JP6086027B2 - カバーガラス及びカバーガラスの製造方法 - Google Patents
カバーガラス及びカバーガラスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6086027B2 JP6086027B2 JP2013106567A JP2013106567A JP6086027B2 JP 6086027 B2 JP6086027 B2 JP 6086027B2 JP 2013106567 A JP2013106567 A JP 2013106567A JP 2013106567 A JP2013106567 A JP 2013106567A JP 6086027 B2 JP6086027 B2 JP 6086027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover glass
- layer
- light shielding
- low
- shielding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Description
前記表示デバイス上に形成され、少なくとも前記表示デバイスの表示面側からの光を遮光する、低次酸化物を含む遮光層(低次酸化物を顔料として含む場合を除く)と、
前記遮光層上に形成される反射色調整層と、
前記反射色調整層上に形成される透明基材と、
を順次含む、カバーガラスを提供する。
先ず、本実施形態に係るカバーガラスの概略構成について説明する。図1に、本実施形態に係るカバーガラスの概略構成図を示す。
透明基材130としては、透明な基材であれば特に制限されず、例えば各種ガラス基板、透明導電性フィルム、透明非導電性フィルム、又は各種ガラス基板上にこれらのフィルムを形成したもの等を使用することができる。
反射色調整層120は、使用者が透明基材130の視認面130a側からカバーガラス100を見た場合に、非表示部220の「色」を光学設計する層である。なお、本明細書において、「色」とは、「色相」、「彩度」及び「明度」のことを意味する。本実施形態に係るカバーガラス100は、この反射色調整層120を有することにより、所望の「色」を表現することができる。そのため、本実施形態のカバーガラス100は、意匠性に優れたカバーガラスである。
遮光層110は、前述したように、表示デバイス200上に形成され、少なくとも表示デバイス200側からの光を遮光する機能を有する。そのため、遮光層110の特性として、遮光率が高いことが求められる。別の言い方をすると、遮光層110は、各色の色抜けによる混色を防止するために、表示デバイスからの必要のない光を十分に遮光することが求められる。
ニオブ低次酸化物、チタン低次酸化物、ジルコニウム低次酸化物、タンタル低次酸化物、ハフニウム低次酸化物、アルミニウム低次酸化物、ケイ素低次酸化物やクロム低次酸化物などが挙げられ、これらの混合物であってもよい。
本実施形態に係る、表示デバイスの上方に配置されるカバーガラスの製造方法は、透明基材130上に、反射色調整層120を成膜する工程(S300)と、前記反射色調整層上に、少なくとも前記表示デバイス200側からの光を遮光する、低次酸化物を含む遮光層110を成膜する工程(S310)と、を含む。
本実施形態のカバーガラス100が、遮光性及び絶縁性を両立すると共に、所望の「色」に設計できることを確認した実施形態について、説明する。
ターゲット:NbO(Nb2O5、及びNbOa成膜時)、
ターゲット:Si(SiO2成膜時)、
DC電源出力(W):300、
成膜圧力(Pa):0.3、
処理ガス流量(sccm):Ar/O2=28/2(Nb2O5成膜時)、22/8(SiO2成膜時)、30/0(NbOa成膜時)、
とした。
本実施形態のカバーガラス100が、遮光性及び絶縁性の設計の自由度が高いことを確認した実施形態について、説明する。
ターゲット:NbO、
DC電源出力(W):300、
成膜圧力(Pa):0.3、
処理ガス流量(sccm):Ar/O2=20〜30/0〜1、
とした。
ターゲット:Ti及びSi、
DC電源出力(W):300又は500、
成膜圧力(Pa):0.3、
処理ガス流量(sccm):Ar/O2=17〜29/3〜6、
とした。
110 遮光層
120 反射色調整層
130 透明基材
200 表示デバイス
205 配線層
210 表示部
220 非表示部
Claims (14)
- 表示デバイスの表示面側に配置されるカバーガラスであって、当該カバーガラスは、
前記表示デバイス上に形成され、少なくとも前記表示デバイスの表示面側からの光を遮光する、低次酸化物を含む遮光層(低次酸化物を顔料として含む場合を除く)と、
前記遮光層上に形成される反射色調整層と、
前記反射色調整層上に形成される透明基材と、
を順次含む、カバーガラス。 - 前記低次酸化物の吸収係数kは、0.03<k<1である、請求項1に記載のカバーガラス。
- 前記遮光層は、膜厚が8μm以下であり、シート抵抗値Rsが1×103Ω/□以上である、請求項1又は2に記載のカバーガラス。
- 前記遮光層は、膜厚が4μm以下であり、シート抵抗値Rsが1×104Ω/□以上である、
請求項3に記載のカバーガラス。 - 前記遮光層及び前記反射色調整層は、前記透明基材の表示デバイス側から前記表示デバイスに向かって縮径するテーパ形状を有する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のカバーガラス。 - 前記遮光層は、物理的蒸着法により形成される、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載のカバーガラス。 - 前記低次酸化物は、ニオブ低次酸化物NbOa(但し、0<a<2.5)、又は、ケイ素及びチタンの複合低次酸化物TibSicOd(但し、0≦b≦1、0≦c≦1、0<d<2)を含む、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のカバーガラス。 - 前記低次酸化物は、少なくとも前記ニオブ低次酸化物を含み、
前記ニオブ低次酸化物の波長550nmにおける光学定数は、屈折率nが2.35<n<2.6であり、吸収係数kが0.03<k<1である、請求項7に記載のカバーガラス。 - 前記低次酸化物は、少なくとも前記ケイ素及びチタンの複合低次酸化物を含み、
前記ケイ素及びチタンの複合低次酸化物の波長550nmにおける光学定数は、屈折率nが1.5<n<2.4であり、吸収係数kが0.03<k<1である、請求項7記載のカバーガラス。 - 前記反射色調整層は、酸化物層、窒化物、酸窒化物層及び/又は弗化物層を含む、単層膜又は多層膜で形成される、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載のカバーガラス。 - 表示デバイスの表示面側に配置されるカバーガラスの製造方法であって、
透明基材上に、反射色調整層を成膜する工程と、
前記反射色調整層上に、少なくとも前記表示デバイス側からの光を遮光する、低次酸化物を含む遮光層(低次酸化物を顔料として含む場合を除く)を成膜する工程と、
を有する、カバーガラスの製造方法。 - 前記遮光層を成膜する工程は、物理的蒸着法によって実施される、
請求項11に記載のカバーガラスの製造方法。 - 前記反射色調整層を成膜する工程の前に、前記透明基材上の前記遮光層を形成しない領域に、フィルム又はガラスを含むマスクを設置する工程と、
前記遮光層を成膜する工程の後に、前記マスクを除去する工程と、
を更に含む、請求項11又は12に記載のカバーガラスの製造方法。 - 前記反射色調整層を成膜する工程の前に、前記透明基材上の前記遮光層を形成しない領域に、レジストパターンを形成する工程と、
前記遮光層を成膜する工程の後に、前記レジストパターンを除去する工程と、
を更に含む、
請求項11又は12に記載のカバーガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013106567A JP6086027B2 (ja) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | カバーガラス及びカバーガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013106567A JP6086027B2 (ja) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | カバーガラス及びカバーガラスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014227309A JP2014227309A (ja) | 2014-12-08 |
JP6086027B2 true JP6086027B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=52127507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013106567A Active JP6086027B2 (ja) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | カバーガラス及びカバーガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6086027B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6633904B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-01-22 | Hoya株式会社 | プレス成形用ガラス素材、ガラス光学素子およびその製造方法 |
WO2017043640A1 (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 日本電気硝子株式会社 | 調理器用トッププレート |
US10556823B2 (en) * | 2017-06-20 | 2020-02-11 | Apple Inc. | Interior coatings for glass structures in electronic devices |
CN112748597B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-08-15 | 江西沃格光电股份有限公司 | 显示模组及其制备方法和电子产品 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000303163A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-31 | Nippon Paint Co Ltd | 低反射黒色膜、低反射黒色積層膜、低反射黒色膜の製造方法およびカラーフィルター |
JP4437063B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2010-03-24 | 住友大阪セメント株式会社 | 黒色材料 |
JP2008083262A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Nissha Printing Co Ltd | 携帯型表示装置用保護板 |
JP2011013546A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Geomatec Co Ltd | 電子表示機器の保護パネル及びその製造方法 |
JP2012226688A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | 加飾カバーガラス一体型タッチパネルセンサー |
-
2013
- 2013-05-20 JP JP2013106567A patent/JP6086027B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014227309A (ja) | 2014-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101512236B1 (ko) | 금속 구조체 및 이의 제조방법 | |
KR101221722B1 (ko) | 전도성 구조체 및 이의 제조방법 | |
CN105518494B (zh) | 光学滤光片及包括该光学滤光片的摄像装置 | |
WO2014035197A1 (ko) | 전도성 구조체 및 이의 제조방법 | |
TWI522864B (zh) | 觸控面板及其製造方法 | |
JP6086027B2 (ja) | カバーガラス及びカバーガラスの製造方法 | |
TWI531939B (zh) | 觸控面板 | |
US20140300979A1 (en) | Half mirror front plate | |
US20140362308A1 (en) | Substrate structure and touch panel including the same | |
US10318033B2 (en) | Anti-reflective layer, touch substrate, touch panel, and portable electronic apparatus | |
US7162141B1 (en) | Electro-conductive anti-reflection coating | |
US20100164358A1 (en) | Filter for plasma display and fabricating method thereof | |
CN105718093A (zh) | 触控面板 | |
JP6186805B2 (ja) | タッチパネル | |
CN104834424B (zh) | 消影增透透明导电薄膜 | |
CN210626697U (zh) | 一体黑镀膜盖板 | |
JP2013083885A (ja) | Ndフィルタ | |
WO2020020103A1 (zh) | 触控基板及其制造方法和触控装置 | |
CN204374928U (zh) | 触控面板 | |
JP3952609B2 (ja) | 電磁波低減反射防止コート | |
KR20030093734A (ko) | 피디피 필터의 다층박막 구조 | |
JP2004264350A (ja) | 前面フィルター | |
JP2561757B2 (ja) | ブロンズ色ミラー | |
KR100715443B1 (ko) | 피디피 필터의 다층박막 구조 | |
JP2003195286A (ja) | 液晶表示素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6086027 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |