JP6127149B2 - 高性能チーグラー・ナッタ触媒系、そのようなMgCl2に基づく触媒を製造するためのプロセスおよびその使用 - Google Patents
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Description
a)MgCl2−xROHを、ニート(未希釈の)TiCl4と−30℃〜+40℃、より好ましくは−20℃〜+20℃、さらにより好ましくは−10℃〜+10℃において、TiCl4をMgCl2−xROH/有機溶媒懸濁液に一定の撹拌を行いながら、ゆっくりと添加することにより反応させること。
b)上記の反応混合物の温度を約30℃と100℃との間、好ましくは約40℃と90℃との間まで上げ、続いてジエーテル供与体化合物を添加し、混合物を少なくとも80℃に約1〜3時間加熱し続けること。
c)上記反応混合物をまだ熱い間に濾過して固体プレ触媒を得ること。
d)上記プレ触媒を、(約30:70、好ましくは20:80、最も好ましくは10:90の体積比での)TiCl4およびエチルベンゼンを1〜5時間、好ましくは1〜4時間、最も好ましくは1〜3時間、少なくとも100℃、好ましくは100〜135℃、最も好ましくは120〜130℃の温度で用いるソックスレー抽出法を用いて抽出すること。
e)濾過し、ペンタン、ヘキサンまたはヘプタンのような炭化水素を用いて1回以上洗浄し、次いで真空下で、および/または30〜100℃、好ましくは40〜90℃、最も好ましくは50〜80℃の高温の下で、乾燥させること。
a)ニートTiCl4の、または非芳香族炭化水素で希釈したTiCl4の、冷却した部分を調製すること。
b)上記のニートの、または希釈したTiCl4を、−30℃〜+40℃において、より好ましくは−20℃〜+20℃において、最も好ましくは−10℃〜+10℃において、予め形成したMgCl2−xROHの球状粒子を一定の撹拌を行いながらゆっくりと添加することにより反応させること。
c)反応混合物の温度を約30℃〜100℃、好ましくは約40℃〜90℃まで上げ、続いて内部電子供与体化合物としてのジエーテル化合物を添加し、混合物を少なくとも80℃に約1〜3時間加熱し続けること。
d)反応混合物をまだ熱い間に濾過して固体プレ触媒を得ること。
e)プレ触媒を、(約30:70、好ましくは20:80、最も好ましくは10:90の体積比での)TiCl4およびエチルベンゼンを1〜5時間、好ましくは1〜4時間、最も好ましくは1〜3時間、少なくとも100℃、好ましくは100〜135℃、最も好ましくは120〜130℃の温度で用いるソックスレー抽出法を用いて抽出すること。
f)濾過し、ペンタン、ヘキサンまたはヘプタンのような炭化水素を用いて1回以上洗浄し、次いで真空下で、および/または30〜100℃、好ましくは40〜90℃、最も好ましくは50〜80℃の高温下で、乾燥させること。
R1O−(CR5R6)n−CR3R4−(CR7R8)m−OR2 (I)
式中、R1およびR2は同じまたは異なっており、1から約20炭素原子までの飽和もしくは不飽和の脂肪族基または6から約20炭素原子までのアリール基からなる群から選択され、
n+m=2〜4であり、
R3、R4、R5、R6、R7およびR8は同一または異なっており、それぞれ水素原子、直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基、例えば1から約20炭素原子までのアルキル基、2から約20炭素原子までのアルケニル基、6から約20炭素原子までのアリール基、7から約40炭素原子までのアリールアルキル基、7から約40炭素原子までのアルキルアリール基、または8から約40炭素原子までのアリールアルケニル基であり、Si、B、Al、O、S、NまたはPのようなヘテロ原子を1個以上含有していてもよく、および/またはF、ClまたはBrのようなハロゲン原子を含有していてもよく、および/または2個のラジカルR3およびR4は炭化水素環系を形成していてもよい。R3および/またはR4は水素とは異なる。
R1O−CH2−CR3R4−CH2−OR2 (II)
式中、R1およびR2は同じまたは異なっており、1から約20炭素原子までの飽和または不飽和の脂肪族基、より好ましくは1から約10炭素原子までのアルキル基、さらにより好ましくは1から4炭素原子までのアルキル基、理想的にはメチルまたはエチル基、最も理想的にはメチル基からなる群から選択され、R3およびR4は同一または異なっており、それぞれ直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基、例えば1から約20炭素原子までのアルキル基、2から約20炭素原子までのアルケニル基、6から約20炭素原子までのアリール基、7から約40炭素原子までのアリールアルキル基、7から約40炭素原子までのアルキルアリール基、または8から約40炭素原子までのアリールアルケニル基であり、Si、B、Al、O、S、NまたはPのようなヘテロ原子を1個以上含有していてもよく、および/またはF、ClまたはBrのようなハロゲン原子を含有していてもよく、および/または2個のラジカルR3およびR4は炭化水素環系を形成していてもよい。
R1O−CH2−CR3R4−CH2−OR2 (III)
式中、R1およびR2は同一であり、1から約10炭素原子までのアルキル基、さらにより好ましくは1から4炭素原子までのアルキル基、理想的にはメチルまたはエチル基、最も理想的にはメチル基からなる群から選択され、R3およびR4は同一または異なっており、それぞれ直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基、例えば1から約10炭素原子までのアルキル基、2から約10炭素原子までのアルケニル基、6から約10炭素原子までのアリール基、7から約40炭素原子までのアリールアルキル基、7から約40炭素原子までのアルキルアリール基、または8から約40炭素原子までのアリールアルケニル基であり、および/または2個のラジカルR3およびR4は炭化水素環系を形成していてもよく、それはSi、O、S、NまたはPのようなヘテロ原子を1個以上含有していてもよい。
R9 aSi(OR10)4-a (IV)
式中、同じであってもまたは異なっていてもよいR9ラジカルのそれぞれはC1〜C20アルキル基、場合によりC1〜C10アルキルで置換されている5〜7員環状アルキル基、C6〜C18アリール基またはC6〜C18アリールアルキルもしくはアルキルアリール基を表し、R10ラジカルは同じであってもまたは異なっていてもよく、C1〜C20アルキル基であり、aは整数1、2または3である。
本発明の触媒(触媒構成要素)の合成のために用いられる一般的な手順および設備は特許出願国際公開第2009/152268 A1号において記載されているが、例示の態様の記載は本明細書の範囲を限定することを一切意図していない。
比較触媒A:Mg/Tiのモル比は1:10であり、一方で20gの上記担体を90分間かけて添加した。内部供与体としてジ−イソ−ブチル−フタレートを0.25のID/Mg比にて、50℃で添加した。上記内部供与体の添加後、懸濁液を50℃で1時間保った。次いで懸濁液を105℃で1.5時間反応させた。
比較例のフタレートに基づく触媒と比較した上記触媒構成要素および触媒系の性能を、バルク重合およびガス相重合条件の両方の下で試験した。
PI=105Pa/Gc
ここで、Gc=動的貯蔵弾性率(G’)=上記クロスオーバー周波数における動的損失弾性率(G”)である。
表2および3はそれぞれ上述の本発明の触媒構成要素を用いて得られたバルクおよびガス相重合の結果を要約している。シランCの外部電子供与体化合物(ED)としての使用を縦列3において示す。比較例は表の下部にある。
12 反応チャンバー
14 ジャケット
16 入口孔
18 出口孔
20 モーター
22 撹拌機
24 還流凝縮器
26 窒素パージ源
28 吐出孔
30 添加孔
32 蓋
40 第1容器
42 メインチャンバー
44 ジャケット
46 入口孔
48 出口孔
50 モーター
52 撹拌機
54 還流凝縮器
56 窒素パージ源
58 吐出孔
60 添加孔
62 蓋
64 孔
66 抽出容器
68 栓
70 加熱マントル
72 フィルター
74 溶媒
76 蒸留ライン
Claims (16)
- 担体、チタン、および唯一の内部電子供与体としてジエーテル化合物を含み、かつ
5.75から9までの範囲の分子量分布(PI(GPC))を有するプロピレンポリマーの製造に適した活性および水素応答を有し、
前記担体がMgCl 2 −xROH担体であり、xは1.5〜6.0の範囲であり、ROHはアルコールまたはアルコールの混合物であり、Rは1〜10個の炭素原子を有する直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素単位であり、
前記ジエーテル化合物が、一般構造(I)を有する、MgCl2に基づく触媒系:
R 1 O−(CR 5 R 6 ) n −CR 3 R 4 −(CR 7 R 8 ) m −OR 2 (I)
式中、R 1 およびR 2 は同じまたは異なっており、1から20炭素原子までの飽和もしくは不飽和の脂肪族基または6から20炭素原子までのアリール基からなる群より選択され、
n+m=2〜4であり、
R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR 8 は同一または異なっており、それぞれ水素原子、直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基であり、任意に、Si、B、Al、O、S、NおよびPからなる群より選択されるヘテロ原子を1個以上、および/またはF、ClおよびBrからなる群より選択されるハロゲン原子を含有し、ならびに
前記2個のラジカルR 3 およびR 4 は炭化水素環系を形成していてもよく、
ただし、R 3 および/またはR 4 は水素とは異なる。 - 前記ジエーテル化合物が一般構造(II)を有する請求項1の触媒系:
R 1 O−CH 2 −CR 3 R 4 −CH 2 −OR 2 (II)
式中、R 1 およびR 2 は同じまたは異なっており、1から20炭素原子までの飽和または不飽和の脂肪族基からなる群より選択され、
R 3 およびR 4 は同一または異なっており、それぞれ直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基であり、任意にSi、B、Al、O、S、NおよびPからなる群より選択されるヘテロ原子を1個以上、および/またはF、ClおよびBrからなる群より選択されるハロゲン原子を含有し、ならびに
前記2個のラジカルR 3 およびR 4 は炭化水素環系を形成していてもよい。 - 前記ジエーテル化合物が一般構造(III)を有する請求項1の触媒系:
R 1 O−CH 2 −CR 3 R 4 −CH 2 −OR 2 (III)
式中、R 1 およびR 2 は同一であり、1から10炭素原子までのアルキル基からなる群より選択され、
R 3 およびR 4 は同一または異なっており、それぞれ直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基であり、
前記2個のラジカルR 3 およびR 4 は、任意にSi、O、S、NおよびPからなる群より選択されるヘテロ原子を1個以上含有する、炭化水素環系を形成していてもよい。 - 前記ジエーテル化合物が、2,2 ジ−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2 ジ−(シクロペンチルメチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(シクロヘキシルメチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−ノルボルニル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−フェニル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−フェニルメチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−プロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−ブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−secブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−ペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(2−ペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(3−ペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(メチルブチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(3−メチルブタ−2−イル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−ヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−2−ヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−3−ヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(2−メチルペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(3−メチルペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(4−メチルペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソペンチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ヘキシル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−secブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−メチルブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルブタ−2−イル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソペンチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ヘキシル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ヘキシル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ヘキシル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−メチルペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(4−メチルペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−secブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ペンチル)−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ペンチル)−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−メチルブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルブタ−2−イル)−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−secブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ペンチル)−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ペンチル)−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−メチルブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルブタ−2−イル)−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;および対応する1,3−ジエトキシプロパン類似体の少なくとも一つを含む請求項1の触媒系。
- 前記ジエーテル化合物が、9,9−ビス(メトキシメチル)フルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,3,6,7−テトラメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジイソプロピルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジtertブチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,8−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−3,6−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−3,6−ジtertブチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−3,6−ジイソプロピルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−4,5−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2−メチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−4−メチルフルオレン;9,10−ジヒドロ−9,9−ジメトキシアントラセン;9,10−ジヒドロ−9,9−ジエトキシアントラセン;9,9−ジメトキシキサンテン;9,9−ジエトキシキサンテン;および対応する9,9−ビス(エトキシメチル)類似体の少なくとも一つを含む請求項1の触媒系。
- 前記ジエーテル化合物が、2,2−ジ−イソブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−イソペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−イソブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−シクロペンチル−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−tert−ブチル−1,3−ジメトキシプロパンもしくは対応する1,3−ジエトキシプロパン類似体または9,9−ビス(メトキシメチル)フルオレンまたは9,9−ビス(エトキシメチル)フルオレンの少なくとも一つを含む請求項1の触媒系。
- 前記ジエーテル供与体化合物が前記ハロゲン化マグネシウム化合物のそれぞれのモルに関して0.01から2モルまでの量で用いられる請求項1〜6のいずれか一項の触媒系。
- 前記ジエーテル化合物として2種類以上のジエーテル化合物の混合物を含む請求項1〜7のいずれか一項の触媒系。
- オレフィンの重合のためのチーグラー・ナッタ触媒を製造するためのプロセスであって、以下の段階:
a.球状の噴霧冷却されたMgCl2−xROH担体であって、xは1.5〜6.0の範囲であり、ROHはアルコールまたはアルコールの混合物であり、Rは1〜10個の炭素原子を有する直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素単位であるMgCl2−xROH担体を、遷移金属構成要素と−30℃と+40℃との間の温度で反応器中で組み合わせること;
b.前記反応器中の混合物を30℃から100℃の間の温度に加熱すること;
c.段階(b)の前記加熱と同時に、または段階(b)の前記温度に到達した後、得られるチーグラー・ナッタ触媒における唯一の内部電子供与体としてのジエーテル化合物を前記反応器中の前記混合物に添加すること;
d.必要に応じて、得られた混合物を少なくとも80℃に加熱し、1〜3時間該温度に維持して、プレ触媒を製造すること;
e.前記プレ触媒を含有する前記混合物を濾過して前記固体プレ触媒構成要素を得ること;
f.前記プレ触媒を、有機溶媒および遷移金属の混合物で1〜5時間、少なくとも100℃の温度で抽出し、触媒を形成すること;および
g.前記触媒を炭化水素溶媒で洗浄し、前記触媒を真空下で、および/または30〜100℃の高温の下で、乾燥させることを含み、
前記ジエーテル化合物が、得られるチーグラー・ナッタ触媒が5.75から9までの範囲の分子量分布(PI(GPC))を有するプロピレンポリマーの製造に適した活性および水素応答を有するように選択され、
前記ジエーテル化合物が一般構造(I)を有するプロセス:
R 1 O−(CR 5 R 6 ) n −CR 3 R 4 −(CR 7 R 8 ) m −OR 2 (I)
式中、R 1 およびR 2 は同じまたは異なっており、1から20炭素原子までの飽和もしくは不飽和の脂肪族基または6から20炭素原子までのアリール基からなる群より選択され、
n+m=2〜4であり、
R 3 、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 およびR 8 は同一または異なっており、それぞれ水素原子、直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基であり、任意にSi、B、Al、O、S、NおよびPからなる群より選択されるヘテロ原子を1個以上、および/またはF、ClおよびBrからなる群より選択されるハロゲン原子を含有し、ならびに
前記2個のラジカルR 3 およびR 4 は炭化水素環系を形成していてもよく、
ただし、R 3 および/またはR 4 は水素とは異なる。 - 前記ジエーテル化合物が一般構造(II)を有する請求項9のプロセス:
R1O−CH2−CR3R4−CH2−OR2 (II)
式中、R1およびR2は同じまたは異なっており、1から20炭素原子までの飽和または不飽和の脂肪族基からなる群より選択され、
R3およびR4は同一または異なっており、それぞれ直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基であり、任意にSi、B、Al、O、S、NおよびPからなる群より選択されるヘテロ原子を1個以上、および/またはF、ClおよびBrからなる群より選択されるハロゲン原子を含有し、ならびに
前記2個のラジカルR3およびR4は炭化水素環系を形成していてもよい。 - 前記ジエーテル化合物が一般構造(III)を有する請求項9のプロセス:
R1O−CH2−CR3R4−CH2−OR2 (III)
式中、R1およびR2は同一であり、1から10炭素原子までのアルキル基からなる群より選択され、
R3およびR4は同一または異なっており、それぞれ直鎖状、環状または分岐鎖状の炭化水素基であり、ならびに
前記2個のラジカルR3およびR4は、任意にSi、O、S、NおよびPからなる群より選択されるヘテロ原子を1個以上含有する、炭化水素環系を形成していてもよい。 - 前記ジエーテル化合物が、2,2 ジ−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2 ジ−(シクロペンチルメチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(シクロヘキシルメチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−ノルボルニル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−フェニル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−フェニルメチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−プロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−ブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−secブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−ペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(2−ペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(3−ペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(メチルブチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(3−メチルブタ−2−イル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−n−ヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−2−ヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−3−ヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(2−メチルペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(3−メチルペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−(4−メチルペンチル)−1,3−ジメトキシプロパン;2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソペンチル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ヘキシル−2−tertブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−secブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−メチルブチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルブタ−2−イル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソペンチル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ヘキシル−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ヘキシル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ヘキシル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−メチルペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(4−メチルペンチル)−2−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−secブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ペンチル)−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ペンチル)−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−メチルブチル−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルブタ−2−イル)−2−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−プロピル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−secブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−n−ペンチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(2−ペンチル)−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−ペンチル)−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−メチルブチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;2−(3−メチルブタ−2−イル)−2−シクロヘキシル−1,3−ジメトキシプロパン;および対応する1,3−ジエトキシプロパン類似体の少なくとも一つを含む請求項9のプロセス。
- 前記ジエーテル化合物が、9,9−ビス(メトキシメチル)フルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,3,6,7−テトラメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジイソプロピルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジtertブチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2,8−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−3,6−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−3,6−ジtertブチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−3,6−ジイソプロピルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−4,5−ジメチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−2−メチルフルオレン;9,9−ビス(メトキシメチル)−4−メチルフルオレン;9,10−ジヒドロ−9,9−ジメトキシアントラセン;9,10−ジヒドロ−9,9−ジエトキシアントラセン;9,9−ジメトキシキサンテン;9,9−ジエトキシキサンテン;および対応する9,9−ビス(エトキシメチル)類似体の少なくとも一つを含む請求項9のプロセス。
- 前記ジエーテル化合物が、2,2−ジ−イソブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−イソプロピル−1,3−ジメトキシプロパン;2,2−ジ−シクロペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−イソペンチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−イソブチル−1,3−ジメトキシプロパン;2−イソプロピル−2−シクロペンチル−ジメトキシプロパン;2−エチル−2−tert−ブチル−1,3−ジメトキシプロパンもしくは対応する1,3−ジエトキシプロパン類似体または9,9−ビス(メトキシメチル)フルオレンまたは9,9−ビス(エトキシメチル)フルオレンの少なくとも一つを含む請求項9のプロセス。
- 前記ジエーテル供与体化合物が前記ハロゲン化マグネシウム化合物のそれぞれのモルに関して0.01から2モルまでの量で用いられる請求項9〜14のいずれか一項のプロセス。
- オレフィンの重合のためのプロセスであって、
式CH2=CHR 1 のオレフィンであって、式中、R1は水素または1−12炭素原子を有する炭化水素ラジカルであるオレフィンを、請求項1〜8のいずれか一項に記載の触媒系と接触させることを含むプロセス。
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