JP6114948B2 - 放熱構造を有する半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明の放熱構造を有する半導体装置は、放熱性材料からなるヒートシンクと、該ヒートシンクの一面に重ねて配され、アルミニウムを含む材料から構成されるベース基板と、該ベース基板の一面に重ねて配された半導体素子および配線層と、を備え、前記ベース基板の一面は、前記アルミニウムをアルマイト処理した絶縁性のアルマイト層によって覆われ、前記アルマイト層には、内壁面が全てアルマイトによって覆われた多数の細孔が形成され、かつ、前記ヒートシンク寄りの底面において、前記細孔が形成されている領域は、それ以外の領域よりも、前記ヒートシンク側に突出した形状を成し、前記細孔の内部には熱伝導性材料が充填されていること、を特徴とする。
図1は、本発明の放熱構造を有する半導体装置の一例である電装装置(パワーモジュール)の概略構成を示す断面図である。
電装装置(半導体装置)20は、放熱性材料からなるヒートシンク21と、このヒートシンク21の一面21aに重ねて配され、アルミニウムを含む材料から構成されるベース基板22と、ベース基板22の一面22aに重ねて配された半導体素子24および配線層25とを備えている。そして、ベース基板22の一面22aは、ベース基板22の構成材料であるアルミニウムにアルマイト処理を施した、絶縁性のアルマイト層(絶縁層)23によって覆われている。
本発明の半導体装置20によれば、アルミニウムからなるベース基板22の一面にアルマイト処理を施したアルマイト層23を、ベース基板22と半導体素子24および配線層25との間の絶縁層とすることによって、樹脂などからなる絶縁層と比較して、例えば10μm以上50μm以下の薄い厚みであっても、十分な絶縁性が得られる。一例として、アルマイト層23の厚みが25μmであれば、250V程度の絶縁性が得られる。また、アルマイト層23の厚みが50μmであれば、800V〜1000V程度の絶縁性を実現することができる。
次に、本発明の放熱構造を有する半導体装置の製造方法の一例を説明する。
図3は、本発明の放熱構造を有する半導体装置の製造方法のうち、特に絶縁層を成すアルマイト層の形成方法を段階的に示した要部拡大断面図である。
まず、アルミニウム、またはアルミニウム合金からなるベース基板22の一面22a側に、アルマイト層23を形成する(図3(a):A工程)。アルマイト層23の形成方法としては、例えば、希硫酸、蓚酸などの有機酸、クロム酸、リン酸、ホウ酸等を処理浴に用いて、ベース基板22の一面22aが陽極となるように電気分解する。これにより、ベース基板22を構成するアルミニウムの表面を電気化学的に酸化(陽極酸化)され、酸化アルミニウム(アルミナ)層からなるアルマイト層23を形成できる。
図4は、本発明の放熱構造を有する半導体装置の製造方法の別な一例を示す要部拡大断面図である。なお、以下の実施形態において、図3と同様の構成には同一の符号を付す。
まず、アルミニウム、またはアルミニウム合金からなるベース基板22の一面22a側に、第一のアルマイト層23aを形成する(図4(a):A工程)。第一のアルマイト層23aの形成方法としては、陽極酸化等を用いればよい。
Claims (8)
- 放熱性材料からなるヒートシンクと、該ヒートシンクの一面に重ねて配され、アルミニウムを含む材料から構成されるベース基板と、該ベース基板の一面に重ねて配された半導体素子および配線層と、を備え、
前記ベース基板の一面は、前記アルミニウムをアルマイト処理した絶縁性のアルマイト層によって覆われ、
前記アルマイト層は、内壁面が全てアルマイトによって覆われた多数の細孔を備え、かつ、前記ヒートシンク寄りの底面において、前記細孔が形成されている領域は、それ以外の領域よりも、前記ヒートシンク側に突出した形状を成し、
前記細孔の内部には熱伝導性材料が充填されていること、を特徴とする放熱構造を有する半導体装置。 - 前記熱伝導性材料は、前記細孔の直径と同じかそれよりも小さい粒径を持つ金属粉フィラーからなることを特徴とする請求項1記載の放熱構造を有する半導体装置。
- 前記熱伝導性材料はニッケルメッキ層からなることを特徴とする請求項1記載の放熱構造を有する半導体装置。
- 前記アルマイト層は、10μm以上50μm以下の範囲の厚みとなるように形成されることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の放熱構造を有する半導体装置。
- アルミニウムを含む材料から構成されるベース基板の一面にアルマイト処理を施し、表面に多数の細孔を備えた第一のアルマイト層を形成するA工程と、
前記細孔の内部に熱伝導性材料を充填するB工程と、
前記第一のアルマイト層に重ねて配線層および半導体素子を実装するC工程と、
を少なくとも備え、前記細孔は、前記第一のアルマイト層に、前記ベース基板のアルミニウムが露呈される貫通孔を形成し、該貫通孔を介して露呈した前記ベース基板のアルミニウムにアルマイト処理を施して第二のアルマイト層とし、内壁面が全てアルマイトによって覆われたものからなることを特徴とする放熱構造を有する半導体装置の製造方法。 - 前記貫通孔は、前記第一のアルマイト層に対して熱衝撃を加えて生じさせるクラックからなることを特徴とする請求項5記載の放熱構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記B工程は、金属粉フィラーを前記細孔に充填する工程であることを特徴とする請求項5または6記載の放熱構造を有する半導体装置の製造方法。
- 前記B工程は、前記細孔に金属めっきを施し、前記細孔に金属を充填する工程であることを特徴とする請求項5ないし7いずれか1項記載の放熱構造を有する半導体装置の製造方法。
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