JP2011188102A - 送受信モジュール - Google Patents
送受信モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011188102A JP2011188102A JP2010049330A JP2010049330A JP2011188102A JP 2011188102 A JP2011188102 A JP 2011188102A JP 2010049330 A JP2010049330 A JP 2010049330A JP 2010049330 A JP2010049330 A JP 2010049330A JP 2011188102 A JP2011188102 A JP 2011188102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- transmission
- circuit
- reception
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
【解決手段】アンテナ11と、リミタ回路16および受信系電力増幅器17を備えた受信回路14と、送信系電力増幅器20を備えた送信回路15とが、送受信切替スイッチ13により接続され、アンテナ11と送受信切替スイッチ13の間に設けられた検波回路12により、送受信切替スイッチ13を制御する制御信号を生成する。送受信切替スイッチ13は、制御信号が入力されない状態ではアンテナ11と受信回路14とを導通させ、制御信号が入力されるとアンテナ11と送信回路15とを導通させる。制御信号は、送受信切替スイッチ13に信号が入力された時から、リミタ回路16の熱時定数よりも短い時間までの間に送受信切替スイッチ13に入力される。
【選択図】図1
Description
12・・・検波回路
13・・・送受切替スイッチ
13−1・・・入力端子
13−2・・・制御端子
13−3・・・第1の出力端子
13−4・・・第2の出力端子
14・・・受信回路
15・・・送信回路
16・・・リミタ回路
16−1・・・小電力用のPINダイオード
16−2・・・DCリターン回路
17・・・受信系低雑音増幅器
18、42・・・ノーマルオン型の第1のFET
19、43・・・ノーマルオン型の第2のFET
18−1、19−1、42−1、43−1・・・ドレイン端子
18−2、19−2、42−2、43−2・・・ソース端子
18−3、19−3、42−3、43−3・・・ゲート端子
20・・・送信系出力増幅器
21・・・電力モニタ回路
22・・・検波系電力増幅器
23・・・比較駆動器
24・・・OR回路
25・・・カプラ
25−1・・・入力端子
25−2・・・第1の出力端子
25−3・・・第2の出力端子
25−4・・・第3の出力端子
26・・・整流用ダイオード
27・・・抵抗
28−1・・・第1のマイクロストリップライン
28−2・・・第2のマイクロストリップライン
29・・・第1の差動増幅器
30・・・第1の増幅器用抵抗
31・・・第2の増幅器用抵抗
32・・・第3の増幅器用
33・・・第2の差動増幅器
34・・・定電圧源
35・・・送受切替信号
36・・・GaN層
37・・・n+型のGaN層
38・・・ドレイン電極
39・・・ソース電極
40・・・ゲート電極
44−1、47−1・・・第1のPINダイオード
44−2、47−2・・・第2のPINダイオード
45−1乃至45−6、48−1乃至48−2・・・キャパシタ
46−1、46−2、49−1乃至49−4、・・・4/λ線路
Claims (11)
- 送信信号を送信し、または受信信号を受信するアンテナと、
このアンテナに接続され、前記アンテナにおいて受信した前記受信信号を分岐し、その一方に基づいて制御信号を生成する検波回路と、
この検波回路に接続された入力端子および制御端子を有するとともに、前記検波回路において分岐された他方の前記受信信号を出力する第1の出力端子および第2の出力端子を有し、前記制御信号が前記制御端子に入力されることによって、前記分岐された他方の受信信号の電力を抑圧して前記第1の出力端子から出力するスイッチと、
このスイッチの前記第1の出力端子に接続され、前記スイッチから出力された前記他方の前記受信信号の電力を抑圧するリミタ回路と、
このリミタ回路に接続され、リミタ回路によって電力が抑圧された前記受信信号の他方の電力を増幅する第1の電力増幅器と、
前記スイッチの前記第2の出力端子に接続された送信回路と、
を具備し、
前記スイッチは、これに前記受信信号が入力されてから、前記リミタ回路の熱時定数よりも短い時間までは、前記入力端子と前記第1の出力端子とが導通し、それ以降は前記入力端子と前記第2の出力端子とが導通するように制御されることを特徴とする送受信モジュール。 - 前記スイッチは、複数のノーマルオン型のスイッチ素子により構成されたシャント型のスイッチであることを特徴とする請求項1に記載の送受信モジュール。
- 前記ノーマルオン型のスイッチ素子は、GaN系の材料により形成されたスイッチ素子であることを特徴とする請求項2に記載の送受信モジュール。
- 前記ノーマルオン型のスイッチ素子は、FETであることを特徴とする請求項3に記載の送受信モジュール。
- 前記スイッチは、複数のPINダイオードを有するシャント型のスイッチであることを特徴とする請求項1に記載の送受信モジュール。
- 前記複数のPINダイオードは、GaN系の材料により形成されたPINダイオードであることを特徴とする請求項5に記載の送受信モジュール。
- 前記検波回路は、入力された前記受信信号を分岐するカプラと、
このカプラの一方の出力端子に接続され、この出力端子から出力された前記受信信号を整流する整流用ダイオードと、
この整流用ダイオードに電気的に接続され、整流された前記受信信号の電圧と、定電圧源の電圧との差に基づいて前記差分信号を生成し、この差分信号を出力する比較駆動器と、
この比較駆動器に接続され、前記差分信号が入力されることにより、前記制御信号を出力するOR回路と、
を具備することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の送受信モジュール。 - 前記整流用ダイオードと前記比較駆動器との間には、負帰還回路を備えた第3の電力増幅器を具備することを特徴とする請求項7に記載の送受信モジュール。
- 前記リミタ回路は、電力抑圧用PINダイオードおよびDCリターン回路を有し、これらは、この回路の入力端子若しくは出力端子に、並列に接続されたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の送受信モジュール。
- 前記電力抑圧用PINダイオードは、小信号の電力を抑圧するPINダイオードであることを特徴とする請求項9に記載の送受信モジュール。
- 前記第1の電力増幅器は、低雑音増幅器であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の送受信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049330A JP5426434B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 送受信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049330A JP5426434B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 送受信モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011188102A true JP2011188102A (ja) | 2011-09-22 |
JP5426434B2 JP5426434B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=44793889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010049330A Expired - Fee Related JP5426434B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 送受信モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5426434B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013055475A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | リミッター回路 |
WO2013106484A1 (en) * | 2012-01-09 | 2013-07-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to electrostatic discharge-protected cmos switches |
JP2015213296A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-11-26 | トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドTriQuint Semiconductor,Inc. | ハイパワー高周波数スイッチ素子用バイアス回路 |
US9294073B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-03-22 | Skyworks Solutions, Inc. | CMOS RF switch device and method for biasing the same |
CN115549717A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-12-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 有源开关型非互易防护电路和通信设备 |
US11575373B2 (en) | 2018-10-18 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Switch circuitry |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340299A (en) * | 1976-09-27 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Over-input alarming device |
JPS5368594A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | Radar receiver protector |
JPH0260236A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 送受信切替方式 |
JPH05235677A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | リミッター回路 |
JPH1013293A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Nec Corp | アンテナスイッチ付き受信機 |
JPH10123996A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Nec Corp | 画素保護回路付き半導体装置 |
JP2004153653A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 低反射型リミタおよび低反射型リミタを用いた送受信モジュール |
JP2008028524A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号切替装置 |
JP2008235952A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | デプレッション型スイッチング素子の駆動回路 |
-
2010
- 2010-03-05 JP JP2010049330A patent/JP5426434B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340299A (en) * | 1976-09-27 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Over-input alarming device |
JPS5368594A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | Radar receiver protector |
JPH0260236A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 送受信切替方式 |
JPH05235677A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | リミッター回路 |
JPH1013293A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Nec Corp | アンテナスイッチ付き受信機 |
JPH10123996A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Nec Corp | 画素保護回路付き半導体装置 |
JP2004153653A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 低反射型リミタおよび低反射型リミタを用いた送受信モジュール |
JP2008028524A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号切替装置 |
JP2008235952A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | デプレッション型スイッチング素子の駆動回路 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9294073B2 (en) | 2010-06-07 | 2016-03-22 | Skyworks Solutions, Inc. | CMOS RF switch device and method for biasing the same |
US9762192B2 (en) | 2010-06-07 | 2017-09-12 | Skyworks Solutions, Inc. | CMOS RF switch device and method for biasing the same |
JP2013055475A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | リミッター回路 |
WO2013106484A1 (en) * | 2012-01-09 | 2013-07-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to electrostatic discharge-protected cmos switches |
US9373955B2 (en) | 2012-01-09 | 2016-06-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to electrostatic discharge-protected CMOS switches |
US9692120B2 (en) | 2012-01-09 | 2017-06-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to electrostatic discharge-protected CMOS switches |
JP2015213296A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-11-26 | トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドTriQuint Semiconductor,Inc. | ハイパワー高周波数スイッチ素子用バイアス回路 |
US11575373B2 (en) | 2018-10-18 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Switch circuitry |
CN115549717A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-12-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 有源开关型非互易防护电路和通信设备 |
CN115549717B (zh) * | 2022-08-25 | 2024-04-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 有源开关型非互易防护电路和通信设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5426434B2 (ja) | 2014-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5426434B2 (ja) | 送受信モジュール | |
EP1912328A1 (en) | Highly efficient amplifier | |
CN101666668B (zh) | 用于料位测量的可变发射功率 | |
JP2006217362A (ja) | リミッタ回路 | |
KR101731321B1 (ko) | 도허티 증폭기에서 효율을 향상시키기 위한 장치 및 방법 | |
KR101800726B1 (ko) | 전력 증폭기의 효율을 개선하기 위한 장치 및 방법 | |
Roberg et al. | 40 W Ka-band single and dual output GaN MMIC power amplifiers on SiC | |
US10615755B2 (en) | Non-linear high-frequency amplifier arrangement | |
KR20060064399A (ko) | 이득과 선형성 개선을 위한 스위칭 구조를 이용한 전력증폭 장치 | |
WO2015025775A1 (ja) | マルチアンテナアレーシステム | |
KR101169548B1 (ko) | 송수신 모듈 | |
US9787262B2 (en) | Doherty amplifier with additional delay element | |
CN108092677B (zh) | 一种发射组件 | |
KR101815219B1 (ko) | 장애가 있는 전력 증폭기 모듈을 보상할 수 있는 rf 고전력 생성을 위한 장치 및 방법 | |
JP5593246B2 (ja) | 電力増幅器 | |
JP4081035B2 (ja) | レーダ搭載用半導体電力増幅装置及びレーダ送信装置 | |
CN109981080B (zh) | 同一脉冲触发信号下功放过冲抑制效率提升方法、电路及功放 | |
JP2005277572A5 (ja) | ||
Paul et al. | A 14 W wideband supply-modulated system with reverse buck converter and floating-ground RF power amplifier | |
Custer et al. | Recent advances in kW-level pulsed GaN transistors with very high efficiency | |
JP2013192135A (ja) | ドハティ増幅器 | |
JPWO2020137826A1 (ja) | ゲート駆動回路およびそれを用いたスイッチング装置 | |
Javid et al. | A multilevel pulse-width modulated class-e power amplifier | |
JP2020061620A (ja) | リミッタ回路 | |
Kuchta et al. | Pulsed measurements of transmittance deviations of power amplifiers for T/R modules |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131128 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5426434 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |