JP6086631B2 - プラズマ生成用電源装置およびその制御方法 - Google Patents

プラズマ生成用電源装置およびその制御方法 Download PDF

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Description

本発明は、プラズマを生成するために用いられる高周波電源装置であるプラズマ生成用電源装置に関する。
例えば、IC、LSI等の半導体装置の製造工程においては、プラズマエッチング装置が用いられている。このようなプラズマ装置においては、プラズマを生成するために用いられる高周波電源装置であるプラズマ生成用電源装置が用いられる。 従来の高周波電源装置の機能構成を示すブロック図の図7を用いて、従来の高周波電源装置を説明する。
図7に示すように、従来の高周波電源装置は、発振部11と、変調部12と、レベル調整部13と、電力増幅器14と、出力電力検出部15と、制御部16とを備えている。そして、レベル調整部13は、レベル調整回路13aと、D/A変換器13bとを備えている。出力電力検出部15は、方向性結合器15aと、検波器15bと、A/D変換器15cとを備えている。
図7に示すように、発振部11から発信された高周波信号であるRF信号11sに、変調部12でパルス変調をかけ、レベル調整部13で電力レベルを調整したのち、電力増幅器14に入力する。電力増幅器14の出力は、出力電力検出部15を介し、プラズマ負荷20へと出力される。
出力電力検出部15は、方向性結合器15aにより取り出した電力増幅器14の出力電力Pfを検波器15bで検波し、A/D変換器15cでディジタル信号に変換し、制御部16に出力する。
制御部16では、出力電力検出部15で検出した出力電力(つまり、A/D変換器15cで変換されたディジタル信号)と、事前に設定した所定の設定電力との差分をとり、その差分がゼロとなるように、レベル調整部13に出力するレベル調整値を制御する。詳しくは、制御部16は、レベル調整部13に対しレベル制御信号16s2を出力し、該レベル制御信号16s2をD/A変換器13bでアナログ信号に変換し、レベル調整信号13bsとしてレベル調整回路13aに出力する。
このように、制御部16は、レベル調整回路13aを制御することで、この高周波電源装置の出力電力を一定値に制御する。レベル調整回路13aでは、可変減衰器等の回路を使用することにより、出力電力を調整する。
下記の特許文献1には、ウェハにプラズマエッチングを行う真空槽に対して、パルス状の高周波電力を印加するプラズマエッチング装置が開示されている。
特開2002−270574号公報
本発明の目的は、プラズマ生成用電源装置の発熱を抑制するか、出力電力を確保するか、いずれか片方を得ることにある。
上記の課題を解決するための、本発明は 外部に設けられプラズマを生成するプラズマ生成部へ、一定およびパルス変調の高周波電力を供給するプラズマ生成用電源装置において、 前記パルス変調の高周波電力のパルスデューティ比、 前記パルス変調の高周波電力のレベル、 前記パルス変調の高周波電力の増幅素子の消費電流、 とのいずれか少なくとも一つにより、 前記パルス変調の高周波電力の増幅素子のドレイン電源電圧を切り替えることを特徴とするプラズマ生成用電源装置の制御方法である。
また、外部に設けられプラズマを生成するプラズマ生成部へ、一定およびパルス変調の高周波電力を供給するプラズマ生成用電源装置において、 前記パルス変調の高周波電力のパルスデューティ比および前記パルス変調の高周波電力のレベル、 前記パルス変調の高周波電力のレベルおよび前記パルス変調の高周波電力の増幅素子の消費電流、 前記パルス変調の高周波電力の増幅素子の消費電流および前記パルス変調の高周波電力のパルスデューティ比、 とのいずれか少なくとも一つにより、 前記パルス変調の高周波電力の増幅素子のドレイン電源電圧を切り替えることを特徴とするプラズマ生成用電源装置の制御方法である。
さらに、外部に設けられプラズマを生成するプラズマ生成部へ、一定およびパルス変調の高周波電力を供給するプラズマ生成用電源装置において、 前記パルス変調の高周波電力のパルスデューティ比および前記パルス変調の高周波電力のレベルおよび前記パルス変調の高周波電力の増幅素子の消費電流により、 前記パルス変調の高周波電力の増幅素子のドレイン電源電圧を切り替えることを特徴とするプラズマ生成用電源装置の制御方法である。
本発明によれば、プラズマ生成用電源装置の発熱を抑制するか、出力電力を確保するか、いずれか片方を得ることができる。
本発明の実施例の高周波電源装置の出力性能を示す模式図 本発明の実施例の高周波電源装置のパルスデューティ比によるドレイン電圧領域を示す模式図 本発明の実施例の高周波電源装置の出力電力によるドレイン電圧領域を示す模式図 本発明の実施例の高周波電源装置のパルスデューティ比と出力電力によるドレイン電圧領域を示す模式図 本発明の実施例の高周波電源装置のパルスデューティ比、出力電力の状態遷移を示す模式図 発明の実施例の高周波電源装置の機能構成を示すブロック図 従来の高周波電源装置の機能構成を示すブロック図 本発明の実施例の高周波電源装置の監視、検出項目の例を示す模式図表 本発明の実施例の高周波電源装置の制御項目の例を示す模式図表
本発明の第1実施形態を、図1と図6を参照して説明する。図1は、本発明の実施例の高周波電源装置の出力性能を示す模式図である。図6は、発明の実施例の高周波電源装置の機能構成を示すブロック図である。
図6に示すように、第1実施形態の高周波電源装置は、発振部11と、変調部12と、レベル調整部13と、電力増幅器14と、出力電力検出部15と、制御部16とを備えている。この高周波電源装置は、プラズマを生成するプラズマ生成部であるプラズマ負荷20へ、パルス状の高周波電力を供給するパルス変調方式のプラズマ生成用電源装置である。そして、レベル調整部13は、レベル調整回路13aと、D/A変換器13bとを備えている。出力電力検出部15は、方向性結合器15aと、検波器15bと、A/D変換器15cとを備えている。制御部16は、記憶部16aを有する。 図6では、図7の従来の高周波電源装置の機能構成を示すブロック図の固定電圧電源21が、可変電圧電源22と電流検出整部23と温度検出部24に置き換わっている。可変電圧電源22と電流検出整部23と温度検出部24以外の構成については、従来の高周波電源装置と同様である。
発振部11は、所定の周波数、例えば30MHz程度の高周波信号(RF信号)11sを出力する。変調部12は、制御部16から出力されたパルス状の変調信号16s1により、発振部11から出力されるRF信号11sを、ON状態とOFF状態とを繰り返すパルス状に変調し、パルス状高周波信号として出力する。ON状態とは、高周波信号が出力される状態であり、OFF状態とは、高周波信号が出力されない状態である。すなわち、変調部12は、図2に示すようなパルス状の変調信号16s1のON期間にのみ、RF信号を出力する。例えば、変調信号16s1のパルスON期間は1ms程度であり、パルスOFF期間は1ms程度である。
レベル調整部13は、可変減衰器等で構成され、制御部16から出力されたレベル制御信号16s2に基づき、変調部12から出力されるパルス状高周波信号のレベル(大きさ)を調整して出力する。詳しくは、制御部16から出力されたディジタル信号(レベル制御信号16s2)をD/A変換器13bでアナログ信号(レベル調整信号13b)に変換し、レベル調整回路13aへ出力する。なお、D/A変換器13bは、制御部16内に制御部16の一部として設けてもよい。
電力増幅器14は、レベル調整部13から出力されるパルス状高周波信号の電力を所定の増幅度で増幅して、パルス状高周波電力を出力する。出力電力検出部15は、電力増幅器14から出力されたパルス状高周波電力を取り出し、プラズマ負荷20へ出力し、また、電力増幅器14から出力されたパルス状高周波電力を検出し、制御部16へ出力する。プラズマ負荷20とは、例えば、プラズマを生成するプラズマエッチング装置等のプラズマ生成装置である。 詳しくは、出力電力検出部15は、電力増幅器14からの出力を方向性結合器15aにより取り出し、該取り出した出力電力Pfを検波器15bで検波して出力電力Pfの大きさを検出する。そして、検波器15bからのアナログ出力信号をA/D変換器15cでディジタル信号に変換し、制御部16へ出力する。なお、A/D変換器15cは、制御部16内に制御部16の一部として設けてもよい。
制御部16は、ハードウェア構成として、CPU(中央演算ユニット)と、CPUの動作プログラムを格納する記憶部16aとを備える。 記憶部16aには、予め、出力すべき目標電力値として設定された設定電力値Psと、変調部12から出力されるパルス状高周波信号のON状態における複数の経過時間tと、該複数の経過時間tにそれぞれ対応する複数の補正係数Bと、平均レベル調整値Nave(以降、Naと称す。)とが記憶されている。複数の補正係数Bは、それぞれ対応する複数の経過時間tと対応付けられて記憶されている。設定電力値Ps、平均レベル調整値Na、経過時間t、補正係数Bは、予め、高周波電源装置の操作部(不図示)から、操作者により入力され、記憶部16aに記憶される。
制御部16は、出力電力検出部15で検出した出力電力値が入力され、該入力された出力電力値と設定電力値Psとに基づき、レベル調整部13に対するレベル調整値を算出する。そして、レベル調整値に基づきレベル制御信号16s2を作成してレベル調整部13へ出力する。レベル制御信号16s2は、レベル調整部13で調整されるパルス状高周波信号のレベルを制御する。さらに、制御部16は、複数の経過時間tのそれぞれにおいて、経過時間tのそれぞれに対応する補正係数Bに基づき、レベル調整値を補正、つまり、レベル制御信号16s2を補正して出力する。 このように、制御部16は、レベル調整値、つまり、レベル調整部13に出力するレベル制御信号16s2を、補正係数Bに基づき補正することで、この高周波電源装置の出力電力がパルスON状態において一定値になるよう制御する。
図6では、制御部16からの電圧制御信号22sに従い、可変電圧電源22から電流検出整部23を経由して電力増幅器14に可変電圧22aが供給される。電流検出整部23から制御部16に電流信号23aが送られる。温度検出部24から制御部16に温度信号24aが送られる。可変電圧電源22と電流検出整部23と温度検出部24以外の動作については、従来の高周波電源装置と同様である。
本発明の実施例の高周波電源装置の出力性能を示す模式図の図1において、図1のように高周波を、パルス/連続波、任意のレベルで出力する装置を考える。
図2は、本発明の実施例の高周波電源装置のパルスデューティ比によるドレイン電圧領域を示す模式図である。 パルスデューティ比が60%を超える領域では、出力可能電力の上限値は低下する。そこで、与えられるパルスデューティ比が60%以下であれば48V、それ以外は40Vに制御する。 パルスデューティ比が60%以下の場合、最大電力を確保するため増幅素子は飽和特性重視となり、連続波の場合は増幅素子の発熱を抑えるため効率重視となる。
図3は、本発明の実施例の高周波電源装置の出力電力によるドレイン電圧領域を示す模式図である。 パルスデューティ比およびパルス/連続波の切り替え、出力レベルの変更は、装置運用側で任意に発生する。そこで、与えられる出力レベルの設定が1100W以上であれば48V、それ以外は40Vに制御する。
図4は、本発明の実施例の高周波電源装置のパルスデューティ比と出力電力によるドレイン電圧領域を示す模式図である。 実施例1と実施例2の制御を複合させる。まずパルスDutyにより、図の横軸のポイントが決定される。 パルスデューティ比が60%以下の場合ドレイン電圧は48Vに設定されるが、出力レベルの設定が低い場合ドレイン電圧は40Vに再設定される。
実施例1から実施例3の制御は、ドレイン電圧を40V/48Vの2パターンとしいずれかのモードを選択する方式となる。しかし装置動作においては環境温度、装置自己発熱等により、出力、効率の変化(劣化)が起こりえる。またパルスDutyと出力電力により飽和特性と効率の優先度が変わるため、装置の状況(消費電流、出力電力)を監視し、装置の動作状況に適したドレイン電圧制御を考える。 ドレイン電圧の可変範囲は、40〜48Vとする。
図8は、本発明の実施例の高周波電源装置の監視、検出項目の例を示す模式図表であり、図9は、本発明の実施例の高周波電源装置の制御項目の例を示す模式図表である。 図5は、本発明の実施例の高周波電源装置のパルスデューティ比、出力電力の状態遷移を示す模式図である。
(1)初期状態としてパルスデューティ比50%、出力レベル1000Wが設定されたとすると、ドレイン電圧は48V(Duty≦60%)から40V(出力レベル<1100W)に設定される。(図5 A点)
(2)出力電力を1200Wに再設定された場合(図5 B点)、ドレイン電圧は48Vの領域に入るが、装置の状況から真にドレイン電圧の変更が必要か、出力電力と消費電流から判定する。出力電力が設定値に満たない場合、ドレイン電圧を例えば1Vstepで増加させる。その際消費電流も同時に監視し、効率の下限を限界点とする。
(3)逆に図5のB点から出力電力が減少する場合、飽和特性には余裕ができ、効率は数値的には悪化するものの、発熱自体は低下することが期待されるため、積極的にドレイン電圧を変更する必要は無い。
(4)次に図5のB点からC点に移行する場合を考える。出力レベルが変わらずパルスデューティ比が増加すれば効率は悪化する。よって、消費電流を許容範囲に入れるため、ドレイン電圧を低下させる。その際、出力電力も同時に監視し、必要電力を割り込まないようリミットをかける。
(5)逆に図5のC点からパルスデューティ比が減少する場合、(3)と同様に発熱量が低下するため、積極的にドレイン電圧を変更する必要は無い。
(6)ドレイン電圧を低下させると効率は向上するが、出力電力は低下する。先の図5 A〜C点のような領域の場合、装置の能力(2000W出力、パルスデューティ比100%(連続波))からすると出力電力、効率(発熱量)いずれも余裕があり、シビアな制御は要求されない。しかし出力電力が高く、パルスデューティ比が高い領域での状態遷移時には注意が必要である。
(7)図5 D点からE点への移行を考える。D点では1700W/Duty70%をドレイン電圧48Vで動作しているとする。ここで、パルスデューティ比が85%に増加した場合、先の(3)の動作と同様、効率を上げる(発熱量を下げる)ために、ドレイン電圧を低下させる。ドレイン電圧を下げることで、飽和特性が悪化し出力レベルが減少するが、D点からE点の移行においては、出力電力の設定は下がることが前提である。したがって消費電流、出力電力を監視することにより、出力電力を維持しつつ効率を許容範囲内となるように、ドレイン電圧を低下させる。
(8)逆に図5 E点からD点へ移行する場合はドレイン電圧を上昇させることで、出力電力を維持する。しかしドレイン電圧を上げることによる効率悪化(発熱量増加)と、パルスデューティ比が下がることによる発熱量減少の程度が問題となるため、消費電力の許容値を超えず出力電力を満足するようにドレイン電圧を設定する。
(9)また、装置の環境特性(温度)、経年変化等により出力特性、効率特性には変化が発生することが予測される。こういった変化に対しても、出力電力、消費電力を監視し、双方特性を閾値とすることで、装置状況に応じたドレイン設定を行う。
本発明の実施例1から実施例4により、同一増幅回路において、飽和特性重視(出力電力確保)、効率重視(発熱量抑制)の異なる特性を得ることができる。かつ消費電流、出力電力を検出し条件付けすることで装置状況の限界に応じて、出力電力を追従させることができる。
この出願は、2013年10月17日に出願された日本出願特願2013−216293号を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
本発明によれば、効率重視(発熱量抑制)の異なる特性を得れば、装置状況に応じて出力電力確保を確保しながら、プラズマ生成用電源装置の発熱を抑制し、プラズマ生成用電源装置の小型化と低価格化を図ることができる。
11:発振部、12:変調部、13:レベル調整部、13a:レベル調整回路、13b:D/A変換器、14:電力増幅器、15:出力電力検出部、15a:方向性結合器、15b:検波器、15c:A/D変換器、16:制御部、16a:記憶部、20:プラズマ負荷、21:固定電圧電源、22:可変電圧電源、22a:可変電圧、23:電流検出整部、23a:電流信号、24:温度検出部、24a:温度信号、

Claims (2)

  1. 外部に設けられプラズマを生成するプラズマ生成部へ、一定およびパルス変調の高周波電力を供給するプラズマ生成用電源装置において、
    前記パルス変調の高周波電力のパルスデューティ比および前記パルス変調の高周波電力のレベルおよび前記パルス変調の高周波電力の増幅素子の消費電流により、
    前記パルス変調の高周波電力の増幅素子のドレイン電源電圧を切り替える手段を備えたことを特徴とするプラズマ生成用電源装置。
  2. 外部に設けられプラズマを生成するプラズマ生成部へ、一定およびパルス変調の高周波電力を供給するプラズマ生成用電源装置の制御方法において、
    前記パルス変調の高周波電力のパルスデューティ比および前記パルス変調の高周波電力のレベルおよび前記パルス変調の高周波電力の増幅素子の消費電流により、
    前記パルス変調の高周波電力の増幅素子のドレイン電源電圧を切り替えることを特徴とするプラズマ生成用電源装置の制御方法。
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