JP6143665B2 - Semiconductor sealing method and semiconductor sealing device - Google Patents

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Description

この発明は、半導体封止装置における半導体封止型の所定位置に半導体基板上の半導体素子を供給してセットすると共に、該半導体封止型のキャビティ部内にシート樹脂を供給して加熱溶融化し且つ該溶融樹脂材料を圧縮して半導体基板上の半導体素子を樹脂封止するための半導体封止方法及び半導体封止装置に関する。
より詳細には、上記した半導体封止型のキャビティ部内に上記半導体素子を樹脂封止するために必要な適量の樹脂材料を供給することができると共に、上記キャビティ部内の溶融樹脂材料を圧縮する際に該溶融樹脂材料の流動作用を抑制することにより、この溶融樹脂材料の流動作用に基因して上記半導体基板上に装着した半導体素子に位置ズレ等の不具合が発生するようなことがなく、また、上記半導体素子を均等厚みに圧縮成形された樹脂パッケージ内に封止成形することができるように改善したものに関する。
The present invention supplies and sets a semiconductor element on a semiconductor substrate at a predetermined position of a semiconductor sealing type in a semiconductor sealing device, supplies a sheet resin into the cavity portion of the semiconductor sealing type, heats and melts, and The present invention relates to a semiconductor sealing method and a semiconductor sealing device for compressing the molten resin material to resin-seal semiconductor elements on a semiconductor substrate.
More specifically, an appropriate amount of resin material necessary for resin-sealing the semiconductor element can be supplied into the cavity portion of the semiconductor-sealed mold, and the molten resin material in the cavity portion is compressed. In addition, by suppressing the flow action of the molten resin material, the semiconductor element mounted on the semiconductor substrate does not cause a problem such as misalignment due to the flow action of the molten resin material. The present invention relates to an improved semiconductor device that can be sealed and molded in a resin package that is compression-molded to a uniform thickness.

シート樹脂を用いる半導体封止方法及び半導体封止装置については、例えば、図11に示すような方法及び装置が知られており、以下、これを同図に基づいて説明する。
まず、図11(1) に示すように、上型1の型面に複数の半導体素子2を装着した半導体基板3を供給すると共に、この半導体素子2が下側となる状態で該半導体基板3を係着して支持する。
また、下型4に設けたキャビティ5の容積に合わせて複数の板状樹脂材料6を貼着した離型フイルム7を下型4と上型1との間に搬送する。そして、該離型フイルム7上面の各板状樹脂材料6を下型キャビティ5の位置に合わせると共に、この状態で、離型フイルム7を下型4の型面に被覆させる。
次に、図11(2) に示すように、下型4に設けた吸気口8から下型キャビティ5内の空気を吸引して下型キャビティ5内を減圧することにより、この離型フイルム7及び各板状樹脂材料6を下型キャビティ5の形状面に沿って吸着させる。
次に、図11(3) に示すように、下型4と上型1とを型締めすると共に、離型フイルム7を介して各板状樹脂材料6を加熱溶融化し且つ該溶融樹脂材料6aを圧縮することによって、半導体基板3上の各半導体素子2を樹脂封止成形する。
As a semiconductor sealing method and a semiconductor sealing device using a sheet resin, for example, a method and a device as shown in FIG. 11 are known, and this will be described below with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 11 (1), a semiconductor substrate 3 having a plurality of semiconductor elements 2 mounted on the mold surface of the upper mold 1 is supplied, and the semiconductor substrate 3 is placed in a state where the semiconductor elements 2 are on the lower side. To support and support.
Further, a release film 7 in which a plurality of plate-like resin materials 6 are adhered in accordance with the volume of the cavity 5 provided in the lower mold 4 is conveyed between the lower mold 4 and the upper mold 1. Then, each plate-like resin material 6 on the upper surface of the release film 7 is aligned with the position of the lower mold cavity 5, and the mold film 7 is covered with the mold surface of the lower mold 4 in this state.
Next, as shown in FIG. 11 (2), air in the lower mold cavity 5 is sucked from an intake port 8 provided in the lower mold 4 to depressurize the lower mold cavity 5, thereby releasing the release film 7. And each plate-shaped resin material 6 is adsorbed along the shape surface of the lower mold cavity 5.
Next, as shown in FIG. 11 (3), the lower mold 4 and the upper mold 1 are clamped, and each plate-like resin material 6 is heated and melted through a release film 7, and the molten resin material 6a. , Each semiconductor element 2 on the semiconductor substrate 3 is resin-sealed.

なお、このような各板状樹脂材料6や、下型キャビティ5の寸法・形状に合わせて固形化したシート樹脂を用いる圧縮成形の場合は、下型キャビティ5内にて加熱溶融化された溶融樹脂材料6aの流動作用や該溶融樹脂材料6a中への空気の巻込作用等を抑制し易いと云った利点がある。   In the case of compression molding using each plate-shaped resin material 6 and sheet resin solidified in accordance with the size and shape of the lower mold cavity 5, the melt melted by heating in the lower mold cavity 5 There is an advantage that it is easy to suppress the flow action of the resin material 6a and the air entrainment action in the molten resin material 6a.

ところで、上記した離型フイルム7上面の各板状樹脂材料6は下型キャビティ5の容積に見合った量を用いることができる。
しかしながら、このような複数の板状樹脂材料6やシート状樹脂材料を下型キャビティ5内に供給するような場合であっても、これらの樹脂材料の全体の大きさは、必然的に、下型キャビティ5の大きさ(面積)よりも小さくなるように設定しなければならない。
従って、これらの樹脂材料を下型キャビティ5内に供給すると、下型キャビティ5の周縁と該樹脂材料の外周縁との間に所要の空隙部Sが生じることになる(図11(2) 参照)。
そして、このような状態で上下両型1・4を型締めして下型キャビティ5内の溶融樹脂材料6a(各板状樹脂材料6)を圧縮すると、該溶融樹脂材料6aは下型キャビティ5の周辺部へ押されて流動することになり、また、流動する溶融樹脂材料6a中に空気を巻き込み易くなる。
このため、溶融樹脂材料6aの流動作用や空気巻込作用を確実に防止することができない。その結果、流動する溶融樹脂材料6aが半導体素子2におけるボンディングワイヤ9を短絡させたり、或は、これを変形・切断させる等の不具合が発生すると云った樹脂成形上の重大な問題があった。
更に、溶融樹脂材料6aの流動作用に基因して、半導体基板3上に装着した半導体素子2に位置ズレ等の不具合が発生したり、また、半導体素子2を封止する樹脂パッケージ内に気泡が生じたり、該樹脂パッケージを均等厚みに圧縮成形することができないと云った問題があった。
By the way, each plate-like resin material 6 on the upper surface of the release film 7 can be used in an amount corresponding to the volume of the lower mold cavity 5.
However, even when such a plurality of plate-like resin materials 6 and sheet-like resin materials are supplied into the lower mold cavity 5, the overall size of these resin materials is inevitably lower. It must be set to be smaller than the size (area) of the mold cavity 5.
Therefore, when these resin materials are supplied into the lower mold cavity 5, a required gap S is formed between the peripheral edge of the lower mold cavity 5 and the outer peripheral edge of the resin material (see FIG. 11 (2)). ).
In this state, when the upper and lower molds 1 and 4 are clamped and the molten resin material 6a (each plate-shaped resin material 6) in the lower mold cavity 5 is compressed, the molten resin material 6a becomes the lower mold cavity 5 The air is easily pushed into the molten resin material 6a that is flowing.
For this reason, the flowing action and the air entrainment action of the molten resin material 6a cannot be reliably prevented. As a result, there is a serious problem in resin molding in which the flowing molten resin material 6a causes a problem such as short-circuiting the bonding wire 9 in the semiconductor element 2 or deforming / cutting it.
Furthermore, due to the flow action of the molten resin material 6a, defects such as misalignment occur in the semiconductor element 2 mounted on the semiconductor substrate 3, or bubbles are generated in the resin package that seals the semiconductor element 2. There has been a problem that the resin package cannot be compression-molded to a uniform thickness.

また、下型キャビティ5周辺部の空隙部Sは、上記したような理由によって、必然的に設定されることになるため、各板状樹脂材料6やシート状樹脂材料を下型キャビティ5の寸法及び形状にフィットさせることは、事実上、困難である。
従って、下型キャビティ5内にその容積に見合った適量の樹脂材料を供給することはできないと云った問題があった。
Further, since the gap S around the lower mold cavity 5 is inevitably set for the reasons described above, the plate-shaped resin material 6 and the sheet-shaped resin material are dimensioned to the lower mold cavity 5. And it is practically difficult to fit the shape.
Therefore, there is a problem that an appropriate amount of resin material corresponding to the volume of the lower mold cavity 5 cannot be supplied.

特開2004−174801号公報(段落〔0019〕、段落〔0042〕〜〔0047〕及び図1、図6等参照)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-174801 (see paragraphs [0019], [0042] to [0047] and FIGS. 1 and 6)

本発明は、半導体封止型におけるキャビティ部内に樹脂材料を供給するときに、上述したようなキャビティ周辺部に樹脂未充填状態の空隙部が生じないように設定すると共に、キャビティ部内の溶融樹脂材料に対する圧縮成形時において該溶融樹脂材料がキャビティ周辺部へ流動するのを抑制することによって、該溶融樹脂材料の流動作用に基因して半導体基板上に装着した半導体素子に位置ズレ等の不具合が発生するのを効率良く防止することを目的とするものである。
更に、該キャビティ部内の溶融樹脂材料を圧縮して成形する樹脂パッケージの各部位における厚みを均一化することを目的とするものである。
According to the present invention, when the resin material is supplied into the cavity portion in the semiconductor sealing mold, the above-described peripheral portion of the cavity is set so as not to have a resin-unfilled void portion, and the molten resin material in the cavity portion By suppressing the molten resin material from flowing to the periphery of the cavity during compression molding, a problem such as misalignment occurs in the semiconductor element mounted on the semiconductor substrate due to the flow action of the molten resin material. The purpose of this is to efficiently prevent this.
Furthermore, it aims at making the thickness in each part of the resin package which compresses and shape | molds the molten resin material in this cavity part uniform.

上記した目的を達成するための本発明に係る半導体封止方法は、少なくとも上型12及び下型14を備えた半導体封止型15の所定位置に複数の半導体素子17を装着した半導体基板18を供給してセットすると共に、前記下型14に設けたキャビティ部にシート樹脂28を供給して加熱溶融化し且つ前記溶融樹脂材料を圧縮して前記半導体基板18上の半導体素子17を樹脂封止する半導体封止方法であって、
半導体素子17を装着した前記半導体基板18を前記半導体封止型15の所定位置に供給してセットする半導体基板の供給セット工程と、
離型フイルム26と前記離型フイルム26上面に貼着したシート樹脂28とを前記半導体封止型15の下型14に設けたキャビティ部27に供給するシート樹脂の供給工程と、
前記離型フイルム26にて前記半導体封止型15の下型面(下型14の型面)を被覆し且つ前記離型フイルム26上面のシート樹脂28を前記下型キャビティ部27の位置と対応する位置にセットするシート樹脂のセット工程と、
前記シート樹脂のセット工程によって前記シート樹脂28を前記下型キャビティ部27と対応する位置にセットする際に、前記シート樹脂28の周辺部位を前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に張り出して重合させることにより、前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に、前記シート樹脂28のオーバーラップ部28aを設定するシート樹脂のオーバーラップ工程と、
前記シート樹脂のオーバーラップ工程の後に、前記下型キャビティ部27内を減圧して、前記シート樹脂28を貼着した離型フイルム26を前記下型キャビティ部27面に吸着する離型フイルムの吸着工程と、
前記離型フイルムの吸着工程の後に、前記上型面(上型12の型面)と下型面とを閉じ合わせる半導体封止型の型締工程と、
前記半導体封止型の型締工程時による型締圧力にて、前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に設定した前記シート樹脂28のオーバーラップ部28aを切断すると共に、この切断したオーバーラップ部28aを除くシート樹脂28を前記下型キャビティ部27内に収容するオーバーラップ部の切断分離工程と、
前記オーバーラップ部の切断分離工程の後に、前記下型キャビティ部27内に収容して加熱溶融化した前記シート樹脂28を圧縮することにより、前記半導体基板18上の半導体素子17を所定の均等厚さに成形した樹脂パッケージ31内に封止する樹脂圧縮成形工程とを含むことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a semiconductor sealing method according to the present invention includes a semiconductor substrate 18 in which a plurality of semiconductor elements 17 are mounted at predetermined positions of a semiconductor sealing mold 15 including at least an upper mold 12 and a lower mold 14. In addition to supplying and setting, the sheet resin 28 is supplied to the cavity provided in the lower mold 14 to heat and melt, and the molten resin material is compressed to resin-seal the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 A semiconductor sealing method comprising:
A semiconductor substrate supply set step of supplying the semiconductor substrate 18 mounted with the semiconductor element 17 to a predetermined position of the semiconductor sealing mold 15 and setting it;
A sheet resin supply step of supplying the release film 26 and the sheet resin 28 adhered to the upper surface of the release film 26 to the cavity portion 27 provided in the lower mold 14 of the semiconductor sealing mold 15;
The release film 26 covers the lower mold surface of the semiconductor sealing mold 15 (the mold surface of the lower mold 14), and the sheet resin 28 on the upper surface of the release film 26 corresponds to the position of the lower mold cavity 27. A sheet resin setting process to be set at a position to be
When the sheet resin 28 is set at a position corresponding to the lower mold cavity 27 by the sheet resin setting step, a peripheral portion of the sheet resin 28 is projected to an outer peripheral portion of the lower mold cavity 27. Overlapping process of sheet resin to set the overlap part 28a of the sheet resin 28 on the outer peripheral part of the lower mold cavity part 27 by polymerizing,
After the sheet resin overlapping step, the inside of the lower mold cavity 27 is depressurized, and the release film 26 adhering the sheet resin 28 is adsorbed to the surface of the lower mold cavity 27. Process,
After the step of adsorbing the release film, a semiconductor sealing mold clamping step for closing the upper mold surface (the mold surface of the upper mold 12) and the lower mold surface;
The overlap portion 28a of the sheet resin 28 set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 is cut by the clamping pressure at the time of the clamping step of the semiconductor sealing mold, and the cut overlap Cutting and separating the overlapping portion for accommodating the sheet resin 28 excluding the portion 28a in the lower mold cavity portion 27;
After the step of cutting and separating the overlap portion, by compressing the sheet resin 28 accommodated in the lower mold cavity portion 27 and heated and melted, the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 has a predetermined uniform thickness. And a resin compression molding step of sealing in the molded resin package 31.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記したシート樹脂の供給工程の前に、前記シート樹脂28の上面に貼着した保護フイルム30を剥離するシート樹脂の保護フイルム剥離工程を行うことを特徴とする。   Further, the semiconductor sealing method according to the present invention includes performing a protective film peeling process of the sheet resin for peeling off the protective film 30 attached to the upper surface of the sheet resin 28 before the above-described sheet resin supplying process. Features.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記したオーバーラップ部の切断分離工程の前に、前記半導体封止型の型締工程における型締圧力によって前記シート樹脂28のオーバーラップ部28aを加圧するオーバーラップ部の加圧工程を行うことを特徴とする。   Further, in the semiconductor sealing method according to the present invention, the overlap portion 28a of the sheet resin 28 is applied by the clamping pressure in the clamping step of the semiconductor sealing mold before the above-described cutting and separating step of the overlapping portion. A pressurizing step of the overlapping overlap portion is performed.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記したオーバーラップ部の切断分離工程の後に、切断分離した前記オーバーラップ部28aを前記下型キャビティ部27の外方周囲に設けた樹脂溜部32内に収容するオーバーラップ部の収容工程を行うことを特徴とする。   Further, in the semiconductor sealing method according to the present invention, the resin reservoir 32 provided with the overlapped portion 28a cut and separated around the outer periphery of the lower mold cavity portion 27 after the above-described cutting and separating step of the overlapped portion. It is characterized in that a process of accommodating the overlapped part accommodated therein is performed.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記したオーバーラップ部の収容工程によって収容した前記樹脂溜部32内の樹脂材料が前記下型キャビティ部27内へ流入するのを防止する樹脂溜部内の樹脂流出防止工程を行うことを特徴とする。   In addition, the semiconductor sealing method according to the present invention includes a resin reservoir portion that prevents the resin material in the resin reservoir portion 32 accommodated in the overlap portion accommodating step from flowing into the lower mold cavity portion 27. The resin outflow prevention step is performed.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記した樹脂圧縮成形工程時に、前記下型キャビティ部27内のガス類を前記半導体封止型15の外部へ排出するエアベント工程を行うことを特徴とする。   Further, the semiconductor sealing method according to the present invention is characterized by performing an air vent process for discharging gases in the lower mold cavity 27 to the outside of the semiconductor sealing mold 15 during the resin compression molding process. To do.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記したシート樹脂の供給工程時における前記下型キャビティ部27の深さ27Dを、前記シート樹脂28の厚み28Tの1.5 倍乃至2.0 倍となる深さに設定したことを特徴とする。   Further, in the semiconductor sealing method according to the present invention, the depth 27D of the lower mold cavity portion 27 in the above-described sheet resin supply step is set to a depth that is 1.5 to 2.0 times the thickness 28T of the sheet resin 28. It is characterized by being set to.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記したシート樹脂28の厚さ28Tと前記樹脂圧縮成形工程にて成形した樹脂パッケージ31の厚さ31Tとが略等しくなるように設定したことを特徴とする。   Further, the semiconductor sealing method according to the present invention is characterized in that the thickness 28T of the sheet resin 28 described above and the thickness 31T of the resin package 31 molded in the resin compression molding process are set to be substantially equal. And

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記した下型キャビティ部27に設けた樹脂量調整部34によって、前記下型キャビティ部27内に供給及び/又は収容した樹脂材料の量を調整する樹脂量調整工程を行うことを特徴とする。   Further, in the semiconductor sealing method according to the present invention, the amount of the resin material supplied and / or accommodated in the lower mold cavity portion 27 is adjusted by the resin amount adjusting portion 34 provided in the lower mold cavity portion 27 described above. A resin amount adjusting step is performed.

また、上記した目的を達成するための本発明に係る半導体封止方法は、少なくとも上型12及び下型14を備えた半導体封止型15の所定位置に複数の半導体素子17aを装着したキャリア40を供給してセットすると共に、前記下型14に設けたキャビティ部27にシート樹脂28を供給して加熱溶融化し且つ前記溶融樹脂材料を圧縮して前記キャリア40上の半導体素子17aを樹脂封止する半導体封止方法であって、
前記キャリア40の表面に接着フイルム41を貼着すると共に、前記接着フイルム41を介して複数の半導体素子17aを装着したキャリア40を準備するキャリアの準備工程と、
前記キャリアの準備工程にて準備した前記キャリア40を前記半導体封止型15の所定位置に供給してセットするキャリアの供給セット工程と、
離型フイルム26と前記離型フイルム26上面に貼着したシート樹脂28を前記半導体封止型15の下型14に設けたキャビティ部27に供給するシート樹脂の供給工程と、
前記離型フイルム26にて前記半導体封止型15の下型面を被覆し且つ前記離型フイルム26上面のシート樹脂28を前記下型キャビティ部27の位置と対応する位置にセットするシート樹脂のセット工程と、
前記シート樹脂のセット工程によって前記シート樹脂28を前記下型キャビティ部27と対応する位置にセットする際に、前記シート樹脂28の周辺部位を前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に張り出して重合させることにより、前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に、前記シート樹脂28のオーバーラップ部28aを設定するシート樹脂のオーバーラップ工程と、
前記シート樹脂のオーバーラップ工程の後に、前記下型キャビティ部27内を減圧して前記シート樹脂28を貼着した離型フイルム26を前記下型キャビティ面に吸着する離型フイルムの吸着工程と、
前記離型フイルムの吸着工程の後に、前記上型面と下型面とを閉じ合わせる半導体封止型の型締工程と、
前記半導体封止型の型締工程時による型締圧力にて、前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に設定した前記シート樹脂28のオーバーラップ部28aを切断すると共に、この切断したオーバーラップ部28aを除くシート樹脂28を前記下型キャビティ部27内に収容するオーバーラップ部の切断分離工程と、
前記オーバーラップ部の切断分離工程の後に、前記下型キャビティ部27内に収容して加熱溶融化した前記シート樹脂28を圧縮することにより前記キャリア40上の半導体素子17aを所定の均等厚さに成形した樹脂パッケージ31a内に封止する樹脂圧縮成形工程とを含むことを特徴とする。
In addition, the semiconductor sealing method according to the present invention for achieving the above-described object is a carrier 40 in which a plurality of semiconductor elements 17a are mounted at predetermined positions of a semiconductor sealing mold 15 having at least an upper mold 12 and a lower mold 14. In addition, the sheet resin 28 is supplied to the cavity 27 provided in the lower mold 14 to be melted by heating and the molten resin material is compressed to encapsulate the semiconductor element 17a on the carrier 40 with resin sealing. A semiconductor sealing method that comprises:
Affixing an adhesive film 41 to the surface of the carrier 40, and preparing a carrier 40 having a plurality of semiconductor elements 17a mounted thereon via the adhesive film 41;
A carrier supply setting step for supplying and setting the carrier 40 prepared in the carrier preparation step to a predetermined position of the semiconductor encapsulation mold 15; and
A sheet resin supply step of supplying the release film 26 and the sheet resin 28 adhered to the upper surface of the release film 26 to the cavity portion 27 provided in the lower mold 14 of the semiconductor sealing mold 15;
The release film 26 covers the lower mold surface of the semiconductor sealing mold 15 and sets the sheet resin 28 on the upper surface of the release film 26 at a position corresponding to the position of the lower mold cavity 27. A set process;
When the sheet resin 28 is set at a position corresponding to the lower mold cavity 27 by the sheet resin setting step, a peripheral portion of the sheet resin 28 is projected to an outer peripheral portion of the lower mold cavity 27. Overlapping process of sheet resin to set the overlap part 28a of the sheet resin 28 on the outer peripheral part of the lower mold cavity part 27 by polymerizing,
After the sheet resin overlapping step, the lower mold cavity portion 27 is depressurized to adsorb the release film 26 to which the sheet resin 28 is adhered to the lower mold cavity surface,
After the mold release film adsorbing step, a semiconductor sealing mold clamping step for closing the upper mold surface and the lower mold surface;
The overlap portion 28a of the sheet resin 28 set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 is cut by the clamping pressure at the time of the clamping step of the semiconductor sealing mold, and the cut overlap Cutting and separating the overlapping portion for accommodating the sheet resin 28 excluding the portion 28a in the lower mold cavity portion 27;
After the step of cutting and separating the overlap portion, the semiconductor element 17a on the carrier 40 is made to have a predetermined uniform thickness by compressing the sheet resin 28 accommodated in the lower mold cavity portion 27 and heated and melted. And a resin compression molding step of sealing in the molded resin package 31a.

また、本発明に係る半導体封止方法は、前記した接着フイルム41が、少なくとも樹脂成形温度以下となる常温下では所定の接着力を維持すると共に、樹脂成形温度以上となる所要の加熱温度下では前記接着力が低下して容易に剥離する加熱剥離性機能を備えていることを特徴とする。   In addition, the semiconductor sealing method according to the present invention maintains the predetermined adhesive force at a room temperature at which the above-described adhesive film 41 is at least the resin molding temperature or less, and at a required heating temperature at or above the resin molding temperature. It is characterized by having a heat-peeling function that easily peels when the adhesive force is reduced.

上記した目的を達成するための本発明に係る半導体封止装置10は、少なくとも上型12及び下型14を備えた半導体封止型15の所定位置に複数の半導体素子17を装着した半導体基板18を供給してセットすると共に、前記下型14に設けたキャビティ部27に離型フイルム26上に貼着したシート樹脂28を供給して加熱溶融化し且つ前記溶融樹脂材料を圧縮して前記半導体基板18上の半導体素子17を樹脂封止する半導体封止装置10であって、
前記下型14に設けたキャビティ部27と、
前記下型キャビティ部27の外方周囲に設けた樹脂溜部32と、
前記下型キャビティ部27と前記樹脂溜部32とを連通接続させる連通部33と、
前記下型キャビティ部27の外方周縁部位に設けた前記シート樹脂28の周辺部位を張り出して重合させるための下型面と、
前記離型フイルム26を吸着して前記離型フイルム26上のシート樹脂28を前記キャビティ部27内に吸引して供給する離型フイルムの吸着機構と、
前記半導体封止型15の開閉機構と、
前記下型キャビティ部27に設けた樹脂圧縮機構とを含み、
前記半導体封止型15の開閉機構による型締圧力によって、前記シート樹脂28の周辺部位に設定される前記下型面とのオーバーラップ部28aを切断分離するように構成したことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a semiconductor sealing device 10 according to the present invention includes a semiconductor substrate 18 in which a plurality of semiconductor elements 17 are mounted at predetermined positions of a semiconductor sealing mold 15 having at least an upper mold 12 and a lower mold 14. And supplying the sheet resin 28 stuck on the release film 26 to the cavity portion 27 provided in the lower mold 14 to heat and melt and compress the molten resin material to form the semiconductor substrate A semiconductor sealing device 10 for resin-sealing the semiconductor element 17 on 18,
A cavity portion 27 provided in the lower mold 14,
A resin reservoir 32 provided around the outer periphery of the lower mold cavity 27;
A communication part 33 for connecting the lower mold cavity part 27 and the resin reservoir part 32, and
A lower mold surface for polymerizing the peripheral portion of the sheet resin 28 provided at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27;
An adsorption mechanism for a release film that adsorbs the release film 26 and sucks and supplies the sheet resin 28 on the release film 26 into the cavity portion 27; and
Opening and closing mechanism of the semiconductor sealing mold 15;
A resin compression mechanism provided in the lower mold cavity 27,
The overlap portion 28a with the lower mold surface set in the peripheral portion of the sheet resin 28 is cut and separated by a clamping pressure by an opening / closing mechanism of the semiconductor sealing mold 15.

また、本発明に係る半導体封止装置10は、前記した上型12と下型14との型締時に前記上下両型12・14の外周囲をシールするシール部材19・24を配設すると共に、前記シール部材によるシール範囲内の空気を外部へ排出するエアベント機構を配設して構成したことを特徴とする。   The semiconductor sealing device 10 according to the present invention is provided with seal members 19 and 24 for sealing the outer periphery of the upper and lower molds 12 and 14 when the upper mold 12 and the lower mold 14 are clamped. The air vent mechanism for discharging the air within the seal range by the seal member to the outside is provided.

また、本発明に係る半導体封止装置10は、前記した下型キャビティ部27と前記樹脂溜部32とを連通接続させる連通部33aが、前記下型キャビティ部27から前記樹脂溜部32側に向かって拡開するような傾斜面形状に形成した樹脂流出防止手段として備えられていることを特徴とする。   Further, in the semiconductor sealing device 10 according to the present invention, the communication part 33a for connecting and connecting the lower mold cavity part 27 and the resin reservoir part 32 to the resin reservoir part 32 side from the lower mold cavity part 27 is provided. It is provided as the resin outflow prevention means formed in the inclined surface shape which expands toward it.

また、本発明に係る半導体封止装置10は、前記した樹脂溜部32と連通部33aとを、前記下型キャビティ部27の外方に向かって交互に連通接続させることにより、複数の樹脂溜部32及び連通部33aを配置した樹脂流出防止手段として備えられていることを特徴とする。   Further, the semiconductor sealing device 10 according to the present invention includes a plurality of resin reservoirs by alternately connecting the resin reservoirs 32 and the communication portions 33a to the outside of the lower mold cavity 27. It is provided as a resin outflow prevention means in which the portion 32 and the communication portion 33a are arranged.

また、本発明に係る半導体封止装置10は、前記した下型キャビティ部27内に供給及び/又は収容する樹脂材料の量を調整するための樹脂量調整部34を設けて構成したことを特徴とする。   Further, the semiconductor sealing device 10 according to the present invention is configured by providing a resin amount adjusting unit 34 for adjusting the amount of the resin material supplied and / or accommodated in the lower mold cavity 27 described above. And

本発明に係る半導体封止方法及び半導体封止装置10によれば、半導体封止型15におけるキャビティ部27の周辺部に樹脂未充填状態の空隙部が生ずるのを実質的に無くすことができるので、該キャビティ部27内に半導体基板18上の半導体素子17を樹脂封止するために必要な適量の樹脂材料を供給することができる。
また、キャビティ部27内の溶融樹脂材料を圧縮する際に、該溶融樹脂材料の流動作用を防止若しくはこれを効率良く抑制することができる。
このため、該溶融樹脂材料の流動作用により半導体基板18上の半導体素子17が押されて位置ズレを起こした状態で樹脂封止成形されてしまうと云った樹脂成形上の不具合の発生を防止することができる。
そして、このような不具合の発生を防止することにより、樹脂封止後の半導体素子17に対する再配線等の後工程をスムーズに且つ適正に行うことができる。
According to the semiconductor sealing method and the semiconductor sealing device 10 according to the present invention, it is possible to substantially eliminate the formation of a resin-unfilled void in the periphery of the cavity 27 in the semiconductor sealing mold 15. An appropriate amount of resin material necessary for resin-sealing the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 can be supplied into the cavity portion 27.
Further, when the molten resin material in the cavity portion 27 is compressed, the flow action of the molten resin material can be prevented or effectively suppressed.
For this reason, it is possible to prevent the occurrence of problems in resin molding such that the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 is pushed by the flow action of the molten resin material and the resin sealing molding is performed in a state where the positional deviation occurs. be able to.
Further, by preventing the occurrence of such a problem, subsequent processes such as rewiring for the semiconductor element 17 after resin sealing can be performed smoothly and appropriately.

更に、キャビティ部27内に適量の樹脂材料を供給すること、及び、該キャビティ部27内における溶融樹脂材料の流動作用を防止若しくは抑制した状態で該溶融樹脂材料を圧縮することが可能となる。
従って、均等厚みに圧縮成形された樹脂パッケージ31を得ることができるので、高品質を備えた製品を製造することができると云った実用的な効果を奏する。
Furthermore, it becomes possible to supply an appropriate amount of the resin material into the cavity portion 27 and to compress the molten resin material in a state in which the flow action of the molten resin material in the cavity portion 27 is prevented or suppressed.
Therefore, since the resin package 31 that is compression-molded to a uniform thickness can be obtained, there is a practical effect that a product with high quality can be manufactured.

また、連通部33aが樹脂溜部32側に向かって深くなるように傾斜しているため、切断分離したオーバーラップ部28aを下型キャビティ部27の外方周囲に設けた樹脂溜部32内に収容するオーバーラップ部の収容工程を、より確実に行うことができる。   Further, since the communication portion 33a is inclined so as to become deeper toward the resin reservoir portion 32 side, the cut and separated overlap portion 28a is provided in the resin reservoir portion 32 provided on the outer periphery of the lower mold cavity portion 27. The accommodation process of the overlap part to accommodate can be performed more reliably.

また、下型キャビティ部27内に樹脂量調整部34を設けたので、下型キャビティ部27内の余剰樹脂を下型キャビティ部27内にて収容する必要がある場合において好適に対応することができる。   In addition, since the resin amount adjusting unit 34 is provided in the lower mold cavity 27, it is possible to cope with a case where it is necessary to store the excess resin in the lower mold cavity 27 in the lower mold cavity 27. it can.

また、半導体基板18に替えて、加熱剥離性機能を備えた接着フイルム41を介して半導体素子17を装着したキャリア40を用いる場合においては、樹脂成形後におけるキャリア40側と樹脂パッケージ31a側との分離工程を簡易化することができる。   Further, in the case of using the carrier 40 on which the semiconductor element 17 is mounted via the adhesive film 41 having a heat peelable function instead of the semiconductor substrate 18, the carrier 40 side and the resin package 31a side after the resin molding are used. The separation process can be simplified.

本発明に係る半導体封止装置における半導体封止型の要部を概略的に示しており、図1(1) は半導体基板及びシート樹脂を半導体封止型部に搬送した状態を示す一部切欠正面図、図1(2) は半導体封止型部に搬送した半導体基板及びシート樹脂を半導体封止型部の所定位置に供給セットした状態を示す一部切欠正面図である。The main part of the semiconductor sealing type in the semiconductor sealing device according to the present invention is schematically shown. FIG. 1 (1) is a partially cutaway view showing a state in which the semiconductor substrate and the sheet resin are transported to the semiconductor sealing mold part. FIG. 1 (2) is a partially cutaway front view showing a state in which the semiconductor substrate and the sheet resin conveyed to the semiconductor encapsulation mold part are supplied and set at predetermined positions of the semiconductor encapsulation mold part. 図2(1) は図1に対応する半導体封止型の要部拡大縦断面図、図2(2) は半導体封止型の要部を更に拡大して示す縦断面図である。FIG. 2 (1) is an enlarged vertical sectional view of the main part of the semiconductor encapsulation type corresponding to FIG. 1, and FIG. 2 (2) is an enlarged vertical sectional view showing an essential part of the semiconductor encapsulation type. 半導体基板の供給セット工程及びシート樹脂の供給工程の説明図である。It is explanatory drawing of the supply setting process of a semiconductor substrate, and the supply process of sheet resin. 図2に対応する半導体封止型要部の縦断面図であり、図4(1) は上下両型による第一型締状態の説明図、図4(2) はシート樹脂のオーバーラップ部を切断分離する第二型締状態の説明図である。4 is a longitudinal sectional view of the main part of the semiconductor encapsulated mold corresponding to FIG. 2, FIG. 4 (1) is an explanatory view of the first mold clamping state by both upper and lower molds, and FIG. 4 (2) is an overlap portion of the sheet resin. It is explanatory drawing of the 2nd mold clamping state to cut-separate. 図4に対応する半導体封止型要部の縦断面図であり、図5(1) はシート樹脂のオーバーラップ部を樹脂溜部内に収容する工程の説明図、図5(2) はキャビティ部内の溶融樹脂材料を圧縮する工程の説明図である。FIG. 5 (1) is an explanatory view of the process of accommodating the overlap portion of the sheet resin in the resin reservoir, and FIG. 5 (2) is in the cavity portion. It is explanatory drawing of the process of compressing the molten resin material. 図5(2) に対応する樹脂圧縮工程の説明図であり、図6(1) はシート樹脂のオーバーラップ部を切断した状態を示す拡大縦断面図、図6(2) はシート樹脂の加熱溶融時の状態を示す拡大縦断面図、図6(3) は溶融樹脂材料を圧縮した状態を示す拡大縦断面図である。Fig. 6 (1) is an explanatory view of the resin compression process corresponding to Fig. 5 (2), Fig. 6 (1) is an enlarged longitudinal sectional view showing a state where the overlap portion of the sheet resin is cut, and Fig. 6 (2) is a heating of the sheet resin. FIG. 6 (3) is an enlarged longitudinal sectional view showing a state in which the molten resin material is compressed. 本発明に係る他の実施例であり、図7(1) は半導体封止型の要部を示す縦断面図、図7(2) はその変形例を示す半導体封止型の縦断面図である。FIG. 7 (1) is a longitudinal sectional view showing a main part of a semiconductor encapsulated mold, and FIG. 7 (2) is a longitudinal sectional view of a semiconductor encapsulated mold showing a modification thereof. is there. 本発明に係る更に他の実施例であり、図8(1) は半導体封止型の要部を示す縦断面図、図8(2) はその変形例を示す半導体封止型の縦断面図である。FIG. 8 (1) is a longitudinal sectional view showing the main part of a semiconductor encapsulated mold, and FIG. 8 (2) is a longitudinal sectional view of a semiconductor encapsulated mold showing a modification thereof. It is. 半導体基板に替えてキャリアを使用する場合の本発明に係る他の実施例であって、図9(1) は接着フイルムを貼着したキャリアを、図9(2) は半導体素子を貼着したキャリアを概略的に示しており、また、図9(3) は半導体素子の樹脂圧縮成形工程を経た状態を、図9(4) はキャリア側を分離した樹脂パッケージの状態を、図9(5) は再配線及びボール形成工程を経た状態を、図9(6) はダイシング工程を経た状態を概略的に示している。FIG. 9 (1) shows a carrier with an adhesive film attached thereto, and FIG. 9 (2) shows a semiconductor element attached with a carrier in place of a semiconductor substrate. 9 (3) shows the state after the resin compression molding process of the semiconductor element, FIG. 9 (4) shows the state of the resin package with the carrier side separated, and FIG. ) Schematically shows a state after the rewiring and ball formation process, and FIG. 9 (6) schematically shows a state after the dicing process. 本発明に係る半導体封止方法に用いられるシート樹脂で短冊状に設けられているものを示しており、図10(1) はその平面図、図10(2) はその正面図、図10(3) はその保護フイルムを剥離した状態を示す正面図である。FIG. 10 (1) shows a plan view, FIG. 10 (2) shows a front view, and FIG. 10 (2) shows a sheet resin used in the semiconductor sealing method according to the present invention. 3) is a front view showing a state where the protective film is peeled off. シート状樹脂材料を用いる従来の半導体封止型の要部を示す縦断面図であり、図11(1) は半導体基板の供給工程及び樹脂材料の供給工程の説明図、図11(2) は半導体基板のセット工程及び樹脂材料のセット工程の説明図、図11(3) は樹脂圧縮成形工程の説明図である。FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing a main part of a conventional semiconductor sealing mold using a sheet-shaped resin material, FIG. 11 (1) is an explanatory view of a semiconductor substrate supply process and a resin material supply process, and FIG. FIG. 11 (3) is an explanatory diagram of a resin compression molding process, illustrating a semiconductor substrate setting process and a resin material setting process.

以下、本発明を、図1乃至図6に示す第一実施例図に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the first embodiment shown in FIGS.

まず、図1に基づいて、本発明に係る半導体封止装置10の概要を説明する。   First, based on FIG. 1, the outline | summary of the semiconductor sealing apparatus 10 which concerns on this invention is demonstrated.

この半導体封止装置10には、上型ベース11の下面に装設した上型12と、下型ベース13の上面に装設した下型14とを備えた圧縮成形用の半導体封止型15が設けられている。
また、上型12の下面には基板セット部16が設けられており、該基板セット部16の所定位置には複数の半導体素子17を装着した半導体基板18を供給してセットすることができるように設けられている。
また、上型ベース11の外周囲となる位置には上型側シール部材19が上下動可能な状態で配設されている。更に、この上型側シール部材19は、該上型側シール部材19と上型ベース11との間に設けた弾性部材20の弾性によって下方へ突出するように付勢されている。
The semiconductor sealing device 10 includes a semiconductor molding die 15 for compression molding that includes an upper die 12 installed on the lower surface of the upper die base 11 and a lower die 14 installed on the upper surface of the lower die base 13. Is provided.
Further, a substrate set portion 16 is provided on the lower surface of the upper mold 12, and a semiconductor substrate 18 having a plurality of semiconductor elements 17 mounted thereon can be supplied and set at a predetermined position of the substrate set portion 16. Is provided.
Further, an upper mold side seal member 19 is disposed at a position on the outer periphery of the upper mold base 11 so as to be movable up and down. Further, the upper mold side seal member 19 is biased so as to protrude downward by the elasticity of the elastic member 20 provided between the upper mold side seal member 19 and the upper mold base 11.

また、下型ベース13の上面に装設した下型14は、キャビティ底面部材21と該キャビティ底面部材21の外周囲に嵌合させたキャビティ側面部材22とから構成されている。
また、キャビティ側面部材22は該キャビティ側面部材22と下型ベース13との間に設けた弾性部材23の弾性によって上方へ突出するように付勢されている。
また、上記した上型側シール部材19と対向する下型ベース13の外周囲となる位置には下型側シール部材24が配設されている。
なお、上記キャビティ底面部材21は上下駆動機構(図示なし)によって、後述する所定の上下高さ位置に移動させることができるように設けられている。
そして、このキャビティ底面部材21及びその上下駆動機構は、該キャビティ底面部材21の上面とキャビティ側面部材22の内周面とから成る空間部(下型キャビティ部)に供給された樹脂材料を圧縮成形するための樹脂圧縮機構を構成している。
The lower mold 14 installed on the upper surface of the lower mold base 13 includes a cavity bottom surface member 21 and a cavity side surface member 22 fitted to the outer periphery of the cavity bottom surface member 21.
The cavity side member 22 is urged to protrude upward by the elasticity of the elastic member 23 provided between the cavity side member 22 and the lower mold base 13.
Further, a lower mold side seal member 24 is disposed at a position on the outer periphery of the lower mold base 13 facing the upper mold side seal member 19 described above.
The cavity bottom member 21 is provided so that it can be moved to a predetermined vertical height position to be described later by a vertical drive mechanism (not shown).
The cavity bottom member 21 and its vertical drive mechanism compress and mold the resin material supplied to the space (lower mold cavity) formed by the upper surface of the cavity bottom member 21 and the inner peripheral surface of the cavity side member 22. The resin compression mechanism for this is comprised.

また、上記した上型ベース11は型開閉機構(図示なし)を介して上下動可能に設けられており、図1に示す上下両型12・14の型開時においては該上型12を所定の高さ位置にまで上動させることができると共に、後述する上下両型12・14の型締時においては該上型12を下動させて上下両型12・14の型面を接合させることができるように設けられている。   Further, the upper mold base 11 described above is provided so as to be movable up and down via a mold opening / closing mechanism (not shown). When the upper and lower molds 12 and 14 shown in FIG. The upper and lower molds 12 and 14 can be moved up and down, and the upper mold 12 is moved downward to join the mold surfaces of the upper and lower molds 12 and 14 together. It is provided so that you can.

また、上記した型開閉機構を介して上下両型12・14を型締めしたとき、上型側シール部材19と下型側シール部材24とが接合されることにより該上下両型12・14の外周囲をシールすることができるように設けられている。
更に、この上型側シール部材19及び下型側シール部材24によるシール範囲内の空気を、適宜な減圧手段を介して、外部へ積極的に排出するように構成したエアベント機構(図示なし)が配設されている。
In addition, when the upper and lower molds 12 and 14 are clamped via the mold opening / closing mechanism described above, the upper mold side seal member 19 and the lower mold side seal member 24 are joined, thereby It is provided so that the outer periphery can be sealed.
Further, there is an air vent mechanism (not shown) configured to positively discharge the air within the sealing range by the upper mold side seal member 19 and the lower mold side seal member 24 to the outside through an appropriate pressure reducing means. It is arranged.

また、図1に示す上下両型12・14の型開時において、基板供給・搬出機構25を該上下両型12・14間の所定位置に移動させると共に、該基板供給・搬出機構25上の半導体基板18を該上型12の基板セット部16に係着支持させることにより、半導体基板18を該基板セット部16の所定位置に供給してセットすることができるように設けられている。   Further, when the upper and lower molds 12 and 14 shown in FIG. 1 are opened, the substrate supply / unloading mechanism 25 is moved to a predetermined position between the upper and lower molds 12 and 14 and the substrate supply / unloading mechanism 25 is The semiconductor substrate 18 is provided so that it can be supplied and set at a predetermined position of the substrate setting portion 16 by engaging and supporting the semiconductor substrate 18 on the substrate setting portion 16 of the upper mold 12.

また、上記下型14の型面(上面)に対する離型フイルム26の被覆と、下型キャビティ部27(即ち、キャビティ底面部材21の上面とキャビティ側面部材22の内周面とから構成される空間部)内へのシート樹脂28の供給は、所謂、ロール・ツー・ロール機構29によって行われる。
即ち、図1に示すように、離型フイルム26は長尺状に形成されている。
そして、この離型フイルム26は、供給ロール29aから供給側ガイドロール29b等を経て下型14の型面に供給されると共に、半導体封止型15にて所定の樹脂圧縮成形工程を経た後に、巻取側ガイドロール29c等を経て巻取ロール29dに巻き取り収容されるように設けられている。
In addition, a space formed by the coating of the release film 26 on the mold surface (upper surface) of the lower mold 14 and the lower mold cavity portion 27 (that is, the upper surface of the cavity bottom member 21 and the inner peripheral surface of the cavity side member 22). The sheet resin 28 is supplied into the part) by a so-called roll-to-roll mechanism 29.
That is, as shown in FIG. 1, the release film 26 is formed in a long shape.
The release film 26 is supplied from the supply roll 29a to the mold surface of the lower mold 14 through the supply side guide roll 29b and the like, and after undergoing a predetermined resin compression molding process in the semiconductor sealing mold 15, It is provided so as to be wound and accommodated in the winding roll 29d via the winding side guide roll 29c and the like.

また、上記シート樹脂28は所要の柔軟性を備えている。
そして、上記離型フイルム26上における所定の間隔位置に貼着されると共に、図1に示すように、半導体封止型15側への連続自動供給を目的として、ロール・ツー・ロール機構29における供給ロール29aに巻装されている。
また、該離型フイルム26上には、上記したシート樹脂28を保護するための保護フイルム30(ラミネートフイルム)が貼着されている。
The sheet resin 28 has a required flexibility.
And in the roll-to-roll mechanism 29 for the purpose of continuous automatic supply to the semiconductor sealing mold 15 side, as shown in FIG. It is wound around the supply roll 29a.
On the release film 26, a protective film 30 (laminate film) for protecting the above-described sheet resin 28 is attached.

また、上記したシート樹脂28の厚み28Tは、後述するように、下型キャビティ部27にて圧縮成形される樹脂パッケージ31の厚さ31Tと略等しくなるように設定されている(図6参照)。   Further, as described later, the thickness 28T of the sheet resin 28 is set to be substantially equal to the thickness 31T of the resin package 31 that is compression-molded in the lower mold cavity 27 (see FIG. 6). .

また、後述するように、上記シート樹脂28を下型キャビティ部27に供給する際の該下型キャビティ部27の深さ27Dは、シート樹脂28の厚み28Tの約1.5 倍乃至2.0 倍となるように設定されている(図6参照)。   As will be described later, the depth 27D of the lower mold cavity 27 when the sheet resin 28 is supplied to the lower mold cavity 27 is approximately 1.5 to 2.0 times the thickness 28T of the sheet resin 28. (See FIG. 6).

また、上記シート樹脂28の形状は、半導体封止装置10における下型キャビティ部27の形状に対応すると共に、該下型キャビティ部27の開口周縁(即ち、キャビティ底面部材21の上端周縁部)よりも大きく(広く)なるように設定している。
従って、下型キャビティ部27にシート樹脂28を供給する場合において、該シート樹脂28の中心位置を下型キャビティ部27の中心位置に合わせる両者の位置合わせ(位置決制御)を行うことによって、シート樹脂28の外方周縁の部位を下型キャビティ部27の外方周縁の部位(即ち、キャビティ側面部材22の上面)に張り出して重合するオーバーラップ部28aを設定することができる。
Further, the shape of the sheet resin 28 corresponds to the shape of the lower mold cavity 27 in the semiconductor sealing device 10 and from the opening peripheral edge of the lower mold cavity 27 (that is, the upper peripheral edge of the cavity bottom member 21). Is set to be larger (wider).
Accordingly, when the sheet resin 28 is supplied to the lower mold cavity 27, the sheet resin 28 is aligned by aligning the center position of the sheet resin 28 with the center position of the lower mold cavity 27 (positioning control). It is possible to set an overlap portion 28a that superposes and superposes the outer peripheral portion of the resin 28 on the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 (that is, the upper surface of the cavity side member 22).

なお、上記した供給側ガイドロール29bと巻取側ガイドロール29cとの間における所要位置に供給側テンションロール及び巻取側テンションロールを配設する(図示なし)と共に、該両テンションロールの高さ位置を調整できるように構成して、下型14の型面に対する離型フイルム26の被覆状態の調整を行い、或は、離型フイルム26のテンション調整を行うようにすることができる。   A supply-side tension roll and a take-up-side tension roll are disposed at a required position between the supply-side guide roll 29b and the take-up-side guide roll 29c (not shown), and the heights of both tension rolls are arranged. The position can be adjusted so that the covering state of the release film 26 with respect to the mold surface of the lower mold 14 can be adjusted, or the tension of the release film 26 can be adjusted.

また、上記したキャビティ底面部材21とキャビティ側面部材22との嵌合周面部位から下型キャビティ部27内の空気を適宜な減圧手段を介して外部へ排出するように構成した離型フイルムの吸着機構(図示なし)が配設されている。
このため、図1(1) に示すように、下型14の型面(上面)に離型フイルム26が被覆された状態で該離型フイルムの吸着機構を作動させると、上記した下型キャビティ部27を被覆する離型フイルム26は、図1(2) に示すように、該下型キャビティ部27内に吸引され且つ供給されると共に、該下型キャビティ部27の形状に沿って吸着されることになる。
従って、このとき、上記離型フイルム26の上面に貼着したシート樹脂28は、所要の柔軟性を備えていることとも相俟って、離型フイルム26の吸着作用に伴って下型キャビティ部27内にその形状に沿ってスムーズに収容されることになる。
Further, the mold release film adsorbed so as to discharge the air in the lower mold cavity 27 from the fitting peripheral surface portion of the cavity bottom member 21 and the cavity side member 22 to the outside through an appropriate pressure reducing means. A mechanism (not shown) is provided.
For this reason, as shown in FIG. 1 (1), when the mold release film 26 is covered with the mold surface (upper surface) of the lower mold 14 and the release film adsorption mechanism is operated, the lower mold cavity described above is operated. As shown in FIG. 1 (2), the release film 26 covering the portion 27 is sucked and supplied into the lower mold cavity portion 27 and is adsorbed along the shape of the lower mold cavity portion 27. Will be.
Accordingly, at this time, the sheet resin 28 adhered to the upper surface of the release film 26 is provided with the required flexibility, and the lower mold cavity portion with the adsorption action of the release film 26. 27 is smoothly accommodated along the shape.

また、上記した下型キャビティ部27の外方周囲には樹脂溜部32が設けられている。
図例においては、下型キャビティ部27の外方周囲の位置となるキャビティ側面部材22の上面に、連通部33を介して下型キャビティ部27と連通接続させた樹脂溜部32を配設した場合を示している(図2参照)。
A resin reservoir 32 is provided around the outer periphery of the lower mold cavity 27 described above.
In the illustrated example, a resin reservoir 32 that is in communication with the lower mold cavity portion 27 via the communication portion 33 is disposed on the upper surface of the cavity side surface member 22 that is located on the outer periphery of the lower mold cavity portion 27. The case is shown (see FIG. 2).

また、上記したシート樹脂28の周辺部位をキャビティ側面部材22の上面位置にまで張り出して重合させることにより、この下型キャビティ部27の外方周縁部位に、シート樹脂28のオーバーラップ部28aを設定することができる(図2(2) 参照)。   In addition, the overlapping portion 28a of the sheet resin 28 is set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 by polymerizing the peripheral portion of the sheet resin 28 as described above, and extending to the upper surface position of the cavity side member 22. (See Fig. 2 (2)).

以下、図1乃至図6に基づいて、離型フイルム26及びこの離型フイルム26上に貼着したシート樹脂28を半導体封止装置10における下型キャビティ部27へ供給する場合について説明する。   Hereinafter, the case where the release film 26 and the sheet resin 28 adhered on the release film 26 are supplied to the lower mold cavity 27 in the semiconductor sealing device 10 will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

予め、シート樹脂28を半導体封止装置10における下型キャビティ部27へ供給する前に、該シート樹脂28の上面に貼着した保護フイルム30を剥離するシート樹脂の保護フイルム剥離工程を行う。
この実施例では、図1に示すように、離型フイルム26と該離型フイルム26上に貼着したシート樹脂28を下型キャビティ部27側へ供給する前に、該シート樹脂28の上面側に貼着した保護フイルム30をガイドロール29eを経て保護フイルムの巻取ロール(図示なし)に巻取り収容させることによって、保護フイルム剥離工程を行う。
Before supplying the sheet resin 28 to the lower mold cavity 27 in the semiconductor sealing device 10, a protective film peeling process for peeling the protective film 30 attached to the upper surface of the sheet resin 28 is performed in advance.
In this embodiment, as shown in FIG. 1, before supplying the release film 26 and the sheet resin 28 adhered on the release film 26 to the lower mold cavity 27 side, the upper surface side of the sheet resin 28 is provided. A protective film peeling process is performed by winding and storing the protective film 30 adhered to the film on a winding roll (not shown) of the protective film via a guide roll 29e.

また、図1に示す上下両型12・14の型開時に、基板供給・搬出機構25を介して、半導体素子17を装着した半導体基板18を半導体封止型15の所定位置(基板セット部16の下面)に供給してセットする半導体基板の供給セット工程を行う(図1(1) 参照)。   When the upper and lower molds 12 and 14 shown in FIG. 1 are opened, the semiconductor substrate 18 on which the semiconductor element 17 is mounted is placed at a predetermined position (substrate setting portion 16) via the substrate supply / unloading mechanism 25. The semiconductor substrate is supplied and set on the lower surface (see FIG. 1 (1)).

また、離型フイルム26にて半導体封止型15における下型面(下型14の型面)を被覆すると共に、離型フイルム26上面のシート樹脂28を下型キャビティ部27の位置と対応する位置にセットするシート樹脂のセット工程を行う(図1(1) 参照)。   The release film 26 covers the lower mold surface (the mold surface of the lower mold 14) of the semiconductor sealing mold 15, and the sheet resin 28 on the upper surface of the release film 26 corresponds to the position of the lower mold cavity 27. The sheet resin is set at the position (see Fig. 1 (1)).

また、上記したシート樹脂のセット工程にてシート樹脂28を下型キャビティ部27と対応する位置にセットする際に、該シート樹脂28の周辺部位を下型キャビティ部27の外方周縁部位(キャビティ側面部材22の上面)にまで張り出して重合させることにより、この外方周縁部位にシート樹脂28のオーバーラップ部28aを設定するシート樹脂のオーバーラップ工程を行う(図2(2) 参照)。   Further, when the sheet resin 28 is set at a position corresponding to the lower mold cavity portion 27 in the above-described sheet resin setting step, the peripheral portion of the sheet resin 28 is defined as the outer peripheral portion (cavity) of the lower mold cavity portion 27. The sheet resin overlap process for setting the overlap portion 28a of the sheet resin 28 at the outer peripheral edge portion is performed by overhanging the upper surface of the side member 22 and polymerizing (see FIG. 2 (2)).

上記したシート樹脂のオーバーラップ工程の後に、適宜な減圧機構(図示なし)を介して下型キャビティ部27内を減圧することにより、シート樹脂28を貼着した離型フイルム26を下型キャビティ面に吸着する離型フイルムの吸着工程を行う。
なお、この下型キャビティ部27内の減圧は、キャビティ底面部材21とキャビティ側面部材22との間隙より該下型キャビティ部27内の空気を外部へ排出することによって行うことができる(図3参照)。
After the above-described sheet resin overlap process, the inside of the lower mold cavity 27 is depressurized through an appropriate depressurization mechanism (not shown), so that the release film 26 to which the sheet resin 28 is adhered is removed from the lower mold cavity surface. The mold release film adsorbing process is performed.
Note that the pressure in the lower mold cavity 27 can be reduced by discharging the air in the lower mold cavity 27 to the outside through the gap between the cavity bottom member 21 and the cavity side member 22 (see FIG. 3). ).

上記した離型フイルムの吸着工程の後に、上型面(上型12の型面)と下型面とを閉じ合わせる半導体封止型の第一型締めを行う(図4(1) 参照)。
また、この第一型締めに連続して、シート樹脂のオーバーラップ部を切断分離する第二型締めを行う(図4(2) 参照)。
After the above-described release film adsorption step, the first mold clamping of the semiconductor sealing mold is performed to close the upper mold surface (the mold surface of the upper mold 12) and the lower mold surface (see FIG. 4 (1)).
Further, following the first mold clamping, the second mold clamping is performed to cut and separate the overlap portion of the sheet resin (see FIG. 4 (2)).

なお、半導体封止型15における上下両型12・14を型締めしてシール部材19・24を接合させることによって該上下両型12・14の外周囲をシールすることができる。
従って、エアベント機構(図示なし)を介して、半導体封止型の型締工程を行う前から該シール範囲内の空気を外部へ積極的に排出するエアベント工程を行うことにより、後述する樹脂圧縮成形工程時における空気巻込作用を防止して成形する樹脂パッケージ31内に気泡(ボイド)を形成する等の不具合の発生を防止することができる。
The outer periphery of the upper and lower molds 12 and 14 can be sealed by clamping the upper and lower molds 12 and 14 in the semiconductor sealing mold 15 and joining the seal members 19 and 24 to each other.
Therefore, the resin compression molding described later is performed by performing an air vent process for positively discharging the air within the sealing range to the outside before performing the semiconductor sealing mold clamping process via an air vent mechanism (not shown). It is possible to prevent the occurrence of problems such as formation of bubbles (voids) in the resin package 31 to be molded while preventing air entrainment during the process.

また、上記半導体封止型の型締工程時による型締圧力にて、下型キャビティ部27の外方周縁部位に設定したシート樹脂28のオーバーラップ部28aを切断すると共に、この切断したオーバーラップ部28aを除くシート樹脂28を下型キャビティ部27内に収容するオーバーラップ部の切断分離工程を行う。
この切断分離工程におけるオーバーラップ部28aの切断は、上型12の基板セット部16にセットした半導体基板18の下面(半導体素子17の装着面)側と下型キャビティ部27の外周縁(キャビティ側面部材22の内周縁)とが接する部位となる切断位置28bにて行われる。
従って、オーバーラップ部28aが切断分離されたシート樹脂28は、その容積が一定となると共に、その切断分離後において下型キャビティ部27内に効率良く且つ確実に収容されることになる(図4(2) 参照)。
In addition, the overlap portion 28a of the sheet resin 28 set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 is cut by the clamping pressure at the time of the clamping step of the semiconductor sealing die, and the cut overlap A cutting / separating step of the overlap portion for accommodating the sheet resin 28 excluding the portion 28a in the lower mold cavity portion 27 is performed.
In this cutting and separating step, the overlap portion 28a is cut by the lower surface (mounting surface of the semiconductor element 17) side of the semiconductor substrate 18 set on the substrate setting portion 16 of the upper die 12 and the outer peripheral edge (cavity side surface) of the lower die cavity portion 27. This is performed at a cutting position 28b where the inner peripheral edge of the member 22 comes into contact.
Accordingly, the sheet resin 28 from which the overlap portion 28a has been cut and separated has a constant volume and is efficiently and reliably accommodated in the lower mold cavity portion 27 after the cutting and separation (FIG. 4). (See (2)).

また、このとき、上記したシート樹脂28のオーバーラップ部28aは半導体基板18の下面とキャビティ側面部材22の上面との間に挟まれた状態にあるため、オーバーラップ部の切断分離工程の前に、半導体封止型の型締工程における上下両型12・14の型締圧力によって該オーバーラップ部28aを加圧することができる(オーバーラップ部の加圧工程)。   At this time, since the overlap portion 28a of the sheet resin 28 is sandwiched between the lower surface of the semiconductor substrate 18 and the upper surface of the cavity side member 22, the overlap portion is cut and separated before the step. The overlap portion 28a can be pressurized by the clamping pressures of the upper and lower molds 12 and 14 in the semiconductor sealing mold clamping process (overlapping part pressing process).

また、切断分離されたオーバーラップ部28a及びシート樹脂28には加熱用ヒータ(図示なし)による加熱作用が加えられている。
このため、図5に示すように、切断分離されて加熱溶融化されたオーバーラップ部28aは、連通部33を通してキャビティ側面部材22の上面に設けた樹脂溜部32内に収容されることになる(オーバーラップ部の収容工程)。
The overlapped portion 28a and the sheet resin 28 that have been cut and separated are subjected to a heating action by a heater (not shown).
Therefore, as shown in FIG. 5, the overlapped portion 28 a that has been cut and separated and heated and melted is accommodated in a resin reservoir 32 provided on the upper surface of the cavity side member 22 through the communicating portion 33. (Accommodating step of overlap portion).

更に、オーバーラップ部28aが切断分離されることにより容積が一定となったシート樹脂28は下型キャビティ部27内に収容される。容積が一定となったシート樹脂28が該下型キャビティ部27内にて加熱溶融化されることにより、溶融樹脂材料が生成される。該溶融樹脂材料は下型キャビティ部27内の各部位において均等に充填されることになる。
従って、この状態で、キャビティ底面部材21を所定の高さ位置にまで上動させることにより、この下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料に対して所定の樹脂圧縮力を加えることができると共に、該溶融樹脂材料を圧縮して半導体基板18上の半導体素子17を均等厚みに成形されたパッケージ内に樹脂封止することができる(樹脂圧縮成形工程)。
Further, the sheet resin 28 overlap portion 28a becomes volume constant by Rukoto is cut and separated is contained in the lower cavity portion 27. The sheet resin 28 having a constant volume is heated and melted in the lower mold cavity 27, whereby a molten resin material is generated. The molten resin material is uniformly filled in each portion in the lower mold cavity portion 27.
Accordingly, in this state, by moving the cavity bottom member 21 to a predetermined height position, a predetermined resin compressive force can be applied to the molten resin material in the lower mold cavity portion 27, and By compressing the molten resin material, the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 can be resin-sealed in a package formed with a uniform thickness (resin compression molding step).

なお、切断分離されたオーバーラップ部28aは加熱溶融化されると共に、その状態で上記したオーバーラップ部の収容工程により樹脂溜部32内に収容される。
このため、該オーバーラップ部28aが下型キャビティ部27内へ流入したり、或は、半導体基板18の外部へ流出するのを効率良く防止することができる。
Note that the overlapped portion 28a that has been cut and separated is heated and melted, and in this state, is accommodated in the resin reservoir 32 by the above-described overlapped portion accommodating step.
Therefore, it is possible to efficiently prevent the overlap portion 28a from flowing into the lower mold cavity portion 27 or outflowing to the outside of the semiconductor substrate 18.

次に、図6に基づいて、下型キャビティ部27内に収容されたシート樹脂28に対する樹脂圧縮成形工程について更に詳述する。
なお、図は、理解を容易にするために誇張して画かれている。
図6(1) はオーバーラップ部28aを切断したシート樹脂28を下型キャビティ部27内に収容した状態を示しており、また、図6(2) は下型キャビティ部27内に収容したシート樹脂28を加熱溶融化した状態を示しており、図6(3) は下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料を圧縮した状態を示している。
Next, the resin compression molding process for the sheet resin 28 accommodated in the lower mold cavity 27 will be described in more detail with reference to FIG.
Note that the drawings are exaggerated for easy understanding.
FIG. 6 (1) shows a state in which the sheet resin 28 cut from the overlap part 28 a is accommodated in the lower mold cavity part 27, and FIG. 6 (2) shows a sheet accommodated in the lower mold cavity part 27. FIG. 6 (3) shows a state in which the molten resin material in the lower mold cavity 27 is compressed.

図6(1) に示すように、切断されたオーバーラップ部28aを除くシート樹脂28は、その容積が一定となると共に、下型キャビティ部27内に効率良く且つ確実に収容される。
そして、このときのシート樹脂28は下型キャビティ部27内に均一に供給されることになるので、下型キャビティ部27内の周縁に樹脂未充填状態の空隙部が生じるのを効率良く防止することができる。
また、シート樹脂28の厚み28Tは下型キャビティ部27内にて成形される樹脂パッケージ31の厚さ31Tと略等しくなるように設定されている。
また、シート樹脂28を下型キャビティ部27内に供給する際の下型キャビティ部27の深さ27Dは、シート樹脂28の厚みの1.5 倍乃至2.0 倍となる深さに設定されている。
このような設定は、シート樹脂28の厚み28Tを基準とすると共に、キャビティ底面部材21を上下駆動させてその高さ位置を調整することによって可能である。
また、シート樹脂28の厚み28Tと下型キャビティ部27の深さ27Dとの関係をこのように設定することにより、シート樹脂28の切断工程や樹脂圧縮成形工程等を効率良く行うことができる。
即ち、下型キャビティ部27の深さ27Dをシート樹脂28の厚み28Tの約1.5 倍以上とすることによって、キャビティ底面部材21の所要の上動ストロークを確保することができるので、シート樹脂28におけるオーバーラップ部28aを切断・分離するシート樹脂の切断作用を効率良く且つ確実に行うことができる。
更に、下型キャビティ部27の深さ27Dをシート樹脂28の厚み28Tの約2.0 倍までとすることで、下型キャビティ部27内に必要以上のシート樹脂28が供給されるのを防止することができる。
As shown in FIG. 6 (1), the sheet resin 28 excluding the cut overlap part 28a has a constant volume and is efficiently and reliably accommodated in the lower mold cavity part 27.
Since the sheet resin 28 at this time is uniformly supplied into the lower mold cavity 27, it is possible to efficiently prevent the formation of voids that are not filled with resin at the periphery of the lower mold cavity 27. be able to.
The thickness 28T of the sheet resin 28 is set to be substantially equal to the thickness 31T of the resin package 31 molded in the lower mold cavity 27.
The depth 27D of the lower mold cavity 27 when the sheet resin 28 is supplied into the lower mold cavity 27 is set to a depth that is 1.5 to 2.0 times the thickness of the sheet resin 28.
Such a setting is possible by using the thickness 28T of the sheet resin 28 as a reference and adjusting the height position by driving the cavity bottom member 21 up and down.
Further, by setting the relationship between the thickness 28T of the sheet resin 28 and the depth 27D of the lower mold cavity portion 27 in this manner, the cutting process of the sheet resin 28, the resin compression molding process, and the like can be performed efficiently.
That is, by setting the depth 27D of the lower mold cavity portion 27 to about 1.5 times or more the thickness 28T of the sheet resin 28, the required upward stroke of the cavity bottom member 21 can be secured. The cutting action of the sheet resin for cutting / separating the overlap portion 28a can be performed efficiently and reliably.
Further, by setting the depth 27D of the lower mold cavity 27 to about 2.0 times the thickness 28T of the sheet resin 28, it is possible to prevent unnecessary supply of the sheet resin 28 into the lower mold cavity 27. Can do.

次に、図6(2) に示すように、下型キャビティ部27内に収容されたシート樹脂28は、加熱用ヒータによる加熱作用を受けて溶融化される。   Next, as shown in FIG. 6 (2), the sheet resin 28 accommodated in the lower mold cavity 27 is melted by the heating action of the heater for heating.

次に、図6(3) に示すように、キャビティ底面部材21を所定の高さ位置にまで移動させることにより、即ち、キャビティ底面部材21の上面位置が樹脂パッケージ31の厚さ31Tと略等しい高さとなる位置において停止させることにより、下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料に対して所要の樹脂圧を加えると共に、樹脂パッケージ31の厚さ31Tをシート樹脂28の厚み28Tと略同じ厚さとなるように圧縮成形することができる。
このようなキャビティ底面部材21の上下高さ位置の設定は、該キャビティ底面部材21の上下駆動機構やその位置制御機構(図示なし)等を介して、該キャビティ底面部材21を所定の上下高さ位置に移動させるように調整することで可能である。
また、シート樹脂28の厚み28Tと樹脂パッケージ31の厚さ31Tとを略同じ厚さに設定することにより、上記樹脂圧縮成形時におけるシート樹脂28の使用量を必要最小限のものとすることができる。
Next, as shown in FIG. 6 (3), the cavity bottom member 21 is moved to a predetermined height position, that is, the top surface position of the cavity bottom member 21 is substantially equal to the thickness 31T of the resin package 31. By stopping at the height position, the required resin pressure is applied to the molten resin material in the lower mold cavity 27, and the thickness 31T of the resin package 31 is made substantially the same as the thickness 28T of the sheet resin 28. It can be compression molded.
Such setting of the vertical height position of the cavity bottom member 21 is performed by moving the cavity bottom member 21 to a predetermined vertical height via the vertical drive mechanism of the cavity bottom member 21 or its position control mechanism (not shown). It is possible by adjusting to move to the position.
Further, by setting the thickness 28T of the sheet resin 28 and the thickness 31T of the resin package 31 to substantially the same thickness, the amount of the sheet resin 28 used at the time of the resin compression molding can be minimized. it can.

上記した樹脂圧縮成形工程においては、下型キャビティ部27内に樹脂パッケージ31の厚さ31Tと略同じ厚み28Tのシート樹脂28を供給すること、そして、このシート樹脂28は下型キャビティ部27内に均一に供給されて下型キャビティ部27内の周縁に樹脂未充填状態の空隙部が生じないことから、下型キャビティ部27内の各部位に樹脂材料(シート樹脂28)を均一に供給して充填させることができる。
従って、下型キャビティ部27内の樹脂材料を均一に加熱溶融化することができる。
このため、キャビティ底面部材21を所定の高さ位置にまで上動させて下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料を圧縮する作用を低圧(低速)にて行うことができる。
更に、下型キャビティ部27内の周縁に樹脂未充填状態の空隙部が構成されないこととも相俟って、この溶融樹脂材料に対する低圧縮作用により、下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料が周縁部等へ流動されるのを効率良く防止することができ、若しくは、抑制することができる。
上記した下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料に対する低圧縮作用と樹脂流動作用の防止若しくは抑制作用によって、半導体基板18上の半導体素子17が押されて位置ズレが発生するのを確実に防止することができる。
また、このように、半導体基板18上の半導体素子17を適正な状態で樹脂封止することができると共に、各部位において均等厚みに圧縮成形された樹脂パッケージ31内に封止することができる。
In the resin compression molding process described above, the sheet resin 28 having a thickness 28T substantially the same as the thickness 31T of the resin package 31 is supplied into the lower mold cavity 27, and the sheet resin 28 is contained in the lower mold cavity 27. The resin material (sheet resin 28) is uniformly supplied to each part in the lower mold cavity portion 27 because no gap is formed in the lower mold cavity portion 27 so as not to fill the resin with no resin. Can be filled.
Accordingly, the resin material in the lower mold cavity 27 can be uniformly heated and melted.
Therefore, the action of compressing the molten resin material in the lower mold cavity portion 27 by moving the cavity bottom member 21 to a predetermined height position can be performed at a low pressure (low speed).
Furthermore, in combination with the fact that no void in the resin-unfilled state is formed at the peripheral edge in the lower mold cavity 27, the molten resin material in the lower mold cavity 27 is surrounded by the low compression action on the molten resin material. It can be efficiently prevented or suppressed from flowing to the part or the like.
By preventing or suppressing the low compression action and resin flow action on the molten resin material in the lower mold cavity 27 described above, it is possible to reliably prevent the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 from being pushed and displaced. be able to.
In addition, in this way, the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 can be sealed with resin in an appropriate state, and can be sealed within the resin package 31 that is compression-molded to an equal thickness at each portion.

樹脂圧縮成形工程後においては、上下両型12・14を型開きすると共に(図1参照)、基板供給・搬出機構25を介して、上型12の基板セット部16に係着支持させた状態の樹脂封止済基板(18)を型外へ搬出すればよい。
また、使用後の離型フイルム(26)は、ロール・ツー・ロール機構29の巻取ロール29dを介して、型外へ排出し且つ該巻取ロール29dに巻取り収容させればよい。
なお、上記シート樹脂28は長尺状の離型フイルム26上の所定間隔位置に貼着されているため、上記した使用後離型フイルムの排出作用と次の使用前離型フイルムの供給作用とを連続して自動的に行うように設定することができる。
After the resin compression molding process, the upper and lower molds 12 and 14 are opened (see FIG. 1), and are fixedly supported on the substrate set part 16 of the upper mold 12 via the substrate supply / unloading mechanism 25. The resin-sealed substrate (18) may be carried out of the mold.
Further, the release film (26) after use may be discharged out of the mold through the winding roll 29d of the roll-to-roll mechanism 29 and taken up and accommodated in the winding roll 29d.
Since the sheet resin 28 is attached at predetermined intervals on the long release film 26, the above-mentioned release film after use release film and the supply action of the next release film before use Can be set to automatically and continuously.

なお、半導体封止型15における上下両型12・14の外周囲をシールし、且つ、エアベント機構を介して該シール範囲内の空気を外部へ積極的に排出するエアベント工程を行うことについて説明したが、上下両型12・14の型締時に樹脂成形部(キャビティ部)と型外とを連通接続させた通常のエアベント溝部(図示なし)のみを配設するようにしてもよい。
この場合は、上型側シール部材19や下型側シール部材24、及び、樹脂成形部の減圧手段等から構成される積極的なエアベント機構(図示なし)を省略化することができる。
It has been described that the outer periphery of both the upper and lower molds 12 and 14 in the semiconductor sealing mold 15 is sealed, and that the air vent process of actively exhausting the air within the sealing range to the outside via the air vent mechanism has been described. However, only the normal air vent groove portion (not shown) in which the resin molding portion (cavity portion) and the outside of the die are connected in communication when the upper and lower molds 12 and 14 are clamped may be provided.
In this case, a positive air vent mechanism (not shown) composed of the upper mold side seal member 19, the lower mold side seal member 24, the pressure reducing means of the resin molding portion, and the like can be omitted.

上記第一実施例によれば、離型フイルム26を介して下型キャビティ部27内にシート樹脂28を供給したときに、該下型キャビティ部27の周辺部に樹脂未充填状態の空隙部が生ずることがなく、また、該下型キャビティ部27内に半導体素子17を樹脂封止するために必要な適量の樹脂材料を供給することができる。
このため、下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料を圧縮する際に、該溶融樹脂材料の流動作用を防止し、若しくは、これを効率良く抑制することができる。
従って、下型キャビティ部27内における溶融樹脂材料の流動作用に基因して半導体基板18上における半導体素子17が押されて位置ズレ等の不具合が発生するのを効率良く防止することができる。
また、半導体基板18上における半導体素子17を、各部位において均等厚みに成形された樹脂パッケージ31内に封止することができると云った実用的な効果を奏する。
According to the first embodiment, when the sheet resin 28 is supplied into the lower mold cavity portion 27 via the release film 26, the void portion that is not filled with resin is formed around the lower mold cavity portion 27. In addition, an appropriate amount of resin material necessary for resin-sealing the semiconductor element 17 in the lower mold cavity 27 can be supplied.
For this reason, when the molten resin material in the lower mold cavity portion 27 is compressed, the flowing action of the molten resin material can be prevented or efficiently suppressed.
Therefore, it is possible to efficiently prevent the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 from being pushed due to the flow action of the molten resin material in the lower mold cavity 27 and causing problems such as misalignment.
Further, there is a practical effect that the semiconductor element 17 on the semiconductor substrate 18 can be sealed in the resin package 31 molded at an equal thickness in each part.

以下、本発明を、図7に示す第二実施例図に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the second embodiment shown in FIG.

前第一実施例は、下型キャビティ部27と樹脂溜部32とを連通接続させる連通部33の形状をキャビティ側面部材22の型面と平行する水平状凹所として構成した場合を示している。
しかしながら、この実施例では、図7(1) に示すように、下型キャビティ部27と樹脂溜部32とを連通接続させる連通部33aが、下型キャビティ部27から樹脂溜部32側に向かって低くなる(拡開する)ような傾斜面形状に形成した樹脂流出防止手段として備えられている点で相違する。
なお、本実施例において前実施例と実質的に同じ構成については前実施例について説明した事項と同様であり、両者に共通する構成については同じ符号を付している。
The previous first embodiment shows a case where the shape of the communication part 33 that connects the lower mold cavity part 27 and the resin reservoir part 32 is configured as a horizontal recess parallel to the mold surface of the cavity side member 22. .
However, in this embodiment, as shown in FIG. 7 (1), the communication portion 33a for connecting the lower mold cavity portion 27 and the resin reservoir portion 32 to the resin reservoir portion 32 side is provided from the lower mold cavity portion 27 to the resin reservoir portion 32 side. It is different in that it is provided as a resin outflow prevention means formed in an inclined surface shape that becomes lower (expands).
In the present embodiment, the configuration substantially the same as that of the previous embodiment is the same as the matter described for the previous embodiment, and the same reference numerals are given to configurations common to both.

この実施例においては、連通部33aが樹脂溜部32側に向かって低くなるように傾斜しているため、オーバーラップ部の収容工程を容易に行うことができる。
即ち、前第一実施例において説明したように、オーバーラップ部28aの切断分離工程の後に、切断分離したオーバーラップ部28aを下型キャビティ部27の外方周囲に設けた樹脂溜部32内に収容するオーバーラップ部の収容工程を容易に行うことができる。
In this embodiment, since the communication portion 33a is inclined so as to become lower toward the resin reservoir portion 32, the overlapping portion accommodation step can be easily performed.
That is, as explained in the previous first embodiment, after the cutting and separating step of the overlap portion 28a, the cut and separated overlap portion 28a is placed in the resin reservoir 32 provided around the outer periphery of the lower mold cavity portion 27. The accommodating process of the overlap part to accommodate can be performed easily.

また、この実施例においては、連通部33aが樹脂溜部32側に向かって低くなるように傾斜しているため、オーバーラップ部の収容工程によって樹脂溜部32内に収容した樹脂材料が下型キャビティ部27側へ流動して該下型キャビティ部27内に流入するのを、より確実に防止することができる。
更に、樹脂成形時においては樹脂溜部32の上部が半導体基板18にて押圧状に被覆された状態にあることとも相俟って、樹脂溜部32内に収容した樹脂材料が該樹脂溜部32の外部へ流出するのを防止することができ、従って、樹脂溜部内の樹脂流出防止工程を、より確実に行うことができる。
Further, in this embodiment, since the communication portion 33a is inclined so as to become lower toward the resin reservoir portion 32 side, the resin material accommodated in the resin reservoir portion 32 by the overlap portion accommodating step is the lower mold. It is possible to more reliably prevent the fluid from flowing into the cavity 27 and flowing into the lower mold cavity 27.
Further, the resin material accommodated in the resin reservoir 32 is combined with the resin reservoir 32 being pressed with the semiconductor substrate 18 at the time of resin molding. Therefore, it is possible to prevent the resin from flowing out to the outside of the resin reservoir portion. Therefore, the resin outflow prevention step in the resin reservoir can be more reliably performed.

また、図7(2) に示すように、上記した樹脂溜部32と連通部33aとを下型キャビティ部27の外方に向かって交互に連通接続させることにより、複数の樹脂溜部32及び連通部33aを配置した樹脂流出防止手段として備えることができる。
従って、この場合は、下型キャビティ部27の外方に大容積の樹脂溜部32を構成できるので、オーバーラップ部28aを広範囲に設定する必要があるような場合においても好適に対応することができる。
Further, as shown in FIG. 7 (2), the resin reservoir portions 32 and the communication portions 33a are alternately connected in communication toward the outside of the lower mold cavity portion 27, whereby a plurality of resin reservoir portions 32 and The communication part 33a can be provided as a resin outflow prevention means.
Therefore, in this case, since the large-volume resin reservoir 32 can be formed outside the lower mold cavity portion 27, it is possible to appropriately cope with a case where the overlap portion 28a needs to be set in a wide range. it can.

次に、本発明を、図8に示す第三実施例図に基づいて説明する。   Next, the present invention will be described based on the third embodiment shown in FIG.

この実施例では、前記各実施例の構成に加えて、下型キャビティ部27内に樹脂量調整部34を設けて構成した点で相違する。
なお、本実施例において前各実施例と実質的に同じ構成については前各実施例について説明した事項と同様であり、前各実施例と共通する構成については同じ符号を付して説明する。
This embodiment is different in that the resin amount adjusting portion 34 is provided in the lower mold cavity portion 27 in addition to the configurations of the respective embodiments.
In the present embodiment, the configuration substantially the same as that of each of the previous embodiments is the same as the matter described for each of the previous embodiments, and the configuration common to each of the previous embodiments will be described with the same reference numerals.

この樹脂量調整部34はキャビティ底面部材21の上方周辺部とキャビティ側面部材22との間に構成されている。
そして、下型キャビティ部27内に供給及び/又は収容する樹脂材料の量を調整するために構成されるものである。
例えば、何らかの理由によってシート樹脂28が下型キャビティ部27内に多量に供給されたときに該下型キャビティ部27内においてその余剰樹脂を吸収する必要があるような場合とか、また、何らかの理由によって樹脂溜部32内に収容した樹脂材料が連通部33・33aを通して下型キャビティ部27内に流入したためにこれを下型キャビティ部27内にて収容する必要がある場合等においても好適に対応することができる。
The resin amount adjusting unit 34 is formed between the upper peripheral portion of the cavity bottom member 21 and the cavity side member 22.
And it is comprised in order to adjust the quantity of the resin material supplied and / or accommodated in the lower mold | type cavity part 27. FIG.
For example, when the sheet resin 28 is supplied in a large amount into the lower mold cavity 27 for some reason, it is necessary to absorb the excess resin in the lower mold cavity 27, or for some reason. The resin material accommodated in the resin reservoir 32 flows into the lower mold cavity portion 27 through the communication portions 33 and 33a, so that it is suitable for cases where it is necessary to accommodate the resin material in the lower mold cavity portion 27. be able to.

なお、キャビティ底面部材21を所定の高さ位置にまで上動させて所定の厚さを有する樹脂パッケージ31を成形することができるから、上記した樹脂量調整部34内に余剰樹脂を収容しても問題はない。   Since the cavity bottom member 21 can be moved up to a predetermined height position to form the resin package 31 having a predetermined thickness, excess resin is accommodated in the resin amount adjusting portion 34 described above. There is no problem.

なお、上記した連通部の形状は、図8(1) に示すような水平状凹所として構成した連通部33を採用することができる。
また、上記した連通部の形状を、図8(2) に示すように、下型キャビティ部27から樹脂溜部32側に向かって低くなるような傾斜面形状として構成した連通部33a(樹脂流出防止手段)を採用することができる。
In addition, the shape of the above-mentioned communication part can employ | adopt the communication part 33 comprised as a horizontal recess as shown in FIG. 8 (1).
Further, as shown in FIG. 8 (2), the shape of the communication portion described above is a communication portion 33a (resin outflow) configured as an inclined surface shape that becomes lower from the lower mold cavity portion 27 toward the resin reservoir portion 32 side. Prevention means) can be employed.

この実施例においては、シート樹脂28が下型キャビティ部27内に多量に供給・収容された場合や、樹脂溜部32内に収容した樹脂材料が連通部33・33aを通して下型キャビティ部27内に流入したためにこれを下型キャビティ部27内にて収容する必要がある場合等において好適に対応することができる。   In this embodiment, when the sheet resin 28 is supplied and accommodated in a large amount in the lower mold cavity portion 27, or the resin material accommodated in the resin reservoir portion 32 passes through the communication portions 33 and 33a in the lower mold cavity portion 27. In the case where it is necessary to accommodate this in the lower mold cavity portion 27 since it has flowed into the chamber, it can be suitably dealt with.

次に、本発明を、図9に示す第四実施例図に基づいて説明する。   Next, the present invention will be described based on the fourth embodiment shown in FIG.

この実施例は、前各実施例において用いた半導体基板(18)に替えてキャリアを使用する点で相違している。
即ち、前各実施例とは、半導体素子17aを接着フイルム41を介してキャリア40に貼着させたものを用いて、該キャリア40上の半導体素子17aを圧縮成形する点で相違する。
なお、本実施例では前各実施例での説明との重複を避けるため、前各実施例と実質的に同じ構成及び方法については前各実施例の説明において用いたものと同じ符号を付して説明する。
This embodiment is different in that a carrier is used instead of the semiconductor substrate (18) used in the previous embodiments.
That is, it differs from the previous embodiments in that the semiconductor element 17a on the carrier 40 is compression-molded by using the semiconductor element 17a adhered to the carrier 40 via the adhesive film 41.
In the present embodiment, in order to avoid duplication with the description in each previous embodiment, the same reference numerals as those used in the description of each previous embodiment are assigned to substantially the same configurations and methods as those in each previous embodiment. I will explain.

この実施例は、少なくとも上型12及び下型14を備えた半導体封止型15の所定位置に複数の半導体素子17aを装着したキャリア40を供給してセットすると共に、上記下型14に設けたキャビティ部にシート樹脂28を供給して加熱溶融化し、且つ、該溶融樹脂材料を圧縮して上記キャリア40上の半導体素子17aを樹脂封止する半導体封止方法である。
そして、図9(1) に示すように、まず、キャリア40の表面に接着フイルム41を貼着すると共に、図9(2) に示すように、該接着フイルム41を介して複数の半導体素子17aを装着したキャリア40を準備するキャリアの準備工程を行う。
次に、キャリアの準備工程にて準備したキャリア40を半導体封止型15の所定位置に供給してセットするキャリアの供給セット工程を行う。
また、離型フイルム26と離型フイルム26上面に貼着したシート樹脂28を半導体封止型15の下型14に設けたキャビティ部に供給するシート樹脂の供給工程を行う。
次に、離型フイルム26にて半導体封止型15の下型面を被覆し、且つ、離型フイルム26上面のシート樹脂28を下型キャビティ部27の位置と対応する位置にセットするシート樹脂のセット工程を行う。
また、シート樹脂のセット工程によってシート樹脂28を下型キャビティ部27と対応する位置にセットする際に、シート樹脂28の周辺部位を下型キャビティ部27の外方周縁部位に張り出して重合させることにより、下型キャビティ部27の外方周縁部位に、シート樹脂28のオーバーラップ部28aを設定するシート樹脂のオーバーラップ工程を行う。
また、シート樹脂のオーバーラップ工程の後に、下型キャビティ部27内を減圧してシート樹脂28を貼着した離型フイルム26を下型キャビティ面に吸着する離型フイルムの吸着工程を行う。
また、離型フイルムの吸着工程の後に、上型面と下型面とを閉じ合わせる半導体封止型の型締工程を行う。
また、半導体封止型の型締工程時による型締圧力にて、下型キャビティ部27の外方周縁部位に設定したシート樹脂28のオーバーラップ部28aを切断すると共に、この切断したオーバーラップ部28aを除くシート樹脂28を下型キャビティ部27内に収容するオーバーラップ部の切断分離工程を行う。
また、オーバーラップ部の切断分離工程の後に、下型キャビティ部27内に収容して加熱溶融化したシート樹脂28を圧縮することにより、図9(3) に示すように、キャリア40上の半導体素子17aを所定の均等厚さに成形した樹脂パッケージ31a内に封止する樹脂圧縮成形工程を行う。
In this embodiment, a carrier 40 having a plurality of semiconductor elements 17a mounted thereon is set and supplied to a predetermined position of a semiconductor encapsulating mold 15 having at least an upper mold 12 and a lower mold 14, and provided in the lower mold 14. This is a semiconductor sealing method in which the sheet resin 28 is supplied to the cavity and melted by heating, and the molten resin material is compressed to resin-seal the semiconductor element 17a on the carrier 40.
9 (1), an adhesive film 41 is first attached to the surface of the carrier 40, and a plurality of semiconductor elements 17a are interposed via the adhesive film 41 as shown in FIG. 9 (2). The carrier preparation process is performed to prepare the carrier 40 equipped with the.
Next, a carrier supply and setting step is performed in which the carrier 40 prepared in the carrier preparation step is supplied and set to a predetermined position of the semiconductor encapsulation mold 15.
Further, a sheet resin supply process is performed in which the release film 26 and the sheet resin 28 attached to the upper surface of the release film 26 are supplied to the cavity portion provided in the lower mold 14 of the semiconductor sealing mold 15.
Next, the release resin 26 covers the lower mold surface of the semiconductor sealing mold 15 and sets the sheet resin 28 on the upper surface of the release film 26 at a position corresponding to the position of the lower mold cavity 27. The setting process is performed.
Further, when the sheet resin 28 is set at a position corresponding to the lower mold cavity portion 27 in the sheet resin setting process, the peripheral portion of the sheet resin 28 is projected to the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 to be polymerized. Thus, a sheet resin overlap process is performed in which an overlap portion 28a of the sheet resin 28 is set at the outer peripheral edge portion of the lower mold cavity portion 27.
In addition, after the sheet resin overlap process, a mold release film adsorbing process is performed in which the inside of the lower mold cavity 27 is decompressed and the mold release film 26 to which the sheet resin 28 is adhered is adsorbed to the lower mold cavity surface.
In addition, after the mold release film adsorption process, a semiconductor sealing mold clamping process is performed in which the upper mold surface and the lower mold surface are closed.
In addition, the overlap portion 28a of the sheet resin 28 set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 is cut by the clamping pressure at the time of the clamping step of the semiconductor sealing mold, and the cut overlap portion A cutting / separating step of the overlap portion for accommodating the sheet resin 28 excluding 28a in the lower mold cavity portion 27 is performed.
Further, after the overlapping part cutting and separating step, the sheet resin 28 accommodated in the lower mold cavity part 27 and heated and melted is compressed, so that the semiconductor on the carrier 40 as shown in FIG. A resin compression molding process is performed in which the element 17a is sealed in a resin package 31a molded to a predetermined uniform thickness.

この実施例においても、離型フイルム26を介して下型キャビティ部27内にシート樹脂28を供給したときに、該下型キャビティ部27の周辺部に樹脂未充填状態の空隙部が生ずることがなく、また、該下型キャビティ部27内に半導体素子17aを樹脂封止するために必要な適量の樹脂材料を供給することができる。
このため、下型キャビティ部27内の溶融樹脂材料を圧縮する際に、該溶融樹脂材料の流動作用を防止し、若しくは、これを効率良く抑制することができる。
従って、下型キャビティ部27内における溶融樹脂材料の流動作用に基因してキャリア40上における半導体素子17aが押されて位置ズレ等の不具合が発生するのを効率良く防止することができる
また、キャリア40上における半導体素子17aを、各部位において均等厚みに成形された樹脂パッケージ31a内に封止することができると云った実用的な効果を奏する。
Also in this embodiment, when the sheet resin 28 is supplied into the lower mold cavity portion 27 through the release film 26, a void portion that is not filled with resin may be generated in the peripheral portion of the lower mold cavity portion 27. In addition, an appropriate amount of resin material necessary for resin-sealing the semiconductor element 17a in the lower mold cavity 27 can be supplied.
For this reason, when the molten resin material in the lower mold cavity portion 27 is compressed, the flowing action of the molten resin material can be prevented or efficiently suppressed.
Therefore, it is possible to efficiently prevent the semiconductor element 17a on the carrier 40 from being pushed due to the flow action of the molten resin material in the lower mold cavity 27 and causing problems such as misalignment. There is a practical effect that the semiconductor element 17a on 40 can be sealed in a resin package 31a molded at an equal thickness in each part.

なお、図9(3) に示した樹脂成形品は、半導体素子17aを樹脂封止した樹脂パッケージ31aとキャリア40及び接着フイルム41とを分離する工程を行い(図9(4) 参照)、次に、上記半導体素子17aに対する再配線及びボール形成工程を行い(図9(5) 参照)、次に、各最小単位毎に切断分離するダイシング(個片化)工程を行うことによって個々の製品となる(図9(6) 参照)。   In the resin molded product shown in FIG. 9 (3), a step of separating the resin package 31a in which the semiconductor element 17a is resin-sealed from the carrier 40 and the adhesive film 41 is performed (see FIG. 9 (4)). Next, a rewiring process and a ball forming process for the semiconductor element 17a are performed (see FIG. 9 (5)), and then a dicing process for separating and separating each minimum unit is performed. (See Fig. 9 (6)).

また、この実施例において、上記した接着フイルム41を、少なくとも樹脂成形温度以下となる常温下では所定の接着力を維持すると共に、樹脂成形温度以上となる所要の加熱温度下では接着力が低下して容易に剥離する加熱剥離性機能を備えるようにしてもよい。
この場合は、図9(3) に示した樹脂成形品を樹脂成形温度以上に加熱することにより、半導体素子17aを樹脂封止した樹脂パッケージ31aとキャリア40及び接着フイルム41とを分離する工程(図9(4) 参照)を効率良く且つ簡易に行うことができる。
In this embodiment, the adhesive film 41 described above maintains a predetermined adhesive force at room temperature that is at least the resin molding temperature or lower, and the adhesive force decreases at a required heating temperature that is equal to or higher than the resin molding temperature. It is also possible to provide a heat-peeling function that easily peels off.
In this case, the resin molded product shown in FIG. 9 (3) is heated to a temperature equal to or higher than the resin molding temperature, thereby separating the resin package 31a in which the semiconductor element 17a is sealed with the carrier 40 and the adhesive film 41 ( 9 (4)) can be performed efficiently and easily.

なお、上記各実施例では、シート樹脂28を長尺状の離型フイルム26上の所定間隔位置に貼着させて形成したものを示したが、このシート樹脂を予め所定の大きさに切断した離型フイルム上に貼着させた、所謂、プリカット型のものを使用することができる。
例えば、図10に示すように、プリカットした離型フイルム26aと、該離型フイルム26aの上面に貼着したシート樹脂28cと、このシート樹脂28cの上面に貼着した保護フイルム30a(ラミネートフイルム)とから構成することができる。
そして、このシート樹脂28cは、適宜な供給機構(図示なし)を介して、下型14の型面に供給することができる。
更に、この離型フイルム26aは、半導体封止型15にて所定の樹脂圧縮成形工程を経た後に、適宜な取出機構(図示なし)を介して、外部へ搬出することができる。
In each of the above-described embodiments, the sheet resin 28 was formed by adhering at a predetermined interval position on the long release film 26, but the sheet resin was cut into a predetermined size in advance. A so-called pre-cut type film stuck on a release film can be used.
For example, as shown in FIG. 10, a pre-cut release film 26a, a sheet resin 28c attached to the upper surface of the release film 26a, and a protective film 30a (laminated film) attached to the upper surface of the sheet resin 28c It can consist of.
The sheet resin 28c can be supplied to the mold surface of the lower mold 14 via an appropriate supply mechanism (not shown).
Further, the release film 26a can be carried out to the outside through an appropriate take-out mechanism (not shown) after undergoing a predetermined resin compression molding process in the semiconductor sealing die 15.

また、このプリカット型の離型フイルム26a及びシート樹脂28cを半導体封止装置10に供給する場合は、図10(2) 及び図10(3) に示すように、シート樹脂28cの上面に貼着した保護フイルム30aを事前に剥離すればよい。   Further, when the pre-cut type release film 26a and the sheet resin 28c are supplied to the semiconductor sealing device 10, as shown in FIGS. 10 (2) and 10 (3), it is adhered to the upper surface of the sheet resin 28c. What is necessary is just to peel previously the protective film 30a.

なお、該シート樹脂28cの形状は、前述したシート樹脂28の形状と同様に、半導体封止装置10における下型キャビティ部27の形状に対応すると共に、該下型キャビティ部27の開口周縁(キャビティ底面部材21の上端周縁部)よりも大きくなるように設定すればよい。
従って、下型キャビティ部27にシート樹脂28cを供給する場合において、該シート樹脂28cの中心位置を下型キャビティ部27の中心位置に合わせる両者の位置合わせ(位置決制御)を行うことによって、このシート樹脂28cの外方周縁の部位を下型キャビティ部27の外方周縁の部位(キャビティ側面部材22の上面)に張り出して重合するオーバーラップ部28aを設定することができる。
The shape of the sheet resin 28c corresponds to the shape of the lower mold cavity portion 27 in the semiconductor sealing device 10 as well as the shape of the sheet resin 28 described above, and the opening periphery of the lower mold cavity portion 27 (cavity) What is necessary is just to set so that it may become larger than the upper end peripheral part of the bottom face member 21).
Therefore, when the sheet resin 28c is supplied to the lower mold cavity 27, the center position of the sheet resin 28c is aligned with the center position of the lower mold cavity 27 (positioning control). It is possible to set an overlap portion 28a that superposes and superimposes the outer peripheral portion of the sheet resin 28c on the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion 27 (the upper surface of the cavity side member 22).

本発明は、上述した各実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be arbitrarily changed and selected as necessary within the scope not departing from the gist of the present invention. .

10 半導体封止装置
11 上型ベース
12 上型
13 下型ベース
14 下型
15 半導体封止型
16 基板セット部
17 半導体素子
17a 半導体素子
18 半導体基板
19 上型側シール部材
20 弾性部材
21 キャビティ底面部材
22 キャビティ側面部材
23 弾性部材
24 下型側シール部材
25 基板供給・搬出機構
26 離型フイルム
26a 離型フイルム
27 下型キャビティ部
27D 下型キャビティ部の深さ
28 シート樹脂
28a オーバーラップ部
28b 切断位置
28c シート樹脂
28T シート樹脂の厚み
29 ロール・ツー・ロール機構
29a 供給ロール
29b 供給側ガイドロール
29c 巻取側ガイドロール
29d 巻取ロール
29e ガイドロール
30 保護フイルム
30a 保護フイルム
31 樹脂パッケージ
31T 樹脂パッケージの厚さ
31a 樹脂パッケージ
32 樹脂溜部
33 連通部
34 樹脂量調整部
40 キャリア
41 接着フイルム
10 Semiconductor sealing device
11 Upper mold base
12 Upper mold
13 Lower mold base
14 Lower mold
15 Semiconductor encapsulated type
16 Board setting part
17 Semiconductor elements
17a Semiconductor device
18 Semiconductor substrate
19 Upper mold side seal member
20 Elastic member
21 Cavity bottom member
22 Cavity side member
23 Elastic member
24 Lower mold side seal member
25 Substrate supply / unload mechanism
26 Release film
26a Release film
27 Lower mold cavity
27D Lower mold cavity depth
28 Sheet resin
28a Overlap part
28b Cutting position
28c Sheet resin
28T sheet resin thickness
29 Roll-to-roll mechanism
29a Supply roll
29b Supply side guide roll
29c Take-up side guide roll
29d Winding roll
29e Guide roll
30 Protective film
30a Protective film
31 Resin package
31T resin package thickness
31a Resin package
32 Resin reservoir
33 Communication part
34 Resin amount adjustment section
40 career
41 Adhesive film

Claims (16)

少なくとも上型及び下型を備えた半導体封止型の所定位置に複数の半導体素子が装着された基板を供給してセットすると共に、前記下型に設けたキャビティ部にシート樹脂を供給して加熱溶融化することによって溶融樹脂材料を生成し、前記溶融樹脂材料を圧縮して前記基板上の半導体素子を樹脂封止する半導体封止方法であって、
半導体素子を装着した前記基板を前記半導体封止型の所定位置に供給してセットする基板の供給セット工程と、
離型フイルムと前記離型フイルム上面に貼着したシート樹脂とを前記半導体封止型の下型に設けたキャビティ部に供給するシート樹脂の供給工程と、
前記離型フイルムにて前記半導体封止型の下型面を被覆し、且つ、前記離型フイルム上面のシート樹脂を前記下型キャビティ部の位置と対応する位置にセットするシート樹脂のセット工程と、
前記シート樹脂のセット工程によって前記シート樹脂を前記下型キャビティ部と対応する位置にセットする際に、前記シート樹脂の周辺部位を前記下型キャビティ部の外方周縁部位に張り出して重合させることにより、前記下型キャビティ部の外方周縁部位に、前記シート樹脂のオーバーラップ部を設定するシート樹脂のオーバーラップ工程と、
前記シート樹脂のオーバーラップ工程の後に、前記下型キャビティ部内を減圧して前記シート樹脂を貼着した離型フイルムを前記下型キャビティ部面に吸着する離型フイルムの吸着工程と、
前記離型フイルムの吸着工程の後に、前記上型面と下型面とを閉じ合わせる半導体封止型の型締工程と、
前記半導体封止型の型締工程時による型締圧力にて、前記下型キャビティ部の外方周縁部位に設定した前記シート樹脂のオーバーラップ部を切断分離すると共に、この切断したオーバーラップ部を除くことによって一定の容積を有することになったシート樹脂を前記下型キャビティ部内に収容するオーバーラップ部の切断分離工程と、
前記オーバーラップ部の切断分離工程の後に、前記下型キャビティ部内に収容された前記一定の容積を有することになったシート樹脂を加熱溶融化することによって生成された前記溶融樹脂材料を圧縮して成形することにより樹脂パッケージを成形して、前記基板上の半導体素子を前記樹脂パッケージ内に封止する樹脂圧縮成形工程とを含むことを特徴とする半導体封止方法。
Supply and set a substrate on which a plurality of semiconductor elements are mounted at a predetermined position of a semiconductor encapsulated mold having at least an upper mold and a lower mold, and supply a sheet resin to a cavity portion provided in the lower mold and heat A semiconductor sealing method for producing a molten resin material by melting , compressing the molten resin material, and resin-sealing a semiconductor element on the substrate ,
A supply-set process of the substrate to be set by supplying the substrate equipped with the semiconductor device in a predetermined position of the semiconductor encapsulation type,
A sheet resin supply step of supplying a release film and a sheet resin adhered to the upper surface of the release film to a cavity portion provided in the lower mold of the semiconductor sealing type;
A sheet resin setting step of covering the lower mold surface of the semiconductor-encapsulated mold with the release film and setting the sheet resin on the upper surface of the release film at a position corresponding to the position of the lower mold cavity portion; ,
When the sheet resin is set at a position corresponding to the lower mold cavity part by the sheet resin setting step, the peripheral part of the sheet resin is projected to the outer peripheral part of the lower mold cavity part and polymerized. , The sheet resin overlap step of setting the overlap portion of the sheet resin at the outer peripheral edge portion of the lower mold cavity,
After the sheet resin overlapping step, the lower film cavity portion is depressurized to adsorb the release film to which the sheet resin is adhered to the lower mold cavity portion surface;
After the mold release film adsorbing step, a semiconductor sealing mold clamping step for closing the upper mold surface and the lower mold surface;
With the mold clamping pressure of the semiconductor sealing mold during the mold clamping process, the overlap portion of the sheet resin set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion is cut and separated, and the cut overlap portion is A cutting and separating step of the overlap portion that accommodates the sheet resin having a constant volume by removing the sheet resin in the lower mold cavity portion;
After the overlapped portion of the cutting and separating step, to compress the molten resin material produced by heating and melting the sheet resin became to have the fixed volume contained within the lower cavity portion molding by molding the resin package by a semiconductor sealing method, wherein a semiconductor device on the substrate comprising a resin compression molding step of sealing the resin package.
前記したシート樹脂の供給工程の前に、前記シート樹脂の上面に貼着した保護フイルムを剥離するシート樹脂の上面側保護フイルム剥離工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   The semiconductor sealing according to claim 1, wherein an upper surface side protective film peeling step of peeling the protective film adhered to the upper surface of the sheet resin is performed before the sheet resin supplying step. Method. 前記したオーバーラップ部の切断分離工程の前に、前記半導体封止型の型締工程における型締圧力によって前記シート樹脂のオーバーラップ部を加圧するオーバーラップ部の加圧工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   Before the step of cutting and separating the overlap portion, a pressure step of the overlap portion that pressurizes the overlap portion of the sheet resin with a mold clamping pressure in the mold clamping step of the semiconductor sealing mold is performed. The semiconductor sealing method according to claim 1. 前記したオーバーラップ部の切断分離工程の後に、切断分離した前記オーバーラップ部を前記下型キャビティ部の外方周囲に設けた樹脂溜部内に収容するオーバーラップ部の収容工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   After the above-described cutting and separating step of the overlap portion, the overlapping portion is housed in a resin reservoir provided around the outer periphery of the lower mold cavity portion. The semiconductor sealing method according to claim 1. 前記したオーバーラップ部の収容工程によって収容した前記樹脂溜部内の樹脂材料が前記下型キャビティ部内へ流入するのを防止する樹脂溜部内の樹脂流出防止工程を行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体封止方法。   5. The resin outflow prevention step in the resin reservoir for preventing the resin material in the resin reservoir accommodated in the overlapping portion accommodation step from flowing into the lower mold cavity is performed. The semiconductor sealing method as described. 前記した樹脂圧縮成形工程時に、前記下型キャビティ部内のガス類を前記半導体封止型の外部へ排出するエアベント工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   2. The semiconductor sealing method according to claim 1, wherein an air vent process for discharging gases in the lower mold cavity to the outside of the semiconductor sealing mold is performed during the resin compression molding process. 前記したシート樹脂の供給工程時における前記下型キャビティ部の深さを、前記シート樹脂の厚みの1.5 倍乃至2.0 倍となる深さに設定したことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   2. The semiconductor package according to claim 1, wherein the depth of the lower mold cavity in the sheet resin supply step is set to a depth that is 1.5 to 2.0 times the thickness of the sheet resin. Stop method. 前記したシート樹脂の厚さと前記樹脂圧縮成形工程にて成形した樹脂パッケージの厚さとが略等しくなるように設定したことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   2. The semiconductor sealing method according to claim 1, wherein the thickness of the sheet resin and the thickness of the resin package molded in the resin compression molding step are set to be substantially equal. 前記した下型キャビティ部に設けた樹脂量調整部によって、前記下型キャビティ部内に供給及び/又は収容した樹脂材料の量を調整する樹脂量調整工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止方法。   The resin amount adjusting step of adjusting the amount of the resin material supplied and / or accommodated in the lower mold cavity is performed by the resin amount adjusting unit provided in the lower mold cavity. The semiconductor sealing method. 少なくとも上型及び下型を備えた半導体封止型の所定位置に複数の半導体素子が装着されたキャリアを供給してセットすると共に、前記下型に設けたキャビティ部にシート樹脂を供給して加熱溶融化することによって溶融樹脂材料を生成し、前記溶融樹脂材料を圧縮して前記キャリア上の半導体素子を樹脂封止する半導体封止方法であって、
前記キャリアの表面に接着フイルムを貼着すると共に、前記接着フイルムを介して複数の半導体素子を装着したキャリアを準備するキャリアの準備工程と、
前記キャリアの準備工程にて準備した前記キャリアを前記半導体封止型の所定位置に供給してセットするキャリアの供給セット工程と、
離型フイルムと前記離型フイルム上面に貼着したシート樹脂を前記半導体封止型の下型に設けたキャビティ部に供給するシート樹脂の供給工程と、
前記離型フイルムにて前記半導体封止型の下型面を被覆し、且つ、前記離型フイルム上面のシート樹脂を前記下型キャビティ部の位置と対応する位置にセットするシート樹脂のセット工程と、
前記シート樹脂のセット工程によって前記シート樹脂を前記下型キャビティ部と対応する位置にセットする際に、前記シート樹脂の周辺部位を前記下型キャビティ部の外方周縁部位に張り出して重合させることにより、前記下型キャビティ部の外方周縁部位に、前記シート樹脂のオーバーラップ部を設定するシート樹脂のオーバーラップ工程と、
前記シート樹脂のオーバーラップ工程の後に、前記下型キャビティ部内を減圧して前記シート樹脂を貼着した離型フイルムを前記下型キャビティ面に吸着する離型フイルムの吸着工程と、
前記離型フイルムの吸着工程の後に、前記上型面と下型面とを閉じ合わせる半導体封止型の型締工程と、
前記半導体封止型の型締工程時による型締圧力にて、前記下型キャビティ部の外方周縁部位に設定した前記シート樹脂のオーバーラップ部を切断分離すると共に、この切断したオーバーラップ部を除くことによって一定の容積を有することになったシート樹脂を前記下型キャビティ部内に収容するオーバーラップ部の切断分離工程と、
前記オーバーラップ部の切断分離工程の後に、前記下型キャビティ部内に収容された前記一定の容積を有することになったシート樹脂を加熱溶融化することによって生成された前記溶融樹脂材料を圧縮して成形することにより樹脂パッケージを成形して、前記キャリア上の半導体素子を前記樹脂パッケージ内に封止する樹脂圧縮成形工程とを含むことを特徴とする半導体封止方法。
Supply and set a carrier in which a plurality of semiconductor elements are mounted at a predetermined position of a semiconductor encapsulated mold having at least an upper mold and a lower mold, and supply a sheet resin to a cavity portion provided in the lower mold and heat A semiconductor sealing method for producing a molten resin material by melting , compressing the molten resin material, and resin-sealing a semiconductor element on the carrier,
A step of preparing a carrier for sticking an adhesive film to the surface of the carrier and preparing a carrier having a plurality of semiconductor elements mounted thereon via the adhesive film;
A carrier supply setting step of supplying and setting the carrier prepared in the carrier preparation step to a predetermined position of the semiconductor-encapsulated mold; and
A sheet resin supply step of supplying a release film and a sheet resin adhered to the upper surface of the release film to a cavity portion provided in the lower mold of the semiconductor sealing type;
A sheet resin setting step of covering the lower mold surface of the semiconductor-encapsulated mold with the release film and setting the sheet resin on the upper surface of the release film at a position corresponding to the position of the lower mold cavity portion; ,
When the sheet resin is set at a position corresponding to the lower mold cavity part by the sheet resin setting step, the peripheral part of the sheet resin is projected to the outer peripheral part of the lower mold cavity part and polymerized. , The sheet resin overlap step of setting the overlap portion of the sheet resin at the outer peripheral edge portion of the lower mold cavity,
After the sheet resin overlapping step, the lower film cavity portion is depressurized and the release film adsorbing the release film to which the sheet resin is adhered to the lower mold cavity surface; and
After the mold release film adsorbing step, a semiconductor sealing mold clamping step for closing the upper mold surface and the lower mold surface;
With the mold clamping pressure of the semiconductor sealing mold during the mold clamping process, the overlap portion of the sheet resin set at the outer peripheral portion of the lower mold cavity portion is cut and separated, and the cut overlap portion is A cutting and separating step of the overlap portion that accommodates the sheet resin having a constant volume by removing the sheet resin in the lower mold cavity portion;
After the overlapped portion of the cutting and separating step, to compress the molten resin material produced by heating and melting the sheet resin became to have the fixed volume contained within the lower cavity portion by molding the resin package by molding the semiconductor encapsulation method characterized by a semiconductor element on said carrier comprising a resin compression molding step of sealing the resin package.
前記した接着フイルムが、少なくとも樹脂成形温度以下となる常温下では所定の接着力を維持すると共に、樹脂成形温度以上となる所要の加熱温度下では前記接着力が低下して容易に剥離する加熱剥離性機能を備えていることを特徴とする請求項10に記載の半導体封止方法。   The above-mentioned adhesive film maintains a predetermined adhesive force at a room temperature that is at least the resin molding temperature or lower, and heat peeling that easily peels off at a required heating temperature that is equal to or higher than the resin molding temperature. 11. The semiconductor sealing method according to claim 10, further comprising a sexual function. 少なくとも上型及び下型を備えた半導体封止型の所定位置に複数の半導体素子が装着された基板を供給してセットすると共に、前記下型に設けたキャビティ部に離型フイルム上に貼着したシート樹脂を供給して加熱溶融化することによって溶融樹脂材料を生成し、前記溶融樹脂材料を圧縮して前記基板上の半導体素子を樹脂封止する半導体封止装置であって、
前記下型に設けたキャビティ部と、
前記下型キャビティ部の外方周囲に設けた樹脂溜部と、
前記下型キャビティ部と前記樹脂溜部とを連通接続させる連通部と、
前記下型キャビティ部の外方周縁部位に設けた前記シート樹脂の周辺部位を張り出して重合させるための下型面と、
前記離型フイルムを吸着して前記離型フイルム上のシート樹脂を前記キャビティ部内に吸引して供給する離型フイルムの吸着機構と、
前記半導体封止型の開閉機構と、
前記下型キャビティ部に設けた樹脂圧縮機構とを含み、
前記半導体封止型の開閉機構による型締圧力によって、前記シート樹脂の周辺部位に設定される前記下型面とのオーバーラップ部が切断分離され、
前記シート樹脂のオーバーラップ部が切断分離されて除かれることによってシート樹脂は一定の容積を有し、
前記一定の容積を有するシート樹脂が前記下型キャビティ部内に収容され、前記一定の容積を有するシート樹脂が前記下型キャビティ部内において加熱溶融化されることによって生成された前記溶融樹脂材料が圧縮されて成形されることにより樹脂パッケージが成形され、前記基板上の半導体素子が前記樹脂パッケージ内に封止されることを特徴とする半導体封止装置。
Supply and set a substrate on which a plurality of semiconductor elements are mounted at a predetermined position of a semiconductor encapsulated mold having at least an upper mold and a lower mold, and adhere to a release film on a cavity provided in the lower mold A semiconductor sealing device for supplying a sheet resin that is melted by heating to produce a molten resin material, compressing the molten resin material, and resin-sealing semiconductor elements on the substrate ,
A cavity provided in the lower mold,
A resin reservoir provided around the outside of the lower mold cavity;
A communication part for connecting the lower mold cavity part and the resin reservoir part in communication,
A lower mold surface for overhanging and polymerizing a peripheral part of the sheet resin provided in an outer peripheral part of the lower mold cavity part;
An adsorption mechanism for a release film that adsorbs the release film and sucks and supplies the sheet resin on the release film into the cavity portion;
The semiconductor-enclosed opening / closing mechanism;
A resin compression mechanism provided in the lower mold cavity,
By the mold clamping pressure by the semiconductor sealing mold opening and closing mechanism, the overlap portion with the lower mold surface set in the peripheral portion of the sheet resin is cut and separated ,
The sheet resin has a certain volume by cutting and separating the overlap portion of the sheet resin,
The sheet resin having the certain volume is accommodated in the lower mold cavity portion, and the molten resin material generated by heating and melting the sheet resin having the certain volume in the lower mold cavity portion is compressed. A semiconductor package is formed by molding a resin package, and a semiconductor element on the substrate is sealed in the resin package .
前記した上型と下型との型締時に前記上下両型の外周囲をシールするシール部材を配設すると共に、前記シール部材によるシール範囲内の空気を外部へ排出するエアベント機構を配設して構成したことを特徴とする請求項12に記載の半導体封止装置。   A seal member that seals the outer periphery of the upper and lower molds when the upper mold and the lower mold are clamped is provided, and an air vent mechanism that discharges the air within the seal range by the seal member to the outside is provided. 13. The semiconductor sealing device according to claim 12, wherein the semiconductor sealing device is configured as described above. 前記した下型キャビティ部と前記樹脂溜部とを連通接続させる連通部が、前記下型キャビティ部から前記樹脂溜部側に向かって拡開するような傾斜面形状に形成した樹脂流出防止手段として備えられていることを特徴とする請求項12に記載の半導体封止装置。   As a resin outflow prevention means, the communication part for connecting the lower mold cavity part to the resin reservoir part is formed in an inclined surface shape so as to expand from the lower mold cavity part toward the resin reservoir part side. 13. The semiconductor sealing device according to claim 12, wherein the semiconductor sealing device is provided. 前記した樹脂溜部と連通部とを、前記下型キャビティ部の外方に向かって交互に連通接続させることにより、複数の樹脂溜部及び連通部を配置した樹脂流出防止手段として備えられていることを特徴とする請求項12に記載の半導体封止装置。   The resin reservoir portion and the communication portion described above are alternately connected in communication toward the outside of the lower mold cavity portion, thereby being provided as a resin outflow prevention means in which a plurality of resin reservoir portions and communication portions are arranged. 13. The semiconductor sealing device according to claim 12, wherein: 前記した下型キャビティ部内に供給及び/又は収容する樹脂材料の量を調整するための樹脂量調整部を設けて構成したことを特徴とする請求項12に記載の半導体封止装置。   13. The semiconductor sealing device according to claim 12, further comprising a resin amount adjusting unit for adjusting the amount of the resin material supplied and / or accommodated in the lower mold cavity.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131867A (en) * 2020-04-24 2021-11-03 토와 가부시기가이샤 Positioning apparatus, positioning method, resin molding system and manufacturing method of resin molding article

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6430143B2 (en) * 2014-04-30 2018-11-28 Towa株式会社 Resin molding apparatus, resin molding method, and molded product manufacturing method
JP6506717B2 (en) * 2016-03-30 2019-04-24 Towa株式会社 Resin molding apparatus, resin molding method, film transport roller, and film supply apparatus for resin molding apparatus
CN113286687B (en) * 2018-12-21 2022-05-03 爱沛股份有限公司 Resin encapsulation method, resin encapsulation metal mold, and resin encapsulation device
JP7453683B2 (en) * 2020-09-11 2024-03-21 アピックヤマダ株式会社 Resin sealing device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0699448A (en) * 1991-04-12 1994-04-12 Hosokawa Seisakusho:Kk Manufacture of compressed molded product of synthetic resin at low pressure
JPH1041694A (en) * 1996-07-25 1998-02-13 Sharp Corp Substrate mounting structure for semiconductor element and its mounting method
JP4268389B2 (en) * 2002-09-06 2009-05-27 Towa株式会社 Resin sealing molding method and apparatus for electronic parts
JP4326786B2 (en) * 2002-11-26 2009-09-09 Towa株式会社 Resin sealing device
JP4426880B2 (en) * 2004-03-12 2010-03-03 Towa株式会社 Resin sealing device and resin sealing method
JPWO2006100765A1 (en) * 2005-03-23 2008-08-28 株式会社ルネサステクノロジ Semiconductor device manufacturing method and compression molding apparatus
JP2007307843A (en) * 2006-05-20 2007-11-29 Apic Yamada Corp Resin molding method/device
JP5144634B2 (en) * 2009-12-22 2013-02-13 日東電工株式会社 Heat-resistant adhesive sheet for substrate-less semiconductor package manufacturing, and substrate-less semiconductor package manufacturing method using the adhesive sheet
JP5428903B2 (en) * 2010-02-03 2014-02-26 第一精工株式会社 Resin sealing mold equipment
JP5658108B2 (en) * 2011-08-23 2015-01-21 Towa株式会社 Manufacturing method and manufacturing apparatus for substrate with reflector
JP2013147589A (en) * 2012-01-20 2013-08-01 Nitto Denko Corp Resin composition sheet for encapsulating electronic part and method of producing electronic part apparatus using the sheet
JP5627619B2 (en) * 2012-02-28 2014-11-19 Towa株式会社 Resin sealing device and method for manufacturing resin sealing body
CN104160492B (en) * 2012-03-01 2017-02-08 株式会社村田制作所 Method for manufacturing sealing resin sheet

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131867A (en) * 2020-04-24 2021-11-03 토와 가부시기가이샤 Positioning apparatus, positioning method, resin molding system and manufacturing method of resin molding article
KR102397599B1 (en) * 2020-04-24 2022-05-16 토와 가부시기가이샤 Positioning apparatus, positioning method, resin molding system and manufacturing method of resin molding article

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