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入り
のシール材を用いることもできる。
あれば、一方の基板にマイクロレンズアレイや拡散板などの光学部材を設けることで、大
面積でより均一な発光が可能な照明として使用できる発光装置とすることもできる。
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図7を用いて説
明する。
られている。第1の電極層103及び第2の電極層108は、実施の形態1と同様の構成
を適用することができる。
、正孔輸送層702、発光性のEL層703、電子輸送層704、及び電子注入層705
の順で積層されている。
ては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、
ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸
化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることがで
きる。また、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:C
uPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メ
チルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4
,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−
N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTP
D)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル
)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,
6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−
フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(
9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:P
CzPCN1)等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフ
ェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニ
ルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド]
(略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビ
ス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)
(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PS
S)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極層103からの正孔注入性を良好
にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の
高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材
料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極層103からEL層10
2への正孔注入が容易となる。
族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm2/Vs以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。
、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN
1、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:
NPB又はα−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニ
ル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4−フェニル−
4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP
)等の芳香族アミン化合物や、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:C
BP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:T
CPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾ
ール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル
)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、1,4−ビス[4−(N−カ
ルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。
BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9
,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−t
ert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−B
uDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−
ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(
略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン
(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert
−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン
、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。
9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,
10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス
[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブ
チル)ペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)
ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)
フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。
ルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。
ては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチ
ルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)
、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニル
アミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物を用いることができる。
ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が
二層以上積層したものとしてもよい。
体や、t−BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。
どの高分子化合物を用いることもできる。
光性化合物を用いることができる。
、青色系の発光材料として、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フ
ェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)
、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)
トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−
4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:P
CBAPA)などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフ
ェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略
称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−
アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCA
BPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフ
ェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(
1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル
−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1
,1’−ビフェニル−2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェ
ニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,
9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる
。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−
4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また
、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テ
トラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,
N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオラ
ンテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
例えば、青色系の発光材料として、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリ
ジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略
称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2
’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5
’−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(II
I)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6
’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセ
トナート(略称:FIr(acac))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料とし
て、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir
(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)ア
セチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(1,2−ジフェニ
ル−1H−ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:I
r(pbi)2(acac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)
アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)2(acac))、トリス(ベンゾ[h]
キノリナト)イリジウム(III)(略称:Ir(bzq)3)などが挙げられる。また
、黄色系の発光材料として、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C
2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac
))、ビス[2−(4’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(I
II)アセチルアセトナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(
2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナー
ト(略称:Ir(bt)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス
(4−フルオロフェニル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir
(Fdppr−Me)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{2−(4−メト
キシフェニル)−3,5−ジメチルピラジナト}イリジウム(III)(略称:Ir(d
mmoppr)2(acac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、ト
リス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq
)3)、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルア
セトナート(略称:Ir(pq)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,
5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr
−Me)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチ
ル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−iPr)
2(acac))などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2−(2’
−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセ
チルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1−フェニルイソキ
ノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pi
q)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェ
ニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac)
)、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(
III)(略称:Ir(tppr)2(acac))、(ジピバロイルメタナト)ビス(
2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)
2(dpm))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,2
3H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(
略称:Tb(acac)3(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロ
パンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM
)3(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセト
ナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(P
hen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子
遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
ト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては
、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)
が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(
略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(I
I)(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(
II)(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−te
rt−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビ
ス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル
]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’
,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称
:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称
:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−te
rt−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、
9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイ
ル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル
)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5
−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称
:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニ
ル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−
N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:P
CAPBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(またはα−NPD)
、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができ
る。
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。
層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃
度消光を抑制することができる。
体的には、青色系の発光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジ
イル)(略称:PFO)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−
co−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、
ポリ{(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(
p−ブチルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが
挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:
PPV)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−
(ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ
[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−
メトキシ−5−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる
。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキ
ソキシ)−1,4−フェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチル
チオフェン−2,5−ジイル)(略称:R4−PAT)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−
2,7−ビス(1−シアノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス
(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5
−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−a
lt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}
(略称:CN−PPV−DPD)などが挙げられる。
ることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の
有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む層
の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにするこ
とで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色と
は、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光す
る物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機
化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
ては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4
−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キ
ノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス
[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2
)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BT
Z)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いること
ができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert
−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス
[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]
ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナ
ントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いること
ができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物
質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしてもよい。
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
3、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、
インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
の間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のE
L層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は
上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層
と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、
電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用い
ることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問
題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発
光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得る
ことも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合する
と無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得
られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ以上のEL層を有する
発光素子の場合でも同様である。
の間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電
子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極層
108と接する複合材料層708を有していても良い。
用いて第2の電極層108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減するこ
とができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物
にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
04との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電
子輸送層704に容易に注入することができる。
びこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(
酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む
)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金
属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略
称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもで
きる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同
様の材料を用いて形成することができる。
を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を
速やかに送ることが可能となる。
構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層70
6に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
O準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送
層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層708におけるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704
に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネ
ルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLU
MO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とするとよ
い。
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
SnPc(Phthalocyanine tin(II) complex)、ZnP
c(Phthalocyanine zinc complex)、CoPc(Coba
lt(II)phthalocyanine, β−form)、FePc(Phtha
locyanine Iron)及びPhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16
,23−tetraphenoxy−29H,31H−phthalocaynine)
のいずれかを用いることが好ましい。
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。
い。具体的には、VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnO
Pc(Phthalocyanine tin(IV) oxide complex)
及びTiOPc(Phthalocyanine titanium oxide co
mplex)のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合物
(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土
類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン
(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。
物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチル−3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシル−
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙
げられる。
フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,1
0,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称
:HAT(CN)6)、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2P
YPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称
:F2PYPR)等が挙げられる。
,5,8,−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロ
ペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’
−ビス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフ
ルオロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NT
CDI−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5
,5’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン)(略称:DCMT)、
メタノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル等を用いる
ことができる。
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。
送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例につい
て、図8を用いて説明する。
天井等に照明を設置することもできる。
具903を示す。発光装置は実施の形態1に示したインライン方式の製造装置を用いれば
、大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロ
ール型の照明装置902として用いることもできる。
いることで、照明装置のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井
、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することも可能となる。
11 第1のスパッタリングターゲット
12 第2のスパッタリングターゲット
13 基板
14 固定部材
15 基板ホルダー
100 基板
100a 第1の基板
100b 第2の基板
102 EL層
102a EL層
102b EL層
102c EL層
103 第1の電極層
103a 第1の電極層
103b 第1の電極層
103c 第1の電極層
107 第1の隔壁
108 第2の電極層
108a 第2の電極層
108b 第2の電極層
108c 第2の電極層
111 第1の発光素子
112 第2の発光素子
113 第3の発光素子
133a 配線
133b 配線
134 平坦化層
138a 保護層
138b 保護層
139 第2の隔壁
139a 脚部
139b 台部
141 ボイド
150 コンバータ
160 取り出し電極
171 シール材
172 シール材
173a 第1のガラス層
173b 第2のガラス層
175 空間
201〜213 蒸着チャンバー
214〜215 成膜チャンバー
216〜220 スパッタチャンバー
221〜224 基板投入室
225、226 ロードロック室
227〜229 アライメント室
230 封止室
231、232、233 マスクストック室
234 シールパターン形成室
235〜237 搬送室
238 基板ストック室
239〜243 搬送室
244 封止用の基板ストック室
400 基板
411 第1のスパッタリングターゲット
412 第2のスパッタリングターゲット
414 メタルマスク
416 隔壁
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光性の有機化合物を含む層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 第1のEL層
801 第2のEL層
803 電荷発生層
901 照明装置
902 照明装置
903 卓上照明器具
1000 発光装置
1100 発光素子
Claims (2)
- 一対のスパッタリングターゲットと、
前記一対のスパッタリングターゲットの間に複数の基板を収納する基板ホルダーと、を有し、
前記基板ホルダーは、複数の基板の被成膜面が同一方向を向くように、複数の基板を固定し、
前記基板ホルダーは、複数の基板の被成膜面が前記一対のスパッタリングターゲットの表面に対して垂直になるように、複数の基板を固定し、
前記一対のスパッタリングターゲットを、前記一対のスパッタリングターゲットの表面に平行方向に移動しながら成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 一対のスパッタリングターゲットと、前記一対のスパッタリングターゲットの間に複数の基板を収納する基板ホルダーと、を有するスパッタチャンバーと、
前記スパッタチャンバーと連結し、且つ、複数の基板の雰囲気を減圧するチャンバーと、
前記チャンバーと連結する蒸着チャンバーと、を有し、
前記基板ホルダーは、複数の基板の被成膜面が同一方向を向くように、複数の基板を固定し、
前記基板ホルダーは、複数の基板の被成膜面が前記一対のスパッタリングターゲットの表面に対して垂直になるように、複数の基板を固定し、
前記一対のスパッタリングターゲットを、前記一対のスパッタリングターゲットの表面に平行方向に移動しながら成膜を行い、
前記蒸着チャンバーは、フェイスダウン方式で有機EL層を形成し、
前記スパッタチャンバー、前記チャンバー、及び前記蒸着チャンバーはそれぞれ排気手段を有することを特徴とする製造装置。
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