JP6079425B2 - Conductive particles, anisotropic conductive adhesive film, and connection structure - Google Patents

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Description

本発明は、導電粒子、異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体に関する。   The present invention relates to conductive particles, an anisotropic conductive adhesive film, and a connection structure.

従来、回路部材同士又はICチップ若しくは電子部品と回路部材とを電気的に接続する際には、接着剤又は導電粒子を分散させた異方性導電接着剤が用いられていた。このような接続形態は液晶分野において発展が顕著である。液晶表示用ガラスパネルに液晶駆動用ICを実装する方式は、COG(Chip−on−Glass)実装とCOF(Chip−on−Flex)実装の2種類に大別することができる。COG実装では、導電粒子を含む異方性導電接着剤を用いて液晶用ICが直接ガラスパネル上に接合される。一方、COF実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用ICが接合され、導電粒子を含む異方性導電接着剤を用いてそれらがガラスパネルに接合される。ここでいう異方性導電とは、加圧方向の回路電極同士は電気的に導通し、非加圧方向の回路電極同士は電気的に絶縁することを意味する。導電粒子には、プラスチック粒子の外側にニッケルめっき、ニッケルめっきと金めっき、及びニッケルめっきとパラジウムめっきを施した粒子等が用いられる。近年は導通性を改善するために、ニッケルめっき表面に突起を有する導電粒子もある。突起を形成する方法としては、特許文献1に開示されるように、芯材としてニッケル粒子を用いてその上にニッケルめっきを施す方法が知られている。また、特許文献2に開示されるように、めっきの異常析出を利用して粒子表面に粗化形状を形成する方法が知られている。   Conventionally, when electrically connecting circuit members or IC chips or electronic components and circuit members, an adhesive or an anisotropic conductive adhesive in which conductive particles are dispersed has been used. Such a connection form is remarkable in the liquid crystal field. The method of mounting the liquid crystal driving IC on the glass panel for liquid crystal display can be roughly divided into two types, COG (Chip-on-Glass) mounting and COF (Chip-on-Flex) mounting. In COG mounting, a liquid crystal IC is directly bonded onto a glass panel using an anisotropic conductive adhesive containing conductive particles. On the other hand, in COF mounting, a liquid crystal driving IC is bonded to a flexible tape having metal wiring, and they are bonded to a glass panel using an anisotropic conductive adhesive containing conductive particles. As used herein, anisotropic conduction means that circuit electrodes in the pressurizing direction are electrically connected to each other and circuit electrodes in the non-pressurizing direction are electrically insulated from each other. As the conductive particles, particles having nickel plating, nickel plating and gold plating, and nickel plating and palladium plating on the outside of the plastic particles are used. In recent years, there are also conductive particles having protrusions on the nickel plating surface in order to improve electrical conductivity. As a method for forming the protrusion, as disclosed in Patent Document 1, a method is known in which nickel particles are used as a core material and nickel plating is performed thereon. Further, as disclosed in Patent Document 2, a method of forming a rough shape on the particle surface using abnormal deposition of plating is known.

近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用ICの回路電極である金バンプは狭ピッチ化及び狭面積化してきた。そのため、異方性導電接着剤の導電粒子が隣接する回路電極間に流出してショートを発生させるといった問題があり、特にCOG実装ではその傾向が顕著であった。一方、隣接する回路電極間に導電粒子が流出すると、金バンプとガラスパネルとの間に捕捉される異方性導電接着剤中の導電粒子数が減少し、対向する回路電極間の接続抵抗が上昇し、接続不良を起こすといった問題があった。特に近年は金バンプの狭ピッチ化及び狭面積化に伴って、単位面積あたり2万個/mm以上の導電粒子を投入するため、その傾向が顕著であった。 With the recent high definition of liquid crystal display, gold bumps, which are circuit electrodes of a liquid crystal driving IC, have been narrowed in pitch and area. For this reason, there is a problem that the conductive particles of the anisotropic conductive adhesive flow out between adjacent circuit electrodes and cause a short circuit, and this tendency is particularly remarkable in COG mounting. On the other hand, when conductive particles flow out between adjacent circuit electrodes, the number of conductive particles in the anisotropic conductive adhesive trapped between the gold bump and the glass panel decreases, and the connection resistance between the opposing circuit electrodes is reduced. There was a problem of rising and causing poor connection. In particular, in recent years, with the narrowing of pitch and area of gold bumps, 20,000 particles / mm 2 or more of conductive particles are introduced per unit area, and this tendency is remarkable.

そこで、これらの問題を解決する方法として、異方性導電接着剤の少なくとも片面に絶縁性の接着剤を形成することで、COG実装又はCOF実装における接合品質の低下を防ぐ方法(特許文献3)、及び、導電粒子の全表面を絶縁性の膜で被覆する方法(特許文献4)がある。   Therefore, as a method for solving these problems, a method for preventing deterioration in bonding quality in COG mounting or COF mounting by forming an insulating adhesive on at least one surface of the anisotropic conductive adhesive (Patent Document 3). In addition, there is a method (Patent Document 4) in which the entire surface of the conductive particles is covered with an insulating film.

特開2007−324138号公報JP 2007-324138 A 特開2000−243132号公報JP 2000-243132 A 特開平8−279371号公報JP-A-8-279371 特許第2794009号公報Japanese Patent No. 2779409

しかしながら、異方性導電接着剤の片面に絶縁性の接着剤を形成する方法において、バンプ面積が3000μm未満である場合には、安定した接続抵抗を得るために導電粒子を増やすことがあり、隣り合う回路電極間の絶縁性について未だ改良の余地があった。さらに、導電粒子の全表面を絶縁性の膜で被覆する方法で得られる回路部材では、非加圧方向の回路電極間の絶縁性は高いものの、加圧方向の回路電極間の導電性が低くなりやすいといった問題があった。 However, in the method of forming an insulating adhesive on one side of the anisotropic conductive adhesive, if the bump area is less than 3000 μm 2 , the conductive particles may be increased to obtain a stable connection resistance, There is still room for improvement in insulation between adjacent circuit electrodes. Furthermore, in the circuit member obtained by the method of covering the entire surface of the conductive particles with an insulating film, the insulation between the circuit electrodes in the non-pressurization direction is high, but the conductivity between the circuit electrodes in the pressurization direction is low. There was a problem that it was easy to become.

また、バンプ面積が小さい場合、異方性導電接着剤中の導電粒子を増やしているにもかかわらず、圧着時の樹脂流動により導電粒子がバンプ上に十分に残りにくい問題があった。このような問題から、異方性導電接着剤を圧着する際に、導電粒子の移動を抑制にすることが導通及び絶縁の双方の面から重要であった。   Further, when the bump area is small, there is a problem that the conductive particles are not sufficiently left on the bumps due to the resin flow at the time of pressure bonding even though the conductive particles in the anisotropic conductive adhesive are increased. From such problems, it has been important from the viewpoint of both conduction and insulation to suppress the movement of the conductive particles when the anisotropic conductive adhesive is pressure-bonded.

絶縁性の子粒子を母粒子表面に被覆させて得られる導電粒子を用いた回路部材では、初期絶縁性と導通性のバランスが良好である。ただし、上記絶縁性の子粒子は、磁性を有するニッケル等の金属粒子と相性が悪く、母粒子の粒子径が3μmより小さくなると急速に母粒子の磁性凝集が促進される傾向があることがわかった。また、特に、近年は金バンプの狭ピッチ化に対応するため、導電粒子の小径化と絶縁性子粒子の大径化が必要となる傾向があり、これらの傾向に伴い、絶縁性の子粒子が母粒子表面に吸着することが難しくなる問題が出てきた。   In the circuit member using the conductive particles obtained by coating the surface of the mother particles with the insulating child particles, the balance between the initial insulation and the conductivity is good. However, it can be seen that the insulating child particles are not compatible with magnetic metal particles such as nickel and tend to rapidly promote the magnetic aggregation of the mother particles when the particle diameter of the mother particles is smaller than 3 μm. It was. In particular, in recent years, in order to cope with the narrow pitch of gold bumps, there is a tendency to reduce the diameter of the conductive particles and increase the diameter of the insulator particles. There has been a problem that it becomes difficult to adsorb on the surface of the mother particles.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても絶縁性と導通性を両立することが可能な導電粒子、並びにこれを用いて得られる異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and is obtained by using conductive particles capable of achieving both insulating properties and conductivity even when mother particles having a small particle diameter are used, and the same. An object is to provide an anisotropic conductive adhesive film and a connection structure.

本発明は、プラスチック核体、及び該プラスチック核体の表面を被覆し少なくともニッケル/リン合金層を有するめっき層を有する母粒子と、該母粒子の表面を被覆する絶縁性子粒子と、を備える導電粒子であって、上記母粒子の粒子径は2.0μm以上3.0μm以下であり、上記母粒子の飽和磁化は45emu/cm以下であり、上記絶縁性子粒子の粒子径は、180nm以上500nm以下である、導電粒子を提供する。 The present invention provides a conductive core comprising a plastic core, a mother particle having a plating layer covering the surface of the plastic core and having at least a nickel / phosphorus alloy layer, and an insulator particle covering the surface of the mother particle. A particle diameter of the mother particle is 2.0 μm or more and 3.0 μm or less, a saturation magnetization of the mother particle is 45 emu / cm 3 or less, and a particle diameter of the insulator particle is 180 nm or more and 500 nm. Provided are conductive particles which are:

このような導電粒子を用いた回路部材は、粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても優れた絶縁性及び導通性を有する。   A circuit member using such conductive particles has excellent insulating properties and electrical conductivity even when mother particles having a small particle size are used.

上記母粒子は表面に突起を有していてもよく、該突起の高さは上記絶縁性子粒子の粒子径よりも小さくてもよい。   The mother particles may have protrusions on the surface, and the height of the protrusions may be smaller than the particle diameter of the insulator particles.

上記突起は、芯材を付着させた上記プラスチック核体の表面が上記めっき層で被覆されることにより形成されていてもよく、上記芯材は非磁性体であってもよい。   The protrusion may be formed by covering the surface of the plastic core body to which the core material is attached with the plating layer, and the core material may be a non-magnetic material.

上記芯材が非磁性体であることにより、母粒子の磁性凝集が低減され、絶縁性子粒子を母粒子にさらに均一に被覆させることが可能となる。   When the core material is a non-magnetic material, magnetic aggregation of the mother particles is reduced, and the insulator particles can be coated more uniformly on the mother particles.

上記ニッケル/リン合金層のリン含有率は、1.0質量%以上10.0質量%以下であってもよい。   1.0 mass% or more and 10.0 mass% or less may be sufficient as the phosphorus content rate of the said nickel / phosphorus alloy layer.

このような導電粒子を用いることにより、回路部材はより優れた導通性を有し、また母粒子の凝集を抑制し、絶縁性子粒子の母粒子表面への被覆ばらつき(C.V.)を小さくすることが可能となる。   By using such conductive particles, the circuit member has better electrical conductivity, suppresses the aggregation of the mother particles, and reduces the coating variation (CV) on the surface of the mother particles of the insulator particles. It becomes possible to do.

上記絶縁性子粒子の被覆率は20〜50%の範囲であってもよく、被覆ばらつき(C.V.)は0.3以下であってもよい。   The coverage of the insulator particles may be in the range of 20 to 50%, and the coating variation (CV) may be 0.3 or less.

上記絶縁性子粒子は、重量平均分子量が1000以上であるポリマー又はオリゴマーからなる層を有していてもよい。   The insulator particles may have a layer made of a polymer or oligomer having a weight average molecular weight of 1000 or more.

絶縁性子粒子が上記ポリマー又はオリゴマーで被覆されることにより、母粒子を絶縁性子粒子で被覆する際に、分散媒中の母粒子の分散性を向上させることができる。   By coating the insulator particles with the polymer or oligomer, the dispersibility of the mother particles in the dispersion medium can be improved when the mother particles are coated with the insulator particles.

上記母粒子は、重量平均分子量が1000以上のポリマー又はオリゴマーからなる層をさらに有していてもよい。また、上記絶縁性子粒子の粒子径は、200nm以上400nm以下であってもよい。   The mother particle may further have a layer made of a polymer or oligomer having a weight average molecular weight of 1000 or more. The particle diameter of the insulator particles may be 200 nm or more and 400 nm or less.

本発明はまた、上記導電粒子を接着剤中に分散させた異方性導電接着剤フィルムを提供する。   The present invention also provides an anisotropic conductive adhesive film in which the conductive particles are dispersed in an adhesive.

本発明はまた、第一の回路基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、上記第一の回路基板の主面と上記第二の回路基板の主面との間に設けられ、上記第一の回路電極と上記第二の回路電極とを対向配置させた状態で上記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備える回路部材の接続構造体であって、上記回路接続部材は、上記異方性導電接着剤フィルムの硬化物からなり、対向する上記第一の回路電極と上記第二の回路電極とが扁平した導電粒子を介して電気的に接続されている、回路部材の接続構造体を提供する。   The present invention also includes a first circuit member having a first circuit electrode formed on the main surface of the first circuit board, and a second circuit electrode formed on the main surface of the second circuit board. The second circuit member is provided between the main surface of the first circuit board and the main surface of the second circuit board, and the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other. A circuit connection member that connects the first and second circuit members in a state where the first and second circuit members are connected to each other, wherein the circuit connection member is formed by curing the anisotropic conductive adhesive film. Provided is a circuit member connection structure in which the first circuit electrode and the second circuit electrode facing each other are electrically connected through flat conductive particles.

本発明によれば、粒子径が小さい母粒子を用いた場合であっても、該母粒子上に絶縁性子粒子を均一に被覆することができ、絶縁性と導通性に優れた導電粒子、並びにこれを用いて得られる異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体を提供できる。   According to the present invention, even when mother particles having a small particle diameter are used, the insulator particles can be uniformly coated on the mother particles, and the conductive particles having excellent insulation and conductivity, and An anisotropic conductive adhesive film and a connection structure obtained by using this can be provided.

図1は、本発明の一実施形態の導電粒子を示す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing conductive particles according to an embodiment of the present invention. 図2(a)は、本発明の一実施形態の導電粒子を含む異方性導電接着剤の模式断面図であり、図2(b)は、図2(a)の本発明の一実施形態の導電粒子を備える導電粒子含有層の拡大断面図である。FIG. 2A is a schematic cross-sectional view of an anisotropic conductive adhesive including conductive particles according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is an embodiment of the present invention of FIG. It is an expanded sectional view of a conductive particle content layer provided with the following conductive particles. 図3(a)及び図3(b)は、異方性導電接着剤を用いた接続構造体の製造方法を説明するための模式断面図である。FIG. 3A and FIG. 3B are schematic cross-sectional views for explaining a method for manufacturing a connection structure using an anisotropic conductive adhesive.

以下、図面を参照しながら、好適な実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は理解を容易にするため一部を誇張して描いており、寸法比率は説明のものとは必ずしも一致しない。   Hereinafter, preferred embodiments will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. In addition, the drawings are exaggerated for easy understanding, and the dimensional ratios do not necessarily match those described.

(導電粒子)
図1は、本実施形態の導電粒子を示す模式断面図である。本実施形態における導電粒子30は、母粒子2と該母粒子2の表面を被覆する絶縁性子粒子1とを備える。
(Conductive particles)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the conductive particles of the present embodiment. The conductive particle 30 in the present embodiment includes a base particle 2 and an insulator particle 1 that covers the surface of the base particle 2.

(母粒子)
図1において、上記母粒子2は、プラスチック核体21、及び該プラスチック核体21の表面を被覆し少なくともニッケル/リン合金層を有するめっき層22を備える。母粒子2の粒子径は非加圧方向に隣り合う回路電極の最小の間隔よりも小さくてもよく、回路電極の高さにばらつきがある場合、母粒子2の粒子径は上記高さのばらつきよりも大きくてもよい。このような観点から、母粒子2の粒子径は、具体的には2.0μm以上3.0μm以下であり、2.2μm以上3.0μm以下であってもよく、2.4μm以上3.0μm以下であってもよく、2.5μm以上3.0μm以下であってもよい。母粒子2の粒子径が2.0μm以上である場合、回路電極の高さのばらつきを吸収できるため、導通信頼性が損なわれない傾向がある。また、母粒子2の粒子径が3.0μm以下である場合、絶縁信頼性が損なわれない傾向がある。
(Mother particles)
In FIG. 1, the mother particle 2 includes a plastic core 21 and a plating layer 22 that covers the surface of the plastic core 21 and has at least a nickel / phosphorus alloy layer. The particle diameter of the mother particle 2 may be smaller than the minimum interval between the circuit electrodes adjacent in the non-pressurizing direction, and when the height of the circuit electrode varies, the particle diameter of the mother particle 2 varies with the above height. May be larger. From such a viewpoint, the particle diameter of the mother particle 2 is specifically 2.0 μm or more and 3.0 μm or less, and may be 2.2 μm or more and 3.0 μm or less, and may be 2.4 μm or more and 3.0 μm. Or 2.5 μm or more and 3.0 μm or less. When the particle diameter of the mother particle 2 is 2.0 μm or more, variation in the height of the circuit electrode can be absorbed, and thus there is a tendency that the conduction reliability is not impaired. Moreover, when the particle diameter of the mother particle 2 is 3.0 μm or less, the insulation reliability tends not to be impaired.

なお、母粒子2の粒子径とは、プラスチック核体21とめっき層22の合計を指すものとし、絶縁性子粒子1や突起23aを含まないものとする。母粒子2の粒子径は走査性電子顕微鏡(SEM)により数千〜数万倍の倍率で100個程度の母粒子2を撮影した後、画像解析により粒子径を測定し、その平均値より導かれるものとする。母粒子2の粒子径の測定には、HITACHI S−4800(日立ハイテク株式会社製)を用いた。   In addition, the particle diameter of the mother particle 2 indicates the total of the plastic core 21 and the plating layer 22 and does not include the insulator particles 1 and the protrusions 23a. The particle diameter of the mother particle 2 is obtained by photographing about 100 mother particles 2 with a scanning electron microscope (SEM) at a magnification of several thousand to several tens of thousands times, then measuring the particle diameter by image analysis, and deriving from the average value. Shall be. HITACHI S-4800 (manufactured by Hitachi High-Tech Co., Ltd.) was used for the measurement of the particle diameter of the mother particle 2.

母粒子2は、45emu/cm(4.5×10A/m)以下の飽和磁化を有する。母粒子2の飽和磁化は、30emu/cm以下であってもよく、10emu/cm以下であってもよく、5emu/cm以下であってもよい。3μm以下の粒子径を有する母粒子の飽和磁化が45emu/cm以下であるとき、母粒子の磁性凝集が起こりにくく、これにより後に絶縁性子粒子が均一に被覆されやすくなる傾向がある。母粒子の飽和磁化が低ければ低いほど磁性凝集は起こりにくくなる。母粒子2の飽和磁化の下限値は特に限定されず、例えば、母粒子2の飽和磁化は0.5emu/cm(5.0×10A/m)以上であってもよい。 The mother particle 2 has a saturation magnetization of 45 emu / cm 3 (4.5 × 10 4 A / m) or less. Saturation magnetization of the mother particles 2, may also be 30 emu / cm 3 or less, may also be 10 emu / cm 3 or less, or may be 5 emu / cm 3 or less. When the saturation magnetization of a mother particle having a particle diameter of 3 μm or less is 45 emu / cm 3 or less, magnetic aggregation of the mother particle hardly occurs, and this tends to easily coat the insulator particles later. The lower the saturation magnetization of the mother particles, the less likely magnetic aggregation will occur. The lower limit of the saturation magnetization of the mother particle 2 is not particularly limited. For example, the saturation magnetization of the mother particle 2 may be 0.5 emu / cm 3 (5.0 × 10 2 A / m) or more.

(プラスチック核体)
本実施形態のプラスチック核体21は、特に限定されないが、ポリメチルメタクリレート、若しくはポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、又は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、若しくはポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂等からなる。プラスチック核体21の粒子径は2.0〜2.9μmであってもよい。
(Plastic core)
The plastic core 21 of the present embodiment is not particularly limited, but is made of an acrylic resin such as polymethyl methacrylate or polymethyl acrylate, or a polyolefin resin such as polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, or polybutadiene. The particle size of the plastic core 21 may be 2.0 to 2.9 μm.

(めっき層)
めっき層に含まれる導体としては、特に限定されないが、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、パラジウム、ニッケル、錫、クロム、チタン、アルミニウム、コバルト、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに、ITO(酸化インジウム錫)及びはんだ等の金属化合物が挙げられる。これらの中でも、めっきにより被覆される金属は、耐腐食性の観点から、ニッケル、パラジウム、又は金であってもよい。
(Plating layer)
The conductor contained in the plating layer is not particularly limited, but gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, palladium, nickel, tin, chromium, titanium, aluminum, cobalt, germanium, cadmium, and other metals, and ITO Examples thereof include (indium tin oxide) and metal compounds such as solder. Among these, the metal covered by plating may be nickel, palladium, or gold from the viewpoint of corrosion resistance.

上記めっき層22は、単層構造を有していてもよく、複数の層からなる積層構造(複層構造)を有していてもよい。めっき層22が単層構造を有する場合、めっき層22は、コスト、導通性及び耐腐食性の観点から、ニッケル/リン合金層である。めっき層22が複層構造を有する場合、めっき層22は、ニッケル/リン合金層と、該ニッケル/リン合金層とは別の1つ以上の層とを有する。例えば、めっき層22は、ニッケル/リン合金層と、該ニッケル/リン合金層の外側に位置する金及びパラジウム等の貴金属からなる別の層とを有していてもよい。本実施形態において、ニッケル/リン合金層とは、ニッケル及びリンを含む合金層を意味する。   The plating layer 22 may have a single layer structure or may have a laminated structure (multi-layer structure) composed of a plurality of layers. When the plating layer 22 has a single layer structure, the plating layer 22 is a nickel / phosphorus alloy layer from the viewpoints of cost, conductivity, and corrosion resistance. When the plating layer 22 has a multilayer structure, the plating layer 22 includes a nickel / phosphorus alloy layer and one or more layers different from the nickel / phosphorus alloy layer. For example, the plating layer 22 may have a nickel / phosphorus alloy layer and another layer made of a noble metal such as gold and palladium located outside the nickel / phosphorus alloy layer. In the present embodiment, the nickel / phosphorus alloy layer means an alloy layer containing nickel and phosphorus.

磁性の制御に関しては、ニッケル/リン合金層は、ニッケルとは異なる金属を含んでいてもよい。ニッケル/リン合金層が異種金属、例えばパラジウムのようなイオンマイグレーションの少ない金属を数質量%含むことにより、導通劣化を抑えることができる。   Regarding the control of magnetism, the nickel / phosphorus alloy layer may contain a metal different from nickel. When the nickel / phosphorus alloy layer contains several percent by mass of a dissimilar metal, for example, a metal with low ion migration such as palladium, conduction deterioration can be suppressed.

母粒子2は、表面に官能基を有していてもよい。母粒子2が表面に有する官能基は、母粒子2に後述する絶縁性子粒子1を吸着させるために用いられる。上記官能基としては、絶縁性子粒子1が表面に有する官能基、例えば水酸基、又は後述する官能基付きシリコーンオリゴマーの官能基との結合を形成する観点から、水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等が挙げられる。母粒子2及び絶縁性子粒子1が表面に有する官能基による結合としては、脱水縮合による共有結合及び水素結合が挙げられる。   The mother particle 2 may have a functional group on the surface. The functional group which the mother particle 2 has on the surface is used for adsorbing the insulator particles 1 described later to the mother particle 2. Examples of the functional group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxyl group, and an alkoxy group from the viewpoint of forming a bond with a functional group that the insulator particles 1 have on the surface, such as a hydroxyl group, or a functional group of a silicone oligomer with a functional group described later. A carbonyl group etc. are mentioned. Examples of the bond by the functional group that the mother particle 2 and the insulator particle 1 have on the surface include a covalent bond by dehydration condensation and a hydrogen bond.

母粒子2が、表面に金又はパラジウム層を有する場合、金又はパラジウムに対して配位結合を形成するメルカプト基、スルフィド基、及びジスルフィド基のいずれかを有する化合物で、母粒子2の表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等の官能基を形成するとよい。上記化合物としては、例えば、メルカプト酢酸、2−メルカプトエタノール、メルカプト酢酸メチル、メルカプトコハク酸、チオグリセリン、及びシステイン等が挙げられる。   When the mother particle 2 has a gold or palladium layer on the surface, it is a compound having any of a mercapto group, sulfide group, and disulfide group that forms a coordinate bond with gold or palladium. A functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxyl group, and an alkoxycarbonyl group may be formed. Examples of the compound include mercaptoacetic acid, 2-mercaptoethanol, methyl mercaptoacetate, mercaptosuccinic acid, thioglycerin, and cysteine.

母粒子2が、表面にニッケル/リン合金層を有する場合、ニッケルに対して強固な結合を形成するシラノール基若しくは水酸基を有する化合物又は窒素化合物で、母粒子2の表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等の官能基を形成するとよい。上記化合物としては、例えば、カルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。   When the mother particle 2 has a nickel / phosphorus alloy layer on its surface, it is a compound having a silanol group or a hydroxyl group or a nitrogen compound that forms a strong bond with nickel, and a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxyl on the surface of the mother particle 2 A group and a functional group such as an alkoxycarbonyl group may be formed. Examples of the compound include carboxybenzotriazole.

母粒子2の表面を上記化合物で処理する方法としては、特に限定されないが、メタノール又はエタノール等の有機分散媒中にメルカプト酢酸又はカルボキシベンゾトリアゾール等の上記化合物を10〜100mmol/L程度の濃度で分散させ、分散液中に母粒子2を分散させる方法が挙げられる。   The method of treating the surface of the mother particle 2 with the above compound is not particularly limited, but the above compound such as mercaptoacetic acid or carboxybenzotriazole is contained in an organic dispersion medium such as methanol or ethanol at a concentration of about 10 to 100 mmol / L. A method of dispersing and dispersing the mother particles 2 in the dispersion liquid may be mentioned.

めっき層22を形成する方法としては、無電解めっきの他、置換めっき、及び電気めっき等の方法が挙げられるが、簡便性、コスト、及びめっき層22の厚さの制御の観点から無電解めっきであってもよい。   Examples of the method for forming the plating layer 22 include electroless plating, displacement plating, and electroplating. The electroless plating may be performed from the viewpoint of simplicity, cost, and control of the thickness of the plating layer 22. It may be.

めっき層22の厚さは、特に限定されないが、0.001〜1.0μmの範囲であってもよく、0.005〜0.3μmの範囲であってもよい。めっき層22の厚さが0.001μm以上であると導通不良を抑制する傾向があり、1.0μm以下であるとコストが高くなることを抑制する傾向がある。   The thickness of the plating layer 22 is not particularly limited, but may be in the range of 0.001 to 1.0 μm, or may be in the range of 0.005 to 0.3 μm. When the thickness of the plating layer 22 is 0.001 μm or more, conduction failure tends to be suppressed, and when the thickness is 1.0 μm or less, cost tends to be suppressed.

母粒子2は、近年のガラス電極の平坦化を考慮すると、表面に突起23aを備えていてもよい。母粒子2が表面に突起23aを備えることにより、加圧方向の回路電極間の導通性が向上する傾向がある。母粒子2の表面に突起23aを形成する方法としては、めっきの異常析出による方法と、芯材を用いる方法が挙げられるが、突起23aの形状が均一に形成される点で、芯材を用いる方法であってもよい。突起の高さHは、30nm〜300nmの範囲であってもよく、50〜200nmの範囲であってもよい。突起23aの高さが300nm以下であると非加圧方向の回路電極間でのショートを抑制し、30nm以上であると母粒子2が表面に突起23aを備えることによる効果が十分得られやすくなる傾向がある。母粒子2は、表面積の5〜60面積%が突起で覆われている、すなわち母粒子2の突起被覆率が5〜60面積%であってもよい。母粒子2の突起被覆率を上記範囲とすることによっても、母粒子の飽和磁化を制御することができる。   In consideration of the recent flattening of the glass electrode, the mother particle 2 may have a protrusion 23a on the surface. When the mother particle 2 has the protrusions 23a on the surface, conductivity between circuit electrodes in the pressurizing direction tends to be improved. Examples of the method for forming the protrusions 23a on the surface of the mother particle 2 include a method using abnormal deposition of plating and a method using a core material, but the core material is used in that the shape of the protrusions 23a is formed uniformly. It may be a method. The height H of the protrusions may be in the range of 30 nm to 300 nm, or may be in the range of 50 to 200 nm. If the height of the protrusion 23a is 300 nm or less, short-circuiting between circuit electrodes in the non-pressurizing direction is suppressed, and if it is 30 nm or more, the effect of providing the protrusion 23a on the surface of the mother particle 2 can be sufficiently obtained. Tend. The mother particles 2 may have 5 to 60 area% of the surface area covered with protrusions, that is, the protrusion coverage of the mother particles 2 may be 5 to 60 area%. The saturation magnetization of the mother particle can also be controlled by setting the protrusion coverage of the mother particle 2 within the above range.

母粒子2の表面に突起23aを形成する方法として芯材23を用いる方法を採用する場合、芯材23はプラスチック核体21に対して化学結合により固定される。また、プラスチック核体21に対して固定された芯材23の形状を反映して、母粒子2の表面に突起23aが形成される。芯材23としては、ニッケル等の強磁性材料、並びに、シリカ、架橋樹脂、金及びパラジウム等の非磁性材料が挙げられる。母粒子2の飽和磁化を低減し、絶縁性子粒子を被覆する際に母粒子2の磁性凝集が低減する傾向があることから、芯材23に非磁性材料を用いてもよい。なお、芯材23が強磁性材料(例えばニッケル)であっても、芯材23が強磁性材料に加えてさらに非磁性材料(例えばリン)を含有することにより、母粒子2の飽和磁化を低減することが可能である。めっき層22が有するニッケル/リン合金層は、1.0質量%以上10.0質量%以下のリンを有していてもよい。ここで、ニッケル/リン合金層が有するリンの上記割合(リン含有率)は、芯材23がニッケルである場合には、
(ニッケル/リン合金層が有するリンの割合)=(リンの合計質量)/(リンの合計質量+ニッケルの合計質量)
で表されるものとし、上記「リンの合計質量」及び「ニッケルの合計質量」にはニッケル/リン合金層に加えて芯材23に由来する原子の質量を含めるものとする。
When a method using the core material 23 is employed as a method for forming the protrusions 23 a on the surface of the base particle 2, the core material 23 is fixed to the plastic core 21 by chemical bonding. Further, a projection 23 a is formed on the surface of the mother particle 2 reflecting the shape of the core material 23 fixed to the plastic core 21. Examples of the core material 23 include ferromagnetic materials such as nickel, and nonmagnetic materials such as silica, a crosslinked resin, gold, and palladium. A nonmagnetic material may be used for the core material 23 because the saturation magnetization of the mother particle 2 is reduced and magnetic aggregation of the mother particle 2 tends to be reduced when the insulator particles are coated. Even if the core material 23 is a ferromagnetic material (for example, nickel), the core material 23 further includes a non-magnetic material (for example, phosphorus) in addition to the ferromagnetic material, thereby reducing the saturation magnetization of the mother particle 2. Is possible. The nickel / phosphorous alloy layer included in the plating layer 22 may have 1.0 mass% or more and 10.0 mass% or less of phosphorus. Here, when the core material 23 is nickel, the above-mentioned ratio (phosphorus content) of phosphorus included in the nickel / phosphorus alloy layer is:
(Ratio of phosphorus in nickel / phosphorus alloy layer) = (total mass of phosphorus) / (total mass of phosphorus + total mass of nickel)
In addition to the nickel / phosphorus alloy layer, the above-mentioned “total mass of phosphorus” and “total mass of nickel” include the mass of atoms derived from the core material 23.

ニッケル/リン合金層のリンの割合が10.0質量%以下であることにより、めっき層22が導電性に優れ、実装時の導通抵抗が低くなる傾向がある。リンの割合が1.0質量%以上である場合、母粒子2の飽和磁化を低下させることができるため、母粒子2の磁性凝集を減少させることが可能であり、絶縁性子粒子1の被覆ばらつきが低下する傾向がある。上記傾向は母粒子2の粒子径が3μm以下になると顕著である。   When the proportion of phosphorus in the nickel / phosphorus alloy layer is 10.0% by mass or less, the plating layer 22 tends to be excellent in conductivity and the conduction resistance during mounting tends to be low. When the ratio of phosphorus is 1.0 mass% or more, the saturation magnetization of the mother particle 2 can be reduced, so that the magnetic aggregation of the mother particle 2 can be reduced, and the coating variation of the insulator particles 1 can be reduced. Tends to decrease. The above-mentioned tendency is remarkable when the particle diameter of the mother particle 2 is 3 μm or less.

また、プラスチック核体21は、表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を有していてもよい。プラスチック核体21が表面に上記官能基を有することにより、芯材23をプラスチック核体21に固定することができる。例えば、プラスチック核体21を製造する際にアクリル酸を共重合モノマーとして用いることにより、表面にカルボキシル基を有するプラスチック核体21を合成することができる。また、グリシジルメタクリレートを共重合モノマーとして用いることにより、グリシジル基を表面に有するプラスチック核体21を合成することができる。   Moreover, the plastic core 21 may have a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, a glycidyl group, and an alkoxycarbonyl group on the surface. Since the plastic core 21 has the functional group on the surface, the core member 23 can be fixed to the plastic core 21. For example, when the plastic core 21 is manufactured, the plastic core 21 having a carboxyl group on the surface can be synthesized by using acrylic acid as a copolymerization monomer. Further, by using glycidyl methacrylate as a copolymerization monomer, the plastic core 21 having a glycidyl group on the surface can be synthesized.

さらに母粒子2は、プラスチック核体21と芯材23との間に設けられた高分子電解質層をさらに備えていてもよい。この場合、高分子電解質層を介した化学結合により芯材23がプラスチック核体21に吸着する。例えば、プラスチック核体21、高分子電解質層(図示せず)及び芯材23がそれぞれ官能基を有しており、高分子電解質層の官能基が、プラスチック核体21及び芯材23それぞれの官能基と化学結合していてもよい。化学結合には、共有結合、水素結合、及びイオン結合等が含まれる。   Further, the mother particle 2 may further include a polymer electrolyte layer provided between the plastic core 21 and the core material 23. In this case, the core material 23 is adsorbed to the plastic core 21 by chemical bonding via the polymer electrolyte layer. For example, the plastic core 21, the polymer electrolyte layer (not shown), and the core material 23 each have a functional group, and the functional group of the polymer electrolyte layer has a function of each of the plastic core 21 and the core material 23. It may be chemically bonded to the group. Chemical bonds include covalent bonds, hydrogen bonds, ionic bonds, and the like.

水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を表面に有する粒子の表面電位(ゼータ電位)は、pHが中性領域であるとき、通常マイナスである。さらに、芯材23の表面電位がマイナスである場合、表面電位がマイナスの粒子の表面を表面電位がマイナスの粒子で十分に被覆することは難しい場合が多いが、これらの間に高分子電解質層を設けることにより、効率的に芯材23をプラスチック核体に吸着させることができる。   The surface potential (zeta potential) of particles having a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, a glycidyl group and an alkoxycarbonyl group on the surface is usually negative when the pH is in a neutral region. Further, when the surface potential of the core material 23 is negative, it is often difficult to sufficiently cover the surface of particles having a negative surface potential with particles having a negative surface potential. By providing this, the core material 23 can be efficiently adsorbed to the plastic core.

高分子電解質層を形成する高分子電解質としては、水溶液中で電離し、電荷を有する官能基を主鎖又は側鎖に持つ高分子が用いられてもよく、ポリカチオンが用いられてもよい。ポリカチオンとしては、一般に、ポリアミン等のように正電荷を帯びることのできる官能基を有するもの、例えば、ポリエチレンイミン(PEI)、ポリアリルアミン塩酸塩(PAH)、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド(PDDA)、ポリビニルピリジン(PVP)、ポリリジン、ポリアクリルアミド及びそれらを少なくとも1種以上を含む共重合体を用いることができる。高分子電解質の中でもポリエチレンイミンは電荷密度が高く、結合力が強い。   As the polymer electrolyte that forms the polymer electrolyte layer, a polymer that is ionized in an aqueous solution and has a functional group having a charge in the main chain or side chain may be used, or a polycation may be used. Polycations generally have a positively charged functional group such as polyamine, such as polyethyleneimine (PEI), polyallylamine hydrochloride (PAH), polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA), Polyvinylpyridine (PVP), polylysine, polyacrylamide, and a copolymer containing at least one of them can be used. Among polyelectrolytes, polyethyleneimine has a high charge density and a strong binding force.

高分子電解質層は、エレクトロマイグレーション又は腐食を避けるために、アルカリ金属(Li、Na、K、Rb、及びCs)イオン、アルカリ土類金属(Ca、Sr、Ba、及びRa)イオン、並びにハロゲン化物イオン(フッ素イオン、クロライドイオン、臭素イオン、及びヨウ素イオン)を実質的に含まなくてもよい。   The polyelectrolyte layer includes alkali metal (Li, Na, K, Rb, and Cs) ions, alkaline earth metal (Ca, Sr, Ba, and Ra) ions, and halides to avoid electromigration or corrosion. Ions (fluorine ions, chloride ions, bromine ions, and iodine ions) may not be substantially contained.

上記高分子電解質は、水溶性であり、水と有機溶媒との混合液に可溶である。高分子電解質の重量平均分子量は、用いる高分子電解質の種類により一概には定めることができないが、一般に、500〜200000程度であってもよい。   The polymer electrolyte is water-soluble and soluble in a mixed solution of water and an organic solvent. The weight average molecular weight of the polymer electrolyte cannot be determined unconditionally depending on the type of polymer electrolyte used, but may generally be about 500 to 200,000.

高分子電解質の種類又は分子量を調整することにより、芯材23によるプラスチック核体21の被覆率をコントロールすることができる。具体的にはポリエチレンイミン等、電荷密度の高い高分子電解質を用いた場合、芯材23による被覆率が高くなる傾向があり、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド等、電荷密度の低い高分子電解質を用いた場合、芯材23による被覆率が低くなる傾向がある。また、高分子電解質の分子量が大きい場合、芯材23による被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質の分子量が小さい場合、芯材23による被覆率が低くなる傾向がある。   By adjusting the type or molecular weight of the polymer electrolyte, the coverage of the plastic core 21 with the core material 23 can be controlled. Specifically, when a polymer electrolyte having a high charge density such as polyethyleneimine is used, the coverage by the core material 23 tends to be high, and a polymer electrolyte having a low charge density such as polydiallyldimethylammonium chloride is used. In this case, the coverage with the core material 23 tends to be low. Further, when the molecular weight of the polymer electrolyte is large, the coverage by the core material 23 tends to be high, and when the molecular weight of the polymer electrolyte is small, the coverage by the core material 23 tends to be low.

水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を表面に有するプラスチック核体21を高分子電解質溶液中に分散することにより、プラスチック核体表面に高分子電解質が吸着して、高分子電解質層を形成させることができる。高分子電解質層が設けられていることにより、主に静電的な引力によって芯材23が吸着される。吸着が進行して電荷が中和されるとそれ以上の吸着が起こらなくなる。したがって、ある飽和点までに至れば、それ以上膜厚が増加することは実質的にない。   By dispersing the plastic core 21 having a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, a glycidyl group and an alkoxycarbonyl group on the surface, the polymer electrolyte is adsorbed on the surface of the plastic core. Thus, a polymer electrolyte layer can be formed. By providing the polymer electrolyte layer, the core material 23 is adsorbed mainly by electrostatic attraction. When the adsorption proceeds and the charge is neutralized, no further adsorption occurs. Accordingly, when reaching a certain saturation point, the film thickness does not increase any more.

高分子電解質層が形成されたプラスチック核体21を高分子電解質溶液から取り出した後、リンスにより余剰の高分子電解質を除去してもよい。リンスは、例えば、水、アルコール、又はアセトンを用いて行われる。比抵抗値が18MΩ・cm以上のイオン交換水(いわゆる超純水)が用いられてもよい。プラスチック核体21に吸着した高分子電解質は、プラスチック核体21表面に化学結合により静電的に吸着しているために、このリンスの工程で剥離することはない。   The excess polymer electrolyte may be removed by rinsing after the plastic core 21 with the polymer electrolyte layer formed is taken out of the polymer electrolyte solution. The rinsing is performed using, for example, water, alcohol, or acetone. Ion exchange water (so-called ultrapure water) having a specific resistance value of 18 MΩ · cm or more may be used. Since the polymer electrolyte adsorbed on the plastic core 21 is electrostatically adsorbed on the surface of the plastic core 21 by chemical bonding, it does not peel off in this rinsing step.

上記高分子電解質溶液は、高分子電解質を水又は水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒に溶解したものである。使用できる水溶性の有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミド及びアセトニトリルが挙げられる。   The polymer electrolyte solution is obtained by dissolving a polymer electrolyte in water or a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent. Examples of water-soluble organic solvents that can be used include methanol, ethanol, propanol, acetone, dimethylformamide, and acetonitrile.

上記高分子電解質溶液における高分子電解質の濃度は、一般に、0.01〜10質量%程度であってもよい。また、高分子電解質溶液のpHは、特に限定されない。高分子電解質を高濃度で用いた場合、芯材23によるプラスチック核体の被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質を低濃度で用いた場合、芯材23によるプラスチック核体21の被覆率が低くなる傾向がある。   The concentration of the polymer electrolyte in the polymer electrolyte solution may generally be about 0.01 to 10% by mass. Further, the pH of the polymer electrolyte solution is not particularly limited. When the polymer electrolyte is used at a high concentration, the coverage of the plastic core body by the core material 23 tends to be high. When the polymer electrolyte is used at a low concentration, the coverage of the plastic core body 21 by the core material 23 is high. Tend to be low.

高分子電解質を用いた交互積層により芯材23を被覆する場合、芯材23を高分子電解質が巻きつけることになるので、結合力は飛躍的に向上する。結合力の観点からは重量平均分子量10000以上の高分子電解質を用いてもよい。結合力は重量平均分子量と共に向上するが、重量平均分子量が高すぎるとプラスチック核体21同士が凝集しやすくなる傾向がある。   When the core material 23 is covered by alternate lamination using a polymer electrolyte, since the polymer electrolyte is wound around the core material 23, the bonding force is dramatically improved. From the viewpoint of bonding strength, a polymer electrolyte having a weight average molecular weight of 10,000 or more may be used. The binding force improves with the weight average molecular weight, but if the weight average molecular weight is too high, the plastic cores 21 tend to aggregate.

芯材23は一層のみ被覆されていてもよい。複層積層すると積層量のコントロールが困難になる傾向がある。   Only one layer of the core material 23 may be coated. Multi-layer lamination tends to make it difficult to control the amount of lamination.

芯材23によるプラスチック核体21の被覆率は5〜60面積%であってもよく、25〜60面積%でであってもよい。この場合の被覆率は粒子表面(2次元画像)の中心部(プラスチック核体21の半径を直径とする円)を解析することで、後述の絶縁性子粒子1の被覆率と同様に算出できる。80面積%はほぼ最密充填した場合である。なお、本実施形態における上記被覆率は、粒子のSEM写真の100枚(粒子100個)から求めた被覆率の平均値である。   The coverage of the plastic core 21 with the core material 23 may be 5 to 60 area% or 25 to 60 area%. The coverage in this case can be calculated in the same manner as the coverage of the insulator particles 1 described later by analyzing the center of the particle surface (two-dimensional image) (a circle having the radius of the plastic core 21 as a diameter). 80% by area corresponds to the case of close packing. In addition, the said coverage in this embodiment is an average value of the coverage calculated | required from 100 sheets (100 particle | grains) of the SEM photograph of particle | grains.

無電解めっきを行うに際し、芯材23が吸着したプラスチック核体を水に超音波で分散させる。芯材23がプラスチック核体21表面に結合しているため、超音波処理によって芯材23が脱落することが少なく、有利である。共振周波数28〜38kHz及び超音波出力100Wで15分間超音波照射したときの芯材23の脱落率が10%以下であってもよく、3%以下であってもよい。   When performing electroless plating, the plastic core body on which the core material 23 is adsorbed is dispersed in water with ultrasonic waves. Since the core material 23 is bonded to the surface of the plastic core 21, the core material 23 is less likely to drop off by ultrasonic treatment, which is advantageous. The dropout rate of the core material 23 may be 10% or less or 3% or less when the ultrasonic wave is irradiated for 15 minutes at a resonance frequency of 28 to 38 kHz and an ultrasonic output of 100 W.

(絶縁性子粒子)
母粒子2に被覆する絶縁性子粒子1は、有機微粒子(有機粒子)、無機酸化物微粒子(無機酸化物粒子)又は有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。有機微粒子は、導通性に優れる。他方、無機酸化物微粒子は、硬く、物理的衝撃に対し安定であり、溶剤に溶けにくい点で優れる。母粒子2に被覆される絶縁性子粒子の例を以下に示す。
(Insulator particles)
The insulator particles 1 coated on the mother particles 2 may be organic fine particles (organic particles), inorganic oxide fine particles (inorganic oxide particles), or organic-inorganic hybrid particles. Organic fine particles have excellent conductivity. On the other hand, inorganic oxide fine particles are excellent in that they are hard, stable against physical impact, and hardly dissolve in a solvent. Examples of the insulator particles coated on the mother particles 2 are shown below.

有機微粒子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、並びにポリイミド樹脂等からなる粒子が挙げられる。   Examples of the organic fine particles include particles made of polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, and polybutadiene, acrylic resins such as polymethyl methacrylate, epoxy resins, and polyimide resins.

無機酸化物微粒子は、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、ニオブ、亜鉛、錫、セリウム、又はマグネシウムの元素を含む酸化物の粒子であってもよく、これらは単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。また、絶縁性に優れ、粒子径を制御した水分散コロイダルシリカ(SiO)であってもよい。このような無機酸化物微粒子の市販品としては、例えば、スノーテックス、スノーテックスUP(日産化学工業社製)、及びクオートロンPLシリーズ(扶桑化学工業社製)等が挙げられる。絶縁信頼性の点で、分散溶液中のアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオン濃度が100ppm以下であってもよく、また無機酸化物微粒子は金属アルコキシドの加水分解反応、いわゆるゾルゲル法により製造されてもよい。 The inorganic oxide fine particles may be oxide particles containing an element of silicon, aluminum, zirconium, titanium, niobium, zinc, tin, cerium, or magnesium, and these may be used alone or in combination of two or more. Can be used. Further, it may be water-dispersed colloidal silica (SiO 2 ) having excellent insulating properties and controlled particle diameter. Examples of such commercially available inorganic oxide fine particles include Snowtex, Snowtex UP (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), and Quatron PL series (manufactured by Fuso Chemical Industries, Ltd.). In terms of insulation reliability, the concentration of alkali metal ions and alkaline earth metal ions in the dispersion solution may be 100 ppm or less, and the inorganic oxide fine particles are produced by hydrolysis reaction of metal alkoxide, so-called sol-gel method. Also good.

有機無機ハイブリッド粒子としては、アクリル樹脂と多官能アルコキシシランの共重合で得られる粒子が代表的である。アルコキシシランの割合を増やせばより無機粒子の特性を示し、アクリル樹脂の割合を増やせばより有機粒子の特性を示す。合成方法は分散重合や沈殿重合に代表される。   Typical organic-inorganic hybrid particles are particles obtained by copolymerization of an acrylic resin and a polyfunctional alkoxysilane. When the proportion of alkoxysilane is increased, the properties of inorganic particles are exhibited, and when the proportion of acrylic resin is increased, the properties of organic particles are exhibited. Synthetic methods are represented by dispersion polymerization and precipitation polymerization.

絶縁性子粒子1は、外側に水酸基、シラノール基及びカルボキシル基といった母粒子2の表面の官能基、又は後述する高分子電解質との反応性が良好な官能基を有していてもよい。   The insulator particles 1 may have a functional group on the surface of the mother particle 2 such as a hydroxyl group, a silanol group, and a carboxyl group on the outside, or a functional group that has good reactivity with the polymer electrolyte described later.

絶縁性子粒子1の、BET法による比表面積換算法又はX線小角散乱法で測定された粒子径は、180nm以上500nm以下であり、200nmから480nmであってもよく、200nmから400nmであってもよく、250nmから400nmであってもよい。絶縁性子粒子1の粒子径が200nm以上である場合、導電粒子30に吸着された絶縁性子粒子が絶縁膜として作用し、ショートの発生を抑制する傾向がある。一方、絶縁性子粒子1の粒子径が500nm以下である場合、接続の加圧方向の十分な導電性が得られる傾向がある。   The particle diameter of the insulator particles 1 measured by the specific surface area conversion method by the BET method or the X-ray small angle scattering method is 180 nm or more and 500 nm or less, may be 200 nm to 480 nm, or may be 200 nm to 400 nm. It may be 250 nm to 400 nm. When the particle diameter of the insulator particles 1 is 200 nm or more, the insulator particles adsorbed on the conductive particles 30 act as an insulating film and tend to suppress the occurrence of a short circuit. On the other hand, when the particle diameter of the insulator particles 1 is 500 nm or less, sufficient conductivity in the pressurizing direction of connection tends to be obtained.

絶縁性子粒子1の粒子径は上述の突起23aの高さHよりも大きくてもよい。   The particle diameter of the insulator particles 1 may be larger than the height H of the protrusion 23a.

絶縁性子粒子1を母粒子2に被覆する方法としては、表面に官能基を有する母粒子2に、表面に官能基を有する絶縁性子粒子1を吸着させる方法等が挙げられる。   Examples of the method of coating the insulator particles 1 on the mother particles 2 include a method of adsorbing the insulator particles 1 having a functional group on the surface to the mother particles 2 having a functional group on the surface.

水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、及びアルコキシカルボニル基等の官能基を有する母粒子2の表面電位(ゼータ電位)は、通常(pHが中性領域であれば)マイナスである。一方で、水酸基等の官能基を有する絶縁性子粒子1の表面電位も通常マイナスである。表面電位がマイナスの粒子の周囲に表面電位がマイナスの粒子を被覆するのは難しい。   The surface potential (zeta potential) of the mother particle 2 having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxyl group, and an alkoxycarbonyl group is usually negative (if the pH is neutral). On the other hand, the surface potential of the insulator particles 1 having a functional group such as a hydroxyl group is usually negative. It is difficult to coat particles having a negative surface potential around particles having a negative surface potential.

このような場合、絶縁性子粒子1を母粒子2に被覆する方法は、ポリマー又はオリゴマーと絶縁性子粒子1を交互に積層する方法であってもよく、高分子電解質と絶縁性子粒子1を交互に積層する方法であってもよい。上記被覆方法は、(1)表面に官能基を有する母粒子2を、高分子電解質溶液に分散し、母粒子2の表面に高分子電解質を吸着させた後、リンスする工程、(2)母粒子2を絶縁性子粒子1の分散溶液に分散し、母粒子2の表面に絶縁性子粒子1を吸着させた後、リンスする工程を有する。図2(b)に示されるように、上記被覆方法によれば、表面に高分子電解質と絶縁性子粒子1との積層による絶縁被覆層3が形成された微粒子を製造できる。   In such a case, the method of coating the insulator particles 1 on the mother particles 2 may be a method of alternately laminating the polymer or oligomer and the insulator particles 1, and the polymer electrolyte and the insulator particles 1 are alternately arranged. A lamination method may be used. The coating method includes (1) a step of dispersing the mother particles 2 having functional groups on the surface in a polymer electrolyte solution, adsorbing the polymer electrolyte on the surfaces of the mother particles 2, and then rinsing; There is a step of rinsing after dispersing the particles 2 in the dispersion solution of the insulator particles 1 and adsorbing the insulator particles 1 on the surfaces of the mother particles 2. As shown in FIG. 2B, according to the above coating method, fine particles having an insulating coating layer 3 formed by stacking a polymer electrolyte and the insulator particles 1 on the surface can be produced.

このような方法は、交互積層法(Layer−by−Layer assembly)と呼ばれる。交互積層法は、G.Decherらによって1992年に発表された有機薄膜を形成する方法である(Thin Solid Films, 210/211, p831(1992))。この方法では、正電荷を有するポリマー電解質(ポリカチオン)と負電荷を有するポリマー電解質(ポリアニオン)の水溶液に、基材を交互に浸漬することで基材上に静電的引力によって吸着したポリカチオンとポリアニオンの組が積層して複合膜(交互積層膜)が得られるものである。   Such a method is called an alternating lamination method (Layer-by-Layer assembly). The alternate lamination method is described in G.H. This is a method of forming an organic thin film published in 1992 by Decher et al. (Thin Solid Films, 210/211, p831 (1992)). In this method, a polycation adsorbed on a substrate by electrostatic attraction by alternately immersing the substrate in an aqueous solution of a polymer electrolyte having a positive charge (polycation) and a polymer electrolyte having a negative charge (polyanion). And a combination of polyanions are laminated to obtain a composite film (alternate laminated film).

交互積層法では、静電的な引力によって、基材上に形成された材料の電荷と、溶液中の反対電荷を有する材料が引き合うことにより膜成長するので、吸着が進行して電荷の中和が起こるとそれ以上の吸着が起こらなくなる。したがって、ある飽和点までに至れば、それ以上膜厚が増加することはない。Lvovらは交互積層法を、微粒子に応用し、シリカ、チタニア、及びセリアの各微粒子分散液を用いて、微粒子の表面電荷と反対電荷を有する高分子電解質を交互積層法で積層する方法を報告している(Langmuir、Vol.13(1997)、p.6195−6203)。この方法を用いると、負の表面電荷を有する絶縁性子粒子とその反対電荷を持つポリカチオンであるポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド(PDDA)又はポリエチレンイミン(PEI)等とを交互に積層することで、絶縁性子粒子と高分子電解質が交互に積層された微粒子積層薄膜を形成することが可能である。   In the alternating layering method, the film is grown by attracting the charge of the material formed on the substrate and the material having the opposite charge in the solution by electrostatic attraction, so that the adsorption proceeds and the charge is neutralized. When this occurs, no further adsorption occurs. Therefore, when reaching a certain saturation point, the film thickness does not increase any more. Lvov et al. Reported on a method of applying the alternating lamination method to fine particles, and laminating a polymer electrolyte having a charge opposite to the surface charge of the fine particles by using the fine particle dispersions of silica, titania, and ceria. (Langmuir, Vol. 13 (1997), p. 6195-6203). By using this method, insulating particles having a negative surface charge and polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA) or polyethylenimine (PEI), which are polycations having the opposite charge, are alternately laminated to provide insulation. It is possible to form a fine-particle laminated thin film in which neutron particles and polymer electrolyte are alternately laminated.

母粒子を高分子電解質溶液或いは絶縁性子粒子の分散液に浸漬後、反対電荷を有する絶縁性子粒子分散液或いは高分子電解質溶液に浸漬する前に、溶媒のみのリンスによって余剰の高分子電解質溶液或いは絶縁性子粒子分散液を洗い流してもよい。このようなリンスに用いるものとしては、水、アルコール、及びアセトン等がある。   After immersing the mother particles in the polymer electrolyte solution or the dispersion of insulator particles, and before immersing in the insulator particle dispersion or polymer electrolyte solution having the opposite charge, the excess polymer electrolyte solution or The insulator particle dispersion may be washed away. Examples of such rinsing include water, alcohol, and acetone.

高分子電解質溶液は、高分子電解質を水又は有機溶媒の混合溶媒に溶解したものである。使用できる水溶性の有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミド、及びアセトニトリル等が挙げられる。   The polymer electrolyte solution is obtained by dissolving a polymer electrolyte in water or a mixed solvent of an organic solvent. Examples of the water-soluble organic solvent that can be used include methanol, ethanol, propanol, acetone, dimethylformamide, and acetonitrile.

高分子電解質は、水溶液中で電離し、電荷を有する官能基を主鎖又は側鎖に持つ高分子であってもよく、ポリカチオンであってもよい。また、ポリカチオンとしては、一般に、ポリアミン類等のように正電荷を帯びる(正電荷を有する)ことのできる官能基を有するもの、例えば、ポリエチレンイミン(PEI)、ポリアリルアミン塩酸塩(PAH)、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド(PDDA)、ポリビニルピリジン(PVP)、ポリリジン、ポリアクリルアミド及びそれらを少なくとも1種以上を含む共重合体等を用いることができる。   The polymer electrolyte may be a polymer that ionizes in an aqueous solution and has a functional group having a charge in the main chain or side chain, or may be a polycation. The polycation generally has a functional group capable of being positively charged (having a positive charge), such as polyamines, such as polyethyleneimine (PEI), polyallylamine hydrochloride (PAH), Polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA), polyvinylpyridine (PVP), polylysine, polyacrylamide, and a copolymer containing at least one of them can be used.

高分子電解質の中でもポリエチレンイミンは電荷密度が高く、結合力が強い。これらの高分子電解質の中でも、エレクトロマイグレーションや腐食を避けるために、アルカリ金属(Li、Na、K、Rb、及びCs)イオン、アルカリ土類金属(Ca、Sr、Ba、及びRa)イオン、及びハロゲン化物イオン(フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、及びヨウ化物イオン)を含まなくてもよい。   Among polyelectrolytes, polyethyleneimine has a high charge density and a strong binding force. Among these polymer electrolytes, alkali metal (Li, Na, K, Rb, and Cs) ions, alkaline earth metal (Ca, Sr, Ba, and Ra) ions, and in order to avoid electromigration and corrosion, and Halide ions (fluoride ions, chloride ions, bromide ions, and iodide ions) may not be included.

これらの高分子電解質は、いずれも水に可溶或いはアルコール等の有機溶媒に可溶なものであり、高分子電解質の重量平均分子量は、用いる高分子電解質の種類により一概には定められないが、一般に、1000以上であってもよく、1000〜200000程度であってもよい。重量平均分子量が1000以上であると、高分子電解質溶液中の母粒子2の分散性が十分となる傾向があり、母粒子2の粒子径が3.0μm以下であっても、凝集の顕在化を抑制する傾向がある。なお、溶液中の高分子電解質の濃度は、一般に、0.01〜10質量%程度であってもよい。また、高分子電解質溶液のpHは、特に限定されない。   These polymer electrolytes are both soluble in water or soluble in organic solvents such as alcohol, and the weight average molecular weight of the polymer electrolyte is not generally determined by the type of polymer electrolyte used. Generally, it may be 1000 or more, and may be about 1000-200000. If the weight average molecular weight is 1000 or more, the dispersibility of the mother particles 2 in the polymer electrolyte solution tends to be sufficient, and even if the particle diameter of the mother particles 2 is 3.0 μm or less, the aggregation becomes obvious. There is a tendency to suppress. The concentration of the polymer electrolyte in the solution may generally be about 0.01 to 10% by mass. Further, the pH of the polymer electrolyte solution is not particularly limited.

このようにして得られる高分子電解質薄膜を用いることにより、高分子電解質を母粒子2の表面に欠陥なく均一に被覆することができ、非加圧方向の回路電極間隔が狭ピッチでも絶縁性が確保され、電気的に接続する加圧方向の回路電極間では接続抵抗が低く良好となる。   By using the polymer electrolyte thin film obtained in this way, the polymer electrolyte can be uniformly coated on the surface of the mother particle 2 without defects, and the insulating property is maintained even when the circuit electrode spacing in the non-pressurizing direction is narrow. The connection resistance is low and good between the circuit electrodes in the pressurizing direction that are secured and electrically connected.

母粒子2の粒子径が小さい場合、母粒子2の磁性凝集が大きくなり、母粒子2の表面に絶縁性子粒子1を吸着させるのが困難になる。その場合、母粒子2の表面に重量平均分子量1000以上のポリマーが配置されていると、絶縁性子粒子分散液中の母粒子2の分散を促し、絶縁性子粒子1の母粒子2の表面への吸着が容易になる傾向がある。   When the particle diameter of the mother particle 2 is small, the magnetic aggregation of the mother particle 2 increases, and it becomes difficult to adsorb the insulator particles 1 on the surface of the mother particle 2. In that case, when a polymer having a weight average molecular weight of 1000 or more is arranged on the surface of the base particle 2, the dispersion of the base particle 2 in the insulator particle dispersion is promoted, and the surface of the insulator particle 1 on the surface of the mother particle 2 is promoted. Adsorption tends to be easy.

また、高分子電解質の種類、分子量、又は濃度を調整することにより、母粒子2の表面に高分子電解質の被覆後にさらに被覆される絶縁性子粒子1の被覆率を制御することができる。   Further, by adjusting the type, molecular weight, or concentration of the polymer electrolyte, it is possible to control the coverage of the insulator particles 1 that are further coated on the surfaces of the mother particles 2 after the coating of the polymer electrolyte.

具体的にはポリエチレンイミン等、電荷密度の高い高分子電解質薄膜を用いた場合、絶縁性子粒子1の被覆率が高くなる傾向があり、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド等、電荷密度の低い高分子電解質薄膜を用いた場合、絶縁性子粒子1の被覆率が低くなる傾向がある。また、高分子電解質の分子量が大きい場合、絶縁性子粒子1の被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質の分子量が小さい場合、絶縁性子粒子1の被覆率が低くなる傾向がある。さらに高分子電解質溶液を高濃度で用いた場合、絶縁性子粒子1の被覆率が高くなる傾向があり、高分子電解質溶液を低濃度で用いた場合、絶縁性子粒子1の被覆率が低くなる傾向がある。   Specifically, when a polymer electrolyte thin film having a high charge density such as polyethyleneimine is used, the coverage of the insulator particles 1 tends to be high, and a polymer electrolyte thin film having a low charge density such as polydiallyldimethylammonium chloride. When is used, the coverage of the insulator particles 1 tends to be low. Further, when the molecular weight of the polymer electrolyte is large, the coverage of the insulator particles 1 tends to be high, and when the molecular weight of the polymer electrolyte is small, the coverage of the insulator particles 1 tends to be low. Furthermore, when the polymer electrolyte solution is used at a high concentration, the coverage of the insulator particles 1 tends to increase, and when the polymer electrolyte solution is used at a low concentration, the coverage of the insulator particles 1 tends to decrease. There is.

絶縁性子粒子1の表面は重量平均分子量500以上のポリマー又はオリゴマーで被覆されていてもよく、上記重量平均分子量は1000以上であってもよく、1000〜10000であってもよく、1000〜4000であってもよい。絶縁性子粒子1の表面は重量平均分子量1000〜4000の官能基付きシリコーンオリゴマーで被覆されていてもよい。ポリマー又はオリゴマーは官能基を有していてもよい。官能基としては、母粒子の表面の官能基又は上述の高分子電解質と反応することが可能な基であってもよく、具体的にはグリシジル基、カルボキシル基又はイソシアネート基であってもよく、グリシジル基であってもよい。   The surface of the insulator particles 1 may be coated with a polymer or oligomer having a weight average molecular weight of 500 or more, and the weight average molecular weight may be 1000 or more, 1000 to 10,000, or 1000 to 4000. There may be. The surface of the insulator particles 1 may be coated with a functionalized silicone oligomer having a weight average molecular weight of 1000 to 4000. The polymer or oligomer may have a functional group. The functional group may be a functional group on the surface of the mother particle or a group capable of reacting with the above-described polyelectrolyte, specifically a glycidyl group, a carboxyl group or an isocyanate group, It may be a glycidyl group.

このように、化学反応性のポリマー又はオリゴマーを有する粒子同士を結合させることで、従来にはない強固な結合が得られる上、母粒子2の小径化又は絶縁性子粒子1の大径化に対応できる。   In this way, by bonding particles having a chemically reactive polymer or oligomer to each other, it is possible to obtain unprecedented strong bonding, and to cope with a decrease in the diameter of the mother particle 2 or an increase in the diameter of the insulator particle 1. it can.

絶縁性子粒子1の被覆率は10面積%〜50面積%の範囲であってもよく、20〜50面積%の範囲であってもよい。絶縁性子粒子1の被覆率が高い場合は、絶縁性が高く導電性が低い傾向があり、絶縁性子粒子1の被覆率が低い場合は、導電性が高く絶縁性が低い傾向がある。なお、ここでいう被覆率は、母粒子2の表面における中心部(プラスチック核体21の半径を直径とする円)の全表面積をW(母粒子の粒子径から算出した突起を含まない面積)、粒子の中心部(プラスチック核体21の半径を直径とする円)の画像解析により絶縁性子粒子1で被覆されていると分析された部分の表面積をPとしたときに、P/W×100(面積%)で表される。なお、本実施形態における上記被覆されていると分析された部分の表面積Pは、粒子のSEM写真100枚から求めた表面積の平均値である。   The coverage of the insulator particles 1 may be in the range of 10 area% to 50 area%, or in the range of 20 to 50 area%. When the coverage of the insulator particles 1 is high, the insulation tends to be high and the conductivity is low, and when the coverage of the insulator particles 1 is low, the conductivity tends to be high and the insulation is low. In addition, the coverage here is the total surface area of the central part (circle having the radius of the plastic core 21 as a diameter) on the surface of the mother particle 2 (area not including protrusions calculated from the particle diameter of the mother particle). , P / W × 100, where P is the surface area of the portion analyzed to be covered with the insulator particles 1 by image analysis of the central portion of the particle (circle having the radius of the plastic core 21 as a diameter). (Area%). In addition, the surface area P of the portion analyzed to be covered in the present embodiment is an average value of the surface areas obtained from 100 SEM photographs of particles.

また、絶縁性子粒子1の被覆ばらつき(C.V.)は0.3以下の範囲であってもよい。絶縁性子粒子1の被覆ばらつき(C.V.)が0.3以下であるとき、絶縁性が向上する傾向がある。なお、ここでいう被覆ばらつき(C.V.)は、粒子の中心部(プラスチック核体21の半径を直径とする円)の画像解析に基づいて算出された上記被覆率の標準偏差をS、平均値をMとしたときに、S/M×100(%)で表される。なお、本実施形態における上記被覆率の標準偏差S及び平均値Mは、粒子のSEM写真100枚から求めたものである。   Further, the coating variation (CV) of the insulator particles 1 may be in a range of 0.3 or less. When the coating variation (CV) of the insulator particles 1 is 0.3 or less, the insulation tends to be improved. Note that the coating variation (CV) here is the standard deviation of the coverage calculated based on the image analysis of the center of the particle (the circle having the diameter of the plastic core 21 as a diameter) as S, When the average value is M, it is represented by S / M × 100 (%). In addition, the standard deviation S and the average value M of the coverage in the present embodiment are obtained from 100 SEM photographs of particles.

母粒子2は絶縁性子粒子1一層でのみ被覆されているのがよい。複層積層すると積層量のコントロールが困難になることがある。   The mother particle 2 is preferably covered with only one insulator particle 1. When multiple layers are laminated, it may be difficult to control the amount of lamination.

このようにして得られた導電粒子30、すなわち絶縁性子粒子1が被覆された母粒子2を加熱乾燥することで絶縁性子粒子1と母粒子2との結合を強化することができる。結合力が増す理由としては、官能基同士の化学結合が挙げられる。加熱乾燥の温度は60〜200℃であってもよく、加熱時間は10〜180分の範囲であってもよい。加熱温度が60℃以上である場合又は加熱時間が10分以上である場合は、母粒子2からの絶縁性子粒子1の剥離が抑制される傾向があり、加熱温度が200℃以下である場合又は加熱時間が180分以下である場合は、導電粒子30の変形が抑制される傾向がある。   Bonding between the insulator particles 1 and the mother particles 2 can be strengthened by heating and drying the conductive particles 30 thus obtained, that is, the mother particles 2 coated with the insulator particles 1. The reason why the bonding force increases is the chemical bonding between functional groups. The temperature for heat drying may be 60 to 200 ° C., and the heating time may be in the range of 10 to 180 minutes. When the heating temperature is 60 ° C. or higher, or when the heating time is 10 minutes or longer, peeling of the insulator particles 1 from the mother particles 2 tends to be suppressed, and the heating temperature is 200 ° C. or lower or When the heating time is 180 minutes or less, the deformation of the conductive particles 30 tends to be suppressed.

導電粒子30の表面は、さらにシリコーンオリゴマー処理がなされていてもよい。導電粒子30の表面がシリコーンオリゴマー処理されることにより、導電粒子30の絶縁信頼性がさらに向上する傾向がある。ここで用いるシリコーンオリゴマーは、メチル基又はフェニル基等の疎水性の官能基を有し、重量平均分子量が500〜5000程度のものを用いるとよい。   The surface of the conductive particles 30 may be further subjected to silicone oligomer treatment. When the surface of the conductive particles 30 is treated with the silicone oligomer, the insulation reliability of the conductive particles 30 tends to be further improved. The silicone oligomer used here may have a hydrophobic functional group such as a methyl group or a phenyl group and have a weight average molecular weight of about 500 to 5,000.

(異方性導電接着剤)
以上のようにして作製した導電粒子30を、接着剤31に分散させることにより、導電粒子含有層32が得られる。異方性導電接着剤40は、導電粒子含有層32のみからなっていてもよく、上記導電粒子含有層32の一方の面上に形成された導電粒子非含有層33をさらに備えた2層構造であってもよく、図2(a)に示すように、上記導電粒子含有層32の他方の面上に形成された導電粒子非含有層34をさらに備えた3層構造であってもよい。また、図2(a)の拡大断面図である図2(b)に示すように、導電粒子30は母粒子2と該母粒子2表面に絶縁性子粒子1によって形成される絶縁被覆層3とを備える。
(Anisotropic conductive adhesive)
By dispersing the conductive particles 30 produced as described above in the adhesive 31, the conductive particle-containing layer 32 is obtained. The anisotropic conductive adhesive 40 may consist only of the conductive particle-containing layer 32, and has a two-layer structure further including a conductive particle non-containing layer 33 formed on one surface of the conductive particle-containing layer 32. As shown in FIG. 2A, a three-layer structure further including a conductive particle non-containing layer 34 formed on the other surface of the conductive particle-containing layer 32 may be used. Moreover, as shown in FIG. 2B, which is an enlarged cross-sectional view of FIG. 2A, the conductive particles 30 are composed of the base particles 2 and the insulating coating layer 3 formed by the insulator particles 1 on the surface of the base particles 2. Is provided.

異方性導電接着剤40に用いられる接着剤31には、熱反応性樹脂と硬化剤の混合物が用いられる。接着剤としては、エポキシ樹脂と潜在性硬化剤との混合物が用いられてもよい。潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、及びジシアンジアミド等が挙げられる。この他、接着剤には、ラジカル反応性樹脂と有機過酸化物の混合物又は紫外線等のエネルギー線硬化性樹脂が用いられうる。   For the adhesive 31 used for the anisotropic conductive adhesive 40, a mixture of a heat-reactive resin and a curing agent is used. As the adhesive, a mixture of an epoxy resin and a latent curing agent may be used. Examples of the latent curing agent include imidazole series, hydrazide series, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amine imide, polyamine salt, and dicyandiamide. In addition, for the adhesive, a mixture of a radical reactive resin and an organic peroxide or an energy ray curable resin such as an ultraviolet ray can be used.

エポキシ樹脂としては、エピクロルヒドリンと、ビスフェノールA、ビスフェノールF、又はビスフェノールAD等とから誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂;エピクロルヒドリンと、フェノールノボラック又はクレゾールノボラックとから誘導されるエポキシノボラック樹脂;ナフタレン環を含む骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂;グリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、又は脂環式等の1分子内に2個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物;等を単独で或いは2種以上を組み合わせて用いることが可能である。   Epoxy resins include bisphenol-type epoxy resins derived from epichlorohydrin and bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, etc .; epoxy novolac resins derived from epichlorohydrin and phenol novolac or cresol novolac; a skeleton containing a naphthalene ring Naphthalene-based epoxy resin having glycidyl amine, glycidyl amine, glycidyl ether, biphenyl, or various epoxy compounds having two or more glycidyl groups in one molecule; and the like are used alone or in combination of two or more. It is possible.

これらのエポキシ樹脂は、エレクトロマイグレーション防止のために、不純物イオン(Na、Cl等)又は加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品であってもよい。 These epoxy resins may be high-purity products in which impurity ions (Na + , Cl etc.) or hydrolyzable chlorine are reduced to 300 ppm or less in order to prevent electromigration.

接着剤31には接着後の応力を低減するため、或いは接着性を向上するために、ブタジエンゴム、アクリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、又はシリコーンゴム等を混合することができる。また、異方性導電接着剤40としてはペースト状(異方性導電接着剤ペースト)又はフィルム状(異方性導電接着剤フィルム)のものが用いられる。接着剤31は、フィルム状にするために、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、及びポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂(フィルム形成性高分子)を含んでいてもよい。これらのフィルム形成性高分子は、熱反応性樹脂の硬化時の応力緩和にも効果がある。接着性が向上するため、フィルム形成性高分子は水酸基等の官能基を有していてもよい。   In order to reduce the stress after bonding or to improve the adhesion, the adhesive 31 can be mixed with butadiene rubber, acrylic rubber, styrene-butadiene rubber, silicone rubber, or the like. As the anisotropic conductive adhesive 40, a paste (anisotropic conductive adhesive paste) or a film (anisotropic conductive adhesive film) is used. The adhesive 31 may include a thermoplastic resin (film-forming polymer) such as a phenoxy resin, a polyester resin, and a polyamide resin in order to form a film. These film-forming polymers are also effective for stress relaxation during curing of the heat-reactive resin. In order to improve adhesiveness, the film-forming polymer may have a functional group such as a hydroxyl group.

フィルム形成は、例えば、エポキシ樹脂等の熱反応性樹脂、アクリルゴム等のフィルム形成性高分子、及び潜在性硬化剤からなる接着組成物を有機溶剤に溶解或いは分散することにより、液状化して、上記液状の接着剤組成物を剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で溶剤を除去することにより行われる。この時用いられる溶剤は、材料の溶解性を向上させるため、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤であってもよい。   Film formation is, for example, liquefied by dissolving or dispersing an adhesive composition composed of a thermally reactive resin such as an epoxy resin, a film-forming polymer such as acrylic rubber, and a latent curing agent in an organic solvent, The liquid adhesive composition is applied on a peelable substrate, and the solvent is removed below the activation temperature of the curing agent. The solvent used at this time may be an aromatic hydrocarbon-based and oxygen-containing mixed solvent in order to improve the solubility of the material.

異方性導電接着剤フィルムの厚みは導電粒子30の粒子径及び異方性導電接着剤40の特性を考慮して相対的に決定されるが、この場合導電粒子含有層32と導電粒子非含有層33の2層構成であってもよい。導電粒子非含有層33を金属バンプ側に配置し、導電粒子含有層32をガラス側に配置することで導電粒子30が高効率で金属バンプ側に捕捉されるようになる。したがって、導電粒子含有層32は薄くてもよく、導電粒子非含有層33は導電粒子含有層32よりも厚くて流動性が高くてもよい。具体的には導電粒子含有層32の厚みは3〜15μmの範囲であり、導電粒子非含有層33の厚みは7〜20μmの範囲であり、導電粒子含有層32の厚みが異方性導電接着剤フィルム全体の厚みの50質量%以下であってもよい。   The thickness of the anisotropic conductive adhesive film is relatively determined in consideration of the particle diameter of the conductive particles 30 and the characteristics of the anisotropic conductive adhesive 40. In this case, the conductive particle-containing layer 32 and the conductive particles are not contained. A two-layer configuration of the layer 33 may be used. By disposing the conductive particle non-containing layer 33 on the metal bump side and the conductive particle containing layer 32 on the glass side, the conductive particles 30 are captured on the metal bump side with high efficiency. Therefore, the conductive particle containing layer 32 may be thin, and the conductive particle non-containing layer 33 may be thicker and more fluid than the conductive particle containing layer 32. Specifically, the thickness of the conductive particle-containing layer 32 is in the range of 3 to 15 μm, the thickness of the conductive particle-free layer 33 is in the range of 7 to 20 μm, and the thickness of the conductive particle-containing layer 32 is anisotropic conductive adhesion. 50 mass% or less of the thickness of the whole agent film may be sufficient.

また、ガラス基板又はITO等との接着性を強化する意味で、厚み4μm以下の導電粒子非含有層34をガラス電極側にさらに配置した3層構成であってもよい。この導電粒子非含有層34は流動性が高くてもよい。   Moreover, the three-layer structure which further arrange | positioned the electroconductive particle non-containing layer 34 with a thickness of 4 micrometers or less on the glass electrode side may be sufficient in the meaning which strengthens adhesiveness with a glass substrate or ITO. The conductive particle non-containing layer 34 may have high fluidity.

図2(b)に示すように、導電粒子含有層32において、導電粒子30と表面が疎水性の無機酸化物粒子35が接着剤31中に分散されていてもよい。導電粒子含有層32において、導電粒子30と表面が疎水性の無機酸化物粒子35が接着剤31中に分散されていることにより、導電粒子30の流動が無機酸化物粒子35により抑えられ、導電粒子30が金属バンプ42、及びITO又はIZO電極44上に捕捉されやすくなるため、加圧方向に高い導通性が得られる傾向がある。   As shown in FIG. 2B, in the conductive particle-containing layer 32, conductive particles 30 and inorganic oxide particles 35 having a hydrophobic surface may be dispersed in the adhesive 31. In the conductive particle-containing layer 32, the conductive particles 30 and the inorganic oxide particles 35 having a hydrophobic surface are dispersed in the adhesive 31, whereby the flow of the conductive particles 30 is suppressed by the inorganic oxide particles 35. Since the particles 30 are easily captured on the metal bumps 42 and the ITO or IZO electrode 44, high conductivity tends to be obtained in the pressing direction.

この異方性導電接着剤40を用いた接続構造体50の作製方法の一例を、図3(a)及び(b)を用いて説明する。   An example of a method for producing the connection structure 50 using the anisotropic conductive adhesive 40 will be described with reference to FIGS.

接続構造体50の作製方法は、図3(a)に示すように、第一の回路基板(ICチップ)41上の第一の回路電極(金属バンプ)42と、第二の回路基板(ガラス基板)43上の第二の回路電極(ITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(Indium Zinc Oxide)電極)44を、異方性導電接着剤40を介して電気的に接続する工程を備える。図3(a)において、異方性導電接着剤40は導電粒子非含有層33と導電粒子含有層32と導電粒子非含有層34とがこの順に積層された3層構成である。このとき、ICチップとガラス基板は、金属バンプ42とガラス43上の回路電極44とが対向するように配置される。次に、図3(a)及び(b)に示すように、ICチップとガラス基板を加圧加熱して、これらを異方性導電接着剤40を介して積層する。得られた接続構造体50は、第一の回路基板41の主面上に第一の回路電極42が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板43の主面上に第二の回路電極44が形成された第二の回路部材と、第一の回路基板41の主面と第二の回路基板43の主面との間に設けられ、第一の回路電極42と第二の回路電極44とを対向配置させた状態で第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材40aと、を備える。加熱加圧を通して、異方性導電接着剤40中の接着剤31は溶融変形した後、硬化する。また、異方性導電接着剤40中の導電粒子30は押しつぶされ、扁平した導電粒子となる。上記回路接続部材40aは異方性導電接着剤40の硬化物からなり、例えば異方性導電接着剤40が3層構成である場合には、導電粒子非含有層33の硬化物33aと導電粒子含有層32の硬化物32aと導電粒子非含有層34の硬化物34aとからなる。対向する第一の回路電極41と第二の回路電極43とは扁平した導電粒子を介して電気的に接続されている。   As shown in FIG. 3A, the connection structure 50 is manufactured by a first circuit electrode (metal bump) 42 on a first circuit board (IC chip) 41 and a second circuit board (glass). A step of electrically connecting a second circuit electrode (ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) electrode) 44 on the substrate (43) through an anisotropic conductive adhesive 40 is provided. 3A, the anisotropic conductive adhesive 40 has a three-layer structure in which a conductive particle non-containing layer 33, a conductive particle containing layer 32, and a conductive particle non-containing layer 34 are laminated in this order. At this time, the IC chip and the glass substrate are arranged so that the metal bumps 42 and the circuit electrodes 44 on the glass 43 face each other. Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the IC chip and the glass substrate are heated under pressure, and these are laminated via the anisotropic conductive adhesive 40. The obtained connection structure 50 includes a first circuit member in which the first circuit electrode 42 is formed on the main surface of the first circuit board 41, and a second circuit member on the main surface of the second circuit board 43. Are provided between the second circuit member on which the circuit electrode 44 is formed, the main surface of the first circuit board 41 and the main surface of the second circuit board 43, and the first circuit electrode 42 and the second circuit board 43. A circuit connection member 40a for connecting the first and second circuit members to each other in a state where the circuit electrodes 44 are arranged to face each other. Through heating and pressing, the adhesive 31 in the anisotropic conductive adhesive 40 is melted and deformed and then cured. In addition, the conductive particles 30 in the anisotropic conductive adhesive 40 are crushed into flat conductive particles. The circuit connection member 40a is made of a cured product of the anisotropic conductive adhesive 40. For example, when the anisotropic conductive adhesive 40 has a three-layer structure, the cured product 33a of the conductive particle-free layer 33 and the conductive particles are formed. It consists of a cured product 32 a of the containing layer 32 and a cured product 34 a of the conductive particle non-containing layer 34. Opposing first circuit electrode 41 and second circuit electrode 43 are electrically connected via flat conductive particles.

このようにして接続構造体50を作製すると、無機酸化物粒子35により導電粒子の流動が抑えられ、導電粒子が金属バンプ42上に捕捉されやすくなるため、加圧方向に高い導通性が得られる。金属バンプ42、及びITO又はIZO電極44に対しては、無機酸化物粒子35の含有量の低い導電粒子非含有層34が接触するため、埋め込み性と接着性を維持することができる。加圧方向の回路電極間における導電粒子30の捕捉率向上により、非加圧方向の回路電極間に流れる導電粒子の割合が低減するため、非加圧方向の回路電極間の絶縁性が向上する。導電粒子30表面に存在する絶縁被覆層3の被覆率を下げても絶縁性が確保されやすくなる。絶縁被覆層3の被覆率を下げることでさらに加圧方向の回路電極間の導通性が向上する。   When the connection structure 50 is produced in this way, the flow of the conductive particles is suppressed by the inorganic oxide particles 35, and the conductive particles are easily captured on the metal bumps 42. Therefore, high conductivity is obtained in the pressurizing direction. . Since the conductive particle non-containing layer 34 having a low content of the inorganic oxide particles 35 is in contact with the metal bump 42 and the ITO or IZO electrode 44, the embedding property and the adhesiveness can be maintained. By improving the capture rate of the conductive particles 30 between the circuit electrodes in the pressurizing direction, the ratio of the conductive particles flowing between the circuit electrodes in the non-pressurizing direction is reduced, so that the insulation between the circuit electrodes in the non-pressurizing direction is improved. . Even if the coverage of the insulating coating layer 3 existing on the surface of the conductive particles 30 is lowered, the insulating property is easily secured. By reducing the coverage of the insulating coating layer 3, the electrical conductivity between the circuit electrodes in the pressing direction is further improved.

(1)母粒子1の作製
架橋度を調整したジビニルベンゼンとアクリル酸の共重合体からなる平均粒子径2.6μmのプラスチック核体10gを準備した。このプラスチック核体はその表面にカルボキシル基を有する。プラスチック核体の硬さ(200℃において粒子直径が20%変位したときの圧縮弾性率、20%K値)は280kgf/mmであった。
(1) Preparation of mother particle 1 10 g of a plastic core body having an average particle diameter of 2.6 μm made of a copolymer of divinylbenzene and acrylic acid having an adjusted degree of crosslinking was prepared. This plastic core has a carboxyl group on its surface. The hardness of the plastic core (compression modulus when the particle diameter was displaced 20% at 200 ° C., 20% K value) was 280 kgf / mm 2 .

分子量70000の30質量%ポリエチレンイミン水溶液(和光純薬社製)を、超純水で0.3質量%まで希釈した。この0.3質量%ポリエチレンイミン水溶液300mLに上記プラスチック核体10gを加え、室温で15分攪拌した。孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出し、取り出されたプラスチック核体を超純水300gに入れ、室温で5分攪拌した。次いで孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出した。メンブレンフィルタ上のプラスチック核体を200gの超純水で2回洗浄し、吸着していないポリエチレンイミンを除去して、ポリエチレンイミンが吸着したプラスチック核体を得た。   A 30% by mass polyethyleneimine aqueous solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) having a molecular weight of 70,000 was diluted to 0.3% by mass with ultrapure water. 10 g of the plastic core was added to 300 mL of this 0.3 mass% polyethyleneimine aqueous solution, and the mixture was stirred at room temperature for 15 minutes. The plastic core was taken out by filtration using a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm, and the taken out plastic core was put in 300 g of ultrapure water and stirred at room temperature for 5 minutes. Next, the plastic core was taken out by filtration using a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm. The plastic core on the membrane filter was washed twice with 200 g of ultrapure water to remove the unadsorbed polyethyleneimine to obtain a plastic core on which polyethyleneimine was adsorbed.

平均粒子径100nmのコロイダルシリカ分散液を超純水で希釈して、0.33質量%シリカ粒子分散液(シリカ総量:1g)を得た。そこにポリエチレンイミンが吸着した上記プラスチック核体を入れ、室温で15分攪拌した。その後孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出した。濾液からシリカは抽出されなかったことから、実質的にすべてのシリカ粒子がプラスチック核体に吸着したことが確認された。シリカ粒子が吸着したプラスチック核体を超純水200gに入れて室温で5分攪拌した。その後、孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)を用いた濾過によりプラスチック核体を取り出し、メンブレンフィルタ上のプラスチック核体を200gの超純水で2回洗浄した。洗浄後のプラスチック核体を80℃で30分、120℃で1時間の順に加熱することにより乾燥して、表面にシリカ粒子が吸着したプラスチック核体(複合粒子)を得た。   A colloidal silica dispersion having an average particle diameter of 100 nm was diluted with ultrapure water to obtain a 0.33% by mass silica particle dispersion (total amount of silica: 1 g). The plastic core adsorbed with polyethyleneimine was put therein and stirred at room temperature for 15 minutes. Thereafter, the plastic core was taken out by filtration using a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm. Since no silica was extracted from the filtrate, it was confirmed that substantially all silica particles were adsorbed on the plastic core. The plastic core with the silica particles adsorbed was placed in 200 g of ultrapure water and stirred at room temperature for 5 minutes. Thereafter, the plastic core was removed by filtration using a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm, and the plastic core on the membrane filter was washed twice with 200 g of ultrapure water. The washed plastic nuclei were dried by heating at 80 ° C. for 30 minutes and 120 ° C. for 1 hour in order to obtain plastic nuclei (composite particles) having silica particles adsorbed on the surface.

上記複合粒子を1g分取し、共振周波数28kHz、出力100Wの超音波を15分間照射した後、パラジウム触媒であるアトテックネオガント834(アトテックジャパン株式会社製:商品名)を8質量%含有するパラジウム触媒化液100mLに添加して、超音波を照射しながら30℃で30分攪拌した。その後、孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)を用いた濾過により複合粒子を取り出し、取り出された複合粒子を水洗した。水洗後の複合粒子を、pH6.0に調整された0.5質量%ジメチルアミンボラン液に添加し、表面が活性化された複合粒子を得た。   1 g of the above composite particles were collected, irradiated with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W for 15 minutes, and then palladium containing 8% by mass of Atotech Neogant 834 (trade name, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.), which is a palladium catalyst. The mixture was added to 100 mL of the catalyst solution and stirred at 30 ° C. for 30 minutes while irradiating with ultrasonic waves. Thereafter, the composite particles were taken out by filtration using a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm, and the taken out composite particles were washed with water. The composite particles after washing with water were added to a 0.5% by mass dimethylamine borane solution adjusted to pH 6.0 to obtain composite particles whose surface was activated.

この表面が活性化された複合粒子を蒸留水に浸漬し、超音波分散して、懸濁液を得た。この懸濁液を50℃で攪拌しながら、硫酸ニッケル6水和物50g/L、次亜リン酸ナトリウム一水和物20g/L、ジメチルアミンボラン2.5g/L及びクエン酸50g/Lを混合し、pHを5.0に調整した無電解めっき液Aを徐々に添加し、複合粒子上に無電解ニッケル/リン合金層を形成させた。ニッケル/リン合金層はリンを約7質量%含有していた。サンプリングと原子吸光によって、ニッケルの膜厚を測定し、ニッケルめっき層の膜厚が750Åになった時点で無電解めっき液Aの添加を中止した。濾過後、100mLの純水を用いた洗浄を60秒行い、表面に突起を有し、めっき層としてニッケル/リン合金層を有する母粒子1を得た。母粒子1の表面の突起の高さをSEMで観測したところ、プラスチック核体に吸着したシリカ粒子の粒径とほぼ同じ100nmであった。突起の被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、約40面積%であった。また、母粒子1の単位体積あたりの飽和磁化を以下の要領で求めた。飽和磁化の測定には、振動試料型磁力計(VSM:Vibrating Sample Magnetometer、理研電子製BHV−525)を用いた。また、事前に標準試料(ニッケル)を用いて、磁力計の校正を行った。母粒子1を専用容器に秤量し、サンプルホルダーに取り付けた。サンプルホルダーを磁力計本体に取り付け、温度20℃(定温)、最大印加磁界2万Oe(1.6MA/m)、速度3分/loopの条件下での測定により、磁化曲線を得た。得られた磁化曲線から飽和磁化(emu)を求めた。一方、比重計(島津製作所製Accupyc1330)を用いて、母粒子1の比重を測定した。母粒子1の飽和磁化、飽和磁化の測定に用いた母粒子1の質量、及び母粒子1の比重から、母粒子1の単位体積あたりの飽和磁化を算出したところ、0.5emu/cmであった。 The surface-activated composite particles were immersed in distilled water and ultrasonically dispersed to obtain a suspension. While stirring this suspension at 50 ° C., nickel sulfate hexahydrate 50 g / L, sodium hypophosphite monohydrate 20 g / L, dimethylamine borane 2.5 g / L and citric acid 50 g / L were added. The electroless plating solution A which was mixed and adjusted to pH 5.0 was gradually added to form an electroless nickel / phosphorus alloy layer on the composite particles. The nickel / phosphorus alloy layer contained about 7% by mass of phosphorus. The thickness of nickel was measured by sampling and atomic absorption, and the addition of electroless plating solution A was stopped when the thickness of the nickel plating layer reached 750 mm. After filtration, washing with 100 mL of pure water was performed for 60 seconds to obtain mother particles 1 having protrusions on the surface and having a nickel / phosphorus alloy layer as a plating layer. When the height of the protrusion on the surface of the mother particle 1 was observed with an SEM, it was 100 nm, which was almost the same as the particle size of the silica particles adsorbed on the plastic core. The coverage of the protrusions was measured by image analysis of the SEM image, and was about 40 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particle 1 was determined in the following manner. For measurement of saturation magnetization, a vibrating sample magnetometer (VSM: Vibrating Sample Magnetometer, BHV-525 manufactured by Riken Denshi) was used. Further, the magnetometer was calibrated in advance using a standard sample (nickel). The mother particles 1 were weighed into a dedicated container and attached to a sample holder. A sample holder was attached to the magnetometer body, and a magnetization curve was obtained by measurement under the conditions of a temperature of 20 ° C. (constant temperature), a maximum applied magnetic field of 20,000 Oe (1.6 MA / m), and a speed of 3 minutes / loop. Saturation magnetization (emu) was determined from the obtained magnetization curve. On the other hand, the specific gravity of the mother particle 1 was measured using a hydrometer (Acpyc 1330 manufactured by Shimadzu Corporation). When the saturation magnetization per unit volume of the mother particle 1 is calculated from the saturation magnetization of the mother particle 1, the mass of the mother particle 1 used for measurement of the saturation magnetization, and the specific gravity of the mother particle 1, it is 0.5 emu / cm 3 . there were.

(2)母粒子2の作製
平均粒子径100nmのコロイダルシリカ分散液の代わりに平均粒子径100nmのニッケル微粒子分散液を用い、投入量を変更した以外は母粒子1と同様にして、突起(芯材ニッケル)を有する母粒子2を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約40面積%であり、単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、44.5emu/cmであった。
(2) Preparation of mother particle 2 A protrusion (core) was obtained in the same manner as mother particle 1 except that a nickel fine particle dispersion having an average particle diameter of 100 nm was used instead of a colloidal silica dispersion having an average particle diameter of 100 nm and the input amount was changed. A mother particle 2 having a material (nickel) was produced. As a result of measuring the height and coverage of the projection by image analysis of the SEM image, the height of the projection was 100 nm, the coverage of the projection was about 40 area%, and the saturation magnetization per unit volume was measured. 0.5 emu / cm 3 .

(3)母粒子3の作製
平均粒子径2.6μmのプラスチック核体の代わりに平均粒子径2.8μmのプラスチック核体を用いた以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子3を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約40面積%であった。また、母粒子3の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、44.3emu/cmであった。
(3) Preparation of mother particles 3 Protrusions (core nickel) are the same as mother particles 2 except that plastic nuclei with an average particle size of 2.8 μm were used instead of plastic nuclei with an average particle size of 2.6 μm. Base particles 3 were produced. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 40 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particle 3 was measured and found to be 44.3 emu / cm 3 .

(4)母粒子4の作製
平均粒子径2.6μmのプラスチック核体の代わりに平均粒子径2.3μmのプラスチック核体を用いた以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子4を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約40面積%であった。また、母粒子4の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、44.7emu/cmであった。
(4) Preparation of mother particles 4 Protrusions (core nickel) are the same as mother particles 2 except that plastic nuclei with an average particle size of 2.3 μm were used instead of plastic nuclei with an average particle size of 2.6 μm. Base particles 4 were produced. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 40 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particles 4 was measured and found to be 44.7 emu / cm 3 .

(5)母粒子5の作製
平均粒子径2.6μmのプラスチック核体の代わりに平均粒子径2.1μmのプラスチック核体を用いた以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子5を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約40面積%であった。また、母粒子5の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、44.8emu/cmであった。
(5) Preparation of mother particle 5 Similar to mother particle 2 except that a plastic core having an average particle diameter of 2.1 μm was used instead of a plastic core having an average particle diameter of 2.6 μm, it has protrusions (nickel core material). Base particles 5 were produced. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 40 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particles 5 was measured and found to be 44.8 emu / cm 3 .

(6)母粒子6の作製
平均粒子径2.6μmのプラスチック核体の代わりに平均粒子径1.8μmのプラスチック核体を用いた以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子6を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約40面積%であった。また、母粒子6の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、44.9emu/cmであった。
(6) Preparation of mother particle 6 Similar to the mother particle 2 except that a plastic core having an average particle diameter of 1.8 μm was used instead of a plastic core having an average particle diameter of 2.6 μm, it has protrusions (nickel core material). Base particles 6 were prepared. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 40 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particles 6 was measured and found to be 44.9 emu / cm 3 .

(7)母粒子7の作製
平均粒子径2.6μmのプラスチック核体の代わりに平均粒子径3.0μmのプラスチック核体を用いた以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子7を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約40面積%であった。また、母粒子7の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、44.5emu/cmであった。
(7) Preparation of mother particle 7 Similar to the mother particle 2 except that a plastic core having an average particle diameter of 3.0 μm was used instead of a plastic core having an average particle diameter of 2.6 μm, it has protrusions (nickel core material). Base particles 7 were prepared. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 40 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particle 7 was measured and found to be 44.5 emu / cm 3 .

(8)母粒子8の作製
平均粒子径100nmのニッケル微粒子分散液の投入量を変更したこと以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子8を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約44.5面積%であった。また、母粒子8の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、49.5emu/cmであった。
(8) Production of mother particles 8 Mother particles 8 having protrusions (core nickel) were produced in the same manner as the mother particles 2 except that the amount of nickel fine particle dispersion having an average particle diameter of 100 nm was changed. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 44.5 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particle 8 was measured and found to be 49.5 emu / cm 3 .

(9)母粒子9の作製
平均粒子径100nmのニッケル微粒子分散液の投入量を変更したこと以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子9を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約27.3面積%であった。また、母粒子9の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、29.8emu/cmであった。
(9) Preparation of mother particles 9 Mother particles 9 having protrusions (core nickel) were prepared in the same manner as the mother particles 2 except that the amount of nickel fine particle dispersion having an average particle diameter of 100 nm was changed. As a result of measuring the height and the coverage of the protrusion by image analysis of the SEM image, the height of the protrusion was 100 nm and the coverage of the protrusion was about 27.3 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particles 9 was measured and found to be 29.8 emu / cm 3 .

(10)母粒子10の作製
平均粒子径100nmのニッケル微粒子分散液の投入量を変更したこと以外は母粒子2と同様に突起(芯材ニッケル)を有する母粒子10を作製した。突起の高さ及び被覆率をSEM像の画像解析により測定した結果、突起の高さは100nmであり突起の被覆率は約9.1面積%であった。また、母粒子10の単位体積あたりの飽和磁化を測定したところ、9.9emu/cmであった。
(10) Preparation of mother particles 10 Mother particles 10 having protrusions (core nickel) were prepared in the same manner as the mother particles 2 except that the amount of nickel fine particle dispersion having an average particle diameter of 100 nm was changed. As a result of measuring the height and coverage of the protrusions by image analysis of the SEM image, the height of the protrusions was 100 nm and the coverage of the protrusions was about 9.1 area%. Further, the saturation magnetization per unit volume of the mother particle 10 was measured and found to be 9.9 emu / cm 3 .

(シリコーンオリゴマー1の作製)
メタノール10gにトリエトキシフェニルシラン50gを配合して溶液を調製した。これを攪拌しながら、蒸留水6gと酢酸0.5gの溶液を添加し、80℃で一定時間加熱して加水分解、重縮合反応を行った。一旦、0℃に冷却した後、テトラエトキシシラン6gを滴下して室温で2時間攪拌して、シロキサン骨格中にフェニル基を含有し、末端が3官能性のシリコーンオリゴマーを得た。得られたシリコーンオリゴマーの重量平均分子量は1100であった。得られたシリコーンオリゴマー溶液にメタノールを加えて、固形分20質量%の処理液を作製した。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー法(GPC)により、標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定されたものであり、測定条件は次のとおりである。
<GPC条件>
使用機器:日立L−6000型〔(株)日立製作所〕
カラム :ゲルパックGL−R420+ゲルパックGL−R430+ゲルパックGL−R440(計3本)〔いずれも日立化成工業(株)製商品名〕
溶離液 :テトラヒドロフラン
測定温度:40℃
流量 :1.75mL/分
検出器 :L−3300RI〔(株)日立製作所〕
(Preparation of silicone oligomer 1)
A solution was prepared by blending 50 g of triethoxyphenylsilane with 10 g of methanol. While stirring this, a solution of 6 g of distilled water and 0.5 g of acetic acid was added, and the mixture was heated at 80 ° C. for a certain time to perform hydrolysis and polycondensation reaction. Once cooled to 0 ° C., 6 g of tetraethoxysilane was added dropwise and stirred at room temperature for 2 hours to obtain a silicone oligomer containing a phenyl group in the siloxane skeleton and having a trifunctional terminal. The resulting silicone oligomer had a weight average molecular weight of 1100. Methanol was added to the obtained silicone oligomer solution to prepare a treatment liquid having a solid content of 20% by mass. The weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC) using a standard polystyrene calibration curve, and the measurement conditions were as follows.
<GPC conditions>
Equipment used: Hitachi L-6000 (Hitachi, Ltd.)
Column: Gel pack GL-R420 + Gel pack GL-R430 + Gel pack GL-R440 (3 in total) [All are trade names manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.]
Eluent: Tetrahydrofuran Measurement temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.75 mL / min Detector: L-3300RI [Hitachi, Ltd.]

(シリコーンオリゴマー2の作製)
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン118gとメタノール5.9gを配合した溶液に、活性白土5g及び蒸留水4.8gを添加し、75℃で一定時間攪拌し、重量平均分子量1300のシリコーンオリゴマーを得た。得られたシリコーンオリゴマーは、水酸基と反応する末端官能基としてメトキシ基又はシラノール基を有するものである。得られたシリコーンオリゴマー溶液にメタノールを加えて、固形分20質量%の処理液を作製した。
(Preparation of silicone oligomer 2)
To a glass flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 5 g of activated clay and 4.8 g of distilled water were added to a solution containing 118 g of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 5.9 g of methanol, and 75 ° C. And a silicone oligomer having a weight average molecular weight of 1300 was obtained. The obtained silicone oligomer has a methoxy group or a silanol group as a terminal functional group that reacts with a hydroxyl group. Methanol was added to the obtained silicone oligomer solution to prepare a treatment liquid having a solid content of 20% by mass.

(絶縁性子粒子1の作製)
3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(73.13質量%)、アクリル酸メチル(5.42質量%)、メタクリル酸(19.5質量%)、及びアゾビスイソブチロニトリル(1.95質量%)の組成で微粒子を作製した。500mLフラスコに上記各化合物を(濃度を調整して)一括して仕込み、溶媒としてアセトニトリル350gを加え、窒素(100mL/分)にて1時間溶存酸素を置換した後、溶存酸素計(飯島電子工業DoメーターB506)を用いて溶存酸素量を測定したところ、0.07mg/mLであった。その後、攪拌機を用い、ウォーターバス温度80℃で、約6時間加熱攪拌をして、有機無機ハイブリッド粒子分散液を得た。次に、得られた分散液中の粒子を遠心分離機により沈降させ、上澄みを除いた後、再度アセトニトリルを添加し、粒子を再分散させた。その後、粒子硬化触媒としてアンモニア水溶液(28質量%)を1.76g(粒子の仕込みカルボキシル基量に対して等モル)添加し、粒子を架橋させた。続いて、再度遠心分離にて粒子を沈降させ、上澄みを除いた後メタノールに粒子を再分散させた。得られた有機無機ハイブリッド粒子を絶縁性子粒子1とした。絶縁性子粒子1の平均粒子径をSEMで測定したところ、300nmであった。
(Preparation of insulator particles 1)
3-acryloxypropyltrimethoxysilane (73.13% by weight), methyl acrylate (5.42% by weight), methacrylic acid (19.5% by weight), and azobisisobutyronitrile (1.95% by weight) Fine particles were prepared with the composition of Charge each of the above compounds into a 500 mL flask at once (adjusting the concentration), add 350 g of acetonitrile as a solvent, replace the dissolved oxygen with nitrogen (100 mL / min) for 1 hour, and then dissolve the oxygen analyzer (Iijima Electronics Co., Ltd.). When the dissolved oxygen amount was measured using Do meter B506), it was 0.07 mg / mL. Thereafter, the mixture was stirred for about 6 hours at a water bath temperature of 80 ° C. using a stirrer to obtain an organic-inorganic hybrid particle dispersion. Next, the particles in the obtained dispersion were settled by a centrifugal separator, and after removing the supernatant, acetonitrile was added again to redisperse the particles. Thereafter, 1.76 g of an aqueous ammonia solution (28% by mass) was added as a particle curing catalyst (equimolar to the charged carboxyl group amount of the particles) to crosslink the particles. Subsequently, the particles were sedimented again by centrifugation, the supernatant was removed, and the particles were redispersed in methanol. The obtained organic-inorganic hybrid particles were designated as insulator particles 1. It was 300 nm when the average particle diameter of the insulator particle | grains 1 was measured by SEM.

(絶縁性子粒子2の作製)
粒子作製時の化合物の濃度を変更した(組成は同一)以外は、絶縁性子粒子1と同様の方法で、平均粒子径180nmの絶縁性子粒子2を作製した。
(Preparation of insulator particles 2)
Insulator particles 2 having an average particle diameter of 180 nm were prepared in the same manner as the insulator particles 1 except that the concentration of the compound at the time of particle preparation was changed (the composition was the same).

(絶縁性子粒子3の作製)
粒子作製時の化合物の濃度を変更した(組成は同一)以外は、絶縁性子粒子1と同様の方法で、平均粒子径220nmの絶縁性子粒子3を作製した。
(Preparation of insulator particles 3)
Insulator particles 3 having an average particle diameter of 220 nm were prepared by the same method as that of insulator particles 1 except that the concentration of the compound at the time of particle preparation was changed (the composition was the same).

(絶縁性子粒子4の作製)
粒子作製時の化合物の濃度を変更した(組成は同一)以外は、絶縁性子粒子1と同様の方法で、平均粒子径480nmの絶縁性子粒子4を作製した。
(Preparation of insulator particles 4)
Insulator particles 4 having an average particle diameter of 480 nm were prepared in the same manner as the insulator particles 1 except that the concentration of the compound at the time of particle preparation was changed (the composition was the same).

(絶縁性子粒子5の作製)
粒子作製時の化合物の濃度を変更した(組成は同一)以外は、絶縁性子粒子1と同様の方法で、平均粒子径550nmの絶縁性子粒子5を作製した。
(Preparation of insulator particles 5)
Insulator particles 5 having an average particle diameter of 550 nm were prepared in the same manner as the insulator particles 1 except that the concentration of the compound at the time of particle preparation was changed (the composition was the same).

(導電粒子1)
メルカプト酢酸8mmolをメタノール200mLに溶解させて反応液を作製した。次に母粒子1を10g上記反応液に加え、室温で2時間スリーワンモーターと直径45mmの攪拌羽で攪拌した。メタノールで洗浄後、孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で母粒子1を濾過することで表面にカルボキシル基を有する母粒子1 10gを得た。
(Conductive particles 1)
A reaction liquid was prepared by dissolving 8 mmol of mercaptoacetic acid in 200 mL of methanol. Next, 10 g of the mother particle 1 was added to the reaction solution, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours with a three-one motor and a stirring blade having a diameter of 45 mm. After washing with methanol, the base particle 1 was filtered with a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm to obtain 10 g of base particles 1 having a carboxyl group on the surface.

次に分子量70000の30質量%ポリエチレンイミン水溶液(和光純薬社製)を超純水で希釈し、0.3質量%ポリエチレンイミン水溶液を得た。上記カルボキシル基を有する母粒子1 10gを0.3質量%ポリエチレンイミン水溶液に加え、室温で15分攪拌した。次に孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で母粒子1を濾過し、超純水200gに入れて室温で5分攪拌した。さらに孔径φ3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で母粒子1を濾過した。上記メンブレンフィルタ上にて200gの超純水で2回洗浄を行い、吸着していないポリエチレンイミンを除去することで、表面にアミノ基含有ポリマーを有する母粒子1を作製した。   Next, a 30% by mass polyethyleneimine aqueous solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) having a molecular weight of 70,000 was diluted with ultrapure water to obtain a 0.3% by mass polyethyleneimine aqueous solution. 10 g of the above mother particle 1 having a carboxyl group was added to a 0.3% by mass polyethyleneimine aqueous solution and stirred at room temperature for 15 minutes. Next, the mother particle 1 was filtered with a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm, put in 200 g of ultrapure water and stirred at room temperature for 5 minutes. Further, the mother particle 1 was filtered with a membrane filter (manufactured by Millipore) having a pore diameter of 3 μm. Washing was performed twice with 200 g of ultrapure water on the membrane filter to remove unimsorbed polyethyleneimine, thereby producing mother particles 1 having an amino group-containing polymer on the surface.

次に、シリコーンオリゴマー2を絶縁性子粒子1上に被覆させ、表面にグリシジル基含有オリゴマーを有する絶縁性子粒子1のメタノール分散媒を作製した。   Next, the silicone oligomer 2 was coated on the insulator particles 1 to prepare a methanol dispersion medium of the insulator particles 1 having a glycidyl group-containing oligomer on the surface.

次にポリエチレンイミンで処理した母粒子1をイソプロピルアルコールに浸漬し、表面にグリシジル基含有オリゴマーを有する絶縁性子粒子1のメタノール分散媒を滴下することで、絶縁性子粒子の被覆率が30面積%の導電粒子を作製した。被覆率は滴下量で調整した。次にシリコーンオリゴマー1で得られた導電粒子全体を処理し、洗浄を行い、表面の疎水化を行った。その後80℃30分の条件で乾燥を行い、120℃1時間加熱乾燥行うことで導電粒子1を作製した。   Next, the base particles 1 treated with polyethyleneimine are immersed in isopropyl alcohol, and a methanol dispersion medium of the insulator particles 1 having a glycidyl group-containing oligomer is dropped on the surface, whereby the coverage of the insulator particles is 30 area%. Conductive particles were produced. The coverage was adjusted by the dropping amount. Next, the entire conductive particles obtained with the silicone oligomer 1 were treated, washed, and the surface was hydrophobized. Thereafter, drying was performed under conditions of 80 ° C. for 30 minutes, and conductive particles 1 were produced by heating and drying at 120 ° C. for 1 hour.

(導電粒子2)
母粒子1の代わりに母粒子2を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子2を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 2)
Conductive particles 2 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 2 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子3)
母粒子1の代わりに母粒子3を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子3を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 3)
The conductive particles 3 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 3 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子4)
母粒子1の代わりに母粒子4を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子4を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 4)
Conductive particles 4 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 4 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子5)
母粒子1の代わりに母粒子5を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子5を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 5)
Conductive particles 5 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 5 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子6)
母粒子1の代わりに母粒子6を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子6を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 6)
The conductive particles 6 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 6 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子7)
母粒子1の代わりに母粒子7を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子7を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 7)
Conductive particles 7 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 7 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子8)
母粒子1の代わりに母粒子8を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子8を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 8)
Conductive particles 8 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 8 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子9)
母粒子1の代わりに母粒子9を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子9を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 9)
Conductive particles 9 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 9 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子10)
母粒子1の代わりに母粒子10を用いたこと以外は、導電粒子1と同様の方法で導電粒子10を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 10)
The conductive particles 10 were produced in the same manner as the conductive particles 1 except that the mother particles 10 were used instead of the mother particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子11)
絶縁性子粒子1の代わりに絶縁性子粒子2を用いたこと以外は、導電粒子2と同様の方法で導電粒子11を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 11)
Conductive particles 11 were produced in the same manner as the conductive particles 2 except that the insulator particles 2 were used instead of the insulator particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子12)
絶縁性子粒子1の代わりに絶縁性子粒子3を用いたこと以外は、導電粒子2と同様の方法で導電粒子12を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 12)
Conductive particles 12 were produced in the same manner as the conductive particles 2 except that the insulator particles 3 were used instead of the insulator particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子13)
絶縁性子粒子1の代わりに絶縁性子粒子4を用いたこと以外は、導電粒子2と同様の方法で導電粒子13を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 13)
Conductive particles 13 were produced in the same manner as the conductive particles 2 except that the insulator particles 4 were used instead of the insulator particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(導電粒子14)
絶縁性子粒子1の代わりに絶縁性子粒子5を用いたこと以外は、導電粒子2と同様の方法で導電粒子14を作製した。絶縁性子粒子の被覆率は30面積%であった。
(Conductive particles 14)
Conductive particles 14 were produced in the same manner as the conductive particles 2 except that the insulator particles 5 were used instead of the insulator particles 1. The coverage of the insulator particles was 30 area%.

(実施例1)
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド社製商品名、PKHC)100gと、アクリルゴム(ブチルアクリレート40部、エチルアクリレート30部、アクリロニトリル30部、及びグリシジルメタクリレート3部の共重合体、分子量:85万)75gを酢酸エチルとトルエンを重量比で1:1に混合した溶媒300gに溶解し、30質量%溶液を得た。次いで、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ(エボキシ当量185、旭化成エポキシ株式会社製、ノバキュアHX−3941)300gと液状エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ株式会社製、YL980)400gを上記溶液に加え、撹拌することにより、接着剤溶液1を作製した。
Example 1
100 g of phenoxy resin (trade name, PKHC, manufactured by Union Carbide) and 75 g of acrylic rubber (copolymer of 40 parts of butyl acrylate, 30 parts of ethyl acrylate, 30 parts of acrylonitrile, and 3 parts of glycidyl methacrylate, molecular weight: 850,000) Ethyl and toluene were dissolved in 300 g of a solvent mixed at a weight ratio of 1: 1 to obtain a 30% by mass solution. Next, 300 g of liquid epoxy (Eboxy equivalent 185, manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd., NovaCure HX-3941) containing microcapsule-type latent curing agent and 400 g of liquid epoxy resin (YL980 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) are added to the above solution. In addition to the above, the adhesive solution 1 was prepared by stirring.

次に、接着剤固形分に対しシリカ固形分が5質量%となるように粒子径14nmシリカ(R202、日本アエロジル社製)を溶剤分散したシリカスラリーを接着剤溶液1に加えた。   Next, a silica slurry in which silica having a particle size of 14 nm (R202, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) was dispersed in a solvent so that the silica solid content was 5% by mass with respect to the adhesive solid content was added to the adhesive solution 1.

導電粒子1を、酢酸エチルとトルエンを質量比で1:1に混合した溶媒10g中に超音波分散した。超音波分散は、38kHz、400W、20L(試験装置:US107藤本科学商品名)の超音波槽にて1分間行った。   The conductive particles 1 were ultrasonically dispersed in 10 g of a solvent in which ethyl acetate and toluene were mixed at a mass ratio of 1: 1. Ultrasonic dispersion was performed for 1 minute in an ultrasonic bath of 38 kHz, 400 W, 20 L (test apparatus: US 107 Fujimoto Kagaku brand name).

上記分散液を接着剤溶液1に分散し、接着剤溶液2を作製した。この接着剤溶液2をセパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフイルム、厚み40μm)にロールコータで塗布し、90℃、10分乾燥し、厚さ10μmの異方性導電接着剤フィルムAを作製した。この異方性導電接着剤フィルムは単位面積あたり10万個/mmの粒子を含有していた。 The dispersion was dispersed in the adhesive solution 1 to prepare an adhesive solution 2. This adhesive solution 2 was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) with a roll coater and dried at 90 ° C. for 10 minutes to produce an anisotropic conductive adhesive film A having a thickness of 10 μm. This anisotropic conductive adhesive film contained 100,000 particles / mm 2 per unit area.

また、接着剤溶液1をセパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフイルム、厚み40μm)にロールコータで塗布し、90℃、10分乾燥し、厚さ3μmの異方性導電接着剤フィルムBを作製した。   Also, the adhesive solution 1 was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) with a roll coater and dried at 90 ° C. for 10 minutes to prepare an anisotropic conductive adhesive film B having a thickness of 3 μm.

さらに、接着剤溶液1をセパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフイルム、厚み40μm)にロールコータで塗布し、90℃、10分乾燥し、厚さ10μmの異方性導電接着剤フィルムCを作製した。   Further, the adhesive solution 1 was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) with a roll coater, and dried at 90 ° C. for 10 minutes to prepare an anisotropic conductive adhesive film C having a thickness of 10 μm.

次に、異方性導電接着剤フィルムB、異方性導電接着剤フィルムA、及び異方性導電接着剤フィルムCを、この順番にラミネートし、3層からなる異方性導電接着剤フィルムDを作製した。   Next, the anisotropic conductive adhesive film B, the anisotropic conductive adhesive film A, and the anisotropic conductive adhesive film C are laminated in this order, and the anisotropic conductive adhesive film D having three layers is laminated. Was made.

次に、作製した異方性導電接着剤フィルムDを用いて、金バンプ(面積:30×90μm、スペース8μm、高さ:15μm、バンブ数362)付きチップ(1.7×1.7mm、厚み:0.5μm)と回路付きガラス基板(厚み:0.7mm)の接続を、以下に示すように行った。   Next, using the produced anisotropic conductive adhesive film D, a chip (1.7 × 1.7 mm, thickness) with gold bumps (area: 30 × 90 μm, space 8 μm, height: 15 μm, bump number 362) is used. : 0.5 μm) and a glass substrate with a circuit (thickness: 0.7 mm) were connected as shown below.

異方性導電接着剤フィルムDを回路付きガラス基板に80℃、0.98MPa(10kgf/cm)で貼り付けた後、セパレータを剥離し、金バンプ付きチップのバンプと回路付きガラス基板の回路電極との位置合わせを行った。次いで、190℃、40g/バンプ、及び10秒の条件でチップ上方から加熱、及び加圧を行い、本接続を行った。評価結果を表1に示す。 After the anisotropic conductive adhesive film D was attached to a glass substrate with a circuit at 80 ° C. and 0.98 MPa (10 kgf / cm 2 ), the separator was peeled off, and the bump of the chip with the gold bump and the circuit of the glass substrate with the circuit The alignment with the electrode was performed. Next, the main connection was performed by heating and pressing from above the chip under the conditions of 190 ° C., 40 g / bump, and 10 seconds. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例2)
導電粒子1の代わりに導電粒子2を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 2)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 2 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例3)
導電粒子1の代わりに導電粒子3を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 3)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 3 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例7)
導電粒子1の代わりに導電粒子4を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 7)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 4 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例8)
導電粒子1の代わりに導電粒子5を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 8)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 5 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例3)
導電粒子1の代わりに導電粒子6を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 3)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 6 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例4)
導電粒子1の代わりに導電粒子7を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 4)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 7 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例5)
導電粒子1の代わりに導電粒子8を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 5)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 8 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例4)
導電粒子1の代わりに導電粒子9を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
Example 4
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 9 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例5)
導電粒子1の代わりに導電粒子10を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 5)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 10 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例9)
導電粒子1の代わりに導電粒子11を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
Example 9
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 11 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例6)
導電粒子1の代わりに導電粒子12を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 6)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 12 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(実施例10)
導電粒子1の代わりに導電粒子13を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Example 10)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 13 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(比較例8)
導電粒子1の代わりに導電粒子14を用いた以外は、実施例1と同様の方法で接続構造体を作製した。評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 8)
A connection structure was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles 14 were used instead of the conductive particles 1. The evaluation results are shown in Table 1.

(絶縁抵抗試験及び導通抵抗試験)
実施例1〜10及び比較例3〜5及び8で作製した接続構造体に対し、絶縁抵抗試験及び導通抵抗試験を行った。異方性導電接着フィルムは非加圧方向のチップ電極(バンプ)間の絶縁抵抗が高く、加圧方向のチップ電極/ガラス電極間の導通抵抗が低いことが重要である。絶縁抵抗試験では、20サンプルのチップ電極間の絶縁抵抗値を測定し、各サンプルの最小値の平均値を算出した。また、絶縁抵抗値>10(Ω)を良品とした場合の歩留まりを算出した。
(Insulation resistance test and conduction resistance test)
An insulation resistance test and a conduction resistance test were performed on the connection structures manufactured in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 3 to 5 and 8. It is important that the anisotropic conductive adhesive film has a high insulation resistance between the chip electrodes (bumps) in the non-pressing direction and a low conduction resistance between the chip electrode / glass electrode in the pressing direction. In the insulation resistance test, the insulation resistance value between 20 samples of chip electrodes was measured, and the average value of the minimum values of each sample was calculated. Further, the yield was calculated when the insulation resistance value> 10 9 (Ω) was regarded as a good product.

さらに、14サンプルのチップ電極/ガラス電極間の導通抵抗値を測定し、その平均値を算出した。導通抵抗値の測定は、初期と吸湿耐熱試験(温度85℃、湿度85%の条件で500時間放置)後において行った。   Furthermore, the conduction resistance value between the chip electrode / glass electrode of 14 samples was measured, and the average value was calculated. The measurement of the conduction resistance value was performed at the initial stage and after the moisture absorption heat resistance test (left for 500 hours under conditions of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%).

(突起被覆率)
母粒子のSEM像を100枚準備し、像の中心部分(プラスチック核体の半径を直径とする円内)に存在する突起が占める面積を、突起の谷の輪郭を画像解析することにより測定し、上記中心部分全体の面積に対する突起部分が占める面積として、突起部分の被覆率を算出した。
(Protrusion coverage)
Prepare 100 SEM images of the mother particles, and measure the area occupied by the protrusions in the center of the image (in the circle whose diameter is the radius of the plastic core) by analyzing the outline of the valleys of the protrusions. The coverage of the protruding portion was calculated as the area occupied by the protruding portion relative to the total area of the central portion.

(絶縁性子粒子の被覆ばらつき(C.V.))
導電粒子のSEM像を100枚準備し、像の中心部分(プラスチック核体の半径を直径とする円内)に存在する絶縁性子粒子が占める面積を、絶縁性子粒子の輪郭を画像解析することにより測定し、絶縁性子粒子の被覆ばらつきを算出した。
(Coating variation of insulator particles (CV))
By preparing 100 SEM images of conductive particles and analyzing the contour of the insulator particles for the area occupied by the insulator particles existing in the center of the image (in the circle whose diameter is the radius of the plastic core) Measurement was performed to calculate the coating variation of the insulator particles.

絶縁抵抗及び吸湿耐熱試験後の導通抵抗について得られた評価結果が、回路基板の接続構造体に求められる特性を満足するか否かを下記指標により判断した。
AA:十分に満足する
A:満足する
B:満足するが相対的にAより劣る
C:使用不可能
Whether the evaluation results obtained for the insulation resistance and the conduction resistance after the moisture absorption heat test satisfy the characteristics required for the connection structure of the circuit board was determined by the following index.
AA: Satisfactory enough A: Satisfied B: Satisfied but relatively inferior to A C: Unusable

実施例1は芯材にシリカを用いた例である。めっきの含リン率が高く、突起芯材が非磁性体であるため、母粒子の飽和磁化は低い値を示した。したがって、絶縁性子粒子被覆時に母粒子が凝集しにくく、絶縁性子粒子の被覆ばらつき(C.V.)が小さいため、絶縁性が特に良好であった。実施例2、3、7及び8は突起の芯材にニッケルを用いた例である。したがって、母粒子の飽和磁化は実施例1と比べて高い値を示した。母粒子の粒子径が小さくなるほど、磁性の影響で凝集が起こりやすい傾向にあり、その結果、被覆ばらつき(C.V.)が大きくなり、絶縁性が低下した。母粒子の粒子径が2μmを下回ると、磁性凝集が起こりやすく、絶縁抵抗値が低かった。また、母粒子の粒子径が小さいため導通性も低かった(比較例3)。   Example 1 is an example in which silica is used for the core material. Since the phosphorus content of the plating was high and the protruding core material was a non-magnetic material, the saturation magnetization of the mother particles showed a low value. Therefore, since the mother particles are less likely to aggregate when the insulator particles are coated, and the coating variation (CV) of the insulator particles is small, the insulation properties are particularly good. Examples 2, 3, 7 and 8 are examples in which nickel is used for the core material of the protrusion. Therefore, the saturation magnetization of the mother particles was higher than that in Example 1. As the particle diameter of the mother particle becomes smaller, aggregation tends to occur due to the influence of magnetism, and as a result, the coating variation (CV) increases and the insulating property decreases. When the particle diameter of the mother particles was less than 2 μm, magnetic aggregation was likely to occur and the insulation resistance value was low. Moreover, since the particle diameter of the mother particles was small, the conductivity was low (Comparative Example 3).

母粒子の粒子径が3μmを上回ると絶縁性が大きく低下した(比較例4)。また、母粒子の飽和磁化が45emu/cmを上回る場合(比較例5)、磁性凝集が起こりやすく、絶縁抵抗が低下した。この現象は、母粒子の粒子径が3μm以下の場合に特に生じる傾向がある。また、突起の被覆率が低い場合(実施例4、5)、母粒子の飽和磁化が小さくなり、優れた絶縁性を有していた。絶縁性子粒子の粒子径が200nmを下回ると(実施例9)、絶縁性が低下した。また、絶縁性子粒子の粒子径が500nmに近づくと(実施例10)、絶縁性及び導通性が低下する傾向があり、絶縁性子粒子の粒子径が500nmを超えると(比較例8)、接続構造体としての使用ができなかった。 When the particle diameter of the mother particles exceeded 3 μm, the insulating properties were greatly reduced (Comparative Example 4). Further, when the saturation magnetization of the mother particles exceeded 45 emu / cm 3 (Comparative Example 5), magnetic aggregation was likely to occur and the insulation resistance was reduced. This phenomenon tends to occur particularly when the particle diameter of the mother particles is 3 μm or less. In addition, when the coverage of the protrusions was low (Examples 4 and 5), the saturation magnetization of the mother particles was small, and excellent insulation was obtained. When the particle diameter of the insulator particles was less than 200 nm (Example 9), the insulation was lowered. Further, when the particle diameter of the insulator particles approaches 500 nm (Example 10), the insulation and conductivity tend to decrease. When the particle diameter of the insulator particles exceeds 500 nm (Comparative Example 8), the connection structure Could not be used as a body.

Figure 0006079425
Figure 0006079425

1・・・絶縁性子粒子、2・・・母粒子、3・・・絶縁被覆層、21・・・プラスチック核体、22・・・めっき層、23・・・芯材、23a・・・突起、30・・・導電粒子、31・・・接着剤、32・・・導電粒子含有層、33,34・・・導電粒子非含有層、35・・・無機酸化物粒子、40・・・異方性導電接着剤、40a・・・回路接続部材、41・・・第一の回路基板(ICチップ)、42・・・第一の回路電極(金属バンプ)、43・・・第二の回路基板(ガラス基板)、44・・・第二の回路電極(ITO又はIZO電極)、50・・・接続構造体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulator child particle, 2 ... Mother particle, 3 ... Insulation coating layer, 21 ... Plastic core, 22 ... Plating layer, 23 ... Core material, 23a ... Projection , 30 ... conductive particles, 31 ... adhesive, 32 ... conductive particle containing layer, 33, 34 ... conductive particle non-containing layer, 35 ... inorganic oxide particles, 40 ... different Isotropic conductive adhesive, 40a ... circuit connection member, 41 ... first circuit board (IC chip), 42 ... first circuit electrode (metal bump), 43 ... second circuit Substrate (glass substrate), 44... Second circuit electrode (ITO or IZO electrode), 50... Connection structure.

Claims (10)

プラスチック核体、及び該プラスチック核体の表面を被覆し少なくともニッケル/リン合金層を有するめっき層を有する母粒子と、
該母粒子の表面を被覆する絶縁性子粒子と、を備える導電粒子であって、
前記母粒子の粒子径は、2.0μm以上3.0μm以下であり、
前記母粒子の飽和磁化は、45emu/cm以下であり、
前記絶縁性子粒子の粒子径は、180nm以上500nm以下である、導電粒子。
Mother particles having a plastic core and a plating layer covering the surface of the plastic core and having at least a nickel / phosphorus alloy layer;
Insulating particles covering the surface of the mother particles, and conductive particles comprising:
The mother particle has a particle size of 2.0 μm or more and 3.0 μm or less,
The saturation magnetization of the mother particle is 45 emu / cm 3 or less,
Conductive particles having a particle size of the insulator particles of 180 nm or more and 500 nm or less.
前記母粒子は表面に突起を有し、
該突起の高さは前記絶縁性子粒子の粒子径よりも小さい、請求項1に記載の導電粒子。
The mother particles have protrusions on the surface;
The conductive particle according to claim 1, wherein a height of the protrusion is smaller than a particle diameter of the insulator particle.
前記母粒子は表面に突起を有し、
該突起は、芯材を付着させた前記プラスチック核体の表面が前記めっき層で被覆されることにより形成され、
前記芯材は非磁性体である、請求項1又は2に記載の導電粒子。
The mother particles have protrusions on the surface;
The protrusion is formed by covering the surface of the plastic core with the core material attached thereto with the plating layer,
The conductive particle according to claim 1, wherein the core material is a non-magnetic material.
前記ニッケル/リン合金層のリン含有率は、1.0質量%以上10.0質量%以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電粒子。   The electroconductive particle as described in any one of Claims 1-3 whose phosphorus content rate of the said nickel / phosphorus alloy layer is 1.0 mass% or more and 10.0 mass% or less. 前記絶縁性子粒子の被覆率は20〜50%であり、
前記絶縁性子粒子の被覆ばらつきC.V.は0.3以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の導電粒子。
The coverage of the insulator particles is 20 to 50%,
C. Variation in coating of the insulator particles V. The electroconductive particle according to any one of claims 1 to 4, which is 0.3 or less.
前記絶縁性子粒子は、重量平均分子量が1000以上であるポリマー又はオリゴマーからなる層を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の導電粒子。   The conductive particles according to any one of claims 1 to 5, wherein the insulator particles have a layer made of a polymer or oligomer having a weight average molecular weight of 1000 or more. 前記母粒子は、重量平均分子量が1000以上のポリマー又はオリゴマーからなる層をさらに有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の導電粒子。   The conductive particles according to any one of claims 1 to 6, wherein the mother particle further has a layer made of a polymer or oligomer having a weight average molecular weight of 1000 or more. 前記絶縁性子粒子の粒子径は、200nm以上400nm以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の導電粒子。   The conductive particles according to any one of claims 1 to 7, wherein a particle diameter of the insulator particles is 200 nm or more and 400 nm or less. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の導電粒子を接着剤中に分散させた、異方性導電接着剤フィルム。   An anisotropic conductive adhesive film in which the conductive particles according to claim 1 are dispersed in an adhesive. 第一の回路基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、
第二の回路基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、
前記第一の回路基板の主面と前記第二の回路基板の主面との間に設けられ、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とを対向配置させた状態で前記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備える回路部材の接続構造体であって、
前記回路接続部材は、請求項9に記載の異方性導電接着剤フィルムの硬化物からなり、
対向する前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが扁平した導電粒子を介して電気的に接続されている、回路部材の接続構造体。
A first circuit member having a first circuit electrode formed on the main surface of the first circuit board;
A second circuit member having a second circuit electrode formed on the main surface of the second circuit board;
The first circuit board is provided between the main surface of the first circuit board and the main surface of the second circuit board, and the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other. And a circuit connecting member for connecting the second circuit members,
A circuit member connection structure comprising:
The circuit connection member comprises a cured product of the anisotropic conductive adhesive film according to claim 9,
A connection structure for circuit members, wherein the first circuit electrode and the second circuit electrode facing each other are electrically connected via flat conductive particles.
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