JP6139122B2 - リーク検査方法及びリーク検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、リーク検査方法及びリーク検査装置に関し、詳しくは電磁接触器のガス密閉型構造体（所謂、ガス封入カプセル）のリーク検査方法及びリーク検査装置に関する。

従来技術に係る電磁接触器には、例えば水素等のガスを封入したガス密閉型構造体（所謂、ガス封入カプセル）を備えたものがある。このガス密閉型構造体のリーク（漏れ）試験では、微小のガスリーク量（ガス漏れ量）を測定することがある。

ガスリーク量を測定するための方法には、ガス漏れ直接測定方法とガス濃度測定方法の２通りの方法がある。ガス漏れ直接測定方法は、真空チャンバ内に検体（つまり、ガス密閉型構造体）を設置した後、チェンバ内を真空排気し、検体から真空中にリークしたガスをリークディテクタ（漏れ検出器）内の質量分析器で濃度測定することでガスリーク量を測定する方法である。また、ガス濃度測定方法は、密閉容器に検体を一定時間放置した後、その容器内のガス濃度を測定し、放置時間及び密閉容器の容積を変数とすることで、検体からのリーク量を算出する方法である。これらの技術としては、例えば、特許文献１、２に記載されたものがある。

特開２００９−２８１９３４号公報 特開２００９−９２５８５号公報

しかしながら、ガス漏れ直接測定方法では、微小なリーク量（具体的には、１０^−９Ｐａ・ｍ^３／ｓ以下のリーク量）の測定が困難となる場合がある。これは、既存技術では、１０^−８Ｐａ・ｍ^３／ｓ以下の校正器の作製が極めて困難であり、その入手が困難なためである。また、ガス濃度測定方法では、微小なリーク量の測定は可能であるが、一検体当たりの測定時間が長時間となる場合がある。

本発明は、上記事情に鑑み、電磁接触器のガス密閉型構造体からリークする微小なガス量（１０^−９Ｐａ・ｍ^３／ｓ以下）を、従来技術と比較して短時間で測定することができるリーク検査方法及びリーク検査装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための本発明の一態様は、電磁接触器のガス密閉型構造体及び前記ガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスを加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記封入ガスをパージするパージ工程と、前記パージ工程の後に、前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの量を測定するリークガス量測定工程と、を備え、前記加熱工程では、加熱炉内に前記ガス密閉型構造体を配置して前記ガス密閉型構造体を加熱し、前記パージ工程では、前記加熱工程で加熱された前記加熱炉内の温度よりも高温の気体を前記加熱炉内に導入して、前記ガス密閉型構造体からリークして前記加熱炉内に残留した前記封入ガスをパージすることを特徴とするリーク検査方法である。

この構成によると、電磁接触器のガス密閉型構造体及びガス密閉型構造体に封入された封入ガスの温度を上昇させることができるので、封入ガスのリークレートを上げることができる。その後、封入ガスのリーク量を測定するので、従来技術と比較して短時間で微小なリーク量を測定することができる。換言すると、微小なリーク量であっても封入ガスのリークレートを上げることで、ガス濃度測定に必要なガス量を従来技術と比較して短時間で得ることができる。
また、この構成によると、ガス密閉型構造体からリークして加熱炉内に残留した封入ガスをパージできるので、封入ガスのリーク量を測定する際に、加熱炉内に残留した封入ガスが混入する可能性を少なくすることができる。このため、測定されたリーク量の精度を高めることができる。

また、上記のリーク検査方法において、前記封入ガスは、水素を含んだガスであることとしてもよい。
この構成によると、封入ガスは水素を含んだガスであるので、ガス密閉型構造体及び封入ガスを加熱することで効率良く封入ガスのリークレートを上げることができる。

また、上記のリーク検査方法において、前記パージ工程では、前記加熱炉内の圧力を大気圧に維持した状態で前記気体を前記加熱炉内に導入することとしてもよい。

また、上記のリーク検査方法において、前記パージ工程の後であって前記リークガス量測定工程の前に、前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げる冷却工程をさらに備えることとしてもよい。
この構成によると、ガス密閉型構造体からリークした封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げるので、一定の温度で封入ガスの濃度測定をすることができる。このため、ガス体積比のばらつきを抑制することができ、周囲環境温度の影響によるガス濃度の誤差を少なくすることができる。よって、測定されたリーク量の精度を高めることができる。
また、上記のリーク検査方法において、前記パージ工程で前記加熱炉内に導入する前記気体は、窒素ガスであることとしてもよい。

本発明の別の態様は、電磁接触器のガス密閉型構造体及び前記ガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスを加熱する加熱部と、前記封入ガスをパージするパージ部と、前記加熱部で加熱されて前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの量を測定するリークガス量測定部と、を備え、前記加熱部は、密閉可能な加熱炉を備え、前記パージ部は、前記ガス密閉型構造体からリークし前記加熱炉内に残留した前記封入ガスをパージするための気体の温度を、前記加熱部で加熱した前記加熱炉内の温度よりも高温にするパージ用気体加熱装置を備えることを特徴とするリーク検査装置である。
この構成によると、電磁接触器のガス密閉型構造体及び封入ガスの温度を上昇させることができるので、封入ガスのリークレートを上げることができる。その後、封入ガスのリーク量を測定するので、従来技術と比較して短時間で微小なリーク量を測定することができる。換言すると、微小なリーク量であっても封入ガスのリークレートを上げることで、ガス濃度測定に必要なガス量を従来技術と比較して短時間で得ることができる。
また、この構成によると、ガス密閉型構造体からリークして加熱炉内に残留した封入ガスをパージすることができるので、封入ガスのリーク量を測定する際に、加熱炉内に残留した封入ガスが混入する可能性を少なくすることができる。このため、測定されたリーク量の精度を高めることができる。

また、上記のリーク検査装置において、前記封入ガスは、水素を含んだガスであることとしてもよい。
この構成によると、封入ガスは水素を含んだガスであるので、ガス密閉型構造体及び封入ガスを加熱すると効率良く封入ガスのリークレートを上げることができる。

また、上記のリーク検査装置において、前記ガス密閉型構造体及び前記ガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスは、前記加熱炉で加熱されることとしてもよい。

また、上記のリーク検査装置において、前記加熱部の後段であって前記リークガス量測定部の前段に、前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げる冷却部をさらに備えることとしてもよい。
この構成によると、ガス密閉型構造体からリークした封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げることができるので、一定の温度で封入ガスの濃度測定をすることができる。このため、ガス体積比のばらつきを抑制することができ、周囲環境温度の影響によるガス濃度の誤差を少なくすることができる。よって、測定されたリーク量の精度を高めることができる。
また、上記のリーク検査装置において、前記封入ガスをパージするための前記気体は、窒素ガスであることとしてもよい。

本発明によれば、電磁接触器のガス密閉型構造体及びガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスの温度を上昇させることで、封入ガスのリークレートを上げることができる。その後、封入ガスのリーク量を測定するので、従来技術と比較して短時間で微小なリーク量を測定することができる。

実施形態に係るリーク検査装置の構成（リーク量測定時）を模式的に示す斜視図である。 実施形態に係るリーク検査装置の構成（ガス封入カプセル交換時）を模式的に示す斜視図である。 ガス封入カプセルの構造を模式的に示す斜視図である。 ガス封入カプセルの構造を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るリーク検査方法のフローチャートを示す図である。 加熱炉の温度に対するガスリーク量及びガス濃度を示す図である。

以下、本発明の実施形態に係るリーク検査装置の構成を図１、図２を参照しつつ説明し、その装置を用いたリーク検査方法を図３〜図５を参照しつつ説明する。

（リーク検査装置の構成）
まず、リーク検査装置１００の構成について説明する。
図１は、実施形態に係るリーク検査装置１００の構成（リーク量測定時）を模式的に示す斜視図である。図２は、実施形態に係るリーク検査装置１００の構成（ガス封入カプセル交換時）を模式的に示す斜視図である。
リーク検査装置１００は、図１、図２に示すように、加熱部１０と、冷却部２０と、測定部３０と、パージ部４０とを備えている。

加熱部１０は、主として、電磁接触器のガス密閉型構造体５０及びそれに封入された封入ガス（例えば、水素ガス）を加熱するための部分であり、加熱炉（例えば、ヒータ付チャンバ）１１と、断熱壁１２と、トグルクランプ１３と、ロータリクランプシリンダ１４とを備えている。なお、「ガス密閉型構造体５０」については、以降「ガス封入カプセル５０」ともいう。また、上記ガス封入カプセル５０の構造については後述する。

加熱炉１１は、チャンバ本体１１ａと、そのチャンバ本体１１ａを閉じるチャンバ蓋１１ｂとを備えている。このチャンバ本体１１ａは、その内部にガス封入カプセル５０を配置することができる構造となっている。また、チャンバ本体１１ａにはガス封入カプセル５０及び封入ガスを加熱するためのヒータ（図示せず）が組み込まれている。加熱炉１１は、このヒータによって、例えば１５０℃程度まで加熱可能な炉である。
チャンバ本体１１ａとチャンバ蓋１１ｂとの間にはＯリング１１ｃが配置されている。このＯリング１１ｃは、チャンバ蓋１１ｂを閉じた際に加熱炉１１内部の気密を保つためのものである。

断熱壁１２は、チャンバ本体１１ａの側面外側を覆うようにして設けられている。この断熱壁１２は、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを加熱する際に発生する熱が外部に流出するのを防ぐためのものである。このため、断熱壁１２を設けることで、効率良く加熱炉１１内部の温度を上昇させることができる。
トグルクランプ１３は、チャンバ蓋１１ｂをチャンバ本体１１ａに押し付けて固定するためのクランプであり、断熱壁１２の縁に一対設けられている。より詳しくは、トグルクランプ１３は、断熱壁１２の縁に一対設けられており、各クランプはそれぞれ対向するようにして設けられている。このトグルクランプ１３でチャンバ蓋１１ｂをチャンバ本体１１ａに押し付けて固定することで、加熱炉１１内部の気密を保つことができる。このため、加熱炉１１内部は、加熱炉１１外部から遮断された状態となる。ゆえに、加熱炉１１内部にリークした封入ガスを堆積する間、加熱炉１１内部に加熱炉１１外部のガス等が混入するのを低減することができる。

ロータリクランプシリンダ１４は、チャンバ蓋１１ｂを図面上下方向及び図面左右方向に移動させるためのシリンダであり、そのシリンダ１４のアーム部１４ａは、チャンバ蓋１１ｂの、チャンバ本体１１ａ側の面とは反対側の面に設置されている。換言すると、チャンバ蓋１１ｂは、チャンバ蓋１１ｂに設置された、図面上下方向及び図面左右方向に移動可能なロータリクランプシリンダ１４によって開閉可能となっている。なお、チャンバ蓋１１ｂの開閉動作（つまり、ロータリクランプシリンダ１４の動作）は、ロータリクランプシリンダ１４と空圧回路で接続されたチャンバ蓋開閉スイッチ１５により制御されている。

冷却部２０は、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスを予め設定された温度まで下げるためのものであり、冷却装置２１と、温度測定部２２と、を備えている。
冷却装置２１は、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスを冷却するための装置であり、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスが通過する冷却パイプ２１ａと、その冷却パイプ２１ａに向かって送風するファン２１ｂとを備えている。この冷却パイプ２１ａと加熱炉１１内部とは、開閉バルブ１６及び連結パイプ１７を介して連通している。このため、加熱炉１１内部のガスは、リーク検査装置１００の外部から遮断された状態で冷却パイプ２１ａまで導かれる。

温度測定部２２は、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの温度を測定するための部分であり、冷却装置２１で冷却する前の封入ガスの温度及び冷却装置２１で冷却した後の封入ガスの温度を測定できるように配置されている。より詳しくは、連結パイプ１７の下流側端部と、冷却装置２１の冷却パイプ２１ａの上流側端部との間には温度計２２ａが設けられており、冷却前の封入ガスの温度は、この温度計２２ａで測定される。また、冷却装置２１の冷却パイプ２１ａの下流側端部と、後述する測定部３０との間には温度計２２ｂが設けられており、冷却後の封入ガスの温度は、この温度計２２ｂで測定される。

測定部３０は、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスのリーク量を測定する部分（つまり、リークガス量測定部）である。この測定部３０は、具体的にはリークディテクタである。測定部（リークディテクタ）３０と冷却装置の冷却パイプ２１ａとは、温度計２２ｂ及び連結パイプ２３を介して連通している。このため、加熱炉１１内部のガスは、リーク検査装置１００の外部から遮断された状態でリークディテクタ３０まで導かれる。

パージ部４０は、加熱炉１１内に残存した封入ガスをパージするための部分であり、パージ用の空気を加熱するパージ用空気加熱装置４１と、パージ用空気加熱装置４１と加熱炉１１との間に配置された開閉バルブ４２と、パージ用の空気を加熱炉１１内部から加熱炉１１外部へと排気するための開閉バルブ４３とを備えている。また、パージ用空気加熱装置４１と開閉バルブ４２との間、及び開閉バルブ４２と加熱炉１１との間には、それぞれ連結パイプ４４、４５が配置されている。

（ガス封入カプセル５０の構造）
次に、ガス封入カプセル５０の構造について、図３、図４を参照しつつ簡単に説明する。図３は、ガス封入カプセル５０の構造を模式的に示す斜視図である。図４は、ガス封入カプセル５０の構造を模式的に示す断面図である。なお、この断面図は、図３のＡ−Ａ′線に沿って切断した断面図である。
本実施形態に係るガス封入カプセル５０の構造は、従来技術に係るガス封入カプセルの構造と概ね同じであり、例えば以下のような構造をしている。

ガス封入カプセル（ガス密閉型構造体）５０は、図４に示すように、消弧室５１内部に、固定接点６１、可動接点６２ａを有する可動端子６２、可動軸６３、接触バネ６４等が組み込まれている。また、キャップ５８内には可動軸６３が連結された可動鉄心６５、復帰バネ６６が組み込まれている。また、消弧室５１と固定端子５２および消弧室５１と第一の接続部材５４は、例えばろう付けにより接合され、キャップ５８と第二の接続部材５５は、例えば溶接により接合されている。そして、ベース板５７と第一の接続部材５４は、例えばシール溶接で接合され、またベース板５７と第二の接続部材５５も、例えばシール溶接にて接合されている。

このような構造をしたガス封入カプセル５０は、密閉された構造体となっており、この構造体の内部に封入ガス（例えば、水素や窒素等を含んだガス）が封入されている。なお、図３中に示された「５３」は、封入ガスを封入する際に用いるガス封入用パイプを示すものである。また、図４に示された「５７ａ」は、ベース板５７に設けられた開口孔を示すものである。

（効果）
（１）以上のように、上記リーク検査装置１００では、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを加熱する加熱炉１１と、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの量を測定するリークディテクタ３０と、を備えている。
このため、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度を上昇させることができ、封入ガスのリークレートを上げることができる。その後、封入ガスのリーク量を測定するので、従来技術と比較して短時間で微小なリーク量を測定することができる。換言すると、微小なリーク量であっても封入ガスのリークレートを上げることで、ガス濃度測定に必要なガス量を従来技術と比較して短時間で得ることができる。

（２）また、上記リーク検査装置１００では、水素を含んだ封入ガスを加熱している。
このため、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを加熱すると効率良く封入ガスのリークレートを上げることができる。

（３）また、上記リーク検査装置１００では、ガス封入カプセル５０からリークし加熱炉１１内に残留した封入ガスをパージするパージ部４０を備えている。
このため、ガス封入カプセル５０からリークして加熱炉１１内に残留した封入ガスをパージすることができる。よって、封入ガスのリーク量を測定する際に、加熱炉１１内に残留した封入ガスが混入する可能性を少なくすることができる。ゆえに、測定されたリーク量の精度を高めることができる。

（４）また、上記リーク検査装置１００では、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げる冷却部２０を備えている。
このため、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げることができ、一定の温度で封入ガスの濃度測定をすることができる。よって、ガス体積比のばらつきを抑制することができ、周囲環境温度の影響によるガス濃度の誤差を少なくすることができる。ゆえに、測定されたリーク量の精度を高めることができる。

（その他の実施形態）
上述の実施形態では、パージ用の空気を加熱するパージ用空気加熱装置４１について説明したが、これに限定されるものではない。パージ用空気加熱装置４１に代えて、パージ用の窒素を加熱するパージ用窒素加熱装置を用いてもよい。このパージ用窒素加熱装置を用いても、上述の作用効果を概ね同じ作用効果が得られる。
また、上述の実施形態では、封入ガスとして、水素ガスを用いた場合について説明したが、これに限定されるものではない。水素ガスに代えて、例えば、窒素ガス、水素を含んだガス、窒素を含んだガスを封入ガスとしてもよい。上記ガスであっても、上述の作用効果を概ね同じ作用効果が得られる。

（リーク検査装置１００を用いたリーク検査方法）
以下、リーク検査装置１００を用いたリーク検査方法について説明する。
図５は、実施形態に係るリーク検査方法のフローチャートを示す図である。
まず、上述のガス封入カプセル５０をチャンバ本体１１ａ内に配置する（Ｓ１）。その後、ロータリクランプシリンダ１４を用いてチャンバ蓋１１ｂを移動し、トグルクランプ１３を用いてチャンバ蓋１１ｂをチャンバ本体１１ａに密着させて固定する。こうして、加熱炉１１を閉じる。この際、開閉バルブ１６、開閉バルブ４２、開閉バルブ４３は開いた状態になっており、加熱炉１１内部は大気圧となっている。その後、チャンバ本体１１ａに組込まれたヒータで予め設定した温度（以下、「目標温度」ともいう。）まで上昇させて、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを加熱する（Ｓ２）。ガス封入カプセル５０及び封入ガスが加熱されている間、加熱炉１１は密閉されておらず、加熱炉１１内部の圧力は大気圧となっている。このようにして、チャンバ本体１１ａに組込まれたヒータで、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを目標温度まで加熱する。ここで、上記「予め設定した温度（目標温度）」とは、例えば、９０℃以上１５０℃以下の範囲内の温度である。ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度が９０℃未満であると、十分なリークレート値を得ることはできない。また、ガス封入カプセル５０の温度が１５０℃より高いと、ガス封入カプセル５０（例えば、ガス封入カプセル５０の一部を構成するセラミック部分）が破損するおそれがある。

次に、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度が目標温度に達したら、開閉バルブ１６を閉じる。その後、パージ用空気加熱装置４１を用いて、例えば目標温度以上の温度のパージ用空気を加熱炉１１内に導入する（Ｓ３）。こうして、ガス封入カプセル５０からリークして加熱炉１１内に残留する封入ガス等をパージする。この際、開閉バルブ４２、開閉バルブ４３はそれぞれ開いた状態となっている。
次に、これまで開いていた開閉バルブ４２及び開閉バルブ４３をそれぞれ閉じて加熱炉１１内を密閉すると同時にリークガスの堆積時間の計測を開始する。こうして、予め設定した堆積時間（以下、単に「堆積時間」ともいう。）だけ加熱炉１１内にリークガスを堆積させる（Ｓ４）。なお、加熱炉１１内にリークガスを堆積させている間、加熱炉１１内の温度（つまり、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度）は一定に保たれている。

次に、堆積時間が経過した後、開閉バルブ１６のみを開き、リークディテクタ３０に内蔵されたポンプを用いて加熱炉１１内のガスを吸引する（Ｓ５）。
この吸引されたガス（つまり、加熱炉１１内に存在していたガス）は、連結パイプ１７を通過した後に冷却装置２１に備わる冷却パイプ２１ａを達する。この冷却パイプ２１ａまで達したガスの温度を予め設定した温度（例えば、室温）まで、冷却装置２１のファン２１ｂを動作させて下げる（Ｓ６）。ファン２１ｂで冷却されたガスの温度は、温度計２２ａ、２２ｂで測定される。ガスの温度が、例えば室温程度まで下がったことを確認した後、一定のガス温度でリークディテクタ３０内に導入する。こうして、リークディテクタ３０内の分析器で、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの量を測定する（Ｓ７）。

リーク量の測定が完了した後、チャンバ本体１１ａに組み込まれたヒータの電源を切る。その後、加熱炉１１内の温度が例えば室温程度まで下がったら、チャンバ蓋開閉スイッチ１５を操作してチャンバ蓋１１ｂを解放する。
最後に、リーク検査の終了したガス封入カプセル５０をチャンバ本体１１ａ内部から取出して（Ｓ７）、リーク検査方法に係る一連の工程が終了する。

（加熱炉の温度に対するガスリーク量及びガス濃度について）
図６は、加熱炉の温度に対するガスリーク量及びガス濃度を示す図である。図６の横軸は、加熱炉の温度を示している。また、図６の左側縦軸は、封入ガスのリーク量を示し、同図の右側縦軸は、ガス濃度を示している。なお、図６の左側縦軸は、対数スケールとなっている。ここで、「加熱炉の温度」と「ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度」とは、同じ温度を意味するものである。また、上記測定では、封入ガスとして水素ガスが用いられている。

図６から、加熱炉１１の温度（つまり、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度）が９０℃以上であれば、ガスリーク量は約６×１０^−８Ｐａ・ｍ^３／ｓ以上となることがわかる。一方、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを加熱しない場合（例えば、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度が３５℃程度の場合）には、ガスリーク量が約１．６×１０^−９Ｐａ・ｍ^３／ｓ程度である。このことから、ガス封入カプセル５０及び封入ガスを９０℃以上に加熱することで、ガスリーク量は３７倍以上になることがわかる。

（効果）
（１）以上のように、上記リーク検査方法では、ガス封入カプセル５０及びそれに封入された封入ガスを加熱する加熱工程（Ｓ２）と、封入ガスのリーク量を測定するリークガス量測定工程（Ｓ７）と、を備えている。
このため、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度を上昇させることができるので、封入ガスのリークレートを上げることができる。その後、封入ガスのリーク量を測定するので、従来技術と比較して短時間で微小なリーク量を測定することができる。換言すると、微小なリーク量であっても封入ガスのリークレートを上げることで、ガス濃度測定に必要なガス量を従来技術と比較して短時間で得ることができる。

（２）また、上記リーク検査方法では、前記封入ガスとして水素を含んだガスを用いている。
このため、水素を含んだ封入ガス及びガス封入カプセル５０を加熱することで効率良く封入ガスのリークレートを上げることができる。

（３）また、上記リーク検査方法では、ガス封入カプセル５０からリークして加熱炉１内に残留した封入ガスをパージするパージ工程（Ｓ３）を備えている。
このため、ガス封入カプセル５０からリークして加熱炉１１内に残留した封入ガスをパージすることができる。よって、封入ガスのリーク量を測定する際に、加熱炉１１内に残留した封入ガスが混入する可能性を少なくすることができる。ゆえに、測定されたリーク量の精度を高めることができる。

（４）また、上記リーク検査方法では、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げる冷却工程（Ｓ６）を備えている。
このため、ガス封入カプセル５０からリークした封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げることができ、一定の温度で封入ガスの濃度測定をすることができる。よって、ガス体積比のばらつきを抑制することができ、周囲環境温度の影響によるガス濃度の誤差を少なくすることができる。ゆえに、測定されたリーク量の精度を高めることができる。

（５）また、上記リーク検査方法では、加熱炉１１の温度（つまり、ガス封入カプセル５０及び封入ガスの温度）を９０℃以上１５０℃以下の範囲内の温度としている。
このため、ガスリーク量を約６×１０^−８Ｐａ・ｍ^３／ｓ以上とすることができる。よって、従来技術に係る校正器を用いても微小なガスリーク量を測定することができる。

（その他の実施形態）
上述の実施形態では、パージ用の空気を加熱するパージ用空気加熱装置４１を用いてパージするパージ工程（Ｓ３）について説明したが、これに限定されるものではない。パージ用空気加熱装置４１に代えて、パージ用の窒素を加熱するパージ用窒素加熱装置を用いてパージしてもよい。このパージ用窒素加熱装置を用いてパージしても、上述の作用効果を概ね同じ作用効果が得られる。

１０…加熱部、１１…加熱炉、１１ａ…チャンバ本体、１１ｂ…チャンバ蓋、１１ｃ…Ｏリング、１２…断熱壁、１３…トグルクランプ、１４…ロータリクランプシリンダ、１４ａ…アーム部、１５…チャンバ蓋開閉スイッチ、１６…開閉バルブ、１７…連結パイプ、２０…冷却部、２１…冷却装置、２１ａ…冷却パイプ、２１ｂ…ファン、２２…温度測定部、２２ａ…温度計、２２ｂ…温度計、２３…連結パイプ、３０…測定部（リークディテクタ）、４０…パージ部、４１…パージ用空気加熱装置、４２…開閉バルブ、４３…開閉バルブ、４４…連結パイプ、４５…連結パイプ、５０…ガス封入カプセル、５１…消弧室、５２…固定端子、５３…ガス封入用パイプ、５４…第一の接続部材、５５…第二の接続部材、５７…ベース板、５７ａ…開口孔、５８…キャップ、６１…固定接点、６２…可動端子、６２ａ…可動接点、６３…可動軸、６４…接触バネ、６５…可動鉄心、６６…復帰バネ、１００…リーク検査装置

Claims (10)

1. 電磁接触器のガス密閉型構造体及び前記ガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスを加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記封入ガスをパージするパージ工程と、前記パージ工程の後に、前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの量を測定するリークガス量測定工程と、を備え、
   前記加熱工程では、加熱炉内に前記ガス密閉型構造体を配置して前記ガス密閉型構造体を加熱し、
   前記パージ工程では、前記加熱工程で加熱された前記加熱炉内の温度よりも高温の気体を前記加熱炉内に導入して、前記ガス密閉型構造体からリークして前記加熱炉内に残留した前記封入ガスをパージすることを特徴とするリーク検査方法。
2. 前記封入ガスは、水素を含んだガスであることを特徴とする請求項１に記載のリーク検査方法。
3. 前記パージ工程では、前記加熱炉内の圧力を大気圧に維持した状態で前記気体を前記加熱炉内に導入することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリーク検査方法。
4. 前記パージ工程の後であって前記リークガス量測定工程の前に、前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げる冷却工程をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のリーク検査方法。
5. 前記パージ工程で前記加熱炉内に導入する前記気体は、窒素ガスであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のリーク検査方法。
6. 電磁接触器のガス密閉型構造体及び前記ガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスを加熱する加熱部と、前記封入ガスをパージするパージ部と、前記加熱部で加熱されて前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの量を測定するリークガス量測定部と、を備え、
   前記加熱部は、密閉可能な加熱炉を備え、
   前記パージ部は、前記ガス密閉型構造体からリークし前記加熱炉内に残留した前記封入ガスをパージするための気体の温度を、前記加熱部で加熱した前記加熱炉内の温度よりも高温にするパージ用気体加熱装置を備えることを特徴とするリーク検査装置。
7. 前記封入ガスは、水素を含んだガスであることを特徴とする請求項６に記載のリーク検査装置。
8. 前記ガス密閉型構造体及び前記ガス密閉型構造体に封入された状態の封入ガスは、前記加熱炉で加熱されることを特徴とする請求項６または請求項７に記載のリーク検査装置。
9. 前記加熱部の後段であって前記リークガス量測定部の前段に、前記ガス密閉型構造体からリークした前記封入ガスの温度を予め設定した温度まで下げる冷却部をさらに備えることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一項に記載のリーク検査装置。
10. 前記封入ガスをパージするための前記気体は、窒素ガスであることを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか一項に記載のリーク検査装置。

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