JP6023452B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の作製方法に関する。

これまで長い間用いられてきた白熱灯や蛍光灯などの発光装置に代わり、近年、電流を流すことにより発光する機能性薄膜層（以下、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）層と略記する）を電極間に挟んだ素子（以下、ＥＬ素子と略記する）を用いた発光装置の研究が盛んに行われている。ＥＬ素子を用いた発光装置は、従来の発光装置と比較して薄型化や軽量化が行いやすいという長所がある。また、これらの長所を生かし、湾曲を有する面に貼り付けるといったことも可能である。

ＥＬ素子を用いた発光装置の構造としては、例えば、特許文献１のようなトップエミッション型の構造がある。

特開２００６−３５１３１４号公報

トップエミッション型の発光装置は、外部に光が射出される側の電極（特許文献１における陰極に相当。本明細書においては、以下では第２の電極と略記する。また、外部に光が射出される側とは反対の電極については、以下では第１の電極と略記する）には透光性を有する導電層を形成する必要があるが、透光性を有する導電層は金属膜などと比較して抵抗値が高い。このため、広い面積に対して第２の電極を形成した場合、透光性を有する導電層の抵抗に起因した電圧降下により、発光面内において輝度ムラが生じてしまう。

上述の電圧降下を抑制する方法として、第２の電極を形成した後に、第２の電極に接して抵抗値の低い層（補助電極、補助配線などと言われる。以下、補助配線と略記する）を形成する方法がある。例えば、印刷法により導電性ペーストを形成し補助配線として用いる、成膜部分のパターンが開口されたマスクを基板に対して設置した状態でスパッタリング法により導電膜を形成し補助配線として用いる、などの方法がある。

上述のような方法により第２の電極上に補助配線を形成する場合、第２の電極全体の電圧降下を抑制するには、例えば碁盤の目状に補助配線を形成するといったように、補助配線を引き回す必要があるが、第２の電極上に形成された補助配線は、ＥＬ層から外部に射出される光を遮るため、補助配線形成面積に応じて発光輝度が低下する。

本発明は、このような技術背景のもとでなされたものである。したがって、本発明は、電圧降下による輝度ムラの発生及び、補助配線による発光輝度の低下が抑制された発光装置を提供することを課題の一とする。また、このような発光装置を簡便に作製する方法を提供することを課題の一とする。

以上、本発明では上記課題の少なくとも一つを解決することを課題とする。

上述の問題を解決するために、本発明は、第２の電極の補助配線として機能する導電層を、第１の絶縁層を挟んで第１の電極下に配し、第１の絶縁層及び第１の電極に設けた開口部を介して導電層と第２の電極が電気的に接続される構造とした。なお、開口部において第１の電極と第２の電極が直接接しないように、開口部側壁に第２の絶縁層を配する構造とした。

上述のような構造とすることにより、導電層は第２の電極の補助配線として機能するため、第２の電極の抵抗値に起因した電圧降下による輝度ムラの発生を抑制できる。また、補助配線として機能する層が第１の電極の下に位置するため、ＥＬ層から外部に射出される光を遮ることによる発光輝度の低下を抑制できる。

なお、上述のような発光装置を作製する場合、第１の電極上に第２の絶縁層の端部を設けて、第２の絶縁層の一部が第１の電極上に形成されるようにして、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着することにより、第２の絶縁層が障害物（マスク）となり、開口部の一部にはＥＬ層が蒸着されずに導電層が剥き出しとなる領域が自己整合的に形成される。このため、ＥＬ層上に第２の電極を形成することで、パターン処理等の複雑な工程を行うことなく導電層と第２の電極を電気的に接続できる。したがって、電圧降下による輝度ムラの発生及び、補助配線による発光輝度の低下が抑制された発光装置を、簡便に作製することができる。

すなわち、本発明の一態様は、絶縁基板上の導電層と、導電層上の、導電層が露出する第１の開口部を有する第１の絶縁層および第１の絶縁層上の第１の電極と、第１の絶縁層及び第１の電極に設けられた導電層に達する第１の開口部の側壁を覆い、第１の電極上に端部を有し、且つ第１の開口部と重なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁層と、第１の電極上のＥＬ層と、第１の開口部と重なる第２の絶縁層に設けられた第２の開口部において導電層と電気的に接続された、ＥＬ層上の第２の電極を有する発光装置である。

上記本発明の一態様に示す構造の発光装置では、第１の電極の下に位置する導電層と第２の電極とが電気的に接続され、導電層は第２の電極の補助配線として機能するため、第２の電極の抵抗値に起因した電圧降下による輝度ムラの発生を抑制できる。また、補助配線として機能する層が第１の電極の下に位置しており、ＥＬ層から射出される光が吸収、反射されることがないため、発光輝度の低下を抑制できる。

また、本発明の一態様は、導電基板上の、導電基板が露出する第１の開口部を有する第１の絶縁層および第１の絶縁層上の第１の電極と、第１の絶縁層及び第１の電極に設けられた導電基板に達する第１の開口部の側壁を覆い、第１の電極上に端部を有し、且つ第１の開口部と重なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁層と、第１の電極上のＥＬ層と、第１の開口部と重なる第２の絶縁層に設けられた第２の開口部において導電基板と電気的に接続された、ＥＬ層上の第２の電極を有する発光装置である。

上記本発明の一態様に示す構造の発光装置では、導電基板を第２の電極の補助配線として用いる事ができ、基板上に補助配線として機能する導電層を形成する必要がないため、発光装置はより安価なものとなる。また、導電基板は絶縁基板と比較して熱伝導率が高く、発光装置内部の熱を発光装置外部に放散し易いため、熱的要因による発光装置の劣化を抑制できる。

また、本発明の一態様は、絶縁基板上に導電層を形成し、導電層上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に導電層と重なる第１の電極を形成し、第１の絶縁層及び第１の電極に導電層に達する第１の開口部を形成し、第１の開口部の側壁を覆い、且つ第１の電極上に端部を有する第２の絶縁層を形成し、第１の開口部と重なる第２の絶縁層に導電層まで達する第２の開口部を形成することにより、被成膜基板を作製する工程と、蒸発源を備えた蒸着室において、第２の絶縁層に遮られて第２の開口部と重なる導電層の一部に蒸着されない領域が生じるように、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着する工程と、第２の開口部と重なる導電層と電気的に接続するようにＥＬ層上に第２の電極を形成する工程を有する発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様に示す作製方法を用いることにより、ＥＬ層形成工程において、第２の絶縁層が障害物となり、第２の開口部内の導電層の一部にＥＬ層が形成されない領域が自己整合的に形成され、その後、第２の電極を形成することにより導電層と第２の電極を当該領域において電気的に接続できる。したがって、発光輝度の低下及び電圧降下による輝度ムラの発生が抑制された発光装置を簡便に作製することができる。

また、本発明の一態様は、導電基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に導電基板と重なる第１の電極を形成し、第１の絶縁層及び第１の電極に導電基板に達する第１の開口部を形成し、第１の開口部の側壁を覆い、且つ第１の電極上に端部を有する第２の絶縁層を形成し、第１の開口部と重なる第２の絶縁層に導電基板まで達する第２の開口部を形成することにより、被成膜基板を作製する工程と、蒸発源を備えた蒸着室において、第２の絶縁層に遮られて第２の開口部と重なる導電基板の一部に蒸着されない領域が生じるように、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着する工程と、第２の開口部と重なる導電基板と電気的に接続するようにＥＬ層上に第２の電極を形成する工程を有する発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様に示す方法を用いることにより、ＥＬ層形成工程において、第２の絶縁層が障害物となり、第２の開口部内の導電基板の一部にＥＬ層が形成されない領域が自己整合的に作製され、その後、第２の電極を形成することにより導電基板と第２の電極を当該領域において電気的に接続できる。また、導電基板は熱伝導率が高く、発光装置内部の熱を発光装置外部に放散し易いため、熱的要因による発光装置の劣化を抑制できる。したがって、発光輝度の低下、電圧降下による輝度ムラの発生及び装置内部の発熱に起因したＥＬ層の劣化が抑制された発光装置を簡便に作製することができる。

なお、本明細書等において、「Ａの上にＢが形成されている」、あるいは、「Ａ上にＢが形成されている」、と明示的に記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、ＡとＢとの間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。

したがって、例えば、層Ａの上又は層Ａ上に層Ｂが形成されていると明示的に記載されている場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよいし、複層でもよい。

なお、「Ａの下にＢが形成されている」といった記載についても同様に解釈できる。

また、本明細書等において、「Ａ、Ｂを順に形成」と明示的に記載する場合は、Ａを形成した直後にＢを形成することに限定されない。Ａ形成後からＢ形成までの間に別の対象物を形成する場合も含む物とする。

したがって、例えば、層Ａ、層Ｂを順に形成すると明示的に記載されている場合は、層Ａを形成後すぐに層Ｂが形成される場合と、層Ａを形成後に別の層（例えば層Ｃ）を形成した後に層Ｂが形成される場合の両方を含む物とする。

また、本明細書等において「第１」、「第２」等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に用いているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。なお、本明細書では２枚の基板に対して膜、層、材料及び基板などを形成していく工程を説明するため、同じ膜、層、材料及び基板でも異なる数詞を用いている場合がある。

本発明の一態様によれば、電圧降下による輝度ムラの発生及び補助配線による発光輝度の低下が抑制された発光装置を提供できる。

また、本発明の一形態によれば、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着することにより、第２の絶縁層が障害物（マスク）としての効果を奏する。これにより、発光輝度の低下及び電圧降下による輝度ムラの発生が抑制された発光装置を簡便に作製することができる。

実施の形態１に記載の発光装置の構成を説明する図。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態２に記載の発光装置の構成を説明する図。 実施の形態２に記載の発光装置の作製方法を説明する図。 ＥＬ層を説明する図。 本発明に係る発光装置を用いた照明装置を説明する図。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る発光装置及び発光装置の作製方法について、図１乃至図６および図１１を用いて説明する。

＜本実施の形態における発光装置の構成＞
図１は、本実施の形態の発光装置の一例である、トップエミッション型（上方射出型）の発光装置である。図１（Ａ）は発光装置１５０の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の点線四角Ｘ部分の拡大図である。なお、図１（Ｂ）では、煩雑になることを避けるため、一部の構成要素を省略して記載している。

図１（Ｃ）は発光装置１５０における、図１（Ｂ）の一点鎖線部Ｃ１−Ｃ２の断面図である。

本実施の形態に記載されたトップエミッション型の発光装置１５０は、図１（Ｃ）のように、陽極として機能する第１の電極１０６の下に、補助配線として機能する導電層１０２が第１の絶縁層１０４を挟んで設けられ、第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６の一部には導電層１０２に達する第１の開口部１０８が設けられている。また、導電層１０２および第１の電極１０６上には、第１の開口部１０８の側壁を覆い、第１の電極１０６上に端部を有し、且つ第１の開口部１０８と重なる位置に第２の開口部１１１を有する第２の絶縁層１１０が設けられている。そして、第１の電極１０６上にＥＬ層１１２が設けられ、陰極として機能する第２の電極１１４が、第２の開口部１１１を通して導電層１０２と電気的に接続された構造となっている。

ＥＬ層１１２は、第１の電極１０６及び第２の電極１１４に外部電源（図示していない）を接続し、キャリアを供給することにより発光できる。本実施の形態に示す発光装置は、第１の電極１０６の下、つまり光を取り出す方向とは逆側に導電層１０２が形成されているため、ＥＬ層１１２の発光領域（図１（Ｃ）の点線四角部Ｄ１及びＤ２に相当）からの発光が導電層１０２により妨げられることがない。

なお、第１の開口部１０８の側壁を覆う第２の絶縁層１１０は、第２の電極１１４と第１の電極１０６が接することを防止している。また第２の絶縁層１１０は、ＥＬ層１１２を形成する際にＥＬ層１１２が成膜される領域及び成膜されない領域を決めるマスクとしての機能も有している。このマスクとしての機能については、後述にて説明する。

なお、第２の絶縁層１１０が形成された箇所は、発光に寄与しない領域となるが、一般的な補助配線のように、基板全面に対して線状に形成する（例えば、碁盤の目状に形成する）必要がなく、図１（Ａ）のように極小さな点状に形成しても、第２の電極の抵抗値を低減できるため、発光面積の減少は最小限に抑えられる。

なお、図１ではＥＬ層１１２は単層のように記載されているが、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていれば、単層構造でも積層構造でもよい。積層構造としては、例えば、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。ＥＬ層１１２については、実施の形態３にて構成例を詳細に説明する。

＜本実施の形態における発光装置の作製方法＞
本実施の形態の発光装置の作製方法について、図２乃至図６および図１１を用いて以下の文章にて説明する。

まず、絶縁基板１００を準備し、絶縁基板１００上に導電層１０２を形成する（図２（Ａ）参照）。

絶縁基板１００としては、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラス等の各種ガラス基板や、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いればよい。これらのガラス基板は大面積化に適しており、Ｇ１０サイズ（２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）やＧ１１サイズ（３０００ｍｍ×３３２０ｍｍ）なども作製されているため、本発明の一態様に係る発光装置を低コストで大量生産することができる。他にも、石英基板、サファイア基板等の絶縁体でなる絶縁性基板、シリコン等の半導体材料でなる半導体基板の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることもできる。

また、絶縁基板１００として、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂などの各種プラスチック基板を用いることもできる。なお、各種プラスチック基板を絶縁基板１００として用いる場合は、表面に酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウムなどの水蒸気透過性の低い膜を単層又は積層にて形成するとよい。これにより、各種プラスチック基板には高い水蒸気バリア性が付与されるため、後の工程にて形成するＥＬ層１１２の劣化を抑制できる。

上述のプラスチック基板を絶縁基板１００として用いることにより発光装置１５０を薄型化、軽量化でき、さらに後の工程で使用する封止基板側にもプラスチック基板を用いることで、発光装置に可撓性を持たせることができるため、発光装置の付加価値を高めることができる。

なお、厚さについては特に限定は無いが、発光装置の薄型化、軽量化の観点から考えると３ｍｍ以下が望ましく、より好ましくは１ｍｍ以下が望ましい。

一例として、厚さが０．７ｍｍのアルミノシリケートガラス基板を、絶縁基板１００として用いればよい。

なお、本実施の形態では形成していないが、絶縁基板１００からの不純物拡散を防止するために、絶縁基板１００上に下地層を形成してもよい。下地層としては、例えば、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法、スパッタリング法などのＰＶＤ法など既知の方法を用いて、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）などを形成すればよい。なお、下地層は、単層構造、積層構造のどちらであってもよく、積層構造とする場合は、前述の膜を組み合わせて形成すればよい。

なお、上述にて「酸化窒化」及び「窒化酸化」という言葉を用いているが、これは形成した層に含まれる酸素含有量と窒素含有量のどちらが多いかを表すものであり、「酸化窒化」では、その組成において窒素よりも酸素の含有量が多いことを示す。

導電層１０２は、後の工程にて形成する第２の電極１１４の補助配線として機能する層であり、真空蒸着法などの各種蒸着法や、スパッタリング法などの公知の方法を用いて導電性を有する層を形成した後に、当該層をレジストマスクを用いたドライエッチング法やウェットエッチング法などの公知の方法を用いて選択的に除去することにより形成することができる。導電性を有する層としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、マグネシウム、チタン、パラジウム、金、白金、銀又は銅等の金属材料の単層や積層、これらの材料を含む合金などを用いることができる。

一例として、スパッタリング法を用いて、絶縁基板１００上（絶縁基板１００上に下地層が形成されている場合は、下地層上）に、アルミニウムとチタンの合金１００ｎｍ及びチタン１０ｎｍを順に成膜した後に、レジストマスクを用いたドライエッチング法によりパターン形成処理を行い、導電層１０２として用いればよい。表面にチタンを１０ｎｍ形成することにより、後に形成される第２の電極と導電層の間に、絶縁膜が形成される事を抑制できる。このような絶縁膜の形成を抑制する膜としては、チタン以外にモリブデンなどを用いることもできる。

次に、絶縁基板１００上及び導電層１０２上に、第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６を形成し、第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６に第１の開口部１０８を形成する（図２（Ｂ）参照）。

第１の絶縁層１０４は、導電層１０２と第１の電極１０６との絶縁性を保つための層であり、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法、スパッタリング法などのＰＶＤ法など公知の方法を用いて、絶縁性を有する無機層を形成すればよい。絶縁性を有する無機層としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）などを単層構造又は積層構造にて用いればよい。

また、第１の絶縁層１０４は、スピンコート法、印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの公知の方法を用いて、絶縁性を有する有機樹脂層を塗布した後、適宜硬化処理（例えば、加熱処理や光照射処理など）を行い形成してもよい。絶縁性を有する有機樹脂層としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂を用いることができる。

第１の電極１０６は、前述の導電層１０２と同じ材料及び方法を用いて形成すればよい。

そして、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法などを用いて第１の電極１０６上にレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて第１の電極１０６および第１の絶縁層１０４の一部を選択的に除去して、第１の開口部１０８を形成する。

一例として、プラズマＣＶＤ法を用いて導電層１０２上に酸化珪素を１５０ｎｍ成膜し、スパッタリング法を用いて酸化珪素上にアルミニウムとチタンの合金１００ｎｍ及びチタン１０ｎｍを順に成膜した後、第１の電極１０６上にフォトリソグラフィ法を用いてレジストマスクを形成した後、レジストマスクを用いたドライエッチング法により、チタン、アルミニウムとチタンの合金及び酸化珪素の一部を選択的に除去し、第１の絶縁層１０４、第１の電極１０６及び第１の開口部１０８とすればよい。

なお、本実施の形態では、第１の絶縁層１０４と第１の電極１０６を連続して成膜した後に、これらの層に対して一括して開口処理を行う説明を記載したが、第１の絶縁層１０４を形成した後に１度目の開口処理を行い、第１の絶縁層１０４上に第１の電極１０６を形成した後に２度目の開口処理を行うといったように、第１の絶縁層１０４と第１の電極１０６に対して別々に開口処理を行い、第１の開口部１０８を形成してもよい。

また、図２（Ｂ）では第１の絶縁層１０４の側面と第１の電極１０６の側面は、凹凸の無い連続した面として記載されているが、これに限定されることはない。例えば、第１の電極１０６の側面より第１の絶縁層１０４の側面が第１の開口部１０８の中心に向かってせり出した階段形状などであってもよい。

次に、導電層１０２上及び第１の電極１０６上に、第１の開口部１０８の側壁を覆い、第１の電極１０６上に端部を有し、且つ第１の開口部１０８と重なる部分に第２の開口部１１１を有する第２の絶縁層１１０を形成する。これにより、被成膜基板１３０が作製される（図２（Ｃ）参照）。

第２の絶縁層１１０は、第１の電極１０６と後の工程にて形成する第２の電極１１４の絶縁性を保つための層であるとともに、被成膜基板１３０に対してＥＬ層１１２を形成する際に、第２の開口部１１１から露出した導電層１０２の一部にＥＬ層１１２が形成されないようにするためのマスクとして機能する。第２の絶縁層１１０は、スピンコート法などの公知の方法を用いて、絶縁性を有する有機樹脂層を塗布して適宜硬化処理（例えば、加熱処理や光照射処理など）を行った後に、レジストマスクを用いたドライエッチング法やウェットエッチング法などの公知のエッチング法を用いて選択的に除去することにより形成することができる。絶縁性を有する有機樹脂層としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂を用いることができる。なお、印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法を用いて第２の絶縁層１１０を形成する場合は、絶縁性を有する有機樹脂を所定の位置に塗布することができるため、樹脂を選択的に除去する必要がない。どのような方法により第２の絶縁層１１０を形成するかについては、第２の開口部１１１のサイズにより、作業者が適宜選択すればよい。

一例として、スピンコート法を用いて導電層１０２上及び第１の電極１０６上にポリイミド樹脂を塗布した後に、ポリイミド樹脂上にフォトリソグラフィ法を用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法によりポリイミド樹脂を一部を除去して第２の開口部１１１を形成することにより、第２の絶縁層１１０を形成すればよい。

ここで、第２の絶縁層１１０のマスクとしての機能について、図４及び図５を用いて説明する。

まず、上述工程にて作製した被成膜基板１３０を、図４（Ａ）のように、蒸発源４１０を備える蒸着室４００に投入し、基板固定機構４０４を用いてステージ４０８に固定する。なお、被成膜基板１３０の外周部近傍など、発光に寄与しない領域、すなわちＥＬ層１１２を形成する必要が無い部分については、被成膜基板１３０と基板固定機構４０４の間にカバー材４０６を設置し、ＥＬ層１１２が蒸着されないようにしてもよい。そして、角度調整機構４０２を用いて、被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態でＥＬ層１１２を形成する各種材料を蒸着する。

なお、蒸発源４１０としては、クヌーセンセル、金属ボートまたはルツボなどの、ある一点から材料を放散する蒸発源（点蒸発源などとも言われる。）を用いることができる。また、リニアソースなどの広い幅から材料を放散する蒸発源（線蒸発源などとも言われる。）を用いることもできる。なお、蒸発源４１０は図４（Ａ）のように１つのみでもよいし、複数個用いてもよい。

なお、蒸発源４１０として点蒸発源や線蒸発源を用いる場合、図１１（Ａ）のように、蒸発源４１０上に加熱可能な筒状加熱壁４２０が設置された蒸発機構４３０を用い、蒸発機構４３０を移動させることで、被成膜基板１３０にＥＬ層１１２を形成する各種材料を蒸着してもよい。蒸発源４１０にセットされた材料は、筒状加熱壁４２０を設置しない場合は蒸着室４００の広い範囲に向かって放散されるが、蒸発源４１０上に筒状加熱壁４２０を設置した場合、放散される材料は筒状加熱壁４２０により放散方向が変化するため、高い指向性を持ち被成膜基板１３０に向かって進むことになる。このため、第２の絶縁層１１０を用いて、第２の開口部１１１に露出した導電層１０２の一部にＥＬ層が形成されない領域を容易に形成することができる。

なお、蒸発源４１０として点蒸発源や線蒸発源を用いる場合、蒸発源４１０と被成膜基板１３０間の距離は、少なくとも被成膜基板の長辺の長さより長くすることが好ましい（例えば、被成膜基板がＸｃｍ×Ｙｃｍの長方形の場合、蒸発源４１０と被成膜基板１３０間の距離は少なくともＹｃｍ以上離すことが好ましい。）。

また、図１１（Ｂ）に示すように、ＥＬ層１１２として用いる材料を予め気化した状態で開口部４４０から放散させる、蒸発機構４５０を用いることもできる。なお、蒸発機構４５０を用いる場合、開口部４４０の形状を小さくすることにより、蒸発機構４３０と同様に蒸発源から放散される材料に高い指向性を持たせることができる。

どのような蒸発源（または蒸発機構）を用いるかにより、ＥＬ層１１２を形成する各種材料の放散状態は異なるが、本実施の形態では、蒸発源として１個のルツボを用いた蒸発源４１０（いわゆる、点蒸発源）を一例として説明する。

蒸発源４１０に設置された材料は、蒸発源４１０を加熱することにより、図４（Ａ）の破線矢印のように蒸着室の広い範囲に対して放散されるが、ここでは、被成膜基板１３０の破線四角部Ｙの範囲におけるＥＬ層１１２の形成状態を、図４（Ｂ）を用いて説明する。破線四角部Ｙの範囲では、蒸発源４１０から放出される材料は、概ね図４（Ａ）及び図４（Ｂ）の二点鎖線矢印方向に沿って被成膜基板１３０に蒸着される。

被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態で、ＥＬ層１１２を形成する各種材料を蒸着した場合、図４（Ｂ）のように、第２の絶縁層１１０に遮られて、第２の開口部１１１と重なる導電層１０２の一部にはＥＬ層１１２が形成されずに導電層１０２が露出した領域が自己整合的に形成される。これにより、後の工程にて第２の電極１１４を形成した際に、第２の電極１１４は露出した導電層１０２と接し、導電層１０２と第２の電極１１４が電気的に接続される。

蒸発源４１０に対する被成膜基板１３０の傾け方について更に詳しく説明すると、蒸発源４１０と、第２の絶縁層１１０の導電層１０２と接する端部（図４（Ｂ）の黒丸Ｍ部分）を結ぶ直線が第２の絶縁層１１０を通過するように、蒸発源４１０に対して被成膜基板１３０を傾けることが望ましい。例えば、図５（Ａ）のように、被成膜基板１３０が鉛直方向に対して垂直な状態に設置されている場合、図４（Ａ）にて記載した角度調整機構４０２を用いて、図５（Ｂ）のように、被成膜基板１３０をαで表される角度（つまり、第２の絶縁層１１０の導電層１０２と接する端部（黒丸Ｍ部分）と蒸発源４１０を結ぶ直線が、第２の絶縁層１１０の接線となる角度）以上傾けた状態で、被成膜基板１３０に対してＥＬ層１１２を形成する各種材料を蒸着すればよい。

なお、図４及び図５では、角度調整機構４０２を用いて、被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態でＥＬ層１１２を形成する方法について記載したが、図６（Ａ）のように、位置調整機構６０２（被成膜基板１３０は、鉛直方向に対して垂直な面方向に移動する）を用いて、被成膜基板１３０の位置を蒸発源４１０からずらすことにより、被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態としてもよい。図６（Ａ）の破線四角部Ｚの範囲におけるＥＬ層１１２の形成状態は図６（Ｂ）に示すように、概ね二点鎖線矢印方向に沿って蒸発源４１０から放出される材料は、第２の絶縁層１１０により遮られて、図５（Ｂ）と同様に第２の開口部１１１と重なる導電層１０２の一部にはＥＬ層１１２が形成されずに導電層１０２が露出した領域が自己整合的に形成される。

なお、図４乃至図６では、蒸発源４１０は鉛直方向に設置されているが、これに限定されることはなく、蒸発源４１０を傾けて設置してもよい。

以上のように、被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態で、ＥＬ層１１２を形成する各種材料を蒸着することにより、第２の開口部１１１の一部に導電層１０２が露出した状態にＥＬ層１１２を自己整合的に形成することができる（図２（Ｄ）参照）。

なお、ＥＬ層１１２の構造や使用材料などについては、実施の形態３にて詳細に説明するため、ここでは説明を省く。

次に、ＥＬ層１１２上に、第２の電極１１４を形成する（図３参照）。前述のとおり、第２の開口部１１１の一部には導電層１０２が露出した領域が自己整合的に形成されているため、第２の電極１１４を形成することで、パターン処理などの複雑な工程を行うことなく、簡便な工程で導電層１０２と第２の電極１１４を電気的に接続できる。これにより、導電層１０２は第２の電極１１４の補助配線として機能するため、第２の電極１１４の抵抗値を低減できる。また、第２の電極１１４の抵抗値に起因した電圧降下による輝度ムラの発生を抑制できる。なお、図１（Ａ）に示すように、導電層１０２と第２の電極１１４が電気的に接続される箇所を、発光装置１５０の発光領域に複数設けることにより、第２の電極１１４の抵抗値低減効果及び輝度ムラ抑制効果は、より大きくなる。

第２の電極１１４としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、クラスタービーム蒸着法、レーザー蒸着法などを用いて、透光性を有する導電性の金属酸化物層を形成すればよい。透光性を有する導電性の金属酸化物層としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの導電性金属酸化膜を用いることができる。これらの材料は可視光領域において高い透過率を有しており、ＥＬ層１１２からの発光を高い割合で透過する。具体的には４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域の光を５０％以上透過する事が望ましく、より好ましくは、７５％以上を透過することが望ましい。

第２の電極１１４を形成する場合、ＥＬ層１１２に極力ダメージを与えないように形成することが望ましい。スパッタリング法により第２の電極１１４を形成する場合は、対向式スパッタ法（ミラートロンスパッタ法とも言われる）などにより、ＥＬ層１１２へのダメージを少なくすることが望ましい。

なお、第２の電極１１４を形成後に、第２の電極１１４を覆う保護層を設けてもよい。保護層を設けることにより、ＥＬ層１１２の劣化を抑制することができ、発光装置１５０の信頼性を高めることが出来る。保護層としては、例えば、真空蒸着法などの各種蒸着法や、スパッタリング法などの公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの水蒸気透過性の低い膜を単層又は積層にて形成すればよい。

以上の工程により、電圧降下による輝度ムラの発生及び補助配線による発光輝度の低下が抑制された発光装置を提供できる。

さらに、ＥＬ層１１２を囲むように設けた封止材を介して、絶縁基板１００と封止基板を貼り合わせてもよい。これにより、外部からの水分や酸素の侵入を効果的に抑制できるため、長寿命な発光素子を作製できる。

封止材は、フレキソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェット装置、ディスペンサー装置などの各種印刷装置を用いた印刷法により形成し、適宜硬化処理を行えばよい。封止材に用いる材料としては、例えば、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いればよい。発光装置１５０に使用される各種材料への影響や生産性を考慮すると、高温状態での硬化処理が不要であり、短時間にて接着剤が硬化する光硬化型接着剤を用いることが望ましい。また、封止材は、スペーサ材料を含んでいてもよい。

封止基板としては、絶縁基板１００と同じ材料を用いることができる。なお、ＥＬ層１１２からの発光は封止基板側から外部に射出されるため、透光性を有する材料を封止基板として用いることが好ましい。具体的には、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において、７０％以上の光透過率を有する事が望ましく、さらに好ましくは、８５％以上の光透過率を有することが望ましい。

また、プラスチック基板を封止基板として用いることにより発光装置１５０を薄型化、軽量化でき、さらに絶縁基板１００と封止基板の両方をプラスチック基板とすることにより、発光装置１５０には可撓性を持たせることができるため、発光装置の付加価値を高めることができる。

なお、封止基板としてプラスチック基板を用いる場合は、ＥＬ層１１２の形成領域より外側のプラスチックに対して熱を加えながら圧着処理を行い、絶縁基板１００と封止基板を溶着させてもよい。

上述の絶縁基板１００と封止基板の貼り合わせ方法は、あくまでも一例であり、公知の技術を用いて適宜貼り合わせればよい。

なお、封止基板の厚さについては特に限定は無いが、発光装置の薄型化、軽量化の観点から考えると３ｍｍ以下が望ましく、より好ましくは１ｍｍ以下が望ましい。

一例として、厚さが０．７ｍｍのアルミノシリケートガラス基板を、封止基板として用いればよい。

なお、絶縁基板１００と封止基板の貼り合わせは、減圧状態又は窒素などの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。これにより、絶縁基板１００、封止材及び封止基板に囲まれた空間は、減圧状態又は不活性ガスに満たされた状態となるため、ＥＬ層１１２の劣化を抑制できる。

以上の工程により、開示する発明の一態様に係るトップエミッション構造の発光装置１５０を形成できる。

＜本実施の形態における発光装置の効果＞
本実施の形態に開示するトップエミッション構造の発光装置１５０は、補助配線として機能する導電層１０２が、第１の電極１０６下に広い面積で形成されており、導電層１０２と第２の電極１１４とが、第２の開口部１１１の一部で接続（電気的接続）された構造であるため、導電層１０２がＥＬ層１１２からの発光を遮ることがない。したがって、補助配線を形成することによる発光輝度の低下を抑制できる。

また、導電層１０２と第２の電極１１４との電気的接続部を、発光領域内に複数形成する（例えば、図１（Ａ）のように、非常に小さな電気的接続部を、基板面内に複数形成する。）ことにより、第２の電極１１４全体において抵抗値を低減できるため、電圧降下に起因した輝度ムラの発生を抑制できる。

なお、被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態で、被成膜基板１３０に対してＥＬ層１１２を形成することにより、第２の絶縁層１１０がマスクとしての機能を果たし、第２の開口部１１１の一部に、導電層１０２が露出した領域を自己整合的に形成できる。そして、ＥＬ層１１２上に第２の電極を形成することで、パターン処理等の複雑な工程を行うことなく導電層と第２の電極を電気的に接続できる。したがって、発光輝度の低下及び輝度ムラの発生が抑制された発光装置を、簡便に作製することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１にて作製した発光装置とは一部の構成が異なる発光装置及び当該発光装置の作製方法について、図７及び図８を用いて説明する。なお、以下に記載する発明の構成において、実施の形態１と同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

＜本実施の形態における発光装置の構成＞
図７は、本実施の形態の発光装置の一例である、トップエミッション型（上方射出型）の発光装置である。図７（Ａ）は発光装置７５０の上面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の点線四角Ｊ部分の拡大図である。なお、図７（Ｂ）では煩雑になることを避けるため、一部の構成要素を省略して記載している。

図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）の一点鎖線部Ｇ１−Ｇ２の断面図である。

本実施の形態に記載するトップエミッション型の発光装置７５０の構造が、実施の形態１に記載した発光装置１５０の構造と異なる箇所は、絶縁基板１００の代わりに導電基板７００を使用している、導電層１０２を用いない、導電基板７００が第２の電極１１４の補助配線として機能する、の３点である。

＜本実施の形態における発光装置の作製方法＞
本実施の形態の発光装置の作製方法について、図８を用いて以下の文章にて説明する。

まず、導電基板７００を準備し、導電基板７００上に第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６を形成し、第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６に第１の開口部１０８を形成する（図８（Ａ）参照）。

導電基板７００としては、例えば、ステンレス基板、アルミニウム基板、アルミニウム青銅基板、チタン基板、銅基板、鉄基板、炭素鋼基板、クロム鋼基板、ニッケル鋼基板、クロムニッケル鋼基板、珪素鋼基板、タングステン鋼基板、マンガン鋼基板等の金属基板を用いることができる。なお、導電基板７００は、熱伝導率が１０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の材料を用いることが望ましい。より好ましくは、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の材料を用いることが望ましい。

このような熱伝導率の高い導電基板７００を用いることにより、例えば、発光装置７５０を動作させた際のＥＬ層１１２の発熱など、発光装置７５０内で生じる熱を、導電基板７００を介して外部に効率良く放熱できる。これにより、ＥＬ層１１２の劣化（例えば、ＥＬ層１１２中に含まれる有機材料が熱により結晶化する等）を抑制することができるため、発光装置７５０を長寿命化できる。

なお、第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６は、実施の形態１に記載した方法及び材料を用いて適宜形成すればよい。

一例として、導電基板７００としてステンレス基板を用い、プラズマＣＶＤ法を用いてステンレス基板上に酸化珪素を１５０ｎｍ形成し、スパッタリング法を用いて酸化珪素上にアルミニウムとチタンの合金１００ｎｍ及びチタン１０ｎｍを順に形成した後、レジストマスクを用いたドライエッチング法により、チタン、アルミニウムとチタンの合金及び酸化珪素の一部を選択的に除去して第１の開口部１０８を形成し、第１の絶縁層１０４及び第１の電極１０６として用いればよい。

以降の工程については、実施の形態１と同様の方法にて、第２の絶縁層１１０、ＥＬ層１１２、第２の電極１１４を形成することにより、発光装置を作製することができる（図８（Ｂ）参照）。

＜本実施の形態における発光装置の効果＞
本実施の形態に開示するトップエミッション構造の発光装置７５０は、導電基板７００を補助配線として用いており、導電基板７００と第２の電極１１４とが、第２の開口部１１１の一部で接続（電気的接続）された構造である。このため、補助配線として機能する導電基板７００がＥＬ層１１２からの発光を遮ることがない。したがって、発光輝度の低下を抑制できる。

また、導電基板７００と第２の電極１１４との電気的接続部を、発光領域内に複数形成する（例えば、図７（Ａ）のように、非常に小さな電気的接続部を、基板面内に複数形成する。）ことにより、第２の電極１１４全体において抵抗値を低減できる。したがって、電圧降下に起因した輝度ムラの発生を抑制できる。

また、被成膜基板１３０を蒸発源４１０に対して傾けた状態で、被成膜基板１３０に対してＥＬ層１１２を形成することにより、第２の絶縁層１１０がマスクとしての機能を果たし、第２の開口部１１１の一部に、導電層１０２が剥き出しとなる領域を自己整合的に形成できる。そして、ＥＬ層１１２上に第２の電極を形成することで、パターン処理等の複雑な工程を行うことなく導電層と第２の電極を電気的に接続できる。したがって、発光輝度の低下及び輝度ムラの発生が抑制された発光装置を、簡便に作製することができる。

加えて、金属基板等の熱伝導率の高い材料を導電基板７００として用いることにより、発光装置７５０内部の熱を装置外部に放散し易いため、熱的要因による発光装置の劣化を抑制できる。特に、ＥＬ層１１２の劣化（例えば、ＥＬ層１１２中に含まれる有機材料が熱により結晶化する等）を抑制することができるため、発光装置７５０を長寿命化できる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるＥＬ層１１２の一例について、図９を用いて説明する。

図９（Ａ）に示すＥＬ層１１２は、第１の電極１０６と第２の電極１１４の間に設けられている。第１の電極１０６及び第２の電極１１４は、上記実施の形態と同様の構成を適用することができる。

ＥＬ層１１２は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていれば良い。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。図９（Ａ）に示すＥＬ層１１２は、正孔注入層９０１、正孔輸送層９０２、発光層９０３、電子輸送層９０４、電子注入層９０５を有している。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。

図９（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。

まず、正孔注入層９０１を形成する。正孔注入層９０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。

特に、正孔注入層９０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質（電子受容体とも言われる）を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極１０６からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層９０１を形成することにより、第１の電極１０６からＥＬ層１１２への正孔注入が容易となる。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。

また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。

また、アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムはアクセプター性（電子受容性）が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、正孔注入層９０１に用いてもよい。

次に、正孔注入層９０１上に正孔輸送層９０２を形成する。正孔輸送層９０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、正孔輸送層９０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。

また、正孔輸送層９０２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。

次に、正孔輸送層９０２上に発光層９０３を形成する。発光層９０３としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層９０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層９０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

なお、発光層９０３としては、上述した発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。

また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。

ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層９０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

また、発光層９０３として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ−ＤＰＤ）などが挙げられる。

次に、発光層９０３上に電子輸送層９０４を形成する。電子輸送層９０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

次に、電子輸送層９０４上に電子注入層９０５を形成する。電子注入層９０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層９０５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層９０４を構成する物質を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層９０１、正孔輸送層９０２、発光層９０３、電子輸送層９０４、電子注入層９０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

以上の工程により、図９（Ａ）に示すＥＬ層１１２を形成することができる。

なお、ＥＬ層１１２は、図９（Ｂ）に示すように、第１の電極１０６と第２の電極１１４との間に複数積層された構造でもよい。この場合、積層された１層目のＥＬ層９１０及び２層目のＥＬ層９１１との間には、電荷発生層９１３を設けることが好ましい。電荷発生層９１３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層９１３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質を含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層１１２の構造と組み合わせて用いることができる。

また、ＥＬ層１１２は、図９（Ｃ）に示すように、第１の電極１０６と第２の電極１１４との間に、正孔注入層９０１、正孔輸送層９０２、発光層９０３、電子輸送層９０４、電子注入バッファー層９０６、電子リレー層９０７、及び複合材料層９０８を有する構造としてもよい。

複合材料層９０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第２の電極１１４を形成する際に、ＥＬ層１１２が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層９０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。

さらに、電子注入バッファー層９０６を設けることで、複合材料層９０８と電子輸送層９０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層９０８で生じた電子を電子輸送層９０４に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層９０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層９０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層９０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

さらに、電子注入バッファー層９０６と複合材料層９０８との間に、電子リレー層９０７を形成することが好ましい。電子リレー層９０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層９０７を設けることで、電子注入バッファー層９０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。

複合材料層９０８と電子注入バッファー層９０６との間に電子リレー層９０７が挟まれた構造は、複合材料層９０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層９０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。

電子リレー層９０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層９０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層９０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層９０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層９０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層９０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層９０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。

電子リレー層９０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層９０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、ＳｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６，２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）のいずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層９０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層９０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層９０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層９０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層９０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層９０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。さらに、当該含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を用いる構成は電子の受け取りが容易となるため、より好ましい構成である。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が挙げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２ＰＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオロオクチル−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）、メタノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル等）を用いることができる。

なお、電子リレー層９０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層９０７を形成すれば良い。

正孔注入層９０１、正孔輸送層９０２、発光層９０３、及び電子輸送層９０４は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。

なお、本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが出来る。

（実施の形態４）
本明細書に開示する発光装置は、照明機器に適用することができる。一例として、本明細書に開示する発光装置を天井や壁に貼り付けて用いることにより、図１０のように照明機器１０００及び照明機器１００２として用いることができる。

照明機器１０００は、部屋全体を明るく照らす事を目的に、本明細書に記載した発光装置を天井面に貼り付けている。本明細書に記載の発光装置は、補助配線による発光輝度の低下及び電圧降下による輝度ムラの発生が抑制されているため、少ない消費電力で部屋全体を明るく照らすことができる。さらに、実施の形態２に記載の発光装置を用いることにより交換頻度を少なくすることができるため、使用者の負担を低減できる。

照明機器１００２は、部屋の一部を明るく照らすスポットライトとして用いる事を目的に、天井に形成した半球状の穴の内部に、本明細書に記載した発光装置を貼り付けている。本明細書に記載の発光装置１５０（又は７５０）の絶縁基板１００（又は導電基板７００）及び封止基板を、プラスチック基板や金属基板等の可撓性を有する基板を用いて作製する事により、湾曲面等にも貼り付けることが可能となるため、様々な形状及び使用用途の照明機器に用いることができる。

例えば、本明細書に記載した発光装置を湾曲面に貼り付け、卓上型照明機器１００４のように用いることもできる。卓上型照明機器１００４のように、人の目に近い場所で使用する照明は輝度ムラが非常に目に付きやすいが、本明細書に記載の発光装置は輝度ムラを抑制できるため、人の目に近い場所で使用する照明機器にも適しているといえる。

１００ 絶縁基板
１０２ 導電層
１０４ 第１の絶縁層
１０６ 第１の電極
１０８ 第１の開口部
１１０ 第２の絶縁層
１１１ 第２の開口部
１１２ ＥＬ層
１１４ 第２の電極
１３０ 被成膜基板
１５０ 発光装置
４００ 蒸着室
４０２ 角度調整機構
４０４ 基板固定機構
４０６ カバー材
４０８ ステージ
４１０ 蒸発源
４２０ 筒状加熱壁
４３０ 蒸発機構
４４０ 開口部
４５０ 蒸発機構
６０２ 位置調整機構
７００ 導電基板
７５０ 発光装置
９０１ 正孔注入層
９０２ 正孔輸送層
９０３ 発光層
９０４ 電子輸送層
９０５ 電子注入層
９０６ 電子注入バッファー層
９０７ 電子リレー層
９０８ 複合材料層
９１０ １層目のＥＬ層
９１１ ２層目のＥＬ層
９１３ 電荷発生層
１０００ 照明機器
１００２ 照明機器
１００４ 卓上型照明機器

Claims (1)

1. 導電基板上に、前記導電基板が露出された第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の電極と、
   前記第１の開口部の側壁を覆い、前記第１の電極上に端部を有し、且つ前記第１の開口部と重なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁層と、
   前記第１の電極上のＥＬ層と、
   前記第２の開口部において前記導電基板と電気的に接続された、前記ＥＬ層上の第２の電極と、を有し、
   前記ＥＬ層は、前記第２の開口部において前記導電基板と接する領域を有し、
   前記第２の電極は、前記第２の開口部において前記導電基板と接する領域を有することを特徴とする発光装置。

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