JP6200984B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の作製方法に関する。

これまで長い間用いられてきた白熱灯や蛍光灯などの発光装置に代わり、近年、電流を流
すことにより発光する機能性薄膜層（以下、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅ
ｎｃｅ）層と略記する）を電極間に挟んだ素子（以下、ＥＬ素子と略記する）を用いた発
光装置の研究が盛んに行われている。ＥＬ素子を用いた発光装置は、従来の発光装置と比
較して薄型化や軽量化が行いやすいという長所がある。また、これらの長所を生かし、湾
曲を有する面に貼り付けるといったことも可能である。

ＥＬ素子を用いた発光装置としては、例えば、特許文献１のような照明器具が開示されて
いる。

特開２００９−１３０１３２号公報

照明器具は、目的に応じて発光色の異なるものが用いられている。例えば、リビングルー
ムや浴室などのゆったりと落ち着く事を目的とした場所では、「電球色」と言われる３０
００ケルビン前後の色温度を有する発光色の照明器具が一般的に用いられており、また、
食品展示棚などのように、野菜や果物などの色を天然色に近い自然な色合いで見せること
を目的とした場所では、「昼白色」と言われる５０００ケルビン前後の色温度を有する発
光色の照明器具が一般的に用いられている。

ＥＬ素子を用いた発光装置の場合、異なる発光色の発光装置を作製するためには、ＥＬ層
を形成する材料を変更する、ＥＬ層の膜厚を変更するなどの方法により対応することがで
きる。しかしながら、発光色の異なる発光装置を作製する度に条件変更作業を行う必要が
あるため、発光装置を作製する時間が大幅に増えてしまう。

また、条件変更を行わずに連続的に成膜を行おうとした場合、例えば、使用材料や成膜条
件の異なる複数台の装置を用いて作業を行うことにより対応できるが、複数台の装置を用
いるため、初期投資費用やメンテナンス費用などが大幅に増えてしまう。

本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、本発明は、
同一装置及び同一条件で形成されたＥＬ層を用いて、異なる発光色の発光装置を作製でき
る方法を提供することを課題の一とする。

また、付加価値の高い発光装置を提供することを課題の一とする。

以上、本発明では上記課題の少なくとも一つを解決することを課題とする。

上述の問題を解決するために、本発明は、ＥＬ層を形成する面に対して予め透明導電層を
形成した基板と、該基板とは別に、該基板とは透明導電層の厚さが異なる基板を準備し、
これらの基板に対して同一装置及び同一条件でＥＬ層を形成する。これにより、同一装置
及び同一条件でＥＬ層を形成した場合においても、各基板の光路長を異なる長さにするこ
とができる。

上述の方法を用いて作製された発光装置は、光路長が異なるためＥＬ層から射出される光
は発光装置内で光共振が生じ、光路長に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合う
こととなる。

このため、同一装置及び同一条件で形成されたＥＬ層を用いた場合においても、異なる発
光色の発光装置を作製することができる。

すなわち、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の透明導電層が形成された第１のベース
基板と、絶縁表面上に第１の透明導電層と異なる厚さの第２の透明導電層が形成された第
２のベース基板を準備する工程と、第１の透明導電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と
、第２の透明導電層上に第１のＥＬ層と同一装置及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成す
る工程と、第１のＥＬ層上に第１の導電層を形成する工程と、第２のＥＬ層上に第２の導
電層を形成する工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、第１の透明導電層と第２の透明導電層の厚さが異なるため
、同一装置及び同一条件を用いてＥＬ層を形成しても、各々の発光装置の光路長を異なる
ものにできるため、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を用いて、発光色の
異なる発光装置を作製することができる。

加えて、ある発光色の発光装置を作製する製造ラインにおいて、異なる発光色の発光装置
が少量だけ必要な場合などにおいても、両者を同じ製造ラインで作製（所謂、混流生産）
することができるため、生産量が少量の品種であっても安価に作製することができる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の反射層及び第１の透明導電層が順に形成さ
れた第１のベース基板と、絶縁表面上に第２の反射層及び第１の透明導電層と異なる厚さ
の第２の透明導電層が順に形成された第２のベース基板を準備する工程と、第１の透明導
電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と、第２の透明導電層上に第１のＥＬ層と同一装置
及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成する工程と、第１のＥＬ層上に透光性を有する第１
の導電層を形成する工程と、第２のＥＬ層上に透光性を有する第２の導電層を形成する工
程を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、第１の透明導電層と第２の透明導電層の厚さが異なるため
、同一装置及び同一条件を用いてＥＬ層を形成しても、各々の発光装置の光路長を異なる
ものにできるため、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を用いて、発光色の
異なる発光装置を作製することができる。

加えて、ある発光色の発光装置を作製する製造ラインにおいて、異なる発光色の発光装置
が少量だけ必要な場合などにおいても、両者を同じ製造ラインで作製（所謂、混流生産）
することができるため、生産量が少量の品種であっても安価に作製することができる。

本発明の一態様を用いて作製することにより、ＥＬ層を形成した基板と逆方向に光を射出
する、所謂、上方射出（トップエミッションとも言われる）型の発光装置を作製できるた
め、金属基板等の熱伝導率が高い基板上にＥＬ層を形成することで、発光装置自身の発熱
によるＥＬ層の劣化を抑制できる。

なお、第１の導電層および第２の導電層として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領
域において３０％以上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する層を形成することに
より、第１のＥＬ層からの発光の一部は、第１の反射層と第１の導電層の間で多重反射さ
れ、第２のＥＬ層からの発光の一部は、第２の反射層と第２の導電層の間で多重反射され
るため、光路長に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、発光色をより大
きく変化させることができる。これにより、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥ
Ｌ層を用いて、発光色の大きく異なる発光装置を簡便に作製することができる。

更に、第２の導電層を第１の導電層と同一装置及び同一条件にて形成することにより、第
１のＥＬ層形成工程及び第１の導電層形成工程と、第２のＥＬ層形成工程及び第２の導電
層形成工程を、同一装置及び同一条件にて行うことができるため、同一装置及び同一条件
を用いて形成されたＥＬ層を用いて、発光色の異なる発光装置をより簡便に作製すること
ができる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面を有する透光性の基板上に第１の透明導電層が形成さ
れた第１のベース基板と、絶縁表面を有する透光性の基板上に、第１の透明導電層と異な
る厚さの第２の透明導電層が形成された第２のベース基板を準備する工程と、第１の透明
導電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と、第２の透明導電層上に第１のＥＬ層と同一装
置及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成する工程と、第１のＥＬ層上に導電性を有する第
１の反射層を形成する工程と、第２のＥＬ層上に導電性を有する第２の反射層を形成する
工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、第１の透明導電層と第２の透明導電層の厚さが異なるため
、同一装置及び同一条件を用いてＥＬ層を形成しても、各々の発光装置の光路長を異なる
ものにできるため、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を用いて、発光色の
異なる発光装置を作製することができる。

加えて、ある発光色の発光装置を作製する製造ラインにおいて、異なる発光色の発光装置
が少量だけ必要な場合などにおいても、両者を同じ製造ラインで作製（所謂、混流生産）
することができるため、生産量が少量の品種であっても安価に作製することができる。

本発明の一態様を用いて作製することにより、ＥＬ層を形成した基板方向に光を射出する
、所謂、下方射出（ボトムエミッションとも言われる）型の発光装置を作製できるため、
反射層上に吸湿剤を設ける、透湿性の低い基板（例えば、各種金属基板など）でＥＬ層を
封止するといった処理が可能となり、発光状態の劣化を抑制できる。

なお、上記本発明の一態様を用いて作製された上方射出（トップエミッションとも言われ
る）型の発光装置において、第１の導電層および第２の導電層の一方の層または両方の層
として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率及び５
０％以上の光透過率を有する層を形成することにより、第１のＥＬ層からの発光の一部が
第１の反射層と第１の導電層の間で多重反射される、または第２のＥＬ層からの発光の一
部が第２の反射層と第２の導電層の間で多重反射される、という現象の一方または両方が
生じる。これにより、光路長に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、発
光色をより大きく変化させることができる。したがって、同一装置及び同一条件を用いて
形成されたＥＬ層を用いて、発光色の大きく異なる発光装置を簡便に作製することができ
る。

更に、第２の反射層を第１の反射層と同一装置及び同一条件にて形成することにより、第
１のＥＬ層形成工程及び第１の反射層形成工程と、第２のＥＬ層形成工程及び第２の反射
層形成工程を、同一装置及び同一条件にて行うことができるため、同一装置及び同一条件
を用いて形成されたＥＬ層を用いて、発光色の異なる発光装置をより簡便に作製すること
ができる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面上に第１の反射層及び部分的に厚さを変えて形成した
第１の透明導電層が順に形成された第１のベース基板と、絶縁表面上に第２の反射層及び
部分的に厚さを変えて形成した第２の透明導電層が順に形成された第２のベース基板を準
備する工程と、第１の透明導電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と、第２の透明導電層
上に第１のＥＬ層と同一装置及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成する工程と、第１のＥ
Ｌ層上に透光性を有する第１の導電層を形成する工程と、第２のＥＬ層上に透光性を有す
る第２の導電層を形成する工程を有することを特徴とする、発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、部分的に厚さを変えて形成した第１の透明導電層及び第２
の透明導電層により、第１のベース基板、第１の透明導電層、第１のＥＬ層および第１の
反射層を有する発光装置と、第２のベース基板、第２の透明導電層、第２のＥＬ層および
第２の反射層を有する発光装置は、それぞれ同一面内において光路長の異なる領域を複数
形成できるため、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を用いても、発光色が
部分的に異なる。したがって、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を用いて
、発光色の異なる発光装置を簡便に作製することができる。

なお、上記本発明の一態様を用いて作製された上方射出（トップエミッションとも言われ
る）型の発光装置において、第１の導電層および第２の導電層の一方の層または両方の層
として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率及び５
０％以上の光透過率を有する層を形成することにより、第１のＥＬ層からの発光の一部が
第１の反射層と第１の導電層の間で多重反射される、または第２のＥＬ層からの発光の一
部が第２の反射層と第２の導電層の間で多重反射される、という現象の一方または両方が
生じる。これにより、光路長に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、発
光色をより大きく変化させることができる。これにより、基板全面に同じＥＬ層を形成し
ても、発光色の大きく異なる発光装置を簡便に作製することができる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面を有する第１の透光性の基板上に、部分的に厚さを変
えて形成した第１の透明導電層が形成された第１のベース基板と、絶縁表面を有する第２
の透光性の基板上に、部分的に厚さを変えて形成した第２の透明導電層が形成された第２
のベース基板を準備する工程と、第１の透明導電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と、
第２の透明導電層上に第１のＥＬ層と同一装置及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成する
工程と、第１のＥＬ層上に導電性を有する第１の反射層を形成する工程と、第２のＥＬ層
上に導電性を有する第２の反射層を形成する工程を有することを特徴とする、発光装置の
作製方法である。

上記本発明の一態様によれば、第１の透明導電層及び第２の透明導電層の厚さを部分的に
変えて形成することにより、第１のベース基板、第１の透明導電層、第１のＥＬ層および
第１の反射層を有する発光装置と、第２のベース基板、第２の透明導電層、第２のＥＬ層
および第２の反射層を有する発光装置は、それぞれ同一面内において光路長の異なる領域
を複数形成できるため、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を用いても、発
光色が部分的に異なる。したがって、同一装置及び同一条件を用いて形成されたＥＬ層を
用いて、発光色の異なる発光装置を簡便に作製することができる。

更に、本発明の一態様を用いて作製することにより、ＥＬ層を形成した基板方向に光を射
出する、所謂、下方射出（ボトムエミッションとも言われる）型の発光装置を作製できる
ため、反射層上に吸湿剤を設ける、透湿性の低い基板（例えば、各種金属基板など）でＥ
Ｌ層を封止するといった処理が可能となり、発光状態の劣化を抑制できる。

なお、上記本発明の一態様を用いて作製された下方射出（ボトムエミッションとも言われ
る）型の発光装置において、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以
上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する層を、第１の透光性の基板と第１の透明
導電層の間、または第２の透光性の基板と第２の透明導電層の間、または第１の透光性の
基板と第１の透明導電層の間と第２の透光性の基板と第２の透明導電層の間に共通に形成
することにより、第１のＥＬ層からの発光の一部が第１の透明導電層と第１の反射層の間
で多重反射される、または第２のＥＬ層からの発光の一部が第２の透明導電層と第２の反
射層の間で多重反射される、という現象の一方または両方が生じる。これにより、光路長
に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、発光色をより大きく変化させる
ことができる。これにより、基板全面に同じＥＬ層を形成しても、発光色の大きく異なる
発光装置を簡便に作製することができる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面を有する基板上に、反射層と、反射層上の透明導電層
と、透明導電層上のＥＬ層と、ＥＬ層上の導電層を有する構造であり、透明導電層は部分
的に厚さが異なる領域を有する。言い換えると透明導電層は固有の厚さを有する複数の領
域を表面に有し、一つの領域の厚さは他の領域の厚さと異なる。ＥＬ層は全面が同一の組
成であることを特徴とする発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、光路長が異なる領域を備えているため、当該発光装置
から外部に射出される光は部分的に異なる色となる。これにより、例えば、外部に射出さ
れる光がモザイク状の発光装置、光路長の異なる領域を文字状とし、文字部分の発光色が
異なる発光装置など、発光装置を付加価値の高いものとすることができる。

なお、上記本発明の一態様の上方射出（トップエミッションとも言われる）型の発光装置
において、導電層として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上
の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する層を用いることにより、ＥＬ層からの発光
の一部は、反射層と導電層の間で多重反射され、光路長に応じて特定の波長の光が強め合
う、又は弱め合うため、発光色の変化をより大きなものとできる。これにより、部分的に
発光色の大きく異なる、付加価値の高い発光装置とすることができる。

また、本発明の一態様は、絶縁表面を有する透光性の基板上に、透明導電層と、透明導電
層上に形成されたＥＬ層と、ＥＬ層上に形成された反射層を有する構造であり、透明導電
層は部分的に厚さが異なる領域を有し、ＥＬ層は全面が同じ層でなることを特徴とする発
光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、光路長が異なる領域を備えているため、当該発光装置
から外部に射出される光は部分的に異なる色となる。これにより、例えば、外部に射出さ
れる光をモザイク状にできるなど、付加価値の高い発光装置となる。

また、本発明の一態様の発光装置は、ＥＬ層を形成した基板方向に光を射出する、所謂、
下方射出（ボトムエミッションとも言われる）型の発光装置であるため、反射層上に吸湿
剤を設ける、透湿性の低い基板（例えば、各種金属基板など）でＥＬ層を封止するといっ
た処理が可能である。したがって、ＥＬ層の劣化が抑制された発光装置とすることができ
る。

なお、上記本発明の一態様の下方射出（ボトムエミッションとも言われる）型の発光装置
において、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率及び
５０％以上の光透過率を有する層を透光性の基板と透明導電層の間に備えることにより、
ＥＬ層からの発光の一部は、透明導電層と反射層の間で多重反射され、光路長に応じて特
定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、発光色の変化をより大きなものとできる。
これにより、部分的に発光色の大きく異なる、付加価値の高い発光装置とすることができ
る。

また、本発明の一態様は、透明導電層が連続的に厚さの変化する領域を備えることを特徴
とする発光装置である。

上記本発明の一態様によれば、発光装置は光路長が連続的に変化する領域を備えているた
め、当該発光装置から外部に射出される光は連続的に変化する色となる。これにより、例
えば、外部に射出される光をグラデーション状にできるなど、付加価値の高い発光装置と
なる。

なお、本明細書等において、「Ａの上にＢが形成されている」、あるいは、「Ａ上にＢが
形成されている」、と明示的に記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されている
ことに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、ＡとＢとの間に別の対象物が介
在する場合も含むものとする。

したがって、例えば、層Ａの上又は層Ａ上に層Ｂが形成されていると明示的に記載されて
いる場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して
別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよ
いし、複層でもよい。

また、本明細書等において、「Ａ、Ｂを順に形成」と明示的に記載する場合は、Ａを形成
した直後にＢを形成することに限定されない。Ａ形成後からＢ形成までの間に別の対象物
を形成する場合も含むものとする。

したがって、例えば、層Ａ、層Ｂを順に形成すると明示的に記載されている場合は、層Ａ
を形成後すぐに層Ｂが形成される場合と、層Ａを形成後に別の層（例えば層Ｃ）を形成し
た後に層Ｂが形成される場合の両方を含むものとする。

また、本明細書等において「第１」、「第２」、「第３」等の数詞の付く用語は、要素を
区別するために便宜的に用いているものであり、数的に限定するものではなく、また配置
及び段階の順序を限定するものでもない。なお、本明細書では２枚の基板に対して膜、層
、材料及び基板などを形成していく工程を説明するため、同じ膜、層、材料及び基板でも
異なる数詞を用いている場合がある。

本発明によれば、同一装置及び同一条件で形成されたＥＬ層を用いて、発光色の異なる発
光装置を作製できる方法を提供できる。

また、付加価値の高い発光装置を提供できる。

実施の形態１に記載の発光装置の構成を説明する図 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法を説明する図 実施の形態１に記載の発光装置の構成を説明する図 実施の形態２に記載の発光装置の構成を説明する図 実施の形態２に記載の発光装置の作製方法を説明する図 実施の形態２に記載の発光装置の作製方法を説明する図 実施の形態２に記載の発光装置の構成を説明する図 実施の形態２に記載の発光装置の作製方法を説明する図 ＥＬ層を説明する図 本発明に係る発光装置を用いた照明装置及び電子機器を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る発光装置及び発光装置の作製方法につい
て、図１乃至図４を用いて説明する。

＜本実施の形態における発光装置の構成＞
図１は、本実施の形態の方法にて作製された発光装置の構成例であり、図１（Ａ）は作製
された２つの発光装置の一方である第１の発光装置１４０の上面図である。なお、上面か
ら見る限りでは第１の発光装置１４０と第２の発光装置１５０は同じ形態であるため、第
２の発光装置１５０の上面図についても図１（Ａ）を用いるものとし、括弧内に記載され
た符号が第２の発光装置１５０に用いられる各構成要素を表している。また、図１（Ａ）
の上面図については、構造を分かり易くするため、パターン形成が行われている膜及び層
のみを記載するとともに、最上面に形成される基板は記載しないものとする。

図１（Ｂ）は第１の発光装置１４０における、図１（Ａ）の一点鎖線部Ａ１−Ａ２部及び
Ｂ１−Ｂ２部の断面概略図であり、図１（Ｃ）は第２の発光装置１５０における、図１（
Ａ）の一点鎖線部Ａ１−Ａ２部及びＢ１−Ｂ２部の断面概略図である。

図１（Ｂ）に示す第１の発光装置１４０は、第１の基板１００と、第１の基板１００上に
形成された第１の下地層１０２と、第１の下地層１０２上に形成された第１の反射層１０
４と、第１の反射層１０４上に形成された第１の透明導電層１０６と、第１の透明導電層
１０６上に形成された第１の絶縁層１０８と、第１の透明導電層１０６上及び第１の絶縁
層１０８上に形成された第１のＥＬ層１１０と、第１のＥＬ層を覆い一部が第１の封止材
１１４の外側に形成された第１の導電層１１２と、第１の基板１００上に第１のＥＬ層１
１０を囲む状態に形成された第１の封止材１１４と、第１の封止材１１４により第１の基
板１００と貼り合わされた第２の基板１１６により形成されており、第１のＥＬ層１１０
からの発光は、第２の基板１１６側（図中、白矢印方向）に取り出される。また、第１の
透明導電層１０６の一部及び第１の導電層１１２の一部は、第１の封止材１１４より外側
に引き回されており、第１の透明導電層１０６及び第１の導電層１１２に外部電源（図示
していない）を接続して、第１のＥＬ層１１０にキャリアを供給することにより第１のＥ
Ｌ層１１０を発光させることができる。なお、第１の反射層１０４の抵抗値が第１の透明
導電層１０６と同等又はそれ以下である場合、第１の反射層１０４を第１の封止材１１４
の外側に引き回し、第１の反射層１０４及び第１の導電層１１２に外部電源を接続しても
よい。勿論、図１（Ｂ）に示すように、第１の反射層１０４および第１の透明導電層１０
６を第１の封止材１１４の外側に引き回してもよい。

図１（Ｃ）に示す第２の発光装置１５０は、第３の基板１２０と、第３の基板１２０上に
形成された第２の下地層１２２と、第２の下地層１２２上に形成された第２の反射層１２
４と、第２の反射層１２４上に形成された第２の透明導電層１２６と、第２の透明導電層
１２６上に形成された第２の絶縁層１２８と、第２の透明導電層１２６上及び第２の絶縁
層１２８上に形成された第２のＥＬ層１３０と、第２のＥＬ層を覆い一部が第２の封止材
１３４の外側に形成された第２の導電層１３２と、第３の基板１２０上に第２のＥＬ層１
３０を囲む状態に形成された第２の封止材１３４と、第２の封止材１３４により第３の基
板１２０と貼り合わされた第４の基板１３６により形成されており、第２のＥＬ層１３０
からの発光は、第４の基板１３６側（図中、白矢印方向）に取り出される。また、第２の
透明導電層１２６の一部及び第２の導電層１３２の一部は、第２の封止材１３４より外側
に引き回されており、第２の透明導電層１２６及び第２の導電層１３２に外部電源（図示
していない）を接続して、第２のＥＬ層１３０にキャリアを供給することにより第２のＥ
Ｌ層１３０を発光させることができる。なお、第２の反射層１２４の抵抗値が第２の透明
導電層１２６と同等又はそれ以下である場合、第２の反射層１２４を第２の封止材１３４
の外側に引き回し、第２の反射層１２４及び第２の導電層１３２に外部電源を接続しても
よい。勿論、図１（Ｃ）に示すように、第２の反射層１２４および第２の透明導電層１２
６を第１の封止材１３４の外側に引き回してもよい。

なお、第１のＥＬ層１１０は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれてい
れば良い。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、
電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（
電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成す
ることができる。第１のＥＬ層１１０については、実施の形態３にて構成例を詳細に説明
する。また、第２のＥＬ層１３０は第１のＥＬ層１１０と同一装置及び同一条件で形成さ
れた同一の層であるため、詳細は実施の形態３を参照とする。

図１（Ｂ）に示す第１の発光装置１４０に形成された第１のＥＬ層１１０と、図１（Ｃ）
に示す第２の発光装置１５０に形成された第２のＥＬ層１３０は、前述のように同一装置
及び同一条件を用いて形成されているため、第１のＥＬ層１１０で生じる光と第２のＥＬ
層１３０で生じる光は同じ色となる。

そこで、本実施の形態では、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０を形成する前に
、第１の基板１００上に第１の透明導電層１０６を、第３の基板１２０上に第１の透明導
電層１０６と異なる厚さの第２の透明導電層１２６を予め形成した。これにより、第１の
ＥＬ層１１０と第２のＥＬ層１３０を同一装置及び同一条件で形成した場合においても、
第１の反射層１０４と第１の導電層１１２間の第１の光路長１４２と、第２の反射層１２
４と第２の導電層１３２間の第２の光路長１５２が異なる。

第１の発光装置１４０では、第１のＥＬ層１１０からの光は全方向に対して射出されるた
め、例えば、第１のＥＬ層１１０から第１の導電層１１２側に射出される光１４４と、第
１のＥＬ層１１０から第１の反射層１０４側に射出されて反射した光１４６が干渉して、
第１の光路長１４２に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、第１の発光
装置１４０から外部に取り出される光は、第１のＥＬ層１１０での発光色とは異なるもの
となる。なお、第１の反射層１０４側に射出されて反射した光１４６は、図１（Ｂ）では
Ｕ字型に表記され、第１の反射層１０４と第１の透明導電層１０６の界面付近において、
界面方向に沿って進んでいるように見えるが、これは図面を見やすくしたためであるため
、実際に界面方向に沿って進んでいるわけではない。

第２の発光装置１５０においても上記と同様に、外部に取り出される光は第２のＥＬ層１
３０での発光色とは異なるものとなるが、第２の光路長１５２と第１の光路長１４２は距
離が異なるため、第２の発光装置１５０から外部に取り出される光の色は、第１の発光装
置１４０から外部に取り出される光の色とは異なるものとなる。

したがって、第１のＥＬ層１１０と第２のＥＬ層１３０を同一装置及び同一条件で形成し
ても、発光色の異なる第１の発光装置１４０と第２の発光装置１５０を作製することがで
きる。

なお、第１の導電層１１２及び第２の導電層１３２として、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以
下の波長領域において３０％以上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する、半透過
性の層を形成することにより、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０からの発光を
多重反射させて共振させる、所謂微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を有
する。これにより、第１の発光装置１４０と第２の発光装置１５０の発光色の違いは、よ
り顕著なものとなる。

＜本実施の形態における発光装置の作製方法＞
本実施の形態の発光装置の作製方法について、図２乃至図３を用いて以下の文章にて説明
する。

なお、図２及び図３において、図面の二点鎖線部左側は第１の発光装置１４０の形成方法
であり、右側は第２の発光装置１５０の形成方法である。

まず、第１の基板１００と第３の基板１２０を準備し、第１の基板１００上に第１の下地
層１０２を、第３の基板１２０上に第２の下地層１２２を形成する（図２（Ａ）参照）。

第１の基板１００及び第３の基板１２０は、絶縁表面を有する基板であればよく、例えば
、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等
の無アルカリガラス基板を用いればよい。これらのガラス基板は大面積化に適しており、
Ｇ１０サイズ（２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）やＧ１１サイズ（３０００ｍｍ×３３２０
ｍｍ）なども作製されているため、本発明の一態様に係る発光装置を低コストで大量生産
することができる。他にも、石英基板、サファイア基板等の絶縁体でなる絶縁性基板、シ
リコン等の半導体材料でなる半導体基板の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることも
できる。

なお、本実施の形態では、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０からの発光が、第
１の基板１００及び第３の基板１２０とは逆方向に射出される場合、第１の基板１００及
び第３の基板１２０として、金属やステンレス等の導電体でなる導電性基板の表面を絶縁
層で被覆したものや、導電性薄膜の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることができる
。これらの基板は、ガラス基板などと比較して熱伝導率が高いため、第１のＥＬ層１１０
及び第２のＥＬ層１３０での発熱を外部に放散し易いという特徴を有している。このため
、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０の熱による劣化を抑制することができる。

また、第１の基板１００及び第３の基板１２０として、エチレンビニルアセテート（ＥＶ
Ａ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ
）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ）、
ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ＡＢＳ樹脂などの各種プラ
スチック基板を用いることもできる。なお、各種プラスチック基板を第１の基板１００及
び第３の基板１２０として用いる場合は、表面に酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、窒化
酸化珪素、酸化アルミニウムなどの水蒸気透過性の低い膜を単層又は積層にて形成すると
よい。これにより、各種プラスチック基板には高い水蒸気バリア性が付与されるため、第
１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０の劣化を抑制できる。

上述のプラスチック基板を第１の基板１００及び第３の基板１２０として用いることによ
り、第１の発光装置１４０及び第２の発光装置１５０を薄型化、軽量化でき、さらに可撓
性を持たせることができるため、発光装置の付加価値を高めることができる。

なお、第１の基板１００と第３の基板１２０の材質や厚さは、同じであってもよいし異な
っていてもよい。厚さについては特に限定は無いが、発光装置の薄型化、軽量化の観点か
ら考えると３ｍｍ以下が望ましく、より好ましくは１ｍｍ以下が望ましい。

一例として、厚さが０．３ｍｍのステンレス基板を、第１の基板１００及び第３の基板１
２０として用いればよい。

第１の下地層１０２、第２の下地層１２２はそれぞれ、第１の基板１００、第３の基板１
２０からの不純物拡散を防止するものであり、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法、ＰＶＤ
法及びスパッタリング法などの公知の方法を用いて、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（
ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、酸化アルミニウム（
ＡｌＯ_２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒化酸
化アルミニウム（ＡｌＮＯ）などを形成すればよい。なお、第１の下地層１０２及び第２
の下地層１２２は、単層構造、積層構造のどちらであってもよく、積層構造とする場合は
、前述の膜を組み合わせて形成すればよい。

なお、上述にて「酸化窒化」及び「窒化酸化」という言葉を用いているが、これは形成し
た層に含まれる酸素含有量と窒素含有量のどちらが多いかを表すものであり、「酸化窒化
」では、その組成において窒素よりも酸素の含有量が多いことを示す。

なお、第１の下地層１０２と第２の下地層１２２の材質や厚さは、同じであってもよいし
異なっていてもよい。厚さについては特に限定は無いが、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。１０ｎｍより薄い膜厚では、成膜装置に起因した基板面内
の膜厚分布により、第１の下地層１０２や第２の下地層１２２が形成されない領域が発生
する可能性がある。また、５００ｎｍより厚い膜厚は、成膜時間や生産コストの増加に繋
がる懸念がある。

また、第１の下地層１０２と第２の下地層１２２は、同一装置を用いて形成してもよいし
別々の装置を用いて形成してもよいが、形成時間や費用を抑制できるという観点から、同
一装置及び同一条件を用いて形成することが望ましい。この場合、複数枚の基板に対して
下地層を同時に形成することが、より望ましい。

一例として、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１の基板１００及び第３の基板１２０上に１
００ｎｍの酸化珪素を同時に成膜して、第１の下地層１０２及び第２の下地層１２２とし
て用いればよい。

なお、第１の基板１００の表面に既に第１の下地層１０２の持つ不純物拡散防止効果を有
する層が形成されている場合は、第１の下地層１０２を設けない構造としても良い。また
、第３の基板１２０の表面に形成された第２の下地層１２２についても同様である。

次に、第１の下地層１０２上に第１の反射層１０４を、第２の下地層１２２上に第２の反
射層１２４を形成する（図２（Ｂ）参照）。

第１の反射層１０４と第２の反射層１２４はそれぞれ、後の工程にて形成する第１のＥＬ
層１１０からの発光、第２のＥＬ層１３０からの発光を反射するための層であり、真空蒸
着法などの各種蒸着法や、スパッタリング法などの公知の方法を用いて、反射率の高い金
属層を形成した後に、当該層をフォトレジストマスクを用いたドライエッチング法やウェ
ットエッチング法などの公知の方法を用いて選択的に除去することにより形成することが
できる。反射率の高い金属膜としては、アルミニウム、銀、または、これらの金属材料を
含む合金等を、単層または積層して形成することができる。また、反射率の高い金属膜と
他の薄い金属膜（好ましくは２０ｎｍ以下、更に好ましくは１０ｎｍ以下）との積層構造
としてもよい。例えば、薄いチタン膜を形成することにより、後に形成される第１のＥＬ
層１１０や第２のＥＬ層１３０と反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含
む合金、または銀など）との間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好
適である。なお、薄い金属膜は酸化されていてもよいが、この場合、酸化されても絶縁化
しにくい材料、例えばチタンやモリブデンを用いるのが好ましい。

なお、第１の反射層１０４と第２の反射層１２４の材質や厚さは、同じであってもよいし
異なっていてもよい。厚さについては特に限定は無いが、例えば、１０ｎｍ以上３００ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。１０ｎｍより薄い膜厚では、成膜装置に起因した基板面内
の膜厚分布により、第１の反射層１０４や第２の反射層１２４が形成されない領域が発生
する可能性があると共に、所望の反射効果が得られない可能性がある。また、３００ｎｍ
より厚い膜厚は、成膜時間や生産コストの増加に繋がる懸念がある。

なお、第１の反射層１０４と第２の反射層１２４は、同一装置を用いて形成してもよいし
別々の装置を用いて形成してもよいが、形成時間や費用を抑制できるという観点から、同
一装置及び同一条件を用いて形成することが望ましい。この場合、複数枚の基板に対して
反射層を同時に形成することが、より望ましい。

一例として、スパッタリング法を用いて、第１の下地層１０２及び第２の下地層１２２上
に、アルミニウムとチタンの合金１００ｎｍ及びチタン１０ｎｍを順に成膜した後に適宜
パターン形成処理を行い、第１の反射層１０４及び第２の反射層１２４として用いればよ
い。

次に、第１の反射層１０４上に第１の透明導電層１０６を、第２の反射層１２４上に第２
の透明導電層１２６を形成する（図２（Ｃ）参照）。

第１の透明導電層１０６と第２の透明導電層１２６はそれぞれ、第１の発光装置１４０と
第２の発光装置１５０の光路長を調整するための層である。また、第１の透明導電層１０
６と前述の第１の反射層１０４の少なくとも一方は、後の工程にて形成される第１のＥＬ
層１１０を挟む電極の一方として機能する。また、第２の透明導電層１２６と前述の第２
の反射層１２４の少なくとも一方は、後の工程にて形成される第２のＥＬ層１３０を挟む
電極の一方として機能する。

第１の透明導電層１０６と第２の透明導電層１２６は、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法
、ＰＶＤ法及びスパッタリング法などの公知の方法を用いて、導電性の金属酸化物層を形
成した後に、当該層をフォトレジストマスクを用いたドライエッチング法やウェットエッ
チング法などの公知の方法を用いて選択的に除去することにより形成することができる。
導電性の金属酸化物としては、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（ＳｎＯ
_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化錫（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２、ＩＴＯと略
記する）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化タングステン及び酸化
亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）、またはこれらの金属酸化物材料に珪素若し
くは酸化珪素を含ませたものを用いることができる。なお、酸化タングステン及び酸化亜
鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）の膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステ
ンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッ
タリング法により形成することができる。なお、第１の透明導電層１０６及び第２の透明
導電層１２６は、単層構造、積層構造のどちらであってもよく、積層構造とする場合は、
前述の膜を組み合わせて形成すればよい。

なお、第１の透明導電層１０６と第２の透明導電層１２６の材質は、同じであってもよい
し異なっていてもよい。厚さについては、本実施の形態では前述の通り第１の光路長１４
２と第２の光路長１５２の違いを用いて発光色を異なるものとするため、第１の透明導電
層１０６と第２の透明導電層１２６の厚さを異なるものとする必要がある。なお、各々の
透明導電層の厚さについては特に限定は無いが、例えば、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下と
することが望ましい。１０ｎｍより薄い膜厚では、成膜装置に起因した基板面内の膜厚分
布により、第１の透明導電層１０６や第２の透明導電層１２６が形成されない領域が発生
する可能性がある。また、３００ｎｍより厚い場合は、成膜時間や生産コストの増加、ま
た光吸収が増加することによる消費電力の増加などの懸念がある。

なお、第１の透明導電層１０６と第２の透明導電層１２６は、同一装置を用いて形成して
もよいし別々の装置を用いて形成してもよいが、形成時間や費用を抑制できるという観点
から、同一装置及び同一条件を用いて形成することが望ましい。この場合、同じ厚さの透
明導電層を形成する基板を複数枚同時に成膜してもよいし、異なる厚さの透明導電層を形
成する基板を複数枚同時に装置に投入し、成膜途中に一部の基板を取り出すなどにより、
厚さを作り分けてもよい。

一例として、スパッタリング法を用いて、第１の反射層１０４上に、酸化珪素が添加され
た酸化インジウム酸化錫を５０ｎｍの厚さで成膜して適宜パターン形成処理を行った後に
、同一装置を用いて、第２の反射層１２４上に酸化珪素が添加された酸化インジウム酸化
錫を１５０ｎｍの厚さで成膜して適宜パターン形成処理を行い、第１の透明導電層１０６
及び第２の透明導電層１２６として用いればよい。

以上の工程により、第１の基板１００上に第１の下地層１０２、第１の反射層１０４及び
第１の透明導電層１０６が順に形成された第１のベース基板１４８と、第３の基板１２０
上に第２の下地層１２２、第２の反射層１２４及び第２の透明導電層１２６が順に形成さ
れた第２のベース基板１４９が準備される（図２（Ｃ）参照。）。

なお、本実施の形態では第１の反射層１０４と第１の透明導電層１０６を別々に形成した
が、第１の反射層１０４として機能する層と第１の透明導電層１０６として機能する層を
一括して成膜した後に、当該層をフォトレジストマスクを用いたドライエッチング法やウ
ェットエッチング法などの公知の方法を用いて選択的に除去することにより、第１の反射
層１０４と第１の透明導電層１０６を形成してもよい。これにより、マスク形成工程やエ
ッチング工程を減らすことができるため、作製時間やコストを抑制することができる。ま
た、第１の反射層１０４と第１の透明導電層１０６のパターン形成ずれを無くすことがで
きる。なお、第２の反射層１２４と第２の透明導電層１２６についても、同様に処理を行
ってもよい。

次に、第１の下地層１０２及び第１の透明導電層１０６上に第１の絶縁層１０８を、第２
の下地層１２２及び第２の透明導電層１２６上に第２の絶縁層１２８を形成する（図２（
Ｄ）参照）。

第１の絶縁層１０８は、後の工程で形成する第１の導電層１１２が第１の反射層１０４や
第１の透明導電層１０６と接触することを防止するための層であり、第２の絶縁層１２８
は、後の工程で形成する第２の導電層１３２が第２の反射層１２４や第２の透明導電層１
２６と接触することを防止するための層である。第１の絶縁層１０８および第２の絶縁層
１２８は、スピンコート法、印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの公知の
方法により塗布した後、適宜硬化処理（例えば、加熱処理や光照射処理など）を行い形成
することができる。なお、スピンコート法で形成する場合は、適宜パターン形成処理（例
えば、光硬化型の樹脂を全面に塗布して必要な部分に光照射を行った後に、不要部分の樹
脂を除去する等）を行うことが望ましい。第１の絶縁層１０８及び第２の絶縁層１２８と
しては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂を用いることができる。

なお、第１の絶縁層１０８と第２の絶縁層１２８の材質や厚さは、同じであってもよいし
異なっていてもよい。厚さについては特に限定は無いが、第１の絶縁層１０８及び第２の
絶縁層１２８の端部角度を６０°以下、より好ましくは４０°以下とすることが望ましい
。第１の絶縁層１０８、第２の絶縁層１２８上にはそれぞれ、後の工程で第１のＥＬ層１
１０、第２のＥＬ層１３０を形成するため、角度を低くすることにより、第１のＥＬ層１
１０及び第２のＥＬ層１３０の段切れを抑制できる。

なお、第１の絶縁層１０８と第２の絶縁層１２８は、同一装置を用いて形成してもよいし
別々の装置を用いて形成してもよいが、形成時間や費用を抑制できるという観点から、同
一装置及び同一条件を用いて形成することが望ましい。

一例として、スピンコート法を用いて、第１の基板１００及び第３の基板１２０上にポリ
イミド樹脂を塗布した後に、ポリイミド樹脂の特性に応じて適宜パターン形成処理、硬化
を行い、第１の絶縁層１０８及び第２の絶縁層１２８として用いればよい。

なお、本実施の形態では第１の絶縁層１０８及び第２の絶縁層１２８が形成されているが
、必ずしもこれらが必要なわけではない。例えば、後の工程にて形成する第１のＥＬ層１
１０により、第１の反射層１０４や第１の透明導電層１０６と、後の工程で形成する第１
の導電層１１２の絶縁状態が保たれるなら、第１の絶縁層１０８を形成しなくてもよい。
また、第２の絶縁層についても同様に、第２のＥＬ層１３０により、第２の反射層１２４
や第２の透明導電層１２６と、第２の導電層１３２の絶縁状態が保たれているなら、第２
の絶縁層１２８を形成しなくてもよい。

次に、第１の透明導電層１０６及び第１の絶縁層１０８上に第１のＥＬ層１１０を、第２
の透明導電層１２６及び第２の絶縁層１２８上に第２のＥＬ層１３０を形成する（図３（
Ａ）参照）。

第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０は電流を加えることにより発光する層であり
、蒸着法などの公知の方法により形成することができる。なお、第１のＥＬ層１１０及び
第２のＥＬ層１３０については、実施の形態３に記載された材料および構成で形成すれば
よい。また、実施の形態３に記載された材料以外の公知材料を用いて形成してもよい。な
お、使用材料は、発光装置の使用目的により使用材料を適宜選択すればよい。例えば、発
光装置を白熱灯や蛍光灯などの室内照明用途として用いる場合は、昼光色、昼白色などの
白色系の発光をするように、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０を赤色（Ｒ）、
緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を発光する３層構造とすればよい。また、補色関係にある２色（
例えば、シアン（Ｃ：明るい青色）とイエロー（Ｙ）の組み合わせなど）を発光する層を
積層してもよい。ＥＬ層の積層方法については、実施の形態３にて詳細説明を記載する。

第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０の形成方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着
法、電子ビーム蒸着法などの真空蒸着法を用いればよい。なお、第１のＥＬ層１１０及び
第２のＥＬ層１３０は、大気中の水や酸素などにより著しく劣化するため、後の工程にて
形成する第１の封止材１１４及び第２の封止材１３４より内側（基板中央側）に形成する
ことが好ましい。このように所定の場所にＥＬ層を形成する方法としては、例えば、メタ
ルマスク等を用いればよい。

本実施の形態では、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０を、同一装置及び同一条
件により形成する。ここで言う「同一装置にて形成」とは、単に同じ装置を用いて形成す
るというだけでなく、例えば、装置Ｘの内部にＭ１、Ｍ２、Ｍ３，Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６の６
つの蒸着室（成膜室とも言う）があり、第１のＥＬ層１１０を、装置ＸのＭ１、Ｍ２、Ｍ
３、Ｍ５、Ｍ６の蒸着室を用いて形成した場合、第２のＥＬ層１３０についても、装置Ｘ
のＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ５、Ｍ６の蒸着室を用いて形成するといったように、同一の装置
及び同一の処理室を用いて形成することを指す。また、ここで言う「同一条件にて形成」
とは、例えば、第１のＥＬ層１１０がＮ１層、Ｎ２層、Ｎ３層、Ｎ４層、Ｎ５層という５
層構造からなっている場合、第２のＥＬ層１３０についても、Ｎ１層、Ｎ２層、Ｎ３層、
Ｎ４層、Ｎ５層という５層構造として形成すると共に、各々の処理室の形成条件を同一の
設定値とすることを指す。なお、第１のＥＬ層１１０や第２のＥＬ層１３０を成膜中に、
装置状態の変動（例えば、有機材料の蒸着に使用するルツボの意図しない温度変化や、有
機材料の残量に起因した成膜レートの意図しない変動など）が生じた場合においても、「
同一条件」と見なす。

発光色の異なる発光装置を作製する場合、通常は、ＥＬ層を形成する材料を変更する、Ｅ
Ｌ層の膜厚を変更する等の方法が行われるが、上述のように、第１のＥＬ層１１０及び第
２のＥＬ層１３０を同一装置及び同一条件により形成することにより、複数台の装置を使
用する、装置内の処理室数を増やす、設定条件を適宜変更するといったことを行わなくて
もよいため、発光装置の製造時間や製造コストを大幅に低減できるだけでなく、装置整備
に要する時間や費用も大幅に削減することが可能となるため、安価な発光装置を作製する
ことができる。

次に、第１の下地層１０２、第１の絶縁層１０８及び第１のＥＬ層１１０上に第１の導電
層１１２を、第２の下地層１２２、第２の絶縁層１２８及び第２のＥＬ層１３０上に第２
の導電層１３２を形成する（図３（Ｂ）参照）。

第１の導電層１１２は第１のＥＬ層１１０を挟む電極の他方として機能し、第２の導電層
１３２は第２のＥＬ層１３０を挟む電極の他方として機能する。

本実施の形態は、ＥＬ層を形成した基板とは逆の基板側から光が射出される上方射出型の
発光装置であるため、第１の導電層１１２及び第２の導電層１３２として、透光性を有す
る層を形成する必要がある。具体的には、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域にお
いて６０％以上、より好ましくは８０％以上の光透過率を示す層を形成することが望まし
い。このような層としては、第１の透明導電層１０６や第２の透明導電層１２６と同様の
層を用いることができる。なお、第１の導電層１１２及び第２の導電層１３２をスパッタ
リング法により形成する場合、対向ターゲットスパッタ法（ミラートロンスパッタ法とも
言われる）などのような、第１のＥＬ層１１０や第２のＥＬ層１３０に加わるダメージが
少ない方法を用いる事が望ましい。

第１の透明導電層１０６や第２の透明導電層１２６と同様の層を第１の導電層１１２及び
第２の導電層１３２として用いる場合、これらの透明導電層は金属層と比較して一般的に
抵抗値が高いため、本実施の形態の図中には示していないが、第１の導電層１１２や第２
の導電層１３２に接して抵抗値の低い層や材料を形成してもよい。この場合、上述の光透
過率範囲を下回らないように留意して形成することが好ましい。例えば、第１の導電層１
１２や第２の導電層１３２上に、メタルマスクを用いて線幅１ｍｍ以下のアルミ配線を碁
盤の目状に蒸着して用いればよい。勿論、抵抗値の低い層や材料を形成する方法はこれに
限定されることなく、公知の様々な方法を用いることができる。

なお、第１の導電層１１２及び第２の導電層１３２の一方の層又は両方の層として、半透
過性の導電層を形成してもよい。具体的には、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域
において３０％以上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する層を形成することが望
ましい。例えば、スパッタリング法や蒸着法などの公知の方法を用いて、例えば、元素周
期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、
及びカルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム、及びこれらを含
む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類
金属及びこれらを含む合金を形成して用いればよい。また、銀、アルミニウム及びこれら
を含む合金を、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率
及び５０％以上の光透過率を有する状態に薄く形成して用いてもよい。

また、第１の導電層１１２として、透光性を有する層と半透過性の層を積層してもよい。
例えば第１の発光装置１４０において、第１のＥＬ層１１０上に、まず上述の半透過性の
層を形成した後に、第１の透明導電層１０６と同様の層を形成し、これを第１の導電層１
１２として用いることもできる。勿論、第２の発光装置１５０についても同様の事が言え
る。

なお、透光性を有する層と半透過性の層を積層する場合において、透光性を有する層が十
分に抵抗の低い層である場合、積層する半透過性の層は必ずしも導電性を有する必要はな
い。

このように、第１の導電層１１２及び第２の導電層１３２を、半透過性の層または透光性
を有する層と半透過性の層の積層構造とすることにより、例えば第１の発光装置１４０で
は、第１のＥＬ層１１０からの発光の一部は、第１の反射層１０４と第１の導電層１１２
の間で多重反射され、光路長に応じて特定の波長の光が強め合う、又は弱め合うため、所
謂、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能を有することとなる。

これにより、光の干渉はより大きなものとなり、第１の発光装置１４０の発光色を、第１
の光路長１４２の距離に応じてより大きく変化させることができる。また、第２の発光装
置１５０についても同様のことが言える。

一例として、第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０上に、まず、抵抗加熱蒸着法に
よりマグネシウムと銀の合金（Ｍｇ−Ａｇ）を１０ｎｍ形成した後に、ミラートロンスパ
ッタ法によりＩＴＯを５０ｎｍ形成して適宜パターン形成処理を行った層を、第１の導電
層１１２及び第２の導電層１３２として用いればよい。

なお、第１の導電層１１２及び第２の導電層１３２は、同一装置及び同一条件にて形成す
ることが望ましい。これにより、第１のベース基板１４８上に第１のＥＬ層１１０及び第
１の導電層１１２を順に形成する工程と、第２のベース基板１４９上に第２のＥＬ層１３
０及び第２の導電層１３２を順に形成する工程を、同一装置及び同一条件を用いて一括形
成できる。このため、発光色の異なる発光装置をより簡便に作製することができる。

次に、第１の基板１００上に第１のＥＬ層１１０を囲む状態に第１の封止材１１４を、第
３の基板１２０上に第２のＥＬ層１３０を囲む状態に第２の封止材１３４を形成した後に
、第１の基板１００上に第２の基板１１６を、第３の基板１２０上に第４の基板１３６を
貼り合わせる（図３（Ｃ）参照）。

第１の封止材１１４及び第２の封止材１３４は、第１のＥＬ層１１０、第２のＥＬ層１３
０に外部から水分や酸素が侵入することによる劣化を抑制する機能を有しており、フレキ
ソ印刷装置、オフセット印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、インクジェ
ット装置、ディスペンサー装置などの各種印刷装置を用いた印刷法により形成すればよい
。

第１の封止材１１４及び第２の封止材１３４としては、例えば、紫外線硬化型接着剤など
光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬
化型接着剤を用いればよい。なお、第１の封止材１１４及び第２の封止材１３４は、スペ
ーサ材料を含んでいてもよい。

なお、本実施の形態では、第１の封止材１１４及び第２の封止材１３４はそれぞれ一重に
形成されているが、二重や三重など複数ラインを形成してもよい。複数ライン形成するこ
とにより、外部からの水分や酸素の侵入を効果的に抑制できるため、長寿命な発光装置を
作製できる。

第２の基板１１６及び第４の基板１３６としては、本実施の形態の発光装置は上方射出型
であるため、透光性を有する基板、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケ
イ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いればよい。これ
らのガラス基板は大面積化に適しており、Ｇ１０サイズ（２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）
やＧ１１サイズ（３０００ｍｍ×３３２０ｍｍ）なども作製されているため、本発明の一
態様に係る発光装置を低コストで大量生産することができる。また、これらの基板は高い
水蒸気バリア性を有しているという特徴もある。他にも、石英基板などを用いることもで
きる。

また、第２の基板１１６及び第４の基板１３６として、エチレンビニルアセテート（ＥＶ
Ａ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ
）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ）、
ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ＡＢＳ樹脂などの各種プラ
スチック基板を用いることもできる。なお、各種プラスチック基板を第２の基板１１６及
び第４の基板１３６として用いる場合は、表面に酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、窒化
酸化珪素、酸化アルミニウムなどの水蒸気透過性の低い膜を単層又は積層にて形成すると
よい。これにより、各種プラスチック基板には高い水蒸気バリア性が付与されるため、第
１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０の劣化を抑制できる。

上述のプラスチック基板を第２の基板１１６及び第４の基板１３６として用いることによ
り、第１の発光装置１４０及び第２の発光装置１５０を薄型化、軽量化でき、さらに可撓
性を持たせることができるため、発光装置の付加価値を高めることができる。

なお、第２の基板１１６と第４の基板１３６の材質や厚さは、同じであってもよいし異な
っていてもよい。厚さについては特に限定は無いが、発光装置の薄型化、軽量化の観点か
ら考えると３ｍｍ以下が望ましく、より好ましくは１ｍｍ以下が望ましい。

なお、第１の基板１００上に第２の基板１１６を、第３の基板１２０上に第４の基板１３
６を貼り合わせる際には、減圧状態又は窒素などの不活性ガス雰囲気中で行うことが望ま
しい。これにより、基板と封止材により囲まれた空間は減圧状態又は不活性ガスに満たさ
れた状態となるため、水分や酸素などにより第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０
が劣化するのを抑制できる。

一例として、第１の基板１００上の第１のＥＬ層１１０より外側、及び第３の基板１２０
上の第２のＥＬ層１３０より外側に、第１の封止材１１４及び第２の封止材１３４として
、ディスペンサー装置にて紫外線硬化型接着剤を形成した後、第１の基板１００上及び第
３の基板１２０上に、厚さが０．３ｍｍの無アルカリガラスでなる第２の基板１１６及び
第４の基板１３６を減圧雰囲気中にて貼り合わせればよい。

＜本実施の形態により作製される発光装置の効果＞
以上の工程により作製された、図１（Ｂ）に示す第１の発光装置１４０及び図１（Ｃ）に
示す第２の発光装置１５０は、第１の反射層１０４、第２の反射層１２４上にそれぞれ、
厚さの異なる第１の透明導電層１０６、第２の透明導電層１２６が形成されているため、
第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０を同一装置及び同一条件により形成しても（
つまり、各々のＥＬ層の材料や厚さを同一としても）、第１の発光装置１４０と第２の発
光装置１５０の光路長を異なるものとできる。

このため、第１のＥＬ層１１０からの発光と第２のＥＬ層１３０からの発光は、各発光装
置の光路長に応じて特定の波長が強め合い、又は弱め合い、各発光装置から取り出される
ため、第１の発光装置１４０から取り出される光と第２の発光装置１５０から取り出され
る光は異なった発光色となる。

したがって、同一装置及び同一条件で形成されたＥＬ層を用いて、発光色の異なる発光装
置を作製することができる。

加えて、ある発光色の発光装置を作製する製造ラインにおいて、異なる発光色の発光装置
が少量だけ必要な場合などにおいても、両者を同じ製造ラインで作製（所謂、混流生産）
することができるため、生産量が少量の品種であっても安価に作製することができる。

なお、本実施の形態では、図１に示すように第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０
の発光は、該ＥＬ層が形成された基板とは逆の基板側から光が射出される上方射出型の構
造についての説明を行ったが、該ＥＬ層が形成された基板側に光が射出される、図４に示
すような下方射出型の発光装置としてもよい。

図４は、下方射出型発光装置の一例である、第３の発光装置４４０及び第４の発光装置４
５０の構成であり、図４（Ａ）は、本実施の形態の発光装置の作製方法にて作製された２
つの発光装置の一方である第３の発光装置４４０の上面図である。なお、上面から見る限
りでは第３の発光装置４４０と第４の発光装置４５０は同じ形態であるため、第４の発光
装置４５０の上面図についても図４（Ａ）を用いるものとし、括弧内に記載された符号が
第４の発光装置４５０に用いられる各構成要素を表している。また、図４（Ａ）の上面図
については、構造を分かり易くするため、パターン形成が行われている膜及び層のみを記
載するとともに、最上面に形成される基板は記載しないものとする。また、図４（Ｂ）は
第３の発光装置４４０における、図４（Ａ）の一点鎖線部Ｃ１−Ｃ２部及びＤ１−Ｄ２部
の断面概略図であり、図４（Ｃ）は第４の発光装置４５０における、図４（Ａ）の一点鎖
線部Ｃ１−Ｃ２部及びＤ１−Ｄ２部の断面概略図である。

図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）を用い、以下の文章にて第３の発光装置４４０及び第４の発光
装置４５０についての説明を行う。なお、図４及び以下の文章において、上述の本実施の
形態の説明と同一部分又は同様な機能を有する構成要素（例えば、第１の基板１００や第
１の下地層１０２など）については同一符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。

第３の発光装置４４０は、図４（Ｂ）に示すように第２の基板１１６上に形成された第１
の下地層１０２と、第１の下地層１０２上に形成された第１の透明導電層１０６と、第１
の透明導電層１０６上に形成された第１の絶縁層１０８と、第１の透明導電層１０６上及
び第１の絶縁層１０８上に形成された第１のＥＬ層１１０と、第１のＥＬ層１１０を覆い
一部が第１の封止材１１４の外側に形成された、導電性を有する第１の反射層４１２と、
第２の基板１１６上に第１のＥＬ層１１０を囲む状態に形成された第１の封止材１１４と
、第１の封止材１１４により第２の基板１１６と貼り合わされた第１の基板１００により
形成されており、第１のＥＬ層１１０からの発光は、第２の基板１１６側（図中、白矢印
方向）に取り出される。

第４の発光装置４５０は、図４（Ｃ）に示すように第４の基板１３６上に形成された第２
の下地層１２２と、第２の下地層１２２上に形成された第２の透明導電層１２６と、第２
の透明導電層１２６上に形成された第２の絶縁層１２８と、第２の透明導電層１２６上及
び第２の絶縁層１２８上に形成された第２のＥＬ層１３０と、第２のＥＬ層１３０を覆い
一部が第２の封止材１３４の外側に形成された、導電性を有する第２の反射層４３２と、
第４の基板１３６上に第２のＥＬ層１３０を囲む状態に形成された第２の封止材１３４と
、第２の封止材１３４により第４の基板１３６と貼り合わされた第３の基板１２０により
形成されており、第２のＥＬ層１３０からの発光は、第４の基板１３６側（図中、白矢印
方向）に取り出される。

導電性を有する第１の反射層４１２及び導電性を有する第２の反射層４３２は、第１の反
射層１０４及び第２の反射層１２４と同様に、ＥＬ層からの発光を反射するための層であ
る。このため、基本的に第１の反射層１０４及び第２の反射層１２４と同様の形成方法及
び材料を用いて形成すればよいが、ＥＬ層を挟む電極の一方として機能するため、抵抗値
が低いことが望ましく、具体的には、抵抗率が１．０×１０^−３［Ω・ｃｍ］以下の材料
を用いることが望ましく、より好ましくは、２．０×１０^−４［Ω・ｃｍ］以下の材料を
用いることが望ましい。

第３の発光装置４４０では、第１のＥＬ層１１０から射出された光は下方に射出されるた
め、第１の発光装置１４０と比較して、第１の基板１００と第２の基板１１６の位置が逆
になっている。また、第４の発光装置４５０では、第２のＥＬ層１３０から射出された光
は下方に射出されるため、第２の発光装置１５０と比較して、第３の基板１２０と第４の
基板１３６の位置が逆になっている。なお、第１のＥＬ層１１０および第２のＥＬ層１３
０については、逆積み構造としてもよい。

発光装置の構造をこのような下方射出型とすることにより、第３の発光装置４４０の空間
部分４１８や第４の発光装置４５０の空間部分４３８に吸湿剤等の遮光性物質を設置して
も、発光状態に悪影響を及ぼすことがない。また、第１の基板１００及び第２の基板１２
０は光透過性を有する必要がないため、透湿性の低い様々な種類の基板（例えば、各種金
属基板などの遮光性を有する基板など）を用いることができる。これにより、装置外部か
ら侵入する水分や酸素などによる第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１３０の劣化が抑
制された発光装置を作製できる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なるベース基板を用いて作製される、発光装置及
び作製方法について、図５乃至図８を用いて説明する。なお、以下に説明する発明の構成
において、実施の形態１と同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる
図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

＜本実施の形態における発光装置の構成＞
図５は、本実施の形態の方法にて作製された発光装置の構成例であり、図５（Ａ）は作製
された発光装置の一態様である第５の発光装置５４０の上面図である。なお、図５（Ａ）
の上面図については、構造を分かり易くするため、パターン形成が行われている膜及び層
のみを記載するとともに、最上面に形成される基板は記載していない。

図５（Ｂ）は第５の発光装置５４０における、図５（Ａ）の一点鎖線部Ｅ１−Ｅ２部の断
面概略図である。図５（Ｂ）に示す第５の発光装置５４０は、実施の形態１にて記載した
第１の発光装置１４０の第１の透明導電層１０６の代わりに、部分的に厚さの異なる透明
導電層（以下、第３の透明導電層６０６と略記する）を用いた構造である。本実施の形態
では部分的に厚さの異なる透明導電層として、４つの領域（厚さａ１の領域６０６ａ、厚
さｂ１の領域６０６ｂ、厚さｃ１の領域６０６ｃ及び厚さｄ１の領域６０６ｄ）を有する
第３の透明導電層６０６を用いるものとする。勿論、透明導電層はこのような構造に限定
されるものではない。なお、第１のＥＬ層１１０は実施の形態１と同様に、同一装置及び
同一条件で形成され、全面が同じ層（同じ組成とも言える。）となっている。

＜本実施の形態における発光装置の作製方法＞
まず、実施の形態１と同様に、第１の基板１００上に第１の下地層１０２及び第１の反射
層１０４を順に形成する（図６（Ａ）参照）。

次に、第１の反射層１０４上に第３の透明導電層６０６を形成する（図６（Ｂ）参照）。

第３の透明導電層６０６は、第１の透明導電層１０６や第２の透明導電層１２６と同様の
材料を用い、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法、ＰＶＤ法及びスパッタリング法などの公
知の方法を用いて形成する。なお、本実施の形態では、異なる厚さの４つの領域６０６ａ
、６０６ｂ、６０６ｃ及び６０６ｄを有する構造を、第３の透明導電層６０６として用い
る場合の説明を行う。

第３の透明導電層６０６を形成する方法としては、例えば図７のように、まず領域６０６
ａを形成する領域に開口部を有するマスクで第１の基板１００を覆った状態で、透明導電
層をａ１の厚さで成膜して、領域６０６ａを形成する（図７（Ａ）参照）。その後、領域
６０６ｂ、領域６０６ｃ及び領域６０６ｄについても同様に、形成したい領域に開口部を
有するマスクを用いて必要な厚さ（領域６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄの厚さは、それぞ
れｂ１、ｃ１、ｄ１とする）の透明導電層を成膜し、領域６０６ｂ、６０６ｃ及び６０６
ｄを形成する（図７（Ｂ）から図７（Ｄ）参照）。これにより、図６（Ｂ）のように、厚
さの異なる４つの領域（６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ及び６０６ｄ）を有する第３の透
明導電層６０６を形成することができる。勿論、上述の方法に限定されることはなく、厚
さの異なる領域を形成できる方法であれば、どのような方法でもよい。

なお、本実施の形態では厚さの異なる領域を４つとしたが、２つ以上の領域を有していれ
ば、領域の数に特に限定はない。

以上の工程により、第１の基板１００上に第１の下地層１０２、第１の反射層１０４及び
部分的に厚さを変えて形成した第３の透明導電層６０６が順に形成された第３のベース基
板６１０が準備される。

以降の工程については、実施の形態１と同様に、第３のベース基板６１０上に、第１の絶
縁層１０８、第１のＥＬ層１１０及び第１の導電層１１２形成し、第１の封止材１１４を
用いて第１の基板１００と第２の基板１１６を貼り合わせて、第５の発光装置５４０を作
製すればよい（図６（Ｃ）参照）。

＜本実施の形態により作製される発光装置の効果＞
本実施の形態の第５の発光装置５４０は、上述のように第３のベース基板６１０を準備し
た後の工程は実施の形態１の第１の発光装置１４０や第２の発光装置１５０の作製工程と
同様であるため、例えば、実施の形態１にて記載した第１のベース基板１４８と本実施の
形態にて記載した第３のベース基板６１０を準備し、各々に第１の絶縁層１０８、第１の
ＥＬ層１１０及び第１の導電層１１２を形成し、第１の封止材１１４を用いて第１の基板
１００と第２の基板１１６を貼り合わせることにより、発光色が単色の第１の発光装置１
４０と、発光色が４色の第５の発光装置５４０を、同一装置及び同一条件で形成されたＥ
Ｌ層を用いて作製することができる。

また、第３のベース基板６１０では、第３の透明導電層６０６の厚さは、左上（厚さａ１
）、右上（厚さｂ１）、右下（厚さｃ１）、左下（厚さｄ１）の順に薄くなっているが、
これとは異なるベース基板（例えば、右上（厚さａ１）、左上（厚さｂ１）、左下（厚さ
ｃ１）、右下（厚さｄ１）の順に透明導電層が薄くなるベース基板）を準備し、各々に第
１の絶縁層１０８、第１のＥＬ層１１０及び第１の導電層１１２を形成し、第１の封止材
１１４を用いて第１の基板１００と第２の基板１１６を貼り合わせることにより、発光パ
ターンの異なる、発光色が４色の発光装置を、同一装置及び同一条件で形成されたＥＬ層
を用いて作製することができる。

また、第５の発光装置５４０は、複数の異なる発光色（例えば、本実施の形態に記載の方
法では、４色の異なる発光色。）を射出することができるため、例えば、外部に射出され
る光をモザイク状にできるなど、付加価値の高い発光装置となる。

なお、本実施の形態では、図５に示すように第１のＥＬ層１１０の発光は、当該ＥＬ層が
形成された基板とは逆の基板側から光が射出される上方射出型の構造についての説明を行
ったが、第６の発光装置８４０（図８（Ａ）及び図８（Ｂ）参照。図８（Ａ）は上面図、
図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一点鎖線Ｆ１−Ｆ２部の断面図）のような下方射出型の構造と
してもよい。なお、図８に示す第６の発光装置８４０は、実施の形態１にて記載した、図
４に示す第３の発光装置４４０の第１の透明導電層１０６部分を、本実施の形態にて記載
した第３の透明導電層６０６とした構造であるため、各構成要素の材料や形成方法につい
ては実施の形態１及び本実施の形態の材料および作製方法を参照として作製すればよい。

発光装置の構造をこのような下方射出型とすることにより、第６の発光装置８４０の空間
部分８１８に吸湿剤等の遮光性物質を設置しても、発光状態に悪影響を及ぼすことがない
。また、第１の基板１００は光透過性を有する必要がないため、透湿性の低い様々な種類
の基板（例えば、各種金属基板などの遮光性を有する基板など）を用いることができる。
これにより、装置外部から侵入する水分や酸素などによるＥＬ層の劣化が抑制された発光
装置を作製できる。

また、本実施の形態では、「部分的に厚さの異なる透明導電層」として、図５に示すよう
に複数の厚さの異なる領域を有する透明導電層を用いたが、連続的に厚さが変化する領域
を備える透明導電層を用いてもよい。

このような層を形成する方法としては、例えば図９に示すように、まず、図６（Ａ）と同
様に、第１の下地層１０２及び第１の反射層１０４が順に形成された第１の基板１００を
準備し、第１の基板１００の全面をマスクで覆った状態で透明導電層の成膜を開始する（
図９（Ａ）参照）。その後、マスクを少しずつ移動させて基板の端から少しずつ透明導電
層を形成する（図９（Ｂ）参照）。このような方法で成膜することにより、図９（Ｃ）に
示すように、連続的に厚さが変化する領域を備える透明導電層９００を形成することがで
きる。

上述のような、連続的に厚さが変化する領域を備える透明導電層を用いることにより、例
えば、外部に射出される光をグラデーション状にできるなど、付加価値の高い発光装置と
なる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できる第１のＥＬ層１１０及び第２のＥＬ層１
３０の一例について、図１０を用いて説明する。なお、第１のＥＬ層１１０と第２のＥＬ
層１３０は同一装置及び同一条件で形成された同じ層であるため、本実施の形態では第１
のＥＬ層１１０についてのみ説明を行う。

第１のＥＬ層１１０は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていれば良
い。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注
入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸
送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成すること
ができる。図１０（Ａ）に示す第１のＥＬ層１１０は、正孔注入層７０１、正孔輸送層７
０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５を有しており、電極として機
能する層により挟まれている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。本実施
の形態では、実施の形態１にて記載した第１の透明導電層１０６及び第１の導電層１１２
を、電極として機能する層として図中に記載するが、勿論これに限定されることはなく、
発光装置の構造により変化する。例えば、図４に記載した下方射出型の第３の発光装置４
４０では、第１の透明導電層１０６及び導電性を有する第１の反射層４１２が、電極とし
て機能する層となる。

図１０（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。

まず、正孔注入層７０１を形成する。正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む
層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、
バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸
化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸
化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、
銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いるこ
とができる。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４
，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニ
ル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−
Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル
）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，
６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（
９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：Ｐ
ＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる
。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられ
る。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳ
Ｓ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。

特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第１の透明導電層１０６からの正孔注入性を
良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送
性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複
合材料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の透明導電層１０６から第
１のＥＬ層１１０への正孔注入が容易となる。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ
、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ
１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−
４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ
）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：Ｃ
ＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：Ｔ
ＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル
）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カ
ルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘
導体を用いることができる。

また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９
，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（
略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ
−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、
９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，
１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス
［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブ
チル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）
ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）
フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層７０１に用いてもよい。

次に、正孔注入層７０１上に正孔輸送層７０２を形成する。正孔輸送層７０２は、正孔輸
送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰ
Ｄ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−
Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ス
ピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１
０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送
性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質
を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとして
もよい。

また、正孔輸送層７０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導
体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。

また、正孔輸送層７０２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤな
どの高分子化合物を用いることもできる。

次に、正孔輸送層７０２上に発光層７０３を形成する。発光層７０３は、発光性の有機化
合物を含む層である。発光性の有機化合物としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合
物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料と
して、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバ
ゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（
略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙
げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリ
ル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、
Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９
−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９
，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェ
ニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル
−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレン
ジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−
２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル
アントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアン
トラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光
材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１
−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−
ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
ラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジ
アミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層７０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光
材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］
イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス
［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略
称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニ
ル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩ
ｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェ
ニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス
（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（
略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃ
ａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料と
して、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４
’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチ
アゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ
）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェ
ニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ
）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−
３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）_２
（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニ
ルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２
−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称
：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス（３，５−ジメチル−
２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａ
ｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェ
ニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ
））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４
，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ
，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃ
ａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノ
キサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセ
チルアセトナート）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，
５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐ
ｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポ
ルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、ト
リス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジ
オナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（
Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］
（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ
））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）
であるため、燐光性化合物として用いることができる。

なお、発光層７０３としては、上述した発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（
ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いる
ことができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌
道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（
略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（Ｉ
Ｉ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（
ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビ
ス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’
，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−ア
ントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称
：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称
：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、
９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイ
ル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル
）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５
−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称
：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−
Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−
アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル
−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：Ｐ
ＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）
、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができ
る。

また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレ
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。

ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層７０３の結晶化を抑
制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制すること
ができる。

また、発光層７０３として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発
光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ
）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメ
トキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオ
クチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）
−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑
色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９
，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３
］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチ
ル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−
エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系
の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フ
ェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−
ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シ
アノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシ
ロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５
−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ
−ＤＰＤ）などが挙げられる。

次に、発光層７０３上に電子輸送層７０４を形成する。電子輸送層７０４は、電子輸送性
の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ
_３、ＢｅＢｑ_２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体
等が挙げられる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラ
ト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチ
アゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子
を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビ
フェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニ
リル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾ
ール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン
（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２
／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでな
く、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

次に、電子輸送層７０４上に電子注入層７０５を形成する。電子注入層７０５は、電子注
入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リチウム、セシウム、カルシウ
ム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ
化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送
層７０４を構成する物質を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４
、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗
布法等の方法で形成することができる。

以上の工程により、図１０（Ａ）に示す第１のＥＬ層１１０を形成することができる。

なお、第１のＥＬ層１１０は、図１０（Ｂ）に示すように、第１の透明導電層１０６と第
１の導電層１１２との間に複数積層された構造でもよい。この場合、積層された１層目の
ＥＬ層８００及び２層目のＥＬ層８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好
ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層
８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他
の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明
導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネ
ルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効
率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光
発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合
わせて用いることができる。

また、第１のＥＬ層１１０は、図１０（Ｃ）に示すように、第１の透明導電層１０６と第
１の導電層１１２との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子
輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び複合材料層７０
８を有する構造でもよい。

複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第１の導電層１１２を
形成する際に、第１のＥＬ層１１０が受けるダメージを低減することができるため、好ま
しい。複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることができる。

さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７
０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電
子輸送層７０４に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およ
びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸
リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を
含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（
酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む
）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金
属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略
称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもで
きる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同
様の材料を用いて形成することができる。

さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７
を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を
速やかに送ることが可能となる。

複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた
構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０
６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。

電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭ
Ｏ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送
層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４
に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネ
ルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵ
ＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよ
い。

電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、Ｓ
ｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ
（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌ
ｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌ
ｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６，
２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）の
いずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯ
Ｐｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）
及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃｏ
ｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物
（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土
類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン
（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。さらに、当該含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引
基を有する化合物を用いる構成は電子の受け取りが容易となるため、より好ましい構成で
ある。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が挙
げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］
フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２Ｐ
ＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称
：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオ
ロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤ
Ｉ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５
’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン（略称：ＤＣＭＴ）、メタノ
フラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル）等を用いること
ができる。

なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すれば良い。

正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、及び電子輸送層７０４は前述の材
料を用いてそれぞれ形成すれば良い。

なお、本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施す
ることが出来る。

（実施の形態４）
本明細書に開示する発光装置は、照明機器や電子機器に適用することができる。一例とし
て、本明細書に開示する発光装置を天井や壁に貼り付けて用いることにより、図１１のよ
うに照明機器１１００及び照明機器１１０２として用いることができる。なお、照明機器
１１００は、部屋全体を明るく自然な色合いに照らす昼白色であり、照明機器１１０２は
、照明機器１１００を消した際にゆったりと落ち着いた雰囲気に室内を照らす電球色であ
る。本明細書に開示する方法を用いることにより、簡便かつ安価に異なる発光色の発光装
置を作製できる。

また、本明細書にて開示する発光装置を巻き付けるなど変形させて用いることにより、様
々な形状の発光装置を作製できるため、例えば卓上型照明機器１１０４のような様々な用
途に用いることができる。

また、本明細書にて開示する発光装置を壁などに貼り付けることにより、電子ポスター１
１０６として用いることができる。この場合、例えば、本明細書にて開示した、「モザイ
ク状の発光となる発光装置」、「文字部分のみ異なる発光色となる発光装置」、「グラデ
ーション状の発光となる発光装置」を単品で又は組み合わせて用いることにより、非常に
目に付きやすく視覚効果を高めることができる。

１００ 第１の基板
１０２ 第１の下地層
１０４ 第１の反射層
１０６ 第１の透明導電層
１０８ 第１の絶縁層
１１０ 第１のＥＬ層
１１２ 第１の導電層
１１４ 第１の封止材
１１６ 第２の基板
１２０ 第３の基板
１２２ 第２の下地層
１２４ 第２の反射層
１２６ 第２の透明導電層
１２８ 第２の絶縁層
１３０ 第２のＥＬ層
１３２ 第２の導電層
１３４ 第２の封止材
１３６ 第４の基板
１４０ 第１の発光装置
１４２ 光路長
１４４ 光
１４６ 光
１４８ 第１のベース基板
１４９ 第２のベース基板
１５０ 第２の発光装置
１５２ 光路長
４１２ 導電性を有する第１の反射層
４１６ 第５の基板
４１８ 空間部分
４３２ 導電性を有する第２の反射層
４３６ 第６の基板
４３８ 空間部分
４４０ 第３の発光装置
４５０ 第４の発光装置
５４０ 第５の発光装置
６０６ 第３の透明導電層
６０６ａ 領域
６０６ｂ 領域
６０６ｃ 領域
６０６ｄ 領域
６１０ 第３のベース基板
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
８００ １層目のＥＬ層
８０１ ２層目のＥＬ層
８０３ 電荷発生層
８１８ 空間部分
９００ 透明導電層
１１００ 照明機器
１１０２ 照明機器
１１０４ 卓上型照明機器
１１０６ 電子ポスター

Claims (1)

1. 絶縁表面上の反射層と、
   前記反射層上の透明導電層と、
   前記透明導電層上のＥＬ層と、
   前記ＥＬ層上の導電層と、を有し、
   前記反射層は、平坦性を有する第１の領域を有し、
   前記透明導電層は、前記第１の領域と重なる領域において連続的に厚さが変化する発光装置の作製方法であって、
   前記透明導電層は、前記透明導電層を形成する領域全体をマスクで覆い、前記透明導電層を形成する領域に対して前記マスクを移動させながら成膜を行うことにより形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。

Images