JP6121303B2 - メカニカルリング共振器 - Google Patents
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Description
また、本発明のメカニカルリング共振器の1構成例において、前記支持部は、前記振動部の環の外縁もしくは内縁のどちらか一方を支持し、前記振動部の内周側もしくは外周側が自由端となることを特徴とするものである。
また、本発明のメカニカルリング共振器の1構成例は、さらに、前記機械振動の伝搬方向に沿って周期的に配列され、前記導波路部と前記振動部のうち少なくとも一方を、前記機械振動の伝搬方向と垂直な方向に貫通する複数の孔を備えることを特徴とするものである。
また、本発明のメカニカルリング共振器の1構成例において、前記振動部は、円環状で、その内径が振動部の幅よりも大きいことを特徴とするものである。
また、本発明のメカニカルリング共振器の1構成例において、前記振動部となる薄膜および前記導波路部となる薄膜は、非圧電材料からなる。前記薄膜が非圧電材料からなる構成においては、さらに、前記導波路部となる薄膜の一部の上に形成された第1の金属膜と、この第1の金属膜の上に形成された圧電材料と、この圧電材料の上に形成された第2の金属膜とからなる積層構造を備える。
光学の分野においても、数十年前からFP共振器を利用した光機能デバイスに関する研究が行われているが、機械振動の共振器と同様に、閉じ込め効果の低さや共振器のサイズ等、機能や構造の点で様々な問題を抱えていた。これに対して、近年、FP共振器とは全く異なる構造を有する光共振器が提案・実証され、FP共振器を遙かに凌駕する共振特性が報告されている。それら光共振器の中の一つに、光リング共振器というものがある。光リング共振器は、導波路となる誘電体ナノワイヤ(屈折率n>1)が円を描き閉じたリング構造をしている(文献1「B.E.Little et al.,“Ultra-Compact Si-SiO2 Microring Resonator Optical Channel Dropping Filters”,IEEE Photonics Technology Letters,Vol.10,No.4,p.549-551,1998」、文献2「J.S.Levy et al.,“CMOS-compatible multiple-wavelength oscillator for on-chip optical interconnects”,Nature Photonics,Vol.4,p.37-40,2010」参照)。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1(A)〜図1(C)、図2(A)〜図2(C)、図3(A)〜図3(C)、図4(A)〜図4(C)は本発明の実施の形態に係るメカニカルリング共振器の製造方法を説明する工程図である。図1(A)、図2(A)、図3(A)、図4(A)はメカニカルリング共振器の製造方法を説明する平面図、図1(B)、図2(B)、図3(B)、図4(B)はそれぞれ図1(A)、図2(A)、図3(A)、図4(A)のA−A線断面図、図1(C)、図2(C)、図3(C)、図4(C)はそれぞれ図1(A)、図2(A)、図3(A)、図4(A)のB−B線断面図である。
(1)円環状の薄膜振動部108内では、反射による機械振動伝搬の損失を極力抑制できるため、高いQ値を有するRF共振器の作製が期待される。
(2)薄膜振動部108の平面形状を円形や多角形、楕円、角丸長方形などから選択することで、メカニカルリング共振器のQ値、及び薄膜振動部108と導波路部110間での機械振動の入出力効率を自在に変更することができ、用途に合ったQ値及び入出力効率を有するRF共振器を実現することができる。
(3)GaAsを始めとした化合物族半導体に限らず、PZTやZnO等の圧電材料、さらにはSiやGeに代表されるIV族半導体や、カーボン材料、SiO2等のアモルファス絶縁体までと多様な材料によりメカニカルリング共振器を実現できるため、既存のMEMSやCMOS集積システムへの組み込みが可能である。
Claims (8)
- 基板と、
この基板との間に空間をあけて配置された環状の薄膜からなる振動部と、
前記基板との間に空間をあけて配置され、かつ前記振動部の環の外縁の一部と結合するように配置された薄膜からなる導波路部と、
前記基板上に形成され、機械振動の伝搬方向と垂直な方向から前記振動部および導波路部を支える支持部とを備えることを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項1記載のメカニカルリング共振器において、
前記支持部は、前記振動部の環の外縁もしくは内縁のどちらか一方を支持し、
前記振動部の内周側もしくは外周側が自由端となることを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項1または2記載のメカニカルリング共振器において、
さらに、前記機械振動の伝搬方向に沿って周期的に配列され、前記導波路部と前記振動部のうち少なくとも一方を、前記機械振動の伝搬方向と垂直な方向に貫通する複数の孔を備えることを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のメカニカルリング共振器において、
前記振動部は、円環状で、その内径が振動部の幅よりも大きいことを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメカニカルリング共振器において、
前記振動部となる薄膜および前記導波路部となる薄膜は、圧電材料からなることを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項5記載のメカニカルリング共振器において、
さらに、前記導波路部となる薄膜の一部の上に形成された電極を備えることを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のメカニカルリング共振器において、
前記振動部となる薄膜および前記導波路部となる薄膜は、非圧電材料からなることを特徴とするメカニカルリング共振器。 - 請求項7記載のメカニカルリング共振器において、
さらに、前記導波路部となる薄膜の一部の上に形成された第1の金属膜と、この第1の金属膜の上に形成された圧電材料と、この圧電材料の上に形成された第2の金属膜とからなる積層構造を備えることを特徴とするメカニカルリング共振器。
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