JP5027451B2 - Resin sealing molding method of semiconductor chip - Google Patents
Resin sealing molding method of semiconductor chip Download PDFInfo
- Publication number
- JP5027451B2 JP5027451B2 JP2006166838A JP2006166838A JP5027451B2 JP 5027451 B2 JP5027451 B2 JP 5027451B2 JP 2006166838 A JP2006166838 A JP 2006166838A JP 2006166838 A JP2006166838 A JP 2006166838A JP 5027451 B2 JP5027451 B2 JP 5027451B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- upper mold
- mold
- substrate
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 135
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 135
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 58
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 16
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、電子部品の樹脂封止成形用金型(電子部品の圧縮成形用金型)を用いて、基板に装着した電子部品(半導体チップ)を金型キャビティ内で樹脂材料(液状樹脂等)にて圧縮成形する電子部品の樹脂封止成形方法に関するものである。 In the present invention, a resin material (liquid resin or the like) is placed in a mold cavity using an electronic component resin molding mold (electronic component compression mold) in a mold cavity. ) In a resin sealing molding method for electronic parts to be compression molded.
従来より、トップゲート方式にて、基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に樹脂封止成形(片面モールド)することが行われているが、この方法は、次のようにして行われている。 Conventionally, a plurality of required semiconductor chips mounted on a substrate are individually molded by resin sealing (single-sided molding) by the top gate method. This method is performed as follows. ing.
即ち、電子部品の樹脂封止成形用金型(例えば、上型、キャビティを有する中型、下型)を用いて、まず、前記した金型の所定位置に基板を供給セットすると共に、前記した金型を型締めして前記した所要複数個の半導体チップを各別に前記した金型キャビティ内に嵌装し、次に、前記した金型キャビティの天面に設けたゲート(トップゲート)から前記した金型キャビティ内に加熱溶融化した樹脂材料を注入充填することにより、前記した各半導体チップを前記した金型キャビティの形状に対応した個々のパッケージ内に各別に封止成形することが行われている。 That is, using a mold for resin sealing molding of an electronic component (for example, an upper mold, a middle mold having a cavity, and a lower mold), first, a substrate is supplied and set at a predetermined position of the mold, and the above-described mold is used. The mold is clamped and the above-described required semiconductor chips are individually fitted into the mold cavities, and then the gate (top gate) provided on the top surface of the mold cavity is described above. By injecting and filling a resin material heated and melted into the mold cavity, each of the semiconductor chips described above is individually sealed and molded into individual packages corresponding to the shape of the mold cavity. Yes.
なお、例えば、パッケージを積み重ねる形式の製品、POP(Package On Package)形式の製品等の場合、前記した金型キャビティ内で成形されるパッケージの外周囲に基板の実装用ランド(外部用電極部)が形成されるため、ゲートやランナを基板に平面的に配置する構成、所謂、サイドゲート方式と呼ばれる構成を採用することができない。
従って、POP形式の製品等の場合、即ち、パッケージの外周囲に基板の外部電極部が形成された製品の場合、前述したトップゲート方式が採用されている。
For example, in the case of a product in which packages are stacked, a product in a POP (Package On Package) format, etc., a mounting land (external electrode portion) on the substrate around the outer periphery of the package formed in the mold cavity described above Therefore, a configuration in which the gate and runner are arranged in a plane on the substrate, that is, a so-called side gate method cannot be employed.
Therefore, in the case of a POP type product or the like, that is, a product in which the external electrode portion of the substrate is formed on the outer periphery of the package, the above-described top gate method is adopted.
しかしながら、近年、トップゲート方式で成形されるパッケージが薄型化する傾向にあり、例えば、ゲート樹脂を切断除去するとき、前記した個々の薄型パッケージにおけるゲート樹脂との接続部が欠けて破損することにより、前記したパッケージに外観不良(欠け等)が発生し易いと云う弊害がある。
従って、前述した弊害を解決するために、キャビダウン方式による圧縮成形が検討されている。
即ち、下型キャビティ内に液状樹脂を供給して基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に前記した下型キャビティ内の樹脂に浸漬して圧縮成形する方法が検討されているが、多数の下型キャビティ内に液状樹脂を供給するために樹脂供給時間が長くなって、前記した下型キャビティ内で樹脂が早期に硬化すると云う弊害がある。
また、前記した基板に装着した所要複数個の半導体チップに液状樹脂を一括して塗布する一括塗布方式が検討されているが、基板のほぼ全面に液状樹脂を塗布することになるため、基板の実装用ランド(外部用電極部)に樹脂(樹脂ばり)が付着して成形することができないと云う弊害がある。
従って、個々のパッケージの外周囲に外部電極部を有する基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に個々のパッケージに樹脂封止成形する場合に、前述したパッケージの外観不良や、樹脂の早期硬化、基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題が発生していた。
However, in recent years, packages formed by the top gate method tend to be thinned. For example, when the gate resin is cut and removed, a connection portion with the gate resin in each of the thin packages described above is broken and damaged. There is an adverse effect that appearance defects (such as chipping) are likely to occur in the package described above.
Therefore, in order to solve the above-described adverse effects, compression molding by a cavity down method has been studied.
That is, a method has been studied in which a plurality of required semiconductor chips mounted on a substrate by supplying a liquid resin into the lower mold cavity are immersed in the resin in the lower mold cavity and compression molded. Since the liquid resin is supplied into the lower mold cavity, the resin supply time becomes long, and there is an adverse effect that the resin hardens early in the lower mold cavity.
Further, a batch application method in which liquid resin is applied to a plurality of required semiconductor chips mounted on the substrate as described above has been studied. However, since the liquid resin is applied to almost the entire surface of the substrate, There is an adverse effect that resin (resin beam) adheres to the mounting land (external electrode portion) and cannot be molded.
Therefore, when a plurality of required semiconductor chips mounted on a substrate having an external electrode portion on the outer periphery of each package are molded into each individual package by resin sealing, the aforementioned appearance defects of the package or early resin Problems with resin molding such as curing and adhesion of the resin to the external electrode portion of the substrate have occurred.
即ち、本発明は、個々のパッケージの外周囲に外部電極部を有する基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に個々のパッケージに樹脂封止成形する場合に、パッケージの外観不良や、樹脂の早期硬化、基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することを目的とするものである。 That is, in the present invention, when a plurality of required semiconductor chips mounted on a substrate having an external electrode portion on the outer periphery of each package are molded into each individual package by resin sealing, It is an object of the present invention to provide a resin sealing molding method for an electronic component capable of efficiently solving problems in resin molding such as early curing of resin and adhesion of resin to an external electrode portion of a substrate. .
前記の技術的課題を解決するための本発明に係る半導体チップの樹脂封止成形方法は、樹脂成形用キャビティを有する上型と所要複数個の半導体チップを装着した基板を供給セットする基板供給部を有する下型とから成る半導体チップの樹脂封止成形用金型を用意する工程と、前記した金型を所定の温度にまで加熱する工程と、前記上型キャビティ内面及び上型面に離型フィルムを被覆させる工程と、前記した金型で前記した基板が加熱されない状態で、前記した基板に装着した所要複数個の半導体チップ天面の所要範囲に所要量の液状樹脂を各別に滴下する工程と、前記した金型の基板供給部に前記した液状樹脂滴下基板を供給セットする工程と、前記した金型を所要の型締圧力にて型締めする工程と、前記金型の型締工程時に、前記上型キャビティ内面に離型フィルムを被覆した状態で、液状樹脂にて被覆された状態の半導体チップを前記上型キャビティ内に嵌装する工程と、前記金型の型締工程時に、前記上型面を被覆した離型フィルムにて、少なくとも、前記した基板の表面におけるキャビティ開口部相当部の外周囲に設けられて外部用電極を被覆する工程と、前記した半導体チップの嵌装工程時に、前記した離型フィルムを被覆した上型キャビティの形状に対応したパッケージ内に液状樹脂にて各別に樹脂封止成形する工程と、前記樹脂封止成形工程時に、前記上型キャビティ天面に設けた押圧部材にて前記上型キャビティの内面に被覆した離型フィルムを介して前記上型キャビティ内の樹脂を均等に且つ各別に押圧する工程とを含むことを特徴とする。 In order to solve the above technical problem, a semiconductor chip resin sealing molding method according to the present invention includes a substrate supply unit for supplying and setting an upper mold having a resin molding cavity and a substrate on which a plurality of required semiconductor chips are mounted. A step of preparing a mold for resin-sealing molding of a semiconductor chip comprising a lower die having a step, a step of heating the aforementioned die to a predetermined temperature, and a mold release on the inner surface of the upper die cavity and the upper die surface A step of coating a film, and a step of dripping a required amount of liquid resin individually into a required range of a plurality of semiconductor chip top surfaces mounted on the substrate in a state where the substrate is not heated by the mold described above A step of supplying and setting the liquid resin dropping substrate to the substrate supply section of the mold, a step of clamping the mold with a required mold clamping pressure, and a mold clamping step of the mold The upper mold A step of fitting a semiconductor chip coated with a liquid resin into the upper mold cavity in a state in which a mold release film is coated on the inner surface of the cavity, and during the mold clamping process, the upper mold surface is In the coated release film, at least during the step of covering the external electrode provided on the outer periphery of the cavity opening portion corresponding to the surface of the substrate and the step of mounting the semiconductor chip described above, In the package corresponding to the shape of the upper mold cavity coated with the mold film, a step of resin sealing molding with a liquid resin, and a pressing member provided on the top surface of the upper mold cavity during the resin sealing molding step And pressing the resin in the upper mold cavity uniformly and separately through a release film coated on the inner surface of the upper mold cavity .
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る電子部品の樹脂封止成形方法は、前記した樹脂封止成形工程時に、少なくとも上型キャビティ内から空気を強制的に吸引排出して真空引きする工程を含むことを特徴とする。 Further, in the resin sealing molding method of the electronic component according to the present invention for solving the technical problem described above, at least the air is forcibly sucked and discharged from the upper mold cavity during the resin sealing molding process. The method includes a step of evacuating.
本発明によれば、個々のパッケージの外周囲に外部電極部を有する基板に装着した所要複数個の半導体チップを各別に個々のパッケージに樹脂封止成形する場合に、パッケージの外観不良や、樹脂の早期硬化、基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができると云う優れた効果を奏するものである。 According to the present invention, when a plurality of required semiconductor chips mounted on a substrate having an external electrode portion on the outer periphery of each package are resin-sealed and molded into each individual package, the external appearance of the package or the resin Excellent effect that it is possible to provide a resin sealing molding method for electronic parts that can efficiently solve the problems of resin molding such as early curing of resin and adhesion of resin to the external electrode portion of the substrate It plays.
以下、実施例図に基づいて詳細に説明する。
図1(1)、図1(2)、図(3)は、本発明に用いられる基板である。
図2、図3、図4は、本発明に用いられる電子部品の樹脂封止成形用金型(電子部品の圧縮成形用金型)である。
Hereinafter, it demonstrates in detail based on an Example figure.
FIG. 1 (1), FIG. 1 (2), and FIG. (3) are substrates used in the present invention.
2, 3, and 4 are resin-sealing molds for electronic parts (molds for compression molding of electronic parts) used in the present invention.
(基板の構成)
まず、本発明に用いられる基板について説明する。
即ち、図1(1)に示すように、基板2には、所要複数個の電子部品3(以下、半導体チップと云う)が装着して構成されると共に、前記した半導体チップ3と基板2側の電子回路(内部用電極部)とは金線ワイヤ4で電気的に接続されて構成されている。
また、図示はしていないが、前記した基板2において、後述する電子部品の樹脂封止成形用金型1に設けられた上型キャビティ10内で成形される個々のパッケージ5(前記した基板2の表面におけるキャビティ開口相当部)の外周囲に基板の実装用ランド(外部用電極部)が形成されて構成されている。
また、本発明においては、図1(2)に示すように、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3に所要の樹脂量の液状樹脂9(樹脂材料)を各別に滴下する液状樹脂の塗布機構〔図1(2)に示す図例ではデイスペンサー8〕が用いられるように構成されている。
即ち、後述する金型1の外部で(後述する金型1にて加熱されない状態で)、予め、前記したデイスペンサー8にて前記した基板2に装着した半導体チップ3(の天面側)に所要の樹脂量の液状樹脂9を各別に滴下して前記した半導体チップ3の所要範囲に各別に液状樹脂9を塗布することができるように構成されている。
(Substrate structure)
First, the substrate used in the present invention will be described.
That is, as shown in FIG. 1A, the
Although not shown, in the above-described
Further, in the present invention, as shown in FIG. 1 (2), a liquid resin 9 (resin material) having a required amount of resin is separately dropped onto a plurality of required
That is, outside the
(金型の構成)
次に、本発明に係る電子部品の樹脂封止成形用金型1(電子部品の圧縮成形用金型)について説明する。
即ち、図2に示すように、前記した金型1は、上型6と、該上型6に対向配置した下型7とが設けられて構成されている。
また、前記した下型7には前記した所要複数個の半導体チップ3を装着した基板2を供給セットする基板供給部13(下型面)が設けられて構成されると共に、前記した上型6には前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3を各別に嵌装する上型キャビティ10が設けられて構成されている。
従って、前記した上下両型6・7を所要の型締圧力にて型締めすることにより、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3を各別に嵌装することができるように構成されている。
なお、前記した上下両型6・7の所要の型締圧力は、本発明に係る圧縮成形の成形圧力となるものである。
また、前記した基板供給部13においては、前記した基板供給部13に設けた吸着孔(図示なし)から空気を強制的に吸引排出することにより、前記した基板2を吸着固定する構成を採用しても良い。
(Mold configuration)
Next, a resin sealing molding die 1 (electronic component compression molding die) for an electronic component according to the present invention will be described.
That is, as shown in FIG. 2, the above-described
The
Accordingly, the above-described upper and
The required clamping pressure of the upper and
Further, the above-described
また、本発明においては、前記した上下両型6・7間に離型フィルム11(リリースフィルム)を張架することができるように構成されると共に、図示はしていないが、前記した上型6には前記した上型キャビティ10内面及び上型面に設けた吸引孔(図示なし)から空気を強制的に吸引排出することによって、前記した離型フィルム11を前記した上型キャビティ10内面の形状及び上型面の形状に沿って被覆させる離型フィルムの吸着機構(図示なし)が設けられて構成されている。
従って、前記した吸着機構で前記した離型フィルム11を前記した上型キャビティ10内面の形状に沿って被覆させた状態で、前記した上下両型6・7の型締することにより、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3を前記した離型フィルム11を被覆した上型キャビティ10内に(前記した上型キャビティ10内に)各別に嵌装することができるように構成されている。
また、本発明においては、前記した上下両型6・7の所要の型締圧力にて型締することにより、前記した離型フィルム11を被覆した上型キャビティ10内で(前記した上型キャビティ10内で)前記した半導体チップ3を樹脂9にて圧縮成形することができるように構成されている。
即ち、前記した離型フィルム11を被覆した上型キャビティ10の形状に対応した(
上型キャビティ10の形状に対応した)パッケージ5(樹脂成形体)内に前記した半導体チップ3を各別に封止成形することができるように構成されている。
従って、従来例となるトップゲート方式に較べて、本発明に係る圧縮成形方式を採用したことにより、ゲート樹脂を切断除去するときに発生する欠け等を効率良く防止し得て、パッケージの外観不良の発生を効率良く防止することができる。
Further, in the present invention, it is configured so that the release film 11 (release film) can be stretched between the upper and
Accordingly, by clamping the above-described upper and
In the present invention, the upper and
That is, it corresponds to the shape of the
The
Therefore, by adopting the compression molding method according to the present invention as compared with the conventional top gate method, it is possible to efficiently prevent chipping or the like that occurs when the gate resin is cut and removed, resulting in poor package appearance. Can be efficiently prevented.
また、前記した上下両型6・7を所要の型締圧力にて型締めしたときに、前記した離型フィルム11を被覆した上型面にて、少なくとも、前記した基板2の表面におけるキャビティ開口相当部の外周囲に設けられた外部用電極部を被覆することができるように構成されている。
従って、前記した基板2の表面において、前記したキャビティ開口相当部から(前記した上型キャビティ10内から)樹脂9が(前記した上型キャビティ10内で加熱溶融化された樹脂が、或いは、液状樹脂が)前記した外部用電極部に浸入することを効率良く防止することができるように構成されている。
Further, when the upper and
Therefore, on the surface of the
また、前記上型における上型キャビティ10の天面には前記したキャビティ被覆離型フィルム11を介して前記した上型キャビティ10内の樹脂を所要の圧力にて均等に且つ各別に押圧する押圧部材12が設けられて構成されている。
即ち、前記した押圧部材12で、前記した上型キャビティ10内の樹脂9を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧することにより、前記した各上型キャビティ10内において、前記した半導体チップ3に滴下された液状樹脂9の樹脂量のばらつきを調整して吸収することができるように構成されている。
また、前記した上下両型6・7の所要の型締圧力にて型締することにより、且つ、前記した押圧部材12で、前記した上型キャビティ10内の樹脂9を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧することにより、前記した上型キャビティ10内で前記した半導体チップ3を圧縮成形することができるように構成されている。
従って、前記した押圧部材12を用いることにより、前記した上型キャビティ10の形状に対応したパッケージ5内に前記した半導体チップ3を各別に封止成形することができるように構成されている。
なお、図例においては、前記した押圧部材13を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧する均等加圧機構として、圧縮スプリング14(弾性部材)が用いられて構成されている。
また、図例においては、前記した押圧部材12で、前記した上型キャビティ10内の樹脂9を前記した離型フィルム11を介して押圧するように構成されている。
Further, a pressing member that presses the resin in the above-described
That is, the above-described semiconductor chip is formed in each
Further, the above-described upper and
Therefore, by using the pressing member 12 described above, the
In the illustrated example, a compression spring 14 (elastic member) is used as an equal pressure mechanism that presses the pressing
In the illustrated example, the pressing member 12 presses the
また、前記した上型6における所要複数個の上型キャビティ10の外周囲にはOリング15(外気遮断部材)が前記した所要複数個の上型キャビティ10を囲んだ状態で配設されると共に、前記したOリング15は前記した上型面から所要の高さで突設されて構成されている。
従って、前記した上下両型6・7の中間型締時に、前記した上下両型6・7の型面間を所要距離で保持して中間型締めすると共に、前記した上型6に設けた外気遮断部材15(Oリング)を前記した下型7の型面に当接することにより、前記した各キャビティ10内と前記した両型面で形成される空間部とを外気遮断状態にして外気遮断空間部を形成することができるように構成されている。
また、前記金型1には、図示はしていないが、前記した外気遮断空間部の空気を強制的に吸引排出することにより(前記した外気遮断空間部から真空引きすることにより)、前記した外気遮断空間部内を所要の真空度に設定する真空ポンプ等の真空引き機構が設けられて構成されている。
従って、前記した外気遮断状態となる上下両型6・7の中間型締時に、或いは、前記した外気遮断状態となる上下両型6・7の中間型締めから前記した上下両型の型面を閉じ合わせる完全型締めに至るまで前記した上下両型6・7を継続して型締めする間に、前記真空引き機構にて前記した外気遮断空間部内の空気を強制的に吸引排出することにより、前記した外気遮断空間部内を(少なくとも上型キャビティ10内を)所要の真空度に設定することができるように構成されている。
なお、当然ではあるが、前記した真空引き機構にて、少なくとも前記した離型フィルムを被覆した上型キャビティ10内を所要の真空度に設定することができるように構成されている。
In addition, an O-ring 15 (outside air blocking member) is disposed around the required plurality of
Therefore, at the time of the intermediate mold clamping of the upper and
Further, although not shown in the figure, the above-described
Accordingly, the upper and lower mold surfaces of the upper and
Needless to say, the above-described evacuation mechanism is configured so that at least the inside of the
なお、図示はしていないが、前記した金型1の所要個所には、前記した金型1を所定の温度にまで加熱する加熱手段が設けられて構成されている。
従って、当然ではあるが、前記した金型1に前記した液状樹脂滴下の基板2を供給する前に、予め、前記した金型1(上下両型6・7)を前記した加熱手段にて所定の温度にまで加熱することができるように構成されている。
Although not shown in the figure, heating means for heating the
Therefore, as a matter of course, before the liquid
(成形方法)
まず、前記した金型1(上下両型6・7)を所定の温度にまで加熱すると共に、前記した上型キャビティ10内及び上型面に前記した離型フィルム11を被覆させる。
なお、このとき、前記した基板2は前記した金型1には供給セットされていない。
次に、前記した金型1の外部にて(前記した基板2が前記した金型1にて加熱されない状態で)、図1(1)〜(3)に示すように、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3の天面側に前記したディスペンサー8にて液状樹脂9を所要の樹脂量にて各別に滴下することにより、前記した半導体チップ3の天面側における所要範囲に液状樹脂を被覆させる〔図1(2)、図1(3)を参照〕。
このとき、前記した金型1の外部で、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3に液状樹脂9を各別に滴下することになるので、従来例のようなキャビダウン方式のよって樹脂が早期に硬化することを効率良く防止することができる。
また、前記した半導体チップ3の滴下される液状樹脂9における所要の樹脂量は、前記した上型キャビティ10の容量から前記した半導体チップ3の容量を差し引いた容量である。
なお、前記した半導体チップ3の天面側における液状樹脂の所要範囲について、図例においては、前記した液状樹脂9はその表面張力にて前記した半導体チップ3の天面側におけるワイヤ4近傍にまで被覆して形成されている。
(Molding method)
First, the mold 1 (upper and
At this time, the
Next, outside the above-described mold 1 (in a state where the above-described
At this time, since the
The required amount of resin in the
In addition, regarding the required range of the liquid resin on the top surface side of the
次に、図3に示すように、前記した液状樹脂滴下の基板2〔図1(3)を参照〕を前記した下型の基板供給部13に供給セットする。
次に、図4に示すように、前記した上下両型6・7を所要の型締圧力にて型締めすることにより、前記した離型フィルムを被覆した個々の上型キャビティ10内に前記した液状樹脂9を滴下被覆した状態の半導体チップ3を嵌装することにより、前記した半導体チップ3を前記した上型キャビティ10の形状に対応した個々のパッケージ5内に液状樹脂9にて各別に圧縮成形(樹脂封止成形)する。
このとき、前記した上型キャビティ10内の樹脂9には所要の圧力(型締圧力)が加えられると共に、前記した上型キャビティ10内において、前記した半導体チップ3の天面に滴下された液状樹脂9にて前記した半導体チップ3全体が被覆包囲(封入)された状態となる。
また、このとき、前記した基板の表面において、前記した個々の上型キャビティにおける開口相当部からその外周囲に、即ち、前記したキャビティ開口相当部の外周囲に設けられた基板の外部用電極部に、樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、前記した基板の外部用電極部への樹脂の付着を効率良く防止することができる。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記した上下両型6・7を型開きすることにより、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3を各別に前記した離型フィルム11を被覆した上型キャビティの形状に対応した個々のパッケージ5内に樹脂封止成形(圧縮成形)することができる。
Next, as shown in FIG. 3, the liquid resin dropping substrate 2 [see FIG. 1 (3)] is supplied and set to the lower mold
Next, as shown in FIG. 4, the above-described upper and
At this time, a required pressure (clamping pressure) is applied to the
Further, at this time, on the surface of the substrate described above, the external electrode portion of the substrate provided from the corresponding portion of the opening in each upper mold cavity to the outer periphery thereof, that is, the outer periphery of the corresponding portion of the cavity opening described above. In addition, it is possible to efficiently prevent the resin from entering, and it is possible to efficiently prevent the resin from adhering to the external electrode portion of the substrate.
After the time required for curing has elapsed, the above-described upper and
即ち、前述したように、前記した上型キャビティ10内で前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3を各別に個々のパッケージ5内に圧縮成形する構成(トップゲートを用いない構成)を採用したので、従来例に示すようなトップゲート方式によるゲート樹脂を切断除去するときに形成される欠け等のパッケージの外観不良を効率良く防止することができる。
また、前述したように、前記した金型1の外部で(前記した基板2が前記した金型1にて加熱されない状態で)、前記した基板2に装着した所要複数個の半導体チップ3に液状樹脂9を各別に滴下・塗布する構成を採用したので、前記した金型1による樹脂への加熱を効率良く防止し得て、従来例に示すようなキャビダウン方式による樹脂の早期硬化を効率良く防止することができる。
また、前述したように、前記した離型フィルム11を前記した上型キャビティ10内及び上型面に被覆した状態で前記した上下両型6・7を所要の型締圧力にて型締めすることにより、前記した基板のキャビティ開口相当部の外周囲に設けた外部用電極部を前記したて離型フィルム11で被覆することができるので、前記した上型キャビティ10内(前記キャビティ開口相当部)から前記した基板2の外部用電極部に〔前記した基板2(外部用電極部)と離型フィルム11(上型面)との隙間に〕樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、従来例に示すような一括塗布方式による基板の外部用電極部への樹脂の付着を効率良く防止することができる。
従って、本発明によれば、従来例に示すようなトップゲート方式によるパッケージの外観不良、キャビダウン方式による樹脂の早期硬化、一括塗布方式による基板の外部用電極部への樹脂の付着と云った樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
That is, as described above, a configuration in which the required plurality of
In addition, as described above, outside the above-described mold 1 (in a state where the above-described
Further, as described above, the upper and
Therefore, according to the present invention, the appearance of the package by the top gate method as shown in the conventional example, the early curing of the resin by the cabinet down method, and the adhesion of the resin to the external electrode portion of the substrate by the batch coating method. It is possible to provide a resin sealing molding method for an electronic component that can efficiently solve the problems in resin molding.
また、前記した実施例において、前記した離型フィルム11を用いない構成を採用することができる。
従って、前記した実施例と同様に、前述した樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
なお、この場合、前記した基板2の外部用電極部を前記した上型面にて被覆することになると共に、前記した基板2(外部用電極部)と上型面との隙間に樹脂が浸入することを効率良く防止し得て、従来例に示すような一括塗布方式による基板の外部用電極部への樹脂の付着を効率良く防止することができる。
Moreover, in an above-described Example, the structure which does not use the above-mentioned release film 11 is employable.
Therefore, similarly to the above-described embodiment, it is possible to provide a resin sealing molding method for an electronic component that can efficiently solve the above-described problems in resin molding.
In this case, the external electrode portion of the
また、前記した各実施例において、前記上型キャビティ10内の樹脂を前記した押圧部材12で所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧する構成を採用することができる。
即ち、前記した上下両型6・7の型締時に(前記した金型1による圧縮成形時に)、前記した押圧部材12で前記した上型キャビティ10内の樹脂9を所要の押圧力にて均等に且つ各別に押圧することにより、前記した上型キャビティ10内において、前記した所要複数個の半導体チップ3に各別に滴下した液状樹脂の樹脂量のばらつきを調整して吸収することができる。
従って、前記した押圧部材12を用いる構成において、前記した実施例と同様に、前述した樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
なお、前記した押圧部材12を用いる構成において、前記した離型フィルム11を介して前記した上型キャビティ10内の樹脂を押圧する構成、或いは、前記した離型フィルム11を用いないで、記した上型キャビティ10内の樹脂を押圧する構成を採用することができる。
Further, in each of the above-described embodiments, it is possible to adopt a configuration in which the resin in the
That is, when the upper and
Accordingly, in the configuration using the pressing member 12 described above, a resin sealing molding method for an electronic component that can efficiently solve the above-described problems in resin molding can be provided, as in the above-described embodiment.
In the configuration using the pressing member 12 described above, the configuration in which the resin in the
また、前記した各実施例において、前記した上下両型6・7の型締時に、少なくとも前記した上型キャビティ内から空気を強制的に吸引排出して真空引きする構成を採用することができる。
即ち、前記した上下両型6・7の型締時に、前記した下型7の型面と前記した上型6に設けた外気遮断部材15とを当接して形成される外気遮断空間部(少なくとも前記した上型キャビティ10)から空気を強制的に吸引排出する構成を採用することができる。
従って、前記した上型キャビティ10内で成形されるパッケージ5に形成されるボイド(気泡)を効率良く低減することができる。
また、前記した真空引き機構を用いる構成において、前記した各実施例と同様に、前述した樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる電子部品の樹脂封止成形方法を提供することができる。
なお、前記した外気遮断空間部から真空引きする構成において、少なくとも前記した離型フィルム11を被覆した上型キャビティ10内から真空引きする構成、或いは、前記した離型フィルム11を用いないで、少なくとも前記した上型キャビティ10内から真空引きする構成を採用することができる。
Further, in each of the above-described embodiments, it is possible to employ a configuration in which air is forcibly sucked and discharged from at least the above-described upper mold cavity when the upper and
That is, when the upper and
Therefore, voids (bubbles) formed in the
In addition, in the configuration using the vacuuming mechanism described above, it is possible to provide a resin sealing molding method for an electronic component that can efficiently solve the above-described problems in resin molding as in the above-described embodiments. .
In addition, in the above-described configuration of evacuating from the outside air blocking space, at least the above-described configuration of evacuating from the inside of the
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be arbitrarily changed and selected as needed within a range not departing from the gist of the present invention. It is.
また、前記した外気遮断空間部から真空引きする構成について、前記した上下両型6・7の中間型締時に、即ち、前記した上下両型6・7の型面間を所要距離で保持する中間型締時に、前記した外気遮断空間部から瞬間的に(短時間で)真空引きする構成を採用することができる。
なお、この場合、前記した中間型締めから完全型締めする間に、継続して真空引きする構成を採用しても良い。
Further, with respect to the structure for evacuating from the above-described outside air blocking space, when the above-described upper and
In this case, a configuration may be adopted in which vacuuming is continuously performed between the intermediate mold clamping and the complete mold clamping.
また、前記した各実施例において、前記した上型6における各キャビティ10間に前記した上型キャビティ内の樹脂を調整する樹脂連通路を設けて構成しても良い。
In each of the above-described embodiments, a resin communication path that adjusts the resin in the upper mold cavity may be provided between the
また、前記した各実施例において、前記した半導体チップ3への滴下範囲は、前記した基板の外部用電極部に付着しない範囲であれば良い。
In each of the above-described embodiments, the dropping range onto the
また、前記した各実施例において、前記した基板2に装着した半導体チップ3に液状樹脂9を滴下する場合、前記した液状樹脂9が加熱されない状態であれば良く、前記した金型1の内部、例えば、型開状態にある上下両型6・7間で半導体チップ3に液状樹脂9を滴下する構成を採用しても良い。
Further, in each of the above-described embodiments, when the
また、前記した実施例において、前記した押圧部材12を所要の圧力にて均等に且つ各別に押圧する均等加圧機構として、油圧、空圧等の流体加圧機構を採用しても良い。 In the above-described embodiment, a fluid pressurizing mechanism such as hydraulic pressure or pneumatic pressure may be adopted as an equal pressurizing mechanism that presses the pressing member 12 evenly and at a required pressure.
また、前記した各実施例では、液状樹脂9を用いる構成を開示したが、樹脂材料として、粉末状の樹脂材料、顆粒状の樹脂材料、シート状の樹脂材料を用いることができる。
In each of the above-described embodiments, the configuration using the
また、前記した各実施例においては、電子部品として、単層の半導体チップ3を例に挙げて説明したが、電子部品として、前記した半導体チップ3を所要複数個、積層する構成に採用することができる。
Further, in each of the embodiments described above, the single-
1 電子部品の樹脂封止成形用金型(電子部品の圧縮成形用金型)
2 基板
3 半導体チップ(電子部品)
4 ワイヤ
5 パッケージ
6 上型
7 下型
8 ディスペンサー
9 液状樹脂
10 上型キャビティ
11 離型フィルム(リリースフィルム)
12 押圧部材
13 基板供給部
14 圧縮スプリング(弾性部材)
15 Oリング(外気遮断部材)
1. Mold for resin sealing molding of electronic parts (mold for compression molding of electronic parts)
2
4
12 Pressing
15 O-ring (outside air blocking member)
Claims (2)
前記した金型を所定の温度にまで加熱する工程と、
前記上型キャビティ内面及び上型面に離型フィルムを被覆させる工程と、
前記した金型で前記した基板が加熱されない状態で、前記した基板に装着した所要複数個の半導体チップ天面の所要範囲に所要量の液状樹脂を各別に滴下する工程と、
前記した金型の基板供給部に前記した液状樹脂滴下基板を供給セットする工程と、
前記した金型を所要の型締圧力にて型締めする工程と、
前記金型の型締工程時に、前記上型キャビティ内面に離型フィルムを被覆した状態で、液状樹脂にて被覆された状態の半導体チップを前記上型キャビティ内に嵌装する工程と、
前記金型の型締工程時に、前記上型面を被覆した離型フィルムにて、少なくとも、前記した基板の表面におけるキャビティ開口部相当部の外周囲に設けられて外部用電極を被覆する工程と、
前記した半導体チップの嵌装工程時に、前記した離型フィルムを被覆した上型キャビティの形状に対応したパッケージ内に液状樹脂にて各別に樹脂封止成形する工程と、
前記樹脂封止成形工程時に、前記上型キャビティ天面に設けた押圧部材にて前記上型キャビティの内面に被覆した離型フィルムを介して前記上型キャビティ内の樹脂を均等に且つ各別に押圧する工程とを含むことを特徴とする半導体チップの樹脂封止成形方法。 Preparing a resin mold for molding a semiconductor chip consisting of an upper mold having a resin molding cavity and a lower mold having a substrate supply unit for supplying and setting a substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted;
Heating the mold to a predetermined temperature;
A step of coating the inner surface of the upper mold cavity and the upper mold surface with a release film;
Dropping the required amount of the liquid resin into the required range of the required top surfaces of the plurality of semiconductor chips mounted on the substrate in a state where the substrate is not heated by the mold described above;
Supplying and setting the liquid resin dropping substrate as described above to the substrate supply part of the mold,
A step of clamping the above-described mold with a required clamping pressure;
A step of fitting a semiconductor chip coated with a liquid resin into the upper mold cavity in a state where a mold release film is coated on the inner surface of the upper mold cavity during the mold clamping process;
A step of covering at least the outer periphery of the portion corresponding to the cavity opening on the surface of the substrate with a release film covering the upper mold surface in the mold clamping step of the mold; ,
In the above-described semiconductor chip fitting step, a step of resin-sealing each separately with a liquid resin in a package corresponding to the shape of the upper mold cavity coated with the release film,
During the resin sealing molding step, the resin in the upper mold cavity is uniformly and separately pressed through a release film coated on the inner surface of the upper mold cavity with a pressing member provided on the top surface of the upper mold cavity. And a resin sealing molding method for a semiconductor chip .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006166838A JP5027451B2 (en) | 2006-06-16 | 2006-06-16 | Resin sealing molding method of semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006166838A JP5027451B2 (en) | 2006-06-16 | 2006-06-16 | Resin sealing molding method of semiconductor chip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007335690A JP2007335690A (en) | 2007-12-27 |
JP5027451B2 true JP5027451B2 (en) | 2012-09-19 |
Family
ID=38934857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006166838A Active JP5027451B2 (en) | 2006-06-16 | 2006-06-16 | Resin sealing molding method of semiconductor chip |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5027451B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101777503B1 (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-11 | 주식회사 참테크 | Plate molding process of a foldable display panel |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0536742A (en) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nippon Steel Corp | Resin sealing method for electronic components |
JP3494586B2 (en) * | 1999-03-26 | 2004-02-09 | アピックヤマダ株式会社 | Resin sealing device and resin sealing method |
JP4001608B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-10-31 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP4875927B2 (en) * | 2006-06-02 | 2012-02-15 | アピックヤマダ株式会社 | Resin molding equipment |
-
2006
- 2006-06-16 JP JP2006166838A patent/JP5027451B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007335690A (en) | 2007-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4268389B2 (en) | Resin sealing molding method and apparatus for electronic parts | |
JP4373237B2 (en) | Semiconductor chip resin sealing molding method and resin sealing molding die | |
KR100822944B1 (en) | Resin Sealing and Molding Method of Electronic Component | |
JP4836661B2 (en) | Resin sealing molding method for electronic parts and mold for resin sealing molding | |
JP4326786B2 (en) | Resin sealing device | |
JP2000277551A (en) | Resin sealing device and method | |
JP2007109831A5 (en) | ||
JP2005305954A5 (en) | ||
JP6270571B2 (en) | Sheet resin supply method, semiconductor sealing method, and semiconductor sealing device | |
JP2016137634A (en) | Resin-sealing method and resin-sealing device | |
KR101667854B1 (en) | Resin sealing method and resin sealing apparatus | |
JP4052939B2 (en) | Resin sealing molding method and apparatus for electronic parts | |
JP3897565B2 (en) | Resin sealing device and resin sealing method | |
JP2004230707A (en) | Method and apparatus for sealing and molding electronic component with resin | |
JP4011781B2 (en) | Resin coating method for semiconductor wafer | |
JP3569224B2 (en) | Resin sealing method and resin sealing device | |
JP5027451B2 (en) | Resin sealing molding method of semiconductor chip | |
JP2005324341A (en) | Resin molding method and resin molding machine | |
JP4206241B2 (en) | Resin mold and resin mold apparatus | |
JP3704461B2 (en) | Resin sealing method and resin sealing device | |
JP2005225067A (en) | Method and apparatus for molding resin | |
JP4262339B2 (en) | Resin sealing method for semiconductor device | |
JP6404734B2 (en) | RESIN MOLDING METHOD, RESIN MOLDING MOLD, AND METHOD FOR PRODUCING MOLDED ARTICLE | |
JP2001168121A (en) | Method for sealing electronic part with resin | |
CN1868048B (en) | Method and device for encapsulating electronic components using a flexible pressure element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120622 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5027451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |