JP6083334B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板をケースに収納してなる電子装置に関するものである。

従来、電子装置において、回路基板をケースに収納した状態で、複数のネジによって回路基板をケースに対して締結して回路基板をケースに固定したものがある（例えば、特許文献１参照）。

特許４０５６６８１号明細書

上記特許文献１の電子装置では、複数のネジによって回路基板をケースに対して固定することができる。しかし、当該固定に用いるネジ個数やネジによって固定する位置によっては、回路基板をケースに対して十分に固定することができなく、回路基板がケースに対して共振する場合がある。

本発明は上記点に鑑みて、基板がケースに対して共振することを抑制することを可能にした電子装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、基板の一面に搭載される電子部品（２０、３０）と、電子部品をモールドするように形成されて基板の一面および電子部品に接合されているモールド部材（４０）と、基板を電子部品およびモールド部材とともに収納するケース（６０）と、を備え、モールド部材およびケースのうち一方には、他方向に向けて突起する凸部（６６、６６ａ〜６６ｆ、４５、４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４５ｂ）が設けられ、他方向には、一方に対して反対側に凹む凹部（４２ａ〜４２ｆ、４２、６８ａ、６８ｂ、６９ａ、６９ｂ）が設けられており、凸部が凹部に圧入された状態で凸部が凹部に嵌め込まれていることにより、モールド部材とケースとが固定されていることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、凸部が凹部に圧入された状態で凸部が凹部に嵌め込まれていることにより、モールド部材とケースとを強固に固定することができる。したがって、回路基板がケースに対して共振することを抑制することを可能になる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態にかかる電子装置の断面図である。 図１中のII−II矢視断面図である。 図１中のIII−III矢視断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる電子装置の断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる電子装置の断面図である。 本発明の第４実施形態にかかる電子装置の断面図である。 図６中のVII−VII矢視断面図である。 本発明の第５実施形態にかかる電子装置の断面図である。 本発明の第６実施形態にかかる電子装置の断面図である。 本発明の第７実施形態にかかる電子装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１の全体構成について説明する。この電子装置Ｓ１は、例えば自動車などの車両に搭載され、車両用の各装置を駆動するための装置として適用される。

図１および図２に示すように、電子装置Ｓ１は、基板１０、電子部品２０、３０、モールド部材４０、ヒートシンク５０、ケース６０、蓋７０および放熱ゲル８０などを有した構成とされている。

図１に示すように、基板１０は、電子部品２０、３０が実装されると共にモールド部材４０にて覆われる一面１１と、その反対面となる他面１２とを有する板状部材をなすものである。本実施形態では、基板１０は、一面１１および他面１２の形状が矩形状の板状部材とされている。具体的には、基板１０は、エポキシ樹脂等の樹脂をベースとした配線基板とされ、例えば、貫通基板やビルドアップ基板などによって構成されている。本実施形態では、基板１０は、電子部品２０、３０およびモールド部材４０とともに半導体装置９０を構成している。

基板１０には、内層配線もしくは表層配線などによって構成される図示しない配線パターンが形成されており、配線パターンがモールド部材４０の外部まで延設されることで、配線パターンを通じて電子部品２０、３０との電気的な接続が図れるようになっている。また、基板１０のうちの長手方向（図１の左右方向）の両側には、配線パターンに繋がる金属メッキなどが施されたスルーホール１３が備えられている。このスルーホール１３を通じて、配線パターンと基板外部との電気的な接続が行えるようになっている。

このように構成された基板１０が四隅においてケース６０に支持されている。本実施形態の場合、基板１０の四隅に貫通孔となる固定用孔１４を形成しており、この中にケース６０の底面６１から突出させた機械的接続部６４を嵌め込んだ後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすることで、基板１０をケース６０に支持している。

電子部品２０、３０は、基板１０に実装されることで配線パターンに電気的に接続されるものであり、表面実装部品やスルーホール実装部品などどのようなものであってもよい。本実施形態の場合、電子部品２０、３０として、半導体素子２０および受動素子３０を例に挙げてある。半導体素子２０としては、マイコンや制御素子もしくはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子等が挙げられる。この半導体素子２０は、ボンディングワイヤ２１およびはんだ等のダイボンド材２２により、基板１０の配線パターンに繋がるランドもしくは配線パターンの一部によって構成されたランドに接続されている。また、受動素子３０としては、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等が挙げられる。この受動素子３０は、はんだ等のダイボンド材３１により基板１０に備えられたランドに接続されている。これらの構成により、電子部品２０、３０は、基板１０に形成された配線パターンに電気的に接続され、配線パターンに接続されたスルーホール１３を通じて外部と電気的に接続可能とされている。

モールド部材４０は、基板１０の一面１１側の電子部品２０、３０をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材料等によりモールドするためのものである。本実施形態の場合、基板１０の一面１１側をモールド部材４０で封止しつつ、基板１０の他面１２側をモールド部材４０で封止せずに露出させた、いわゆるハーフモールド構造とされている。

モールド部材４０は、基板１０の一面１１および電子部品２０、３０に対して化学結合、或いはアンカー効果によって接合されている。化学結合は、モールド部材４０を構成する樹脂材料と基板１０を構成する樹脂材料とが化学結合してモールド部材４０と基板１０とが接合することである。アンカー効果とは、電子部品２０、３０の表面の凹凸に対してモールド部材４０を構成する硬化前の熱硬化性樹脂材料が入り込んで硬化されてモールド部材４０が形成されることにより、電子部品２０、３０に対してモールド部材４０が接合されるものである。

本実施形態では、モールド部材４０は、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成されている。

モールド部材４０は、上面４１（図１参照）の形状が矩形状とされ、基板１０の相対する二辺、具体的には基板１０のうち長手方向と垂直な両辺１０ａ、１０ｂを露出させるように、この両辺よりも内側にのみ形成されている。

つまり、基板１０の長手方向両端がモールド部材４０からはみ出してモールド部材４０から露出させられている。

モールド部材４０の上面４１は、基板１０の面方向に平行に形成されている面である。基板１０のうちモールド部材４０から露出させられている部分に複数のスルーホール１３が配置されており、これらのスルーホール１３を通じて、基板１０に形成された配線パターンと外部との電気的接続が可能とされている。

また、基板１０の両辺がモールド部材４０から露出させられることで、基板１０の四隅が露出させられており、このモールド部材４０から露出させられた部分において、上記したように基板１０がケース６０に支持されている。

ヒートシンク５０は、基板１０の他面１２側に、接合部材５１を介して密着させられている。接合部材５１としては、例えば金属フィラーを含有した導電性接着剤、はんだ材料などの導電材料、放熱ゲルや放熱シートなどの絶縁材料を用いている。ヒートシンク５０は、電子部品２０、３０が発した熱が基板１０の他面１２側から伝えられると、それを放熱させる役割を果たすものであり、熱伝導率の高い金属材料、例えば銅などにより構成されている。特に、半導体素子２０がＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴによって構成される場合、これらが発熱素子であることから、多くの熱を発するが、この熱がヒートシンク５０に伝えられることで、半導体素子２０や受動素子３０の高温化が抑制されるようになっている。本実施形態の場合、ヒートシンク５０は、放熱ゲル８０を介して蓋７０に対して熱的に接続されており、基板１０の裏面から伝えられた熱を更に放熱ゲル８０を通じて蓋７０に伝え、蓋７０から外部に放熱させるようにしている。

ケース６０は、基板１０の一面１１側に電子部品２０、３０を実装してモールド部材４０で封止したものを収容する長方体形状の筐体となるものである。本実施形態の場合、ケース６０は、底面６１の周囲を側壁面６２によって覆った収容凹部６３を構成する部材とされ、電子部品２０、３０を実装してモールド部材４０で封止した基板１０を、一面１１側が底面６１側を向くようにして収容凹部６３内に収容している。

ケース６０の底面６１には、上記したように基板１０を支持する機械的接続部６４が形成されている。機械的接続部６４は、底面６１から垂直方向に突出し、部分的に断面寸法が変化させられた段付き棒状部材とされている。具体的には、機械的接続部６４は、基板１０を固定する前の状態では、底面側の断面寸法が基板１０に形成した固定用孔１４より大きく、先端側の断面寸法が固定用孔１４とほぼ同じもしくは若干小さくされている。このような寸法とされているため、機械的接続部６４は、先端側が固定用孔１４に挿入されつつ、先端側と底面側との段差部にて基板１０を保持する。そして、機械的接続部６４の先端側が固定用孔１４内に嵌め込まれてから熱かしめされることで、基板１０から突き出した部分が固定用孔１４よりも断面寸法が大きくされ、その部分と段差部との間に基板１０が挟み込まれて支持されている。つまり、基板１０は、４つの機械的接続部（固定部材）６４によって底面６１に対して支持されている。

なお、機械的接続部６４の突き出し量は、側壁面６２の高さよりも低くされており、基板１０が側壁面６２の先端よりも収容凹部６３の内側に入り込むようにしてある。

ケース６０の底面６１には、複数本の接続端子６５が底面６１に対して垂直方向に立設されている。例えば、各接続端子６５は、銅合金に錫メッキやニッケルメッキが施されたものにより構成されている。複数本の接続端子６５は、それぞれ、基板１０に形成されたスルーホール１３に挿通させられており、はんだ等の接続部材１５を介してスルーホール１３に電気的に接続されている。ケース６０は、基本的にはＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂をベースとした絶縁体によって構成されているが、ケース６０の外部まで延設された配線パターンを備えている。この配線パターンに対して複数本の接続端子６５が接続され、各接続端子６５および配線パターンを通じて、各電子部品２０、３０が実装された基板１０の配線パターンと外部との電気的接続がなされている。

さらに、本実施形態では、ケース６０の底面６１とモールド部材４０の上面４１とは互いに対向するように形成されている。ケース６０の底面６１とモールド部材４０の上面４１との間を固定する嵌合構造が設けられている。なお、当該嵌合構造については後述する。

蓋７０は、ケース６０の開口端、つまり側壁面６２の先端に接続されることで、ケース６０内を密閉するものである。蓋７０は、例えば接着剤などを介してケース６０に固定される。本実施形態の場合、蓋７０は、熱伝達率の高い金属材料、例えばアルミニウムや銅によって構成されており、矩形板状部材によって構成されている。

放熱ゲル８０は、ヒートシンク５０と蓋７０との間に配置されており、これら両方に接するように配置されることで、ヒートシンク５０から蓋７０への伝熱を行う。例えば、放熱ゲル８０は、熱伝導率の高いシリコーンオイルコンパウンドなどによって構成されている。放熱ゲル８０をなくしてヒートシンク５０と蓋７０とが直接接する構造とすることもできるが、ヒートシンク５０の高さ合わせなどが難しく、蓋７０を固定する際にヒートシンク５０を押圧してしまう可能性があることから、変形自在な放熱ゲル８０を備えると好ましい。

次に、本実施形態では、ケース６０およびモールド部材４０の間を固定する嵌合構造ついて説明する。

図１および図２に示すように、ケース６０の底面６１には、凸部６６ａ、６６ｂが設けられている。凸部６６ａ、６６ｂは、それぞれ、モールド部材４０側に凸となるように形成されている。凸部６６ａ、６６ｂは、基板１０の長手方向（図１中左右方向）に離れて配置されている。凸部６６ａ、６６ｂが突起する方向は、基板１０の面方向に直交する方向である。モールド部材４０の上面４１には、凹部４２ａ、４２ｂが設けられている。凹部４２ａ、４２ｂは、ケース６０の底面６１に対して反対側に凹むように形成されている。凹部４２ａは、凸部６６ａに対応するように設けられている。凹部４２ｂは、凸部６６ｂに対応するように設けられている。

ここで、凹部４２ａのうち基板１０の面方向の断面積は、凸部６６ａのうち基板１０の面方向の断面積に比べて小さくなっている。凹部４２ｂのうち基板１０の面方向の断面積は、凸部６６ｂのうち基板１０の面方向の断面積に比べて小さくなっている。

以上のようにして、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が構成されている。このような電子装置Ｓ１は、次のようにして構成される。

まず、配線パターンおよびスルーホール１３などが形成された基板１０を用意したのち、基板１０の一面１１上に電子部品２０、３０を実装する。次に、基板１０に実装された電子部品２０、３０をトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法によって凹部４２ａ、４２ｂを有するモールド部材４０で封止する。そして、基板１０の他面１２側に接合部材５１を介してヒートシンク５０を接合したのち、基板１０をケース６０の収容凹部６３内に、一面１１側が底面６１側を向くようにして配置する。このとき、スルーホール１３に複数の接続端子６５が挿入され、固定用孔１４内に機械的接続部６４の先端が嵌め込まれるようにする。これに加えて、モールド部材４０の凹部４２ａにケース６０の底面６１の凸部６６ａが圧入され、モールド部材４０の凹部４２ｂにケース６０の底面６１の凸部６６ｂが圧入される。このことにより、凹部４２ａに凸部６６ａが嵌合され、凹部４２ｂに凸部６６ｂが嵌合されることになる。

その後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすると共に、はんだ付けなどによりスルーホール１３と複数の接続端子６５とを接続部材１５にて接続する。最後に、ヒートシンク５０の表面に放熱ゲル８０を配置したのち、その上に蓋７０を配置し、蓋７０とケース６０の側壁面６２との間を接着剤などによって固定することで、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が完成する。

以上説明した本実施形態によれば、電子装置Ｓ１は、基板１０の一面１１に搭載される電子部品２０、３０と、電子部品２０、３０をモールドするように形成されて基板１０の一面１１および電子部品２０、３０に接合されているモールド部材４０と、基板１０を電子部品２０、３０およびモールド部材４０とともに収納するケース６０とを備える。ケース６０の底面６１には、凸部６６ａ、６６ｂが設けられ、モールド部材４０には、凹部４２ａ、４２ｂが設けられている。凹部４２ａ（４２ｂ）のうち基板１０の面方向の断面積は、凸部６６ａ（６６ｂ）のうち基板１０の面方向の断面積に比べて小さくなっている。凸部６６ａが凹部４２ａに圧入された状態で凸部６６ａが凹部４２ａに嵌め込まれている。凸部６６ｂが凹部４２ｂに圧入された状態で凸部６６ｂが凹部４２ｂに嵌め込まれている。

ここで、基板１０は、４つの機械的接続部６４によって底面６１に対して支持されている。このため、凹部４２ａ、４２ｂおよび凸部６６ａ、６６ｂが設けられていない場合には、基板１０はその厚み方向（すなわち、面方向に対する直交方向）に共振する場合がある。

これに対して、本実施形態では、上述の如く、凸部６６ａ、６６ｂが凹部４２ａ、４２ｂに圧入された状態で凸部６６ａ、６６ｂが凹部４２ａ、４２ｂに嵌め込まれている。このため、モールド部材４０とケース６０とが固定される。これにより、モールド部材４０を介して基板１０とケース６０とを強固に固定することができる。したがって、半導体装置９０をケース６０に対して強固に固定することができる。よって、基板１０、ひいては半導体装置９０がケース６０に対して共振することを抑制することができる。

（第２実施形態）
上記第１実施形態では、モールド部材４０およびケース６０を固定するために、凸部および凹部を２組み設けた例について説明したが、これに代えて、本第２実施形態では、１組の凸部および凹部によってモールド部材４０およびケース６０を固定する例について説明する。

図４に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図４は、図３の断面図に相当する図である。

本実施形態では、凹部４２ａ、４２ｂに代えて凹部４２が設けられている。凹部４２は、モールド部材４０の上面４１のうち面方向中央部に設けられている。凹部４２は、ケース６０の底面６１と反対側に凹むように形成されている。凸部６６は、凸部６６ａ、６６ｂに代えて設けられている。凸部６６は、凹部４２に対応するように設けられている。凸部６６は、ケース６０の底面６１において、モールド部材４０の上面４１側に凸になるように形成されている。

凹部４２のうち基板１０の面方向の断面積は、凸部６６のうち基板１０の面方向の断面積に比べて小さくなっている。凸部６６が凹部４２に圧入された状態で凸部６６が凹部４２に嵌め込まれている。これにより、モールド部材４０とケース６０とが固定される。したがって、上記第１実施形態と同様に、モールド部材４０を介して基板１０とケース６０とを強固に固定することができる。したがって、半導体装置９０をケース６０に対して強固に固定することができる。よって、基板１０、ひいては半導体装置９０がケース６０に対して共振することを抑制することができる。

（第３実施形態）
上記第２実施形態では、モールド部材４０およびケース６０を固定するために、凸部および凹部を２組み設けた例について説明したが、これに代えて、本第２実施形態では、４組の凸部および凹部によってモールド部材４０およびケース６０を固定する例について説明する。

図５に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図５は、図３の断面図に相当する図である。

本実施形態では、上記第１実施形態の凹部４２ａ、４２ｂに代えて凹部４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆが設けられている。凹部４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆは、モールド部材４０の上面４１のうち面方向中央側に配置されている。

具体的には、凹部４２ｄ、４２ｆは、図５中の右上の機械的接続部６４と図５中の左下の機械的接続部６４との間で中央側に位置する。凹部４２ｅ、４２ｃは、図５中の左上の機械的接続部６４と図５中の右下の機械的接続部６４との間で中央側に位置する。すなわち、凹部４２ｃ〜４２ｆは、基板１０の面方向中央側に位置することになる。

さらに、本実施形態では、上記第１実施形態の凸部６６ａ、６６ｂに代えて凸部６６ｃ、６６ｄ、６６ｅ、６６ｆが設けられている。凸部６６ｃ、６６ｄ、６６ｅ、６６ｆは、ケース６０の底面６１において、基板１０の面方向に直交する方向に凸になるように形成されている。

ここで、凹部４２ｃ〜４２ｆは、上記第１実施形態の凹部４２ａ、４２ｂと同様の役割を果たす。凸部６６ｃ〜６６ｆは、上記第１実施形態の凸部６６ａ、６６ｂと同様の役割を果たす。

したがって、凸部６６ｃが凹部４２ｃに圧入された状態で凸部６６ｃが凹部４２ｃに嵌め込まれている。凸部６６ｄが凹部４２ｄに圧入された状態で凸部６６ｄが凹部４２ｄに嵌め込まれている。凸部６６ｅが凹部４２ｅに圧入された状態で凸部６６ｅが凹部４２ｅに嵌め込まれている。凸部６６ｆが凹部４２ｆに圧入された状態で凸部６６ｆが凹部４２ｆに嵌め込まれている。これにより、モールド部材４０とケース６０とが固定される。したがって、上記第１実施形態と同様に、モールド部材４０を介して基板１０とケース６０とを強固に固定することができる。よって、基板１０がケース６０に対して共振することを抑制することができる。

ここで、基板１０が四隅において機械的接続部６４によってケース６０に支持されている。このため、凹部４２ｃ〜４２ｆや凸部６６ｃ〜６６ｆが設けられていない場合には、基板１０の面方向中央部が大きく振動する。

これに対して、本実施形態では、凹部４２ｃ〜４２ｆは、上述の如く、基板１０の面方向中央部側に位置する。このため、モールド部材４０のうち面方向中央部側が凹部４２ｃ〜４２ｆや凸部６６ｃ〜６６ｆによってケース６０の底面６１に固定される。したがって、基板１０の共振点をずらして基板１０が振動することを確実に抑えることができる。

上記第３実施形態では、モールド部材４０に凹部４２ｃ〜４２ｆを設け、かつケース６０に凸部６６ｃ〜６６ｆを設けた例について説明したが、これに代えて、ケース６０に凹部４２ｃ〜４２ｆを設け、かつモールド部材４０に凸部６６ｃ〜６６ｆを設けてもよい。

（第４実施形態）
本第４実施形態では、上記第２実施形態の凹部４２の配置によって電子部品２０の放熱性を向上させるようにした例について説明する。

図６に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図７は図６中のVII−VII矢視断面図である。

本実施形態の凹部４２は、モールド部材４０の上面４１のうち電子部品３０ａに対して基板１０の面方向に対する直交方向で重なるように設けられている。本実施形態の電子部品２０ａは、その作動に伴って多くの熱を発生する発熱素子としてのパワー素子が用いられる。本実施形態の凸部６６の熱電導率は、モールド部材４０の熱電導率よりも大きい。例えば、凸部６６としては、アルミニウム等の金属材料からなるものが用いられる
以上説明した本実施形態によれば、凹部４２は、モールド部材４０の上面４１のうち電子部品２０ａに対して基板１０の面方向に対する直交方向で重なるように設けられている。凸部６６の熱電導率は、モールド部材４０の熱電導率よりも大きい。凸部６６が凹部４２に嵌め込まれた状態で、凸部６６は、電子部品２０ａに対して基板１０の面方向に対する直交方向で重なる。したがって、電子部品２０ａから発生した熱をモールド部材４０を介して凸部６６側に放熱させることができる。よって、電子部品２０ａからの熱をモールド部材４０および凸部６６を通してケース６０の外側に放出させることができる。このため、電子部品２０ａの放熱性を向上させることができる。

（第５実施形態）
上記第１〜第４実施形態では、ケース６０の底面６１に凸部６６ａ、６６ｂを設けた例について説明したが、これに代えて、本第５実施形態では、ケース６０の側面に凸部６６ａ、６６ｂを設けた例について説明する。

図８に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図８は図３の断面図に相当する図である。

本実施形態の凸部６６ａは、ケース６０の側面６７ａにおいてモールド部材４０側に凸になるように設けられている。凸部６６ｂは、ケース６０の側面６７ｂにおいてモールド部材４０側に凸になるように設けられている。側面６７ａ、６７ｂは、ケース６０内側において、基板１０の面方向に直交し、かつ互いに対向するように形成されている面である。凸部６６ａ、６６ｂが突起する方向は、基板１０の面方向に平行な方向である。

本実施形態の凹部４２ａは、モールド部材４０の側面４３ａにおいてケース６０の側面６７ａに対して反対側に凹むように設けられている。側面４３ａは、ケース６０の側面６７ａに対向している。凹部４２ｂは、モールド部材４０の側面４３ｂにおいてケース６０の側面６７ｂに対して反対側に凹むように設けられている。側面４３ｂは、ケース６０の側面６７ｂに対向している。

以上説明した本実施形態によれば、凸部６６ａ、６６ｂが凹部４２ａ、４２ｂに圧入された状態で凸部６６ａ、６６ｂが凹部４２ａ、４２ｂに嵌め込まれている。このため、凸部６６ａ、６６ｂ、および凹部４２ａ、４２ｂは、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。

（第６実施形態）
上記第１実施形態では、モールド部材４０に凹部４２ａ、４２ｂを設け、かつ
ケース６０の底面６１に凸部６６ａ、６６ｂを設けた例について説明したが、これに代えて、本第６実施形態では、モールド部材４０に凸部を設け、かつケース６０の底面６１に凹部を設けた例について説明する。

図９に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。本実施形態のモールド部材４０の上面４１には、凸部４４ａ、４４ｂが設けられている。凸部４４ａ、４４ｂは、それぞれ、ケース６０の底面６１側に凸となるように形成されている。凸部４４ａ、４４ｂが突起する方向は、基板１０の面方向に対して直交する方向である。

ケース６０の底面６１には、凹部６８ａ、６８ｂが設けられている。凹部６８ａ、６８ｂは、それぞれ、モールド部材４０の上面４１に対して反対側に凹むように形成されている。凹部６８ａは、凸部４４ａに対応し、凹部６８ｂは、凸部４４ｂに対応している。

ここで、凹部６８ａのうち基板１０の面方向の断面積は、凸部４４ａのうち基板１０の面方向の断面積に比べて小さくなっている。凹部６８ｂのうち基板１０の面方向の断面積は、凸部４４ｂのうち基板１０の面方向の断面積に比べて小さくなっている。

以上説明した本実施形態によれば、凸部４４ａが凹部６８ａに圧入された状態で凸部４４ａが凹部６８ａに嵌め込まれている。凸部４４ｂが凹部６８ｂに圧入された状態で凸部４４ｂが凹部６８ｂに嵌め込まれている。このため、モールド部材４０とケース６０とが固定される。これにより、モールド部材４０を介して基板１０とケース６０とを強固に固定することができる。したがって、上記第１実施形態と同様に、基板１０、ひいては半導体装置９０がケース６０に対して共振することを抑制することができる。

（第７実施形態）
上記第５実施形態では、ケース６０の側面６７ａ、６７ｂに凸部を設けた例について説明したが、これに代えて、本第７実施形態では、ケース６０の側面６７ａ、６７ｂに凹部を設けた例について説明する。

図１０に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図１０は図８の断面図に相当する図である。

本実施形態のケース６０の側面６７ａには、凹部６９ａが設けられている。凹部６９ａは、モールド部材４０の側面４３ａに対して反対側に凹んでいる。ケース６０の側面６７ｂには、凹部６９ｂが設けられている。凹部６９ｂは、モールド部材４０の側面４３ｂに対して反対側に凹んでいる。

モールド部材４０の側面４３ａには、凸部４５ａが設けられている。凸部４５ａは、ケース６０の側面６７ａ側に突起している。モールド部材４０の側面４３ｂには、凸部４５ｂが設けられている。凸部４５ｂは、ケース６０の側面６７ｂ側に突起している。凸部４５ａ、４５ｂが突起する方向は、基板１０の面方向に対して平行な方向である。

以上説明した本実施形態によれば、凸部４５ａ、４５ｂが凹部６９ａ、６９ｂに圧入された状態で凸部４５ａ、４５ｂが凹部６９ａ、６９ｂに嵌め込まれている。このため、凸部４５ａ、４５ｂ、および凹部６９ａ、６９ｂは、上記第５実施形態と同様の効果を得ることができる。

（他の実施形態）
上記第１〜第７の実施形態では、機械的接続部６４の先端を熱かしめすることで、基板１０を機械的接続部６４に固定した例について説明したが、これに代えて、接着剤によって基板１０を機械的接続部６４に固定してもよく、ネジ締めによって基板１０を機械的接続部６４に固定してもよい。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。

Ｓ１ 電子装置
１０ 基板
２０、３０ 電子部品
４０ モールド部材
４１ 上面（第１面）
４３ａ、４３ｂ 側面（第２面）
４２ａ〜４２ｆ、４２、６８ａ、６８ｂ、６９ａ、６９ｂ 凹部
６０ ケース
６１ 底面
６６、６６ａ〜６６ｆ、４５、４４ａ，４４ｂ、４５ａ、４５ｂ 凸部

Claims (7)

1. 基板（１０）と、前記基板の一面に搭載される電子部品（２０、３０）と、前記電子部品をモールドするように形成されて前記基板の一面および前記電子部品に接合されているモールド部材（４０）と、前記基板を前記電子部品および前記モールド部材とともに収納するケース（６０）と、を備え、
   前記モールド部材および前記ケースのうち一方には、他方向に向けて突起する凸部（６６、６６ａ〜６６ｆ、４５、４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４５ｂ）が設けられ、前記他方向には、前記一方に対して反対側に凹む凹部（４２ａ〜４２ｆ、４２、６８ａ、６８ｂ、６９ａ、６９ｂ）が設けられており、
   前記凸部が前記凹部に圧入された状態で前記凸部が前記凹部に嵌め込まれていることにより、前記モールド部材と前記ケースとが固定されていることを特徴とする電子装置。
2. 前記凸部が突起する方向は、前記基板の面方向に対する直交方向であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記モールド部材は、前記基板の面方向に対して平行に形成されて、かつ前記ケースの底面（６１）に対向する第１面（４１）を備え、
   前記凸部および前記凹部のうち一方は、前記第１面に設けられており、
   前記凸部および前記凹部のうち前記一方以外の他方は、前記ケースの底面に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
4. 前記電子部品は、その作動に伴って熱を発生する発熱部品であり、
   前記ケースには、前記凸部が設けられ、前記モールド部材には、前記凹部が設けられており、
   前記凹部は、前記モールド部材のうち前記基板の面方向に直交する直交方向にて前記発熱部品に対して重なるように設けられており、
   前記凸部の熱電導率は、前記モールド部材の熱電導率よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
5. 前記ケースの底面からそれぞれ突出するように形成されて、前記基板の四隅を支持する４つの固定部材（６４）を備え、
   前記凸部および前記凹部は、前記基板の面方向中央側に位置することを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
6. 前記凸部が突起する方向は、前記基板の面方向に対して平行であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
7. 前記モールド部材は、前記基板の面方向に対して直交する第２面（４３ａ、４３ｂ）を備え、
   前記ケースの内側には、前記第２面に対向する側面（６７ａ、６７ｂ）が設けられており、
   前記凸部および前記凹部のうち一方は、前記第２面に設けられており、
   前記凸部および前記凹部のうち前記一方以外の他方は、前記側面に設けられていることを特徴とする請求項１または６に記載の電子装置。

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