本発明の要部について図1(a)を用いて説明する。図1(a)は本発明の特徴部分を示す概念図である。本発明に係る撮像装置は、複数の画素を有する。画素は、光電変換部2と、光電変換部2で生じた電荷に基づく信号を出力する増幅部3と、当該増幅部から出力された信号を保持するメモリ部4とを含んで構成される。図1(a)では3つの画素1a、1b、1cが例示されている。画素1aと画素1bとの間に、1つあるいは複数の画素が配されていてもよい。または、画素1aと画素1bとが隣り合って配されていてもよい。画素1bと画素1cとの間に、1つあるいは複数の画素が配されていてもよい。または、画素1bと画素1cとは隣り合って配されていてもよい。
本発明に係る撮像装置は、複数の画素のメモリ部4を互いに接続する接続部5を有する。接続部5はスイッチを含んで構成される。図1(a)は、接続部5が、画素1aおよび画素1bのメモリ部4を接続するスイッチ5aと、画素1bおよび画素1cのメモリ部4を接続するスイッチ5bとを含む例を示している。スイッチのオンによって、複数の画素のメモリ部4が互いに電気的に接続される。一方、スイッチのオフによって、複数の画素のメモリ部4が電気的に切断された状態、つまり非導通になる。スイッチは、例えばトランジスタで構成される。複数のメモリ部4が互いに接続されることで、複数のメモリ部4に保持された信号が加算あるいは平均化される。
接続部5は、異なる組み合わせの複数の画素のメモリ部4を互いに接続する。これを図1(b)、(c)を用いて説明する。図1(b)、(c)において、図1(a)と同じ部材には同じ符号が付されている。ただし、図1(b)、(c)では、スイッチ5aおよびスイッチ5bの状態(オンあるいはオフ)が模式的に示されている。
まず、画素1aと画素1bとが第1の組み合わせの複数の画素である。そして、画素1bと画素1cとが、第1の組み合わせとは異なる、第2の組み合わせの複数の画素である。図1(b)は、第1の組み合わせの複数の画素のメモリ部4が互いに接続された状態を示している。具体的に図1(b)では、スイッチ5aがオンであり、スイッチ5bがオフである。これによって、画素1aのメモリ部4と画素1bのメモリ部4とが電気的に接続される。一方で、画素1cのメモリ部4は、画素1aおよび画素1bのメモリ部4とは接続されない。図1(c)は、第2の組み合わせの複数の画素のメモリ部4が互いに接続された状態を示している。具体的に図1(c)では、スイッチ5aがオフであり、スイッチ5bがオンである。これによって、画素1bのメモリ部4と画素1cのメモリ部4とが電気的に接続される。一方で、画素1aのメモリ部4は、画素1bおよび画素1cのメモリ部4とは接続されない。
ここで、第1の組み合わせに含まれる画素1aは、第2の組み合わせには含まれない。また、第2の組み合わせに含まれる画素1cは、第1の組み合わせには含まれない。そして、画素1bは第1および第2の組み合わせの両方に含まれる。このように、第1の組み合わせは、第2の組み合わせに含まれる画素と第2の組み合わせには含まれない画素との両方を含む。第2の組み合わせは、第1の組み合わせに含まれる画素と、第1の組み合わせに含まれない画素の両方を含む。接続部5は、このような2つの異なる組み合わせの複数の画素のメモリ部4を互いに接続する。
以上に述べた通り、本発明に係る撮像装置では、接続部5が複数の画素のメモリ部4を互いに接続する。そのため、所定の位置にスイッチと配線を設けることで、離れて配置された複数の画素のメモリ部4を容易に接続することができる。例えば、間に異色の画素を挟んで配置された2つの同色の画素のみを接続部5が接続することが容易になる。また、離れた画素の長い配線によってメモリ部4の容量が増大することが考えられる。しかし、メモリ部4が増幅部3の後段に配されるため、メモリ部4には増幅部3によって増幅された信号が保持される。そのため、信号振幅の低下を抑制することができ、結果として高いSN比を得ることができる。
増幅部3は、光電変換部2で発生した電荷の量に基づく電圧信号あるいは電流信号を出力する。増幅部3はトランジスタを含んで構成される。具体的に、増幅部3は、ソースフォロア回路、ソース接地回路、差動増幅回路などである。また、増幅部3は複数の回路がカスケード接続されて構成されてもよい。
メモリ部4は例えば容量を含んで構成される。メモリ部4は1つの容量で構成されてもよい。あるいは、メモリ部4は複数の容量で構成されてもよい。メモリ部4が1つの容量で構成される場合には、画素における回路の規模が縮小されるため光電変換部2の開口率を向上させることができる。この場合でも、図1(b)と図1(c)に示されるように、スイッチを選択的にオンにすることで、接続される画素の組み合わせを変えることができる。
メモリ部4が複数の容量を有する場合は、同一蓄積期間の信号を複数の容量に保持できるため撮像装置の高機能化あるいは高画質化が可能である。例えば、図1(d)に示されるように、画素1bのメモリ部4が2つの容量4a、4bを含んで構成されうる。増幅部3から出力された信号が、容量4a、4bの両方に保持される。容量4aは、スイッチ5aを介して、画素1aのメモリ部4と接続される。容量4bは、スイッチ5bを介して、画素1cのメモリ部4と接続される。これにより、ある蓄積期間に得られた画素1aの信号および画素1bの信号を平均あるいは加算した信号と、同じ蓄積期間に得られた画素1bの信号および画素1cの信号を平均あるいは加算した信号との両方を得ることができる。結果として、異なる蓄積時間の信号に基づいて異なる組み合わせで平均あるいは加算された信号を得る場合に比べて、高画質の画像を得ることができる。
図1(d)が示すように、スイッチ5aおよびスイッチ5bの両方が並行してオンしてもよい。これにより、画素1aのメモリ部4と画素1bのメモリ部4との接続、および画素1bのメモリ部4と画素1cのメモリ部との接続が並行してなされる。画素1bのメモリ部が2つの容量4a、4bで構成され、容量4aにスイッチ5aが、容量4bにスイッチ5bが接続されているので、2つのスイッチが並行してオンしても、画素1aのメモリ部4と画素1cのメモリ部4とは接続されない。つまり、2つの異なる組み合わせの接続を並行して行うことができる。
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に説明される実施例のみに限定されない。本発明の趣旨を超えない範囲で構成が変更された変形例も本発明に含まれる。また、以下のいずれかの実施例の各要素を、他の実施例に追加した例、あるいは他の実施例の要素と置換した例も本発明の一部である。
本発明に係る撮像装置の実施例について説明する。本実施例では、各画素のメモリ部が第1の容量および第2の容量を含んで構成される。そして、1つの画素に着目したとき、第1の容量が第1の組み合わせに含まれる複数の画素のメモリ部と接続される。そして、当該1つの画素の第2の容量が第2の組み合わせに含まれる複数の画素のメモリ部と接続される。
図2は、本実施例の撮像装置の全体ブロック図である。撮像装置101は半導体基板を用いて1つのチップで構成することができる。撮像装置101は、撮像領域102に配された複数の画素を有している。更に、撮像装置101は制御部103を有している。制御部103は、垂直走査部104、信号処理部105及び出力部106に制御信号、電源電圧等を供給する。
垂直走査部104は撮像領域102に配された複数の画素に駆動信号を供給する。通常、画素行ごともしくは複数の画素行ごとに駆動信号を供給する。垂直走査部104はシフトレジスタもしくはアドレスデコーダにより構成することができる。
信号処理部105は、列回路、水平走査回路、水平出力線を含んで構成される。列回路は、各々が、垂直走査部104により選択された画素行に含まれる複数の画素の信号を受ける複数の回路ブロックにより構成されている。各回路ブロックは、信号保持部、増幅回路、ノイズ除去回路、アナログデジタル変換回路のいずれか、全て、もしくはそれらの組み合わせにより構成することができる。これらの回路は、デジタル信号を処理する回路であってもよいし、アナログ信号を処理する回路であってもよい。水平走査回路はシフトレジスタもしくはアドレスデコーダにより構成することができる。
出力部106は水平出力線を介して伝達された信号を撮像装置101外に出力する。出力部106は、バッファもしくは増幅回路を含んで構成されている。
垂直走査部104、信号処理部105、出力部106は撮像領域102の外側に配される。つまり、撮像領域102の境界は、画素に含まれる素子と、垂直走査部104、信号処理部105、または出力部106を構成する素子との間にある。あるいは、複数の画素が2次元状に配される場合は、もっとも外周に配された画素の光電変換部を結ぶ線が、撮像領域102の境界であってもよい。
図3に本実施例の撮像装置の等価回路を示す。図3では、16個の画素201が示されている。撮像領域102が更に多数の画素201を含んで構成されていてもよい。本実施例では、これらの画素201が行列状に配される。上述の16個の画素201が4行4列の行列を構成している。なお、複数の画素は必ずしも行列状に配される必要はなく、撮像領域102に1次元状、あるいは2次元状に複数の画素が配置されればよい。また、図3では、接続部によってメモリ部が互いに接続される画素を示している。そのため、図3において隣り合って示された2つの画素が、必ずしも実際の装置において隣り合って配されている必要はない。
なお、個別の画素を区別して説明する場合は、画素201aのように、数字の符号と図に示されたアルファベットとを組み合わせて表記する。特に個別の画素を区別する必要がない場合は、画素201のように、単に数字のみの符号で表記する。また、複数の画素201のそれぞれに含まれ、互いに同様の機能を有する素子には、同じ数字の符号が付されている。個別の素子を区別して説明する際には、当該個別の素子が含まれる画素に対応したアルファベットを、数字の後に付して標記する。例えば、画素201aに含まれる素子は、数字の符号の後にアルファベットのaを付す。
図3において、画素201a、201b、201c、201dが第1行に含まれる。画素201e、201f、201g、201hが、第1行の隣の第2行に含まれる。そして、画素201i、201j、201k、201lが第3行に含まれ、画素201m、201n、201o、201pが第4行に含まれる。また、画素201a、201e、201i、201mが第1列に含まれる。画素201b、201f、201j、201nが、第1列の隣の第2列に含まれる。そして、画素201c、201g、201k、201oが第3列に含まれ、画素201d、201h、201l、201pが第4列に含まれる。
本実施例では、2行2列ごとの4つの画素201の信号が、接続部によって平均化される。破線218、219、220、221がそれぞれ囲んでいる4つの画素201が、第1の組み合わせの複数の画素である。例えば、画素201a、201b、201e、201fが第1の組み合わせである。一点鎖線222が囲んでいる4つの画素201が、第2の組み合わせの複数の画素である。なお、一点鎖線222で囲まれていない画素201も、不図示の画素とともに、第2の組み合わせに含まれている。例えば、画素201bおよび画素201cは、2つの不図示の画素とともに、第2の組み合わせを構成する。
本実施例の撮像装置は、第1の組み合わせの複数の画素201の信号が平均化された信号と、第2の組み合わせの複数の画素201の信号が平均化された信号とが、それぞれ出力線216、217に出力される。出力線216、217に出力された信号は、後段の信号処理部105に伝達される。第1の組み合わせの4つの画素201の重心と、第2の組み合わせの4つの画素201の重心とは、行方向および列方向に1画素ずつずれている。そのため、これらの信号を公知の手法により合成することにより、モアレなど、高周波成分に起因するノイズが低減された画像を得ることができる。
次に撮像装置の各部を詳細に説明する。画素201は、光電変換部202、リセットトランジスタ203、第1増幅トランジスタ204、電流源205、第1容量206、第2容量207、第1サンプルホールドスイッチ(以下、SHスイッチ)208、第2SHスイッチ209を含む。図3において、ノードVSSには、基準電圧(例えばグラウンド電圧)が供給される。ノードVDDには電源電圧が供給される。
光電変換部202は入射光を信号電荷(電子、あるいは正孔)に変換する。光電変換部202の例としてフォトダイオードを示している。リセットトランジスタ203は、光電変換部202および第1増幅トランジスタ204の入力ノードの電圧をリセットする。第1増幅トランジスタ204は、電流源205とともにソースフォロア回路を構成する。第1増幅トランジスタ204の制御ノードが増幅部の入力ノードである。そして、第1増幅トランジスタ204の2つの主ノードの一方が、増幅部出力ノードである。このように、画素201の増幅部は、第1増幅トランジスタ204を含んで構成される。第1増幅トランジスタ204の出力ノードは、第1SHスイッチ208を介して、第1容量206に接続される。これにより、第1増幅トランジスタ204から出力された信号が、第1容量206に保持されうる。また、第1増幅トランジスタ204の出力ノードは、第2SHスイッチ209を介して第2容量207に接続される。これにより、第1増幅トランジスタ204から出力された信号が、第2容量207に保持されうる。画素201のメモリ部は、第1および第2容量206、207と第1および第2SHスイッチ208、209とを含んで構成される。
本実施例では、4つの画素201に1つの割合で、第2増幅トランジスタ210、第3増幅トランジスタ211、第1選択トランジスタ212、第2選択トランジスタ213が配される。
第2増幅トランジスタ210は、出力線216に接続される。出力線216には電流源214が接続される。第2増幅トランジスタ210は電流源214とともにソースフォロア回路を構成する。そして、第2増幅トランジスタ210は、第1容量206に保持された信号に基づく増幅信号を出力線216に出力する。第1選択トランジスタ212は、1つの出力線216に接続された複数の第2増幅トランジスタ210の中から、増幅信号を出力する1つを選択する。
第3増幅トランジスタ211は、出力線217に接続される。出力線217には電流源215が接続される。第3増幅トランジスタ211は電流源215とともにソースフォロア回路を構成する。そして、第3増幅トランジスタ211は、第2容量207に保持された信号に基づく増幅信号を出力線217に出力する。第2選択トランジスタ213は、1つの出力線217に接続された複数の第3増幅トランジスタ211の中から、増幅信号を出力する1つを選択する。
本実施例では、リセットトランジスタ203、第1乃至第3増幅トランジスタ204、210、211、第1および第2SHスイッチ208、209、第1および第2選択トランジスタ212、213は、それぞれMOSトランジスタである。つまり、トランジスタの制御ノードはゲートであり、トランジスタの2つの主ノードはソースとドレインである。なお、これらのトランジスタが、バイポーラトランジスタなど、別の種類のトランジスタで構成されてもよい。
また、電流源205、214、215は、カレントミラー回路の一部である。カレントミラー回路は、3つの電流源205、214、215が、同一のリファレンストランジスタの電流をミラーリングする構成となっていてもよい。
リセットトランジスタ203、第1および第2SHスイッチ208、209、第1および第2選択トランジスタ212、213の制御ノードには、それぞれ不図示の制御線が接続される。制御線は垂直走査部104に接続される。垂直走査部104は、上述の各トランジスタを駆動するための駆動信号を制御線に供給する。
本実施例の撮像装置は、複数のスイッチADD1(第1のスイッチ群)および複数のスイッチADD2(第2のスイッチ群)を含んで構成された接続部を備える。スイッチADD1は、2つの画素201の第1容量206を互いに接続する。スイッチADD2は、2つの画素201の第2容量207を互いに接続する。スイッチADD1、またはスイッチADD2がオンになると、接続される2つの容量の大きさが同じ場合には、2つの容量の保持する電圧が平均される。2つの容量の大きさが異なる場合には、容量比に応じて重み付け平均される。なお、第1容量206および第2容量207の大きさは、それらに接続されたスイッチがすべてオフの状態のとき等しいことが好ましい。しかし、製造プロセスに起因するばらつきによって、容量の大きさが異なっていてもよい。個々の容量の絶対値としては、製造プロセスに起因するばらつきが十分無視できる程度に大きいことが好ましい。
ここで、接続部によって接続される複数の画素201の組み合わせについて説明する。図3において、接続部によってそのメモリ部が互いに接続される複数の画素201の組み合わせが、破線および一点鎖線で示されている。スイッチADD1は、第1の組み合わせの複数の画素201のメモリ部を互いに接続する。例えば、破線218で囲まれた4つの画素201a、201b、201e、201fが、第1の組み合わせの複数の画素である。具体的には、画素201aの第1容量206aと画素201bの第1容量206bとがスイッチADD1を介して接続される。また、画素201aの第1容量206aと画素201eの第1容量206eとがスイッチADD1を介して接続される。そして、画素201eの第1容量206eと画素201fの第1容量206fとがスイッチADD1を介して接続される。なお、破線219、破線220、破線221のそれぞれに囲まれた4つの画素201についても、第1容量206がスイッチADD1によって互いに接続される。
スイッチADD2は、第2の組み合わせの複数の画素201のメモリ部を互いに接続する。図3において、一点鎖線222で囲まれた4つの画素201f、201g、201j、201kが、第2の組み合わせの複数の画素である。具体的には、画素201fの第2容量207fと画素201gの第1容量207gとがスイッチADD2を介して接続される。また、画素201fの第2容量207fと画素201jの第2容量207jとがスイッチADD2を介して接続される。そして、画素201jの第2容量207jと画素201kの第2容量207kとがスイッチADD2を介して接続される。
このように、本実施例では、複数のスイッチADD1と複数のスイッチADD2によって、異なる組み合わせの複数の画素201のメモリ部が接続される。これにより、第1の組み合わせの複数の画素201からの信号は、スイッチADD1によって平均化され、出力線216に出力される。また、第2の組み合わせの複数の画素201からの信号は、スイッチADD2によって平均化され、出力線217に出力される。
スイッチADD1およびスイッチADD2は例えばMOSトランジスタである。それぞれのゲートに制御線が接続される。制御線は垂直走査部104に接続される。垂直走査部104は、スイッチADD1、ADD2の状態(オンまたはオフ)を制御するための駆動信号を制御線に供給する。つまり、本実施例では、垂直走査部104および垂直走査部104を制御する制御部103が、接続部を制御している。具体的に、制御部103および垂直走査部104は、第1の組み合わせの複数の画素201のメモリ部が互いに接続されるように、複数のスイッチADD1をオンに制御する。そして、制御部103および垂直走査部104は、第2の組み合わせの複数の画素201のメモリ部が互いに接続されるように、複数のスイッチADD2をオンに制御する。
なお、接続部を制御する制御部が、複数の画素201が配されたチップとは別のチップに配されてもよい。別チップに配された制御部は、第1の組み合わせの複数の画素201のメモリ部が互いに接続されるように接続部を制御するための第1の制御信号を出力する。さらに、別チップに配された制御部は、第2の組み合わせの複数の画素201のメモリ部が互いに接続されるように接続部を制御する第2の制御信号を出力する。
続いて、本実施例の撮像装置の動作について説明する。図4(a)、(b)は、駆動信号のタイミングチャート図である。駆動信号RESは、リセットトランジスタ203に接続された制御線に供給される。駆動信号S/H1は、第1SHスイッチ208に接続された制御線に供給される。駆動信号S/H2は、第2SHスイッチ209に接続された制御線に供給される。駆動信号ADD1は、スイッチADD1に接続された制御線に供給される。駆動信号ADD2は、スイッチADD2に接続された制御線に供給される。駆動信号SELは、第1選択トランジスタ212に接続された制御線、および第2選択トランジスタ213に接続された制御線に供給される。
本実施例では、駆動信号RES、駆動信号S/H1、駆動信号S/H2、駆動信号ADD1、駆動信号ADD2が、全ての画素に同期して供給される。駆動信号SEL(n)と、駆動信号SEL(n+1)は異なる行の選択トランジスタの制御線に供給される。
駆動信号はハイレベルとローレベルの少なくとも2つの値を取りうる。ハイレベルの駆動信号が供給されると、トランジスタあるいはスイッチがオンとなる。ローレベルの駆動信号が供給されると、トランジスタあるいはスイッチがオフとなる。
図4(a)を使って、第1の動作例を説明する。図4(a)の時刻T1より前には、駆動信号RESがハイレベルであり、他の駆動信号は全てローレベルである。リセットトランジスタ203がオンしているので、光電変換部202には、リセット電位が供給されている。この時、第1増幅トランジスタ204は、光電変換部202がリセットされた状態に応じた信号を出力している。
時刻T1において、駆動信号RESがハイレベルからローレベルに遷移する。これにより、リセットトランジスタ203がオフする。リセットトランジスタ203がオフすることにより、光電変換部202で電荷の蓄積が開始される。つまり、時刻T1に露光期間が開始される。露光期間には、第1増幅トランジスタ204が光電変換部202で発生した電荷の量に応じた信号を出力している。
時刻T2において、駆動信号S/H1および駆動信号S/H2がローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、第1および第2SHスイッチ208、209がオンする。そして、光電変換部202で発生した電荷の量に応じた信号が、第1および第2容量206、207の両方にサンプリングされる。時刻T2から所定の時間が経過したのちに、駆動信号S/H1および駆動信号S/H2がハイレベルからローレベルに遷移する。これにより、光電変換部202で発生した電荷の量に応じた信号が、第1および第2容量206、207の両方に保持される。第1SHスイッチ208および第2SHスイッチ209がオフした時点で、露光期間を終了してもよい。
時刻T3において、駆動信号RESがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、リセットトランジスタ203がオンする。リセットトランジスタ203がオンすることで、光電変換部202に蓄積された電荷が排出される。なお、リセットトランジスタ203がオンするタイミングは時刻T3に限られず、リセットトランジスタ203は次の露光期間が開始される前までにオンすればよい。
時刻T4において、駆動信号ADD1および駆動信号ADD2がローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、スイッチADD1およびスイッチADD2がオンする。スイッチADD1がオンすることにより、第1の組み合わせの複数の画素201の第1容量206に保持された信号が平均化される。また、スイッチADD2がオンすることにより、第2の組み合わせの複数の画素201の第2容量207に保持された信号が平均化される。
その後、平均化された信号が順次読み出される。時刻T5において、駆動信号SEL(n)がローレベルからハイレベルに遷移する。これによって、駆動信号SEL(n)が供給される第1選択トランジスタ212および第2選択トランジスタ213がオンする。例えば、画素201bに含まれる第1および第2選択トランジスタ212b、213bと、画素201dに含まれる第1および第2選択トランジスタ212d、213dとがオンする。そして、オンとなった選択トランジスタに対応する第2増幅トランジスタ210及び第3増幅トランジスタ211が、それぞれ平均化された信号を増幅して出力線216、217に出力する。出力線216、217に出力された信号は、信号処理部105に伝達され、所定の信号処理がなされる。時刻T5から所定の時間が経過した後、駆動信号SEL(n)がハイレベルからローレベルに遷移する。
時刻T6において、駆動信号SEL(n+1)がローレベルからハイレベルに遷移する。これによって時刻T5にオンした選択トランジスタとは別の選択トランジスタがオンする。例えば、画素201jに含まれる第1および第2選択トランジスタ212j、213jと、画素201lに含まれる第1および第2選択トランジスタ212l、213lとがオンする。そして、オンとなった選択トランジスタに対応する第2増幅トランジスタ210及び第3増幅トランジスタ211が、それぞれ平均化された信号を増幅して出力線216、217に出力する。
以上の動作により、複数のスイッチADD1と複数のスイッチADD2によって、異なる組み合わせの複数の画素201のメモリ部が接続される。そして、第1の組み合わせの複数の画素201からの信号は、スイッチADD1によって平均化され、出力線216に出力される。また、第2の組み合わせの複数の画素201からの信号は、スイッチADD2によって平均化され、出力線217に出力される。
なお、平均化された信号が読み出されている間に、次の露光期間が開始されてもよい。このような第2の動作例について、図4(b)を用いて説明する。図4(b)では、時刻T1bに駆動信号RESがハイレベルからローレベルに遷移する。そして、この時点から次の露光期間が開始される。このように、信号が読み出されている間に露光期間が開始されることで、フレームレートを高くすることが可能である。
以上に述べた通り、本実施例の撮像装置では、画素201が第1増幅トランジスタ204と、第1増幅トランジスタ204から出力された増幅信号を保持する第1および第2容量206、207を有する。そして、本実施例の撮像装置は、異なる組み合わせの複数の画素201のメモリ部を接続するスイッチADD1およびスイッチADD2を有する。このような構成によれば、信号を平均する複数の画素201の選択の自由度が向上する。その結果、画質を向上させることが可能である。
また、本実施例では、画素201のメモリ部が、第1容量206と第2容量207の2つの容量を含んで構成される。このような構成によれば、同一の露光期間に蓄積された電荷に基づく信号を、2つの容量に保持することができる。そのため、第1の組み合わせでの平均化に用いられる信号と、第2の組み合わせでの平均化に用いられる信号とが、同じ蓄積期間に得られた電荷に基づく信号である。このため、両者の信号を合成した時の画質の低下を抑制することができる。
また、1つの画素201のメモリ部が複数の容量を含む。そして、スイッチADD1が複数の画素201の第1容量206だけを接続し、スイッチADD2が複数の画素201の第2容量207だけを接続する。そのため、スイッチADD1とスイッチADD2を同期して駆動しても、異なる組み合わせの複数の画素のメモリ部を互いに接続することができる。そこで、例えばスイッチADD1の制御線とスイッチADD2の制御線とを共通の制御線とすることで、配線を削減することが可能である。
本実施例の撮像装置の動作では、全ての画素が同期して駆動される。つまり、全ての画素において露光期間が一致しているグローバル電子シャッタ動作を行っている。このような構成によれば、高速で移動する被写体のひずみを低減することができるため、画質を向上させることができる。
また、本実施例の撮像装置の動作では、第1および第2SHスイッチ208、209がほぼ同じタイミングで動作する。このような駆動を行う場合には、第1および第2SHスイッチ208、209の制御ノードが互いに接続されていてもよい。このような構成によれば、制御線の数を減らすことができる。
また、本実施例では、いわゆる移動平均を行っている。例えば第2列に着目すると、画素201bの信号と画素201fの信号が平均化された信号(第1信号)が得られる。また、画素201fの信号と画素201jの信号が平均化された信号(第2信号)が得られる。そして、画素201jの信号と画素201nの信号が平均化された信号(第3信号)が得られる。第2列の4つの画素が並ぶ方向における、第1信号、第2信号、第3信号の光学中心のピッチは、当該第2列の4つの画素のピッチと同じである。つまり、平均化された信号の光学中心が画素の配列と同じピッチで並ぶように、異なる4つの組み合わせで画素の信号を平均化している。別の観点で言えば、平均する前の信号群、つまり画素からの信号群の光学中心のピッチと、平均した後の信号群の光学中心のピッチとが等しい。このような信号群の平均化を移動平均と呼ぶ。これにより、合成などの信号処理を省略した場合でも、モアレなどの、高周波成分に起因するノイズを低減した画像を得ることができる。
本発明に係る撮像装置の別の実施例について説明する。本実施例では、画素にカラーフィルタが設けられている点が、実施例1と異なる。本実施例において特に説明のない部分は、実施例1と同様である。
図5(a)は、本実施例の撮像装置が有する複数の画素を模式的に示している。1つの小さい四角形が、図2の撮像領域102における1つの画素が配される領域を模式的に表している。図3の回路図において1つの画素201に含まれる素子として示された一群の素子が、この1つの四角形の中に配されうる。
図5では、多数の画素が配されているため、行を表すアルファベットと列を表す数字の組み合わせで画素の位置を標記する。1つの行に配された画素には同じアルファベットを割り当てる。具体的に、図5の一番上の行にはAを割り当てる。以下、2行目にB、3行目にCというように順にアルファベットを割り当てる。一方、1つの列に配された画素には、同じ数字を割り当てる。図5の一番左の列には1を割り当てる。以下、2列目に2、3列目に3というように順に数字を割り当てる。例えば、図5の上から5行目、左から2列目の画素を、画素F2と標記する。
なお、図5では、画素を四角形で模式的に示している。しかし、1つの画素の領域は、必ずしも四角形である必要はない。また、図5は、複数の画素が正方格子に配された例を示している。しかし、必ずしも正方格子に限られず、複数の画素が2次元状に周期的に配されていればよい。
本実施例の撮像装置は3色のカラーフィルタを有する。図5(a)は、各画素に配されたカラーフィルタの色を示している。Rは、第1の波長帯、例えば赤色のカラーフィルタが配されていることを示す。GrおよびGbは、第2の波長帯、例えば緑色のカラーフィルタが配されていることを示す。Bは、第3の波長帯、例えば青色のカラーフィルタが配されていることを示す。本実施例の撮像装置は、図が示す通り、いわゆるベイヤー配列のカラーフィルタを備えている。しかし、カラーフィルタの配列はこれに限られない。少なくとも2色以上のカラーフィルタが配されていればよい。
図5(a)において、接続部によって互いのメモリ部が接続される画素の組み合わせが、実線301〜312および一点鎖線313〜324で示される。そして、本実施例の接続部は、実線あるいは一点鎖線で囲まれた複数の画素のうち、同じ色のカラーフィルタが配された複数の画素のメモリ部を互いに接続する。
実線301に囲まれた16個の画素を例に説明する。この中で、画素A1、画素A3、画素C1、画素C3に、赤色のカラーフィルタが配されている。接続部は、画素A1、画素A3、画素C1、画素C3のメモリ部を接続する。つまり、画素A1、画素A3、画素C1、画素C3のメモリ部にそれぞれ保持された4つの信号が平均化される。
画素A2、画素A4、画素C2、画素C4には、緑色のカラーフィルタが配されている。接続部は、画素A2、画素A4、画素C2、画素C4のメモリ部を接続する。つまり、画素A2、画素A4、画素C2、画素C4のメモリ部にそれぞれ保持された4つの信号が平均化される。また、画素B1、画素B3、画素D1、画素D3に、緑色のカラーフィルタが配されている。接続部は、画素B1、画素B3、画素D1、画素D3のメモリ部を接続する。つまり、画素B1、画素B3、画素D1、画素D3のメモリ部にそれぞれ保持された4つの信号が平均化される。ここで、Grで示された画素と、Gbで示された画素には、いずれも緑色のカラーフィルタが配されている。しかし、上述の通り、異なる組み合わせとして、信号が平均化される。
画素B2、画素B4、画素D2、画素D4に、青色のカラーフィルタが配されている。接続部は、画素B2、画素B4、画素D2、画素D4のメモリ部を接続する。つまり、画素B2、画素B4、画素D2、画素D4のメモリ部にそれぞれ保持された4つの信号が平均化される。
他の実線302〜312、および一点鎖線313〜324で囲まれた16個の画素についても、同じ色の画素同士で、メモリ部が接続される。なお、図5において、一点鎖線316、320〜324に囲まれた画素の数は16個より少ない。しかし、実際には、不図示の画素を含めた複数の画素のメモリ部が接続されうる。
本実施例では、実線301〜312で囲まれた複数の画素が、第1の組み合わせである。一方、一点鎖線313〜324で囲まれた複数の画素が、第2の組み合わせである。例えば、実線301で囲まれた画素A1、画素A3、画素C1、画素C3の4つの信号が平均化される。一方で、一点鎖線313で囲まれた画素C3、画素C5、画素E3、画素E5の4つの信号が平均化される。
これらの画素の回路構成は、実施例1と同様である。具体的には、図5における画素A1、画素A3、画素C1、画素C3が、それぞれ図3の画素201a、画素201b、画素201e、画素201fと同じである。そして、図5における画素C3、画素C5、画素E3、画素E5が、それぞれ図3の画素201f、画素201g、画素201j、画素201kと同じである。
図3では、画素201aと画素201bとが隣り合う画素として示されている。しかし、本発明に係る撮像装置はスイッチと配線を含んで構成された接続部を有するため、画素201aと画素201bとの間に、当該2つの画素201a、201bとは接続されない別の画素を配置することができる。つまり、間に別の画素を挟んで配置された2つの画素のメモリ部を容易に接続することができるのである。そのため、ベイヤー配列のように、隣り合う画素で異なる色のカラーフィルタが配される場合でも、同じ色の複数の画素のメモリ部を接続することができる。
図5(b)は、平均化された信号の光学中心を示している。図5(b)では、平均化された信号の光学中心が位置する画素を、R、Gb、Gr、またはBで示している。例えば、図5(a)の画素A1、画素A3、画素C1、画素C3の平均化された信号の光学中心は、画素B2の領域に位置する。つまり、平均化された信号を、画素B2からの信号として扱うことができる。そのため、第1の組み合わせにおいて平均化された信号と、第2の組み合わせにおいて平均化された信号とを合成することにより、モアレなどの、高周波成分に起因するノイズを低減することができる。そして、本実施例では、同じ色の画素の信号を平均化するので、平均化された信号は混色の低減された信号である。そのため、ノイズの低減された画像を得ることができる。
以上に述べた通り、本実施例の撮像装置は複数の色のカラーフィルタを有する。そして、接続部は、同じ色の複数の画素において、第1の組み合わせおよび第2の組み合わせの複数の画素のメモリ部を接続する。このような構成によれば、混色を低減しつつ、モアレなどの、高周波成分に起因するノイズを低減することができる。
本発明に係る撮像装置の別の実施例について説明する。本実施例では、接続部によって接続される画素の組み合わせが実施例1および実施例2と異なる。本実施例において特に説明のない部分は、実施例1あるいは実施例2と同様である。
図6(a)は、本実施例の撮像装置が有する複数の画素を模式的に示している。画素の位置の標記は図5と同じである。また、本実施例の画素には、カラーフィルタが配されている。
本実施例では、1つの画素について、当該1つの画素を含む4つの異なる組み合わせにおいて、メモリ部が接続される。4つの組み合わせは、実線401、破線402、一点鎖線403、二点鎖線404が示す画素の組み合わせである。
具体的に、画素C3を例に説明する。画素C3には赤色のカラーフィルタが配されている。第1の組み合わせとして、画素A1、画素A3、画素C1、画素C3の4つの画素のメモリ部が接続される。第2の組み合わせとして、画素A3、画素A5、画素C3、画素C5の4つの画素のメモリ部が接続される。第3の組み合わせとして、画素C1、画素C3、画素E1、画素E3の4つの画素のメモリ部が接続される。そして、第4の組み合わせとして、画素C3、画素C5、画素E3、画素E5の4つの画素のメモリ部が接続される。
他の色のカラーフィルタが配された画素についても、ある画素に着目した場合に、当該画素を含む4つの異なる組み合わせで、メモリ部が接続される。
このような接続を行うために、1つの画素のメモリ部が4つの容量を含んで構成されてもよい。それぞれの容量が、異なる組み合わせの複数の画素のメモリ部と接続される。具体的に、画素C3のメモリ部が第1ないし第4の4つの容量を含んで構成される例を説明する。接続部は、第1の容量を、画素A1、画素A3、画素C1のメモリ部と接続するための一群のスイッチADD1(第1のスイッチ群)を含む。また、接続部は、第2の容量を、画素A3、画素A5、画素C5のメモリ部と接続するための一群のスイッチADD2(第2のスイッチ群)を含む。さらに、接続部は、第3の容量を、画素C1、画素E1、画素E3のメモリ部と接続するための一群のスイッチADD3(第3のスイッチ群)を含む。そして、接続部は、第4の容量を、画素C5、画素E3、画素E5のメモリ部と接続するための一群のスイッチADD4(第4のスイッチ群)を含む。
なお、本実施例の変形例として、メモリ部が3つ以下の容量で構成されてもよい。この場合には、異なる蓄積期間の信号が、異なる組み合わせの複数の画素で平均化される。容量の数を少なくすることで、光電変換部の開口を大きくすることが可能であるため、感度を向上させることができる。
図6(b)は、本実施例の平均化された信号の光学中心を示している。図6(b)では、平均化された信号の光学中心が位置する画素を、R、Gb、Gr、またはBで示している。例えば、図6(a)の画素A1、画素A3、画素C1、画素C3の平均化された信号の光学中心は、画素B2の領域に位置する。
本実施例では、4つの異なる組み合わせでメモリ部を接続している。そのため、それぞれの組み合わせで得られる平均化された信号の光学中心の位置が異なっている。このように、より多くの組み合わせでメモリ部を接続することで、平均化された信号をより多く得ることができる。結果として、解像度の高い画像を得ることができる。
また、本実施例では、いわゆる移動平均を行っている。つまり、平均化された信号の光学中心が画素の配列と同じピッチで並ぶように、異なる4つの組み合わせで画素の信号を平均化している。別の観点で言えば、平均する前の信号群、つまり画素からの信号群の光学中心のピッチと、平均した後の信号群の光学中心のピッチとが等しい。これにより、合成などの信号処理を省略した場合でも、モアレなどの、高周波成分に起因するノイズを低減した画像を得ることができる。
以上に述べた通り、本実施例によれば、実施例1あるいは実施例2の効果に加えて、解像度の高い画像を得ることができる。
本発明に係る撮像装置の別の実施例について説明する。本実施例は、実施例1〜3において、接続部によって接続される画素の組み合わせを変更した例である。本実施例において特に説明のない部分は、実施例1〜3と同様である。
図7は、本実施例の撮像装置が有する複数の画素を模式的に示している。画素の位置の標記は図5および図6と同じである。また、本実施例の画素は、カラーフィルタが配されてもよい。あるいは、本実施例の画素はモノクロでもよい。
本実施例では、実線601で囲まれた複数の画素が第1の組み合わせに含まれる。また破線602で囲まれた複数の画素が第2の組み合わせに含まれる。具体的には、第1の組み合わせとして、画素B1、画素B5、画素E1、画素E5の4つの画素のメモリ部が接続される。第2の組み合わせとして、画素E5、画素E9、画素H5、画素H9の4つの画素のメモリ部が接続される。
本実施例の2つの異なる組み合わせについて、第1の組み合わせは、第(n−a)行第(m−b)列に配された画素、第(n−a)行第m列に配された画素、第n行第(m−b)列に配された画素、第n行第m列に配された画素を含む。また、第2の組み合わせは、第n行第m列に配された画素、第n行第(m+b)列に配された画素、第(n+a)行第m列に配された画素、第(n+a)行第(m+b)列に配された画素を含む。ここで、n、m、a、bはいずれも整数である。図7の実線601と破線602が示す組み合わせは、(a、b)=(3、4)の場合である。nとmは基準となる画素の位置を示すものである。例えば画素A1が第1行第1列に配された画素であるとすると、図7の実線601と破線602が示す組み合わせは、(n、m)=(5、5)の場合である。
なお、図3において、破線218で囲まれた複数の画素201が第1の組み合わせであり、一点鎖線222で囲まれた複数の画素201が第2の組み合わせである場合、(a、b、n、m)=(1、1、2、2)である。一方、破線219で囲まれた複数の画素201が第1の組み合わせであり、一点鎖線222で囲まれた複数の画素201が第2の組み合わせである場合、(a、b、n、m)=(−1、−1、2、3)である。
また、図5において、実線302で囲まれた複数の画素201が第1の組み合わせであり、一点鎖線314で囲まれた複数の画素201が第2の組み合わせである場合を考える。このとき、赤色のカラーフィルタが配された画素については、(a、b、n、m)=(2、2、3、7)である。また、青色のカラーフィルタが配された画素については、(a、b、n、m)=(2、2、4、8)である。
また、接続部は、図7の実線603及び破線604、あるいは、実線605及び破線606が示すように、1つの方向に並んだ複数の画素のメモリ部のみを接続してもよい。また、1つの方向に並んだ3つ以上の画素のメモリ部が接続されてもよい。また、第1の組み合わせと、第2の組み合わせについては、実線607と破線608で示されるように、一方の組み合わせに含まれる画素の全てが、他方の組み合わせに含まれてもよい。
具体的に、第1の組み合わせとして、画素A13、画素B13、画素C13、画素D13、画素E13の5つの画素のメモリ部が互いに接続されてもよい。そして、第2の組み合わせとして、画素B13、画素C13、画素D13、画素E13、画素F13の5つの画素のメモリ部が互いに接続されてもよい。
以上に述べたとおり、本実施例では接続部が比較的離れて配された複数の画素のメモリ部を電気的に接続する。その結果、モアレなどの高周波成分に起因するノイズを低減することができる。
本発明に係る撮像装置の別の実施例について説明する。本実施例は、画素のメモリ部の後段の回路構成が、実施例1と異なる。それ以外の構成は、全て実施例1と同様である。実施例1と同様の機能を有する部分には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図2は、本実施例の撮像装置の全体ブロック図である。撮像装置101は半導体基板を用いて1つのチップで構成することができる。撮像装置101は、撮像領域102に配された複数の画素を有している。更に、撮像装置101は制御部103を有している。制御部103は、垂直走査部104、信号処理部105及び出力部106に制御信号、電源電圧等を供給する。
図8は、本実施例の撮像装置の等価回路を示す。図8では、16個の画素201が示されている。撮像領域102が更に多数の画素201を含んで構成されていてもよい。本実施例では、これらの画素201が行列状に配される。上述の16個の画素201が4行4列の行列を構成している。なお、複数の画素は必ずしも行列状に配される必要はなく、撮像領域102に1次元状、あるいは2次元状に複数の画素が配置されればよい。また、図8では、接続部によってメモリ部が互いに接続される画素を示している。そのため、図8において隣り合って示された2つの画素が、必ずしも実際の装置において隣り合って配されている必要はない。画素及び画素に含まれる素子の標記については、実施例1と同様である。以下、画素201a、画素201b、画素201e、画素201fが第1の組み合わせであり、画素201f、画素201g、画素201j、画素201kが第2の組み合わせである場合を説明する。
本実施例では、第1の組み合わせの複数の画素201の信号が平均化された信号と、第2の組み合わせの複数の画素201の信号が平均化された信号とが、いずれも出力線216に出力される。そのため、実施例1の第3増幅トランジスタ211、第2選択トランジスタ213、電流源215、そして出力線217が、本実施例の撮像装置では省略される。また、第2増幅トランジスタ210のゲートと、第1容量206および第2容量207のそれぞれとの間の電気経路に、スイッチ701、702が配される。
スイッチ701およびスイッチ702の動作について説明する。第1の組み合わせの複数の画素201の信号が平均化された信号を読み出す場合には、スイッチ701をオンにし、スイッチ702をオフにする。また、第2の組み合わせの複数の画素201の信号が平均化された信号を読み出す場合には、スイッチ701をオフにし、スイッチ702をオンにする。
以上に述べたように、本実施例においては、第1の組み合わせで平均化された信号と、第2の組み合わせで平均化された信号とが同じ出力線に出力される。その結果、配線の数を減らすことができる。
また、スイッチ701のゲートが、スイッチADD1のゲートと接続されていてもよい。このような構成によれば、スイッチ701を制御するための配線が配される領域を小さくすることができる。
また、スイッチ702のゲートが、スイッチADD2のゲートと接続されていてもよい。このような構成によれば、スイッチ702を制御するための配線が配される領域を小さくすることができる。
第2増幅トランジスタ210のゲートにリセットトランジスタが接続されてもよい。これにより、メモリ部に保持された信号を出力線216に出力する前に、第2増幅トランジスタ210のゲートの電圧を所定の値にリセットすることができる。その結果、画質を向上させることができる。
画素201b、画素201d、画素201j、画素201lの第1容量206および第2容量207に、ダミーとして別のトランジスタを接続してもよい。これにより、4つの画素201の容量に接続されるトランジスタの数が、いずれも3つになる。その結果、容量値のばらつきを小さくする、あるいはなくすことができるので、より正確に平均を行うことができる。
本発明に係る撮像装置の別の実施例について説明する。本実施例は、接続部が画素のメモリ部とバイパス配線とを接続するスイッチを含む点で、実施例1〜5と異なる。実施例1〜5と同様の機能を有する部分には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図2は、本実施例の撮像装置の全体ブロック図である。撮像装置101は半導体基板を用いて1つのチップで構成することができる。撮像装置101は、撮像領域102に配された複数の画素を有している。更に、撮像装置101は制御部103を有している。制御部103は、垂直走査部104、信号処理部105及び出力部106に制御信号、電源電圧等を供給する。
図9は、本実施例の撮像装置の等価回路を示す。図9では、12個の画素801が示されている。撮像領域102が更に多数の画素201を含んで構成されていてもよい。本実施例では、これらの画素801が行列状に配される。なお、複数の画素は必ずしも行列状に配される必要はなく、撮像領域102に1次元状、あるいは2次元状に複数の画素が配置されればよい。画素の標記については、図5、図6、図7と同様である。
図9は、画素801のメモリ部が1つの容量のみを含む例を示している。具体的には、図5に示された画素201の第2容量207、および第2SHスイッチ209が省略されている。なお、本実施例において、画素801のメモリ部が2つの容量を含んで構成されてもよい。
本実施例の撮像装置は、バイパス配線802、バイパス配線803、パイパス配線804を含む。そして、接続部は、複数のスイッチ805、複数のスイッチ806を含んで構成される。スイッチ805は、各画素の容量206と、いずれかのバイパス配線とを電気的に接続する。スイッチ806は、2つの画素の容量206を互いに電気的に接続する。複数のスイッチ805、および複数のスイッチ806はそれぞれが独立に制御される。
本実施例では、接続部によってメモリが接続される画素の組み合わせを可変とすることができる。例えば、画素A1、画素A2、画素B1、画素B2のメモリ部を接続する場合を説明する。これらの4つの画素の容量206とバイパス配線802、803との間の電気経路にあるスイッチ805をオンにする。さらに、画素A1の容量206と画素A2の容量206の間の電気経路に配されたスイッチ806、及び画素B1の容量206と画素B2の容量206の間の電気経路に配されたスイッチ806をオンにする。そして、他のスイッチ805、806をオフにする。これによって4つの容量206がバイパス配線とスイッチ806を介して接続される。
次に、画素A1、画素A2、画素C1、画素C2のメモリ部を接続する場合を説明する。このときは、画素B1、画素B2の容量206とバイパス配線802、803との間の電気経路にあるスイッチ805をオンにしないで、代わりに、画素C1、画素C2の容量206とバイパス配線802、803との間の電気経路にあるスイッチ805をオンにする。これによって、画素A1、画素A2、画素C1、画素C2の容量206が、バイパス線とスイッチ806を介して接続される。
以上に述べた通り、本実施例では、接続部が画素のメモリ部とバイパス配線とを接続するスイッチを含む。このような構成によれば、組み合わせを可変とすることができる。結果として、高周波成分に起因するノイズの低減に用いられる光電変換部の選択の自由度をさらに高めることができる。
本発明に係る撮像システムの実施例について説明する。撮像システムとして、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などがあげられる。図10に、撮像システムの例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。
図10において、1001はレンズの保護のためのバリア、1002は被写体の光学像を撮像装置1004に結像させるレンズ、1003はレンズ1002を通った光量を可変するための絞りである。1004は上述の各実施例で説明した撮像装置であって、レンズ1002により結像された光学像を画像データとして変換する。ここで、撮像装置1004の半導体基板にはAD変換部が形成されているものとする。1007は撮像装置1004より出力された撮像データに各種の補正やデータを圧縮する信号処理部である。そして、図10において、1008は撮像装置1004および信号処理部1007に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、1009はデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御部である。1010は画像データを一時的に記憶する為のフレームメモリ部、1011は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、1012は撮像データの記録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体である。そして、1013は外部コンピュータ等と通信する為のインターフェース部である。ここで、タイミング信号などは撮像システムの外部から入力されてもよく、撮像システムは少なくとも撮像装置1004と、撮像装置1004から出力された撮像信号を処理する信号処理部1007とを有すればよい。
本実施例では、撮像装置1004とAD変換部とが同一の半導体基板に形成されている構成を説明した。しかし、撮像装置1004とAD変換部とが別の半導体基板に設けられていてもよい。また、撮像装置1004と信号処理部1007とが同一の基板上に形成されていてもよい。
以上に述べたように、本発明に係る撮像装置を撮像システムに適用することが可能である。本発明に係る撮像装置を撮像システムに適用することにより、撮像システムの画質を向上することが可能となる。