JP6138561B2 - 電源回路 - Google Patents
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Description
電源回路1の第1実施例を説明する。第1実施例及び後述の第2〜第5実施例では、電源回路1が、図3に示すようなテレビ装置100(液晶テレビ装置等)に搭載されていることを想定する。テレビ装置100のユーザは、テレビ装置100に付随するリモートコントローラ(図4参照)に設けられた電源スイッチ110を操作することで、テレビ装置100の主電源をオン又はオフすることができる。電源スイッチ110は、テレビ装置100そのものに設けられたものであっても良い。テレビ装置100の主電源がオンのとき、入力電圧Vinは0Vよりも大きな規定電圧となって(但し、入力電圧異常がないと仮定)、電源回路1の電源動作が起動可能となる。テレビ装置100の主電源がオフのとき、入力電圧Vinは0Vとなるため、電源動作は起動不可である。
電源回路1の第2実施例を説明する。第2実施例及び後述の第3〜第6実施例は第1実施例を基礎とする実施例であり、第2〜第6実施例において特に述べない事項に関しては、特に記述無き限り且つ矛盾の無い限り、第1実施例の記載が第2〜第6実施例にも適用される。
電源回路1の第3実施例を説明する。第1及び第2実施例では、電源動作の再起動後に第2異常が検出されたとき、第1及び第2異常が関係RRを満たす場合に限って即時停止処理を実行するようにしているが、第3実施例では、電源動作の再起動後に第2異常が検出されたとき、第1及び第2異常の種類に依存せず、一律に即時停止処理を実行する。
メモリ60に異常履歴データが保存されていない状態において異常検出回路40により異常が検出された場合(ステップS13)、制御回路50は、通常停止処理を実行するとともに、通常停止処理により電源動作を停止した際(ステップS14)、異常履歴データをメモリ60に保存する(ステップS15)。一方、メモリ60に異常履歴データが保存されている状態において他の異常が検出された場合、制御回路50は、即時停止処理を実行する。図5の例に当てはめると、ステップS22の電源動作の再起動を経てステップS23にて第2異常が検出されると、メモリ60に異常履歴データが保存されているため、制御回路50は即時停止処理を実行する。
電源回路1の第4実施例を説明する。第4実施例では、第1〜第3実施例に適用可能な技術を説明する。
電源回路1の第5実施例を説明する。第5実施例で述べる方法を第1〜第4実施例に適用することができる。第5実施例では、入力電圧Vinが常に上記起動電圧(図6参照)以上であることを想定する。
電源回路1を任意の電子機器に搭載することができる。この場合、当該電子機器内の電気部品の全部又は一部を出力電圧Voにて駆動させると良い。電子機器は、任意の情報の取得、再生又は加工等を行うことのできる任意の機器であり、例えば、表示パネル、磁気ディスク装置(磁気ディスク記憶装置)、光ディスク装置(例えば、DVD(Digital Versatile Disc)又はBD(Blu-ray(登録商標) Disc)を用いたデータ記憶/再生装置)、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、情報端末、電子書籍リーダ、電子辞書、デジタルカメラ、ゲーム機器又はナビゲーション装置である。表示パネルは、例えば、液晶ディスプレイパネル、有機EL(Organic Electro-Luminescence)ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルである。
本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本発明の実施形態の例であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。上述の実施形態に適用可能な注釈事項として、以下に、注釈1〜注釈5を記す。各注釈に記載した内容は、矛盾なき限り、任意に組み合わせることが可能である。
既に述べたが、電源回路1は任意の方式を採用した電源回路であって良い。図1では、スイッチングレギュレータの一種である降圧型チョッパレギュレータとして電源回路1が形成されているが、電源回路1は、昇圧型又は極性反転型のスイッチングレギュレータを形成していても良いし、出力トランジスタのスイッチングを伴わないリニアレギュレータを形成していても良い。
図1の回路例では、出力トランジスタ21がNチャンネルのFETとされているが、電源回路1の方式にも依存して、出力トランジスタ21はPチャンネルのFETにもなりうる。
更に、出力トランジスタ21としてのMOSFETを、接合型電界効果トランジスタ(JFET)又はバイポーラトランジスタに置き換えても良い。MOSFETの代わりにバイポーラトランジスタを利用する場合、上述の各説明におけるゲート(制御端子)、ドレイン、ソースを、夫々、ベース(制御端子)、コレクタ、エミッタに読み替えれば良い。
また、入力電圧Vin及び出力電圧Voが負の電圧となるように、電源回路1の構成を変更しても良い。
例えば、以下のように考えることができる。IC10は、上述の電源回路1を形成するための集積回路を含んだ半導体装置である。第6実施例で述べた電子機器は当該半導体装置を備えている。IC10の中に、上述の電源回路1を形成する回路以外の回路(例えば、他の電源回路用の回路)が更に含まれていても構わない。
10 電源用IC
11 入力端子
12 出力端子
20 出力回路
30 ドライバ回路
40 異常検出回路
50 制御回路
60 メモリ
Claims (12)
- 電源動作により入力電圧から出力電圧を生成する電源回路において、
当該電源回路における異常の有無を検出する異常検出回路と、
前記異常が検出された場合、前記異常が所定時間継続して検出されるまで待機してから前記電源動作を停止させる通常停止処理、又は、前記待機を経ずに前記電源動作を停止させる即時停止処理を行う制御回路と、
前記異常の発生が原因で前記電源動作が停止したとき異常履歴データを保存するメモリと、を備え、
前記異常が検出された場合、前記制御回路は、前記メモリの保存内容に基づき、前記通常停止処理又は前記即時停止処理を選択的に実行する
ことを特徴とする電源回路。 - 前記メモリに前記異常履歴データが保存されていない状態において第1異常が検出された場合、前記制御回路は、前記通常停止処理を実行するとともに、前記通常停止処理により前記電源動作を停止した際、前記第1異常を示す前記異常履歴データを前記メモリに保存し、
その後、前記電源動作の再起動を経て第2異常が検出された場合、前記制御回路は、前記第2異常と前記異常履歴データが示す前記第1異常とが所定関係を満たすか否かを判定し、前記所定関係が満たされるときに前記第2異常に対して前記即時停止処理を実行する一方で、前記所定関係が満たされないときには前記第2異常に対して前記通常停止処理を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の電源回路。 - 前記異常検出回路は、複数種類の異常の有無を検出し、
前記第1異常の種類と前記第2異常の種類が同じであるとき、前記所定関係が満たされる
ことを特徴とする請求項2に記載の電源回路。 - 前記異常検出回路は、複数種類の異常の有無を検出し、
前記第1及び第2異常の内、一方が当該電源回路の出力電流が所定の上限電流を超える過電流の異常であって、且つ、他方が前記電源回路内の所定部位の温度が所定の温度範囲を超える温度異常であるとき、前記所定関係が満たされる
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の電源回路。 - 前記メモリに前記異常履歴データが保存されていない状態において前記異常が検出された場合、前記制御回路は、前記通常停止処理を実行するとともに、前記通常停止処理により前記電源動作を停止した際、前記異常履歴データを前記メモリに保存し、
前記メモリに前記異常履歴データが保存されている状態において前記異常が検出された場合、前記制御回路は、前記即時停止処理を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の電源回路。 - 前記電源動作の起動後、所定の判定時間内に前記異常が検出された場合にのみ前記即時停止処理の実行が許可され、前記電源動作の起動後、前記判定時間を経てから前記異常が検出された場合には、前記メモリの保存内容に依存せず、前記通常停止処理が実行される
ことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の電源回路。 - 前記電源動作の停止後、前記入力電圧が一旦低下してから所定電圧以上になったとき、前記電源動作が再起動する
ことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の電源回路。 - 前記通常停止処理又は前記即時停止処理による前記電源動作の停止後、前記制御回路は、所定の停止維持時間が経過すると前記電源動作を再起動する、或いは、所定の再起動指示信号の入力に応答して前記電源動作を再起動する
ことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の電源回路。 - 前記異常検出回路は、1種類以上の異常の有無を検出し、
前記1種類以上の異常は、
当該電源回路の出力電流が所定の上限電流を超える過電流の異常、
前記出力電圧が所定の出力電圧範囲を逸脱する出力電圧異常、
前記入力電圧が所定の入力電圧範囲を逸脱する入力電圧異常、及び、
前記電源回路内の所定部位の温度が所定温度を超える温度異常、
の内の少なくとも1つを含む
ことを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の電源回路。 - 当該電源回路の出力電流が流れる出力回路、前記異常検出回路及び前記制御回路を集積化した電源用集積回路に、前記メモリを搭載した
ことを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載の電源回路。 - 請求項1〜10の何れかに記載の電源回路を形成するための集積回路を含む
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11に記載の半導体装置を備えた
ことを特徴とする電子機器。
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