KR102410173B1 - Conductive paste, production method for conductive paste, connection structure, and production method for connection structure - Google Patents

Conductive paste, production method for conductive paste, connection structure, and production method for connection structure Download PDF

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Abstract

도포 시공성을 높일 수 있고, 또한 도전성 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있고, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 페이스트를 제공한다. 본 발명에 따른 도전 페이스트는, 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 포함하며, 상기 열경화성 성분이, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하고, 도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있다. The electrically conductive paste which can improve coating property, can arrange|position electroconductive particle efficiently on an electrode, and can improve the conduction|electrical_connection reliability between electrodes is provided. The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of conductive particles, wherein the thermosetting component contains a thermosetting compound solid at 25° C. and a thermosetting agent, and in the conductive paste, a thermosetting compound solid at 25° C. It is dispersed in this particulate form.

Description

도전 페이스트, 도전 페이스트의 제조 방법, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법{CONDUCTIVE PASTE, PRODUCTION METHOD FOR CONDUCTIVE PASTE, CONNECTION STRUCTURE, AND PRODUCTION METHOD FOR CONNECTION STRUCTURE}An electrically conductive paste, the manufacturing method of an electrically conductive paste, a bonded structure, and the manufacturing method of a bonded structure TECHNICAL FIELD

본 발명은 도전성 입자를 포함하는 도전 페이스트 및 도전 페이스트의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of the electrically conductive paste containing electroconductive particle, and an electrically conductive paste. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the bonded structure and bonded structure using the said electrically conductive paste.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic electrically-conductive materials, such as an anisotropic electrically-conductive paste and an anisotropic electrically-conductive film, are known widely. In the said anisotropic electrically-conductive material, electroconductive particle is disperse|distributed in binder resin.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The said anisotropic electrically-conductive material, in order to obtain various bonded structures, for example, connection of a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a semiconductor chip and a flexible printed circuit board connection (COF (Chip on Film)), It is used for the connection of a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and the connection (FOB (Film on Board)) of a flexible printed circuit board and a glass epoxy board|substrate.

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 에폭시 기판 상에 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하여, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜서, 도전성 입자를 개재시켜 전극간을 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When electrically connecting the electrode of a flexible printed circuit board and the electrode of a glass epoxy board|substrate with the said anisotropic electrically-conductive material, the anisotropic electrically-conductive material containing electroconductive particle is arrange|positioned on a glass epoxy board|substrate. Next, a flexible printed circuit board is laminated|stacked, and it heats and pressurizes. Thereby, an anisotropic electrically-conductive material is hardened, between electrodes is electrically connected through electroconductive particle, and bonded structure is obtained.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기 특허문헌 1에는, 열경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납분과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납분과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상이 아니다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below discloses an adhesive tape comprising a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, wherein the solder powder and the curing agent are present in the resin layer. This adhesive tape is in the form of a film and is not in the form of a paste.

또한, 특허문헌 1에서는, 상기 접착 테이프를 사용한 접착 방법이 개시되어 있다. 구체적으로는, 제1 기판, 접착 테이프, 제2 기판, 접착 테이프 및 제3 기판을 아래에서부터 이 순서로 적층하여, 적층체를 얻는다. 이때, 제1 기판의 표면에 설치된 제1 전극과, 제2 기판의 표면에 설치된 제2 전극을 대향시킨다. 또한, 제2 기판의 표면에 설치된 제2 전극과 제3 기판의 표면에 설치된 제3 전극을 대향시킨다. 그리고, 적층체를 소정의 온도로 가열해서 접착한다. 이에 의해, 접속 구조체를 얻는다.Moreover, in patent document 1, the adhesion method using the said adhesive tape is disclosed. Specifically, a 1st board|substrate, an adhesive tape, a 2nd board|substrate, an adhesive tape, and a 3rd board|substrate are laminated|stacked in this order from below, and a laminated body is obtained. At this time, the first electrode provided on the surface of the first substrate and the second electrode provided on the surface of the second substrate are opposed to each other. Further, the second electrode provided on the surface of the second substrate and the third electrode provided on the surface of the third substrate face each other. Then, the laminate is heated to a predetermined temperature and adhered. Thereby, a bonded structure is obtained.

또한, 하기 특허문헌 2에는, (A) 소수화 처리가 실시되어 있는 평균 입경 3 내지 100㎚의 실리카 필러와, (B) 접착제 성분과, (C) 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료가 개시되어 있다. 특허문헌 2에서는, 상기 실리카 필러의 양이, 상기 접착제 성분의 총량에 대해 10 내지 60질량%이다.In addition, the following Patent Document 2 discloses an anisotropic conductive material comprising (A) a silica filler having an average particle diameter of 3 to 100 nm subjected to hydrophobic treatment, (B) an adhesive component, and (C) conductive particles. . In patent document 2, the quantity of the said silica filler is 10-60 mass % with respect to the total amount of the said adhesive agent component.

하기 특허문헌 3에는, (1) 1 분자 중에 에폭시기를 평균 1.2개 이상 갖는 에폭시 수지, (2) 0℃ 이하의 연화점 온도를 갖고, 1차 입자 직경이 5㎛ 이하인 고무상 중합체 미립자, (3) 열활성의 잠재성 에폭시 경화제 및 (4) 50℃ 이상의 연화점 온도를 갖고, 1차 입자 직경이 2㎛ 이하인 고연화점 중합체 미립자를 포함하는 이방성 도전 재료가 개시되어 있다.In Patent Document 3 below, (1) an epoxy resin having an average of 1.2 or more epoxy groups in one molecule, (2) rubber-like polymer particles having a softening point temperature of 0° C. or less and a primary particle diameter of 5 μm or less, (3) An anisotropic conductive material comprising a thermally active latent epoxy curing agent and (4) high softening point polymer fine particles having a softening point temperature of 50° C. or higher and a primary particle diameter of 2 μm or less is disclosed.

WO2008/023452A1WO2008/023452A1 일본 특허 공개 제2011-233633호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-233633 일본 특허 공개 제2000-345010호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2000-345010

특허문헌 1에 기재된 접착 테이프는, 필름상이며, 페이스트상이 아니다. 이로 인해, 땜납분을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 접착 테이프에서는, 땜납분의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에도 배치되기 쉽다. 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치된 땜납분은, 전극간의 도통에 기여하지 않는다.The adhesive tape of patent document 1 is a film form, and is not paste form. For this reason, it is difficult to efficiently arrange the solder powder on the electrode (line). For example, in the adhesive tape of patent document 1, a part of solder powder is easy to arrange|position also in the area|region (space) in which an electrode is not formed. The solder powder disposed in the region where no electrodes are formed does not contribute to conduction between the electrodes.

또한, 땜납분을 포함하는 이방성 도전 페이스트에서도, 땜납분이 전극(라인) 상에 효율적으로 배치되어 있지 않은 경우가 있다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 이방성 도전 재료에서는, 스크린 인쇄 등에 의해 도포 시공할 때에 도포 시공성이 낮은 경우가 있다.Also, even in the anisotropic conductive paste containing solder powder, the solder powder may not be efficiently disposed on the electrode (line). Moreover, in the anisotropic electrically-conductive material as described in patent document 2, when coating by screen printing etc., the coatability may be low.

또한, 땜납분을 포함하는 이방성 도전 페이스트의 점도를 낮게 하면, 땜납분이 전극(라인) 상으로 이동하기 쉬워진다. 그러나, 이방성 도전 페이스트의 점도를 낮게 하면, 도포 시공 후의 이방성 도전 페이스트층의 두께가 얇아지거나, 또한 이방성 도전 페이스트가 과도하게 유동하여, 의도치 않은 영역에 배치되거나 하기 쉬워진다.In addition, when the viscosity of the anisotropic conductive paste containing solder powder is made low, the solder powder tends to move onto the electrode (line). However, when the viscosity of the anisotropic electrically conductive paste is lowered, the thickness of the anisotropic electrically conductive paste layer after coating becomes thin, or the anisotropic electrically conductive paste flows excessively, which tends to be arranged in an unintended area.

또한, 특허문헌 3에서는, 상기 (1) 에폭시 수지로서, (1-1) 0 내지 50℃의 온도 범위에서 액체의 에폭시 수지와, (1-2) 0 내지 50℃의 온도 범위에서 고형의 에폭시 수지의 혼합물을 사용하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 3에서는, 예를 들어 실시예에 있어서, 비스페놀 A형 에폭시 수지인 「에피클론 EP-1004」를 1,6-헥산디올디글리시딜에테르로 용해시키고 있는 바와 같이, 이방성 도전 페이스트 중에 있어서, 고형의 에폭시 수지가 용해하고 있는 구체예가 나타나 있는 것에 지나지 않는다. 이와 같이, 단독으로는 25℃에서 고형의 에폭시 수지라도, 이방성 도전 페이스트 중에서는, 에폭시 수지는 고형의 상태로는 한정하지 않고, 에폭시 수지는 용해한 상태에서 사용되는 것이 일반적이다.Further, in Patent Document 3, as the above (1) epoxy resin, (1-1) a liquid epoxy resin in a temperature range of 0 to 50° C., and (1-2) a solid epoxy resin in a temperature range of 0 to 50° C. The use of mixtures of resins is described. However, in Patent Document 3, for example, in the Examples, "Epiclon EP-1004", which is a bisphenol A type epoxy resin, is dissolved with 1,6-hexanediol diglycidyl ether, so that the anisotropic conductive paste is used. In the inside, only the specific example in which the solid epoxy resin is melt|dissolving is shown. As described above, even if it is a solid epoxy resin at 25°C alone, in the anisotropic conductive paste, the epoxy resin is not limited to a solid state, and the epoxy resin is generally used in a dissolved state.

본 발명의 목적은, 도포 시공성을 높일 수 있고, 또한 도전성 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있는 도전 페이스트 및 도전 페이스트의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 도전 페이스트를 사용한 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.The objective of this invention is providing the electrically conductive paste which can improve coating property, and can arrange|position electroconductive particle efficiently on an electrode, and can improve the conduction|electrical_connection reliability between electrodes, and the manufacturing method of an electrically conductive paste. Moreover, this invention provides the manufacturing method of the bonded structure and bonded structure using the said electrically conductive paste.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 포함하며, 상기 열경화성 성분이, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과, 열경화제를 함유하고, 도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a thermosetting component and a plurality of conductive particles are included, wherein the thermosetting component contains a thermosetting compound that is solid at 25°C, and a thermosetting agent, and in a conductive paste, a thermosetting substance that is solid at 25°C A conductive paste in which a compound is dispersed in a particulate form is provided.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는, 25℃에서 액상인 열경화성 화합물을 함유한다.On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the said electrically conductive paste contains the thermosetting compound which is liquid at 25 degreeC.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이, 25℃에서 고형인 열경화성 에폭시 화합물이다.On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the said thermosetting compound solid at 25 degreeC is a solid thermosetting epoxy compound at 25 degreeC.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이, 25℃에서 고형인 제1 열경화성 화합물과, 상기 제1 열경화성 화합물과는 다른 융점을 갖고 또한 25℃에서 고형인 제2 열경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the thermosetting compound solid at 25°C has a melting point different from that of the first thermosetting compound solid at 25°C and the first thermosetting compound, and is solid at 25°C and a second thermosetting compound.

상기 도전성 입자가 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 것이 바람직하고, 땜납 입자인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the said electroconductive particle has a solder on an electroconductive outer surface, and it is more preferable that it is a solder particle.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-5℃ 및 0.5rpm에서의 점도의, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-5℃ 및 5rpm에서의 점도에 대한 비가 1 이상 2 이하이다.In the specific situation of the electrically conductive paste which concerns on this invention, melting|fusing point of the solder in the said electroconductive particle at -5 degreeC and the viscosity in 0.5 rpm, melting|fusing point of the solder in the said electroconductive particle at -5 degreeC, and the viscosity at 5 rpm The ratio to is 1 or more and 2 or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 입자상인 상기 열경화성 화합물의 입자 직경이 1㎛ 이상 40㎛ 이하이다.On the specific situation with the electrically conductive paste which concerns on this invention, the particle diameter of the said thermosetting compound which is particulate form is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 25℃ 및 0.5rpm에서의 점도의, 25℃ 및 5rpm에서의 점도에 대한 비가 2.5 이상 7 이하이고, 다른 특정한 국면에서는, 25℃ 및 0.5rpm에서의 점도의, 25℃ 및 5rpm에서의 점도에 대한 비가 4 이상 7 이하이다.In a specific situation of the conductive paste according to the present invention, the ratio of the viscosity at 25°C and 0.5 rpm to the viscosity at 25°C and 5 rpm is 2.5 or more and 7 or less, and in another specific situation, the viscosity at 25°C and 0.5 rpm The ratio of the viscosity to the viscosity at 25° C. and 5 rpm is 4 or more and 7 or less.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함한다.In certain specific aspects of the conductive paste according to the present invention, the conductive paste includes a flux.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 페이스트는 필러를 포함하지 않거나, 또는 도전 페이스트 100중량% 중 필러를 1중량% 이하의 양으로 포함한다.In a specific aspect of the conductive paste according to the present invention, the conductive paste does not contain a filler or contains a filler in an amount of 1% by weight or less in 100% by weight of the conductive paste.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 상술한 도전 페이스트의 제조 방법이며, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하는 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 혼합해서 혼합물을 얻고, 다음에 상기 혼합물을, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 미만으로 가열하여, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 용융시킨 후에 고화시킴으로써, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트를 얻거나, 또는 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 입자상으로 한 후에, 입자상이고 또한 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하는 열경화성 성분과, 복수의 도전성 입자를 포함하는 혼합물이고, 또한 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트를 얻는, 도전 페이스트의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a method for producing the conductive paste described above, wherein a mixture is obtained by mixing a thermosetting compound solid at 25° C., a thermosetting component containing a thermosetting agent, and a plurality of conductive particles, and then the mixture, By heating at or above the melting point of the solid thermosetting compound at 25° C. and below the curing temperature of the thermosetting component, the solid thermosetting compound at 25° C. is melted and then solidified. A mixture containing a thermosetting component containing a particulate and solid thermosetting compound and a thermosetting agent, and a plurality of conductive particles after obtaining a conductive paste or a thermosetting compound solid at 25° C. Also, there is provided a method for producing an electrically conductive paste to obtain an electrically conductive paste in which a solid thermosetting compound is dispersed in a particulate form at 25°C.

본 발명의 넓은 국면에서는, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부가, 상술한 도전 페이스트에 의해 형성되어 있고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는 접속 구조체가 제공된다.In a broad aspect of the present invention, a first connection object member having at least one first electrode on its surface, a second connection object member having at least one second electrode on its surface, the first connection object member and the first connection object member A connection portion for connecting two connection object members is provided, wherein the connection portion is formed of the conductive paste described above, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles in the connection portion, A connection structure is provided.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 상술한 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과, 상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 상기 접속부 중의 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, a step of disposing the conductive paste on the surface of a first connection object member having at least one first electrode on the surface using the conductive paste described above; a step of arranging a second connection object member having at least one second electrode on the surface on a surface opposite to the first connection object member side so that the first electrode and the second electrode face each other; By heating the conductive paste above the melting point of the solid thermosetting compound at °C and above the curing temperature of the thermosetting component, a connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member is formed by the conductive paste And further, the manufacturing method of a bonded structure provided with the process of electrically connecting the said 1st electrode and the said 2nd electrode with the said electroconductive particle in the said connection part is provided.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해진다.In the specific situation of the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, in the process of arranging the said 2nd connection object member, and the process of forming the said connection part, pressurization is not performed, but the said 2nd connection object member is applied to the said electrically conductive paste. weight is applied

상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다.It is preferable that the said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate.

본 발명에 따른 도전 페이스트는, 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 포함하며, 상기 열경화성 성분이, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하고, 또한 본 발명에 따른 도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있으므로, 도전 페이스트의 도포 시공성을 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 도전 페이스트를 사용해서 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 도전성 입자를 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있어, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.The conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of conductive particles, wherein the thermosetting component contains a thermosetting compound and a thermosetting agent that are solid at 25° C., and in the conductive paste according to the present invention, the 25° C. Since the solid thermosetting compound is dispersed in particulate form, the coating property of the conductive paste can be improved. Moreover, when between electrodes is electrically connected using the electrically conductive paste which concerns on this invention, electroconductive particle can be efficiently arrange|positioned on an electrode, and the conduction|electrical_connection reliability between electrodes can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용해서 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 접속 구조체의 변형예를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트에 사용 가능한 도전성 입자를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도전성 입자의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 6은 도전성 입자의 다른 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트에 있어서, 입자상으로 분산된 열경화성 화합물을 나타내는 화상이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a partially cut-out front cross-sectional view which shows typically the bonded structure obtained using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention.
2(a) - (c) are sectional views for demonstrating each process of an example of the method of manufacturing a bonded structure using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention.
Fig. 3 is a partially cut-out front cross-sectional view showing a modified example of a bonded structure.
It is sectional drawing which shows typically the electroconductive particle which can be used for the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows the modified example of electroconductive particle.
It is sectional drawing which shows the other modified example of electroconductive particle.
Fig. 7 is an image showing a thermosetting compound dispersed in a particulate form in a conductive paste according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the detail of this invention is demonstrated.

본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 포함한다. 본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 상기 열경화성 성분이, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유한다. 본 발명에 따른 도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은 입자상으로 분산되어 있다.In the electrically conductive paste which concerns on this invention, a thermosetting component and some electroconductive particle are included. In the electrically conductive paste which concerns on this invention, the said thermosetting component contains the thermosetting compound and thermosetting agent which are solid at 25 degreeC. In the conductive paste according to the present invention, the thermosetting compound solid at 25° C. is dispersed in the form of particles.

본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 상기 구성이 채용되어 있으므로, 도포 시공성을 높일 수 있다. 본 발명에 따른 도전 페이스트는, 디스펜서 및 스크린 인쇄 등의 도포 시공 방법에 의해, 양호하게 도포 시공 가능하다. 이방성 도전 페이스트의 점도를 낮게 하면, 도전성 입자가 전극(라인) 상에 이동하기 쉬워진다. 도전 페이스트 중에서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 것은, 도포 시공성을 높이는 것에 크게 기여한다. 예를 들어, 도전 페이스트의 점도가 적절하게 높아지고, 또한 도전 페이스트의 요변성이 적절하게 발현하여, 도포 시공 후의 도전 페이스트층의 두께가 얇아지기 어렵고, 또한 도전 페이스트가, 과도하게 유동하기 어려워져서, 의도치 않은 영역에 배치되기 어려워진다. 한편으로, 도전 페이스트의 점도를 높게 하기 위해서, 필러를 소정량으로 배합하면, 필러는, 도전성 입자의 전극 상으로의 이동을 방해한다. 이에 비해, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은, 필러와 비교하여, 도전성 입자의 전극 상으로의 이동을 방해하기 어렵다. 특히, 도전성 입자의 전극 상으로의 이동 시에, 열경화성 화합물이 액상이 되면, 액상이 된 열경화성 화합물은, 도전성 입자의 전극 상으로의 이동을 방해하지 않는다.In the electrically conductive paste which concerns on this invention, since the said structure is employ|adopted, coating workability can be improved. The electrically conductive paste which concerns on this invention can be coated favorably by coating methods, such as a dispenser and screen printing. When the viscosity of an anisotropic electrically conductive paste is made low, electroconductive particle will become easy to move on an electrode (line). In an electrically conductive paste, that the thermosetting compound solid at 25 degreeC is disperse|distributed in particulate form contributes greatly to improving the coatability. For example, the viscosity of the electrically conductive paste is appropriately increased, and the thixotropic properties of the electrically conductive paste are appropriately expressed. It becomes difficult to be placed in an unintended area. On the other hand, in order to make the viscosity of an electrically conductive paste high, when a filler is mix|blended in a predetermined amount, a filler will prevent the movement to the electrode top of electroconductive particle. On the other hand, the thermosetting compound which is solid at the said 25 degreeC is hard to prevent the movement to the electrode top of electroconductive particle compared with a filler. In particular, when a thermosetting compound becomes liquid at the time of movement to the electrode top of electroconductive particle, the thermosetting compound which became liquid does not prevent the movement to the electrode top of electroconductive particle.

특히, 본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 상기 구성이 채용되어 있으므로, 전극간을 전기적으로 접속한 경우에, 복수의 도전성 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉬워, 복수의 도전성 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 도전성 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되면 안되는 가로 방향에 인접하는 전극간의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다. 이러한 효과가 얻어지는 것은, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은, 필러와 비교하여, 도전성 입자의 전극 상으로의 이동을 방해하기 어렵기 때문이라고 생각된다.In particular, in the electrically conductive paste which concerns on this invention, since the said structure is employ|adopted, when it electrically connects between electrodes, several electroconductive particle is easy to collect between a 1st electrode and a 2nd electrode, and several electroconductive particle is an electrode. It can be arranged efficiently on (line). Moreover, it is hard to arrange|position in the area|region (space) in which a some electroconductive particle is not formed with an electrode, and it can reduce the quantity of electroconductive particle arrange|positioned in the area|region in which an electrode is not formed considerably. Accordingly, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. Moreover, the electrical connection between the electrodes adjacent to the horizontal direction which should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be improved. It is thought that it is because it is difficult for the thermosetting compound solid at said 25 degreeC to prevent the movement to the electrode top of electroconductive particle compared with a filler that such an effect is acquired.

본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 도포 시공성의 향상 효과와, 도전성 입자의 전극 상으로의 효율적인 이동에 의한 달성되는 전극간의 도통 신뢰성의 향상 효과의 양쪽을 양립시켜 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 도전성 입자가 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 경우에, 입자상의 열경화성 화합물의 구성과, 도전 페이스트 중에서 이동하기 쉬운 도전성 입자의 구성이 상승하여, 본 발명의 효과를 보다 한층 효과적으로 발휘시킨다. 또한, 본 발명에 따른 도전 페이스트에서는, 도전성 입자가 땜납 입자인 경우에, 입자상의 열경화성 화합물의 구성과, 도전 페이스트 중에서 특히 이동하기 쉬운 도전성 입자의 구성이 상승(相乘)하여, 본 발명의 효과를 가일층 효과적으로 발휘시킨다.In the electrically conductive paste which concerns on this invention, the improvement effect of coatability and the improvement effect of the conduction|electrical_connection reliability between electrodes achieved by the efficient movement to the electrode top of electroconductive particle can be made compatible and it can be obtained. Moreover, in the electrically conductive paste which concerns on this invention, when electroconductive particle has a solder on an electrically conductive outer surface, the structure of a particulate-form thermosetting compound and the structure of electroconductive particle which are easy to move in an electrically conductive paste rise, The effect of this invention to be more effective. Moreover, in the electrically conductive paste which concerns on this invention, when electroconductive particle is a solder particle, the structure of a particulate-form thermosetting compound and the structure of electroconductive particle which especially easily move in an electrically conductive paste rise, and the effect of this invention more effectively exerted.

본 발명에 따른 도전 페이스트의 제조 방법은, (1) 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하는 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 혼합해서 혼합물을 얻고, 다음에 상기 혼합물을, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 미만으로 가열하여, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 용융시킨 후에 고화시킴으로써, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트를 얻거나, 또는 (2) 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 입자상으로 한 후에, 입자상이고 또한 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하는 열경화성 성분과, 복수의 도전성 입자와의 혼합물이고, 또한 상기 25℃에서 고형인 열경화성 열경화성 에폭시 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트를 얻는다. 이러한 본 발명에 따른 도전 페이스트의 제조 방법에 의해, 본 발명에 따른 도전 페이스트를 용이하게 얻을 수 있다. 상기 (2)의 방법의 경우에, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 입자상으로 할 때 열경화제가 이미 혼합되어 있어도 되고, 필요에 따라서 배합되는 25℃에서 액상인 열경화성 화합물이 이미 혼합되어 있어도 된다. 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 입자상으로 할 때 도전성 입자는 혼합되어 있지 않은 것이 바람직하다.The manufacturing method of the electrically conductive paste which concerns on this invention is (1) mixing the thermosetting component containing a thermosetting compound and a thermosetting agent solid at 25 degreeC, and some electroconductive particle, and obtaining a mixture, Then, the said mixture is said 25 degreeC By heating the solid thermosetting compound above the melting point of the solid thermosetting compound and below the curing temperature of the thermosetting component to melt the solid thermosetting compound at 25 ° C. and then solidify it, the thermosetting compound solid at 25 ° C. Conductivity in which the solid thermosetting compound is dispersed in the form of particles After obtaining a paste or (2) making a thermosetting compound solid at 25 ° C into particulate form, the thermosetting compound which is particulate and solid at 25 ° C and a thermosetting component containing a thermosetting agent, and a mixture of a plurality of conductive particles; Furthermore, the electrically conductive paste in which the thermosetting thermosetting epoxy compound which is solid at the said 25 degreeC is disperse|distributed in particulate form is obtained. According to the manufacturing method of the electrically conductive paste concerning this invention, the electrically conductive paste which concerns on this invention can be obtained easily. In the case of the method (2) above, when the thermosetting compound solid at 25°C is in the form of particles, the thermosetting agent may be already mixed, or the thermosetting compound liquid at 25°C to be blended may already be mixed as needed. When making a solid thermosetting compound at 25 degreeC into particulate form, it is preferable that electroconductive particle is not mixed.

또한, 상기 도전 페이스트에 포함되는 상기 도전성 입자는, 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 것이 바람직하고, 땜납 입자인 것이 보다 바람직하다. 이러한 바람직한 도전성 입자를 사용하면, 도전성 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.Moreover, it is preferable to have a solder on an electroconductive outer surface, and, as for the said electroconductive particle contained in the said electrically conductive paste, it is more preferable that it is a solder particle. If such preferable electroconductive particle is used, electroconductive particle can be arrange|positioned on an electrode still more efficiently.

본 발명에 따른 도전 페이스트는, 이하의 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에 적절하게 사용할 수 있다.The electrically conductive paste which concerns on this invention can be used suitably for the manufacturing method of the following bonded structure which concerns on this invention.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 도전 페이스트와, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재를 사용한다. 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서 사용되는 도전 재료는, 도전 필름이 아니고, 도전 페이스트이다. 상기 도전 페이스트는, 복수의 도전성 입자와, 열경화성 성분을 포함한다. 상기 제1 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는다. 상기 제2 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는다.In the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, an electrically conductive paste, a 1st connection object member, and a 2nd connection object member are used. The electrically-conductive material used with the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention is not an electrically-conductive film, but an electrically-conductive paste. The said electrically conductive paste contains several electroconductive particle and a thermosetting component. The said 1st connection object member has at least 1 1st electrode on the surface. The said 2nd connection object member has at least 1 2nd electrode on the surface.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법은, 상기 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과, 상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 상기 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다.A method for manufacturing a bonded structure according to the present invention includes the steps of disposing the conductive paste on the surface of the first connection object member, the conductive paste on a surface opposite to the first connection object member side; disposing the second connection target member so that the first electrode and the second electrode face each other; and heating the conductive paste above the melting point of the thermosetting compound solid at 25° C. and above the curing temperature of the thermosetting component. By doing so, the connection part which is connecting the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member is formed with the said electrically conductive paste, and the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected with the electroconductive particle in the said connection part. A step of connecting is provided.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, in the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part, the weight of the said 2nd connection object member is applied to the said electrically conductive paste without performing pressurization. It is preferable to lose In the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, in the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part, the said electrically conductive paste is pressurizing pressure exceeding the force of the weight of the said 2nd connection object member. Preferably, no silver is added.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 구성이 채용되어 있으므로, 복수의 도전성 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉬워, 복수의 도전성 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 도전성 입자의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되면 안되는 가로 방향에 인접하는 전극간의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, since the said structure is employ|adopted, a some electroconductive particle is easy to gather between a 1st electrode and a 2nd electrode, and a some electroconductive particle is arrange|positioned on an electrode (line) efficiently can Moreover, it is hard to arrange|position in the area|region (space) in which a some electroconductive particle is not formed with an electrode, and it can reduce the quantity of electroconductive particle arrange|positioned in the area|region in which an electrode is not formed considerably. Accordingly, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. Moreover, the electrical connection between the electrodes adjacent to the horizontal direction which should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be improved.

이와 같이, 복수의 도전성 입자를 전극 상에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용할 필요가 있는 것을, 본 발명자들은 알아내었다.Thus, in order to arrange|position several electroconductive particle efficiently on an electrode, and to reduce the quantity of electroconductive particle arrange|positioned in the area|region where an electrode is not formed considerably, it is necessary to use the electrically conductive paste instead of an electrically conductive film , we found out.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있던 도전성 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 보다 한층 모이기 쉬워져서, 복수의 도전성 입자를 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있는 것도, 본 발명자들은 알아내었다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용한다고 하는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 한다고 하는 구성을 조합해서 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 보다 한층 높은 레벨로 얻기 때문에 큰 의미가 있다.Further, in the step of arranging the second connection object member and the step of forming the connection portion, when the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure, the electrode before the connection portion is formed The electroconductive particle arrange|positioned in this non-formed area|region (space) becomes still more easy to gather between a 1st electrode and a 2nd electrode, and it is also possible to arrange|position several electroconductive particle efficiently on an electrode (line), We found out. In the present invention, a combination of a configuration in which a conductive paste rather than a conductive film is used and a configuration in which the weight of the second connection object member is applied to the conductive paste without applying pressure is employed in combination, It has a great meaning because the effect of the invention is obtained at a higher level.

또한, WO2008/023452A1에서는, 땜납분을 전극 표면에 흘러가게 해서 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착 시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있고, 가압 압력은, 땜납 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0㎫ 이상, 바람직하게는 1㎫ 이상으로 하는 것이 기재되어 있고, 또한 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0㎫여도, 접착 테이프 상에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해져도 되는 것이 기재되어 있다. WO2008/023452A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0㎫여도 되는 것은 기재되어 있지만, 0㎫를 초과하는 압력을 부여한 경우와 0㎫로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다.Further, WO2008/023452A1 describes that from the viewpoint of efficiently moving the solder powder by flowing it on the electrode surface, it is sufficient to pressurize it with a predetermined pressure at the time of bonding. From a viewpoint, for example, it is described that it is 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, due to the weight of the member disposed on the adhesive tape, the adhesive tape It is described that a predetermined pressure may be applied to the . In WO2008/023452A1, it is described that the pressure to be intentionally applied to the adhesive tape may be 0 MPa, but the difference between the effect when a pressure exceeding 0 MPa is applied and when it is set to 0 MPa is not described at all.

또한, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 따라, 접속부의 두께를 적절히 조정하는 것도 가능하다. 한편으로, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 다른 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정의 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다.In addition, when an electrically conductive paste instead of an electrically conductive film is used, it is also possible to adjust the thickness of a connection part suitably according to the application amount of an electrically conductive paste. On the other hand, in a conductive film, in order to change or adjust the thickness of a connection part, there exists a problem that the conductive film of different thickness must be prepared, or the conductive film of predetermined thickness must be prepared.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 도전성 입자가 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 도전성 입자이거나, 또는 땜납 입자인 경우에, 상기 접속부를 형성할 때, 땜납의 융점 이상으로 가열하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 용융한 후에 고화한 땜납부에 의해, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 보다 견고하게 접합된다. 이 결과, 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.In the manufacturing method of the bonded structure which concerns on this invention, when the said electroconductive particle is electroconductive particle which has solder on the electrically conductive outer surface, or when it is a solder particle, when forming the said connection part, it is preferable to heat above the melting|fusing point of solder. do. In this case, the first electrode and the second electrode are more firmly joined by the solidified solder portion after melting. As a result, the conduction reliability between the electrodes is further improved.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태 및 실시예를 설명 함으로써, 본 발명을 명백히 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is made clear by describing specific embodiment and Example of this invention, referring drawings.

우선, 도 1에, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용해서 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 부분 절결 정면 단면도로 나타낸다.First, the bonded structure obtained by using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention in FIG. 1 is shown typically by the partial cut-out front sectional drawing.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는, 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는 열경화성 성분과, 복수의 도전성 입자를 포함하는 도전 페이스트에 의해 형성되어 있다. 이 도전 페이스트에서는, 상기 열경화성 성분이, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하고, 상기 도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은 입자상으로 분산되어 있다. 본 실시 형태에서는, 상기 도전성 입자로서, 땜납 입자를 사용하고 있다.The connection structure 1 shown in FIG. 1 is the 1st connection object member 2, the 2nd connection object member 3, The 1st connection object member 2, and the 2nd connection object member 3 A connecting portion 4 is provided. The connection part 4 is formed with the electrically conductive paste containing a thermosetting component and some electroconductive particle. In this electrically conductive paste, the said thermosetting component contains the thermosetting compound which is solid at 25 degreeC, and a thermosetting agent, In the said electrically conductive paste, the said thermosetting compound solid at 25 degreeC is disperse|distributed in particulate form. In this embodiment, solder particle is used as said electroconductive particle.

접속부(4)는 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)(도전성 입자)와, 열경화성 성분이 열경화된 경화물부(4B)를 갖는다.The connecting portion 4 has a solder portion 4A (conductive particles) in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermoset.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 다른 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 다른 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 다른 영역(경화물부(4B) 부분)에, 땜납이 존재하고 있어도 된다.The 1st connection object member 2 has the some 1st electrode 2a on the surface (upper surface). The 2nd connection object member 3 has the some 2nd electrode 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by a solder portion 4A. Therefore, the 1st connection object member 2 and the 2nd connection object member 3 are electrically connected by the solder part 4A. In addition, in the connection part 4, in the area|region (hardened|cured material part 4B part) different from the solder part 4A gathered between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a, solder does not exist. In a region different from the solder portion 4A (the portion of the cured product portion 4B), the solder spaced apart from the solder portion 4A does not exist. Moreover, if it is a small amount, solder may exist in the area|region (hardened|cured material part 4B part) different from the solder part 4A gathered between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a.

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는, 복수의 땜납 입자가 용융한 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면을 번진 후에 고화하여, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전성의 외표면이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다. 또한, 도전 페이스트는, 플럭스를 포함하고 있어도 된다. 도전 페이스트에 포함되는 플럭스는, 일반적으로 가열에 의해 점차 실활한다.As shown in Fig. 1, in the bonded structure 1, after a plurality of solder particles are melted, the melt of the solder particles spreads on the surface of the electrode and then solidifies to form a solder portion 4A. For this reason, the connection area between the solder part 4A and the 1st electrode 2a, and the solder part 4A, and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion 4A are compared with the case of using conductive particles whose conductive outer surface is a metal such as nickel, gold, or copper. and the contact area between the second electrode 3a and the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction|electrical_connection reliability and connection reliability in the connection structure 1 become high. In addition, the electrically conductive paste may contain the flux. Generally, the flux contained in the electrically conductive paste is gradually deactivated by heating.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A) 모두가, 제1, 제2 전극(2a, 3a)간의 대향하고 있는 영역에 위치해 있다. 도 3에 도시하는 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)와 다르다. 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이, 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치해 있고, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이며, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납은 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부에서 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있지만, 땜납부에서 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다.Moreover, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all of the solder parts 4A are located in the area|region which opposes between the 1st, 2nd electrodes 2a, 3a. The connection structure 1X of the modified example shown in FIG. 3 differs from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection part 4X. The connecting portion 4X includes a solder portion 4XA and a cured product portion 4XB. Like the connection structure 1X, most of the solder portion 4XA is located in the regions facing the first and second electrodes 2a and 3a, and a part of the solder portion 4XA is the first and second You may protrude laterally from the area|region which opposes the electrodes 2a, 3a. The solder portion 4XA protruding laterally from the opposing regions of the first and second electrodes 2a and 3a is a part of the solder portion 4XA, and is not a solder spaced apart from the solder portion 4XA. . In addition, in this embodiment, although the amount of the solder spaced apart from the solder part can be reduced, the solder spaced apart from the solder part may exist in the hardened|cured material part.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.When the amount of the solder particles used is reduced, it becomes easy to obtain the bonded structure 1 . If the usage-amount of solder particle is increased, it will become easy to obtain the bonded structure 1X.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of the method of manufacturing the bonded structure 1 using the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상에, 열경화 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)를 포함하는 도전 페이스트(11)를 배치한다(제1 공정). 제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 설치된 표면 상에, 도전 페이스트(11)를 배치한다. 도전 페이스트(11)의 배치 후에 땜납 입자(11A)는 제1 전극(2a)(라인) 상과 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)상의 양쪽에 배치되어 있다.First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2A , on the surface of the first connection object member 2 , a conductive paste 11 containing a thermosetting component 11B and a plurality of solder particles 11A. is placed (first step). A conductive paste 11 is disposed on the surface of the first connection object member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive paste 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on the region (space) where the first electrode 2a is not formed.

도전 페이스트(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 스크린 인쇄가 바람직하다. 본 발명에 따른 도전 페이스트를 사용함으로써 스크린 인쇄에 의한 도포 시공성이 상당히 양호해져서, 스크린 인쇄를 행해도, 도전 페이스트층을 소정의 두께로 형성할 수 있고, 또한 도전 페이스트의 과도한 번짐을 억제하여, 도전 페이스트가 의도치 않은 영역에 배치되기 어려워진다.Although it does not specifically limit as an arrangement|positioning method of the electrically conductive paste 11, Discharge by a dispenser, screen printing, discharge by an inkjet apparatus, etc. are mentioned. Especially, screen printing is preferable. By using the conductive paste according to the present invention, the coating property by screen printing is considerably improved, and even if screen printing is performed, the conductive paste layer can be formed to a predetermined thickness, and excessive spreading of the conductive paste is suppressed, and the conductive paste is electrically conductive. It becomes difficult for the paste to be placed in an unintended area.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상의 도전 페이스트(11)에 있어서, 도전 페이스트(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 상에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 페이스트(11)의 표면 상에, 제2 전극(3a) 측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2B , in the conductive paste 11 on the surface of the first connection object member 2 , the conductive paste 11 is different from the first connection object member 2 side. On the opposite surface, the 2nd connection object member 3 is arrange|positioned (2nd process). On the surface of the electrically conductive paste 11, the 2nd connection object member 3 is arrange|positioned from the 2nd electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a face each other.

이어서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 이상으로 도전 페이스트(11)를 가열한다(제3 공정). 즉, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 내보다 낮은 온도 이상으로, 도전 페이스트(11)를 가열한다. 바람직하게는, 땜납의 융점 이상, 즉 땜납 입자(11A)의 융점 이상으로, 도전 페이스트(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재해 있던 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인다(자기 응집 효과). 본 실시 형태에서는, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용하고 있기 때문에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융하여, 서로 접합한다. 또한, 열경화성 성분(11B)은 열경화한다. 이 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를, 도전 페이스트(11)에 의해 형성한다. 도전 페이스트(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합함으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열경화성 성분(11B)이 열 경화함으로써 경화물부(4B)가 형성된다. 땜납 입자(3)가 빠르게 이동하면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 위치하지 않은 땜납 입자(3)의 이동이 개시하고 나서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 땜납 입자(3)의 이동이 완료될 때까지, 온도를 일정하게 유지하지 않아도 된다.Next, the electrically conductive paste 11 is heated above the melting|fusing point of the thermosetting compound which is solid at 25 degreeC, and the hardening temperature of the thermosetting component 11B or more (3rd process). That is, the electrically conductive paste 11 is heated above the temperature lower than the melting|fusing point of a solid thermosetting compound at 25 degreeC, and the hardening temperature of the thermosetting component 11B. Preferably, the conductive paste 11 is heated above the melting point of the solder, that is, above the melting point of the solder particles 11A. During this heating, the solder particles 11A existing in the region where the electrode is not formed are collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). In this embodiment, since the conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Further, the solder particles 11A are melted and joined to each other. Moreover, the thermosetting component 11B thermosets. As a result, as shown in FIG.2(c), the connection part 4 which connects the 1st connection object member 2 and the 2nd connection object member 3 is formed with the electrically conductive paste 11. do. The connection part 4 is formed by the conductive paste 11, the solder part 4A is formed by joining the some solder particle 11A, and the hardened|cured material part 4B is formed by thermosetting the thermosetting component 11B. is formed When the solder particles 3 move rapidly, the movement of the solder particles 3 not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts, and then the first electrode 2a and the second electrode 3a. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 3 is completed between (3a).

또한, 제3 공정 전반에, 예비 가열 공정을 마련해도 된다. 이 예비 가열 공정이란, 도전 페이스트(11)에, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진 상태에서, 땜납의 용융 온도 이상, 실질적으로 열경화성 성분(11B)이 열경화하지 않는 온도에서, 5초에서 60초의 가열을 행하는 공정을 말한다. 이 공정을 마련함으로써, 땜납 입자의 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이려고 하는 작용이 더욱 높아짐과 함께, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에 발생할 가능성이 있는 보이드를 억제할 수 있다.In addition, you may provide a preliminary heating process throughout the 3rd process. In this preheating process, in a state in which the weight of the second connection object member 3 is applied to the conductive paste 11, at a temperature equal to or higher than the melting temperature of the solder, and at a temperature at which the thermosetting component 11B does not substantially thermoset, 5 It refers to the process of performing heating in seconds to 60 seconds. By providing this step, the action of the solder particles to collect between the first electrode and the second electrode is further increased, and voids that may occur between the first connection object member and the second connection object member can be suppressed. have.

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는다. 본 실시 형태에서는, 도전 페이스트(11)에는, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 한 쪽에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이로 모이려고 하는 작용이 저해된다. 이것은, 본 발명자들에 의해 발견되었다.In this embodiment, pressurization is not performed in the said 2nd process and the said 3rd process. In the present embodiment, the weight of the second connection object member 3 is applied to the conductive paste 11 . For this reason, at the time of formation of the connection part 4, the solder particle 11A effectively collects between the 1st electrode 2a and the 2nd electrode 3a. Moreover, in at least one of the said 2nd process and the said 3rd process, when pressurizing, the effect|action which the solder particle|grains tend to collect between the 1st electrode and the 2nd electrode is inhibited. This was discovered by the present inventors.

이와 같이 하여, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속해서 행해져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 페이스트(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부로 이동시켜서, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위해서, 가열 부재 상에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.In this way, the bonded structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. In addition, the said 2nd process and the said 3rd process may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the obtained 1st connection object member 2, the electrically conductive paste 11, and the 2nd connection object member 3 is moved to a heating part, and the said 3rd process is performed, also be In order to perform the said heating, the said laminated body may be arrange|positioned on a heating member, and the said laminated body may be arrange|positioned in the heated space.

상기 제3 공정에서의 가열 온도는, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상 및 열경화성 성분(11B)의 경화 온도 이상인 것이 바람직하고, 땜납의 융점 이상 및 열경화성 성분의 경화 온도 이상인 것이 바람직하다. 상기 가열 온도는, 바람직하게는 130℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is preferably not less than the melting point of the solid thermosetting compound at 25° C. and not less than the curing temperature of the thermosetting component 11B, and preferably not less than the melting point of the solder and not less than the curing temperature of the thermosetting component. The heating temperature is preferably 130°C or higher, more preferably 160°C or higher, preferably 450°C or lower, more preferably 250°C or lower, still more preferably 200°C or lower.

상기 예비 가열 공정의 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상, 더욱 바람직하게는 140℃ 이상, 바람직하게는 160℃ 미만, 보다 바람직하게는 150℃ 이하이다.The temperature of the preheating step is preferably 100°C or higher, more preferably 120°C or higher, still more preferably 140°C or higher, preferably lower than 160°C, and more preferably 150°C or lower.

또한, 상기 제1 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제1 전극을 갖고 있으면 된다. 상기 제1 접속 대상 부재는 복수의 제1 전극을 갖는 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재는, 적어도 1개의 제2 전극을 갖고 있으면 된다. 상기 제2 접속 대상 부재는 복수의 제2 전극을 갖는 것이 바람직하다. Moreover, the said 1st connection object member just needs to have at least 1 1st electrode. It is preferable that the said 1st connection object member has a some 1st electrode. The said 2nd connection object member just needs to have at least 1 2nd electrode. It is preferable that the said 2nd connection object member has a some 2nd electrode.

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 전자 부품인 것이 바람직하다.The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors and diodes, and resin films, printed circuit boards, flexible printed circuit boards, flexible flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards, and glass. Electronic components, such as circuit boards, such as a board|substrate, etc. are mentioned. It is preferable that the said 1st, 2nd connection object member is an electronic component.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 내의 적어도 한 쪽이, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은, 유연성이 높고, 비교적 경량이라고 하는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 도전성 입자가 전극 상에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 비해, 본 발명에 따른 도전 페이스트를 사용하고 있기 때문에, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다 하더라도, 도전성 입자를 전극 상에 효율적으로 모을 수 있어, 전극간의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우와 비교하여, 가압을 행하지 않는 것에 의한 전극간의 도통 신뢰성의 향상 효과가 보다 한층 효과적으로 얻어진다.It is preferable that at least one in a said 1st connection object member and a said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. It is preferable that the said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. A resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, and a rigid flexible board|substrate have high flexibility and have the property of being comparatively lightweight. When a conductive film is used for the connection of such a connection object member, there exists a tendency for electroconductive particle to collect on an electrode easily. On the other hand, since the conductive paste according to the present invention is used, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate is used, the conductive particles can be efficiently collected on the electrode, and the conduction reliability between the electrodes can be raised sufficiently. In the case of using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board, the effect of improving the conduction reliability between the electrodes by not applying pressure is more effective than when other connection object members such as a semiconductor chip are used. obtained more effectively.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 은 전극, 몰리브덴 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판 또는 플렉시블 플랫 케이블인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Metal electrodes, such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode, are mentioned as an electrode provided in the said connection object member. When the said connection object member is a flexible printed circuit board or a flexible flat cable, it is preferable that the said electrode is a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the said connection object member is a glass substrate, it is preferable that the said electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only of aluminum may be sufficient, and the electrode in which the aluminum layer was laminated|stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Sn, Al, Ga, etc. are mentioned as said trivalent metal element.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하고 있는 위치에 있어서의 상기 접속부의 거리 D1은 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하이다. 상기 거리 D1이 상기 하한 이상이면, 접속부와 접속 대상 부재의 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다. 상기 거리 D1이 상기 상한 이하이면, 접속부의 형성 시에 도전성 입자가 전극 상에 보다 한층 모이기 쉬워져, 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The distance D1 of the connection part at the position where the first electrode and the second electrode are opposed is preferably 3 µm or more, more preferably 10 µm or more, preferably 100 µm or less, and more preferably 75 µm or more. μm or less. The connection reliability between a connection part and a connection object member as the said distance D1 is more than the said minimum becomes still higher. When the said distance D1 is below the said upper limit, it becomes easy to gather on an electrode still more easily electroconductive particle at the time of formation of a connection part, and the conduction|electrical_connection reliability between electrodes becomes still higher.

도전 페이스트 중에 있어서, 입자상인 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하, 특히 바람직하게는 10㎛ 이하이다.In the electrically conductive paste, the particle diameter of the thermosetting compound solid at 25°C in the particulate form is preferably 0.1 µm or more, more preferably 1 µm or more, preferably 40 µm or less, more preferably 30 µm or less, More preferably, it is 20 micrometers or less, Especially preferably, it is 10 micrometers or less.

입자상인 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 입자 직경은, 수평균 입자 직경을 나타낸다. 입자상인 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 입자 직경은, 예를 들어 임의의 입자상인 25℃에서 고형인 열경화성 화합물 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The particle diameter of the thermosetting compound which is solid at 25 degreeC which is particulate form shows a number average particle diameter. The particle diameter of the thermosetting compound that is solid at 25° C. in the particulate form is, for example, 50 pieces of thermosetting compound that are solid at 25° C., which is a particulate form, is observed with an electron microscope or an optical microscope, and the average value is calculated.

상기 도전 페이스트의 25℃ 및 0.5rpm에서의 점도 η1은 바람직하게는 10㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 50㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 100㎩·s 이상, 바람직하게는 800㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 600㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 500㎩·s이하이다. 상기 점도 η1이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 페이스트의 도포 시공성 및 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아진다.The viscosity η1 at 25°C and 0.5 rpm of the conductive paste is preferably 10 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, still more preferably 100 Pa·s or more, preferably 800 Pa·s or more. Hereinafter, more preferably, it is 600 Pa.s or less, More preferably, it is 500 Pa.s or less. The coating property of an electrically conductive paste and arrangement|positioning precision of electroconductive particle become it still higher that the said viscosity (eta)1 is more than the said minimum and below the said upper limit.

상기 도전 페이스트의 25℃ 및 5rpm에서의 점도 η2는 바람직하게는 1㎩·s 이상, 바람직하게는 100㎩·s이하이다. 상기 점도 η2가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 페이스트의 도포 시공성 및 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아진다.The viscosity η2 at 25°C and 5 rpm of the conductive paste is preferably 1 Pa·s or more, preferably 100 Pa·s or less. The coating property of an electrically conductive paste and arrangement|positioning precision of electroconductive particle become it still higher that the said viscosity (eta)2 is more than the said minimum and below the said upper limit.

25℃ 및 0.5rpm에서의 점도 η1의, 25℃ 및 5rpm에서의 점도 η2에 대한 비(η1/η2)는, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2.5 이상, 더욱 바람직하게는 4 이상, 바람직하게는 7 이하, 보다 바람직하게는 6 이하, 더욱 바람직하게는 5이하이다. 상기 비(η1/η2)가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 페이스트의 도포 시공성 및 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아져서, 전극간의 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.The ratio (η1/η2) of the viscosity η1 at 25°C and 0.5 rpm to the viscosity η2 at 25°C and 5 rpm (η1/η2) is preferably 1 or more, more preferably 2.5 or more, still more preferably 4 or more, and preferably Preferably it is 7 or less, More preferably, it is 6 or less, More preferably, it is 5 or less. When the said ratio (η1/η2) is more than the said minimum and below the said upper limit, the coating property of an electrically conductive paste and arrangement|positioning precision of electroconductive particle become still higher, and the conduction|electrical_connection reliability between electrodes becomes high effectively.

도전성 입자가 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 경우에, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점을 T℃로 한다. (T-5)℃ 및 0.5rpm에서의 점도 η1'의, (T-5)℃ 및 5rpm에서의 점도 η2'에 대한 비(η1'/η2')는, 바람직하게는 1 이상, 바람직하게는 2 이하이다. 상기 비(η1'/η2')가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아져서, 전극간의 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.When electroconductive particle has a solder on an electroconductive outer surface, let melting|fusing point of the solder in electroconductive particle be T degreeC. The ratio (η1'/η2') of the viscosity η1' at (T-5)°C and 0.5 rpm to the viscosity η2′ at (T-5)°C and 5 rpm is preferably 1 or more, preferably less than 2 When the said ratio (η1'/η2') is more than the said minimum and below the said upper limit, the arrangement|positioning precision of electroconductive particle becomes still higher, and the conduction|electrical_connection reliability between electrodes becomes high effectively.

상기 점도는, 배합 성분의 종류, 배합 성분의 배합량, 및 특히 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 분산 상태에 적절히 조정 가능하다.The said viscosity can be suitably adjusted to the kind of compounding component, the compounding quantity of a compounding component, and especially the dispersed state of the thermosetting compound which is solid at 25 degreeC.

상기 점도는, 예를 들어 E형 점도계(도끼산교사 제조) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건, 25℃ 및 0.5rpm의 조건, (T-5)℃ 및 5rpm 및 (T-5)℃ 및 0.5rpm의 조건에서 측정 가능하다.The viscosity is, for example, using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo), etc., under conditions of 25°C and 5rpm, 25°C and 0.5rpm, (T-5)°C and 5rpm and (T-5) It can be measured under the conditions of °C and 0.5 rpm.

상기 도전 페이스트는, 열경화성 성분과 복수의 도전성 입자를 포함한다. 상기 열경화성 성분은, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물(가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물)과, 열경화제를 포함한다. 상기 도전 페이스트는, 25℃에서 액상인 열경화성 화합물(가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물)을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 페이스트는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 페이스트는, 필러를 포함하고 있어도 된다.The said electrically conductive paste contains a thermosetting component and some electroconductive particle. The said thermosetting component contains the thermosetting compound (curable compound curable by heating) which is solid at 25 degreeC, and a thermosetting agent. It is preferable that the said electrically conductive paste contains a liquid thermosetting compound (curable compound hardenable by heating) at 25 degreeC. The conductive paste preferably includes a flux. The said electrically conductive paste may contain the filler.

이하, 본 발명의 다른 상세를 설명한다.Hereinafter, other details of the present invention will be described.

(도전성 입자)(conductive particles)

상기 도전성 입자는, 접속 대상 부재의 전극간을 전기적으로 접속한다. 상기 도전성 입자는, 도전성을 갖는 입자이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전성 입자는, 도전부를 도전성의 외표면에 갖고 있으면 된다.The said electroconductive particle electrically connects between the electrodes of a connection object member. The said electroconductive particle will not be specifically limited if it is particle|grains which have electroconductivity. The said electroconductive particle should just have an electroconductive part on the electroconductive outer surface.

상기 도전성 입자로서는, 예를 들어 유기 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 혹은 금속 입자 등의 표면을 도전층(금속층)으로 피복한 도전성 입자나, 실질적으로 금속만으로 구성되는 금속 입자 등을 들 수 있다.The conductive particles include, for example, organic particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles or conductive particles in which the surface of metal particles is coated with a conductive layer (metal layer), metal particles substantially composed of only metal, etc. can be heard

상기 도전 페이스트에 포함되는 상기 도전성 입자는, 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 것이 바람직하고, 땜납 입자인 것이 보다 바람직하다. 이하, 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 도전성 입자에 대해서 설명한다.It is preferable to have solder on an electroconductive outer surface, and, as for the said electroconductive particle contained in the said electrically conductive paste, it is more preferable that it is a solder particle. Hereinafter, the electroconductive particle which has solder on the electroconductive outer surface is demonstrated.

도 4에, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트에 사용 가능한 도전성 입자를 단면도로 나타낸다.In FIG. 4, the electroconductive particle which can be used for the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention is shown in sectional drawing.

도 4에 도시하는 도전성 입자(51)는, 기재 입자(52)(수지 입자 등)와, 기재 입자(52)의 외표면(52a) 상에 배치된 도전부(53)를 갖는다. 도전부(53)는 도전층이다. 도전부(53)는, 기재 입자(52)의 외표면(52a)을 피복하고 있다. 도전성 입자(51)는, 기재 입자(52)의 외표면(52a)이 도전부(53)에 의해 피복된 피복 입자이다. 따라서, 도전성 입자(51)는 도전부(53)를 외표면(51a)에 갖는다.The electroconductive particle 51 shown in FIG. 4 has the substrate particle 52 (resin particle etc.) and the electroconductive part 53 arrange|positioned on the outer surface 52a of the substrate particle 52. The conductive part 53 is a conductive layer. The electroconductive part 53 has coat|covered the outer surface 52a of the substrate particle 52. As shown in FIG. The electroconductive particle 51 is the covering particle|grain by which the outer surface 52a of the substrate particle 52 was coat|covered with the electroconductive part 53. Therefore, the electroconductive particle 51 has the electroconductive part 53 in the outer surface 51a.

도전부(53)는 기재 입자(52)의 외표면(52a) 상에 배치된 제1 도전부(54)(제1 도전층)와, 그 제1 도전부(54)의 외표면(54a) 상에 배치된 땜납부(55)(땜납층, 제2 도전부(제2 도전층))를 갖는다. 도전부(53)의 외측의 표면부(표면층)가, 땜납부(55)이다. 따라서, 도전성 입자(51)는, 도전부(53)의 일부로서 땜납부(55)를 갖고, 또한 기재 입자(52)와 땜납부(55) 사이에, 도전층(53)의 일부로서 땜납부(55)와는 별도로 제1 도전부(54)를 갖는다. 이와 같이, 도전부(53)는, 다층 구조를 갖고 있어도 되고, 2층 이상의 적층 구조를 갖고 있어도 된다.The electroconductive part 53 is the 1st electroconductive part 54 (1st electroconductive layer) arrange|positioned on the outer surface 52a of the substrate particle 52, and the outer surface 54a of the 1st electroconductive part 54. It has a solder portion 55 (a solder layer, a second conductive portion (second conductive layer)) disposed thereon. The outer surface portion (surface layer) of the conductive portion 53 is the solder portion 55 . Therefore, the electroconductive particle 51 has the solder part 55 as a part of the electroconductive part 53, and between the substrate particle 52 and the solder part 55, it is a solder part as a part of the conductive layer 53. Separately from (55), a first conductive portion (54) is provided. In this way, the conductive part 53 may have a multilayer structure, or may have a laminated structure of two or more layers.

상기한 바와 같이 도전부(53)는 2층 구조를 갖는다. 도 5에 도시하는 변형예와 같이, 도전성 입자(61)는, 단층의 도전부(도전층)로서, 땜납부(62)를 갖고 있어도 된다. 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 도전성 입자에서는, 도전성 입자에 있어서의 도전부의 적어도 외측의 표면부(표면층)가, 땜납부이면 된다. 단, 도전성 입자의 제작이 용이하므로, 도전성 입자(51)와 도전성 입자(61) 중, 도전성 입자(51)가 바람직하다. 또한, 도 6에 나타내는 변형예와 같이, 기재 입자를 코어에 갖지 않고, 코어-쉘 입자가 아닌 땜납 입자(11A)를 사용해도 된다. 땜납 입자(11A)는, 중심 부분 및 도전성의 외표면 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다.As described above, the conductive part 53 has a two-layer structure. As in the modified example shown in FIG. 5, the electroconductive particle 61 may have the solder part 62 as a single-layer electroconductive part (conductive layer). In the electroconductive particle which has solder on the electroconductive outer surface, the surface part (surface layer) of at least the outer side of the electroconductive part in electroconductive particle should just be a solder part. However, since preparation of electroconductive particle is easy, the electroconductive particle 51 is preferable among the electroconductive particle 51 and the electroconductive particle 61. Moreover, like the modification shown in FIG. 6, without having a substrate particle in a core, you may use 11 A of solder particles which are not core-shell particle|grains. As for the solder particles 11A, both the central portion and the conductive outer surface are formed of solder.

도전성 입자(51, 61) 및 땜납 입자(11A)는, 상기 도전 페이스트에 사용 가능하다. 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높이고, 접속 신뢰성도 높이는 관점에서는, 도전성 입자(51, 61) 및 땜납 입자(11A) 중, 땜납 입자(11A)가 특히 바람직하다.The conductive particles 51 and 61 and the solder particles 11A can be used for the conductive paste. From the viewpoint of effectively improving the conduction reliability between the electrodes and also enhancing the connection reliability, the solder particles 11A are particularly preferable among the conductive particles 51 and 61 and the solder particles 11A.

상기 도전부는 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전부를 구성하는 금속으로서는, 금, 은, 구리, 니켈, 팔라듐 및 주석 등을 들 수 있다. 상기 도전층으로서는, 금층, 은층, 구리층, 니켈층, 팔라듐층 또는 주석을 함유하는 도전층 등을 들 수 있다.The said electroconductive part is not specifically limited. Gold, silver, copper, nickel, palladium, tin, etc. are mentioned as a metal which comprises the said electroconductive part. Examples of the conductive layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, or a conductive layer containing tin.

전극과 도전성 입자의 접촉 면적을 크게 하고, 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 수지 입자와, 그 수지 입자의 표면 상에 배치된 도전층(제1 도전층)을 갖는 것이 바람직하다. 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 적어도 도전성의 외측 표면이 저융점 금속층인 도전성 입자인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 기재 입자와, 그 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전층을 갖고, 그 도전층의 적어도 외측 표면이, 저융점 금속층인 것이 보다 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 기재 입자와, 그 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 갖고, 그 도전부의 적어도 외측 표면이, 저융점 금속층인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of increasing the contact area between the electrode and the conductive particles and further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles have a resin particle and a conductive layer (first conductive layer) disposed on the surface of the resin particle it is preferable From a viewpoint of further improving the conduction|electrical_connection reliability between electrodes, it is preferable that the said electroconductive particle is electroconductive particle whose outer surface of electroconductivity at least is a low-melting-point metal layer. The said electroconductive particle has a substrate particle and the conductive layer arrange|positioned on the surface of this substrate particle, It is more preferable that the at least outer surface of the conductive layer is a low-melting-point metal layer. The said electroconductive particle has a substrate particle and the electroconductive part arrange|positioned on the surface of this substrate particle, It is more preferable that the at least outer surface of the electroconductive part is a low melting-point metal layer.

상기 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 저융점 금속인 것이 바람직하다. 상기 땜납 입자는, 융점이 450℃ 이하인 저융점 금속 입자인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는, 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 상기 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 땜납은 주석을 포함한다. 상기 땜남에 포함되는 금속 100중량% 중, 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 땜납에 있어서의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면 땜납부와 전극의 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다.It is preferable that the said solder is a low-melting-point metal whose melting|fusing point is 450 degrees C or less. It is preferable that the said solder particle is a low-melting-point metal particle whose melting|fusing point is 450 degrees C or less. The said low-melting-point metal particle|grains are particle|grains containing a low-melting-point metal. The said low-melting-point metal shows the metal whose melting|fusing point is 450 degrees C or less. The melting point of the low-melting-point metal is preferably 300°C or lower, more preferably 160°C or lower. Also, the solder contains tin. Among 100 wt% of the metal contained in the solder, the content of tin is preferably 30 wt% or more, more preferably 40 wt% or more, still more preferably 70 wt% or more, particularly preferably 90 wt% or more. . When the content of tin in the solder is equal to or greater than the lower limit, the reliability of the connection between the solder portion and the electrode is further improved.

또한, 상기 주석의 함유량은, 고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 장치(호리바세이사꾸쇼사 제조 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈세이사꾸쇼사 제조 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.In addition, the content of the said tin is a high frequency inductively coupled plasma emission spectroscopy apparatus ("ICP-AES" manufactured by Horiba Corporation), a fluorescence X-ray analyzer ("EDX-800HS" manufactured by Shimadzu Corporation), etc. can be measured using

상기 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 도전성 입자를 사용함으로써, 땜납이 용융해서 전극에 접합하여, 땜납부가 전극간을 도통시킨다. 예를 들어, 땜납부와 전극이 점접촉이 아닌 면접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 땜납부와 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납부와 전극의 박리가 보다 한층 발생하기 어려워져서, 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using the electroconductive particle which has the said solder on the electroconductive outer surface, the solder melts and joins to an electrode, and a solder part conducts between electrodes. For example, since the solder portion and the electrode easily come into surface contact rather than point contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of conductive particles having solder on the conductive outer surface increases the bonding strength between the solder portion and the electrode. As a result, separation between the solder portion and the electrode becomes more difficult to occur, effectively increasing the conduction reliability and connection reliability. .

상기 땜납을 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 상기 저융점 금속은, 주석, 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 상기 합금은, 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은, 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The low-melting-point metal constituting the solder is not particularly limited. It is preferable that the said low-melting-point metal is tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. Among them, the low-melting-point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy from the viewpoint of excellent wettability to the electrode. It is more preferable that they are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

상기 땜납은, JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재인 것이 바람직하다. 상기 땜납의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 그 중에서도 저융점으로 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)이 바람직하다. 즉, 상기 땜납은, 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하거나, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 것이 바람직하다.The solder is preferably a filler metal having a liquidus line of 450°C or lower based on JIS Z3001: Welding terminology. As a composition of the said solder, the metal composition containing zinc, gold|metal|money, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium, etc. is mentioned, for example. Among them, a tin-indium system (117°C process) or a tin-bismuth system (139°C process) that is lead-free with a low melting point is preferable. That is, the solder preferably contains no lead, preferably contains tin and indium, or contains tin and bismuth.

상기 땜납부와 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이기 위해서, 상기 땜납은, 인 및 텔루륨을 포함하고 있어도 되고, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 게르마늄, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납부와 전극의 접합 강도를 더욱 한층 높이는 관점에서는, 상기 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부와 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들 금속의 함유량은, 땜납 100중량% 중 바람직하게는 0.0001중량% 이상, 바람직하게는 1중량% 이하이다.In order to further increase the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder may contain phosphorus and tellurium, nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, germanium, cobalt, bismuth, It may contain metals, such as manganese, chromium, molybdenum, and palladium. Further, from the viewpoint of further enhancing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder preferably contains nickel, copper, antimony, aluminum or zinc. From the viewpoint of further enhancing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight or less in 100% by weight of the solder.

상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상, 특히 바람직하게는 5㎛ 이상, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하, 특히 바람직하게는 15㎛ 이하, 가장 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 3㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.The average particle diameter of the electroconductive particles is preferably 0.5 µm or more, more preferably 1 µm or more, still more preferably 3 µm or more, particularly preferably 5 µm or more, preferably 100 µm or less, more preferably is 30 µm or less, more preferably 20 µm or less, particularly preferably 15 µm or less, and most preferably 10 µm or less. If the average particle diameter of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit, electroconductive particle can be arrange|positioned on an electrode still more efficiently. As for the average particle diameter of the said electroconductive particle, it is especially preferable that they are 3 micrometers or more and 30 micrometers or less.

상기 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은, 수평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The "average particle diameter" of the said electroconductive particle shows a number average particle diameter. The average particle diameter of electroconductive particle is calculated|required by observing 50 arbitrary electroconductive particles with an electron microscope or an optical microscope, for example, and calculating an average value.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 한층 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 가장 바람직하게는 30중량% 이상, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극간에 도전성 입자를 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 함유량은 많은 편이 바람직하다.In 100% by weight of the conductive paste, the content of the conductive particles is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, still more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, It is particularly preferably 20% by weight or more, most preferably 30% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, still more preferably 50% by weight or less. Electroconductive particle can be arrange|positioned on an electrode as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit, it is easy to arrange|position many electroconductive particles between electrodes, and conduction|electrical_connection reliability becomes still higher. From a viewpoint of improving conduction|electrical_connection reliability still more, the one with much content of the said electroconductive particle is preferable.

(가열에 의해 경화 가능한 화합물: 열경화성 성분)(Compound curable by heating: thermosetting component)

상기 열경화성 화합물은, 25℃에서 고형이며, 또한 도전 페이스트 중에 입자상으로 분산 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 25℃에 있어서, 상기 도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은 입자상으로 분산되어 있다. 또한, 도 7에, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 페이스트에 있어서, 입자상으로 분산된 열경화성 화합물의 화상을 나타냈다.The said thermosetting compound will not be specifically limited if it is solid at 25 degreeC and can be disperse|distributed in particulate form in an electrically conductive paste. For example, in the said electrically conductive paste at 25 degreeC, the thermosetting compound solid at the said 25 degreeC is disperse|distributed in the particulate form. In addition, in FIG. 7, the image of the thermosetting compound disperse|distributed in the form of particle|grains in the electrically conductive paste which concerns on one Embodiment of this invention was shown.

상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물, 폴리이미드 화합물 및 폴리티올 등을 들 수 있다. 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the thermosetting compound solid at 25° C. include an oxetane compound, an epoxy compound, an episulfide compound, a (meth)acrylic compound, a phenol compound, an amino compound, an unsaturated polyester compound, a polyurethane compound, a silicone compound, a polyimide compound, and Polythiol etc. are mentioned. As for the thermosetting compound which is solid at the said 25 degreeC, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

도전 페이스트 중에서의 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 분산 상태를 양호하게 하고, 본 발명의 효과를 보다 한층 효과적으로 발휘시키는 관점에서는, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물은, 25℃에서 고형인 열경화성 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 에폭시 화합물의 사용에 의해, 접속 신뢰성이 보다 한층 높아진다.From a viewpoint of making the dispersion state of the thermosetting compound solid at 25 degreeC in an electrically conductive paste favorable and exhibiting the effect of this invention still more effectively, the said thermosetting compound solid at 25 degreeC is a thermosetting epoxy compound solid at 25 degreeC It is preferable to be Moreover, connection reliability becomes still higher by use of an epoxy compound.

전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점은, 바람직하게는 40℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 90℃ 이상, 바람직하게는 160℃ 이하, 보다 바람직하게는 140℃ 이하, 더욱 바람직하게는 120℃ 이하이다.From the viewpoint of effectively improving the conduction reliability between electrodes, the melting point of the solid thermosetting compound at 25°C is preferably 40°C or more, more preferably 70°C or more, still more preferably 90°C or more, preferably 160°C. Hereinafter, more preferably, it is 140 degrees C or less, More preferably, it is 120 degrees C or less.

25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 용융 시에, 도전 페이스트의 점도를 급격하게 낮추기 어렵게 하여, 도전성 입자의 과도한 침강을 억제하고, 결과적으로 전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이, 25℃에서 고형인 제1 열경화성 화합물과, 상기 제1 열경화성 화합물과는 다른 융점을 갖고 또한 25℃에서 고형인 제2 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.When melting a solid thermosetting compound at 25°C, it is difficult to rapidly lower the viscosity of the conductive paste, suppressing excessive sedimentation of conductive particles, and consequently, from the viewpoint of effectively increasing the conduction reliability between the electrodes, the solid at 25°C It is preferable that a thermosetting compound contains the 1st thermosetting compound which is solid at 25 degreeC, and the 2nd thermosetting compound which has melting|fusing point different from the said 1st thermosetting compound and is solid at 25 degreeC.

전극간의 도통 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 제1 열경화성 화합물의 융점과 상기 제2 열경화성 화합물의 융점의 차의 절댓값은 바람직하게는 1℃ 이상, 보다 바람직하게는 5℃ 이상, 더욱 바람직하게는 10℃ 이상, 바람직하게는 30℃ 이하, 보다 바람직하게는 20℃ 이하이다.From the viewpoint of effectively increasing the conduction reliability between the electrodes, the absolute value of the difference between the melting point of the first thermosetting compound and the melting point of the second thermosetting compound is preferably 1°C or more, more preferably 5°C or more, still more preferably 10 °C or higher, preferably 30 °C or lower, more preferably 20 °C or lower.

상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 분산 상태를 양호하게 하고, 본 발명의 효과를 보다 한층 효과적으로 발휘시키는 관점에서는, 상기 도전 페이스트는, 25℃에서 액상인 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물, 폴리이미드 화합물 및 폴리티올 등을 들 수 있다. 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.It is preferable that the said electrically conductive paste contains the thermosetting compound liquid at 25 degreeC from a viewpoint of making the dispersion state of the said thermosetting compound solid at 25 degreeC favorable, and exhibiting the effect of this invention more effectively. Examples of the thermosetting compound liquid at 25° C. include an oxetane compound, an epoxy compound, an episulfide compound, a (meth)acrylic compound, a phenol compound, an amino compound, an unsaturated polyester compound, a polyurethane compound, a silicone compound, a polyimide compound, and Polythiol etc. are mentioned. As for the thermosetting compound liquid at 25 degreeC, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

도전 페이스트의 경화성 및 점도를 보다 한층 양호하게 하고, 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물은, 25℃에서 액상인 열경화성 에폭시 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the thermosetting compound liquid at 25 degreeC is a thermosetting epoxy compound liquid at 25 degreeC from a viewpoint of making sclerosis|hardenability and viscosity of an electrically conductive paste still more favorable and improving connection reliability further.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물과의 합계의 함유량은, 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 내충격성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 성분의 함유량은 많은 편이 바람직하다.In 100% by weight of the conductive paste, the total content of the thermosetting compound solid at 25°C and the thermosetting compound liquid at 25°C is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, further Preferably it is 50 weight% or more, Preferably it is 99 weight% or less, More preferably, it is 98 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, Especially preferably, it is 80 weight% or less. From a viewpoint of further improving impact resistance, the one with much content of the said thermosetting component is preferable.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물 및 상기 25℃에서 고형인 열경화성 에폭시 화합물의 함유량은 각각, 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상, 바람직하게는 70중량% 이하, 보다 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물 및 상기 25℃에서 고형인 열경화성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 페이스트의 도포 시공성 및 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아진다.The content of the thermosetting compound solid at 25°C and the thermosetting epoxy compound solid at 25°C in 100 wt% of the conductive paste is preferably 5 wt% or more, more preferably 10 wt% or more, preferably is 70% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. When content of the thermosetting compound which is solid at 25 degreeC and the thermosetting epoxy compound which is solid at 25 degreeC is more than the said lower limit and below the said upper limit, the coating property of an electrically conductive paste and arrangement|positioning precision of electroconductive particle become still higher.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물 및 상기 25℃에서 액상인 열경화성 에폭시 화합물의 함유량은 각각, 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상, 바람직하게는 70중량% 이하, 보다 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물 및 상기 25℃에서 액상인 열경화성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 페이스트의 도포 시공성 및 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아진다.In 100% by weight of the conductive paste, the content of the thermosetting compound liquid at 25°C and the thermosetting epoxy compound liquid at 25°C is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, preferably is 70% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. When content of the thermosetting compound liquid at 25 degreeC and the thermosetting epoxy compound liquid at 25 degreeC is more than the said lower limit and below the said upper limit, the coating property of an electrically conductive paste and arrangement|positioning precision of electroconductive particle become still higher.

25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 25℃에서 액상인 열경화성 화합물의 SP값의 차는, 바람직하게는 0.5 이상, 보다 바람직하게는 1 이상, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2 이하이다. SP값의 차가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 입자로서 안정되게 존재할 수 있으며, 또한 도전 페이스트의 도전성 입자의 배치 정밀도가 보다 한층 높아진다.The difference between the SP value of the thermosetting compound that is solid at 25°C and the thermosetting compound that is liquid at 25°C is preferably 0.5 or more, more preferably 1 or more, preferably 3 or less, and more preferably 2 or less. If the difference of SP value is more than the said lower limit and below the said upper limit, it can exist stably as particle|grains of the thermosetting compound solid at 25 degreeC, and arrangement|positioning precision of the electroconductive particle of an electrically conductive paste becomes still higher.

(열경화제: 열경화성 성분)(thermosetting agent: thermosetting component)

상기 열경화제는, 상기 열경화성 화합물을 열경화시킨다. 상기 열경화제로서는, 이미다졸 경화제, 아민 경화제, 페놀 경화제, 폴리티올 경화제, 산 무수물, 열 양이온 개시제 및 열 라디칼 발생제 등을 들 수 있다. 상기 열경화제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The said thermosetting agent thermosets the said thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include an imidazole curing agent, an amine curing agent, a phenol curing agent, a polythiol curing agent, an acid anhydride, a thermal cationic initiator, and a thermal radical generating agent. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

그 중에서도, 도전 페이스트를 저온에서 보다 한층 빠르게 경화 가능하므로, 이미다졸 경화제, 폴리티올 경화제 또는 아민 경화제가 바람직하다. 또한, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 상기 열경화제를 혼합했을 때 보존 안정성이 높아지므로, 잠재성의 경화제가 바람직하다. 잠재성의 경화제는, 잠재성 이미다졸 경화제, 잠재성 폴리티올 경화제 또는 잠재성 아민 경화제인 것이 바람직하다. 또한, 상기 열경화제는, 폴리우레탄 수지 또는 폴리에스테르 수지 등의 고분자 물질로 피복되어 있어도 된다.Among them, an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent is preferable because the conductive paste can be cured even more rapidly at a low temperature. Moreover, since storage stability increases when the said thermosetting agent and the sclerosing|hardenable compound which can be hardened by heating are mixed, a latent hardening|curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent, or a latent amine curing agent. Moreover, the said thermosetting agent may be coat|covered with polymeric substances, such as a polyurethane resin or a polyester resin.

상기 이미다졸 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨 트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 및 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said imidazole hardening|curing agent, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6-[2 '-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct etc. are mentioned.

상기 폴리티올 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.The polythiol curing agent is not particularly limited, and trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate and the like.

상기 아민 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민 및 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraspiro[5.5]undecane, bis (4-aminocyclohexyl)methane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, etc. are mentioned.

상기 열 양이온 경화제로서는, 요오도늄계 양이온 경화제, 옥소늄계 양이온 경화제 및 술포늄계 양이온 경화제 등을 들 수 있다. 상기 요오도늄계 양이온 경화제로서는, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 옥소늄계 양이온 경화제로서는, 트리메틸옥소늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다. 상기 술포늄계 양이온 경화제로서는, 트리-p-톨릴술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the thermal cationic curing agent include an iodonium-based cation curing agent, an oxonium-based cation curing agent, and a sulfonium-based cation curing agent. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis(4-tert-butylphenyl)iodonium hexafluorophosphate. Trimethyloxonium tetrafluoroborate etc. are mentioned as said oxonium-type cation hardening|curing agent. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

상기 열 라디칼 발생제로서는, 특별히 한정되지 않고, 아조 화합물 및 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 상기 아조 화합물로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 등을 들 수 있다. 상기 유기 과산화물로서는, 디-tert-부틸퍼옥시드 및 메틸에틸케톤퍼옥시드 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said thermal radical generating agent, An azo compound, an organic peroxide, etc. are mentioned. Azobisisobutyronitrile (AIBN) etc. are mentioned as said azo compound. Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

상기 열경화제의 반응 개시 온도(경화 온도)는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자가 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The reaction initiation temperature (curing temperature) of the thermosetting agent is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, preferably 250°C or lower, more preferably 200°C or lower. , more preferably 150°C or lower, particularly preferably 140°C or lower. Electroconductive particle is arrange|positioned on an electrode still more efficiently that the reaction start temperature of the said thermosetting agent is more than the said minimum and below the said upper limit. It is especially preferable that the reaction initiation temperature of the said thermosetting agent is 80 degreeC or more and 140 degrees C or less.

도전성 입자를 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다, 낮은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 낮은 것이 더욱 바람직한다.From a viewpoint of arranging electroconductive particle more efficiently on an electrode, it is preferable that the reaction start temperature of the said thermosetting agent is lower than melting|fusing point of the solder in electroconductive particle, It is more preferable that it is 5 degreeC or more lower, and it is 10 degreeC It is more preferable that it is lower than that.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, DSC에서의 발열 피크의 상승 개시의 온도를 의미한다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak in DSC starts to rise.

상기 열경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, 상기 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 바람직하게는 200 중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 보다 한층 바람직하게는 75 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 50 중량부 이하, 특히 바람직하게는 37.5 중량부 이하이다. 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 상기 25℃에서 액상인 열경화성 화합물의 합계 100중량부에 대하여, 상기 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 바람직하게는 200 중량부 이하, 보다 바람직하게는 100 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75 중량부 이하이다. 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전 페이스트를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않은 잉여의 열경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 보다 한층 높아진다.Content of the said thermosetting agent is not specifically limited. With respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound solid at 25° C., the content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, still more preferably 75 parts by weight or less, still more preferably 50 parts by weight or less, particularly preferably 37.5 parts by weight or less. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 part by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, with respect to a total of 100 parts by weight of the thermosetting compound that is solid at 25° C. and the thermosetting compound that is liquid at 25° C. Preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, and still more preferably 75 parts by weight or less. It is easy to fully harden an electrically conductive paste as content of a thermosetting agent is more than the said minimum. When content of a thermosetting agent is below the said upper limit, it becomes difficult to remain after hardening of the excess thermosetting agent which is not involved in hardening, and the heat resistance of hardened|cured material becomes still higher.

(플럭스)(flux)

상기 도전 페이스트는, 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자가 땜납을 도전성의 표면에 갖는 도전성 입자인 경우에, 플럭스를 사용하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 상에 보다 한층 효과적으로 배치할 수 있다. 상기 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다. 상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물의 혼합물, 염화아연과 무기산의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.It is preferable that the said electrically conductive paste contains a flux. When the said electroconductive particle is electroconductive particle which has a solder on the electroconductive surface, it is preferable to use a flux. By using the flux, the solder can be more effectively disposed on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for solder bonding and the like can be used. Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송지로서는, 활성화 송지 및 비활성화 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산이어도 되고, 송지여도 된다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지의 사용에 의해, 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.Ammonium chloride etc. are mentioned as said molten salt. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and inactivated pine resin. It is preferable that the said flux is an organic acid which has two or more carboxyl groups, and pine resin. The organic acid having two or more carboxyl groups may be sufficient as the said flux, and pine resin may be sufficient as it. By using the organic acid and pine paper which have two or more carboxyl groups, the conduction|electrical_connection reliability between electrodes becomes still higher.

상기 송지는 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는, 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해, 전극간의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The pine resin is a rosin containing abietic acid as a main component. It is preferable that it is rosins, and, as for a flux, it is more preferable that it is abietic acid. By using this preferred flux, the conduction reliability between the electrodes is further improved.

상기 플럭스의 융점은, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하, 보다 한층 바람직하게는 150℃ 이하, 더욱 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 융점이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 보다 한층 효과적으로 발휘되고, 땜납 입자가 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 융점은 80℃ 이상 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 융점은 80℃ 이상 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The melting point of the flux is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, preferably 200°C or lower, more preferably 160°C or lower, even more preferably 150°C or higher. °C or lower, more preferably 140 °C or lower. When the melting point of the flux is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder particles are more efficiently disposed on the electrode. It is preferable that the melting point of the flux is 80°C or more and 190°C or less. It is particularly preferable that the flux has a melting point of 80°C or higher and 140°C or lower.

융점이 80℃ 이상 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.Examples of the flux having a melting point of 80°C or higher and 190°C or lower include succinic acid (melting point 186°C), glutaric acid (melting point 96°C), adipic acid (melting point 152°C), pimelic acid (melting point 104°C), suberic acid (melting point) 142 degreeC), etc. dicarboxylic acid, benzoic acid (melting point 122 degreeC), malic acid (melting point 130 degreeC), etc. are mentioned.

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the boiling point of the flux is 200° C. or less.

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 땜납 입자에 있어서의 땜납의 융점보다, 낮은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 낮은 것이 더욱 바람직한다.From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5°C or more lower, and 10°C or more lower more preferably.

땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 열경화제의 반응 개시 온도보다, 낮은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 낮은 것이 더욱 바람직한다.From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the reaction initiation temperature of the thermosetting agent, more preferably 5°C or higher, and still more preferably 10°C or higher. do.

상기 플럭스는, 도전 페이스트 중에 분산되어 있어도 되고, 도전성 입자의 표면 상에 부착되어 있어도 된다.The said flux may be disperse|distributed in an electrically conductive paste, and may adhere on the surface of electroconductive particle.

상기 도전 페이스트 100중량% 중, 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 상기 도전 페이스트는, 플럭스를 포함하고 있지 않아도 된다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 보다 한층 형성되기 어려워지고, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 보다 한층 효과적으로 제거할 수 있다.The content of the flux in 100% by weight of the conductive paste is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less. The said electrically conductive paste does not need to contain a flux. When the flux content is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be removed more effectively.

(필러)(filler)

상기 도전 페이스트는, 필러를 포함하고 있어도 된다. 필러의 사용에 의해, 도전 페이스트의 경화물 잠열 팽창을 억제할 수 있다. 단, 도전 페이스트의 도포 시공성 및 도전성 입자의 배치 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 필러를 사용하지 않는 쪽이 좋고, 필러를 사용하는 경우에는 필러의 함유량은 적을수록 좋다.The said electrically conductive paste may contain the filler. By use of a filler, the latent thermal expansion of the hardened|cured material of an electrically conductive paste can be suppressed. However, from a viewpoint of improving the coating property of an electrically conductive paste and the arrangement|positioning precision of electroconductive particle further, it is better not to use a filler, and when using a filler, the less content of a filler is so good.

상기 도전 페이스트는 필러를 포함하지 않거나, 또는 도전 페이스트 100중량% 중 필러를 1중량% 이하의 양으로 포함하는 것이 바람직하다. 도전 페이스트가 필러를 포함하는 경우에, 필러의 함유량은 보다 바람직하게는 0.5중량% 이하이다.Preferably, the conductive paste does not include a filler, or contains a filler in an amount of 1 wt% or less of 100 wt% of the conductive paste. When an electrically conductive paste contains a filler, content of a filler becomes like this. More preferably, it is 0.5 weight% or less.

상기 필러로서는, 실리카, 탈크, 질화알루미늄 및 알루미나 등의 무기 필러 등을 들 수 있다. 상기 필러는 유기 필러여도 되고, 유기-무기 복합 필러여도 된다. 상기 필러는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the filler include inorganic fillers such as silica, talc, aluminum nitride and alumina. An organic filler may be sufficient as the said filler, and an organic-inorganic composite filler may be sufficient as it. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(다른 성분)(other ingredients)

상기 도전 페이스트는, 필요에 따라서, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The electrically conductive paste, if necessary, for example, various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants may contain

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

중합체 A Polymer A

비스페놀 F와 1,6-헥산디올 디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 제1 반응물의 합성:Synthesis of a first reactant of bisphenol F with 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F-type epoxy resin:

비스페놀 F(4,4'-메틸렌비스페놀과 2,4'-메틸렌비스페놀과 2,2'-메틸렌비스페놀을 중량비로 2:3:1로 포함함) 72중량부와, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 70중량부와, 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EPICLON EXA-830CRP」) 30중량부를, 3구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 150℃로 용해시켰다. 그 후, 수산기와 에폭시기의 부가 반응 촉매인 테트라-n-부틸술포늄브로마이드 0.1중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 150℃에서 6시간, 부가 중합 반응시킴으로써, 중합체 A를 얻었다.72 parts by weight of bisphenol F (including 4,4'-methylenebisphenol, 2,4'-methylenebisphenol, and 2,2'-methylenebisphenol in a weight ratio of 2:3:1) and 1,6-hexanedioldi 70 parts by weight of glycidyl ether and 30 parts by weight of bisphenol F-type epoxy resin ("EPICLON EXA-830CRP" manufactured by DIC) were placed in a three-neck flask, and dissolved at 150°C under a nitrogen flow. Then, 0.1 weight part of tetra-n-butylsulfonium bromide which is an addition reaction catalyst of a hydroxyl group and an epoxy group was added, and the polymer A was obtained by carrying out addition polymerization reaction at 150 degreeC under nitrogen flow for 6 hours.

NMR에 의해 부가 중합 반응이 진행된 것을 확인하고, 중합체 A가, 비스페놀 F에서 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 갖고, 또한 에폭시기를 양 말단에 갖는 것을 확인하였다.It was confirmed by NMR that the addition polymerization reaction had progressed, and the polymer A has, in its main chain, a structural unit in which a hydroxyl group derived from bisphenol F and an epoxy group of 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F-type epoxy resin are bonded. , it was also confirmed that the epoxy groups were at both ends.

GPC에 의해 얻어진 중합체 A의 중량 평균 분자량은 10000, 수평균 분자량은 3500이었다.The weight average molecular weight of the polymer A obtained by GPC was 10000, and the number average molecular weight was 3500.

중합체 B: 양 말단 에폭시기 강직 골격 페녹시 수지, 미쯔비시가가꾸사 제조 「YX6900BH45」, 중량 평균 분자량 16000Polymer B: Rigid skeleton phenoxy resin with epoxy groups at both ends, "YX6900BH45" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, weight average molecular weight 16000

열경화성 화합물 1(25℃에서 고형, 열경화성 에폭시 화합물, 나가세켐텍스사 제조 「EX-201」을 -5℃로 결정화시켜, 헥산으로 세정하고, 헥산을 진공 건조로 제거 후 사용)Thermosetting compound 1 (solid at 25 ° C, thermosetting epoxy compound, "EX-201" manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd. is crystallized at -5 ° C, washed with hexane, and used after removal of hexane by vacuum drying)

열경화성 화합물 2(25℃에서 고형, 열경화성 에폭시 화합물, DIC사 제조 「HP-4032D」를 -5℃로 결정화시켜, 헥산으로 세정하고, 헥산을 진공 건조로 제거 후 사용)Thermosetting compound 2 (solid at 25°C, thermosetting epoxy compound, DIC Co., Ltd. “HP-4032D” crystallized at -5°C, washed with hexane, and removed by vacuum drying before use)

열경화성 화합물 3(25℃에서 액상, 열경화성 에폭시 화합물, 욧카이치고세이사 제조 「1,6-헥산디올글리시딜에테르」)Thermosetting compound 3 (liquid at 25°C, thermosetting epoxy compound, "1,6-hexanediol glycidyl ether" manufactured by Yokkaichi Chigosei Co., Ltd.)

열경화성 화합물 4(25℃에서 액상, 열경화성 폴리티올 화합물, 쇼와덴꼬사 제조 「카렌즈 MT PE1」)Thermosetting compound 4 (liquid at 25°C, thermosetting polythiol compound, Showa Denko Co., Ltd. “Carenz MT PE1”)

열경화성 화합물 5(25℃에서 고형, 열경화성 에폭시 화합물, ADEKA사 제조 「EP-3300」을 -5℃로 결정화시켜, 헥산으로 세정하고, 헥산을 진공 건조로 제거 후 사용)Thermosetting compound 5 (solid at 25°C, thermosetting epoxy compound, ADEKA Co., Ltd. “EP-3300” crystallizes at -5°C, washes with hexane, and removes hexane by vacuum drying before use)

열경화성 화합물 6(25℃에서 고형, 열경화성 에폭시 화합물, 닛산가가꾸사 제조 「TEPIC-SS」를 -5℃에서 결정화시켜, 헥산으로 세정하고, 헥산을 진공 건조로 제거 후 사용)Thermosetting compound 6 (solid at 25°C, thermosetting epoxy compound, Nissan Chemical Co., Ltd. “TEPIC-SS” is crystallized at -5°C, washed with hexane, and hexane is removed by vacuum drying before use)

열경화성 화합물 7(25℃에서 고형, 열경화성 에폭시 화합물, 아사히유기자이고교사 제조 「TEP-G」를 -5℃로 결정화시켜서, 헥산으로 세정하고, 헥산을 진공 건조로 제거 후 사용)Thermosetting compound 7 (solid at 25°C, thermosetting epoxy compound, “TEP-G” manufactured by Asahi Yugiza Kogyo Co., Ltd. is crystallized at -5°C, washed with hexane, and hexane is removed by vacuum drying before use)

플럭스(와코쥰야꾸고교사 제조 「아디프산」)Flux (“Adipic Acid” manufactured by Wako Junyaku High School)

필러(소수성 퓸드 실리카, 토쿠야마사 제조 「레오시일 MT-10」)Filler (hydrophobic fumed silica, Tokuyama Co., Ltd. "Leo Seal MT-10")

도전성 입자 1(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미쯔이긴조꾸사 제조 「ST-5」, 평균 입자 직경 5.4㎛)Electroconductive particle 1 (SnBi solder particle, melting point 139°C, "ST-5" manufactured by Mitsui Industries, Ltd., average particle diameter of 5.4 µm)

도전성 입자 2(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미쯔이긴조꾸사 제조 「DS-10」, 평균 입자 직경 12㎛)Conductive particles 2 (SnBi solder particles, melting point 139°C, “DS-10” manufactured by Mitsui Industries, Ltd., average particle diameter of 12 μm)

도전성 입자 3: (수지 코어 땜납 피복 입자, 하기 수순으로 제작) Electroconductive particle 3: (resin core solder coated particle, produced by the following procedure)

디비닐벤젠 수지 입자(세끼스이가가꾸고교사 제조 「마이크로펄 SP-207」, 평균 입자 직경 7㎛)를 무전해 니켈 도금하고, 수지 입자의 표면 상에 두께 0.1㎛의 하지 니켈 도금층을 형성했다. 계속해서, 하지 니켈 도금층이 형성된 수지 입자를 전해 구리 도금하고, 두께 1㎛의 구리층을 형성했다. 또한, 주석 및 비스무트를 함유하는 전해 도금액을 사용하여, 전해 도금하고, 두께 1㎛의 땜납층을 형성했다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면 상에 두께 1㎛의 구리층이 형성되어 있고, 그 구리층 표면에 두께 1㎛의 땜납층(주석:비스무트=43중량%:57중량%)이 형성되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 14㎛, 수지 코어 땜납 피복 입자)를 제작했다.Divinylbenzene resin particles (“Micropearl SP-207” manufactured by Sekisui Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter of 7 μm) were electroless nickel plated to form a base nickel plating layer having a thickness of 0.1 μm on the surface of the resin particles. Then, the electrolytic copper plating of the resin particle with a base nickel plating layer was carried out, and the 1 micrometer-thick copper layer was formed. Further, using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth, electrolytic plating was performed to form a solder layer having a thickness of 1 µm. In this way, a 1 µm-thick copper layer is formed on the surface of the resin particles, and a 1 µm-thick solder layer (tin: bismuth = 43 wt%: 57 wt%) is formed on the surface of the copper layer. Particles (average particle diameter of 14 µm, resin core solder coated particles) were produced.

도전성 입자 4: 디비닐벤젠 수지 입자의 Au 도금 입자(세끼스이가가꾸고교사 제조 「Au-210」, 평균 입자 직경 10㎛)Electroconductive particle 4: Au plating particle|grains of divinylbenzene resin particle ("Au-210" by Sekisui Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter of 10 micrometers)

페녹시 수지(신닛떼쯔스미낑가가꾸사 제조 「YP-50S」)Phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Nippon Steel Chemicals)

(실시예 1 내지 10, 12 내지 17)(Examples 1 to 10, 12 to 17)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작(1) Preparation of anisotropic conductive paste

하기 표 1, 2에 나타내는 성분을 하기 표 1, 2에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.The components shown in following Tables 1 and 2 were mix|blended by the compounding quantity shown in following Table 1, 2, and the anisotropic electrically conductive paste was obtained.

또한, 하기 표 1, 2에 나타내는 성분에 있어서의 중합체 A, 열경화성 화합물만을 배합하여, 120℃에서 1시간 60rpm으로 교반했다. 그 후, 60rpm으로 교반하면서, 3시간에 걸쳐 실온까지 냉각했다. 그 후, 유리 플레이트에 끼우고, 석출한 25℃에서 고체의 열경화성 화합물의 입경을, 광학 현미경으로 관찰했다. 100개의 입자의 입경을 측정하여, 평균 입경을 구하였다.In addition, only the polymer A and the thermosetting compound in the component shown in following Tables 1 and 2 were mix|blended, and it stirred at 120 degreeC at 60 rpm for 1 hour. Then, it cooled to room temperature over 3 hours, stirring at 60 rpm. Then, it pinched|interposed on a glass plate, and the particle diameter of the solid thermosetting compound at 25 degreeC which precipitated was observed with the optical microscope. The particle diameters of 100 particles were measured, and the average particle diameter was calculated|required.

(2) 제1 접속 구조체(L/S=50㎛/50㎛)의 제작(2) Preparation of first bonded structure (L/S = 50 µm/50 µm)

L/S가 50㎛/50㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 50㎛/50㎛의 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비했다.L/S prepared the glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 10 micrometers) whose upper surface is 50 micrometers/50 micrometers. Furthermore, L/S prepared the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 10 micrometers) of 50 micrometers/50 micrometers on the lower surface.

유리 에폭시 기판과 플렉시블 프린트 기판의 중첩 면적은 1.5㎝×4㎜로 하고, 접속한 전극수는 75쌍으로 했다.The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board was 1.5 cm x 4 mm, and the number of connected electrodes was 75 pairs.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 두께 50㎛가 되도록 도포 시공하고, 이방성 도전 페이스트층을 형성했다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 상기 플렉시블 프린트 기판을, 전극끼리가 대향하도록 적층했다. 이때, 가압을 행하지 않았다. 이방성 도전 페이스트층에는, 상기 플렉시블 프린트 기판의 중량은 가해진다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 185℃가 되도록 가열하면서, 땜납을 용융시키고, 또한 이방성 도전 페이스트층을 185℃로 경화시켜서, 제1 접속 구조체를 얻었다.On the upper surface of the said glass epoxy board|substrate, the anisotropic electrically conductive paste immediately after preparation was coated so that it might become 50 micrometers in thickness by screen printing, and the anisotropic electrically conductive paste layer was formed. Next, the said flexible printed circuit board was laminated|stacked on the upper surface of an anisotropic electrically conductive paste layer so that electrodes may oppose. At this time, pressurization was not performed. The weight of the said flexible printed circuit board is added to the anisotropic electrically conductive paste layer. Then, the solder was melt|melted, heating so that the temperature of an anisotropic electrically conductive paste layer might become 185 degreeC, and the anisotropic electrically conductive paste layer was hardened at 185 degreeC, and the 1st bonded structure was obtained.

(3) 제2 접속 구조체(L/S=75㎛/75㎛)의 제작(3) Production of the second bonded structure (L/S = 75 µm/75 µm)

L/S가 75㎛/75㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판 (FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 75㎛/75㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께10㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비했다. L/S prepared the glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 10 micrometers) whose upper surface is 75 micrometers/75 micrometers. Furthermore, L/S prepared the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has on the lower surface the copper electrode pattern (copper electrode thickness of 10 micrometers) of 75 micrometers/75 micrometers.

L/S가 다른 상기 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판을 사용한 것 이외에는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제2 접속 구조체를 얻었다. Except having used the said glass epoxy board|substrate from which L/S differs, and a flexible printed circuit board, it carried out similarly to preparation of 1st bonded structure, and obtained the 2nd bonded structure.

(4) 제3 접속 구조체(L/S=100㎛/100㎛)의 제작(4) Preparation of third bonded structure (L/S = 100 µm/100 µm)

L/S가 100㎛/100㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)을 준비했다. 또한, L/S가 100㎛/100㎛인 구리 전극 패턴(구리 전극 두께 10㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 준비했다.L/S prepared the glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 10 micrometers) whose upper surface is 100 micrometers / 100 micrometers. Furthermore, L/S prepared the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 micrometers) of 100 micrometers / 100 micrometers on the lower surface.

L/S가 다른 상기 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판을 사용한 것 이외에는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제3 접속 구조체를 얻었다.Except having used the said glass epoxy board|substrate from which L/S differs and a flexible printed circuit board, it carried out similarly to preparation of 1st bonded structure, and obtained 3rd bonded structure.

(5) 제4 접속 구조체(L/S=50㎛/50㎛)의 제작(5) Production of the fourth bonded structure (L/S = 50 µm/50 µm)

상기 제1 접속 구조체를 얻기 위한 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)과, 상기 제1 접속 구조체를 얻기 위한 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 120℃ 및 습도 20%에서 1시간 보관했다. 보관 후의 제1, 제2 접속 대상 부재를 사용한 것 이외에는 제1 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제4 접속 구조체를 얻었다.The glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) for obtaining the said 1st bonded structure, and the flexible printed circuit board (2nd connection object member) for obtaining the said 1st bonded structure 120 degreeC and humidity 20 % stored for 1 hour. Except having used the 1st, 2nd connection object member after storage, it carried out similarly to preparation of 1st bonded structure, and obtained the 4th bonded structure.

(6) 제5 접속 구조체(L/S=75㎛/75㎛)의 제작(6) Preparation of the fifth bonded structure (L/S = 75 µm/75 µm)

상기 제2 접속 구조체를 얻기 위한 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)과, 상기 제2 접속 구조체를 얻기 위한 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 120℃ 및 습도 20%에서 1시간 보관했다. 보관 후의 제1, 제2 접속 대상 부재를 사용한 것 이외에는 제2 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제5 접속 구조체를 얻었다.The glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) for obtaining the said 2nd bonded structure, and the flexible printed circuit board (2nd connection object member) for obtaining the said 2nd bonded structure 120 degreeC and humidity 20 % stored for 1 hour. Except having used the 1st, 2nd connection object member after storage, it carried out similarly to preparation of the 2nd bonded structure, and obtained the 5th bonded structure.

(7) 제6 접속 구조체(L/S=100㎛/100㎛)의 제작(7) Preparation of 6th bonded structure (L/S = 100 µm/100 µm)

상기 제3 접속 구조체를 얻기 위한 유리 에폭시 기판(FR-4 기판)(제1 접속 대상 부재)과, 상기 제3 접속 구조체를 얻기 위한 플렉시블 프린트 기판(제2 접속 대상 부재)을 120℃ 및 습도 20%에서 1시간 보관했다. 보관 후의 제1, 제2 접속 대상 부재를 사용한 것 이외에는 제3 접속 구조체의 제작과 마찬가지로 하여, 제6 접속 구조체를 얻었다.The glass epoxy board|substrate (FR-4 board|substrate) (1st connection object member) for obtaining the said 3rd bonded structure, and the flexible printed circuit board (2nd connection object member) for obtaining the said 3rd bonded structure 120 degreeC and humidity 20 % stored for 1 hour. Except having used the 1st, 2nd connection object member after storage, it carried out similarly to preparation of 3rd bonded structure, and obtained the 6th bonded structure.

(실시예 11)(Example 11)

전극 사이즈/전극간 스페이스가, 50㎛/50㎛(제1, 제4 접속 구조체용), 75㎛/75㎛(제2, 제5 접속 구조체용), 100㎛/100㎛(제3, 제6 접속 구조체용)인, 한변이 5㎜인 사각형의 반도체 칩(두께 400㎛)과, 그에 대향하는 전극을 갖는 유리 에폭시 기판(사이즈 30×30㎜ 두께 0.4㎜)을 사용하여, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6 접속 구조체를 얻었다.The electrode size/interelectrode space is 50 µm/50 µm (for the first and fourth bonded structures), 75 µm/75 µm (for the second and fifth bonded structures), 100 µm/100 µm (for the third and fourth bonded structures) 6 Using a glass epoxy substrate (size 30 × 30 mm, thickness 0.4 mm) having a square semiconductor chip (thickness 400 μm) of 5 mm on one side (for a 6-connected structure) and an electrode opposed thereto, the first and second 2, 3rd, 4th, 5th, and 6th bonded structure were obtained.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

페녹시 수지(신닛떼쯔스미낑가가꾸사 제조 「YP-50S」) 10중량부를 메틸에틸케톤(MEK)에 고형분이 50중량%가 되도록 용해시켜서, 용해액을 얻었다. 하기 표 2에 나타내는 페녹시 수지를 제외한 성분을 하기 표 2에 나타내는 배합량과, 상기 용해액의 전량을 배합하여, 유성식 교반기를 사용해서 2000rpm으로 5분간 교반한 후, 바코터를 사용해서 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 이형 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 상에 도포 시공했다. 실온에서 진공 건조함으로써, MEK를 제거함으로써, 이방성 도전 필름을 얻었다.10 parts by weight of a phenoxy resin ("YP-50S" manufactured by Nippon Chemicals Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) so that the solid content was 50% by weight to obtain a solution. The components except for the phenoxy resin shown in Table 2 below were blended with the blending amount shown in Table 2 below, and the total amount of the solution, stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer, and then dried using a bar coater. It was coated on a mold release PET (polyethylene terephthalate) film so that it may become 30 micrometers. The anisotropic conductive film was obtained by removing MEK by vacuum-drying at room temperature.

이방성 도전 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6 접속 구조체를 얻었다.Except having used the anisotropic conductive film, it carried out similarly to Example 1, and obtained the 1st, 2nd, 3rd, 4th, 5th, 6th bonded structure.

(평가)(evaluation)

(1) 점도(1) Viscosity

이방성 도전 페이스트의 25℃ 및 0.5rpm에서의 점도 η1을, E형 점도계(도끼산교사 제조)를 사용하여 측정했다. 또한, 이방성 도전 페이스트의 25℃ 및 5rpm에서의 점도 η2를, E형 점도계(도끼산교사 제조)를 사용하여 측정했다. 얻어진 측정값으로부터 비(η1/η2)를 구하였다.The viscosity (eta)1 in 25 degreeC and 0.5 rpm of an anisotropic electrically conductive paste was measured using the E-type viscometer (made by Toki Sangyo Co., Ltd.). In addition, the viscosity (eta)2 in 25 degreeC and 5 rpm of an anisotropic electrically conductive paste was measured using the E-type viscometer (made by Toki Sangyo Co., Ltd.). Ratio (η1/η2) was calculated|required from the obtained measured value.

또한, 이방성 도전 페이스트의 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-5℃ 및 0.5rpm에서의 점도 η1'를, E형 점도계(도끼산교사 제조)를 사용하여 측정했다. 또한, 이방성 도전 페이스트의 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-5℃ 및 5rpm에서의 점도 η2'를, E형 점도계(도끼산교사 제조)를 사용하여 측정했다. 얻어진 측정값으로부터 비(η1'/η2')를 구했다. 비(η1'/η2')는, 이하의 기준으로 판정하였다.In addition, melting|fusing point -5 degreeC of the solder in the electroconductive particle of an anisotropic electrically conductive paste, and viscosity (eta)1' in 0.5 rpm were measured using the E-type viscometer (made by Toki Sangyo Co., Ltd.). In addition, melting|fusing point -5 degreeC of the solder in the electroconductive particle of an anisotropic electrically conductive paste, and viscosity (eta)2' in 5 rpm was measured using the E-type viscometer (made by Toki Sangyo Co., Ltd.). Ratio (η1'/η2') was calculated|required from the obtained measured value. The ratio (η1'/η2') was determined based on the following criteria.

[비(η1'/η2')의 판정 기준][Criteria for determination of ratio (η1'/η2')]

A: 1 이상 2 이하A: 1 or more and 2 or less

B: A의 기준에 상당하지 않는다B: It does not correspond to the standard of A

(2) 분산 상태(2) distributed state

이방성 도전 페이스트 중에 있어서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 분산 상태 및 입자 직경을, 전자 현미경을 사용해서 관찰했다. 분산 상태를 하기 기준으로 판정하였다.In the anisotropic electrically conductive paste, the dispersed state and particle diameter of the thermosetting compound solid at 25 degreeC were observed using the electron microscope. The dispersion state was judged according to the following criteria.

[분산 상태의 판정 기준][Criteria for judgment of dispersed state]

○○: 도전 페이스트 중에서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있고, 또한 입자상의 열경화성 화합물의 입자 직경이 1㎛ 이상 10㎛ 이하이다○○: In the conductive paste, a thermosetting compound solid at 25°C is dispersed in particulate form, and the particle diameter of the particulate thermosetting compound is 1 µm or more and 10 µm or less

○: 도전 페이스트 중에서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있고, 또한 입자상의 열경화성 화합물의 입자 직경이 10㎛ 초과 40㎛ 이하이다○: In the conductive paste, a thermosetting compound solid at 25° C. is dispersed in particulate form, and the particle diameter of the particulate thermosetting compound is more than 10 µm and 40 µm or less.

△: 도전 페이스트 중에서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있고, 또한 입자상의 열경화성 화합물의 입자 직경이 40㎛를 초과한다(triangle|delta): In the electrically conductive paste, the thermosetting compound solid at 25 degreeC is disperse|distributed in particulate form, and the particle diameter of a particulate-form thermosetting compound exceeds 40 micrometers.

×: 도전 페이스트 중에서, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되지 않는다 x: In the electrically conductive paste, the thermosetting compound solid at 25 degreeC does not disperse|distribute in particulate form

(3) 도포 시공성(3) Coatability

제1 접속 구조체를 얻기 위해서, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 두께 50㎛가 되도록 도포 시공했을 때, 도포 시공 얼룩이 발생하는지 여부를 평가하였다. 도포 시공성을 하기 기준으로 판정하였다.In order to obtain a 1st bonded structure, when the anisotropic electrically conductive paste immediately after preparation was coated so that it might become 50 micrometers in thickness by screen printing, it was evaluated whether coating-in unevenness generate|occur|produced. The coating workability was judged according to the following criteria.

[도포 시공성의 판정 기준][Criteria for judgment of coating workability]

○: 5㎛ 미만의 두께 편차로 도포 시공 가능하고, 또한 의도치 않은 영역에 이방성 도전 페이스트가 번지지 않는다○: Coating is possible with a thickness variation of less than 5 μm, and the anisotropic conductive paste does not spread in unintentional areas

△: 5㎛ 이상 10㎛ 미만의 두께 편차로 도포 시공 가능하고, 또한 의도치 않은 영역에 이방성 도전 페이스트가 번지지 않는다△: Coating is possible with a thickness deviation of 5 μm or more and less than 10 μm, and the anisotropic conductive paste does not spread in unintended areas

×: 도포 시공 후에 10㎛ 이상의 두께 편차가 발생하거나, 또는 의도치 않은 영역에 이방성 도전 페이스트가 번진다×: A thickness deviation of 10 μm or more occurs after coating, or an anisotropic conductive paste spreads in an unintended area

(4) 전극간의 간격(4) Interval between electrodes

얻어진 제1 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극이 대향하고 있는 위치에 있어서의 전극간의 간격 D1(접속부의 거리 D1)을 평가하였다.By cross-sectional observation of the obtained 1st bonded structure, the space|interval D1 (distance D1 of a connection part) between the electrodes in the position which the upper and lower electrodes oppose was evaluated.

(5) 전극 상의 도전성 입자의 배치 정밀도(5) Arrangement precision of electroconductive particle on an electrode

얻어진 제1, 제2, 제3 접속 구조체의 단면(도 1에 도시하는 방향의 단면)에 있어서, 단면에 나타나 있는 도전성 입자(땜납부 등)의 전체 면적 100% 중, 전극간에 배치된 도전성 입자로부터 이격되어 경화물 중에 잔존해 있는 도전성 입자(땜납 입자 등)의 면적 A1(%)을 평가하였다. 또한, 5개의 단면에 있어서의 면적의 평균을 산출하였다. 전극 상의 도전성 입자의 배치 정밀도를 하기 기준으로 판정하였다.In the cross section of the obtained 1st, 2nd, 3rd bonded structure (cross section of the direction shown in FIG. 1), the electroconductive particle arrange|positioned between electrodes in 100% of the total area of the electroconductive particle (solder part etc.) shown in the cross section. The area A1 (%) of the conductive particles (solder particles, etc.) remaining away from the cured product was evaluated. Moreover, the average of the area in five cross sections was computed. The following reference|standard determined the arrangement|positioning precision of the electroconductive particle on an electrode.

[전극 상의 도전성 입자의 배치 정밀도의 판정 기준][Criterion of determination of arrangement precision of electroconductive particle on electrode]

○○: 면적 A1이 0%○○: Area A1 is 0%

○: 면적 A1이 0% 초과 10% 이하○: Area A1 is greater than 0% and less than or equal to 10%

△: 면적 A1이 10% 초과 30% 이하△: Area A1 is greater than 10% and less than or equal to 30%

×: 면적 A1이 30% 초과×: Area A1 exceeds 30%

(6) 상하의 전극간의 도통 신뢰성(6) Reliability of conduction between upper and lower electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극간의 접속 저항을 각각, 4단자법에 의해 측정했다. 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, 3rd, 4th, 5th, 6th bonded structure (n = 15 pieces), the connection resistance between the upper and lower electrodes was respectively measured by the 4-terminal method. The average value of connection resistance was computed. In addition, from the relationship of voltage=currentxresistance, connection resistance can be calculated|required by measuring the voltage when a constant current flows. Conduction reliability was determined based on the following criteria.

[도통 신뢰성의 판정 기준][Criteria for judgment of continuity reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 8.0Ω 이하○○: The average value of the connection resistance is 8.0 Ω or less

○: 접속 저항의 평균값이 8.0Ω 초과 10.0Ω 이하○: The average value of the connection resistance exceeds 8.0 Ω and 10.0 Ω or less

△: 접속 저항의 평균값이 10.0Ω 초과 15.0Ω 이하△: The average value of the connection resistance exceeds 10.0 Ω and 15.0 Ω or less

×: 접속 저항의 평균값이 15.0Ω 초과×: The average value of the connection resistance exceeds 15.0 Ω

(7) 인접하는 전극간의 절연 신뢰성(7) Insulation reliability between adjacent electrodes

얻어진 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 85℃, 습도 85%의 분위기 중에 100시간 방치 후, 인접하는 전극간에, 5V를 인가하여, 저항값을 25군데에서 측정했다. 절연 신뢰성을 하기 기준으로 판정하였다.In the obtained 1st, 2nd, 3rd, 4th, 5th, 6th bonded structure (n = 15 pieces), after leaving it to stand for 100 hours in the atmosphere of 85 degreeC and 85% of humidity, 5 V is applied between adjacent electrodes. It applied, and the resistance value was measured at 25 places. Insulation reliability was judged according to the following criteria.

[절연 신뢰성의 판정 기준][Criteria for judgment of insulation reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 107Ω 이상○○: The average value of the connection resistance is 10 7 Ω or more

○: 접속 저항의 평균값이 106Ω 이상 107Ω 미만○: The average value of the connection resistance is 10 6 Ω or more and less than 10 7 Ω

△: 접속 저항의 평균값이 105Ω 이상 106Ω 미만△: The average value of the connection resistance is 10 5 Ω or more and less than 10 6 Ω

×: 접속 저항의 평균값이 105Ω 미만×: The average value of the connection resistance is less than 10 5 Ω

결과를 하기 표 1, 2에 나타낸다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 112022027010413-pct00010
Figure 112022027010413-pct00010

Figure 112022027010413-pct00011
Figure 112022027010413-pct00011

실시예 1과 실시예 11의 결과의 차이로부터, 제2 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에, 제2 접속 대상 부재가 반도체 칩인 경우에 비해, 본 발명의 도전 페이스트의 사용에 의한 도통 신뢰성의 향상 효과가 보다 한층 효과적으로 얻어지는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 16, 17의 도통 신뢰성의 평가(결과 ○○)에서는, 융점이 다른 복수의 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 사용하고 있기 때문에, 다른 실시예의 평가(결과 ○○도 포함함)보다 접속 저항의 구체적인 수치는 낮았다. 실시예 16, 17에서는, 다른 실시예와 비교하여, 도통 신뢰성이 특히 우수하다.From the difference between the results of Example 1 and Example 11, when the second connection object member is a flexible printed circuit board, compared with the case where the second connection object member is a semiconductor chip, the conduction reliability by the use of the conductive paste of the present invention is improved. It turns out that the improvement effect is acquired still more effectively. In addition, in the evaluation of the conduction reliability of Examples 16 and 17 (result ○○), since a plurality of 25°C solid thermosetting compounds having different melting points are used, the evaluation of other examples (including result ○○) The specific value of the connection resistance was low. In Examples 16 and 17, compared with other Examples, the conduction reliability was particularly excellent.

1, 1X : 접속 구조체
2 : 제1 접속 대상 부재
2a : 제1 전극
3 : 제2 접속 대상 부재
3a : 제2 전극
4, 4X : 접속부
4A, 4XA : 땜납부
4B, 4XB : 경화물부
11 : 도전 페이스트
11A : 땜납 입자
11B : 열경화성 성분
51 : 도전성 입자
51a : 외표면
52 : 기재 입자
52a : 외표면
53 : 도전부
54 : 제1 도전부
54a : 외표면
55 : 땜납부
61 : 도전성 입자
62 : 땜납부
1, 1X: Connection structure
2: first connection target member
2a: first electrode
3: 2nd connection target member
3a: second electrode
4, 4X: connection part
4A, 4XA: Solder
4B, 4XB: Cured part
11: conductive paste
11A: Solder particles
11B: thermosetting component
51: conductive particles
51a: outer surface
52: substrate particle
52a: outer surface
53: conductive part
54: first conductive part
54a: outer surface
55: solder part
61: conductive particles
62: solder part

Claims (18)

열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 포함하며,
상기 열경화성 성분이, 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과, 열경화제를 함유하고,
도전 페이스트 중에서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있고,
25℃ 및 0.5rpm에서의 점도의, 25℃ 및 5rpm에서의 점도에 대한 비가 2.5 이상 7 이하인 도전 페이스트.
It contains a thermosetting component and a plurality of conductive particles,
The thermosetting component contains a thermosetting compound that is solid at 25°C, and a thermosetting agent,
In the conductive paste, the thermosetting compound solid at 25° C. is dispersed in the form of particles,
The electrically conductive paste whose ratio with respect to the viscosity in 25 degreeC and 5 rpm of the viscosity in 25 degreeC and 0.5 rpm is 2.5 or more and 7 or less.
제1항에 있어서, 25℃에서 액상인 열경화성 화합물을 함유하는 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 containing the thermosetting compound which is liquid at 25 degreeC. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이, 25℃에서 고형인 열경화성 에폭시 화합물인 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose thermosetting compound solid at 25 degreeC is a thermosetting epoxy compound solid at 25 degreeC. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이, 25℃에서 고형인 제1 열경화성 화합물과, 상기 제1 열경화성 화합물과는 다른 융점을 갖고 또한 25℃에서 고형인 제2 열경화성 화합물을 포함하는 도전 페이스트.3. The second thermosetting compound according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting compound solid at 25°C has a melting point different from that of the first thermosetting compound and the first thermosetting compound being solid at 25°C and is solid at 25°C. A conductive paste containing a thermosetting compound. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자가 땜납을 도전성의 외표면에 갖는 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 in which the said electroconductive particle has solder on the electroconductive outer surface. 제5항에 있어서, 상기 도전성 입자가 땜납 입자인 도전 페이스트.The conductive paste according to claim 5, wherein the conductive particles are solder particles. 제5항에 있어서, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-5℃ 및 0.5rpm에서의 점도의, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-5℃ 및 5rpm에서의 점도에 대한 비가 1 이상 2 이하인 도전 페이스트.The ratio of the viscosity in melting|fusing point -5 degreeC and 0.5 rpm of the solder in the said electroconductive particle with respect to the viscosity in melting|fusing point -5 degreeC of the solder in the said electroconductive particle, and 5 rpm is 1 or more and 2 or less conductive paste. 제1항 또는 제2항에 있어서, 입자상인 상기 열경화성 화합물의 입자 직경이 1㎛ 이상 40㎛ 이하인 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose particle diameters of the said thermosetting compound in particulate form are 1 micrometer or more and 40 micrometers or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 25℃ 및 0.5rpm에서의 점도의, 25℃ 및 5rpm에서의 점도에 대한 비가 4 이상 7 이하인 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 whose ratio with respect to the viscosity in 25 degreeC and 5 rpm of the viscosity in 25 degreeC and 0.5 rpm is 4 or more and 7 or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플럭스를 포함하는 도전 페이스트.The conductive paste according to claim 1 or 2, comprising a flux. 제1항 또는 제2항에 있어서, 필러를 포함하지 않거나, 또는 도전 페이스트 100중량% 중 필러를 1중량% 이하의 양으로 포함하는 도전 페이스트.The electrically conductive paste of Claim 1 or 2 which does not contain a filler or contains a filler in the quantity of 1 weight% or less in 100 weight% of electrically conductive pastes. 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 페이스트의 제조 방법이며,
25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하는 열경화성 성분 및 복수의 도전성 입자를 혼합해서 혼합물을 얻고, 다음에 상기 혼합물을, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 미만으로 가열하여, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 용융시킨 후에 고화시킴으로써, 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트를 얻거나, 또는
25℃에서 고형인 열경화성 화합물을 입자상으로 한 후에, 입자상이고 또한 25℃에서 고형인 열경화성 화합물과 열경화제를 함유하는 열경화성 성분과, 복수의 도전성 입자를 포함하는 혼합물이고, 또한 상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물이 입자상으로 분산되어 있는 도전 페이스트를 얻는, 도전 페이스트의 제조 방법.
It is a manufacturing method of the electrically conductive paste of Claim 1 or 2,
A mixture is obtained by mixing a thermosetting compound which is solid at 25°C, a thermosetting component containing a thermosetting agent, and a plurality of conductive particles, and the mixture is then subjected to a melting point of the thermosetting compound solid at 25° C. A conductive paste in which the thermosetting compound solid at 25° C. is dispersed in particulate form is obtained by heating below the temperature to melt the thermosetting compound solid at 25° C. and then solidifying it, or
After making the thermosetting compound solid at 25 ° C into particulate form, it is a mixture containing a thermosetting compound which is particulate and solid at 25 ° C and a thermosetting component containing a thermosetting agent, and a plurality of conductive particles, and is solid at 25 ° C. The manufacturing method of the electrically conductive paste which obtains the electrically conductive paste in which the thermosetting compound is disperse|distributed in the particulate form.
적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
상기 접속부가, 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 페이스트에 의해 형성되어 있고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되어 있는 접속 구조체.
A first connection object member having at least one first electrode on its surface;
a second connection object member having at least one second electrode on its surface;
a connecting portion connecting the first to-be-connected member and the second to-be-connected member;
The said connection part is formed with the electrically conductive paste of Claim 1 or 2,
The bonded structure in which the said 1st electrode and the said 2nd electrode are electrically connected by the said electroconductive particle in the said connection part.
제13항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 접속 구조체.The connection structure of Claim 13 whose said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 페이스트를 사용하여, 적어도 1개의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 페이스트를 배치하는 공정과,
상기 도전 페이스트의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대인 표면 상에, 적어도 1개의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과,
상기 25℃에서 고형인 열경화성 화합물의 융점 이상이면서 상기 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로 상기 도전 페이스트를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 상기 도전 페이스트에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 상기 접속부 중의 상기 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.
A step of disposing the conductive paste on the surface of a first connection object member having at least one first electrode on the surface using the conductive paste according to claim 1 or 2;
a second connection object member having at least one second electrode on the surface of the conductive paste opposite to the first connection object member side is disposed so that the first electrode and the second electrode face each other process and
By heating the conductive paste above the melting point of the solid thermosetting compound at 25° C. and above the curing temperature of the thermosetting component, the connecting portion connecting the first to-be-connected member and the second to-be-connected member is applied to the conductive paste. The manufacturing method of a bonded structure provided with the process of forming by this, and electrically connecting the said 1st electrode and the said 2nd electrode with the said electroconductive particle in the said connection part.
제15항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는, 접속 구조체의 제조 방법.The connection structure of Claim 15 in which the weight of the said 2nd connection object member is applied to the said electrically conductive paste without performing pressurization in the process of arranging the said 2nd connection object member and the process of forming the said connection part. manufacturing method. 제15항에 있어서, 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인, 접속 구조체의 제조 방법.The manufacturing method of the bonded structure of Claim 15 whose said 2nd connection object member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board|substrate. 삭제delete
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