JP2016189484A - 発光装置 - Google Patents

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JP2016189484A JP2016128274A JP2016128274A JP2016189484A JP 2016189484 A JP2016189484 A JP 2016189484A JP 2016128274 A JP2016128274 A JP 2016128274A JP 2016128274 A JP2016128274 A JP 2016128274A JP 2016189484 A JP2016189484 A JP 2016189484A
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山崎 舜平
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】エネルギーの損失が少なく信頼性の高い発光デバイスを提供する。【解決手段】絶縁性の表面に、第1の発光素子及び第2の発光素子を有し、第1の発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第1の電極の端部は、絶縁性の第1の隔壁に覆われ、第2の発光素子は、第3の電極と、第4の電極と、第3の電極及び第4の電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第1の電極及び第3の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する同一の層から形成され、第2の電極及び第4の電極は同一の層から形成され、第2の電極が、第1の隔壁を介して第1の電極の端部と交差して、第3の電極と電気的に接続する発光ユニットを提供する。【選択図】図1

Description

有機エレクトロルミネッセンス(EL:Electroluminescence)を用
いた発光素子(有機EL素子とも記す)を複数含む発光ユニットに関する。該発光ユニッ
トを用いた発光装置、照明装置に関する。
有機EL素子の研究開発が盛んに行われている。有機EL素子の基本的な構成は、一対の
電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加するこ
とにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる。
有機EL素子は膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を容易に形成するこ
とができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
例えば、特許文献1には、有機EL素子を用いた照明器具が開示されている。
特開2009−130132号公報
有機EL素子は比較的低い電圧、具体的には3V程度から数十V程度の電圧で駆動できる
。従って、出力電圧が低い電源(例えば電池など)を電源に用いる用途、具体的には携帯
可能な用途に用いる発光素子に好適である。
しかし、家庭用の電灯線などから供給される電圧は例えば100V程度から240V程度
であるため、有機EL素子の駆動電圧との差が大きすぎる。よって、このような高電圧の
電源を用いる場合は、電源電圧を変換するコンバータ等が必要とされる。そこで、コンバ
ータによるエネルギーの損失が問題となる。例えば、電圧を変換するコンバータの変換効
率は入力電圧と出力電圧の差が大きいほど低下する傾向がある。具体的には、電灯線から
得た100V程度から240V程度の電源電圧を、3V程度から数十V程度で駆動可能な
有機EL素子の駆動電圧まで降圧すると、コンバータにより多くのエネルギーが損なわれ
てしまうという問題がある。
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、本発明の一
態様は、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを提供することを目的の一とする。又は
、信頼性の高い発光ユニットを提供することを目的の一とする。
又は、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを備えた発光装置を提供することを目的の
一とする。又は、信頼性の高い発光ユニットを備えた発光装置を提供することを目的の一
とする。
又は、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを備えた照明装置を提供することを目的の
一とする。又は、信頼性の高い発光ユニットを備えた照明装置を提供することを目的の一
とする。
高い電源電圧が供給される使用環境において、エネルギーの損失をできるだけ減らして、
有機EL素子を動作するには、エネルギーの損失の原因となるコンバータを用いずに高い
電源電圧で有機EL素子を駆動するか、又はコンバータの変換効率が損なわれない程度の
電源電圧に変換し、且つ有機EL素子の駆動電圧をそれに合わせる構成とすれば良い。具
体的には、有機EL素子を直列に接続して駆動電圧が高められた発光ユニットを構成し、
コンバータを介して当該発光ユニットを高い電源電圧に接続して用いれば良い。
一方で、複数の有機EL素子を直列に接続した構成においては、有機EL素子の接続部の
一が断線すると発光ユニット全体が消灯してしまう。すなわち、当該発光ユニットを用い
た照明装置の不良率が発光素子の接続部の不良率の積となり、該照明装置の信頼性を確保
することが困難になるという副作用が生じてしまう。
そこで、複数の有機EL素子(以下、単に発光素子と記す)を直列に接続する構成を有す
る発光ユニットにおいて、発光素子の上部電極が、隣接する発光素子の下部電極に接続す
る接続部に着目した。そして、一方の発光素子の下部電極(第1の電極)の端部を覆う絶
縁性の隔壁を設け、該一方の発光素子の上部電極(第2の電極)が、絶縁性の隔壁を介し
て第1の電極の端部と交差して、他方の発光素子の下部電極(第3の電極)に電気的に接
続する構成に想到し、上記課題の解決に至った。
すなわち、本発明の一態様は、絶縁性の表面上に、第1の発光素子及び第2の発光素子を
有し、第1の発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間
に挟持された発光性の有機化合物を含む層(第1の層とも記す)と、を備え、第1の電極
の端部は、絶縁性の第1の隔壁に覆われ、第2の発光素子は、第3の電極と、第4の電極
と、第3の電極及び第4の電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層(第2の層
とも記す)と、を備え、第1の電極及び第3の電極は、発光性の有機化合物が発する光に
対して透光性を有する同一の層から形成され、第2の電極及び第4の電極は同一の層から
形成され、第2の電極が、第1の隔壁を介して第1の電極の端部と交差して、第3の電極
と電気的に接続する発光ユニットである。
上記本発明の一態様によれば、第1の電極の端部に絶縁性の隔壁が設けられている場所で
第2の電極が該隔壁を介して第1の電極の端部と交差する。また、第2の電極が第3の電
極に電気的に接続し、第1の発光素子と第2の発光素子が直列に接続される。これにより
、第1の発光素子と第2の発光素子が直列に接続されて駆動電圧が高められた発光ユニッ
トを提供することができる。加えて、第1の電極の端部に生じる段差部で第1の電極と第
2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
また、本発明の一態様は、絶縁性の表面上に、第1の発光素子及び第2の発光素子を有し
、第1の発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に挟
持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第1の電極の端部は、絶縁性の第1の
隔壁に覆われ、第2の発光素子は、第3の電極と、第4の電極と、第3の電極及び第4の
電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第3の電極の端部は、絶
縁性の第2の隔壁に覆われ、第1の電極及び第3の電極は、発光性の有機化合物が発する
光に対して透光性を有する同一の層から形成され、第2の電極及び第4の電極は同一の層
から形成され、第1の隔壁及び第2の隔壁は同一の層から形成され、第2の電極が、第1
の隔壁を介して第1の電極の端部と交差し、且つ第2の隔壁を介して第3の電極の端部と
交差して、第3の電極と電気的に接続する発光ユニットである。
上記本発明の一態様によれば、第1の電極の端部に絶縁性の隔壁が設けられている場所で
第2の電極が該隔壁を介して第1の電極の端部と交差する。また、第3の電極の端部に絶
縁性の隔壁が設けられている場所で第2の電極が該隔壁を介して第3の電極の端部と交差
する。また、第2の電極が第3の電極に電気的に接続し、第1の発光素子と第2の発光素
子が直列に接続される。これにより、第1の発光素子と第2の発光素子が直列に接続され
て駆動電圧が高められた発光ユニットを提供することができる。加えて、第1の電極の端
部に生じる段差部で第1の電極と第2の電極が短絡し難く、且つ第3の電極の端部に生じ
る段差部で第2の電極が段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができ
る。
また、本発明の一態様は、絶縁性の表面上に、第1の発光素子及び第2の発光素子を有し
、第1の発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に挟
持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第1の電極の端部は、発光性の有機化
合物を含む層を介して第1の隔壁と重なり、第2の発光素子は、第3の電極と、第4の電
極と、第3の電極及び第4の電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備
え、第3の電極の端部は、発光性の有機化合物を含む層を介して第2の隔壁と重なり、第
1の電極及び第3の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する同一
の層から形成され、第2の電極及び第4の電極は同一の層から形成され、第1の隔壁及び
第2の隔壁は有機化合物及び電子受容体を含む複合材料、又は絶縁物からなる同一の層か
ら形成され、第2の電極が、第1の隔壁を介して第1の電極の端部と交差し、且つ第2の
隔壁を介して第3の電極の端部と交差して、第3の電極と電気的に接続する発光ユニット
である。
また、本発明の一態様は、絶縁性の表面上に、第1の発光素子及び第2の発光素子を有し
、第1の発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に挟
持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第1の電極の端部は、第1の隔壁に覆
われ、第2の発光素子は、第3の電極と、第4の電極と、第3の電極及び第4の電極の間
に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、第3の電極の端部は、第2の隔壁
に覆われ、第1の電極及び第3の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性
を有する同一の層から形成され、第2の電極及び第4の電極は同一の層から形成され、第
1の隔壁及び第2の隔壁は有機化合物及び電子受容体を含む複合材料からなる同一の層か
ら形成され、第2の電極が、第1の隔壁を介して第1の電極の端部と交差して、第3の電
極と電気的に接続する発光ユニットである。
上記本発明の一態様によれば、第1の電極の端部に有機化合物及び電子受容体を含む複合
材料からなる隔壁(複合材料層とも記す)が設けられている場所で第2の電極が該隔壁を
介して第1の電極の端部と交差し、第2の電極と第3の電極が電気的に接続し、第1の発
光素子と第2の発光素子が直列に接続される。これにより、第1の発光素子と第2の発光
素子が直列に接続されて駆動電圧が高められた発光ユニットを提供することができる。加
えて、第1の電極の端部に生じる段差部で第1の電極と第2の電極が短絡し難い、信頼性
の高い発光ユニットを提供することができる。さらに、複合材料層は形成が容易である。
また、本発明の一態様は、第2の電極の端部は第2の発光素子の発光性の有機化合物を含
む層(第2の層)と重なり、第4の電極の端部は第2の発光素子の発光性の有機化合物を
含む層(第2の層)と重なり、第2の発光素子の発光性の有機化合物を含む層(第2の層
)上で、第2の電極及び第4の電極が互いに電気的に絶縁される上記の発光ユニットであ
る。
上記本発明の一態様によれば、第2の発光素子の発光性の有機化合物を含む層上で第2の
電極と第4の電極が互いに電気的に絶縁される。このような構成により、第2の発光素子
の発光性の有機化合物を含む層を形成する工程においてその端部に厚さが薄い領域が形成
されてしまっても、当該領域は第3の電極と接続する第2の電極と重なる。よって、第3
の電極と第4の電極の間においては発光性の有機化合物を含む層の厚さを均一に保つこと
ができる。その結果、第3の電極と第4の電極の短絡を防ぎ、第2の発光素子の信頼性を
高めることができる。
また、本発明の一態様は、第2の発光素子が、第3の電極と電気的に接続する補助配線を
備え、補助配線は第3の電極より導電率の高い金属を含み、且つ第4の電極より外側の第
3の電極に接して設けられ、補助配線に第2の電極が接して、第2の電極が第3の電極と
電気的に接続する上記の発光ユニットである。
上記本発明の一態様によれば、金属を含む補助配線を介して第2の電極と第3の電極が電
気的に接続する。このような構成により、発光性の有機化合物が発する光を遮ることなく
、第3の電極内の電位の偏りを減らして第2の発光素子を均一に発光することができる。
又は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する第3の電極と第2の電極が
接触する界面の接続不良を防ぐことができる。
また、本発明の一態様は、第2の発光素子が、第3の電極の上に絶縁性の保護層を備え、
第2の電極の端部は保護層を介して第3の電極と重なり、第4の電極の端部は保護層を介
して第3の電極と重なり、保護層上で第2の電極と第4の電極が互いに電気的に絶縁され
る上記の発光ユニットである。
上記本発明の一態様によれば、第3の電極上の保護層上で第2の電極と第4の電極が互い
に電気的に絶縁される。保護層を設ける構成により、互いに電気的に絶縁された第2の電
極と第4の電極を形成する工程において、第1の発光素子と第2の発光素子が損傷をうけ
て短絡する不良を防ぐことができる。
また、本発明の一態様は、第1の発光素子の発光性の有機化合物を含む層(第1の層)並
びに第2の電極と重なる位置に、第1の電極と接して設けられる第1の副配線、又は/及
び第2の発光素子の発光性の有機化合物を含む層(第2の層)並びに第4の電極と重なる
位置に、第3の電極と接して設けられる第2の副配線、を備え、第1の副配線は第1の電
極より導電率が高い金属を含み、且つ第1の層に含まれる該発光性の有機化合物が発する
光に対して透光性を有し、第2の副配線は第3の電極より導電率が高い金属を含み、且つ
第2の層に含まれる該発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する上記の発光
ユニットである。
上記本発明の一態様によれば、第1の電極又は/及び第3の電極にそれぞれの電極より導
電率の高い金属を含む副配線を接して設ける構成とする。これにより、第1の電極内又は
/及び第3の電極内の電位の偏りを減らして第1の発光素子又は/及び第2の発光素子を
均一に発光することができる。
また、本発明の一態様は、コンバータを有し、コンバータの出力電圧により上記発光ユニ
ットを駆動する発光装置である。
上記本発明の一態様によれば、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを備えた発光装置
を提供することができる。又は、信頼性の高い発光ユニットを備えた発光装置を提供する
ことができる。
また、本発明の一態様は、上記発光ユニットを有する照明装置である。
上記本発明の一態様によれば、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを備えた照明装置
を提供することができる。又は、信頼性の高い発光ユニットを備えた照明装置を提供する
ことができる。
なお、本明細書中において、上述した、第1の隔壁、第2の隔壁、及び保護層を総称して
隔壁と記すことがある。
本発明によれば、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを提供することができる。又は
、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
又は、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを備えた発光装置を提供することができる
。又は、信頼性の高い発光ユニットを備えた発光装置を提供することができる。
又は、エネルギーの損失が少ない発光ユニットを備えた照明装置を提供することができる
。又は、信頼性の高い発光ユニットを備えた照明装置を提供することができる。
本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光ユニットの作製方法を示す図。 本発明の一態様の発光ユニットの作製方法を示す図。 本発明の一態様の発光ユニットの作製方法を示す図。 本発明の一態様の発光ユニットを示す図。 本発明の一態様の発光装置を示す図。 本発明の一態様の発光装置を示す図。 本発明の一態様に適用できるEL層を示す図。 本発明の一態様の照明装置を示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
本明細書で示す発光素子は、ボトムエミッション構造である。したがって、第1の電極は
発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットについて図1乃至図3、及び図14(
A)を用いて説明する。図1(B)は、図1(A)におけるA−A’間の断面図である。
また、図14(A)は、図1(A)におけるB−B’間の断面図である。
≪構成例≫
まず、本実施の形態で示す発光ユニットの構成について説明する。
なお、本明細書中において、発光素子は、それぞれ、下部電極と、上部電極と、下部電極
及び上部電極の間に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を有する。また、EL層
は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有し、そのほか、電子輸送性の高い物質を
含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の
高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)を含む
層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。
<構成例1>
図1(A)(B)、図14(A)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a
、配線133b、平坦化層134、隔壁107、第1の発光素子11、第2の発光素子1
2、及び第3の発光素子13を有する。
第1の発光素子11は、平坦化層134上に形成された第1の電極103aと、第1の電
極103a上に形成されたEL層102aと、EL層102a上に形成された第2の電極
108aとを備える。
第2の発光素子12は、平坦化層134上に形成された第1の電極103bと、第1の電
極103b上に形成されたEL層102bと、EL層102b上に形成された第2の電極
108bとを備える。
第3の発光素子13は、平坦化層134上に形成された第1の電極103cと、第1の電
極103c上に形成されたEL層102cと、EL層102c上に形成された第2の電極
108cとを備える。
第1の発光素子11において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。第
3の発光素子13において、第2の電極108cは、取り出し電極160を介して配線1
33bと接続している。取り出し電極160は、第1の電極と同様の材料で形成されてい
る。
構成例1では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で
、第2の電極108aが該隔壁107を介して第1の電極103aの端部と交差する。且
つ、第1の電極103bの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電
極108aが該隔壁107を介して第1の電極103bの端部と交差する。また、第2の
電極108aと第1の電極103bとは、直接接続している。よって、第1の発光素子1
1と第2の発光素子12は、直列接続している。同様に、第2の電極108bと第1の電
極103cとは、直接接続している。よって、第2の発光素子12と第3の発光素子13
は、直列接続している。
これにより、複数の発光素子が直列に接続されて駆動電圧が高められた発光ユニットを提
供することができる。
構成例1では、隔壁107が、第1の電極103aの端部を覆うように設けられている。
なお、隔壁107は順テーパ状の端部を有する。順テーパとは、断面において、ある層が
その端部からなだらかに厚さを増して下地となる層に接する構造をいう。順テーパ状とす
ることで、その上に形成する膜が途切れてしまう現象を防ぐことができる。よって、第1
の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと第2の電極108aが短絡
し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
また、構成例1では、隔壁107が、第1の電極103bの端部を覆うように設けられて
いる。よって、第1の電極103bの端部に生じる段差部で第2の電極108aが段切れ
し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
また、本発明の一態様では、隔壁107を有するため、第1の電極の端部の段差部で第1
の電極と第2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
また、信頼性を向上させるため、発光素子の上面を覆う封止膜を設けることが好ましい。
また、基板上に下地膜を設ける構成としても良い。封止膜や下地膜は、外部の水などから
発光素子を保護する機能を有する。封止膜や下地膜を設けることで、発光素子の劣化を軽
減し、発光ユニットの耐久性や寿命を向上させることができる。
封止膜は、例えば、透過率が10−6g/m・day以下程度のガスバリア性を備える
ものが好ましい。また、封止膜の構成としては、例えば無機物を含む層を少なくとも一層
、有機物を含む層の間に挟んで積層したものを用いることができる。有機物を含む層とし
ては、例えばエポキシ系などの接着材層を一例として挙げることができ、無機物を含む層
としては酸化珪素、窒化珪素などバリア性を有する膜を一例として挙げることができる。
具体的には、支持体となるフィルムに数十μmの厚みで熱硬化性樹脂(例えば、エポキシ
系接着剤)を塗布して乾燥し、その上に数μmの無機膜(例えば、酸化珪素膜)を成膜し
た第1部材に、離型フィルムに熱硬化性のエポキシを塗布して乾燥した第2部材を貼り合
わせて積層体を構成する。次いで、離型フィルムを剥がした該積層体の表面を上述の発光
素子の上面に向かい合わせて貼り合わせ、熱圧着したのちエポキシ樹脂を熱硬化すれば良
い。このような構成とすることで発光素子の劣化を軽減し、発光ユニットの耐久性や寿命
を向上させることができる。
図1(B)に示す第2の発光素子12は、EL層102bの一方の端部が第1の電極10
3b上にあり、他方の端部が隔壁107上にある構成となっている。さらに、第2の電極
108bの一方の端部がEL層102b上にあり、他方の端部が第3の発光素子13の第
1の電極103c上にある構成となっている。本発明の一態様の構成は、これに限られな
い。
例えば、図2(A)に示す第1の発光素子11のように、EL層102aの両方の端部が
隔壁107上にあり、第2の電極108bの両方の端部も隔壁107上にある構成として
も良い。
<構成例2>
具体的には、図2(A)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化
層134、第1の発光素子11、及び第2の発光素子12を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
第1の発光素子11において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。
構成例2では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で
第2の電極108aが該隔壁107を介して第1の電極103aの端部と交差する。且つ
、第1の電極103bの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電極
108aが該隔壁107を介して第1の電極103bの端部と交差する。また、第2の電
極108aと第1の電極103bとは、直接接続している。よって、第1の発光素子11
と第2の発光素子12は、直列接続している。
これにより、複数の発光素子が直列に接続されて駆動電圧が高められた発光ユニットを提
供することができる。
構成例2では、隔壁107が、第1の電極103aの端部を覆うように設けられている。
よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと第2の電極1
08aが短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
また、構成例2では、隔壁107が、第1の電極103bの端部を覆うように設けられて
いる。よって、第1の電極103bの端部に生じる段差部で第2の電極108aが段切れ
し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部と第1の電極103bの端部とを覆うように設
けられている領域と、第1の電極103b上に設けられている領域(保護層とも記す)と
を含む。
構成例2では、第2の電極108aの端部が第1の電極103b上の保護層(ここでは隔
壁107の一部である)を介して第1の電極103bと重なり、第2の電極108bの端
部が該保護層を介して第1の電極103bと重なる。構成例2では、該保護層上で第2の
電極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁される。保護層を設ける構成に
より、互いに電気的に絶縁された第2の電極108aと第2の電極108bを形成する工
程において、第1の発光素子11と第2の発光素子12が損傷をうけて短絡する不良を防
ぐことができる。
<構成例3>
図2(B)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、第
1の発光素子11、及び第2の発光素子12を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
第1の発光素子11において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。
構成例3では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で
第2の電極108aが該隔壁107を介して第1の電極103aの端部と交差する。且つ
、第1の電極103bの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電極
108aが該隔壁107を介して第1の電極103bの端部と交差する。また、第2の電
極108aと第1の電極103bとは、直接接続している。よって、第1の発光素子11
と第2の発光素子12は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子11と第2の発光素子12が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部と第1の電極103bの端部とを覆うように設
けられている。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103a
と第2の電極108aが短絡し難く、且つ第1の電極103bの端部に生じる段差部で第
2の電極108aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
構成例3では、第2の電極108aの端部がEL層102bと重なり、且つ、第2の電極
108bの端部がEL層102bと重なる。構成例3では、EL層102b上で第2の電
極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁される。このような構成により、
メタルマスクを用いて第2の発光素子12のEL層102bを形成する工程において、そ
の端部(具体的には第1の発光素子11側の端部)に厚さが薄い領域が形成されてしまっ
ても、当該領域は第1の電極103bと接続する第2の電極108aと重なる。よって、
第1の電極103bと第2の電極108bの間においてはEL層の厚さを均一に保つこと
ができる。その結果、第1の電極103bと第2の電極108bの短絡を防ぎ、第2の発
光素子12の信頼性を高めることができる。
なお、構成例1〜3では、隔壁上に、EL層の端部を形成する構成(隔壁を形成する工程
を行った後に、EL層を形成する工程を行うことで得られる)を示したが、本発明の一態
様では、EL層上に隔壁を形成する構成とすることもできる。
<構成例4>
図3(A)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、第
1の発光素子11、及び第2の発光素子12を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
第1の発光素子11において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。
構成例4では、第1の電極103aの端部にEL層102a及び絶縁性の隔壁107が設
けられている場所で第2の電極108aが該EL層102a及び該隔壁107を介して第
1の電極103aの端部と交差する。且つ、第1の電極103bの端部にEL層102a
及び絶縁性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電極108aが該EL層102
a及び該隔壁107を介して第1の電極103bの端部と交差する。また、第2の電極1
08aと第1の電極103bとは、直接接続している。よって、第1の発光素子11と第
2の発光素子12は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子11と第2の発光素子12が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部と第1の電極103bの端部とを覆うように設
けられている。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103a
と第2の電極108aが短絡し難く、且つ第1の電極103bの端部に生じる段差部で第
2の電極108aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
構成例4では、第2の電極108aの端部がEL層102bと重なり、且つ、第2の電極
108bの端部がEL層102bと重なる。構成例4では、EL層102b上で第2の電
極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁される。このような構成により、
第2の発光素子12のEL層102bを形成する工程においてその端部に厚さが薄い領域
が形成されてしまっても、当該領域は第1の電極103bと接続する第2の電極108a
と重なる。よって、第1の電極103bと第2の電極108bの間においてはEL層の厚
さを均一に保つことができる。その結果、第1の電極103bと第2の電極108bの短
絡を防ぎ、第2の発光素子12の信頼性を高めることができる。
構成例4では、隔壁107を有するため、第1の電極の端部の段差部で第1の電極と第2
の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
図3(A)では、EL層102aの一方の端部が第1の電極103a上にあり、他方の端
部が第1の電極103b上にある構成となっている。
図3(A)では、EL層102aが、第1の電極103aの端部と第1の電極103bの
端部とを覆うように設けられている。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部
で第1の電極103aと第2の電極108aが短絡し難く、且つ第1の電極103bの端
部に生じる段差部で第2の電極108aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提
供することができる。本発明の構成はこのような構成が好ましいが、これに限られない。
例えば、図3(B)に示すように、EL層102aの一方の端部が第1の電極103a上
にあり、他方の端部が基板100上にある構成としても良い。
≪材料≫
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
[基板]
基板100の材料としては、ガラス、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いる
ことができる。
基板100として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレ
フタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポ
リアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボ
ネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルフォン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロ
オレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂な
どを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラー
を有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
[封止膜・下地膜]
封止膜はバリア性を有する材料を用いて形成することができる。また、下地膜は、透光性
及びバリア性を有する無機材料を用いて形成することができる。例えば、基板として有機
樹脂を用いる場合には、下地膜として、25μm以上100μm以下の厚さのガラス層を
用いても良い。ガラス層の厚さは、代表的には、45μm以上80μm以下である。有機
樹脂基板とガラス層とを組み合わせることで水分又は不純物等が発光ユニットの外部から
発光素子に含まれる有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができ、かつ発
光ユニットの軽量化を実現することができる。
[発光素子]
第1の電極に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジ
ウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化
亜鉛などを用いることができる。
第1の電極の膜厚は、50nm以上300nm以下とし、代表的には100nm以上12
0nm以下である。
また、第1の電極として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄
、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。又は、そ
れら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等を用いても良い。又は、グラフェン等を
用いても良い。なお、金属材料(又はその窒化物)を用いる場合、透光性を有する程度に
薄くすれば良い。
EL層の構成例は実施の形態8で詳細に説明する。
第2の電極は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成さ
れる。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いるこ
とができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、
アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や銀
と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いた
め好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層する
ことでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材
料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。
[配線]
配線の材料としては、銅(Cu)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(
W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)
、ニッケル(Ni)、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単
層で又は積層して形成する。また、配線の材料としてアルミニウムを用いることもできる
が、その場合には直接ITOなどと直接接して設けると腐食する恐れがある。よって、配
線を積層構造とし、ITOなどと接しない層にアルミニウムを用いれば良い。本実施の形
態の配線は、チタン膜上に銅膜を積層する構成とした。銅は抵抗が低いため、好適に用い
ることができる。配線の膜厚は、2μm以上35μm以下とすることが好ましい。
[平坦化層]
平坦化層134は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等
の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記
有機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リ
ンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材
料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化層134を形成しても良い。
平坦化層134の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、ス
ピンコート法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等を用いることができる。
[隔壁]
隔壁の材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹
脂、又は無機絶縁材料を用いることができる。
下地となる層に順テーパ状の端部を接する他の層の側壁面の角度としては、例えば10度
以上85度以下、好ましくは60度以上80度以下を有する。
特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続
した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。具体的には、
絶縁膜の断面が描いている曲線の曲率半径が、0.2〜2μm程度であることが望ましい
隔壁の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、
液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)など
を用いれば良い。
隔壁の膜厚としては、例えば、20nm以上20μm以下とすれば良い。また、例えば、
20nm以上200nm以下とすれば良い。
さらに、構成例4においては、有機化合物と電子受容体(アクセプター)とを含む複合材
料を用いても良い。
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合
物を用いることができる。
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4
’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン
(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’
−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)
ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェ
ニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略
称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−
N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N
−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェ
ニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB又はα−NPD)、N,N’−ビス(3
−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジ
アミン(略称:TPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)
トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)等の芳香族アミン化合物や、4,4’−ジ(
N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カル
バゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−
アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−
[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:P
CzPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テ
トラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
また、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−
BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9
,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−t
ert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−B
uDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−
ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(
略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン
(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert
−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン
、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン等の芳香
族炭化水素化合物を用いることができる。
さらに、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、
9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,
10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス
[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブ
チル)ペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)
ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)
フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等の芳香族炭化水素化合物を用いることが
できる。
また、電子受容体としては、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフ
ルオロキノジメタン(略称:F−TCNQ)、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属
酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属
の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタ
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電
子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸
湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
なお、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニ
ルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルア
ミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略
称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(
フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化合物と、上述した電子
受容体を用いて複合材料を形成しても良い。
≪作製方法≫
本実施の形態で示した構成例1〜4の作製方法について、図11を用いて説明する。
<構成例1>(図1、図14(A)参照)
まず、基板100上に、配線133a、配線133bを形成する。配線133a、配線1
33bを構成する導電膜を形成したのち、公知のパターン形成方法を用いて形成すること
ができる。
次に、基板100及び配線133a、配線133bを覆う平坦化層134を形成する。平
坦化層134の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、SOG法、
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(
スクリーン印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコー
ター、ナイフコーター等を用いることができる。その後、配線133a、配線133bの
それぞれに達する開口部を形成する(図11(A))。
続いて、上記開口部を介して、配線133a、配線133bと接する導電膜を形成したの
ち、公知のパターン形成方法により、第1の電極103a〜c、及び取り出し電極160
を形成する。
その後、第1の電極103a〜cにおいて、これらの端部を覆い、且つこれらの隙間を埋
めるように隔壁107を形成する(図11(B))。
隔壁107は、後に形成されるEL層、及び第2の電極が段切れを起こさないよう、その
上端部に曲率を持つ形状とすることが好ましい。曲率を持つことで、段差被覆性を良好と
し、後に形成するEL層、及び第2の電極が極めて薄くとも成膜を可能とする。
次に、EL層102a〜cを形成する。これらEL層の形成は、後の実施の形態で例示す
る構成、方法を適宜用いて形成することができる。
最後に、第2の電極108a〜cを形成する(図11(C))。第2の電極は、例えばメ
タルマスクを用いた蒸着法、スパッタリング法などにより形成することができる。
以上の工程により、構成例1を形成することができる。
構成例2〜4は、構成例1と同様の作製方法をほぼ適用することができる。構成例1と異
なる点を以下に挙げる。
<構成例2>
構成例2で示した構成(図2(A))を形成するには、隔壁107を形成する際、第1の
電極上の隔壁107を同時に形成すれば良い。さらに、該第1の電極上の隔壁107を介
して、第2の電極の端部が第1の電極と重なるように、第2の電極を形成すれば良い。
<構成例3>
構成例3で示した構成(図2(B))を形成するには、第2の電極を形成する際、隣接す
る発光素子(具体的には、該第2の電極が直接接続する第1の電極を備える発光素子)の
EL層の上部に端部が接するように形成すれば良い。
<構成例4>
構成例4で示した構成(図3(A)(B))を形成するには、隔壁107の形成前に、E
L層の形成を行えば良い。さらに、第2の電極を形成する際、隣接する発光素子(具体的
には、該第2の電極が直接接続する第1の電極を備える発光素子)のEL層の上部に端部
が接するように形成すれば良い。
本実施の形態の発光ユニットは、隔壁107を有するため、第1の電極の端部の段差部で
第1の電極と第2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができ
る。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットについて図4、図5及び図14(B)
を用いて説明する。図4(B)は、図4(A)におけるC−C’間の断面図である。また
、図14(B)は、図4(A)におけるD−D’間の断面図である。
図4(A)に示す副配線は、櫛歯状に形成されている。副配線の形状はこれに限られない
本実施の形態で示す発光ユニットには、第1の電極と接して副配線が設けられている。副
配線を有することで、第1の電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制することができる。ま
た、本実施の形態で示す発光ユニットにおいて、副配線は、EL層及び第2の電極と重な
る位置に設けられている。また、副配線は、第1の電極よりも導電率が高い金属を含む。
また、副配線は発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する。
≪構成例≫
まず、本実施の形態で示す発光ユニットの構成について説明する。
<構成例5>
図4(A)(B)、図14(B)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a
、配線133b、平坦化層134、第1の発光素子21、第2の発光素子22及び第3の
発光素子23を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された副配線と、副配線上に形成された第1の電
極と、第1の電極上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極を備える。
第1の発光素子21において、副配線131aは、配線133aと接続している。第3の
発光素子23において、第2の電極108cは、取り出し電極161、取り出し電極16
2を介して配線133bと接続している。取り出し電極161は、副配線と同様の材料で
形成されており、取り出し電極162は、第1の電極と同様の材料で形成されている。
構成例5では、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部に絶縁性の隔壁10
7が設けられている場所で第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部と第2の
電極108aとが交差する。また、第2の電極108aと副配線131bとは、直接接続
している。また、副配線131bと第1の電極103bとは、直接接続している。したが
って、第2の電極108aと第1の電極103bとは電気的に接続している。これにより
、第1の発光素子21と第2の発光素子22は、直列接続している。
同様に、第2の電極108bと副配線131cとは、直接接続している。また、副配線1
31cと第1の電極103cとは、直接接続している。したがって、第2の電極108b
と第1の電極103cとは電気的に接続している。これにより、第2の発光素子22と第
3の発光素子23は、直列接続している。
これにより、複数の発光素子が直列に接続されて駆動電圧が高められた発光ユニットを提
供することができる。
構成例5では、隔壁107が、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部を覆
うように設けられている。よって、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部
に生じる段差部で第1の電極103aと第2の電極108aが短絡し難い、信頼性の高い
発光ユニットを提供することができる。また、構成例5では、隔壁107が、副配線13
1bの端部を覆うように設けられている。
第1の電極に用いる透光性を有する材料として導電性酸化物を用いると、第2の電極に用
いる金属との組み合わせによっては、第1の電極と第2の電極との界面に絶縁性酸化物膜
が形成される場合がある。絶縁性酸化物膜が形成されると、電気抵抗が高くなり、発光ユ
ニットの消費電力が高くなってしまう。
しかし、図4(B)では、副配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する
構成となっている。したがって、副配線の材料を適宜選択することで、絶縁性酸化物膜が
形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
なお、EL層は、メタルマスクを用いて形成すると、端部が薄くなることがある。よって
、EL層は十分に広く形成することが好ましい。EL層を十分に広く形成した結果、図4
(B)に示すように、EL層102bが第1の電極103bの端部を覆う構成となっても
良い。このとき、第2の電極108aは、少なくとも一部で副配線131bと接していれ
ば、端部が、EL層102b上に設けられていても良い。もちろん、EL層102bの端
部が第1の電極103b上にある構成としても良い。これは、第1の発光素子21及び第
2の発光素子22においてだけでなく、第2の発光素子22及び第3の発光素子23にお
いても同様のことが言える。
図4(B)に示す第2の発光素子22は、EL層102bの一方の端部が第1の電極10
3bを覆い、他方の端部が隔壁107上にある構成となっている。さらに、第2の電極1
08bの一方の端部がEL層102b上にあり、他方の端部が副配線131c上にある構
成となっている。本発明の一態様の構成は、これに限られない。
例えば、図5(A)に示す第1の発光素子21のように、EL層102aの両方の端部が
隔壁107上にあり、第2の電極108aの両方の端部も隔壁107上にある構成として
も良い。
<構成例6>
具体的には、図5(A)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化
層134、第1の発光素子21、及び第2の発光素子22を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された副配線と、副配線上に形成された第1の電
極と、第1の電極上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極を備える。
第1の発光素子21において、副配線131aは、配線133aと接続している。
構成例6では、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部に絶縁性の隔壁10
7が設けられている場所で第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部と第2の
電極108aとが交差する。また、第2の電極108aと副配線131bとは、直接接続
している。また、副配線131bと第1の電極103bとは、直接接続している。したが
って、第2の電極108aと第1の電極103bとは電気的に接続している。これにより
、第1の発光素子21と第2の発光素子22は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子21と第2の発光素子22が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図5(A)では、副配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する構成とな
っている。したがって、構成例5と同様、副配線の材料を適宜選択することで、絶縁性酸
化物膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
隔壁107は、副配線131aの端部及び第1の電極103aの端部、並びに副配線13
1bの端部を覆うように設けられている領域と、副配線131b及び第1の電極103b
上に設けられている領域とを含む。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で
第1の電極103aと第2の電極108aが短絡し難く、且つ第1の電極103bの端部
に生じる段差部で第2の電極108aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供
することができる。
構成例6では、第1の電極103b及び副配線131b上の保護層(ここでは隔壁107
の一部である)上で第2の電極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁され
る。保護層を設ける構成により、互いに電気的に絶縁された第2の電極108aと第2の
電極108bを形成する工程において、第1の発光素子21と第2の発光素子22が損傷
をうけて短絡する不良を防ぐことができる。
図4及び図5(A)では、副配線上に第1の電極を設ける構成を示したが、本発明の一態
様では、第1の電極上に副配線を設ける構成とすることもできる。
<構成例7>
図5(B)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、第
1の発光素子31及び第2の発光素子32を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極と上に形成され
た副配線と、副配線上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極を備える
第1の発光素子31において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。
構成例7では、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部に絶縁性の隔壁10
7が設けられている場所で第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部と第2の
電極108aとが交差する。且つ、第1の電極103b及び副配線131bの端部に絶縁
性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電極108aが該隔壁107を介して第
1の電極103bの端部及び副配線131bの端部と交差する。また、第2の電極108
aと副配線131bとは、直接接続している。また、副配線131bと第1の電極103
bとは、直接接続している。したがって、第2の電極108aと第1の電極103bとは
電気的に接続している。これにより、第1の発光素子31と第2の発光素子32は、直列
接続している。
これにより、第1の発光素子31と第2の発光素子32が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図5(B)では、構成例5、6と同様に、副配線を介して、第1の電極と第2の電極が電
気的に接続する構成となっている。したがって、副配線の材料を適宜選択することで、絶
縁性酸化物膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部、並びに副配線13
1bの端部及び第1の電極103bの端部を覆うように設けられている。よって、第1の
電極103aの端部及び副配線131aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと第
2の電極108aとが短絡し難く、且つ第1の電極103bの端部及び副配線131bの
端部に生じる段差部で第2の電極108aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを
提供することができる。
なお、EL層は、メタルマスクを用いて形成すると、端部が薄くなることがある。よって
、EL層は十分に広く形成することが好ましい。EL層を十分に広く形成した結果、第2
の電極108aの端部がEL層102b上に設けられていても、少なくとも第2の電極1
08aの一部が副配線131bと接していれば良い。
図5(B)に示す第2の発光素子32は、EL層102bの一方の端部が副配線131b
上にあり、他方の端部が隔壁107上にある構成となっている。また、第2の電極108
bの一方の端部がEL層102b上にあり、他方の端部が副配線上にある構成となってい
る。本発明の一態様の構成は、これに限られない。
例えば、図5(C)に示す第2の発光素子32のように、EL層102bの両方の端部が
隔壁107上にあり、第2の電極108bの両方の端部も隔壁107上にある構成として
も良い。
<構成例8>
具体的には、図5(C)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化
層134、第1の発光素子31及び第2の発光素子32を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
副配線と、副配線上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極を備える。
第1の発光素子31において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。
構成例8では、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部に絶縁性の隔壁10
7が設けられている場所で第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部と第2の
電極108aとが交差する。且つ、第1の電極103b及び副配線131bの端部に絶縁
性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電極108aが該隔壁107を介して第
1の電極103bの端部及び副配線131bの端部と交差する。また、第2の電極108
aと副配線131bとは、直接接続している。また、副配線131bと第1の電極103
bとは、直接接続している。したがって、第2の電極108aと第1の電極103bとは
電気的に接続している。これにより、第1の発光素子31と第2の発光素子32は、直列
接続している。
これにより、第1の発光素子31と第2の発光素子32が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図5(C)では、構成例5〜7と同様に、副配線を介して、第1の電極と第2の電極が電
気的に接続する構成となっている。したがって、副配線の材料を適宜選択することで、絶
縁性酸化物膜が形成され電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
構成例8では、副配線131b上の保護層(ここでは隔壁107の一部である)を介して
、第2の電極108aの端部が第1の電極103bと重なり、該保護層を介して、第2の
電極108bの端部が第1の電極103bと重なる。構成例8では、該保護層上で第2の
電極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁される。保護層を設ける構成に
より、互いに電気的に絶縁された第2の電極108aと第2の電極108bを形成する工
程において、第1の発光素子31と第2の発光素子32が損傷をうけて短絡する不良を防
ぐことができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部、並びに副配線13
1bの端部及び第1の電極103bの端部を覆うように設けられている領域と、副配線1
31b上に設けられている領域とを含む。よって、第1の電極103aの端部に生じる段
差部で第1の電極103a及び副配線131aと第2の電極108aとが短絡し難く、且
つ第1の電極103bの端部及び副配線131bの端部に生じる段差部で第2の電極10
8aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
≪材料≫
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
基板、配線、平坦化層、発光素子、隔壁は、実施の形態1と同様の構成を適用することが
できる。
なお、本実施の形態は、副配線を備える構成であるため、第1の電極の膜厚は、70nm
以上100nm以下まで薄くしても、抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
また、本実施の形態は、副配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する構
成である。よって、第1の電極と第2の電極が接しても、界面に絶縁性酸化物膜が形成さ
れることが無いため、第2の電極として、アルミニウムの単層を用いても良い。
[副配線]
副配線の材料は、銅(Cu)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)
、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)、ニ
ッケル(Ni)から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又
は積層して形成する。また、副配線の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、
その場合には上記した腐食の問題が生じないように積層構造とし、ITOなどと接しない
層にアルミニウムを用いれば良い。副配線は、発光性の有機化合物が発する光に対して透
光性を有する。副配線の膜厚は、3nm以上30nm以下とし、好ましくは5nm以上1
5nm以下とする。
≪作製方法≫
本実施の形態で示した構成例5〜8の作製方法について、図12を用いて説明する。
<構成例5>(図4、図14(B)参照)
基板100上に配線133a、配線133b、平坦化層134を形成し、配線133a及
び配線133bに達する開口部を形成する工程までは実施の形態1で示した方法と同じで
あるため、説明を省略する(図12(A))。
続いて、上記開口部を介して、配線133a及び配線133bと接し、後の副配線となる
導電膜を形成したのち、連続的に後の第1の電極となる導電膜を形成する。その後、まず
公知のパターン形成方法により、第1の電極103a〜c、及び取り出し電極162を形
成し、続いて副配線131a〜c、及び取り出し電極161を形成する。
その後、第1の電極103a〜cの片方の端部を覆い、且つ副配線131a〜cの隙間を
埋めるように隔壁107を形成する(図12(B))。
隔壁107は、後に形成されるEL層、及び第2の電極が段切れを起こさないよう、その
上端部に曲率を持つ形状とすることが好ましい。曲率を持つことで、段差被覆性を良好と
し、後に形成するEL層、及び第2の電極が極めて薄くとも成膜を可能とする。
次に、第1の電極103a〜cの露出部を覆うEL層102a〜cを形成する。これらE
L層の形成は、後の実施の形態で例示する構成、方法を適宜用いて形成することができる
最後に、EL層の一部と、隔壁107を覆うように第2の電極108a〜cを形成する(
図12(C))。第2の電極は、上記実施の形態で例示した方法により形成することがで
きる。
以上の工程により、構成例5を形成することができる。
構成例6〜8は、構成例5と同様の作製方法をほぼ適用することができる。構成例5と異
なる点を以下に挙げる。
<構成例6>
構成例6で例示した構成(図5(A))を形成するには、隔壁107を形成する際、第1
の電極の他方の端部を覆う隔壁107を同時に形成すれば良い。さらに、該第1の電極の
他方の端部を覆う隔壁107を介して、第2の電極の端部が第1の電極と重なるように、
第2の電極を形成すれば良い。
<構成例7>
構成例7で例示した構成(図5(B))を形成するには、平坦化層134に開口部を形成
した後、まず後の第1の電極となる導電膜を形成し、続いて後の副配線となる導電膜を形
成する。続いて副配線131a〜c、及び取り出し電極161を形成した後、同様のパタ
ーンを用いて第1の電極103a〜c、及び取り出し電極162を形成する。さらに、隔
壁107を形成する際に、副配線131a〜cの隙間を覆う隔壁107とすれば良い。
<構成例8>
構成例8で例示した構成(図5(C))を形成するには、構成例7の形成方法において、
隔壁107を形成する際に、副配線131b上の隔壁107も同時に形成すれば良い。さ
らに、該副配線131b上の隔壁107を介して、第2の電極の端部が第1の電極と重な
るように、第2の電極を形成すれば良い。
本実施の形態の発光ユニットは、隔壁107を有するため、第1の電極の端部の段差部で
第1の電極と第2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができ
る。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットについて図6乃至図8、図14(C)
を用いて説明する。図6(B)は、図6(A)におけるE−E’間の断面図である。また
、図14(C)は、図6(A)におけるF−F’間の断面図である。
本実施の形態で示す発光ユニットには、第1の電極と接して補助配線が設けられている。
補助配線を有することで、第1の電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制することができる
。補助配線は、第1の電極より導電率が高い金属を含む。
≪構成例≫
まず、本実施の形態で示す発光ユニットの構成について説明する。
<構成例9>
図6(B)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、配線133b、平坦
化層134、補助配線132a、補助配線132b、補助配線132c、第1の発光素子
41、第2の発光素子42、及び第3の発光素子43を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
補助配線132aは、配線133aと接続している。さらに、補助配線132aは、第1
の電極103aと接続している。よって、配線133aと第1の電極103aは電気的に
接続している。第3の発光素子43において、第2の電極108cは、取り出し電極16
3を介して配線133bと接続している。取り出し電極163は、補助配線と同様の材料
で形成されている。
構成例9では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で
第1の電極103aの端部と第2の電極108aとが交差する。また、第2の電極108
aと補助配線132bとは、直接接続している。また、補助配線132bと第1の電極1
03bとは、直接接続している。具体的には、補助配線132bは第2の電極108bよ
り外側の第1の電極103bに接して設けられている。したがって、第2の電極108a
と第1の電極103bとは電気的に接続している。これにより、第1の発光素子41と第
2の発光素子42は、直列接続している。
同様に、第2の電極108bと補助配線132cとは、直接接続している。また、補助配
線132cと第1の電極103cとは、直接接続している。したがって、第2の電極10
8bと第1の電極103cとは電気的に接続している。これにより、第2の発光素子42
と第3の発光素子43は、直列接続している。
これにより、複数の発光素子が直列に接続されて駆動電圧が高められた発光ユニットを提
供することができる。
第1の電極に用いる透光性を有する材料として導電性酸化物を用いると、第2の電極に用
いる金属との組み合わせによっては、第1の電極と第2の電極との界面に絶縁性酸化物膜
が形成される場合がある。絶縁性酸化物膜が形成されると、電気抵抗が高くなり、発光ユ
ニットの消費電力が高くなってしまう。
しかし、図6(B)では、補助配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続す
る構成となっている。したがって、補助配線の材料を適宜選択することで、絶縁性酸化物
膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
なお、隔壁107は、図7(A)に示すように、少なくとも第1の電極103aの端部を
覆っていれば良い。図6(B)のように、隔壁107が、第1の電極103aの端部と補
助配線132bの端部とを覆うように設けられていることが好ましい。図6(B)の構成
を適用することで、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと第
2の電極108aが短絡し難く、且つ補助配線132bの端部に生じる段差部で第2の電
極108aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
図6(B)及び図7(A)に示す発光素子は、EL層の両方の端部が隔壁上にあり、第2
の電極の両方の端部も隔壁上にある構成となっている。
構成例9では、補助配線132b及び第1の電極103b上の保護層(ここでは隔壁10
7の一部である)上で第2の電極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁さ
れる。保護層を設ける構成により、互いに電気的に絶縁された第2の電極108aと第2
の電極108bを形成する工程において、第1の発光素子41と第2の発光素子42が損
傷をうけて短絡する不良を防ぐことができる。
なお、本発明の一態様の構成は、これに限られない。例えば、図7(B)に示す第2の発
光素子42のように、EL層の一方の端部が第1の電極上にあり、他方の端部が隔壁上に
あり、さらに、第2の電極の一方の端部がEL層上にあり、他方の端部が補助配線上にあ
る構成としても良い。
<構成例10>
具体的には、図7(B)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化
層134、補助配線132a、補助配線132b、第1の発光素子41及び第2の発光素
子42を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
補助配線132aは、配線133aと接続している。さらに、補助配線132aは、第1
の電極103aと接続している。よって、配線133aと第1の電極103aは電気的に
接続している。
構成例10では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所
で第1の電極103aの端部と第2の電極108aとが交差する。また、第2の電極10
8aと補助配線132bとは、直接接続している。また、補助配線132bと第1の電極
103bとは、直接接続している。具体的には、補助配線132bは第2の電極108b
より外側の第1の電極103bに接して設けられている。したがって、第2の電極108
aと第1の電極103bとは電気的に接続している。これにより、第1の発光素子41と
第2の発光素子42は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子41と第2の発光素子42が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図7(B)では、補助配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する構成と
なっている。したがって、構成例9と同様、補助配線の材料を適宜選択することで、絶縁
性酸化物膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
図7(B)では、隔壁107が、第1の電極103aの端部を覆うように設けられている
。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと第2の電極
108aが短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。さらに、図
7(C)のように、隔壁107が、第1の電極103aの端部と補助配線132bの端部
とを覆うように設けられていることが好ましい。補助配線132bの端部も覆う構成とす
ることで、補助配線132bの端部に生じる段差部で第2の電極108aが段切れし難い
、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
構成例9、10では、補助配線上に第1の電極の一方の端部を形成する構成(補助配線を
形成する工程を行った後に、第1の電極を形成する工程を行うことで得られる)を示した
が、本発明の一態様では、第1の電極上に補助配線の一方の端部を設ける構成(第1の電
極を形成する工程を行った後に、補助配線を形成する工程を行うことで得られる)とする
こともできる。
なお、EL層は、メタルマスクを用いて形成すると、端部が薄くなることがある。よって
、EL層は十分に広く形成することが好ましい。EL層を十分に広く形成した結果、EL
層102bが第1の電極103bの端部を覆う構成となっても良い。このとき、第2の電
極108aは、少なくとも一部で補助配線132bと接していれば良い。これは、第1の
発光素子41及び第2の発光素子42においてだけでなく、第2の発光素子42及び第3
の発光素子43においても同様のことが言える。
<構成例11>
図8(A)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、補
助配線132a、補助配線132b、第1の発光素子41及び第2の発光素子42を有す
る。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
補助配線132aは、配線133aと接続している。さらに、補助配線132aは、第1
の電極103aと接続している。よって、配線133aと第1の電極103aは電気的に
接続している。
構成例11では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所
で第1の電極103aの端部と第2の電極108aとが交差する。また、第2の電極10
8aと補助配線132bとは、直接接続している。また、補助配線132bと第1の電極
103bとは、直接接続している。具体的には、補助配線132bは第2の電極108b
より外側の第1の電極103bに接して設けられている。したがって、第2の電極108
aと第1の電極103bとは電気的に接続している。これにより、第1の発光素子41と
第2の発光素子42は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子41と第2の発光素子42が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図8(A)では、補助配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する構成と
なっている。したがって、構成例9、10と同様、補助配線の材料を適宜選択することで
、絶縁性酸化物膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部及び補助配線132bの端部を覆うように設け
られている。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと
第2の電極108aが短絡し難く、且つ補助配線132bに生じる段差部で第2の電極1
08aが段切れし難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
また、以下の構成例12に例示するように、EL層の両方の端部が隔壁上にあり、第2の
電極の両方の端部も隔壁上にある構成としても良い。
<構成例12>
図8(B)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、補
助配線132a、補助配線132b、第1の発光素子41及び第2の発光素子42を有す
る。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
EL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える。
補助配線132aは、配線133aと接続している。さらに、補助配線132aは、第1
の電極103aと接続している。よって、配線133aと第1の電極103aは電気的に
接続している。
構成例12では、第1の電極103aの端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所
で第1の電極103aの端部と第2の電極108aとが交差する。且つ、第1の電極10
3b端部に絶縁性の隔壁107が設けられている場所で、第2の電極108aが該隔壁1
07を介して第1の電極103bの端部と交差する。また、第2の電極108aと補助配
線132bとは、直接接続している。また、補助配線132bと第1の電極103bとは
、直接接続している。具体的には、補助配線132bは第2の電極108bより外側の第
1の電極103bに接して設けられている。したがって、第2の電極108aと第1の電
極103bとは電気的に接続している。これにより、第1の発光素子41と第2の発光素
子42は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子41と第2の発光素子42が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図8(B)では、補助配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する構成と
なっている。したがって、構成例9〜11と同様、補助配線の材料を適宜選択することで
、絶縁性酸化物膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部と補助配線132bの端部とを覆うように設け
られている領域と、補助配線132b及び第1の電極103b上に設けられている領域と
を含む。
構成例12では、補助配線132b及び第1の電極103b上の保護層(ここでは隔壁1
07の一部である)を介して、第2の電極108aの端部が第1の電極103bと重なり
、該保護層を介して、第2の電極108bの端部が第1の電極103bと重なる。構成例
12では、該保護層上で第2の電極108aと第2の電極108bが互いに電気的に絶縁
される。保護層を設ける構成により、互いに電気的に絶縁された第2の電極108aと第
2の電極108bを形成する工程において、第1の発光素子41と第2の発光素子42が
損傷をうけて短絡する不良を防ぐことができる。
また、先の実施の形態に記した副配線と組み合わせて、補助配線を設けることができる。
以下に一例を記す。
<構成例13>
図8(C)に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、補
助配線132a、補助配線132b、第1の発光素子51及び第2の発光素子52を有す
る。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された副配線と、副配線上に形成された第1の電
極と、第1の電極上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極とを備える
補助配線132aは、配線133a及び副配線131aと接続している。さらに、副配線
131aは、第1の電極103aと接続している。よって、配線133aと第1の電極1
03aは電気的に接続している。
構成例13では、第1の電極103a及び副配線131aの端部に絶縁性の隔壁107が
設けられている場所で第1の電極103aの端部及び副配線131aの端部と第2の電極
108aとが交差する。また、第2の電極108aと補助配線132bとは、直接接続し
ている。また、補助配線132bと副配線131bとは、直接接続している。また、副配
線131bと第1の電極103bとは、直接接続している。したがって、第2の電極10
8aと第1の電極103bとは電気的に接続している。これにより、第1の発光素子51
と第2の発光素子52は、直列接続している。
これにより、第1の発光素子51と第2の発光素子52が直列に接続されて駆動電圧が高
められた発光ユニットを提供することができる。
図8(C)では、補助配線及び副配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続
する構成となっている。したがって、補助配線及び副配線の材料を適宜選択することで、
絶縁性酸化物膜が形成され、電気抵抗が高くなる現象を抑制することができる。
隔壁107は、第1の電極103aの端部と副配線131aの端部とを覆うように設けら
れている。よって、第1の電極103aの端部に生じる段差部で第1の電極103aと第
2の電極108aが短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができる。
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
基板、配線、平坦化層、発光素子、隔壁、副配線は、先の実施の形態と同様の構成を適用
することができる。
また、本実施の形態は、補助配線を介して、第1の電極と第2の電極が電気的に接続する
構成である。よって、第1の電極と第2の電極との界面に絶縁性酸化物膜が形成されるこ
とが無いため、第2の電極として、アルミニウムの単層を用いても良い。
[補助配線]
補助配線の材料は、銅(Cu)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W
)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)、
ニッケル(Ni)から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で
又は積層して形成する。また、補助配線の材料としてアルミニウムを用いることもできる
が、その場合には上記した腐食の問題が生じないように積層構造とし、ITOなどと接し
ない層にアルミニウムを用いれば良い。補助配線の膜厚は、0.1μm以上3μm以下と
することができ、好ましくは、0.1μm以上0.5μm以下とする。
本実施の形態で示した構成例9〜12の作製方法について、図13を用いて説明する。
<構成例9>(図6、図14(C)参照)
ここで、基板100上に配線133a、配線133b、平坦化層134を形成し、配線1
33a、配線133bに達する開口部を形成する工程までは実施の形態1で示した方法と
同じであるため、説明を省略する(図13(A))。
続いて、上記開口部を介して、配線133a及び配線133bと接し、後の補助配線とな
る導電膜を形成し公知のパターン形成方法により不要な部分を除去し、補助配線132a
〜c、及び取り出し電極163を形成する。
さらに、後の第1の電極となる導電膜を形成したのち不要な部分を除去することにより、
第1の電極103a〜cを形成する。
その後、第1の電極103a〜cの片方の端部と、補助配線132a〜cの片方の端部と
の隙間を覆う隔壁107を形成すると同時に、補助配線132a〜c上に第1の電極10
3a〜cの他方の端部を覆う隔壁107を形成する(図13(B))。
隔壁107は、後に形成されるEL層、及び第2の電極が段切れを起こさないよう、その
上端部に曲率を持つ形状とすることが好ましい。曲率を持つことで、段差被覆性を良好と
し、後に形成するEL層、及び第2の電極が極めて薄くとも成膜を可能とする。
次に、第1の電極103a〜cの露出部を覆うEL層102a〜cを形成する。これらE
L層の形成は、後の実施の形態で例示する構成、方法を用いて適宜形成することができる
最後に、EL層102a〜cの露出部を覆い、且つ補助配線132a〜cの露出部と接す
るように、第2の電極108a〜cを形成する(図13(C))。第2の電極は、上記実
施の形態で例示した方法により形成することができる。
以上の工程により、構成例9(図6)を形成することができる。
なお、構成例9で例示した図7(A)の構成を形成するには、隔壁107を形成する際、
補助配線の一方の端部を露出するように隔壁107を形成すれば良い。
<構成例10>
構成例10で例示した図7(B)の構成を形成するには、図7(A)の構成の作製方法に
おいて、隔壁107を形成する際、補助配線上の第1の電極の他方の端部を覆う隔壁10
7を形成せず、且つ、第2の電極の端部を、補助配線上に形成すれば良い。また、図7(
C)の構成を形成するには、隔壁107の形成時に第1の電極と補助配線との間の隙間を
覆うように隔壁107を形成すれば良い。
<構成例11>
構成例11で例示した図8(A)の構成とするには、図7(C)の構成の作製方法におい
て、補助配線の形成前に第1の電極を形成すれば良い。
<構成例12>
構成例12で例示した図8(B)の構成とするには、図6(B)の構成の作製方法におい
て、補助配線の形成前に第1の電極を形成すれば良い。
また、構成例13で例示した図8(C)の構成とするには、図7(B)の構成の作製方法
において、第1の電極となる導電膜を形成する前に、副配線となる導電膜を形成し、同一
パターンを用いて第1の電極、副配線の順に不要な部分を除去して形成すれば良い。
本実施の形態の発光ユニットは、隔壁107を有するため、第1の電極の端部の段差部で
第1の電極と第2の電極が短絡し難い、信頼性の高い発光ユニットを提供することができ
る。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットについて、図9を用いて説明する。
<変形例1>
図9に示す発光ユニットは、基板100上に、配線133a、平坦化層134、第1の発
光素子61及び第2の発光素子62を有する。
各発光素子は、平坦化層134上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された
複合材料層135と、複合材料層135上に形成されたEL層と、EL層上に形成された
第2の電極とを備える。
第1の発光素子61において、第1の電極103aは、配線133aと接続している。
第2の電極108aと第1の電極103bとは、複合材料層135を介して電気的に接続
している。これにより、第1の発光素子61と第2の発光素子62が直列に接続されて駆
動電圧が高められた発光ユニットを提供することができる。
複合材料層135は、図面における縦方向(厚さ方向)では抵抗が十分に小さいため導通
し、図面における横方向では抵抗が十分にあるため導通しない。
変形例1は、先の形態に示した隔壁を設けないため、隔壁を形成するためのフォトマスク
を用いる必要が無く、工程が簡略化される。変形例1は、隔壁の代わりに、安価なメタル
マスクを用いて形成できる複合材料層135を設けるため、作製コストを抑えることがで
きる。
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
基板、配線、平坦化層、発光素子は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる
[複合材料層]
複合材料層135に用いることができる材料としては、有機化合物と電子受容体(アクセ
プター)とを混合してなる複合材料が挙げられる。具体的には、実施の形態1に記した材
料を用いることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットについて図10(A)を用いて説明す
る。
有機EL素子を用いた発光ユニットは、屈折率が大気より高い領域で発光するため、光を
大気中に取り出すときに発光ユニット内、又は発光ユニットと大気との境界面で全反射が
起こる条件があり、発光ユニットの光取り出し効率は100%より小さいという問題があ
る。一般的には、発光ユニットの光取り出し効率は、20〜30%程度と言われている。
具体的には、発光性の有機化合物を含む層の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒体Bへ
、媒体Bよりも屈折率の高い媒体Aから光が入射する際に、入射する角度により全反射す
ることがある。
このとき、媒体Aと媒体Bとの界面に凹凸の構造を設けることが好ましい。このような構
成にすることで、媒体Aから媒体Bに臨界角を超えて入射する光が全反射し、発光ユニッ
ト内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができる。
下記に記す本発明の一態様の発光ユニットの光取り出し効率は、本発明を適用していない
発光ユニットの1.2〜2倍程度にすることができる。
<変形例2>
図10(A)に示す発光ユニットは、基板100の大気と接する側の面に凹凸の構造11
8を有する以外は、実施の形態1に示した構成例1と同様の構成である。変形例2に適用
できる構成例は、構成例1に限られず、先の実施の形態に示した構成を適宜適用すること
ができる。
基板100の屈折率は大気の屈折率よりも大きいため、基板100と大気との界面で全反
射が起こることがある。変形例2では、大気と基板100の界面に凹凸の構造118を設
けているため、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光ユニットの光の取り
出し効率を向上させることができる。
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
基板、発光素子、隔壁は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。
[凹凸の構造]
凹凸の構造118は、ストライプ状であっても効果を奏するが、マトリクス状であること
が好ましい。凹凸のパターンは、特に限定されず、例えば、円錐、角錐(三角錐、四角錐
等)、傘状などの頂点を有する形状や、半球状とすることができる。
凹凸の大きさ、高さについては、0.1μm以上1000μm以下程度とすることが好ま
しい。特に、1μm以上であると、光の干渉による影響を抑制することができるため、好
ましい。なお、凹凸の構造は、1000μmを超えた大きさ、高さの構造を採用しても問
題ない。
パターンは、隣り合う部分において隙間が生じないように設けられていることが好ましい
。例えば、パターンは最密充填で配置されることが好ましい。また、パターンは基板の大
気と接する面全面又は一部に形成すれば良い。少なくとも発光領域に形成されていること
が好ましい。
基板の表面に、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸の構造が施された樹脂、凹凸
の構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を、公知の接着剤等を用いて接着すること
で凹凸の構造を形成することができる。
また、基板に直接凹凸の構造を形成しても良い。基板に直接凹凸の構造を形成する方法と
しては、例えば、エッチング法、砥粒加工法(サンドブラスト法)、マイクロブラスト加
工法、液滴吐出法や、印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成され
る方法)、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法、ナノインプ
リント法等を適宜用いることができる。
本発明の一態様では、大気と接する面に凹凸の構造を設けることで、全反射の影響で大気
に取り出せない光を低減し、発光ユニットの光の取り出し効率を向上させることができる
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットについて図10(B)(C)を用いて
説明する。
実施の形態1では、発光素子の第1の電極と平坦化層とが接し、平坦化層と基板とが接す
る構成を示した(例えば図1参照)。一般に、基板に用いる材料の屈折率は、EL層の屈
折率(例えば、1.6以上)よりも低い(例えば、ガラスの屈折率は1.5程度である)
。よって、第1の電極から平坦化層を介して基板に光が入射する際に、全反射することが
ある。したがって、全反射が起こる条件がある界面に凹凸の構造体を設けることが好まし
い。
しかし、第1の電極が凹凸を有すると、第1の電極上に形成されるEL層等において、リ
ーク電流が生じる恐れがある。
本実施の形態で説明する発光ユニットは、基板上に凹凸の構造体を有し、該凹凸の構造体
上に樹脂層及び平坦化層が設けられ、平坦化層上に第1の電極を備えるため、EL層等で
のリーク電流の発生を抑制できる。
また、凹凸の構造体を有するため、基板と樹脂層との界面における全反射の影響で大気に
取り出せない光を低減し、発光ユニットの光の取り出し効率を向上させることができる。
また、樹脂層及び平坦化層は、それぞれEL層(特に発光性の有機化合物を含む層)の屈
折率以上の材料により形成することで、発光ユニット内で起こる全反射が抑制された構成
の発光ユニットを実現することができる。
<変形例3>
図10(B)に示す発光ユニットは、基板100上に凹凸の構造体122を有する。さら
に、凹凸の構造体122上に樹脂層124を有する。これら以外は、実施の形態1に示し
た構成例1と同様の構成である。変形例3に適用できる構成例は、構成例1に限られず、
先の実施の形態に示した構成を適宜適用することができる。
変形例3において、平坦化層134の屈折率及び樹脂層124の屈折率は、それぞれ独立
に、EL層が備える発光性の有機化合物を含む層の屈折率以上又は第1の電極の屈折率以
上である。このような構成とすることで、樹脂層124と平坦化層134との界面、及び
平坦化層134と第1の電極との界面において、全反射が起こることを抑制することがで
きる。
変形例3において、基板100の屈折率はEL層が備える発光性の有機化合物を含む層の
屈折率(例えば1.6以上)よりも低い。よって、基板100と樹脂層124との界面で
、全反射が起こる条件がある。
変形例3では、基板100が、樹脂層124と接する面に凹凸の構造体122を備える。
よって、臨界角を超えて入射する光が全反射し、発光ユニット内を光が導波して光の取り
出し効率が低下する現象を抑制することができる。
また、樹脂層124と第1の電極との間に、保護膜を形成しても良い。保護膜を設けるこ
とで、樹脂層124からEL層に水分が侵入することを防ぐことができ、発光ユニットの
寿命の低下を抑制することができる。
なお、先の実施の形態で記した凹凸の構造118と組み合わせた構成の一例について、図
10(C)に示す。
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
基板、配線、発光素子、隔壁は、実施の形態1と同様の構成を適用することができる。
[樹脂層]
樹脂層124の材料としては、高屈折率の液体や樹脂等が挙げられる。樹脂層124は透
光性を有する。高屈折率の樹脂としては、臭素が含まれる樹脂、硫黄が含まれる樹脂など
が挙げられ、例えば、含硫黄ポリイミド樹脂、エピスルフィド樹脂、チオウレタン樹脂、
又は臭素化芳香族樹脂などを用いることができる。また、PET(ポリエチレンテレフタ
ラート)、TAC(トリアセチルセルロース)なども用いることができる。高屈折率の液
体としては、硫黄及びヨウ化メチレンを含む接触液(屈折液)などを用いることができる
。成膜方法としては、材料にあった種々の方法を適用すれば良い。例えば、前述の樹脂を
、スピンコート法を用いて成膜し、熱又は光によって硬化させることで形成することがで
きる。接着強度や加工のしやすさなどを考慮し適宜選択することができる。
[平坦化層]
平坦化層134の材料としては、上述の樹脂層124の材料として挙げた高屈折率の樹脂
を用いることができる。
[保護膜]
保護膜としては、例えば、窒化ケイ素膜、窒化酸化ケイ素膜、窒化アルミニウム膜等を用
いることができる。
[凹凸の構造体]
凹凸の構造体122は、基板100の表面に、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹
凸の構造が施された樹脂、凹凸の構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を、公知の
接着剤等を用いて接着することで形成することができる。また、凹凸の構造と同様の方法
で、基板に直接凹凸の構造体を形成することができる。
凹凸の構造体は、ストライプ状であっても効果を奏するが、マトリクス状であることが好
ましい。凹凸のパターンは、特に限定されず、例えば、円錐、角錐(三角錐、四角錐等)
、傘状などの頂点を有する形状や、半球状とすることができる。
凹凸の大きさ、高さについては、0.1μm以上1000μm以下程度とすることが好ま
しい。特に、1μm以上であると、光の干渉による影響を抑制することができるため、好
ましい。また、凹凸の大きさ、高さは樹脂層に用いる材料の使用量に影響を与える。凹凸
の大きさ、高さが100μm以下であると、樹脂層に用いる材料を多量に使用することを
抑制でき、好ましい。
凹凸の構造体122の大きさの範囲では、凹凸のパターンに周期性があると、凹凸が回折
格子のような働きをすることで、干渉効果が強くなり、特定の波長の光が大気に取り出さ
れやすくなることがある。したがって、凹凸のパターンは周期性をもたないことが好まし
い。また、パターンは少なくとも発光領域に形成されていれば良い。
本実施の形態では、凹凸の構造体を設けることで、臨界角を超えて入射する光が全反射し
、発光ユニット内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができ
る。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態7)
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した発光ユニットを適用した発光装置の一態様
について、図15及び図16を用いて説明する。
図15(A)に、本発明の一態様である発光装置1000の構成の模式図を示す。
発光装置1000は、コンバータ150と、複数の発光ユニット10を有する。複数の発
光ユニット10はそれぞれ並列に接続し、それぞれの発光ユニット10には、コンバータ
150と接続する配線133a及び配線133bが接続されている。
コンバータ150は、例えば、家庭用の交流電源から出力される電圧を直流電圧に変換す
るAC−DCコンバータや、DC−DCコンバータなどを用いることができる。コンバー
タ150に接続される配線133a及び配線133bには、異なる電圧が出力される。配
線133a及び配線133bに接続される発光ユニット10はこの電圧差により電流を流
し、発光させることができる。
並列に接続される複数の発光ユニット10は、コンバータ150の出力特性に応じて、そ
の数を適宜設定すれば良い。コンバータ150の流すことの出来る電流が大きいほど、多
くの発光ユニット10を並列に接続することができる。
次に、発光ユニット10の構成について図15(B)及び図15(C)を用いて説明する
。図15(B)は、発光ユニット10の構成とそれらの接続関係を模式的に示した図であ
り、図15(C)は、発光ユニット10内の複数の発光素子1100の接続関係を示す等
価回路である。
図15(B)に示す発光ユニット10a〜cはそれぞれ複数の発光素子1100から構成
され、配線133a及び配線133bに接続される。本実施の形態では、複数の発光素子
1100が、行方向、列方向にマトリクス状に複数配置された構成の発光ユニット10に
ついて例示する。発光ユニット10に設ける発光素子1100の数は、上記コンバータ1
50の出力特性や、レイアウトなどによって適宜設定すれば良い。
それぞれの発光素子1100は上記実施の形態で例示した発光素子を適用することができ
、それぞれ、第1の電極103、EL層102及び第2の電極108を有する。
それぞれの発光素子1100は、行方向に直列に接続される。具体的には、行方向に配置
された発光素子1100は、第2の電極108が、隣接する発光素子1100の第1の電
極103に接続され、これが繰り返されることにより、直列接続されている。直列に接続
される2つの発光素子1100は、上記実施の形態に例示した方法、構成を用いて接続す
ることが出来る。また、上記直列に接続される複数の発光素子1100の一群が、列方向
に並列に接続されている。
また、図15(B)には、2つの発光ユニット10を左右対称に設けた構成を示している
。このような構成とすることにより、配線133a、及び配線133bのそれぞれの発光
素子に接続する部分を共有して用いることができるため、発光ユニット10間のスペース
を小さく出来、基板面積に対する発光面積を大きくすることができる。
上記接続関係を示した等価回路を図15(C)に示す。このように直列に接続された発光
素子1100の一群を並列に接続することにより、例えば発光ユニット10内の一つの発
光素子1100がショートしてしまった場合でも、他の発光素子に流れる電流が遮断され
ること無く発光させることができる。
本実施の形態では、直列に接続された発光素子の一群を並列接続する構成としたが、列方
向に隣接する各発光素子間において、それぞれの発光素子の第1の電極、又は第2の電極
を接続し、列方向に並列接続する構成としても良い。このように、直列接続、並列接続を
組み合わせた接続関係とすることにより、例えば発光ユニット10内の一つの発光素子1
100がショート、若しくは絶縁化してしまったときでも、当該発光素子1100に隣接
する他の発光素子1100に流れる電流が遮断されること無く、発光させることが可能と
なる。
図16(A)(B)に、図15(A)におけるG−G’間の断面図を示す。
図16(A)を用いて、基板として有機樹脂基板を用いた場合の発光装置の一例を説明す
る(つまり、第1の基板100aが、図1(B)等で示した基板100に対応する)。図
16(A)に示す発光装置は、第1の基板100a上に、第1のガラス層173aが形成
され、第1のガラス層173a上に複数の発光ユニット10が設けられている。図16(
A)において、第1のガラス層173a及び第2のガラス層173bは、シール材171
で貼り合わされている。図16(A)に示す発光装置は、第1のガラス層173a、第2
のガラス層173b及びシール材171で囲まれた空間175に発光ユニット10を備え
る構成となっている。また、第1の基板100a及び第2の基板100bは、シール材1
72で貼り合わされている。
上記発光装置において、第1の基板100a及び第2の基板100bは同じ有機樹脂材料
からなることが好ましい。同じ材料で形成することで、熱歪みや物理的衝撃による形状不
良を抑制することができる。よって、作製時及び使用時における発光装置の変形や破損な
どを抑制することができる。
本発明の一態様の発光装置は、有機樹脂基板とガラス層とを用いる。よって、発光装置を
軽量化できる。さらに、水分又は不純物等が発光装置の外部から発光ユニットに含まれる
有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができる。
図16(B)を用いて、第1の基板としてガラス基板、第2の基板として金属基板を用い
た場合の発光装置の一例を説明する(つまり、第1の基板100aが、図1(B)等で示
した基板100に対応する)。図16(B)に示す発光装置は、第1の基板100a上に
複数の発光ユニット10が設けられている。図16(B)において、第1の基板100a
及び第2の基板100bは、シール材171及びシール材172で貼り合わされている。
第2の基板として用いる金属基板の材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅
、ニッケル等の金属、又は、アルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金など
を好ましく用いることができる。金属基板の膜厚に特に限定はないが、例えば、10μm
以上200μm以下のものを用いると、発光装置の軽量化が図れるため好ましい。
第2の基板としては、金属基板のほかにも、ガラス基板や石英基板などを用いることがで
きる。
コンバータ150は、上下の基板の間に設けることができる(図16(A))。また、図
16(B)に示すように、第2の基板100bを第1の基板100aよりも小さくするこ
とで、発光装置の厚みを変えずに厚みのあるコンバータを内蔵することができる。
シール材171とシール材172との間には空間を設けても良い。また、シール材171
とシール材172とが接していても良い。
[空間]
空間175には、充填材として不活性気体(窒素、アルゴンなど)が充填されている(図
16(A))。また、シール材171で充填する構成を適用することもできる(図16(
B))。また、図16(A)の発光装置では、シール材171、シール材172とは異な
る充填材を用いて、空間175を充填することもできる。充填材として、シール材として
用いる材料の中でも粘性の低い材料を用いることで、空間175を充填することが容易と
なる。
[シール材]
シール材としては公知の材料を用いることができる。例えば、熱硬化型の材料、紫外線硬
化型の材料を用いても良い。シール材171には、ガラス同士を接着することができる材
料、シール材172には、有機樹脂同士を接着することができる材料を用いる。これらの
材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入り
のシール材を用いることもできる。
空間175内には、乾燥剤を入れても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カ
ルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いるこ
とができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によ
って水分を吸着する物質を用いても良い。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態8)
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図17を用いて
説明する。
図17(A)に示すEL層102は、第1の電極103と第2の電極108の間に設けら
れている。第1の電極103及び第2の電極108は、実施の形態1と同様の構成を適用
することができる。
本実施の形態において、EL層102は、第1の電極103側から、正孔注入層701、
正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、及び電子注
入層705の順で積層されている。
図17(A)に示す発光素子の作製方法について説明する。
正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質とし
ては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、
ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸
化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることがで
きる。また、フタロシアニン(略称:HPc)、銅(II)フタロシアニン(略称:C
uPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、低分子の有機化合物であるTDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、D
PA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等
を用いることができる。
さらに、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いることもできる
。例えば、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDなどの高分子化合物が
挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスル
ホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAn
i/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含
有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極103からの正孔注入性を良好に
し、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高
い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料
を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極103からEL層102へ
の正孔注入が容易となる。
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm/Vs以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いても良い。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA
、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN
1、NPB、TPD、BPAFLP等の芳香族アミン化合物や、CBP、TCPB、Cz
PA、PCzPA、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,
6−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
また、t−BuDNA、DPPA、t−BuDBA、DPAnth、t−BuAnth、
DMNA、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert−ブチルア
ントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,
6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン等の芳香族炭化水素
化合物を用いることができる。
さらに、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、
9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,
10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス
[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アン
トラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブ
チル)ペリレン、ペンタセン、コロネン、DPVBi、DPVPA等の芳香族炭化水素化
合物を用いることができる。
また、電子受容体としては、F−TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸
化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の
酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル
、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子
受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿
性が低く、扱いやすいため好ましい。
なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPD等の高分子化合物
と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いても良い。
正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチ
ルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)
、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニル
アミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物を用いることができる。
ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いても良い。
なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が
二層以上積層したものとしても良い。
また、正孔輸送層702には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導
体や、t−BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良
い。
また、正孔輸送層702には、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly−TPDな
どの高分子化合物を用いることもできる。
発光性の有機化合物を含む層703は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐
光性化合物を用いることができる。
発光性の有機化合物を含む層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば
、青色系の発光材料として、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フ
ェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)
、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)
トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−
4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:P
CBAPA)などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフ
ェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略
称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−
アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCA
BPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフ
ェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(
1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル
−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(1
,1’−ビフェニル−2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェ
ニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,
9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる
。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−
4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また
、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テ
トラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,
N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオラ
ンテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
また、発光性の有機化合物を含む層703に用いることができる燐光性化合物としては、
例えば、青色系の発光材料として、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリ
ジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略
称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C
]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5
’−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(II
I)ピコリナート(略称:Ir(CFppy)(pic))、ビス[2−(4’,6
’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセ
トナート(略称:FIr(acac))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料とし
て、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir
(ppy))、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)ア
セチルアセトナート(略称:Ir(ppy)(acac))、ビス(1,2−ジフェニ
ル−1H−ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:I
r(pbi)(acac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)
アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)(acac))、トリス(ベンゾ[h]
キノリナト)イリジウム(III)(略称:Ir(bzq))などが挙げられる。また
、黄色系の発光材料として、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C
2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)(acac
))、ビス[2−(4’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(I
II)アセチルアセトナート(略称:Ir(p−PF−ph)(acac))、ビス(
2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナー
ト(略称:Ir(bt)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス
(4−フルオロフェニル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir
(Fdppr−Me)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{2−(4−メト
キシフェニル)−3,5−ジメチルピラジナト}イリジウム(III)(略称:Ir(d
mmoppr)(acac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、ト
リス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq
)、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルア
セトナート(略称:Ir(pq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,
5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr
−Me)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチ
ル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−iPr)
(acac))などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2−(2’
−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセ
チルアセトナート(略称:Ir(btp)(acac))、ビス(1−フェニルイソキ
ノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pi
q)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェ
ニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)(acac)
)、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(
III)(略称:Ir(tppr)(acac))、(ジピバロイルメタナト)ビス(
2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)
(dpm))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,2
3H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(
略称:Tb(acac)(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロ
パンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM
(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセト
ナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)(P
hen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子
遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
なお、発光性の有機化合物を含む層703としては、上述した発光性の有機化合物(ゲス
ト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としても良い。ホスト材料としては
、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)
が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
ホスト材料としては、具体的には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)
(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(
略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(I
I)(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(
II)(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−te
rt−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビ
ス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル
]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’
,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミ
ダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称
:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称
:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−te
rt−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、
9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイ
ル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル
)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5
−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称
:DPAnth)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセンなどの縮合芳
香族化合物、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニ
ル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9−ジフェニル−
N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:P
CAPBA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、NPB(又はα−NPD)、
TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレ
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加しても良い。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加しても良い。
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む
層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃
度消光を抑制することができる。
また、発光性の有機化合物を含む層703として高分子化合物を用いることができる。具
体的には、青色系の発光材料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジ
イル)(略称:PFO)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−
co−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、
ポリ{(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(
p−ブチルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)などが
挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:
PPV)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−
(ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ
[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−
メトキシ−5−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−フェニレン)]などが挙げられる
。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキ
ソキシ)−1,4−フェニレンビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチル
チオフェン−2,5−ジイル)(略称:R4−PAT)、ポリ{[9,9−ジヘキシル−
2,7−ビス(1−シアノビニレン)フルオレニレン]−alt−co−[2,5−ビス
(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}、ポリ{[2−メトキシ−5
−(2−エチルヘキシロキシ)−1,4−ビス(1−シアノビニレンフェニレン)]−a
lt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン]}
(略称:CN−PPV−DPD)などが挙げられる。
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにす
ることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の
有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む層
の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにするこ
とで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色と
は、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光す
る物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機
化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とし
ては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4
−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キ
ノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス
[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)
)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BT
Z))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いること
ができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert
−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス
[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]
ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナ
ントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いること
ができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物
質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしても良い。
電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リ
チウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、
リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができ
る。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層70
3、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、
インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
EL層102は、図17(B)に示すように、第1の電極103と第2の電極108との
間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL
層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上
述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と
他の材料からなる層との積層構造でも良い。この場合、他の材料からなる層としては、電
子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いる
ことができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題
が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光
素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得るこ
とも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。
また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を
有する発光素子の場合でも同様である。
EL層102は、図17(C)に示すように、第1の電極103と第2の電極108との
間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子
輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極10
8と接する複合材料層708を有していても良い。
第2の電極108と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用
いて第2の電極108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減することが
できるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にア
クセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層7
04との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電
子輸送層704に容易に注入することができる。
電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、及び
これらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リ
チウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン
化物、炭酸塩を含む)、又は希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む
))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、及びこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸
化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)
、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土類金属の
化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(略称:
TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる
。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の
材料を用いて形成することができる。
さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707
を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子
輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を
速やかに送ることが可能となる。
複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた
構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層70
6に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造で
ある。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUM
O準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送
層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。
また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準
位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層70
4に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のL
UMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とすると
良い。
電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又
は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはCuPc、S
nPc(Phthalocyanine tin(II) complex)、ZnPc
(Phthalocyanine zinc complex)、CoPc(Cobal
t(II)phthalocyanine, β−form)、FePc(Phthal
ocyanine Iron)及びPhO−VOPc(Vanadyl 2,9,16,
23−tetraphenoxy−29H,31H−phthalocyanine)の
いずれかを用いることが好ましい。
電子リレー層707に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては
、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結
合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)がよ
り容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる
。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低
電圧でより安定に駆動することが可能になる。
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好まし
い。具体的には、VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnO
Pc(Phthalocyanine tin(IV) oxide complex)
及びTiOPc(Phthalocyanine titanium oxide co
mplex)のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用
しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。
具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好
ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、
発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、
成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合物
(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩
を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希土
類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン
(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いるこ
とができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の
移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記
した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より
高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては
、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO準
位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導
体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安
定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料であ
る。
ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビスベン
ゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチル−3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキシル−
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:Hex PTC)等が挙
げられる。
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3−f][1,10]
フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,1
0,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称
:HAT(CN))、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2P
YPR)、2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称
:F2PYPR)等が挙げられる。
その他にも、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:TCNQ)、1,4,
5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:NTCDA)、パーフルオロペン
タセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N’−ビ
ス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカフルオ
ロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:NTCD
I−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−5,5
’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン)(略称:DCMT)、メタ
ノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)等を用いるこ
とができる。
なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナ
ー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。
正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、及び電子輸
送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。
以上により、本実施の形態のEL層102を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
(実施の形態9)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光ユニットを用いて完成させた照明装置の一例に
ついて、図18を用いて説明する。
本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。
本発明の一態様は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、
天井等に照明を設置することもできる。
図18(A)では、本発明の一態様を適用した、室内の照明装置901、卓上照明器具9
03及び面状照明装置904を示す。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照
明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用すること
ができる。その他、ロール型の照明装置902として用いることもできる。
図18(B)に別の照明装置の例を示す。図18(B)に示す卓上照明装置は、照明部9
501、支柱9503、支持台9505等を含む。照明部9501は、本発明の一態様の
発光ユニットを含む。このように、本発明の一態様では、曲面を有する照明装置、又はフ
レキシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することができる。このように、フレ
キシブルな発光ユニットを照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が
向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも
照明装置を設置することが可能となる。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
10 発光ユニット
10a〜c 発光ユニット
11 第1の発光素子
12 第2の発光素子
13 第3の発光素子
21 第1の発光素子
22 第2の発光素子
23 第3の発光素子
31 第1の発光素子
32 第2の発光素子
41 第1の発光素子
42 第2の発光素子
43 第3の発光素子
51 第1の発光素子
52 第2の発光素子
61 第1の発光素子
62 第2の発光素子
100 基板
100a 第1の基板
100b 第2の基板
102 EL層
102a EL層
102b EL層
102c EL層
103 第1の電極
103a 第1の電極
103b 第1の電極
103c 第1の電極
107 隔壁
108 第2の電極
108a 第2の電極
108b 第2の電極
108c 第2の電極
118 凹凸の構造
122 凹凸の構造体
124 樹脂層
131a 副配線
131b 副配線
131c 副配線
132a 補助配線
132b 補助配線
132c 補助配線
133a 配線
133b 配線
134 平坦化層
135 複合材料層
150 コンバータ
160 取り出し電極
161 取り出し電極
162 取り出し電極
163 取り出し電極
171 シール材
172 シール材
173a 第1のガラス層
173b 第2のガラス層
175 空間
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光性の有機化合物を含む層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 第1のEL層
801 第2のEL層
803 電荷発生層
901 照明装置
902 照明装置
903 卓上照明器具
904 面状照明装置
1000 発光装置
1100 発光素子
9501 照明部
9503 支柱
9505 支持台

Claims (2)

  1. 第1及び第2の発光素子を有し、
    前記第1の発光素子は、第1の電極、有機化合物を含む第1の層、第2の電極を順に有し、
    前記第2の発光素子は、第3の電極、有機化合物を含む第2の層、第4の電極を順に有し、
    前記第3の電極上に絶縁層を有し、
    前記第2の電極は、前記絶縁層の開口を介して前記第3の電極と電気的に接続され、
    前記第2の電極と前記第4の電極とは、前記絶縁層上で分断されていることを特徴とする発光装置。
  2. 第1及び第2の発光素子を有し、
    前記第1の発光素子は、第1の電極、有機化合物を含む第1の層、第2の電極を順に有し、
    前記第2の発光素子は、第3の電極、有機化合物を含む第2の層、第4の電極を順に有し、
    前記第3の電極と電気的に接続された補助配線を有し、
    前記第3の電極上に絶縁層を有し、
    前記第2の電極は、前記絶縁層の開口を介して前記補助配線と電気的に接続され、
    前記第2の電極と前記第4の電極とは、前記絶縁層上で分断されていることを特徴とする発光装置。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
WO2012086662A1 (en) 2010-12-24 2012-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR20140048087A (ko) 2011-02-10 2014-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치
KR102004305B1 (ko) 2011-02-11 2019-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치
JP5925511B2 (ja) 2011-02-11 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光ユニット、発光装置、照明装置
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
TWI562423B (en) 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
DE102012109218B4 (de) * 2012-09-28 2018-06-28 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
CN105745997A (zh) * 2013-05-17 2016-07-06 旭硝子株式会社 有机led元件、有机led元件的制造方法
US9450039B2 (en) 2013-05-31 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9362345B2 (en) * 2013-05-31 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP6219656B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP2015082425A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 パイオニア株式会社 発光装置及び基板
CN104658974A (zh) * 2015-03-12 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜层图案、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法
JP2019135682A (ja) * 2016-06-13 2019-08-15 コニカミノルタ株式会社 面発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049853A (ja) * 2004-06-29 2006-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置及び照明
JP2008227326A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology 有機el発光装置およびその製造方法
JP2010519699A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 サン−ゴバン グラス フランス 不連続な電極を保持する基体、同基体を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスおよびそれらの作製

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972692A (en) 1958-05-02 1961-02-21 Westinghouse Electric Corp Method for operating electroluminescent cell and electroluminescent apparatus
US3833833A (en) 1973-08-20 1974-09-03 A Nelson Drive circuitry for light emitting film displays
JPS556687A (en) 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
EP0597226A1 (en) 1992-11-09 1994-05-18 Motorola, Inc. Push-pull matrix addressing
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
TW364275B (en) 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
WO1998036407A1 (en) 1997-02-17 1998-08-20 Seiko Epson Corporation Display device
DE19728763B4 (de) 1997-07-07 2007-10-31 Reitter & Schefenacker Gmbh & Co. Kg Schaltungseinrichtung zum Schutz von strombetriebenen Leuchtmitteln, insbesondere von LEDs, zu Signal- oder Beleuchtungszwecken
JP2000082588A (ja) * 1997-09-22 2000-03-21 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
JP3775628B2 (ja) 1998-03-19 2006-05-17 パイオニア株式会社 電荷蓄積性発光素子の駆動装置及び駆動方法
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
JPH11307261A (ja) 1998-04-16 1999-11-05 Tdk Corp 有機el素子
JP4264994B2 (ja) 1998-07-10 2009-05-20 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
GB9907120D0 (en) 1998-12-16 1999-05-19 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emissive devices
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2002132218A (ja) 2000-10-26 2002-05-09 Sony Corp 表示装置、輝度制限回路及び表示装置の駆動方法
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
JP2003068472A (ja) 2001-08-29 2003-03-07 Hitachi Ltd 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置
KR100767377B1 (ko) 2001-09-28 2007-10-17 삼성전자주식회사 유기 이.엘 디스플레이 패널과 이를 구비하는 유기 이.엘디스플레이 장치
TWI235349B (en) 2001-11-26 2005-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Circuit-arrangement for an LED-array
GB0130411D0 (en) 2001-12-20 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
US6747639B2 (en) 2001-12-28 2004-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3987770B2 (ja) 2002-07-26 2007-10-10 松下電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4174710B2 (ja) 2002-08-01 2008-11-05 東北デバイス株式会社 有機elパネルを用いた大面積パネル
US7049757B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
US6693296B1 (en) 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
US7034470B2 (en) 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
JP2004152699A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明装置
GB0226401D0 (en) 2002-11-12 2002-12-18 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent devices and their manufacture
US7148632B2 (en) 2003-01-15 2006-12-12 Luminator Holding, L.P. LED lighting system
JP2004253364A (ja) 2003-01-27 2004-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2004234868A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Matsushita Electric Works Ltd 有機el照明素子
US7012585B2 (en) 2004-02-06 2006-03-14 Eastman Kodak Company OLED apparatus having improved fault tolerance
JP4664604B2 (ja) 2004-02-18 2011-04-06 Tdk株式会社 画像表示装置
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
EP2299781A3 (en) 2004-09-13 2011-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting layer device
JP2006310289A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
CN1893105A (zh) 2005-03-31 2007-01-10 精工爱普生株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备
US7737629B2 (en) * 2005-03-31 2010-06-15 Seiko Epson Corporation Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
KR100708714B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2007234514A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置
US20080137008A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 General Electric Company Color tunable oled illumination display and method for controlled display illumination
US8183766B2 (en) 2007-03-07 2012-05-22 Au Optronics Corp. Pixel structure of organic electroluminescent display panel and method of making the same
US7911133B2 (en) 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US8207010B2 (en) 2007-06-05 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing photoelectric conversion device
JP5086184B2 (ja) 2007-06-14 2012-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置および照明装置
JP4893600B2 (ja) 2007-11-22 2012-03-07 パナソニック電工株式会社 面状発光型照明装置
KR20100023559A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2012115145A (ja) 2009-03-30 2012-06-21 Kaneka Corp ポリヒドロキシアルカノエートの回収方法
JP4661971B2 (ja) * 2009-05-27 2011-03-30 住友化学株式会社 発光装置
US20110037054A1 (en) 2009-08-17 2011-02-17 Chan-Long Shieh Amoled with cascaded oled structures
JP5575434B2 (ja) 2009-08-20 2014-08-20 住友化学株式会社 電極付基板の製造方法
WO2012086662A1 (en) 2010-12-24 2012-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049853A (ja) * 2004-06-29 2006-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置及び照明
JP2010519699A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 サン−ゴバン グラス フランス 不連続な電極を保持する基体、同基体を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスおよびそれらの作製
JP2008227326A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology 有機el発光装置およびその製造方法

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