JP6112269B1 - 有機化合物、その製造法、それを含有する有機半導体材料及びそれを含有する有機トランジスタ - Google Patents

Abstract

溶媒への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に、高い移動度を呈する膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製出来る有機半導体インクを提供すること。ジナフトチオフェン誘導体の製造方法であって、以下の（Ｉ）及び（ＩＩ）の工程を有するジナフトチオフェン誘導体の製造方法により、課題を解決する。（（Ｉ）一般式（Ａ）で表せるナフトール誘導体と一般式（Ｂ）で表せるナフタレンチオール誘導体を、酸存在下、脱水縮合させて一般式（Ｃ）で表せるスルフィド誘導体を製造する第一工程、（ＩＩ）前記スルフィド誘導体（Ｃ）を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応によりジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）を製造する第二工程。）

Description

本発明は、ジナフトチオフェン誘導体、その製造法、それを含有する有機半導体材料、それを含有する有機半導体インク及びそれを含有する有機トランジスタに関する。

従来、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを材料として用いてなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等のスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコン材料を用いたトランジスタの作製に用いられるＣＶＤ装置は、高価であるため、大型のトランジスタ集積回路の製造は製造コストの増大を招くことになる。また、シリコン材料は高温下で成膜されるため、プラスチック基板を用いることになる次世代型フレキシブル表示装置には耐熱性の問題から展開出来ない。これを解決するために、シリコン半導体材料に代えて、有機半導体材料をチャネル（半導体層）に用いた有機トランジスタが提案されている。

有機半導体材料はインク化することで、低温で印刷成膜出来るため、大規模な製造設備を必要とせず、また、耐熱性の乏しいプラスチック基板にも適用出来、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている。
更に、これら有機半導体材料には、当初「シリコン半導体材料に比べて、半導体特性（移動度）が低く、そのため、トランジスタの応答速度が遅くなり、実用化は難しい」といった課題があったが、近年、アモルファスシリコンの移動度を凌駕する材料が開発され始めている。

例えば、特許文献１には、ジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン骨格を有する化合物が、真空蒸着膜で４．０ｃｍ^２／Ｖｓの移動度を示すことが、特許文献２〜３には、ジナフト［２，３‐ ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン（以下、ジナフトチオフェンと略する）誘導体が、エッジキャスト法で成膜された単結晶薄膜で１１ｃｍ^２／Ｖｓという高い移動度を示すことが、非特許文献１には、２，７−ジオクチル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンが、ダブルインクジェット法で作製された単結晶膜で、特性のばらつきは大きいものの、最大で３０ｃｍ^２／Ｖｓという高い移動度を示すことが、特許文献４には、フェニル置換のナフトジカルコゲン化合物が０．７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度を示すことが、特許文献５〜６は、高次液晶相を発現する化合物が、高次液晶相経由の薄膜で５．７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度を示すことが、開示されている。このように、アモルファスシリコンの移動度（０．５ｃｍ^２／Ｖｓ）を超えた半導体特性を示す有機半導体材料の報告が相次いでいる。

このように有機半導体の移動度は高まっているが、未だ実用化には至っていない。これは、開示されているこれらの移動度が、エッジキャスト法やダブルインクジェット法による単結晶膜、真空蒸着法による薄膜、スピンコート法による薄膜等、均質なバルクを与える成膜法で作製された膜を半導体層に用いて評価されたものであり、インクジェット法やノズル印刷法等の実用的な印刷法に通ずる、インク液滴の滴下（ドロップキャスト）とその乾燥で作製された多結晶膜よりなる半導体層では、特性の低下が生ずるためである。

国際公開第２０１２／１１５２３６号 国際公開第２０１３／１２５５９９号 特開２００７−１９７４００号 国際公開第２０１０／０５８６９２号 国際公開第２０１２／１２１３９３号 国際公開第２０１４／０３８７０８号

Ｎａｔｕｒｅ、２０１１年、４７５巻、３６４頁

従来の有機半導体材料は、溶媒への溶解性が乏しいため、インクを調整することが困難であり、従って、印刷に通ずる湿式成膜に課題があった。また、溶媒溶解性がある材料についても、湿式成膜時に分子配列の乱れが生じたり、部分的に結晶化する等、均質膜の作製に課題があり、高い移動度を得るためには、実用化には難のある成膜方法や煩雑なポスト成膜プロセス（アニール処理等）が必要であった。

そこで、本発明の課題は、溶媒への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に（即ち、インク液滴を滴下し、そのものを乾燥するだけで）、高い移動度を呈する膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製出来る有機半導体インクを提供することである。

本発明者は前記目的を達成すべく、鋭意検討を重ね、特定の置換基位置構造を有するジナフトチオフェンが、溶媒溶解性に優れる故に有機半導体インクとしての適性を有し、更には、煩雑な処理を必要とせず、簡便且つ実用的な湿式成膜法（即ち、“インク液滴を滴下し、そのものを乾燥する”だけの方法）であっても、高い移動度の有機半導体膜を与えることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は以下の項目から構成される。
１．一般式（Ｄ）で表されるジナフトチオフェン誘導体の製造方法であって、以下の（Ｉ）及び（ＩＩ）の工程を有するジナフトチオフェン誘導体の製造方法、
（（Ｉ）一般式（Ａ）で表されるナフトール誘導体と一般式（Ｂ）で表されるナフタレンチオール誘導体を、酸存在下、脱水縮合させて一般式（Ｃ）で表されるスルフィド誘導体を製造する第一工程、
（ＩＩ）前記スルフィド誘導体（Ｃ）を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応によりジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）を製造する第二工程。）

（各式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、水素原子、又は任意の置換基を表す。）

２．前記Ｒ_１〜Ｒ_１２が、水素原子、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基（当該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。）。）、ハロゲノ基、芳香族基（当該芳香族基は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、芳香族基、又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−ＣＲ’’＝ＣＲ’’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。）。）、ニトロ基、又はニトリル基である、１．に記載の製造方法、

３．前記Ｒ_１〜Ｒ_１２について、Ｒ_１とＲ_１２は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２とＲ_１１は互いに同じであるか異なり、Ｒ_３とＲ_１０は互いに同じであるか異なり、Ｒ_４とＲ_９は互いに同じであるか異なり、Ｒ_５とＲ_８は互いに同じであるか異なり、Ｒ_６とＲ_７は互いに同じであるか異なるが、Ｒ_１とＲ_１２、Ｒ_２とＲ_１１、Ｒ_３とＲ_１０、Ｒ_４とＲ_９、Ｒ_５とＲ_８、Ｒ_６とＲ_７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる、１．又は２．に記載の製造方法、

４．一般式（Ｅ）で表されるジナフトチオフェン誘導体（ただし、化合物（Ｅ−ａ）、化合物（Ｅ−ｂ）、化合物（Ｅ−ｃ）、化合物（Ｅ−ｄ）、化合物（Ｅ−ｅ）、化合物（Ｅ−ｆ）、化合物（Ｅ−ｇ）、化合物（Ｅ−ｈ）、化合物（Ｅ−ｉ）、化合物（Ｅ−ｊ）、化合物（Ｅ−ｋ）、および化合物（Ｅ−L）を除く。）、

（式中、Ｒ_２１〜Ｒ_３２は、水素原子、又は任意の置換基であって、Ｒ_２１とＲ_３２は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２２とＲ_３１は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２３とＲ_３０は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２４とＲ_２９は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２５とＲ_２８は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２６とＲ_２７は互いに同じであるか異なるが、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる。）

（Ａｌｋ１およびＡｌｋ２は炭素原子数１〜３０の直鎖アルキル基を表す。）

（Ａｃはアセチル基を表し、Ｔは任意の置換基を表す。）

５．前記Ｒ_２１〜Ｒ_３２が、水素原子、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基（当該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。）。）、ハロゲノ基、芳香族基（当該芳香族基は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、芳香族基、又はニトリル基で置換されていてもよく、当該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−ＣＲ’’＝ＣＲ’’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。）。）、ニトロ基、又はニトリル基である４．に記載のジナフトチオフェン誘導体、

６．前記Ｒ_２１〜Ｒ_３２が、水素原子、フッ素原子（フルオロ基）、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ＊（Ｐｈは置換されていてもよいフェニル基、＊は結合位置を表す。）、またはＴｈ−Ｃ≡Ｃ＊（Ｔｈは置換されていてもよいチエニル基、＊は結合位置を表す。）である、４．または５．に記載のジナフトチオフェン誘導体、

７．前記した置換基に係わる６組の組み合わせ（Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７）のうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なり、且つ、それ以外の組み合わせは互いに同一で水素原子である、４．〜６．に記載のジナフトチオフェン誘導体、

８．前記した置換基に係わる６組の組み合わせ（Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７）のうち、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、はいずれも同一で水素原子であり、Ｒ_２３とＲ_３０は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２４とＲ_２９は互いに同じであるか異なるが、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、の２組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる、４．〜６．に記載のジナフトチオフェン誘導体、

９．４．〜８．のいずれかに記載のジナフトチオフェン誘導体を含有する有機半導体材料、
１０．９．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体インク、
１１．９．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体膜、
１２．９．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体素子、
１３．９．に記載の有機半導体材料を含有する有機トランジスタ。

本発明によれば、溶媒への溶解性に優れ、簡便且つ実用的な湿式成膜法（即ち、“インク液滴を滴下し、そのものを乾燥する”だけの方法）にて、高い移動度の有機半導体膜を与える、特定の置換基位置構造を有するジナフトチオフェン化合物、該ジナフトチオフェン化合物の製造法、該化合物を含有する有機半導体材料、該化合物を含有する有機半導体インク、及び該化合物を含有する有機トランジスタを提供することが出来る。

ボトムゲートボトムコンタクト型（ＢＣ型）トランジスタの概念図である。 ボトムゲートトップコンタクト型（ＴＣ型）トランジスタの概念図である。

（ジナフトチオフェン誘導体の製造方法）
本発明のジナフトチオフェン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の製造法のスキームは次の通りである。

（各式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、水素原子、又は任意の置換基を表す。）
ここで、本発明の製造法に係わる一般式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）で表せる化合物の置換基Ｒ_１〜Ｒ_１２は、同一でも異なっていてもよく、芳香族化合物の置換基として公知慣用の任意の置換基（但し、後記する製造工程（I）又は（II）において反応活性部とならない置換基）を用いることが出来る。その具体例としては、
水素原子（軽水素、重水素及び三重水素を含む）、
非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基（該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。））、
ハロゲノ基、芳香族基（該芳香族基は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、芳香族基、又はニトリル基で置換されていてもよく、該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−ＣＲ’’＝ＣＲ’’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。））、
ニトロ基、又はニトリル基、等を挙げることが出来るが、これらに限定されるものではない。なお、前記アルキル基、ハロゲノ基、芳香族基の具体例としては、後記する本発明の化合物（ジナフトチオフェン誘導体）の置換基と同様のものを挙げることが出来る。

置換基の位置構造については、後記する本製造法の特徴を活かし、「Ｒ_１とＲ_１２は同一又は異なり、Ｒ_２とＲ_１１は同一又は異なり、Ｒ_３とＲ_１０は同一又は異なり、Ｒ_４とＲ_９は同一又は異なり、Ｒ_５とＲ_８は同一又は異なり、Ｒ_６とＲ_７は同一又は異なり、Ｒ_１とＲ_１２、Ｒ_２とＲ_１１、Ｒ_３とＲ_１０、Ｒ_４とＲ_９、Ｒ_５とＲ_８、Ｒ_６とＲ_７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる」場合に、好適である。

本発明のジナフトチオフェン誘導体の製造方法は、
（Ｉ）一般式（Ａ）で表せるナフトール誘導体と一般式（Ｂ）で表せるナフタレンチオール誘導体を、酸存在下、脱水縮合させて一般式（Ｃ）で表せるスルフィド誘導体を製造する第一工程と、
（ＩＩ）前記スルフィド誘導体（Ｃ）を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応によりジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）を製造する第二工程、
よりなることを特徴とする。

公知慣用のジナフトチオフェン誘導体の製造方法（特許文献２）は、３００℃下での反応等過激な条件を用いるため導入出来る置換基種が限られ、又、多段階の合成を要することから収率も低い。更に、該法では、該法の性質上、置換基の位置構造について、Ｒ_１とＲ_１２が同一、Ｒ_２とＲ_１１が同一、Ｒ_３とＲ_１０が同一、Ｒ_４とＲ_９が同一、Ｒ_５とＲ_８が同一、且つ、Ｒ_６とＲ_７が同一である誘導体しか製造出来ない。これに対して、本製造法では、反応条件が温和であり、又、工程数が少ないため、用いることが出来る置換基種の幅が広がり、収率も高い。更に、本製造法では、「Ｒ_１とＲ_１２は同一又は異なり、Ｒ_２とＲ_１１は同一又は異なり、Ｒ_３とＲ_１０は同一又は異なり、Ｒ_４とＲ_９は同一又は異なり、Ｒ_５とＲ_８は同一又は異なり、Ｒ_６とＲ_７は同一又は異なり、Ｒ_１とＲ_１２、Ｒ_２とＲ_１１、Ｒ_３とＲ_１０、Ｒ_４とＲ_９、Ｒ_５とＲ_８、Ｒ_６とＲ_７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる」ようなジナフトチオフェン誘導体を製造することが出来る。このような誘導体は、後記するが如く、溶媒溶解性に優れる故に有機半導体インクとしての適性を有し、更には、凝集性が制御されているが故に、簡便且つ実用的な湿式成膜法（即ち、“インク液滴を滴下し、そのものを乾燥する”だけの方法）で、高い半導体特性（移動度）の有機半導体膜を与えることが出来る。

まず、第一工程について説明する。

第一工程では、ナフトール誘導体（Ａ）とナフタレンチオール誘導体（Ｂ）を、酸存在下、脱水縮合させてスルフィド誘導体（Ｃ）とする。

ナフトール誘導体（Ａ）は、市販されているものも多く入手も容易である。また特開昭６１−１１５０３９などに記載されている、ナフタレンをスルホン化した後、ナフタレンスルホン酸を水酸化アルカリと融解する方法に従って、合成することも可能である。
ナフタレンチオール誘導体（Ｂ）は、市販されているものも多く入手も容易である。またＥｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ８３３-８４５ （２０１０）などに記載されている、ナフトールをジメチルチオカルバモイルクロリドと縮合させてＯ−チオカルバマートとした後、S−チオカルバマートに熱転位させ、最後に加水分解する方法に従って、合成することも可能である。

ナフトール誘導体（Ａ）に対するナフタレンチオール誘導体（Ｂ）の使用量モル比は、通常０．１〜１０であり、好ましくは０．２〜５、より好ましくは０．４〜２．５である。

該反応で用いられる酸としては、酸性を示すものであれば、特に制限されることはないが、鉱酸、スルホン酸、金属（又は半金属）の塩、金属（又は半金属）の錯体、固体酸等が挙げられる。

具体的な鉱酸としては、
塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、燐酸、ホウ酸、ポリ燐酸、フルオロ硫酸、クロロ硫酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸等が挙げられる。
前記鉱酸中、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、ポリ燐酸、フルオロ硫酸、クロロ硫酸が好ましく、より反応性を向上させるためには、硫酸、リン酸、ポリリン酸、フルオロ硫酸が更に好ましい。

具体的なスルホン酸としては、
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、ヘプタンスルホン酸、オクタンスルホン酸、ノナンスルホン酸、デカンスルホン酸等のアルキルスルホン酸；
トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロエタンスルホン酸、ペルフルオロプロパンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、ペルフルオロペンタンスルホン酸、ペルフルオロヘキサンスルホン酸、ペルフルオロヘプタンスルホン酸、ペルフルオロオクタンスルホン酸、ペルフルオロノナンスルホン酸、ペルフルオロデカンスルホン酸等のフッ素化アルキルスルホン酸；
ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ピリジンスルホン酸、チオフェンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、キシレンスルホン酸等のアルキル置換でされていても良いアリールスルホン酸；
等が挙げられる。

前記スルホン酸中で、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロエタンスルホン酸、ペルフルオロプロパンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、ペルフルオロペンタンスルホン酸、ペルフルオロヘキサンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、キシレンスルホン酸が好ましく、
より反応性を向上させるためには、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロエタンスルホン酸、ペルフルオロプロパンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸が更に好ましい。

金属（又は半金属）の塩、金属（又は半金属）の錯体とは、
Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ，Ｂｉ、Ｕ等の元素又はＰＯ、ＳｅＯ、ＶＯ等の酸素−元素結合体と、
フッ化水素、塩化水素、臭化水素酸、ヨウ化水素、過塩素酸、硝酸、硫酸、リン酸、フルオロ硫酸、クロロ硫酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸等の鉱酸、アルキルスルホン酸、ハロゲン化されていてもよいアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸、アルキル側鎖を有していてもよいアリールスルホン酸、ホスホン酸、カルボン酸、ハロゲン化されていてもよいカルボン酸等の酸性化合物との塩又は錯体であり、

具体的には、
三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、三フッ化ホウ素ジメチルスルフィド錯体、
フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、メタンスルホン酸アルミニウム、トリフルオロメタンスルホン酸アルミニウム、ｐ−トルエンスルホン酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、トリフルオロ酢酸アルミニウム等のアルミニウムの塩又は錯体；
フッ化スカンジウム（ＩＩＩ）、塩化スカンジウム（ＩＩＩ）、臭化スカンジウム（ＩＩＩ）、過塩素酸スカンジウム（ＩＩＩ）、硝酸スカンジウム（ＩＩＩ）、硫酸スカンジウム（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸スカンジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸スカンジウム（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸スカンジウム（ＩＩＩ）、酢酸スカンジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸スカンジウム（ＩＩＩ）等のスカンジウム（ＩＩＩ）の塩又は錯体；
フッ化鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、過塩素酸鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸鉄（ＩＩＩ）等の鉄（ＩＩＩ）の塩又は錯体；
フッ化亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、過塩素酸亜鉛、硝酸亜鉛、硫酸亜鉛、メタンスルホン酸亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛、ｐ−トルエンスルホン酸亜鉛、酢酸亜鉛、トリフルオロ酢酸亜鉛等の亜鉛（ＩＩ）の塩又は錯体；
フッ化ジルコニウム（ＩＶ）、塩化ジルコニウム（ＩＶ）、臭化ジルコニウム（ＩＶ）、過塩素酸ジルコニウム（ＩＶ）、硝酸ジルコニウム（ＩＶ）、硫酸ジルコニウム（ＩＶ）、メタンスルホン酸ジルコニウム（ＩＶ）、トリフルオロメタンスルホン酸ジルコニウム（ＩＶ）、ｐ−トルエンスルホン酸ジルコニウム（ＩＶ）、酢酸ジルコニウム（ＩＶ）、トリフルオロ酢酸ジルコニウム（ＩＶ）等のジルコニウム（ＩＶ）の塩又は錯体；

フッ化インジウム（ＩＩＩ）、塩化インジウム（ＩＩＩ）、臭化インジウム（ＩＩＩ）、過塩素酸インジウム（ＩＩＩ）、硝酸インジウム（ＩＩＩ）、硫酸インジウム（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、酢酸インジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸インジウム（ＩＩＩ）等のインジウム（ＩＩＩ）の塩又は錯体；
フッ化ビスマス（ＩＩＩ）、塩化ビスマス（ＩＩＩ）、臭化ビスマス（ＩＩＩ）、過塩素酸ビスマス（ＩＩＩ）、硝酸ビスマス（ＩＩＩ）、硫酸ビスマス（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、酢酸ビスマス（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸ビスマス（ＩＩＩ）等のビスマス（ＩＩＩ）の塩又は錯体；
塩化スズ（ＩＶ）、塩化アンチモン（Ｖ）、塩化テルル（ＩＶ）、臭化テルル（ＩＶ）、塩化モリブデン（ＶＩ）、四塩化チタン（ＩＶ）、四塩化バナジウム（ＩＶ）等が挙げられる。

前記の中では、
三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、三フッ化ホウ素ジメチルスルフィド錯体、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、メタンスルホン酸アルミニウム、トリフルオロメタンスルホン酸アルミニウム、ｐ−トルエンスルホン酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、トリフルオロ酢酸アルミニウム、フッ化鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、過塩素酸鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸鉄（ＩＩＩ）、フッ化亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、過塩素酸亜鉛、硝酸亜鉛、硫酸亜鉛、メタンスルホン酸亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛、ｐ−トルエンスルホン酸亜鉛、酢酸亜鉛、トリフルオロ酢酸亜鉛、フッ化インジウム（ＩＩＩ）、塩化インジウム（ＩＩＩ）、臭化インジウム（ＩＩＩ）、過塩素酸インジウム（ＩＩＩ）、硝酸インジウム（ＩＩＩ）、硫酸インジウム（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、酢酸インジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸インジウム（ＩＩＩ）、フッ化ビスマス（ＩＩＩ）、塩化ビスマス（ＩＩＩ）、臭化ビスマス（ＩＩＩ）、過塩素酸ビスマス（ＩＩＩ）、硝酸ビスマス（ＩＩＩ）、硫酸ビスマス（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、酢酸ビスマス（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸ビスマス（ＩＩＩ）、塩化スズ（ＩＶ）、塩化モリブデン（ＶＩ）が好ましい。

より反応性を向上させるためには、トリフルオロメタンスルホン酸アルミニウム、トリフルオロ酢酸アルミニウム、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸鉄（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸亜鉛、トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛、メタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、メタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）であることが更に好ましい。

より反応性を向上させるためには、トリフルオロメタンスルホン酸アルミニウム、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸インジウム（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）、であることが特に好ましい。

具体的な固体酸としては、
シリカ、α−アルミナ等の酸化物；
シリカアルミナ、シリカチタニア、ゼオライト、アルミナチタニア、チタニア酸化亜鉛、シリカ酸化亜鉛、チタニアジルコニア 、シリカモリブデン等の非晶質又は結晶質複合系金属酸化物；
液体リン酸触媒等の液体酸を無機質担体に吸着固定化した固定化酸；
等である。

前記の固体酸中、
シリカアルミナ、シリカチタニア、ゼオライトが好ましい。
これらの固体酸触媒の大きさ、形状等は特に限定するものではないが、通常、粉粒状のものが使用され、その粒径は好ましくは10μｍ〜10ｍｍである。特に反応効率を上げるため、多孔質で実質表面積（反応液接触面積）の大きなものが好ましい。
これらの酸触媒は単独で又は２種以上組み合わせて使用出来、その使用量はナフトール誘導体（Ａ）に対し０．００１〜１０当量、好ましくは０．００５〜５当量、より好ましくは０．０１〜２．５当量である。

反応温度としては、スルフィド誘導体（Ｃ）が得られる条件であれば特に制限されず、０〜２５０℃であり、好ましくは２５〜２００℃であり、より好ましくは４０〜１５０℃である。

反応時間としては、スルフィド誘導体（Ｃ）が得られる条件であれば特に制限されず、１０分〜７２時間であり、好ましくは３０分〜４８時間であり、より好ましくは１〜２４時間である。

溶媒としては、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒；
酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル等のエステル溶媒；
ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒；
ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒；
トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロジノン等のアミド溶媒；
ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄溶媒；
アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒；
酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸溶媒；
等を挙げることが出来、これらの溶媒は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来る。

本発明の第一工程において、反応の進行に伴って発生する水は、除去しなくても構わないが、ディーンスタークの装置や蒸留塔等を用いて、連続的に系外に除去してもよいし、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、ゼオライト等の脱水剤を加えて除去しても良い。

反応雰囲気としては、空気中で行うことも出来るが、窒素又はアルゴン雰囲気で実施することが好ましい。

第一工程で得られたスルフィド誘導体（Ｃ）は、適宜精製を行ってもよい。精製方法としては、特に限定されないが、例えば、カラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華精製等が挙げられる。

次に、第二工程について説明する。

第二工程では、スルフィド誘導体（Ｃ）を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応により目的化合物たるジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）とする。
該反応で用いられる遷移金属とは、第一遷移元素であるＳｃからＺｎまで、第二遷移元素であるＹからＣｄまで、及び第三遷移元素であるＬａからＨｇまでの金属である。
前記の遷移金属中、
鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、金が好ましく、
より反応性を向上させるためには、
ニッケル、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、白金、金であることが更に好ましく、
より一層反応性を向上させるためには、ルテニウム、パラジウム、白金であることが特に好ましい。

遷移金属の塩又は遷移金属の錯体としては、前記遷移金属と、
水、フッ化水素、塩化水素、臭化水素酸、ヨウ化水素、過塩素酸、硝酸、硫酸、リン酸、フルオロ硫酸、クロロ硫酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸、アルキルスルホン酸、ハロゲン化されていてもよいアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸、アルキル側鎖を有していてもよいアリールスルホン酸、ホスホン酸、カルボン酸、ハロゲン化されていてもよいカルボン酸等の酸性化合物；
アルケン、アルキン、アミン、ホスフィン、アルシン、Ｎ−ヘテロサイクリックカルベン、ジベンジリデンアセトン、アセチルアセトン、一酸化炭素、ニトリル、サレン等の配位子；
との塩又は錯体が挙げられる。

上述の更に一層好ましい遷移金属の塩又は遷移金属の錯体を具体的に例示すると、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、ビス［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（０）、ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（０）、ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（０）、水酸化パラジウム（ＩＩ）、硝酸パラジウム（ＩＩ）、ジクロロベンジルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、クロロアリルパラジウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、酢酸ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（ｃｉｓ，ｃｉｓ−１，５−シクロオクタンジエン）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）、ピバル酸パラジウム（ＩＩ）、ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）テトラキス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、アセチルアセトンパラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸ナトリウム、ジクロロ２，５−ノルボルナジエンパラジウム（ＩＩ）、硝酸（エチレンジアミン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジ−μ−クロロビス［５−ヒドロキシ−２−［１−（ヒドロキシイミノ）エチル］フェニル］パラジウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロ［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（クロロ）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）ダイマー、クロロ［（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）−２−（２−アミノビフェニル）］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（メチルジフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウム／炭素、パラジウム／アルミナ、パラジウム／炭酸バリウム、パラジウム／硫酸バリウム等のパラジウム塩又は錯体；

ｃｉｓ−ビス（２，２’−ビピリジル）ジクロロルテニウム（ＩＩ）二水和物、［（Ｒ）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］ルテニウム（ＩＩ）ジクロリド、カルボニル（ジヒドリド）トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロニトロシル［Ｎ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリチリデン）−１，１，２，２−テトラメチルエチレンジアミナト］ルテニウム（ＩＶ）、クロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（ＩＩ）テトラマー、ジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、１−ヒドロキシテトラフェニルシクロペンタジエニル（テトラフェニル−２，４−シクロペンタジエン−１−オン）−μ−ヒドロテトラカルボニルジルテニウム（ＩＩ）、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）、クロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロニトロシルルテニウム（ＩＩ）一水和物、トリルテニウム（０）ドデカカルボニル、トリス（２，４−ペンタンジオナト）ルテニウム（ＩＩＩ）、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、ルテニウム／炭素等のルテニウム塩又は錯体、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）白金（０）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）白金（０）、塩化白金（ＩＩ）、アセチルアセトン白金（ＩＩ）、ｃｉｓ−ジアミン（１，１−シクロブタンジカルボキシラト）白金（ＩＩ）、ジクロロｃｉｓ−ジアンミン白金（ＩＩ）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）、（ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン）オキサラト白金（ＩＩ）等の白金塩又は錯体が挙げられる。

前記遷移金属の塩又は遷移金属の錯体は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来、その使用量は、ジナフトチオフェン（Ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、スルフィド（Ｃ）に対し０．００１〜１０当量、好ましくは０．００５〜５当量、より好ましくは０．０１〜２．５当量である。

更に、脱水素反応を促すために、配位子を併用しても構わない。
配位子としては例えば、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチル）ホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン等の単座ホスフィン系配位子；ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフタレン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等の二座ホスフィン系配位子；
等が挙げられる。

前記配位子は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来、その使用量は、ジナフトチオフェン（Ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、例えば、前記遷移金属の塩又は遷移金属の錯体に対して１〜２０当量、好ましくは１〜１０当量、より好ましくは１〜５当量である。

脱水素反応を促すために、酸化剤を併用しても構わない。
酸化剤としては例えば、過酢酸、過酸化水素、過酸化水素水、尿素・過酸化水素、Ｏｘｏｎｅ、過炭酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウム、過ホウ酸カリウム、ぺルオキソ二硫酸ジカリウム、過硫酸テトラブチルアンモニウム、３−クロロ過安息香酸、ジメチルジオキシラン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、過酸化ベンゾイル等の過酸化物；

次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸ナトリウム、臭素酸カリウム、過ヨウ素酸ナトリウム、次亜塩素酸ｔｅｒｔ−ブチル等の高酸化度ハロゲン化物；
酸素、オゾン、フッ素、塩素、臭素、一酸化窒素、一酸化二窒素等の酸化性ガス；
三酸化クロム、二酸化マンガン、酢酸マンガン（ＩＩＩ）、過マンガン酸カリウム、二クロム酸カリウム、五酸化二バナジウム（Ｖ）、トリイソプロポキシバナジウム(V)オキシド、硝酸セリウム（ＩＶ）アンモニウム、酢酸鉛（ＩＶ）、酸化オスミニウム（ＶＩＩＩ）等の高酸化度金属化合物；、
フッ化銀、塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀、酸化銀、炭酸銀、シアン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピバル酸銀、乳酸銀、シクロヘキサン酪酸銀、メタンスルホン銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、テトラフルオロほう酸銀等の銀（Ｉ）化合物、

フッ化銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（ＩＩ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）、炭酸銅（ＩＩ）、シアン化銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸銅（ＩＩ）、ピバル酸銅（ＩＩ）、乳酸銅（ＩＩ）、シクロヘキサン酪酸銅（ＩＩ）、メタンスルホン銅（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）、テトラフルオロほう酸銅（ＩＩ）等の銅（ＩＩ）化合物；
フッ化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩ）、酸化鉄（ＩＩ）、炭酸鉄（ＩＩ）、シアン化鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸鉄（ＩＩ）、ピバル酸鉄（ＩＩ）、乳酸鉄（ＩＩ）、シクロヘキサン酪酸鉄（ＩＩ）、メタンスルホン鉄（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩ）、テトラフルオロほう酸鉄（ＩＩ）等の鉄（ＩＩ）化合物；

フッ化鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩＩ）、酸化鉄（ＩＩＩ）、炭酸鉄（ＩＩＩ）、シアン化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロ酢酸鉄（ＩＩＩ）、ピバル酸鉄（ＩＩＩ）、乳酸鉄（ＩＩＩ）、シクロヘキサン酪酸鉄（ＩＩＩ）、メタンスルホン鉄（ＩＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、テトラフルオロほう酸鉄（ＩＩＩ）等の等の銅（ＩＩＩ）化合物；
ベンゾキノン、アントラキノン、２−（シクロヘキシルスルフィニル）−ベンゾキノン、２−（フェニルスルフィニル）−ベンゾキノン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン、クロラニル、ｏ−クロラニル等のキノン誘導体；
等が挙げられ、

好ましくは、過酢酸、過酸化水素、過酸化水素水、尿素・過酸化水素、ぺルオキソ二硫酸ジカリウム、Ｏｘｏｎｅ、過硫酸テトラブチルアンモニウム、三酸化クロム、二酸化マンガン、酢酸マンガン（ＩＩＩ）、硝酸セリウム（ＩＶ）アンモニウム、３-クロロ過安息香酸、酸素、フッ化銀、塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀、酸化銀、炭酸銀、シアン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピバル酸銀、乳酸銀、シクロヘキサン酪酸銀、メタンスルホン銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、テトラフルオロほう酸銀、フッ化銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（ＩＩ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酸化銅（ＩＩ）、炭酸銅（ＩＩ）、シアン化銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸銅（ＩＩ）、ピバル酸銅（ＩＩ）、乳酸銅（ＩＩ）、シクロヘキサン酪酸銅（ＩＩ）、メタンスルホン銅（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）、テトラフルオロほう酸銅（ＩＩ）、フッ化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩ）、酸化鉄（ＩＩ）、炭酸鉄（ＩＩ）、シアン化鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩ）、トリフルオロ酢酸鉄（ＩＩ）、ピバル酸鉄（ＩＩ）、乳酸鉄（ＩＩ）、シクロヘキサン酪酸鉄（ＩＩ）、メタンスルホン鉄（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩ）、テトラフルオロほう酸鉄（ＩＩ）、

より好ましくは、酸素、フッ化銀、塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀、酸化銀、炭酸銀、シアン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピバル酸銀、乳酸銀、シクロヘキサン酪酸銀、メタンスルホン銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、テトラフルオロほう酸銀、
更により好ましくは、酸素、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピバル酸銀、乳酸銀、シクロヘキサン酪酸銀、メタンスルホン銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、テトラフルオロほう酸銀、

特に好ましくは、酸素、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、ピバル酸銀、乳酸銀、メタンスルホン銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀、である。

前記酸化剤は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来、その使用量は、ジナフトチオフェン（Ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、スルフィド（Ｃ）に対し１〜１００当量、好ましくは１〜２０当量、より好ましくは１〜１０当量である。

脱水素反応を促すために、カルボン酸を併用しても構わない。
カルボン酸としては例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ピバル酸、２，２-ジメチル酪酸、1-メチル-1-シクロヘキサンカルボン酸、２-フェニルイソ酪酸等の飽和脂肪族カルボン酸；
オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸等の不飽和脂肪族カルボン酸；

フルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸等のハロゲン化された飽和脂肪族カルボン酸；
安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸、メリト酸、ケイ皮酸等の芳香族カルボン酸；
シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、コハク酸、グルタル酸、ムコン酸、アジピン酸、アゼライン酸、２，５−チオフェンジカルボン酸、テレフタル酸、２，５−ピラジンジカルボン酸、ナフタレン−２，６−ジカルボン酸、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、アゾベンゼンジカルボン酸、ベンゼン−１，２，４−トリカルボン酸、ベンゼン−１，３，５−トリ安息香酸）、ベンゼン−１，２，４，５−テトラカルボン酸、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸、ビフェニル−３，５，３’，５’−テトラカルボン酸、及び２−アミノテレフタル酸、２−ニトロテレフタル酸、２−メチルテレフタル酸、２−クロロテレフタル酸、２−ブロモテレフタル酸、２，５−ジヒドロオキソテレフタル酸、テトラフルオロテレフタル酸、２，５−ジカルボキシテレフタル酸、ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、テトラメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、ジカルボキシ−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，５−ピラジンジカルボン酸、２，５−ジペルフルオロテレフタル酸、アゾベンゼン−４，４’−ジカルボン酸、３，３’−ジクロロアゾベンゼン−４，４’−ジカルボン酸、３，３’−ジヒドロオキソアゾベンゼン−４，４’−ジカルボン酸、３，３’−ジペルフルオロアゾベンゼン−４，４’−ジカルボン酸、３，５，３’，５’−アゾベンゼンテトラカルボン酸、２，５−ジメチルテレフタル酸等の多価カルボン酸；
が挙げられ、

好ましくは、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ピバル酸、2,2-ジメチル酪酸、1-メチル-1-シクロヘキサンカルボン酸、2-フェニルイソ酪酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、フルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸、メリト酸、ケイ皮酸、

より好ましくは、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ピバル酸、２，２−ジメチル酪酸、1-メチル-1-シクロヘキサンカルボン酸、2-フェニルイソ酪酸、フルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、
更により一層好ましくは、酢酸、プロピオン酸、ピバル酸、２，２−ジメチル酪酸、１−メチル-1-シクロヘキサンカルボン酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、
である。

前記カルボン酸は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来、その使用量は、ジナフトチオフェン（Ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、遷移金属の塩又は錯体に対し１〜１０００当量、好ましくは１〜５００当量、より好ましくは１〜１００当量である。

脱水素反応を促すために、塩基を併用しても構わない。
塩基としては例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩；
リン酸ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸カルシウム、リン酸二アンモニウム等のリン酸塩；
水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム等の水酸化物、フッ化カリウム、フッ化セシウム、テトラブチルアンモニウムフルオリド等のフッ化物；
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルコキシド；
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザ−ビシクロ［２．２．２］オクタン等の第３級アミン；
ピリジン、ピコリン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、ｔ−ブチルピリジンのような２，３−ジメチルピリジン、２，４−ジメチルピリジン、２，５−ジメチルピリジン、２，６−ジメチルピリジン、３，５−ジメチルピリジン、２−メチル−５−エチル−ピリジン、２，６−ジイソプロピルピリジン、２，６−ジｔーブチルピリジン等のピリジン誘導体；
が挙げられ、

好ましくは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸カルシウム、リン酸二アンモニウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、テトラブチルアンモニウムフルオリド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザ−ビシクロ［２．２．２］オクタン、

より好ましくは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸カルシウム、リン酸二アンモニウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、
フッ化カリウム、フッ化セシウム、テトラブチルアンモニウムフルオリド等のフッ化物、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、
特に好ましくは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、
リン酸ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸カルシウム、リン酸二アンモニウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、
である。

前記塩基は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来、その使用量は、ジナフトチオフェン（Ｄ）が得られる範囲であれば特に制限されず、スルフィド（Ｃ）に対し１〜１００当量、好ましくは１〜２０当量、より好ましくは１〜１０当量である。

反応温度としては、ジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）が得られる条件であれば特に制限されず０〜２５０℃であり、好ましくは１０〜２００℃であり、より好ましくは２５〜１６０℃である。

反応時間としては、ジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）が得られる条件であれば特に制限されず、１０分〜７２時間、好ましくは３０分〜４８時間、より好ましくは１〜２４時間である。

溶媒は使用しなくても構わない。溶媒を用いる場合、反応に不活性である限り特に制限はなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、ジブチルエーテル等のエーテル溶媒；
酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル等のエステル溶媒；
ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素溶媒；
ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化溶媒；
トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロジノン等のアミド溶媒；
ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄溶媒；
アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒；
酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸溶媒；
等を挙げることが出来、これらの溶媒は、単独で又は２種以上組み合わせて使用出来る。

反応雰囲気としては、空気、酸素、窒素、アルゴン、二酸化炭素等、特に制限を受けないが、酸素を酸化剤に用いる場合は、空気又は酸素下で行うことが出来る。

第二工程で得られたジナフトチオフェン誘導体（Ｄ）は、適宜精製を行ってもよい。精製方法としては、特に限定されないが、例えば、カラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華精製による方法が挙げられる。

（ジナフトチオフェン誘導体）
以下、本発明のジナフトチオフェン誘導体について説明する。

本発明のジナフトチオフェン誘導体は、一般式（Ｅ）で表される化合物である。ただし、化合物（Ｅ−ａ）、化合物（Ｅ−ｂ）、化合物（Ｅ−ｃ）、化合物（Ｅ−ｄ）、化合物（Ｅ−ｅ）、化合物（Ｅ−ｆ）、化合物（Ｅ−ｇ）、化合物（Ｅ−ｈ）、化合物（Ｅ−ｉ）、化合物（Ｅ−ｊ）、化合物（Ｅ−ｋ）、および化合物（Ｅ−L）を除く。

（式中、Ｒ_２１〜Ｒ_３２は、水素原子、又は任意の置換基であって、Ｒ_２１とＲ_３２は同一又は異なり、Ｒ_２２とＲ_３１は同一又は異なり、Ｒ_２３とＲ_３０は同一又は異なり、Ｒ_２４とＲ_２９は同一又は異なり、Ｒ_２５とＲ_２８は同一又は異なり、Ｒ_２６とＲ_２７は同一又は異なるが、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる。）

（Ａｌｋ１およびＡｌｋ２は炭素原子数１〜３０の直鎖アルキル基を表す。）

本発明の化合物の特徴は、前記、置換基に係わる６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせが異なることにある。前記６組の組み合わせが、それぞれについて同一である場合（即ち、Ｒ_２１とＲ_３２が同一、Ｒ_２２とＲ_３１が同一、Ｒ_２３とＲ_３０が同一、Ｒ_２４とＲ_２９が同一、Ｒ_２５とＲ_２８が同一、且つ、Ｒ_２６とＲ_２７が同一）、分子の対称性がＣ_２ｖとなり、対称性が高くなり、結晶性が高まる。このため、凝集能が過度に上がり、溶液（インク）滴下（ドロップキャスト）とその乾燥で作製された多結晶膜の膜質が下がり（一般に大きな結晶粒が析出し膜の均質性が低くなる）、半導体特性が低下する。一方、本発明の化合物は、対称性が低いため、凝集能が適度に制御され、溶液（インク）滴下（ドロップキャスト）とその乾燥で作製された多結晶膜の膜質が高く、そのため、半導体特性が高い。

こういった観点から、置換基の位置構造としては、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせが互いに異なり、且つ、それ以外の組み合わせが互いに同一で水素原子であることが好ましい。

更に高い移動度の化合物を得るためには、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、の６組の組み合わせのうち、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、はいずれも同一で水素原子であり、Ｒ_２３とＲ_３０は同一又は異なり、Ｒ_２４とＲ_２９は同一又は異なるが、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、の２組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせが互いに異なることが特に好ましい。

次に、本発明の化合物の置換基について説明する。
本発明の一般式（Ｅ）で表せる化合物の置換基Ｒ_２１〜Ｒ_３２としては、芳香族化合物の置換基として公知慣用のものであれば制限無く用いることが出来るが、例えば、
非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基（該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。））、ハロゲノ基、芳香族基（該芳香族基は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、芳香族基、又はニトリル基で置換されていてもよく、該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−ＣＲ’’＝ＣＲ’’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。））、ニトロ基、又はニトリル基から選ばれる基を挙げることが出来る。

具体的に、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基（該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。））は、（Ａ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、（Ａ−２）炭素数３〜２０の脂環式アルキル基、（Ａ−３）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基、（Ａ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基、（Ａ−５）炭素原子数２〜２０のアルケニル基、（Ａ−６）炭素原子数２〜２０のアルカノイル基、（Ａ−７）炭素原子数３〜２０のアルカノイルアルキル基、（Ａ−８）炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基、（Ａ−９）炭素原子数２〜２０のアルカノイルオキシ基、（Ａ−１０）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基、（Ａ−１１）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基、（Ａ−１２）炭素原子数１〜１９のアルキルスルホニル基、（Ａ−１３）炭素原子数２〜１９のアルキルスルホニルアルキル基、（Ａ−１４）炭素原子数１〜１９のアルキルスルフィニル基、（Ａ−１５）炭素原子数２〜１９のアルキルスルフィニルアルキル基、（Ａ−１６）炭素原子数１〜１９のアルキルアミノ基、（Ａ−１７）炭素原子数２〜１９のアルキルアミノアルキル基、（Ａ−１８）炭素原子数２〜２０のアルキニル基、（Ａ−１９）置換基を有してもよい芳香族炭化水素基で置換されたアルキニル基または置換基を有してもよい複素芳香族基で置換されたアルキニル基、である。

前記（Ａ−１）〜（Ａ−１９）の中で、本発明の化合物の成膜性と移動度を向上させる観点からは、（Ａ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、（Ａ−２）炭素数３〜２０の脂環式アルキル基、（Ａ−３）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基、（Ａ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基、（Ａ−５）炭素原子数２〜２０のアルケニル基、（Ａ−１０）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基、（Ａ−１１）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基、（Ａ−１８）炭素原子数２〜２０のアルキニル基、または（Ａ−１９）置換基を有してもよい芳香族炭化水素基で置換されたアルキニル基または置換基を有してもよい複素芳香族基で置換されたアルキニル基が好ましく、更に高い移動度の化合物を得るためには、（Ａ−１）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、（Ａ−４）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基、または（Ａ−１９）置換基を有してもよい芳香族炭化水素基で置換されたアルキニル基または置換基を有してもよい複素芳香族基で置換されたアルキニル基が特に好ましい。

（Ａ−１）の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基等の直鎖アルキル基；
イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、２−プロピルペンチル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、１−メチルデシル基、１−ヘキシルヘプチル基等の分岐アルキル基；
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の環状アルキル基；
等を挙げることが出来る。

（Ａ−４）の具体例としては、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エチル基、２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エチル基、２−ｎ−デシルオキシエチル基、２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、２−ｎ−テトラデシルオキシエチル基、２−シクロヘキシルオキシエチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−イソプロポキシプロピル基、３−ｎ−ブトキシプロピル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、３−（２’−エチルブトキシ）プロピル基、３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−ｎ−デシルオキシプロピル基、３−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロピル基、３−シクロヘキシルオキシプロピル基、４−メトキシブチル基、４−エトキシブチル基、４−ｎ−プロポキシブチル基、４−イソプロポキシブチル基、４−ｎ−ブトキシブチル基、４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、４−ｎ−オクチルオキシブチル基、４−ｎ−デシルオキシブチル基、４−ｎ−ドデシルオキシブチル基、５−メトキシペンチル基、５−エトキシペンチル基、５−ｎ−プロポキシペンチル基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチル基、６−メトキシヘキシル基、６−エトキシヘキシル基、６−イソプロポキシヘキシル基、６−ｎ−ブトキシヘキシル基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシル基、６−ｎ−デシルオキシヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、７−メトキシヘプチル基、７−エトキシヘプチル基、７−イソプロポキシヘプチル基、８−メトキシオクチル基、８−エトキシオクチル基、９−メトキシノニル基、９−エトキシノニル基、１０−メトキシデシル基、１０−エトキシデシル基、１０−ｎ−ブトキシデシル基、１１−メトキシウンデシル基、１２−メトキシドデシル基、１２−エトキシドデシル基、１２−イソプロポキシドデシル基、１４−メトキシテトラデシル基、シクロヘキシルオキシエチル基、シクロヘキシルオキシプロピル基；
等を挙げることが出来る。

（Ａ−１９）の具体例としては、一般式（Ａ−１９−１）で表される、置換基を有してもよいフェニル基で置換されたエチニル基、または一般式（Ａ−１９−２）で表される、置換基を有してもよいチエニル基で置換されたエチニル基を挙げることができる。前記置換基の具体例としては、炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基を挙げることができる。

（Ｒａ１９は任意の置換基を表す。）

具体的に、前記ハロゲノ基は、フルオロ基（フッ素原子）、クロロ基（塩素原子）、ブロモ基（臭素原子）、ヨード基（ヨウ素原子）である。

前記ハロゲノ基の中で、本発明の化合物の成膜性と移動度を向上させる観点からは、フルオロ基及びクロロ基が好ましく、更に高い移動度の化合物を得るためには、フルオロ基が特に好ましい。

具体的に、前記芳香族基（該芳香族基は、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、ハロゲノ基、芳香族基、又はニトリル基で置換されていてもよく、該アルキル基中の−ＣＨ_２−が、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−ＣＲ’’＝ＣＲ’’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。））は、（Ｂ−１）無置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−３）芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単結合で連結した芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−４）ニトリル化芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−６）炭素数３〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−９）炭素原子数２〜２０のアルケニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１０）炭素原子数２〜２０のアルカノイル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１１）炭素原子数３〜２０のアルカノイルアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１２）炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１３）炭素原子数２〜２０のアルカノイルオキシ基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１４）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１５）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１６）炭素原子数１〜１９のアルキルスルホニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１７）炭素原子数２〜１９のアルキルスルホニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１８）炭素原子数１〜１９のアルキルスルフィニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１９）炭素原子数２〜１９のアルキルスルフィニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２０）炭素原子数１〜１９のアルキルアミノ基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２１）炭素原子数２〜１９のアルキルアミノアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２２）炭素原子数２〜２０のアルキニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基である。

前記（Ｂ−１）〜（Ｂ−２２）の中で、本発明の化合物の成膜性と移動度を向上させる観点からは、（Ｂ−１）無置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−３）芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単結合で連結した芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−６）炭素数１〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−９）炭素原子数２〜２０のアルケニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１４）炭素原子数１〜１９のアルキルスルファニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−１５）炭素原子数２〜１９のアルキルスルファニルアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２０）炭素原子数１〜１９のアルキルアミノ基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２１）炭素原子数２〜１９のアルキルアミノアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２２）炭素原子数２〜２０のアルキニル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が好ましく、
更に高い移動度の化合物を得るためには、（Ｂ−１）無置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−２）ハロゲン化芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−３）芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単結合で連結した芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−５）炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−６）炭素数１〜２０の脂環式アルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−７）炭素原子数１〜１９のアルコキシ基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、（Ｂ−８）炭素原子数２〜１９のアルコキシアルキル基置換の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が特に好ましい。

（Ｂ−１）の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフテニル基、アントラニル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基等、無置換の炭素数６〜２４の単環又は多環式芳香族炭化水素基；
ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾフリル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、インドリニル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、チアジアジニル基、オキサジアゾリル基、ベンゾキノリニル基、チアジアゾリル基、ピロロチアゾリル基、ピロロピリダジニル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基等、無置換の５員環又は６員環の複素芳香族基や、該複素芳香族基に他の芳香族基が縮合した多環式複素芳香族基；
等を挙げることが出来る。

（Ｂ−２）の具体例としては、４−フルオロフェニル基、２，６−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，３，４，５，６−パーフルオロフェニル基、フルオロピリジニル基、フルオロインドリル基等、前記の芳香族炭化水素基又は複素芳香族基がフルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等のハロゲノ基で置換されたもの等を挙げることが出来る。

（Ｂ−３）の具体例としては、ビフェニル基、ターフェニル基、ビナフチル基、ビピリジル基、ビチエニル基、テルチエニル基、クアテルチエニル基、キンクチエニル基、セキシチエニル基、フリルフェニル基、チエニルフェニル基等を挙げることが出来る。

（Ｂ−５）の具体例としては、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、ｎ−ヘプチルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、２−エチルヘキシルフェニル基、ｎ−デカフェニル基、ステアリルフェニル基、５−メチルチエニル基、５−ヘキシルチエニル基、５−デカチエニル基、５−ステアリルチエニル基等を挙げることが出来る。

（Ｂ−６）の具体例としては、シクロヘキシルフェニル基、４−メチルシクロヘキシルフェニル基、４−エチルシクロヘキシルフェニル基等を挙げることが出来る。
（Ｂ−７）の具体例としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、ドデシルオキシフェニル基、ステアリルオキシフェニル基等を挙げることが出来る。

（Ｂ−８）の具体例としては、４−（２−エトキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘプチルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（１２−エトキシドデシル）フェニル基、４−（シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、５−（２−エトキシエチル）チエニル基、５−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）チエニル基、５−（２−シクロヘキシルオキシエチル）チエニル基、５−（１２−エトキシドデシル）チエニル基等を挙げることが出来る。

以下に、本発明の化合物の具体例を示すが、本発明で用いられる化合物はこれらに限定されるものではない。

（有機半導体材料・インク）
本発明の化合物は、有機半導体素子を用途とした、有機半導体材料として使用することが出来る。本発明の化合物を、有機半導体として使用するためには、通常、膜形態（有機半導体膜又は有機半導体層）にて使用される。膜の形成にあたっては、真空蒸着等公知慣用の乾式成膜法により形成しても構わないが、低温成膜が可能で、生産性に優れる湿式成膜法（塗工法又は印刷法）にて形成することが好ましく、そのために、本発明の化合物、即ち有機半導体材料は、インクとして使用することが好ましい。インクを調製するためには、本発明の化合物を溶媒に溶解する。また、半導体特性を損なわない範囲で、インク特性（印刷適性）を付与するために、フッ素系やシリコン系等のレベリング剤、及び、ポリスチレンやアクリル樹脂や高分子系有機半導体化合物等の高分子化合物を粘度調整剤として添加することも出来る。
使用する溶媒は何を用いても構わず、また２種以上の溶媒を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン等の脂肪族系溶媒；

シクロヘキサン等の脂環式系溶媒；
ベンゼン、トルエン、クメン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、ｐ−シメン、メシチレン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、３，５−ジメトキシトルエン、２，４−ジメチルアニソール、フェネトール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、１，５−ジメチルテトラリン、ｎ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ペンチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，５−ジエチルシベンゼン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の芳香族系溶媒；
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、アニソール、ベンジルエチルエーテル、エチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒；
メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等のケトン系溶媒；
その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等が挙げられるが、これらに限定されることはない。
調製された液体組成物における本発明の化合物の濃度としては、０．０１〜２０重量％であることが好ましく、更には０．１〜１０重量％であることが好ましい。

又、本発明の有機半導体インクは、用途に応じて、本発明の化合物以外に、他の有機半導体材料、即ち、電子供与性材料、電子受容性材料、電子輸送性材料、正孔輸送性材料、発光材料、光吸収材料等を含んでも良い。そのような材料としては、例えば、半導体的性質を示すπ共役系高分子、半導体的性質を示す非π共役系高分子、低分子系有機半導体化合物等が挙げられる。

本発明の有機半導体インクは、分子配置の秩序性が高い、均質な有機半導体膜を与える。それ故、得られる有機半導体膜は、高い移動度を発現することが出来る。また、分子配置の秩序性が高い膜を得るために、特殊な印刷成膜や、熱アニール等の特別な処理を行う必要がなく、該インクを滴下、乾燥するだけでも高い移動度の有機半導体膜が得られる。

（有機半導体素子）
次に、本発明の有機半導体素子について説明する。本発明の有機半導体素子は、本発明の化合物を、活性層部（半導体層）に含有する有機半導体素子である。

有機半導体素子の具体例として、ダイオード；メモリ；フォトダイオード、太陽電池、受光素子等の光電変換素子；電界効果型トランジスタ、静電誘導型トランジスタ、バイポーラトランジスタ等のトランジスタ；有機ＥＬや発光トランジスタ等の発光素子；温度センサー、化学センサー、ガスセンサー、湿度センサー、放射線センサー、バイオセンサー、血液センサー、免疫センサー、人工網膜、味覚センサー、圧力センサー等のセンサー類；ＲＦＩＤ等ロジック回路ユニット等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

中でも、本発明の化合物は、有機半導体材料として、１ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い移動度を有するので、有機トランジスタ又は発光素子への応用が特に有用である。

（有機トランジスタ）
次に本発明の化合物を含有する有機トランジスタについて説明する。
有機トランジスタは、通常、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層、及び有機半導体層を有してなるものであり、各電極や各層の配置によって種々のタイプの有機トランジスタがあるが、本発明の化合物及び有機半導体材料は有機トランジスタの種類に限定されることなく、何れの有機トランジスタにも使用することが出来る。有機トランジスタの種類については、アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」等を参照することが出来る。

図１に示すボトムゲートボトムコンタクト型を一例に詳説すると、１は基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁層、４は有機半導体層、５はソース電極、６はドレイン電極である。

ここで、ボトムゲートボトムコンタクト型（以下、ＢＣ型）は、耐熱性、耐候性や耐溶媒性について、他の素子形成用材料(電極材料用金属やゲート絶縁材料用樹脂)より劣る有機半導体材料を、素子作製プロセスにおいて最後に扱うことから、より実用的な構造である。一方で、ＢＣ型はボトムゲートトップコンタクト型（以下、ＴＣ型）と比較して、素子特性に劣る傾向にある（アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」２．２節）。
本発明の化合物の特徴は、公知慣用の有機半導体材料用化合物が、ＴＣ型で高特性を示しても、ＢＣ型でその特性が再現されないのに対し、後記の如く、ＢＣ型においても、１ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い移動度を有する。これは、本発明の化合物が、インク液滴を滴下し、そのものを乾燥するだけで、適正な凝集力で、高移動度を与える多結晶膜を形成するためである。

基板には、ガラスや樹脂を用いることが出来、フレキシブルなＴＦＴを得るためには、ガラス製シート、樹脂製シート、プラスチックフィルム等を用いることが出来る。中でも、樹脂製シートやプラスチックフィルムを用いると、フレキシブル性に加え、軽量化を図ることが出来、可搬性を高めることが出来るとともに、衝撃に対する耐性を向上出来るので好適である。材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等を挙げることが出来る。

ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極の電極材料は、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、酸化スズ、アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト、カーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等を用いることが出来る。更に、ドーピング等で導電率を向上させた公知慣用の導電性高分子、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等も好適に用いることが出来る。

電極の形成方法としては、上記材料を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知慣用のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極にパターン形成する方法、又は、前記導電性薄膜上に、熱転写又はインクジェット等によりレジストをパターン成膜し、然る後エッチングする方法がある。又、導電性高分子の溶液若しくは分散液、又は導電性微粒子の分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、導電性高分子の溶液若しくは分散液、又は導電性微粒子の分散液若しくはペーストを塗工し、斯くの如くして得られた塗工膜をリソグラフやレーザーアブレーション等によりパターニングしてもよい。更に、導電性高分子の溶液若しくは分散液、又は導電性微粒子の分散液若しくはペーストを、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、マイクロコンタクト印刷法等、各種印刷法でパターニングする方法も用いることが出来る。

ゲート絶縁層は、ポリパラキシリレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂；ＵＶ硬化性樹脂等よりなる有機薄膜を好適に使用出来、更には、酸化シリコン膜等よりなる無機薄膜も用いることが出来る。

ゲート絶縁層は、例えば、スピンコート法、ドロップキャスト法、キャストコート法、ディップ法、ダイコート法、ドクターブレード法、ワイヤーバーコート法、バーコート法、リバースコート法、エアドクターコート法、ブレードコート法、エアナイフコート法、ロールコート法、スクイズコート法、含浸コート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、スリットコート法、スプレイコート法、静電コート法、超音波スプレイコート法、ディスペンス法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、マイクロコンタクト印刷法等の公知慣用の湿式成膜方法により作製することが可能であり、必要に応じフォトリソグラフ法で必要な形状にパターニングしてもよい。

有機半導体層は、本発明の化合物を用いて真空蒸着法等の公知慣用の乾式成膜法にて成膜することが出来るが、前記本発明のインクを用いて印刷等の湿式成膜法にて成膜することが好ましい。有機半導体層の膜厚は、特に制限されることはないが、通常、０．５ｎｍ〜１μｍであり、２ｎｍ〜２５０ｎｍであると好ましい。
又、有機半導体層は、結晶性を高め半導体特性の向上等を図ることを目的に、必要に応じて、成膜後にアニーリングを実施してもよい。アニーリングの温度は５０〜２００℃が好ましく、７０〜２００℃であると更に好ましく、時間は１０分〜１２時間が好ましく、１時間〜１０時間がより好ましく、３０分〜１０時間であると更に好ましい。

成膜方法としては、例えば、スピンコート法、ドロップキャスト法、キャストコート法、ディップ法、ダイコート法、ドクターブレード法、ワイヤーバーコート法、バーコート法、リバースコート法、エアドクターコート法、ブレードコート法、エアナイフコート法、ロールコート法、スクイズコート法、含浸コート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、スリットコート法、スプレイコート法、静電コート法、超音波スプレイコート法、ディスペンス法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、マイクロコンタクト印刷法等の公知慣用の湿式成膜方法を挙げることが出来る。

本発明の有機トランジスタは、表示装置を構成する画素のスイッチング用トランジスタ、信号ドライバー回路素子、メモリ回路素子、信号処理回路素子等として好適に使用出来る。表示装置の例としては、液晶表示装置、分散型液晶表示装置、電気泳動型表示装置、粒子回転型表示素子、エレクトロクロミック表示装置、有機ＥＬ表示装置、電子ペーパー等が挙げられる。

以下、実施例により、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）＜化合物（１）の製造＞

アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−７−ヒドロキシナフタレン８０．０ｇ（３５９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１４９ｇ（１．０８ｍｏｌ）に乾燥アセトン５００ｍＬを加え室温で撹拌した。ヨードメタン４４．９ｍＬ（７２０ｍｍｏｌ）を滴下した後、２時間還流した。反応混合物を室温に冷却し、水２５０ｍＬを加えた。アセトンを減圧留去し、更に水７５０ｍＬを加えて１０分撹拌した。生じた白色沈殿をろ過し、ろ集物を水１．５Ｌで洗浄した。得られた白色固体を乾燥することで２−ブロモ−７−メトキシナフタレン７１．８ｇ（収率，８４．４％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．８９（ｄ，Ｊ＝Ｈｚ，１Ｈ），δ７．６９（ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，１Ｈ），δ７．６２（ｓ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，６Ｈ），δ７．４０（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．１４（ｄｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，９．０Ｈｚ，１Ｈ），δ７．０２（ｓ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ）．

アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−７−メトキシナフタレン５．４２ｇ（２１．１ｍｍｏｌ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）０．２５９ｇ（１．０５ｍｍｏｌ）に乾燥テトラヒドロフラン２０ｍＬを加え−７８℃で撹拌した。反応液へｎ−ヘキシルマグネシウムブロミドの２Ｍエーテル溶液１１．６ｍＬ（２３．２ｍｍｏｌ）を滴下した後、ゆっくり室温に昇温した。１時間還流した後、室温に冷却した。反応液へ水５ｍＬをゆっくり滴下した後、セライトろ過で固形分を除去した。ろ液を硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。得られた粗製物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝７／３）で分離精製を行い２−ヘキシル−７−メトキシナフタレン４．５５ｇ（収率、８２．１％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８７．７０−７．６７（ｍ，２Ｈ），δ７．５１（ｓ，１Ｈ），δ７．２０−７．１７（ｍ，１Ｈ），δ７．０８−７．０６（ｍ，２Ｈ），δ３．９１（ｓ，３Ｈ），δ２．７４（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，３Ｈ），δ１．７５−１．６４（ｍ，２Ｈ），δ１．４２−１．２４（ｍ，６Ｈ），δ０．９３−０．８６（ｍ，３Ｈ）．

アルゴン雰囲気下、２−ヘキシル−７−メトキシナフタレン４．００ｇ（１６．５ｍｍｏｌ）に乾燥ジクロロメタン２０ｍＬを加え−７８℃で撹拌した。反応液へ三臭化ホウ素の１Ｍジクロロメタン溶液２８ｍＬ（２８ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温に昇温して１時間撹拌した。再び−７８℃に冷却した反応液に、水を加えて反応を停止した。ＣＨ２Ｃｌ２５０ｍＬを加え、水洗した後、硫酸マグネシウムで有機相を乾燥、溶媒を留去することで、２−ヘキシル−７−ヒドロキシナフタレン３．５３ｇ（収率、９１．８％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．７１−７．６６（ｍ，２Ｈ），δ７．４４（ｓ，１Ｈ），δ７．１７（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．０８（ｄ，Ｊ＝２．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．０２（ｄｄ，Ｊ＝２．７Ｈｚ，８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ４．２０−４．００（ｂｒ，１Ｈ），δ３．８０（ｓ，３Ｈ），δ２．７３（ｓ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），δ１．６８−１．６２（ｍ，２Ｈ），δ１．４１−１．２２（ｍ，６Ｈ），δ０．９０−０．８６（ｍ，３Ｈ）．

アルゴン雰囲気下、２−ヘキシル−７−ヒドロキシナフタレン１．００ｇ（４．３８ｍｍｏｌ）、２−ナフタレンチオール０．７０１ｇ（４．３８ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）０．１４４ｇ（０．２１９ｍｍｏｌ）に１，２−ジクロロエタン８．８ｍＬを加え８０℃で１６時間撹拌した。反応液を濃縮し、得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン）で分離精製し７−ヘキシル−２，２’−ビナフチルスルフィド１．３６ｇ（収率，８３．８％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．８５−７．７２（ｍ，７Ｈ），δ７．４７−７．２３（ｍ，６Ｈ），δ２．７４（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７０−１．６３（ｍ，２Ｈ），δ１．３８−１．２８（ｍ，６Ｈ），δ０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）．

７−ヘキシル−２，２’−ビナフチルスルフィド０．５００ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０４４９ｇ（０．１３５ｍｍｏｌ）、酢酸銀０．９０１ｇ（５．４０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム０．１８７ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）にピバル酸２．７ｍＬを加え１１０℃で１６時間撹拌した。反応液をクロロホルムで希釈し、セライトろ過を行った。ろ液を濃縮し、得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで化合物（１）たる３−ヘキシルジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン０．２８０ｍｇ（収率、５５．９％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．７０（ｓ，１Ｈ），δ８．６８（ｓ，１Ｈ），δ８．２２（ｓ，１Ｈ），δ８．１５（ｓ，１Ｈ），δ８．０６−８．０３（ｍ，１Ｈ），δ７．９８−７．９６（ｍ，１Ｈ），δ７．９２−７．８９（ｍ，１Ｈ），δ７．６７（ｓ，１Ｈ），δ７．５４−７．５１（ｍ，２Ｈ），δ７．３８（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８２（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７６−１．７０（ｍ，２Ｈ），δ１．３６−１．２４（ｍ，６Ｈ），δ０．９０（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造＞
ガラス基板（図１の１に相当）上に金属マスクを用いてアルミニウムを真空蒸着法にて約３０ｎｍの厚さで成膜して、ゲート電極を形成した（図１の２に相当）。ここに、パリレン蒸着装置（ラボコーターＰＤＳ２０１０、日本パリレン製）を用いて、ジクロロ−ジパラキシリレン（ＤＰＸ−Ｃ、日本パリレン製）を原料にして、ポリパラクロロキシリレン（パリレンＣ）薄膜（厚さ５００ｎｍ）をケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法にて作製し（図１の３に相当）、更に、真空蒸着法によって、金薄膜（厚さ４０ｎｍ）からなるソース・ドレイン電極をパターン形成した（図１の５と６に相当。チャネル長Ｌ（ソース電極−ドレイン電極間隔）を７５μｍ、チャネル幅Ｗを５．０ｍｍとした）。次に、このようにして得られた基板を、ペンタフルオロチオフェノールの０．１％エタノール溶液に１時間浸漬したのち、窒素ブローで乾燥し、前記化合物（１）の０．４％ｐ−キシレン溶液（有機半導体インク）の液滴０．１μＬを、前記ソース・ドレイン電極の間にドロップキャスト（滴下）した後、自然濃縮により乾固させることで、前記化合物（１）よりなる有機半導体層（図１の４に相当）を形成した（有機半導体溶液（インク）液滴の滴下（ドロップキャスト）とその乾燥によって有機半導体層を形成）。

＜半導体特性（移動度）の評価＞
このようにして得られた有機トランジスタについて、半導体特性（移動度）を評価した。半導体特性（移動度）は、ソース電極を接地し、ドレイン電極に−８０Ｖを印加した状態で、デジタルマルチメーター（ＳＭＵ２３７、ケースレー製）を用いて、ゲート電極に０から−８０Ｖ、電圧（Ｖ_ｇ）をスイープ印加しながら、ドレイン電極に流れる電流（Ｉ_ｄ）を測定し、√Ｉ_ｄ−Ｖ_ｇの傾きから、（式１）を用いて求めた。単位はｃｍ^２／Ｖ・ｓである。

（式中、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、μは移動度、Ｃはゲート絶縁層の単位面積当たりの電気容量、Ｖ_Ｔは閾値電圧を表す）
評価結果を表１に示した。

（実施例２）
＜化合物（２）の製造＞

実施例１において、ｎ−ヘキシルマグネシウムブロミドを、ｎ−オクチルマグネシウムブロミドに変更した以外は実施例１に準拠して、化合物（２）（収率、６４．３％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６９（ｓ，１Ｈ），δ８．６７（ｓ，１Ｈ），δ８．２１（ｓ，１Ｈ），δ８．１４（ｓ，１Ｈ），δ８．０９−８．０４（ｍ，１Ｈ），δ８．０３−７．９８（ｍ，１Ｈ），δ７．９１−７．８９（ｍ，１Ｈ），δ７．６６（ｓ，１Ｈ），δ７．５６−７．４８（ｍ，２Ｈ），δ７．３８（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８２（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７７−１．６９（ｍ，２Ｈ），δ１．３６−１．２４（ｍ，１０Ｈ），δ０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（２）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
（実施例３）
＜化合物（３）の製造＞

実施例１において、ｎ−ヘキシルマグネシウムブロミドを、ｎ−デシルマグネシウムブロミドに変更した以外は実施例１に準拠して、表題化合物（３）（収率、５３．２％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６９（ｓ，１Ｈ），δ８．６７（ｓ，１Ｈ），δ８．２１（ｓ，１Ｈ），δ８．１５（ｓ，１Ｈ），δ８．０６−８．０３（ｍ，１Ｈ），δ７．９９−７．９６（ｍ，１Ｈ），δ７．９２−７．９０（ｍ，１Ｈ），δ７．６６（ｓ，１Ｈ），δ７．５４−７．４９（ｍ，２Ｈ），δ７．３８（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，７．８Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８２（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７７−１．６９（ｍ，２Ｈ），δ１．４２−１．１８（ｍ，１４Ｈ），δ０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。

（実施例４）
＜化合物（４）の製造＞

実施例１において、２−ブロモ−７−ヒドロキシナフタレンを、２−ブロモ−６−ヒドロキシナフタレンに変更した以外は実施例１に準拠して、化合物（４）（収率、４４．６％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７０（ｓ，１Ｈ），δ８．６６（ｓ，１Ｈ），δ８．２２（ｓ，１Ｈ），δ８．１８（ｓ，１Ｈ），δ８．０７−８．０４（ｍ，１Ｈ），δ７．９２−７．９０（ｍ，１Ｈ），δ７．８４−７．８１（ｍ，２Ｈ），δ７．５６−７．４９（ｍ，２Ｈ），δ７．４０（ｄｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８３（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７８−１．７０（ｍ，２Ｈ），δ１．４２−１．２８（ｍ，６Ｈ），δ０．９０（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（４）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
（実施例５）
＜化合物（５）の製造＞

アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−７−ヒドロキシナフタレン１５．０ｇ（６７．２ｍｍｏｌ）、に乾燥ＤＭＦ６０ｍＬを加え０℃で撹拌した。反応液へ５０％水素化ナトリウム９．６８ｇ（２０２ｍｍｏｌ）を加えた後、室温で３０分撹拌を行った。反応液へジメチルチオカルバモイルクロリド２４．９ｇ（２０２ｍｍｏｌ）を加えた後、８０℃で３０分撹拌を行った。反応液に発泡が止まるまでメタノールを加えた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９０／１０）で分離精製を行いＯ−（７−ブロモナフタレン−２−イル）Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバメート７．３６ｇ（収率、３５．３％）を得た
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．９６（ｓ，１Ｈ），δ７．８２（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．７１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．５３（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．４１（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），７．２６（ｄｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，９．０Ｈｚ，１Ｈ），δ３．４８（ｓ，３Ｈ），δ３．４０（ｓ，３Ｈ）．

アルゴン雰囲気下、Ｏ−（７−ブロモナフタレン−２−イル）Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバメート７．３０ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）にジフェニルエーテル３０ｍＬを加え、２６０℃で１．５時間加熱した。反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝８０／２０）で分離して粗製物７．４ｇを得た。アルゴン雰囲気下、粗製物７．４ｇ、水酸化カリウム１１．０ｇ（１９５ｍｍｏｌ）にメタノール３００ｍＬを加え、３時間還流した。溶媒を留去し、得られた油状液体に水３００ｍＬを加えて０℃に冷却した後、濃塩酸を加え、生じた白色固体をろ過、水５００ｍＬで洗浄した。得られた白色固体を乾燥することで７−ブロモ−２−ナフタレンチオール５．２２ｇ（収率、９２．８％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．８４（ｍ，１Ｈ），δ７．７３−７．６１（ｍ，３Ｈ），δ７．４５（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．３３（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ３．６２（ｓ，１Ｈ）．

アルゴン雰囲気下、２−ヘキシル−７−ヒドロキシナフタレン０．２０２ｇ（０．８７６ｍｍｏｌ）、７−ブロモ−２−ナフタレンチオール０．２１５ｇ（０．８９７ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ）０．０２９０ｇ（０．０４４ｍｍｏｌ）に１，２−ジクロロエタン１．７ｍＬを加え８０℃で１６時間撹拌した。反応液を濃縮し、得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン）で分離精製し７−ブロモ−７’−ヘキシル−２，２’−ビナフチルスルフィド０．３０６ｇ（収率、７７．７％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ７．８６（ｓ，１Ｈ），δ７．８２（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ），δ７．７６−７．６１（ｍ，５Ｈ），δ７．５２−７．４６（ｍ，２Ｈ），δ７．４０−７．３２（ｍ，３Ｈ），δ２．７４（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７３−１．６２（ｍ，２Ｈ），δ１．４１−１．２５（ｍ，６Ｈ），δ０．８８（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）．

７−ブロモ−７’−ヘキシル−２，２’−ビナフチルスルフィド２．４０ｇ（５．３４ｍｍｏｌ）、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１７８ｇ（０．５３４ｍｍｏｌ）、酢酸銀（Ｉ）３．５７ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム０．７３８ｇ（５．３４ｍｍｏｌ）にピバル酸１１ｍＬを加え１１０℃で１６時間撹拌した。反応液をクロロホルムで希釈し、セライトろ過を行った。ろ液を濃縮し、得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で分離精製することで３−ブロモ−９−ヘキシルジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン０．６０３ｍｇ（収率、２５．２％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６４（ｓ，１Ｈ），δ８．６１（ｓ，１Ｈ），δ８．１３（ｓ，１Ｈ），δ８．０９（ｓ，１Ｈ），δ８．０４（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），δ７．９５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．８９（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），δ７．６５（ｓ，１Ｈ），δ７．５６（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，９．０Ｈｚ，１Ｈ），δ７．３８（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８１（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），δ１．４９−１．６８（ｍ，２Ｈ），δ１．３８−１．２６（ｍ，６Ｈ），δ０．９０（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）．

アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−９−ヘキシルジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン０．０９７ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）０．００５１ｇ（０．０１３ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）０．００１７ｇ（０．００８９ｍｍｏｌ）に乾燥ＴＨＦ０．２２ｍＬ、ジイソプロピルアミン０．０３７ｍＬ、ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンの１．５Ｍトルエン溶液０．０１９ｍＬ（０．０２９ｍｍｏｌ）を加え室温で撹拌した。反応液へ１−エチニル−４−ペンチルベンゼン０．０４６ｍＬ（０．２７ｍｍｏｌ）を滴下した後、６０℃で８時間撹拌した。
反応液にＣＨＣｌ３５０ｍＬを加え、水洗した後、硫酸マグネシウムで有機相を乾燥、溶媒を留去した。得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン）で分離精製することで、化合物（５）たる３−ヘキシル−９−（（４−ペンチルフェニル）エチニル）ジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン０．０４３ｍｇ（収率、３７％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６８（ｓ，１Ｈ），δ８．６５（ｓ，１Ｈ），δ８．１８（ｓ，１Ｈ），δ８．１５（ｓ，１Ｈ），δ８．０９（ｓ，１Ｈ），δ８．０２−７．９６（ｍ，２Ｈ），δ７．６７（ｓ，１Ｈ），δ７．６０（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．５１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），δ７．３９（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．２０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），δ２．８２（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ２．６４（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７７−１．６１（ｍ，４Ｈ），δ１．４３−１．２７（ｍ，１０Ｈ），δ０．９３−０．８７（ｍ，６Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（５）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。

（実施例６）
＜化合物（６）の製造法＞

実施例５において、１−エチニル−４−ペンチルベンゼンを、１−エチニル−４−オクチルベンゼンに変更した以外は実施例５に準拠して、化合物（６）（収率、３３％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６６（ｓ，１Ｈ），δ８．６５（ｓ，１Ｈ），δ８．１７（ｓ，１Ｈ），δ８．１４（ｓ，１Ｈ），δ８．０９（ｓ，１Ｈ），δ８．０１−７．９５（ｍ，２Ｈ），δ７．６６（ｓ，１Ｈ），δ７．６１（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．５Ｈｚ，１Ｈ），δ７．５１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），δ７．４０（ｄｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，８．５Ｈｚ，１Ｈ），δ７．２０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），δ２．８２（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），δ２．６４（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），δ１．７９−１．５８（ｍ，４Ｈ），δ１．４３−１．２８（ｍ，１６Ｈ），δ０．９２−０．８７（ｍ，６Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（６）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。

（実施例７）
＜化合物（７）の製造法＞

実施例５において、１−エチニル−４−ペンチルベンゼンを、２−エチニル−５−メチルチオフェンに変更した以外は実施例５に準拠して、化合物（７）（収率、３６．８ ％）を得た。
^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ８．６６（ｓ，１Ｈ），δ８．６５（ｓ，１Ｈ），δ８．１７（ｓ，１Ｈ），δ８．１４（ｓ，１Ｈ），δ８．０７（ｓ，１Ｈ），δ８．０１−７．９６（ｍ，２Ｈ），δ７．６７（ｓ，１Ｈ），δ７．５７（ｄ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．３９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），δ７．１５（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），δ６．７０（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），δ２．８２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），δ２．５２（ｓ，３Ｈ），δ１．７６−１．７０（ｍ，２Ｈ），δ１．４４−１．２８（ｍ，６Ｈ），δ０．９３−０．８７（ｍ，３Ｈ）．

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（７）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。

（比較例１）
＜化合物（１７９）の製造法＞
国際公開第２０１３／１２５５９９号パンフレットに記載の合成方法に従って、一般式（１７９）で表される化合物を得た。

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（１７９）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。

（比較例２）
＜化合物（１８０）の製造法＞
比較例１において、２−ヘキシル−７−メトキシナフタレンを、２−デシル−７−メトキシナフタレンに変更した以外は比較例１に準拠して、一般式（１８０）で表される化合物を得た。

＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（１）のかわりに、化合物（１８０）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。

表１より明らかなように、本発明の化合物は、溶媒溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも簡便な湿式成膜法（即ち、溶液（インク）液滴を滴下し、そのものを乾燥）で半導体特性（移動度）高きトランジスタを形成することが出来る。一方、比較例１、２に示した公知慣用の化合物は、このような簡便な成膜法では高い移動度を示すことが出来ない。以上より、本発明の化合物は、前記したが如く、実用上、好ましい性能を有しており、公知慣用の化合物に比べ優れていることが明らかである。従って、本発明の化合物を与えることが出来る、本発明の製造法は、公知慣用の製造法と比較して優れていることが明らかである。

本発明の化合物は有機半導体材料としての利用が可能であり、本発明の化合物を有機半導体層として用いる有機トランジスタへの利用が可能である。

１：基板、２：ゲート電極、３：ゲート絶縁層、４：有機半導体層、５：ソース電極、６：ドレイン電極

Claims (10)

1. 一般式（Ｅ）で表されるジナフトチオフェン誘導体。ただし、化合物（Ｅ−ａ）、化合物（Ｅ−ｂ）、化合物（Ｅ−ｃ）、化合物（Ｅ−ｄ）、化合物（Ｅ−ｅ）、化合物（Ｅ−ｆ）、化合物（Ｅ−ｇ）、化合物（Ｅ−ｈ）、化合物（Ｅ−ｉ）、化合物（Ｅ−ｊ）、化合物（Ｅ−ｋ）、および化合物（Ｅ−L）を除く。
   

   

   （式中、Ｒ_２１〜Ｒ_３２は、水素原子、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基（当該アルキル基中の−ＣＨ _２ −が、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が各々直接結合しないように、−Ｏ−、−Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ _２ −、−ＳＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい（但し、Ｒ’は炭素原子数１〜２０の非環式又は環式アルキル基を表す。）。）、ハロゲノ基、ニトロ基、又はニトリル基であって、
   Ｒ_２１とＲ_３２は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２２とＲ_３１は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２３とＲ_３０は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２４とＲ_２９は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２５とＲ_２８は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２６とＲ_２７は互いに同じであるか異なるが、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、の６組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる。）
   

   

   （Ａｌｋ１およびＡｌｋ２は炭素原子数１〜３０の直鎖アルキル基を表す。）
   

   

   （Ａｃはアセチル基を表し、Ｔは任意の置換基を表す。）
2. 前記Ｒ_２１〜Ｒ_３２が、水素原子、フッ素原子（フルオロ基）、非環式又は環式の炭素原子数１〜２０のアルキル基、Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ＊（Ｐｈは置換されていてもよいフェニル基を表し、＊は結合位置を表す。）、またはＴｈ−Ｃ≡Ｃ＊（Ｔｈは置換されていてもよいチエニル基を表し、＊は結合位置を表す。）である、請求項１に記載のジナフトチオフェン誘導体。
3. 前記した置換基に係わる６組の組み合わせ（Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７）のうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なり、且つ、それ以外の組み合わせは互いに同一で水素原子である、請求項１または２に記載のジナフトチオフェン誘導体。
4. 前記した置換基に係わる６組の組み合わせ（Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７）のうち、Ｒ_２１とＲ_３２、Ｒ_２２とＲ_３１、Ｒ_２５とＲ_２８、Ｒ_２６とＲ_２７、はいずれも同一で水素原子であり、Ｒ_２３とＲ_３０は互いに同じであるか異なり、Ｒ_２４とＲ_２９は互いに同じであるか異なるが、Ｒ_２３とＲ_３０、Ｒ_２４とＲ_２９、の２組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる、請求項１または２に記載のジナフトチオフェン誘導体。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のジナフトチオフェン誘導体の製造方法であって、以下の（Ｉ）及び（ＩＩ）の工程を有するジナフトチオフェン誘導体の製造方法。
   （Ｉ）一般式（Ａ）で表されるナフトール誘導体と一般式（Ｂ）で表されるナフタレンチオール誘導体を、酸存在下、脱水縮合させて一般式（Ｃ）で表されるスルフィド誘導体を製造する第一工程、
   （ＩＩ）前記スルフィド誘導体（Ｃ）を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応によりジナフトチオフェン誘導体を製造する第二工程。
   

   

   
   

   

   
   

   
6. 請求項１〜４のいずれかに記載のジナフトチオフェン誘導体を含有する有機半導体材料。
7. 請求項６に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体インク。
8. 請求項６に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体膜。
9. 請求項６に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体素子。
10. 請求項６に記載の有機半導体材料を含有する有機トランジスタ。

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