JP6490541B2 - 高周波半導体装置 - Google Patents
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Description
11・・・入力端子
12・・・出力端子
20・・・歪み補償回路
30・・・高周波半導体増幅回路
31・・・入力端子
32・・・第1の高周波半導体増幅素子
33・・・第2の高周波半導体増幅素子
34・・・方向性結合器
35・・・第1のスイッチ
36・・・第2のスイッチ
40・・・スイッチ制御部
50・・・半波整流回路
51・・・検波器
52・・・インピーダンス変換器
53・・・積分器
60・・・比較器
Claims (1)
- 歪み補償回路と、
前記歪み補償回路に接続され、高周波信号の電力を増幅させる高周波半導体増幅回路と、
を備え、
前記高周波半導体増幅回路は、
GaN基板に設けられた第1の高周波半導体増幅素子と、
GaAs基板に設けられた第2の高周波半導体増幅素子と、
前記第1の高周波半導体増幅素子または前記第2の高周波半導体増幅素子に前記高周波信号を供給する第1のスイッチと、
前記高周波信号の一部に基づいて第1のスイッチの動作を制御するスイッチ制御部と、
を具備し、
前記スイッチ制御部は、前記高周波信号が所定のデューティ比より大きいとき、前記高周波信号を前記第1の高周波半導体増幅素子に供給し、前記高周波信号が所定のデューティ比以下のとき、前記高周波信号を前記第2の高周波半導体増幅素子に供給するように、前記第1のスイッチの動作を制御する、高周波半導体装置。
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JP2015166635A JP6490541B2 (ja) | 2015-08-26 | 2015-08-26 | 高周波半導体装置 |
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JP2015166635A JP6490541B2 (ja) | 2015-08-26 | 2015-08-26 | 高周波半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2017046146A JP2017046146A (ja) | 2017-03-02 |
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