JP6103103B2 - 静脈像撮像装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、対象物に光を照射してその反射光を受光するセンシング装置および電子機器に関する。

生体認証装置やイメージスキャナーの中には、読取領域の上に置かれた対象物（例えば指や原稿等）に対して発光部と受光部が同じ側に配置され、対象物に対して発光部から光を照射し、その反射光を受光部で受光して対象物の画像を読み取るものがある。例えば、特許文献１には、光源６からの出射光（近赤外光）を導光板３の背面に形成された複数の反射面１１によって指１００に照射し、指１００からの反射光を複数の画素ＰＸを有する受光素子１で受光することで指１００の静脈像を取得する生体情報取得装置５０が記載されている。

特開２００９−１７２２６３号公報

しかしながら、特許文献１に記載された生体情報取得装置５０では、各画素ＰＸに入射する反射光の光路上（各画素ＰＸから鉛直方向に延びる直線上）に、反射光よりも光量が大きい光源６からの出射光を導光する導光板３が存在する。また、光源６からの出射光の一部が、導光板３の背面側に形成された低屈折率層２１や反射層（半反射層）４０を透過して受光素子１側に漏れ出てしまう。このため受光素子１において指１００からの反射光を精度よく受光することができない。また、導光板３や遮光層２によって生体情報取得装置５０の厚みが増してしまうという問題もあった。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、対象物からの反射光を精度よく受光できるようにしつつ装置を薄型化することが可能なセンシング装置、およびこれを用いた電子機器を提供することを課題とする。

以上の課題を解決するため、本発明の第１の態様に係るセンシング装置は、発光部、受光部および遮光層を備え、対象物に対して前記発光部から光を照射し、前記対象物からの反射光を前記受光部で受光するセンシング装置において、前記発光部および前記受光部は前記対象物に対して同じ側に設けられ、前記発光部は前記受光部より前記対象物側に位置し、前記発光部は、前記対象物に照射する照射光を発する発光層と、前記発光層より前記対象物側に位置し、前記照射光および前記反射光を透過する第１電極と、前記発光層より前記受光部側に位置し、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に第１の開口部が形成された第２電極と、前記第１の開口部に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を透過すると共に前記第１電極と前記第２電極とを部分的に絶縁する絶縁層とを備え、前記受光部は、前記反射光を受光する受光素子を備え、前記遮光層は、前記第１の開口部に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に第２の開口部が形成されており、前記対象物側から平面視した場合に、前記遮光層は前記第１の開口部と重なり、前記受光素子の受光面が前記第２の開口部内に位置する、ことを特徴とする。

この構成によれば、対象物側から平面視した場合に、発光層のうち受光素子の受光面に対応する位置とその周辺（第１の開口部に対応する部分）は、絶縁層によって絶縁されるので照射光を発光しない非発光領域になる。従って、受光素子の受光面に入射する反射光の光路上には、反射光よりも光量が大きい照射光を発光する発光領域が存在しない。また、遮光層と第２電極によって第２の開口部以外の部分が遮光されるので、受光素子の受光面には対象物からの反射光のうち真上からの反射光が入射される。また、発光層（発光領域）から出射された照射光が第１の開口部を通って受光素子の受光面に直接入射することも遮光層と第２電極によって抑えることができる。よって、受光素子において対象物からの反射光を精度よく受光することができる。また、第１電極、第２電極、発光層、絶縁層、遮光層を設ける必要があるものの、これらの各要素は極めて薄く形成することができるので、特許文献１に記載された発明に比べ、センシング装置の厚さを薄くすることができる。

なお、対象物は、生体の一部（例えば、指、手のひら、手の甲、眼等）であってもよいし、文書や画像が印刷された紙やＯＨＰ（OverHead Projector）シート等であってもよい。また、発光層が発する光の波長は任意に定めることができる。つまり、照射光や反射光は、例えば近赤外光であってもよいし、可視光であってもよい。また、第１電極と第２電極は、第１電極が陽極で第２電極が陰極であってもよいし、第１電極が陰極で第２電極が陽極であってもよい。また、第２の開口部の形状や受光素子の受光面の形状は、矩形、円形、楕円、六角形等、任意に定めることができる。また、第２の開口部の大きさと受光面の大きさは、第２の開口部の方が受光面より小さくてもよいし、その逆であってもよいし、両者が同じ大きさであってもよい。また、必ずしも受光面の全てが第２の開口部内に位置している必要はなく、少なくとも受光面の一部が第２の開口部内に位置していればよい。また、遮光層は、例えば、図２、図１７、図１８にＢＭとして示す位置に設けることができる。

また、本発明の第２の態様に係るセンシング装置は、発光部、受光部および遮光層を備え、対象物に対して前記発光部から光を照射し、前記対象物からの反射光を前記受光部で受光するセンシング装置において、前記発光部および前記受光部は前記対象物に対して同じ側に設けられ、前記発光部は前記受光部より前記対象物側に位置し、前記発光部は、前記対象物に照射する照射光を発する発光層と、前記発光層より前記対象物側に位置し、前記照射光および前記反射光を透過する第１電極と、前記発光層より前記受光部側に位置し、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に互いに離間して設けられた第２電極および第３電極と、前記第２電極と前記第３電極との間の離間領域に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を透過すると共に前記第２電極および前記第３電極と前記第１電極とを部分的に絶縁する絶縁層とを備え、前記受光部は、前記反射光を受光する受光素子を備え、前記遮光層は、前記離間領域に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に開口部が形成されており、前記対象物側から平面視した場合に、前記遮光層は前記離間領域と重なり、前記受光素子の受光面が前記開口部内に位置する、ことを特徴とする。

この構成であっても第１の態様に係るセンシング装置と同様の効果を奏する。つまり、開口部を有する１つの第２電極の代わりに、互いに離間して設けられた２つの電極（第２電極および第３電極）を用いてもよい。なお、この構成の場合も、第１電極が陽極で第２電極および第３電極が陰極であってもよいし、第１電極が陰極で第２電極および第３電極が陽極であってもよい。

また、第１の態様に係るセンシング装置において、前記遮光層は、前記第１電極の前記対象物側から前記第２電極までの間に設けられていてもよい。同様に第２の態様に係るセンシング装置においても、前記遮光層は、前記第１電極の前記対象物側から前記第２電極および前記第３電極までの間に設けられていてもよい。

また、本発明の第３の態様に係るセンシング装置は、発光部、受光部および複数の遮光層を備え、対象物に対して前記発光部から光を照射し、前記対象物からの反射光を前記受光部で受光するセンシング装置において、前記発光部および前記受光部は前記対象物に対して同じ側に設けられ、前記発光部は前記受光部より前記対象物側に位置し、前記発光部は、前記対象物に照射する照射光を発する発光層と、前記発光層より前記対象物側に位置し、前記照射光および前記反射光を透過する第１電極と、前記発光層より前記受光部側に位置し、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に互いに離間して設けられた複数の第２電極と、隣り合う前記第２電極間の離間領域ごとに当該離間領域に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を透過すると共に前記第１電極と前記第２電極とを部分的に絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記受光部は、前記反射光を受光する複数の受光素子を備え、前記複数の遮光層の各々は、互いに異なる前記離間領域に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に１以上の開口部が形成されており、前記対象物側から平面視した場合に、前記離間領域の各々は前記遮光層と重なり、各々の前記開口部内には前記受光素子の受光面が１つずつ位置する、ことを特徴とする。
この構成であっても第１の態様に係るセンシング装置と同様の効果を奏する。つまり、受光素子を複数備えると共に、第２電極と絶縁層と遮光層についても各々を複数備える構成であってもよい。

また、本発明の第４の態様に係るセンシング装置は、発光部、受光部および複数の遮光層を備え、対象物に対して前記発光部から光を照射し、前記対象物からの反射光を前記受光部で受光するセンシング装置において、前記発光部および前記受光部は前記対象物に対して同じ側に設けられ、前記発光部は前記受光部より前記対象物側に位置し、前記発光部は、前記対象物に照射する照射光を発する発光層と、前記発光層より前記対象物側に位置し、前記照射光および前記反射光を透過すると共に互いに離間して設けられた複数の第１電極と、前記発光層より前記受光部側に位置し、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に、互いに離間して設けられ、前記複数の第１電極と交差する複数の第２電極と、隣り合う前記第２電極間の離間領域ごとに当該離間領域に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を透過すると共に前記第１電極と前記第２電極とを部分的に絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記受光部は、前記反射光を受光する複数の受光素子を備え、前記複数の遮光層の各々は、互いに異なる前記離間領域に対応する位置に設けられ、前記照射光および前記反射光を遮光すると共に１以上の開口部が形成されており、前記対象物側から平面視した場合に、前記離間領域の各々は前記遮光層と重なり、各々の前記開口部内には前記受光素子の受光面が１つずつ位置する、ことを特徴とする。
この構成であっても第１の態様に係るセンシング装置と同様の効果を奏する。つまり、第１電極についても互いに離間して設けられた複数の電極であってよい。

また、第３の態様に係るセンシング装置において、前記複数の第２電極のうち、前記発光層を発光させるための駆動信号を供給する対象として一部の前記第２電極を選択する第１の駆動回路と、前記複数の受光素子のうち、前記対象物側から平面視した場合に、前記第１の駆動回路が選択した一部の前記第２電極に隣り合う前記受光素子から前記受光面に入射した前記反射光の光量を示す受光信号を読み出す読出回路とを備える構成としてもよい。

この構成によれば、対象物側から平面視した場合に、発光層のうち第１の駆動回路が選択した一部の第２電極に対応する部分だけから照射光を発光させることができる。また、第１の駆動回路が選択した一部の第２電極に隣り合う受光素子、すなわち発光層のうち照射光を発光した部分の近傍に位置する受光素子だけから受光信号を読み出すことができる。従って、照射光の発光範囲と受光信号の読出範囲を一部に限定して駆動することができるので、センシング装置の消費電力を低減することができる。

また、上述したセンシング装置において、前記対象物の画像を読み取る読取領域のうち前記対象物が置かれた領域を検出し、検出結果に基づいて前記第１の駆動回路が選択する一部の前記第２電極を決定する制御回路を備える構成としてもよい。
この場合、読取領域の上に置かれた対象物のサイズや位置に応じて照射光の発光範囲と受光信号の読出範囲を決定することができる。

また、第４の態様に係るセンシング装置において、前記複数の第２電極のうち、前記発光層を発光させるための駆動信号を供給する対象として一部の前記第２電極を選択する第１の駆動回路と、前記複数の第１電極のうち、前記駆動信号を供給する対象として一部の前記第１電極を選択する第２の駆動回路と、前記複数の受光素子のうち、前記対象物側から平面視した場合に、前記第１の駆動回路が選択した一部の前記第２電極と、前記第２の駆動回路が選択した一部の前記第１電極とが重なる部分に隣り合う前記受光素子から前記受光面に入射した前記反射光の光量を示す受光信号を読み出す読出回路とを備える構成としてもよい。
この構成の場合も、照射光の発光範囲と受光信号の読出範囲を一部に限定して駆動することができるので、センシング装置の消費電力を低減することができる。

また、上述したセンシング装置において、前記対象物の画像を読み取る読取領域のうち前記対象物が置かれた領域を検出し、検出結果に基づいて、前記第１の駆動回路が選択する一部の前記第２電極と、前記第２の駆動回路が選択する一部の前記第１電極とを決定する制御回路を備える構成としてもよい。
この場合も、読取領域の上に置かれた対象物のサイズや位置に応じて照射光の発光範囲と受光信号の読出範囲を決定することができる。

また、第３の態様に係るセンシング装置において、前記複数の第２電極のうち、前記発光層を発光させるための駆動信号を供給する対象として１以上の前記第２電極を選択する第１の駆動回路と、前記複数の受光素子の各々から前記受光面に入射した前記反射光の光量を示す受光信号を読み出す読出回路と、前記読出回路が読み出した前記受光信号に基づいて前記対象物の画像を生成する生成回路とを備え、前記複数の第２電極は複数のグループに分けられ、前記第１の駆動回路は、前記複数の第２電極を前記グループ単位で順次選択し、前記読出回路は、前記第１の駆動回路が前記グループ単位で選択を行うごとに全ての前記受光素子から前記受光信号を読み出し、前記生成回路は、前記第１の駆動回路が前記グループ単位で選択を行うごとに、前記読出回路が読み出した全ての前記受光信号から、前記対象物側から平面視した場合に、少なくとも前記第１の駆動回路が選択した１以上の前記第２電極に隣り合う前記受光素子から読み出した前記受光信号を除き、残りの前記受光信号に基づいて前記対象物の画像を生成するようにしてもよい。

この構成によれば、対象物側から平面視した場合に、第１の駆動回路が選択した１以上の第２電極に隣り合う受光素子からの受光信号、すなわち発光層のうち照射光を発光した部分の近傍に位置する受光素子からの受光信号を使用せずに対象物の画像を生成することができる。従って、生体の一部に近赤外光を照射し、その反射光の受光結果から静脈像を生成する場合に、生体の表面（表皮）で反射した表面反射光によって静脈像の画質が低下することを防ぐことができる。

また、第３の態様に係るセンシング装置において、前記複数の第２電極のうち、前記発光層を発光させるための駆動信号を供給する対象として１以上の前記第２電極を選択する第１の駆動回路と、前記複数の受光素子の各々から前記受光面に入射した前記反射光の光量を示す受光信号を読み出す読出回路と、前記読出回路が読み出した前記受光信号に基づいて前記対象物の画像を生成する生成回路とを備え、前記複数の第２電極は複数のグループに分けられ、前記第１の駆動回路は、前記複数の第２電極を前記グループ単位で順次選択し、前記読出回路は、前記第１の駆動回路が前記グループ単位で選択を行うごとに、前記対象物側から平面視した場合に、少なくとも前記第１の駆動回路が選択した１以上の前記第２電極に隣り合う前記受光素子を除き、残りの前記受光素子から前記受光信号を読み出すようにしてもよい。

この場合も、発光層のうち照射光を発光した部分の近傍に位置する受光素子からの受光信号を使用せずに対象物の画像を生成することができる。従って、照射光や反射光として近赤外光を用いて静脈像を生成する場合に、表面反射光によって静脈像の画質が低下することを防ぐことができる。また、表面反射光が入射した受光素子から受光信号を読み出さずに済むので、センシング装置の消費電力を低減することもできる。

また、第４の態様に係るセンシング装置において、前記複数の第２電極のうち、前記発光層を発光させるための駆動信号を供給する対象として１以上の前記第２電極を選択する第１の駆動回路と、前記複数の第１電極のうち、前記駆動信号を供給する対象として１以上の前記第１電極を選択する第２の駆動回路と、前記複数の受光素子の各々から前記受光面に入射した前記反射光の光量を示す受光信号を読み出す読出回路と、前記読出回路が読み出した前記受光信号に基づいて前記対象物の画像を生成する生成回路とを備え、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極は複数のグループに分けられ、前記第１の駆動回路は、前記複数の第２電極を前記グループ単位で順次選択し、前記第２の駆動回路は、前記複数の第１電極を前記グループ単位で順次選択し、前記読出回路は、前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路が前記グループ単位で選択を行うごとに全ての前記受光素子から前記受光信号を読み出し、前記生成回路は、前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路が前記グループ単位で選択を行うごとに、前記読出回路が読み出した全ての前記受光信号から、前記対象物側から平面視した場合に、少なくとも、前記第１の駆動回路が選択した１以上の前記第２電極と、前記第２の駆動回路が選択した１以上の前記第１電極とが重なる部分に最も近い前記受光素子から読み出した前記受光信号を除き、残りの前記受光信号に基づいて前記対象物の画像を生成するようにしてもよい。

この構成であっても、対象物側から平面視した場合に、第１の駆動回路が選択した１以上の第２電極と、第２の駆動回路が選択した１以上の第１電極とが重なる部分に最も近い受光素子からの受光信号、すなわち発光層のうち照射光を発光した部分に最も近い受光素子からの受光信号を使用せずに対象物の画像を生成することができる。従って、照射光や反射光として近赤外光を用いて静脈像を生成する場合に、表面反射光によって静脈像の画質が低下することを防ぐことができる。

また、第４の態様に係るセンシング装置において、前記複数の第２電極のうち、前記発光層を発光させるための駆動信号を供給する対象として１以上の前記第２電極を選択する第１の駆動回路と、前記複数の第１電極のうち、前記駆動信号を供給する対象として１以上の前記第１電極を選択する第２の駆動回路と、前記複数の受光素子の各々から前記受光面に入射した前記反射光の光量を示す受光信号を読み出す読出回路と、前記読出回路が読み出した前記受光信号に基づいて前記対象物の画像を生成する生成回路とを備え、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極は複数のグループに分けられ、前記第１の駆動回路は、前記複数の第２電極を前記グループ単位で順次選択し、前記第２の駆動回路は、前記複数の第１電極を前記グループ単位で順次選択し、前記読出回路は、前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路が前記グループ単位で選択を行うごとに、前記対象物側から平面視した場合に、少なくとも、前記第１の駆動回路が選択した１以上の前記第２電極と、前記第２の駆動回路が選択した１以上の前記第１電極とが重なる部分に最も近い前記受光素子を除き、残りの前記受光素子から前記受光信号を読み出すようにしてもよい。

この場合も、発光層のうち照射光を発光した部分の近傍に位置する受光素子からの受光信号を使用せずに対象物の画像を生成することができる。従って、照射光や反射光として近赤外光を用いて静脈像を生成する場合に、表面反射光によって静脈像の画質が低下することを防ぐことができる。また、表面反射光が入射した受光素子から受光信号を読み出さずに済むので、センシング装置の消費電力を低減することもできる。

また、上述したいずれかのセンシング装置において、前記発光層は近赤外光を発する構成であってもよい。つまり、照射光や反射光は近赤外光であってもよい。この場合、生体の一部に近赤外光を照射し、その反射光を受光することで静脈像を生成することができる。

また、本発明に係る電子機器は、上述したいずれかのセンシング装置を備える。電子機器には、例えば、静脈、指紋、網膜、虹彩等に基づいて生体認証を行う各種の生体認証装置の他、イメージスキャナー、複写機、ファクシミリ、バーコードリーダー等の画像読取装置が含まれる。また、電子機器は、生体認証機能を備えたパーソナルコンピューターや携帯電話機等であってもよい。

第１実施形態に係る生体認証装置の構成を示すブロック図である。 センシングユニットの断面図である。 陰極と受光素子の配置を示す平面図である。 １つの受光素子に着目した場合の各層の配置を示す模式図である。 第２実施形態に係り、陰極と受光素子の配置を示す平面図である。 １つの受光素子に着目した場合の各層の配置を示す模式図である。 第３実施形態に係り、陽極と陰極と受光素子の配置を示す平面図である。 １つの受光素子に着目した場合の各層の配置を示す模式図である。 第４実施形態に係る生体認証装置の発光部の回路構成を示す図である。 受光部の回路構成を示す図である。 静脈像の生成動作について説明するための図である。 第４実施形態の変形例について説明するための図である。 第５実施形態に係る生体認証装置の発光部の回路構成を示す図である。 静脈像の生成動作について説明するための図である。 第６実施形態に係り、照射光の発光範囲と受光信号の読出範囲を示す図である。 第６実施形態の変形例について説明するための図である。 センシングユニットの断面図（変形例）である。 センシングユニットの断面図（変形例）である。 陽極と陰極と受光素子の配置の変形例を示す図である。

以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面において各層や各部材の寸法の比率は実際のものと適宜異なる。
＜Ａ．第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る生体認証装置１の構成を示すブロック図である。
同図に示す生体認証装置１は、指Ｆの静脈像を撮像して本人認証を行う装置であり、センシングユニット２と、記憶部４０と、制御部５０と、出力部６０とを備える。また、センシングユニット２は、カバーガラス１０と、発光部２０と、受光部３０とを備える。カバーガラス１０は、撮像領域を覆うガラスの保護カバーである。このカバーガラス１０の上に認証対象となる者の指Ｆ（例えば右手の人差し指）が置かれる。発光部２０は、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescent）材料で形成された発光層と、陽極と、陰極と、絶縁層とを備え、指Ｆに照射する照射光ＩＬを発する。照射光ＩＬは近赤外光であり、その波長は、例えば７５０〜３０００ｎｍ（より好ましくは８００〜９００ｎｍ）である。

発光部２０から出射された照射光ＩＬ（近赤外光）は、カバーガラス１０の下側から指Ｆに照射され、指Ｆの内部に到達すると散乱し、その一部が反射光ＲＬとして受光部３０側に向かう。静脈を流れる還元ヘモグロビンは近赤外光を吸収する性質がある。このため近赤外光用のイメージセンサーを用いて指Ｆを撮像すると、指Ｆの皮下にある静脈部分が周辺組織に比べて暗く写る。この明暗の差による紋様が静脈像となる。受光部３０は、近赤外光用のイメージセンサーであり、マトリクス状に配列された複数の受光素子を備える。各受光素子は、入射光（指Ｆからの反射光ＲＬ）をその光量に応じた信号レベルを有する電気信号（受光信号）に変換する。

なお、発光部２０や受光部３０の具体的な構造については後述するが、図１に示すように発光部２０と受光部３０は、カバーガラス１０の上に置かれた指Ｆに対して同じ側（図中下側）に位置する。また、発光部２０は受光部３０よりもカバーガラス１０側（図中上側）に位置する。

記憶部４０は、フラッシュメモリやハードディスク等の不揮発性メモリであり、本人認証用のマスター静脈像として、事前に登録された指Ｆ（例えば右手の人差し指）の静脈像が記憶されている。制御部５０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）を備え、発光部２０の点灯や消灯を制御する。また、制御部５０は、受光部３０に備わる各受光素子から受光信号を読み出し、読み出した１フレーム分（撮像領域分）の受光信号に基づいて指Ｆの静脈像を生成する。また、制御部５０は、生成した静脈像を記憶部４０に登録されているマスター静脈像と照合し、本人認証を行う。例えば、制御部５０は、照合する２つの静脈像の特徴（例えば静脈の枝分かれの数や位置等）を比較し、類似度が予め定められた閾値以上であった場合に、カバーガラス１０の上に指Ｆを置いた者が記憶部４０にマスター静脈像が登録されている本人であると認証する。出力部６０は、例えば表示部や音声報知部であり、表示や音声によって認証結果を報知する。

図２は、センシングユニット２の断面図である。
同図において受光部３０（近赤外光用のイメージセンサー）の上面には、複数の受光素子Ｄがマトリクス状に配置されている。各受光素子Ｄは、受光面に入射された反射光ＲＬ（近赤外光）をその光量に応じた信号レベルを有する受光信号に変換する。また、受光部３０の上側に対向配置された対向基板ＧＳは、例えば透明なガラスや透明なプラスチック等、近赤外光に対して透過性の高い材料で形成されている。この対向基板ＧＳの上側には、撮像領域の全面にわたってレンズアレイＬＡとカバーガラス１０が設けられている。レンズアレイＬＡとカバーガラス１０は、近赤外光に対して透過性の高い材料で形成されている。レンズアレイＬＡは複数のマイクロレンズＭＬをマトリクス状に並べたものである。マイクロレンズＭＬの配列ピッチは受光素子Ｄの配列ピッチと同じであり、各マイクロレンズＭＬは、指Ｆからの反射光ＲＬを真下に位置する受光素子Ｄの受光面に結像する。

一方、対向基板ＧＳの下側には、発光部２０と複数の遮光層ＢＭが設けられている。まず、対向基板ＧＳの下面には、撮像領域の全面にわたって陽極２２が形成されている。陽極２２は、有機ＥＬ層２６（または遮光層ＢＭと絶縁層２８と有機ＥＬ層２６）を挟んで陰極２４と対向する膜体の電極（導電体）であり、近赤外光に対して透過性が高く、かつ導電性の高い材料で形成されている。一方、陰極２４は、複数の受光素子Ｄの各々と対応する位置に開口部が設けられた電極（導電体）であり、近赤外光に対して遮光性が高く、かつ導電性の高い材料で形成されている。また、陰極２４の下側や陰極２４の各開口部は、近赤外光に対して透過性の高い材料で形成された封止層２９で覆われている。なお、図３は、陰極２４と受光素子Ｄの配置を示す平面図である。同図に示すように、陰極２４に設けられた各開口部の形状は正方形であり、陰極２４はカバーガラス１０側から平面視したとき井桁状の形状を有する。開口部の配列ピッチは受光素子Ｄの配列ピッチと同じであり、開口部と受光素子Ｄ（受光面）は１対１で対応する。また、各々の開口部内に受光素子Ｄ（受光面）が１つずつ含まれる。なお、陰極２４は透明電極と遮光層で構成されていてもよい。すなわち、近赤外光に対して透過性が高く、かつ導電性の高い材料で形成された井桁状の透明電極と、近赤外光に対して遮光性が高い材料で形成された井桁状の遮光層とを重ね合わせて陰極２４を構成してもよい。

図２に戻り、陽極２２の下面には、陰極２４に設けられた各開口部と対応する位置に遮光層ＢＭが設けられている。各遮光層ＢＭは、近赤外光に対して遮光性の高い材料で形成され、受光素子Ｄの受光面と対応する位置に開口部が設けられている。各受光素子Ｄの受光面の中心は、真上に位置する遮光層ＢＭの開口部に含まれる。各遮光層ＢＭ（各開口部）は、真上に位置するマイクロレンズＭＬを透過してきた反射光ＲＬを、真下に位置にする受光素子Ｄの受光面に入射させる。

また、各遮光層ＢＭは、遮光層ＢＭごとに絶縁層２８によって覆われている。各絶縁層２８は、近赤外光に対して透過性が高く、かつ絶縁性の高い材料で形成されている。各絶縁層２８は、陽極２２と陰極２４を部分的に絶縁し、有機ＥＬ層２６に近赤外光を発光しない非発光領域を形成する。なお、各絶縁層２８は陰極２４の各開口部に対応する位置に設けられているので、有機ＥＬ層２６のうち各受光素子Ｄの受光面に対応する位置とその周辺を非発光領域にする。つまり、各受光素子Ｄの受光面に入射する反射光ＲＬの光路上（各受光素子Ｄの受光面からＺ軸方向に延びる直線上）には、有機ＥＬ層２６のうち近赤外光を発光する発光領域が存在しない。

有機ＥＬ層２６は、近赤外光に対して透過性が高い有機ＥＬ材料で形成された発光層であり、撮像領域の全面にわたって形成されている。有機ＥＬ層２６は、電流を供給することで正孔と電子が結合し、近赤外光を発する。また、有機ＥＬ層２６は陽極２２と陰極２４で挟まれた部分が発光するが、絶縁層２８が形成された部分は陽極２２と陰極２４が絶縁されるので、図２に示すように有機ＥＬ層２６のうちハッチングで示す部分（陽極２２と陰極２４で直接挟まれた部分）が近赤外光を発光する発光領域になり、それ以外の部分は非発光領域になる。このように有機ＥＬ層２６には発光領域と非発光領域が存在する。なお、有機ＥＬ層２６の発光領域は、カバーガラス１０側から平面視したとき、図３においてハッチングで示す部分になる。同図に示すように発光領域は各受光素子Ｄの周囲を取り囲むように形成されるので、指Ｆに対して均一な強度の近赤外光（照射光ＩＲ）を照射することができる。

図４は、１つの受光素子Ｄに着目した場合の各層の配置を示す模式図である。
同図において最下層に位置する受光素子Ｄの受光面は円形の形状を有する。また、その上には、受光素子Ｄの受光面よりも大きな正方形の開口部を有する陰極２４が設けられている。一方、最上層には全面にわたって陽極２２が設けられ、その下には、陰極２４の開口部よりも大きな正方形の外形を有する遮光層ＢＭが設けられている。遮光層ＢＭの中心には受光素子Ｄの受光面よりも小さな円形の開口部が設けられており、この開口部以外の部分が遮光層ＢＭと陰極２４によって遮光される。このように遮光層ＢＭと陰極２４は、カバーガラス１０側から平面視したとき、遮光層ＢＭの開口部以外の部分を覆い、受光素子Ｄの受光窓として機能する。また、遮光層ＢＭの下には絶縁層２８が設けられている。絶縁層２８は、遮光層ＢＭよりも大きな外形（正方形）を有し、遮光層ＢＭの全面を覆う。また、絶縁層２８の下には全面にわたって有機ＥＬ層２６が設けられている。有機ＥＬ層２６は、陽極２２と陰極２４に挟まれ、かつ絶縁層２８によって絶縁されていない部分が発光する。従って、同図に示す有機ＥＬ層２６のうちハッチングで示す周辺部分が発光領域になり、その内側部分が非発光領域になる。

図４からも明らかとなるように、有機ＥＬ層２６のうち受光素子Ｄの受光面に対応する位置とその周辺は非発光領域になる。従って、受光素子Ｄの受光面に入射する反射光ＲＬの光路上には、反射光ＲＬよりも光量が大きい照射光ＩＬを発光する発光領域が存在しない。また、遮光層ＢＭと陰極２４によって遮光層ＢＭの開口部以外の部分が遮光されるので、受光素子Ｄの受光面には、真上に位置するマイクロレンズＭＬを透過してきた反射光ＲＬが入射され、隣のマイクロレンズＭＬ等から斜めに入射してきた反射光ＲＬ（散乱光）が受光素子Ｄの受光面に入射するのを抑制することができる。

次に、生体認証装置１の動作について説明する。
制御部５０は、図示を省略した接触センサー等を用いてカバーガラス１０の上に指Ｆが置かれたことを検知すると、陽極２２と陰極２４の間に電流を供給し、有機ＥＬ層２６（発光領域）を発光させる。有機ＥＬ層２６から出射された照射光ＩＬ（近赤外光）は、陽極２２、対向基板ＧＳ、レンズアレイＬＡ、カバーガラス１０を介して指Ｆに照射され、指Ｆの内部に到達すると散乱し、その一部が反射光ＲＬとして受光部３０側に向かう。また、指Ｆからの反射光ＲＬの一部が、カバーガラス１０、レンズアレイＬＡ、対向基板ＧＳ、陽極２２、遮光層ＢＭの開口部、絶縁層２８、有機ＥＬ層２６（非発光領域）、陰極２４の開口部、封止層２９を介して受光素子Ｄの受光面に入射される。各受光素子Ｄは、受光面に入射された反射光ＲＬをその光量に応じた信号レベルを有する受光信号に変換する。制御部５０は、各受光素子Ｄから受光信号を読み出し、読み出した１フレーム分の受光信号に基づいて指Ｆの静脈像を生成する。また、制御部５０は、生成した静脈像を記憶部４０に登録されているマスター静脈像と照合して本人認証を行い、認証結果を出力部６０から出力する。

以上説明したように本実施形態によれば、有機ＥＬ層２６のうち各受光素子Ｄの受光面に対応する位置とその周辺は非発光領域になる。従って、各受光素子Ｄの受光面に入射する反射光ＲＬの光路上には、反射光ＲＬよりも光量が大きい照射光ＩＬを発光する発光領域が存在しない。また、各遮光層ＢＭと陰極２４によって各遮光層ＢＭの開口部以外の部分が遮光される。従って、各受光素子Ｄの受光面には真上に位置するマイクロレンズＭＬを透過してきた反射光ＲＬが入射され、隣のマイクロレンズＭＬ等から斜めに入射してきた反射光ＲＬ（散乱光）の入射を抑制することができる。また、有機ＥＬ層２６（発光領域）から出射された照射光ＩＬが陰極２４の開口部を通って各受光素子Ｄの受光面に直接入射することも陰極２４と各遮光層ＢＭによって抑制することができる。よって、各受光素子Ｄにおいて指Ｆからの反射光ＲＬを精度よく受光することが可能になるので、静脈像の撮像精度を高めることができる。また、陽極２２、陰極２４、有機ＥＬ層２６、絶縁層２８、遮光層ＢＭを設ける必要があるものの、これらの各要素は極めて薄く形成することができるので、特許文献１に記載された発明に比べ、生体認証装置１（センシングユニット２）のＺ軸方向の厚さを薄くすることができる。

＜Ｂ．第２実施形態＞
上述した第１実施形態において、複数の開口部を有する１つの陰極２４（図３）を、図５に示すように互いに離間して配置された複数の陰極２４’としてもよい。各陰極２４’は、Ｙ軸方向に延在する帯状の形状を有し、受光部３０に備わる複数の受光素子Ｄと重ならないよう互いに離間して配置される。この場合、第１実施形態における各遮光層ＢＭや各絶縁層２８についても、図５において隣り合う陰極２４’間の離間領域を覆うようにその外形等を変形する必要がある。

図６は、第２実施形態における各層の配置を示す模式図である。
なお、受光素子Ｄと陽極２２は、第１実施形態で説明したものと同じである。同図に示すようにＹ軸方向に延在する２本の陰極２４’は、受光素子Ｄの受光面を挟んでその両隣（図中左右）に位置する。この２本の陰極２４’の離間幅をＷ１としたとき、遮光層ＢＭ’のＸ軸方向の幅Ｗ２はＷ１よりも大きい。遮光層ＢＭ’は、Ｙ軸方向に延在する帯状の外形を有する。また、遮光層ＢＭ’は、受光素子Ｄの受光面に対応する位置に受光面よりも小さな円形の開口部を有する。なお、図５に示したように受光素子ＤはＹ軸方向に沿って複数配列されているから、各遮光層ＢＭ’にもＹ軸方向に沿って複数の開口部が形成されている。

また、絶縁層２８’のＸ軸方向の幅Ｗ３は、遮光層ＢＭ’の幅Ｗ２よりも大きい。絶縁層２８’についても遮光層ＢＭ’と同様にＹ軸方向に延在する帯状の外形を有する。絶縁層２８’と遮光層ＢＭ’は、２本の陰極２４’間の離間領域を覆い、絶縁層２８’と遮光層ＢＭ’の両端（Ｘ軸方向）は両隣の陰極２４’と重なる。また、有機ＥＬ層２６’は全面にわたって分布しているが、陽極２２’と陰極２４’に挟まれ、かつ絶縁層２８’によって絶縁されていない部分が発光する。従って、同図に示すように有機ＥＬ層２６’のうちハッチングで示す両脇部分が発光領域になり、その内側部分が非発光領域になる。なお、本実施形態において複数の陰極２４’には同時に電流が供給される。従って、有機ＥＬ層２６’の発光領域は、カバーガラス１０側から平面視したとき、図５においてハッチングで示す部分になる。

以上の構成であっても、有機ＥＬ層２６’のうち各受光素子Ｄの受光面に対応する位置とその周辺は非発光領域になる。従って、各受光素子Ｄの受光面に入射する反射光ＲＬの光路上には、反射光ＲＬよりも光量が大きい照射光ＩＬを発光する発光領域が存在しない。また、遮光層ＢＭ’とその両脇の２本の陰極２４’によって遮光層ＢＭ’の開口部以外の部分が遮光される。従って、各受光素子Ｄの受光面には、真上に位置するマイクロレンズＭＬを透過してきた反射光ＲＬが入射される。よって、第１実施形態と同様の効果を奏する。

＜Ｃ．第３実施形態＞
上述した第１実施形態において、陰極２４に加え、陽極２２についても図７に示すように互いに離間して配置された複数の陽極２２’としてもよい。各陽極２２’は、Ｘ軸方向に延在する帯状の形状を有し、受光部３０に備わる複数の受光素子Ｄと重ならないよう互いに離間して配置される。

図８は、第３実施形態における各層の配置を示す模式図である。
なお、遮光層ＢＭ’と絶縁層２８’と陰極２４’と受光素子Ｄについては、第２実施形態で説明したものと同じである。同図に示すようにＸ軸方向に延在する２本の陽極２２’は、受光素子Ｄの受光面を挟んでその両隣（図中上下）に位置する。また、陽極２２’間の離間幅は、陰極２４’間の離間幅と同じＷ１になる。有機ＥＬ層２６’は全面にわたって分布しているが、陽極２２’と陰極２４’に挟まれ、かつ絶縁層２８’によって絶縁されていない部分が発光する。従って、同図に示すように有機ＥＬ層２６’のうちハッチングで示す四隅の部分が発光領域になり、その他の部分が非発光領域になる。なお、本実施形態において複数の陽極２２’と複数の陰極２４’には同時に電流が供給される。従って、有機ＥＬ層２６’の発光領域は、カバーガラス１０側から平面視したとき、図７においてハッチングで示す部分になる。

以上の構成であっても、有機ＥＬ層２６’のうち各受光素子Ｄの受光面に対応する位置とその周辺は非発光領域になる。また、遮光層ＢＭ’とその両脇の２本の陰極２４’によって遮光層ＢＭ’の開口部以外の部分が遮光される。従って、第１実施形態と同様の効果を奏する。

＜Ｄ．第４実施形態＞
ところで、各受光素子Ｄの受光面に入射する反射光ＲＬには、指Ｆの表面（表皮）で反射した光が含まれる。このような表面反射光は静脈像の撮像精度を低下させる。そこで、本実施形態では、表面反射光による撮像精度の低下を防ぐことが可能な生体認証装置について説明する。

図９は、第４実施形態に係る生体認証装置の発光部２０Ａの回路構成を示す図である。
同図に示すように発光部２０Ａには、撮像領域の全面を覆う陽極２２と、Ｙ軸方向に延在するｎ本の陰極２４₁〜２４_nが設けられている。なお、以下の説明において各陰極を特に区別する必要がない場合は、陰極２４と記載する。また、本実施形態において、陽極２２と、複数の陰極２４と、有機ＥＬ層２６と、複数の絶縁層２８と、複数の遮光層ＢＭの配置については、上述した第２実施形態と同じである。また、発光部２０Ａには、陰極駆動回路２００が設けられている。陰極駆動回路２００は、制御部５０から供給されるクロック信号と制御信号に従って、ｎ本の陰極２４₁〜２４_nの中から、電流を供給する１または複数の陰極２４を順次選択する。つまり、陰極駆動回路２００によって選択された１以上の陰極２４と、陽極２２との間に電流が供給され、有機ＥＬ層２６が発光する。例えば、陰極駆動回路２００が全ての陰極２４₁〜２４_nを選択している場合、有機ＥＬ層２６の発光領域は図中ハッチングで示す部分になる。

図１０は、受光部３０の回路構成を示す図である。
同図に示すように撮像領域Ｓには、Ｙ方向に延在するｎ本の走査線と、Ｘ方向に延在するｍ本の読出線とが形成され、走査線と読出線との交差に対応してｍ（行）×ｎ（列）個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_mnが配置されている。なお、以下の説明において各受光素子を特に区別する必要がない場合は、受光素子Ｄと記載する。制御部５０は、受光センサー走査回路３００に対してクロック信号と走査用の制御信号を供給する。また、制御部５０は、受光信号読出回路４００に対してクロック信号と読出制御用の制御信号を供給する。受光センサー走査回路３００は、マトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の受光素子Ｄを、走査信号Ｘ１〜Ｘｎを用いて順次選択する。また、受光信号読出回路４００は、受光センサー走査回路３００によって順次選択される１列分（ｍ個）の受光素子Ｄからｍ本の読出線を介して受光信号Ｙ１〜Ｙｍを読み出し、これらを制御部５０に出力する。なお、図１０に示す受光部３０の回路構成は、本実施形態に限らず各実施形態で共通である。

図１１は、静脈像の生成動作について説明するための図である。
ｎ本の陰極２４₁〜２４_nは複数のグループに分けられている。同図に示す例の場合は、３つのグループに分けられており、第１グループには陰極２４₁，陰極２４₄，陰極２４₇…が含まれ、第２グループには陰極２４₂，陰極２４₅，陰極２４₈…が含まれ、第３グループには陰極２４₃，陰極２４₆，陰極２４₉…が含まれる。また、陰極駆動回路２００は、ｎ本の陰極２４₁〜２４_nをグループごとに順次選択する。つまり、同図に示す例の場合、陰極駆動回路２００は、期間Ｔ１において第１グループに属する陰極２４₁，陰極２４₄，陰極２４₇…を選択し、期間Ｔ２において第２グループに属する陰極２４₂，陰極２４₅，陰極２４₈…を選択し、期間Ｔ３において第３グループに属する陰極２４₃，陰極２４₆，陰極２４₉…を選択する。

この場合、期間Ｔ１では、有機ＥＬ層２６のうち陰極２４₁，陰極２４₄，陰極２４₇…に対応する部分がストライプ状に発光し、期間Ｔ２では、有機ＥＬ層２６のうち陰極２４₂，陰極２４₅，陰極２４₈…に対応する部分がストライプ状に発光し、期間Ｔ３では、有機ＥＬ層２６のうち陰極２４₃，陰極２４₆，陰極２４₉…に対応する部分がストライプ状に発光する。

一方、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、陰極駆動回路２００がｎ本の陰極２４₁〜２４_nをグループごとに順次選択する都度、全ての受光素子Ｄ（ｍ×ｎ個）から受光信号を読み出す。従って、制御部５０には、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号と、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号と、期間Ｔ３における１フレーム分の受光信号とが入力される。

ところで、例えば、陰極駆動回路２００が陰極２４₄を選択した場合、有機ＥＬ層２６のうち陰極２４₄に対応する部分がストライプ状に発光するが、この際、陰極２４₄を挟んでその両隣に位置する２列の受光素子Ｄ₁₃〜Ｄ_m3，Ｄ₁₄〜Ｄ_m4の各々については、発光領域からの距離が近いため、受光面に入射する反射光ＲＬに指Ｆの表皮で反射した表面反射光が含まれてしまう。

このため制御部５０は、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ１での各発光領域の近傍に位置する受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りを静脈像生成用の受光信号とする。つまり、制御部５０は、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ１において陰極駆動回路２００が選択していた１列目，４列目，７列目…の各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する１列目，３列目，４列目，６列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる２列目，５列目，８列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

また、制御部５０は、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ２での各発光領域の近傍に位置する受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りを静脈像生成用の受光信号とする。つまり、制御部５０は、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ２において陰極駆動回路２００が選択していた２列目，５列目，８列目…の各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する１列目，２列目，４列目，５列目，７列目，８列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる３列目，６列目，９列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

同様に、制御部５０は、期間Ｔ３における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ３での各発光領域の近傍に位置する受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りを静脈像生成用の受光信号とする。つまり、制御部５０は、期間Ｔ３における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ３において陰極駆動回路２００が選択していた３列目，６列目，９列目…の各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する２列目，３列目，５列目，６列目，８列目，９列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる１列目，４列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

この後、制御部５０は、期間Ｔ１における静脈像生成用の受光信号（２列目，５列目，８列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）と、期間Ｔ２における静脈像生成用の受光信号（３列目，６列目，９列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）と、期間Ｔ３における静脈像生成用の受光信号（１列目，４列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）とを合成し、静脈像を生成する。このように期間Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３における静脈像生成用の受光信号を合成することで、表面反射光が入射した受光素子Ｄからの受光信号を使用せずに静脈像を生成することができるので、表面反射光による撮像精度の低下を防ぎ、静脈像の撮像精度を高めることができる。

なお、ｎ本の陰極２４₁〜２４_nを３つ以上のグループに分けてもよい。例えば、ｎ本の陰極２４₁〜２４_nを４つのグループに分け、第１グループに陰極２４₁，陰極２４₅，陰極２４₉…を含み、第１グループに陰極２４₂，陰極２４₆，陰極２４₁₀…を含み、第３グループに陰極２４₃，陰極２４₇，陰極２４₁₁…を含み、第４グループに陰極２４₄，陰極２４₈，陰極２４₁₂…を含む構成としてもよい。この場合、制御部５０は、例えば、陰極駆動回路２００が第１グループに属する１列目，５列目，９列目…の各陰極２４を選択しているときに読み出した１フレーム分の受光信号から、陰極駆動回路２００が選択していた各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する１列目，４列目，５列目，８列目，９列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる２列目，３列目，６列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

また、ｎ本の陰極２４₁〜２４_nをｎ個のグループに分けてもよい。この場合、制御部５０は、例えば、陰極駆動回路２００が１列目の陰極２４₁を選択しているときに読み出した１フレーム分の受光信号から、陰極２４₁（発光領域）の隣に位置する１列目の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去すると共に、３列目以降の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる２列目の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

ここで、１列目の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去する理由は、表面反射光による撮像精度の低下を防ぐためである。これに対し、３列目以降の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去する理由は、例えば、ｎ−１列目やｎ列目の各受光素子Ｄは、発光領域からの距離が遠いため、反射光ＲＬを受光することができない、あるいは反射光ＲＬを受光することができても静脈像の生成に適したレベルの反射光ＲＬではないためである。このように制御部５０は、１フレーム分の受光信号から静脈像生成用の受光信号を取得する際に、陰極駆動回路２００が選択していた１以上の陰極２４（発光領域）の両隣に位置する各受光素子Ｄから読み出した受光信号だけでなく、発光領域からの距離が遠く、静脈像の生成に適したレベルの反射光ＲＬを得ることができない各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去することもある。

また、図１２に示すように、櫛歯状の形状を有する２つの陰極２４Ａ，２４Ｂを設けると共に、陰極２４Ａと陰極２４Ｂの間の各離間領域に２列ずつ受光素子Ｄを配置することで、２フレーム分の受光信号から１つの静脈像を生成することができる。なお、同図に示す例の場合、陰極駆動回路２００は、期間Ｔ１において陰極２４Ａを選択し、期間Ｔ２において陰極２４Ｂを選択する。また、期間Ｔ１では、有機ＥＬ層２６のうち陰極２４Ａと重なる部分の一部（図中点線で示す領域）が発光し、期間Ｔ２では、有機ＥＬ層２６のうち陰極２４Ｂと重なる部分の一部（図中点線で示す領域）が発光する。

この場合、制御部５０は、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号から、陰極２４Ａの両隣に位置する２列目，３列目，６列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる１列目，４列目，５列目，８列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。また、制御部５０は、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号から、陰極２４Ｂの両隣に位置する１列目，４列目，５列目，８列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる２列目，３列目，６列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

また、制御部５０は、期間Ｔ１における静脈像生成用の受光信号（１列目，４列目，５列目，８列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）と、期間Ｔ２における静脈像生成用の受光信号（２列目，３列目，６列目，７列目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）とを合成し、静脈像を生成する。この場合も、期間Ｔ１，Ｔ２における静脈像生成用の受光信号を合成することで、表面反射光が入射した受光素子Ｄからの受光信号を使用せずに静脈像を生成することができるので、表面反射光による撮像精度の低下を防ぎ、静脈像の撮像精度を高めることができる。また、２フレーム分の受光信号から１つの静脈像を生成することができるので、図１１の場合に比べ、静脈像の生成に要する時間を短縮することや、静脈像の生成に要する消費電力を低減することができる。

また、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００を用いて受光信号を読み出す際に、静脈像生成用の受光信号だけを読み出すようにしてもよい。例えば、図１１に示した例の場合、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、期間Ｔ１において、陰極駆動回路２００が選択している１列目，４列目，７列目…の各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する１列目，３列目，４列目，６列目，７列目…の各受光素子Ｄを読出対象から除外し、その残りとなる２列目，５列目，８列目…の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。

また、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、期間Ｔ２において、陰極駆動回路２００が選択している２列目，５列目，８列目…の各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する１列目，２列目，４列目，５列目，７列目，８列目…の各受光素子Ｄを読出対象から除外し、その残りとなる３列目，６列目，９列目…の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。同様に、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、期間Ｔ３において、陰極駆動回路２００が選択している３列目，６列目，９列目…の各陰極２４（各発光領域）の両隣に位置する２列目，３列目，５列目，６列目，８列目，９列目…の各受光素子Ｄを読出対象から除外し、その残りとなる１列目，４列目，７列目…の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。

また、制御部５０は、期間Ｔ１において読み出した受光信号と、期間Ｔ２において読み出した受光信号と、期間Ｔ３において読み出した受光信号とを合成し、静脈像を生成する。この場合も、表面反射光が入射した受光素子Ｄからの受光信号を使用せずに静脈像を生成することができるので、表面反射光による撮像精度の低下を防ぎ、静脈像の撮像精度を高めることができる。また、受光センサー走査回路３００における走査回数や、受光信号読出回路４００における受光信号の読出数を減らすことができるので、消費電力を低減することもできる。

＜Ｅ．第５実施形態＞
上述した第４実施形態において、陰極２４₁〜２４_nだけでなく陽極２２についても互いに離間して配置された複数の陽極とし、電流を供給する陽極も選択できるようにすることが可能である。

図１３は、第５実施形態に係る生体認証装置の発光部２０Ｂの回路構成を示す図である。同図に示すように発光部２０Ｂには、Ｘ軸方向に延在するｍ本の陽極２２₁〜２２_mと、Ｙ軸方向に延在するｎ本の陰極２４₁〜２４_nが設けられている。なお、以下の説明において各陽極を特に区別する必要がない場合は、陽極２２と記載する。また、本実施形態において、複数の陽極２２と、複数の陰極２４と、有機ＥＬ層２６と、複数の絶縁層２８と、複数の遮光層ＢＭの配置については、上述した第３実施形態と同じである。

また、発光部２０Ｂには、第４実施形態で説明した陰極駆動回路２００の他に、陽極駆動回路２５０が設けられている。陽極駆動回路２５０は、制御部５０から供給されるクロック信号と制御信号に従って、ｍ本の陽極２２₁〜２２_mの中から、電流を供給する１または複数の陽極２２を順次選択する。つまり、陽極駆動回路２５０によって選択された１以上の陽極２２と、陰極駆動回路２００によって選択された１以上の陰極２４との間に電流が供給され、有機ＥＬ層２６が発光する。例えば、陽極駆動回路２５０が全ての陽極２２₁〜２２_mを選択しており、かつ陰極駆動回路２００も全ての陰極２４₁〜２４_nを選択している場合、有機ＥＬ層２６の発光領域は図中ハッチングで示す部分になる。なお、本実施形態における受光部３０の回路構成は、第４実施形態（図１０）と同じでよい。

図１４は、静脈像の生成動作について説明するための図である。
ｍ本の陽極２２₁〜２２_mとｎ本の陰極２４₁〜２４_nは、複数のグループに分けられている。同図に示す例の場合は、３つのグループに分けられており、第１グループには、全ての陰極２４₁〜２４_nと、陽極２２₁，陽極２２₄，陽極２２₇…が含まれる。また、第２グループには、全ての陰極２４₁〜２４_nと、陽極２２₂，陽極２２₅，陽極２２₈…が含まれる。また、第３グループには、全ての陰極２４₁〜２４_nと、陽極２２₃，陽極２２₆，陽極２２₉…が含まれる。

陰極駆動回路２００は、ｎ本の陰極２４₁〜２４_nをグループごとに順次選択する。なお、同図に示す例の場合は、全てのグループに全陰極２４₁〜２４_nが属しているので、陰極駆動回路２００は、期間Ｔ１〜Ｔ３の全てにおいて全陰極２４₁〜２４_nを選択することになる。また、陽極駆動回路２５０は、ｍ本の陽極２２₁〜２２_mをグループごとに順次選択する。つまり、同図に示す例の場合、陽極駆動回路２５０は、期間Ｔ１において第１グループに属する陽極２２₁，陽極２２₄，陽極２２₇…を選択し、期間Ｔ２において第２グループに属する陽極２２₂，陽極２２₅，陽極２２₈…を選択し、期間Ｔ３において第３グループに属する陽極２２₃，陽極２２₆，陽極２２₉…を選択する。

この場合、期間Ｔ１では、有機ＥＬ層２６のうち、全陰極２４₁〜２４_nと、陽極２２₁，陽極２２₄，陽極２２₇…とが重なる部分の一部（図中黒で示す領域）が発光する。また、期間Ｔ２では、有機ＥＬ層２６のうち、全陰極２４₁〜２４_nと、陽極２２₂，陽極２２₅，陽極２２₈…とが重なる部分の一部（図中ハッチングで示す領域）が発光する。また、期間Ｔ３では、有機ＥＬ層２６のうち、全陰極２４₁〜２４_nと、陽極２２₃，陽極２２₆，陽極２２₉…とが重なる部分の一部（図中網掛けで示す領域）が発光する。

一方、受光センサー走査回路３００および受光信号読出回路４００は、陰極駆動回路２００と陽極駆動回路２５０がグループ単位で選択を行う都度、全ての受光素子Ｄ（ｍ×ｎ個）から受光信号を読み出す。従って、制御部５０には、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号と、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号と、期間Ｔ３における１フレーム分の受光信号とが入力される。

制御部５０は、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ１での各発光領域の近傍に位置する受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りを静脈像生成用の受光信号とする。つまり、制御部５０は、期間Ｔ１における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ１において陽極駆動回路２５０が選択していた１行目，４行目，７行目…の各陽極２２の両隣（図中上下）に位置する１行目，３行目，４行目，６行目，７行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる２行目，５行目，８行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

また、制御部５０は、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ２での各発光領域の近傍に位置する受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りを静脈像生成用の受光信号とする。つまり、制御部５０は、期間Ｔ２における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ２において陽極駆動回路２５０が選択していた２行目，５行目，８行目…の各陽極２２の両隣（図中上下）に位置する１行目，２行目，４行目，５行目，７行目，８行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる３行目，６行目，９行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

同様に、制御部５０は、期間Ｔ３における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ３での各発光領域の近傍に位置する受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りを静脈像生成用の受光信号とする。つまり、制御部５０は、期間Ｔ３における１フレーム分の受光信号から、期間Ｔ３において陽極駆動回路２５０が選択していた３行目，６行目，９行目…の各陽極２２の両隣（図中上下）に位置する２行目，３行目，５行目，６行目，８行目，９行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去し、その残りとなる１行目，４行目，７行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号を静脈像生成用の受光信号とする。

この後、制御部５０は、期間Ｔ１における静脈像生成用の受光信号（２行目，５行目，８行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）と、期間Ｔ２における静脈像生成用の受光信号（３行目，６行目，９行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）と、期間Ｔ３における静脈像生成用の受光信号（１行目，４行目，７行目…の各受光素子Ｄから読み出した受光信号）とを合成し、静脈像を生成する。以上の構成であっても、期間Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３における静脈像生成用の受光信号を合成することで、表面反射光が入射した受光素子Ｄからの受光信号を使用せずに静脈像を生成することができるので、第４実施形態と同様の効果を奏する。

なお、第４実施形態の場合と同様に本実施形態においても、ｍ本の陽極２２₁〜２２_mとｎ本の陰極２４₁〜２４_nを３つ以上のグループに分けてもよい。また、制御部５０は、１フレーム分の受光信号から静脈像生成用の受光信号を取得する際に、陽極駆動回路２５０が選択していた１以上の陽極２２と、陰極駆動回路２００が選択していた１以上の陰極２４とが重なる部分（発光領域）の近傍に位置する各受光素子Ｄから読み出した受光信号だけでなく、発光領域からの距離が遠く、静脈像の生成に適したレベルの反射光ＲＬを得ることができない各受光素子Ｄから読み出した受光信号を除去してもよい。

また、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００を用いて受光信号を読み出す際に、静脈像生成用の受光信号だけを読み出すようにしてもよい。例えば、図１４に示した例の場合、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、期間Ｔ１において、陽極駆動回路２５０が選択している１行目，４行目，７行目…の各陽極２２の両隣（図中上下）に位置する１行目，３行目，４行目，６行目，７行目…の各受光素子Ｄを読出対象から除外し、その残りとなる２行目，５行目，８行目…の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。

また、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、期間Ｔ２において、陽極駆動回路２５０が選択している２行目，５行目，８行目…の各陽極２２の両隣（図中上下）に位置する１行目，２行目，４行目，５行目，７行目，８行目…の各受光素子Ｄを読出対象から除外し、その残りとなる３行目，６行目，９行目…の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。同様に、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、期間Ｔ３において、陽極駆動回路２５０が選択している３行目，６行目，９行目…の各陽極２２の両隣（図中上下）に位置する２行目，３行目，５行目，６行目，８行目，９行目…の各受光素子Ｄを読出対象から除外し、その残りとなる１行目，４行目，７行目…の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。

また、制御部５０は、期間Ｔ１において読み出した受光信号と、期間Ｔ２において読み出した受光信号と、期間Ｔ３において読み出した受光信号とを合成し、静脈像を生成する。この場合も、表面反射光が入射した受光素子Ｄからの受光信号を使用せずに静脈像を生成することができるので、表面反射光による撮像精度の低下を防ぎ、静脈像の撮像精度を高めることができる。また、受光センサー走査回路３００における走査回数や、受光信号読出回路４００における受光信号の読出数を減らすことができるので、消費電力を低減することもできる。

＜Ｆ．第６実施形態＞
上述した各実施形態では本発明を生体認証装置に適用した場合について説明したが、原稿等の画像を読み取るイメージスキャナーに本発明を適用することもできる。この場合、照射光ＩＬや反射光ＲＬとして近赤外光の代わりに可視光を用いる。つまり、発光部２０（有機ＥＬ層２６）は、照射光ＩＬとして近赤外光の代わりに可視光を発光し、受光部３０（各受光素子Ｄ）は、反射光ＲＬとして近赤外光の代わりに可視光を受光する。また、カバーガラス１０、レンズアレイＬＡ、対向基板ＧＳ、陽極２２、絶縁層２８、有機ＥＬ層２６および封止層２９は、可視光に対して透過性の高い材料で形成され、陰極２４および遮光層ＢＭは、可視光に対して遮光性の高い材料で形成される。

ところで、本発明を適用したイメージスキャナーが図９に示した発光部２０Ａと図１０に示した受光部３０を備える場合、撮像領域Ｓの上に置かれた原稿のサイズや位置に応じて照射光ＩＬの発光範囲と受光信号の読出範囲を定めることで、消費電力を低減することができる。例えば、撮像領域Ｓに対し、図１５（Ａ）に示すように原稿Ｍが置かれた場合を考える。なお、撮像領域Ｓには、その全面を覆う１つの陽極２２と、Ｙ軸方向に延存する２４０本の陰極２４₁〜２４₂₄₀が設けられているものとする。また、撮像領域Ｓには、１８０（行）×２４０（列）個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_180,240がマトリクス状に配置されているものとする。

この場合、イメージスキャナーは、まず、プリスキャンを行って撮像領域Ｓの上に置かれた原稿Ｍのサイズや位置を検出する。なお、プリスキャンは、本スキャンの前に、本スキャンよりも粗い解像度で原稿Ｍをスキャンすることである。例えば、プリスキャンを行う場合、陰極駆動回路２００は、２４０本の陰極２４₁〜２４₂₄₀の中から、陰極２４₁₀，陰極２４₂₀，陰極２４₃₀，…陰極２４₂₄₀を選択する。つまり、陰極駆動回路２００は、１０本ごとに１本の割合で陰極２４を選択する。これによりプリスキャンを行う場合には、陰極駆動回路２００が選択した計２４本の各陰極２４と、陽極２２との間に電流が供給され、有機ＥＬ層２６が発光する。

、 また、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、プリスキャンを行う場合に、例えば、１０列目，２０列目，３０列目，…２４０列目の各受光素子Ｄから受光信号を読み出す。なお、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、プリスキャンを行う場合に、Ｙ軸方向（行方向）についても、１０行目，２０行目，３０行目，…１８０行目等、適宜間引きを行って受光信号を読み出すことができる。また、制御部５０は、プリスキャンによって読み出した各受光信号に基づいて原稿Ｍが置かれた領域を検出する。例えば、図１５（Ａ）の場合、原稿Ｍが置かれた領域は、Ｘ軸方向が１列目〜１８０列目までの範囲で、Ｙ軸方向が１行目〜１２０行目までの範囲であると検出される。このようにして原稿Ｍが置かれた領域を検出すると、制御部５０は、検出した領域に応じて、本スキャンを行う場合の照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを決定する。

例えば、図１５（Ａ）の場合、照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを図中一点鎖線で示す範囲に決定することができる。この場合、制御部５０は、本スキャンを行う場合に陰極駆動回路２００が選択する陰極２４を、陰極２４₁〜２４₁₈₀に決定する。また、制御部５０は、本スキャンを行う場合に受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００が受光信号を読み出す受光素子Ｄを、１列目〜１８０列目までの計３２４００個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_180,180に決定する。

従って、本スキャンでは、陰極駆動回路２００が陰極２４₁〜２４₁₈₀を選択するので、陰極２４₁₈₁〜２４₂₄₀に対応する部分については有機ＥＬ層２６を発光させずに済む。また、本スキャンでは、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００が１列目〜１８０列目までの計３２４００個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_180,180から受光信号を読み出すので、１８１列目〜２４０列目までの計１０８００個の受光素子Ｄ_1,181〜Ｄ_180,240については受光信号を読み出さずに済む。従って、イメージスキャナーの消費電力を低減することができる。

なお、図１５（Ａ）の場合、制御部５０は、本スキャンを行う場合に受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００が受光信号を読み出す受光素子Ｄを、１列目〜１８０列目で、かつ１行目〜１２０行目までの計２１６００個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_120,180に決定することもできる。この場合、受光信号の読出範囲ＲＡを狭めることができるので、消費電力をさらに低減できる。

また、本発明を適用したイメージスキャナーが図１３に示した発光部２０Ｂと図１０に示した受光部３０を備える場合についても、撮像領域Ｓの上に置かれた原稿のサイズや位置に応じて照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを定めることで、消費電力を低減することができる。例えば、撮像領域Ｓに対し、図１５（Ｂ）に示すように原稿Ｍが置かれた場合を考える。なお、撮像領域Ｓには、Ｘ軸方向に延存する１８０本の陽極２２₁〜２２₁₈₀と、Ｙ軸方向に延存する２４０本の陰極２４₁〜２４₂₄₀が設けられているものとする。また、撮像領域Ｓには、１８０（行）×２４０（列）個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_180,240がマトリクス状に配置されているものとする。

この場合もイメージスキャナーは、プリスキャンを行って撮像領域Ｓ上に置かれた原稿Ｍのサイズや位置を検出する。例えば、陰極駆動回路２００は、前述したようにプリスキャンを行う場合、陰極２４₁₀，陰極２４₂₀，陰極２４₃₀，…陰極２４₂₄₀を選択する。また、陽極駆動回路２５０は、プリスキャンを行う場合、１８０本の陽極２２₁〜２２₁₈₀の中から、例えば、陽極２２₁₀，陽極２２₂₀，陽極２２₃₀，…陽極２２₁₈₀を選択する。つまり、陽極駆動回路２５０についても１０本ごとに１本の割合で陽極２２を選択する。これによりプリスキャンを行う場合には、陽極駆動回路２５０が選択した計１８本の各陽極２２と、陰極駆動回路２００が選択した計２４本の各陰極２４との間に電流が供給され、有機ＥＬ層２６が発光する。

また、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００は、プリスキャンを行う場合に、１０列目，２０列目，３０列目，…２４０列目の各走査線と、１０行目，２０行目，３０行目，…１８０行目の各読出線とが交差する位置にある計４３２個の受光素子Ｄから受光信号を読み出す。また、制御部５０は、プリスキャンによって読み出した各受光信号に基づいて原稿Ｍが置かれた領域を検出し、検出した領域に応じて本スキャンを行う場合の照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを決定する。

例えば、図１５（Ｂ）の場合、照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを図中一点鎖線で示す範囲に決定することができる。この場合、制御部５０は、本スキャンを行う場合に陰極駆動回路２００が選択する陰極２４を、陰極２４₁〜２４₁₈₀に決定する。また、制御部５０は、本スキャンを行う場合に陽極駆動回路２５０が選択する陽極２２を、陽極２２₁〜２２₁₂₀に決定する。また、制御部５０は、本スキャンを行う場合に受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００が受光信号を読み出す受光素子Ｄを、１列目〜１８０列目で、かつ１行目〜１２０行目までの計２１６００個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_120,180に決定する。

従って、本スキャンでは、陰極駆動回路２００が陰極２４₁〜２４₁₈₀を選択し、陽極駆動回路２５０が陽極２２₁〜２２₁₂₀を選択するので、陰極２４₁₈₁〜２４₂₄₀に対応する部分と陽極２２₁₂₁〜２２₁₈₀に対応する部分については有機ＥＬ層２６を発光させずに済む。また、本スキャンでは、受光センサー走査回路３００と受光信号読出回路４００が、１列目〜１８０列目で、かつ１行目〜１２０行目までの計２１６００個の受光素子Ｄ₁₁〜Ｄ_120,180から受光信号を読み出すので、１８１列目〜２４０列目までの各受光素子Ｄと１２１行目〜１８０行目までの各受光素子Ｄ（合計２１６００個）については受光信号を読み出さずに済む。従って、図１５（Ａ）の場合に比べ、照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを狭めることができるので、消費電力をさらに低減することができる。

なお、プリスキャンを行って照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを決定した後、本スキャンを行う場合に、上述した第４，第５実施形態で説明した表面反射光の影響を排除する駆動（発光制御と読出制御）を行うことで、静脈像の撮像精度を高めることができる。また、例えば、図１６に示すように撮像領域Ｓが予め１２個の分割領域Ｓ１〜Ｓ１２に区分されており、プリスキャンを行った結果、原稿Ｍの置かれた領域が分割領域Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ５〜Ｓ７であった場合は、照射光ＩＲの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを分割領域Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ５〜Ｓ７，Ｓ９〜Ｓ１１（または分割領域Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ５〜Ｓ７）に決定し、本スキャンを行うようにしてもよい。

また、生体認証装置においても、プリスキャンを行って撮像領域Ｓのうち指Ｆが置かれた領域を検出し、検出した領域に応じて本スキャンを行う場合の照射光ＩＬの発光範囲ＬＡと受光信号の読出範囲ＲＡを決定することで、消費電力を低減することができる。

＜Ｇ．変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下の変形が可能である。また、以下に示す２以上の変形を適宜組み合わせることもできる。

［変形例１］
例えば、受光量（積算量）による受光素子Ｄの光電変換特性の変化を補正するため、あるいは反射光ＲＬが全く入射されていない状態における受光信号の値を基準値として取得するため、撮像領域の端部等に、受光面の上側が遮光層ＢＭで完全に覆われた受光素子Ｄが設けられていてもよい。このように必ずしも全ての受光素子Ｄに対して本発明に係る構造が適用されている必要はなく、少なくとも１以上の受光素子Ｄに対して本発明に係る構造が適用されていればよい。つまり、第１実施形態の場合、陰極２４の開口部、受光素子Ｄ、遮光層ＢＭ（開口部）および絶縁層２８は、少なくとも１つずつ以上あればよい。また、第２実施形態の場合、陰極２４’は少なくとも２つ以上あればよく、受光素子Ｄと遮光層ＢＭ’（開口部）と絶縁層２８’は少なくとも１つずつ以上あればよい。

［変形例２］
遮光層ＢＭは、近赤外光に対して遮光性が高く、かつ絶縁性の高い部材で形成されていてもよい。また、遮光層ＢＭや陰極２４は、近赤外光に対して反射性が低い材料で形成されているのが望ましい。また、図１７に示すように遮光層ＢＭと絶縁層２８を有機ＥＬ層２６の下側に設けてもよい。また、この構成において有機ＥＬ層２６の上側にも第２の絶縁層を併せて設けてもよい。また、図１８に示すように遮光層ＢＭを対向基板ＧＳの下面に設けてもよい。また、陽極２２と陰極２４の極性を逆にしてもよい。また、発光層として、有機ＥＬ層２６の他に、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が含まれていてもよいし、発光層は、有機ＥＬ材料でなく無機ＥＬ材料や発光ポリマー等で形成されていてもよい。また、発光層は、電圧の印加によって光を発する電圧駆動型であってもよい。また、受光素子Ｄの受光面や遮光層ＢＭの開口部の形状は、円形に限らず、楕円、矩形、六角形等、任意の形状にすることができる。陰極２４の開口部の形状や、遮光層ＢＭの形状（外形）、絶縁層２８の形状（外形）についても、正方形や長方形に限らず任意の形状であってよい。また、受光素子Ｄの受光面の大きさと遮光層ＢＭの開口部の大きさは、開口部の方が受光面より大きくてもよいし、両者が同じ大きさであってもよい。また、カバーガラス１０側から平面視したとき、受光素子Ｄの受光面の中心（または重心）が遮光層ＢＭの開口部内に位置することが望ましいが、少なくとも受光面の一部が開口部内に位置していればよい。また、受光素子Ｄや開口部の配列パターンはマトリクス状に限定されない。例えば、チェス柄（市松模様）における黒または白の配列パターンとなるように受光素子Ｄや開口部を並べてもよい。また、スイープ型の生体認証装置に本発明を適用してもよい。この場合、例えば図１９（Ａ）や図１９（Ｂ）に示すように、複数の受光素子ＤはＸ軸方向に沿って一列に並んでいればよい。また、この場合、各遮光層ＢＭには開口部が１つだけ設けられていればよい。これらの変形は上述した各実施形態に適用可能である。

［変形例３］
静脈認証の対象となる生体の部位は、手のひら、手の甲、眼等であってもよい。また、近赤外光以外の光を遮光するバンドパスフィルター（光学フィルター）を設けてもよい。例えば、バンドパスフィルターは、対向基板ＧＳと陽極２２の間や、カバーガラス１０とレンズアレイＬＡの間に設けることができる。また、近赤外光の代わりに可視光を使用し、指紋や虹彩に基づいて生体認証を行う生体認証装置に本発明を適用することもできる。この場合、発光部２０（有機ＥＬ層２６）は、照射光ＩＬとして可視光を発光する。また、受光部３０（各受光素子Ｄ）は、反射光ＲＬとして可視光を受光する。また、カバーガラス１０、レンズアレイＬＡ、対向基板ＧＳ、陽極２２、絶縁層２８、有機ＥＬ層２６および封止層２９は、可視光に対して透過性の高い材料で形成され、陰極２４および遮光層ＢＭは、可視光に対して遮光性の高い材料で形成される。これらの変形は第６実施形態を除く各実施形態に適用可能である。

［変形例４］
例えば、生体認証機能を有するパーソナルコンピューターや携帯電話機等に本発明を適用することができる。また、イメージスキャナーの他に、複写機、ファクシミリ、バーコードリーダー等の画像読取装置に本発明を適用することもできる。なお、画像読取装置に本発明を適用する場合も、照射光ＩＬや反射光ＲＬとして近赤外光の代わりに可視光を用いることになる。

１…生体認証装置（センシング装置）、２，２Ａ，２Ｂ…センシングユニット（センシング装置）、１０…カバーガラス、２０，２０Ａ，２０Ｂ…発光部、３０…受光部、４０…記憶部、５０…制御部（制御回路，生成回路）、６０…出力部、Ｆ…指（対象物）、ＩＬ…照射光、ＲＬ…反射光、Ｄ，Ｄ₁₁〜Ｄ_mn…受光素子、ＧＳ…対向基板、２２，２２’，２２₁〜２２_m…陽極（第１電極）、２４，２４’，２４₁〜２４_n，２４Ａ，２４Ｂ…陰極（第２電極、第３電極）、２６，２６’…有機ＥＬ層（発光層）、ＢＭ，ＢＭ’…遮光層、２８，２８’…絶縁層、２９…封止層、ＬＡ…レンズアレイ、ＭＬ…マイクロレンズ、２００…陰極駆動回路（第１の駆動回路）、２５０…陽極駆動回路（第２の駆動回路）、３００…受光センサー走査回路（読出回路）、４００…受光信号読出回路（読出回路）、Ｓ…撮像領域（読取領域）、Ｘ１〜Ｘｎ…走査信号、Ｙ１〜Ｙｍ…受光信号、Ｔ１〜Ｔ３…期間、Ｍ…原稿（対象物）、ＬＡ…発光範囲、ＲＡ…読出範囲、Ｓ１〜Ｓ１２…分割領域。

Claims (5)

1. 発光部、受光部、遮光層、対向基板およびカバーガラスを備え、前記カバーガラス上に位置する生体に対して前記発光部から光を照射し、前記生体からの反射光を前記受光部で受光し、静脈像を撮像する静脈像撮像装置において、
   前記発光部は前記対向基板に直交する第一方向において前記カバーガラスと前記受光部との間に設けられ、
   前記対向基板は前記第一方向において前記発光部と前記カバーガラスとの間に設けられ、
   前記発光部は、
   照射光を発する発光層と、
   前記第一方向において前記発光層と前記対向基板との間に位置し、前記照射光および前記反射光を透過する第一電極と、
   前記第一方向において前記発光層と前記受光部との間に位置し、前記照射光および前記反射光を遮光する第二電極であって、第一の開口部を含む第二電極と、
   前記対向基板は前記照射光および前記反射光を透過し、
   前記受光部は前記反射光を受光する受光素子を備え、
   前記遮光層は前記第一方向において前記対向基板と前記受光部との間に位置し、前記第一方向から見た平面視において前記発光層の発光領域を除いて形成され、
   前記遮光層は第二の開口部を含み、該第二の開口部を除く前記遮光層が前記照射光および前記反射光を遮光し、
   前記第一方向において前記第一電極と前記第二電極との間に設けられ、該第一電極と該第二電極とを部分的に絶縁する絶縁層であって、前記反射光を透過する絶縁層と、
   前記第一方向から見た平面視において前記遮光層の一部が前記第一の開口部と重なり、前記受光素子の受光面が前記第二の開口部内に位置することを特徴とする静脈像撮像装置。
2. 前記遮光層は、前記第一電極のうち前記対向基板に対向する面から前記第二電極までの間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静脈像撮像装置。
3. 複数の前記受光素子を含み、前記カバーガラス上の生体からの反射光を受光可能な読取領域のうち前記生体が置かれた領域を検出し、検出結果に基づいて前記照射光の発光範囲と前記反射光の受光範囲を決定することを特徴とする請求項１または２に記載の静脈像撮像装置。
4. 前記発光層は近赤外光を発することを特徴する請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の静脈像撮像装置。
5. 請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の静脈像撮像装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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