JP6065912B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6065912B2 JP6065912B2 JP2014532677A JP2014532677A JP6065912B2 JP 6065912 B2 JP6065912 B2 JP 6065912B2 JP 2014532677 A JP2014532677 A JP 2014532677A JP 2014532677 A JP2014532677 A JP 2014532677A JP 6065912 B2 JP6065912 B2 JP 6065912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conductive paste
- solar cell
- manufacturing
- binder resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 14
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- YVXDRFYHWWPSOA-BQYQJAHWSA-N 1-methyl-4-[(e)-2-phenylethenyl]pyridin-1-ium Chemical compound C1=C[N+](C)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 YVXDRFYHWWPSOA-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N n-heptadecyl alcohol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
太陽電池は、光電変換部の受光面上に形成される受光面電極と、光電変換部の裏面上に形成される裏面電極とを備える。各電極は、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成することができる（例えば、特許文献１参照）。
ところで、スクリーン印刷による電極形成手法は、信頼性等の観点から未だ改良の余地がある。
本発明に係る太陽電池の製造方法は、第１導電性ペーストのスクリーン印刷により光電変換部の一方の面上に第１電極を形成し、第１導電性ペーストよりも粘度が低い第２導電性ペーストのスクリーン印刷により光電変換部の他方の面上に第１電極よりも大面積の第２電極を形成する。
本発明に係る太陽電池の製造方法によれば、導電性ペーストのスクリーン印刷により、目的とする電極構造を形成することができる。
以下、本発明の実施形態を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。また、実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
図１〜図６を参照しながら、本発明の実施形態の一例である太陽電池１０の製造方法について詳説する。図１は、太陽電池１０の製造工程（以下、「本工程」という場合がある）を示すフローチャートである。図２は、本工程により製造される太陽電池１０を受光面側から見た平面図であり、図３は、図２のＡ‐Ａ線断面の一部を示す図である。
太陽電池１０の製造工程では、まず、光を受光することでキャリアを生成する光電変換部２０を製造する（Ｓ１０）。光電変換部２０は、例えば、結晶系シリコン（ｃ‐Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、又はインジウム燐（ＩｎＰ）等の半導体材料からなる基板２１を有する。この工程では、基板２１の一方の面上に、例えば、ｉ型非晶質シリコン層及びｐ型非晶質シリコン層を含む非晶質半導体層２２と、透明導電層２４とを順に形成し、基板２１の他方の面上に、例えば、ｉ型非晶質シリコン層及びｎ型非晶質シリコン層を含む非晶質半導体層２３と、透明導電層２５とを順に形成する。これら各層は、洗浄された基板２１を真空チャンバ内に設置して、ＣＶＤやスパッタリングにより形成できる。
本実施形態では、基板２１の一方の面が受光面となり、基板２１の他方の面が裏面となる。「受光面」とは、太陽電池１０の外部から太陽光が主に入射する面であって、後述する電極の面積（電極により覆われる面積）が小さい方の面を意味する。即ち「裏面」は、後述する電極の面積が大きい方の面である。
ＣＶＤによるｉ型非晶質シリコン層の成膜には、例えば、シラン（ＳｉＨ4）を水素（Ｈ2）で希釈した原料ガスを使用する。ｐ型非晶質シリコン層の場合は、シランにジボラン（Ｂ2Ｈ6）を添加し、水素（Ｈ2）で希釈した原料ガスを使用することができる。ｎ型非晶質シリコン層の場合は、シランにホスフィン（ＰＨ3）を添加し、水素（Ｈ2）で希釈した原料ガスを使用することができる。透明導電層２４，２５は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物に、錫（Ｓｎ）やアンチモン（Ｓｂ）等をドープした透明導電性酸化物から構成される。
Ｓ１０の工程では、上記各層を積層する前に、基板２１の両面にテクスチャ構造を形成しておくことが好適である。テクスチャ構造は、表面反射を抑制して光電変換部２０の光吸収量を増大させる表面凹凸構造であり、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて基板２１の（１００）面を異方性エッチングすることにより形成できる。
続いて、光電変換部２０上に、受光面電極である第１電極３０及び裏面電極である第２電極４０を形成する（Ｓ１１〜Ｓ１３）。これにより、太陽電池１０が製造される。具体的には、光電変換部２０の受光面上に導電性ペーストＡのパターンを印刷し（Ｓ１１）、光電変換部２０の裏面上に導電性ペーストＢのパターンを印刷する（Ｓ１２）。そして、導電性ペーストＡ，Ｂが印刷された光電変換部２０を加熱処理して、第１電極３０及び第２電極４０（以下、これらを総称して「電極」という場合がある）を形成する（Ｓ１３）。Ｓ１１，Ｓ１２の工程順序は逆であってもよく、またＳ１１，Ｓ１２の各工程の後にＳ１３の工程よりも低温の加熱処理工程を設けてもよい。
本電極形成工程では、詳しくは後述するように、導電性ペーストのスクリーン印刷により電極を形成する。そして、第１電極３０の印刷工程と、第２電極４０の印刷工程とで異なる導電性ペーストＡ，Ｂを用いる。
導電性ペーストＡは、第１電極３０の構成材料を含有し、導電性ペーストＢは、第２電極４０の構成材料を含有している。導電性ペーストには、２００℃以下の加熱により固化する加熱硬化型、紫外線照射により固化する紫外線硬化型、及び４００℃〜１０００℃程度の加熱で固化する焼成型等がある。導電性ペーストＡ，Ｂとしては、導電性フィラー、バインダ樹脂、及び溶剤等の添加剤を含有する加熱硬化型が好適である。加熱硬化型の導電性ペーストＡ，Ｂを用いて形成される電極は、バインダ樹脂中に導電性フィラーが分散した構造を有する。Ｓ１３の工程は、例えば、２００℃×６０分の条件で行われ、この工程でバインダ樹脂が硬化する。
導電性ペーストＡ，Ｂは、導電性フィラー、バインダ樹脂、及び溶剤等の添加剤を含有する。導電性フィラーには、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属粒子やカーボン、又はこれらの混合物などが用いられる。これらのうち、Ａｇ粒子が好適である。バインダ樹脂は、熱硬化型樹脂であることが好ましい。未硬化状態のバインダ樹脂は、室温において、溶剤に可溶な固状、或いは液状又はペースト状（半固状）である。バインダ樹脂には、例えば、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂など、又はこれらの混合物が用いられる。これらのうち、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ系樹脂が好適であり、エポキシ系樹脂が特に好適である。また、導電性ペーストＡ，Ｂには、必要に応じてバインダ樹脂に対応する硬化剤が含まれる。添加剤としては、溶剤の他に、レオロジー調整剤、可塑剤、分散剤、消泡剤等が例示できる。
溶剤としては、エチレングコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート（以下、「ＢＣＡ」という）等のエーテル系溶剤、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、テルピネオール等のアルコール系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、イソホロン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤など、又はこれらの混合溶剤が例示できる。
本電極形成工程で形成される第１電極３０は、複数（例えば、４０本〜６０本）のフィンガー部３１と、複数（例えば、２本〜４本）のバスバー部３２とを含む。フィンガー部３１は、透明導電層２４上の広範囲に形成される細線状の電極である。バスバー部３２は、フィンガー部３１からキャリアを収集する電極である。第１電極３０においては、各バスバー部３２が所定の間隔を空けて互いに平行に配置され、これに直交して複数のフィンガー部３１が配置されている。
フィンガー部３１の線幅は、遮光ロス低減等の観点から、２０μｍ〜１００μｍ程度が好ましく、３０μｍ〜９０μｍ程度がより好ましい。フィンガー部３１は、先細り形状としてもよく、例えば、細い部分の線幅を３０μｍ〜５０μｍ程度、太い部分の線幅を６０μｍ〜９０μｍ程度とすることができる。バスバー部３２の線幅は、例えば、フィンガー部３１の線幅よりも太めに設定される。フィンガー部３１及びバスバー部３２の厚みは、抵抗損失低減等の観点から、１０μｍ〜８０μｍ程度、好ましくは２０μｍ〜６０μｍ程度であり、互いに同程度であることが特に好適である。
第２電極４０も、第１電極３０と同様に、複数のフィンガー部４１と、複数のバスバー部４２とを含む。但し、第２電極４０は、第１電極３０よりも大面積に形成される。第２電極４０は、第１電極３０の２倍〜６倍程度、好ましくは３倍〜４倍程度の電極面積を有する。第２電極４０は、その線幅を第１電極３０より太くしてもよいが、光電変換部２０の広範囲から抵抗ロスを小さくする観点から、その本数をフィンガー部３１より多くして線幅は互いに同程度とすることが好適である。フィンガー部４１の本数は、フィンガー部３１の本数の２倍〜６倍程度、好ましくは３倍〜５倍程度（例えば、１５０本〜２５０本）に設定される。第２電極４０の厚みは、材料コスト低減、基板２１の反り防止等の観点から、第１電極３０よりも薄いことが好適であり、例えば、５μｍ〜６０μｍ程度、好ましくは１０μｍ〜４０μｍ程度である。
以下、図４及び図５を参照しながら、Ｓ１１，Ｓ１２のスクリーン印刷工程について詳説する。図４は、Ｓ１１の工程を、図５は、Ｓ１２の工程をそれぞれ示す図である。ここでは、Ｓ１１，Ｓ１２で共通する内容はＳ１１を例に挙げて説明する。本実施形態では、オフコンタクト印刷について説明するが、オンコンタクト印刷を適用してもよい。
Ｓ１１の工程では、耐溶剤性のある弾性体で構成されるスキージ５０、及び第１電極３０の形状に対応した開口部５４を有するスクリーン版５１を用いて、光電変換部２０の受光面上に導電性ペーストＡを転写する。
スクリーン版５１は、導電性ペーストＡを透過する織物等であるメッシュ５２と、メッシュ５２が張られる図示しない枠とを有する。メッシュ５２には、導電性ペーストＡを塗布したくない受光面上の領域に対応してマスク材５３が設けられる。これにより、スクリーン版５１には、フィンガー部３１及びバスバー部３２の形状にそれぞれ対応した開口部５４のパターンが形成される。
メッシュ５２は、例えば、ポリエステル等の樹脂繊維やステンレス等の金属線から構成される。メッシュ５２の線径、メッシュ数、オープニング率等は、形成する電極の線幅、厚み等に応じて適宜選定される。マスク材５３には、通常、感光性の乳剤が使用される。乳剤は、解像度や露光感度等に応じて選定され、例えば、ジアゾ系やスチルバゾリウム系の材料が用いられる。
より詳しくは、転写したい部分のみに開口部５４が形成されたスクリーン版５１上に導電性ペーストＡを載せ、スキージ５０を摺動させることにより、開口部５４に導電性ペーストＡを充填し、スクリーン版５１を受光面に押し付ける。そして、スクリーン版５１のスキージ５０が通り過ぎた部分が受光面から離れる所謂版離れの際に、開口部５４から導電性ペーストＡが吐出されて受光面上に転写される。これにより、導電性ペーストＡは、第１電極３０のパターン（以下、「導電性ペーストＡ30」とする）に形成される。導電性ペーストＡ30は、Ｓ１３の工程で加熱処理されるまで、溶剤を含有しておりバインダ樹脂は未硬化状態である。
スクリーン印刷工程では、印刷条件を決定するパラメータとして、スキージ角度、スキージ速度、スキージ印圧、スクリーン版５１と光電変換部２０との距離であるクリアランス等が挙げられる。これらのパラメータは、例えば、Ｓ１１，Ｓ１２の工程で同程度の値に設定できる。
Ｓ１２の工程では、スキージ５０、及び第２電極４０の形状に対応した開口部６４を有するスクリーン版６１を用いて、光電変換部２０の裏面上に導電性ペーストＢを転写する。これにより、導電性ペーストＢは、第２電極４０のパターン（以下、「導電性ペーストＢ40」とする）に形成される。導電性ペーストＢ40は導電性ペーストＡ30よりも薄く形成されるため、スクリーン版６１のメッシュ６２として、メッシュ５２よりもメッシュ数が多くオープニング率が低いものを用いることが好適である。スクリーン版６１のマスク材６３は、マスク材５３よりも厚みが薄いことが好適である。
本電極形成工程では、Ｓ１２の工程で用いる導電性ペーストＢを、Ｓ１１の工程で用いる導電性ペーストＡよりも低粘度とする。また、第２電極４０の電極面積が大きくなるほど、スクリーン印刷が可能な粘度範囲（例えば、１０ｒｐｍで５０〜３００Ｐａ・ｓ）において導電性ペーストＢの粘度を低くすることが好適である。つまり、本電極形成工程では、電極面積に応じて適切な粘度の導電性ペーストを用いる。これにより、大面積の第２電極４０を形成する場合に発生し易い断線を抑制することができる。
導電性ペーストＡの粘度ρAと導電性ペーストＢの粘度ρBとすると、ρBは、少なくともρAより１０％程度低く設定される。好ましくはρAより２０％以上低く、より好ましくは２０％〜７０％程度低く設定される。上記のように、第１電極３０に対して、第２電極４０の面積が大きくなり開口部６４の数が多くなる（開口部６４のピッチが狭くなる）ほど、ρBを小さくすることが好適である。また、メッシュ６２が細かくなるほど、ρBを小さくすることが好適である。一方、第１電極３０については線幅を細くする必要があるため、ρAは、導電性ペーストＡが受光面上で広がらない程度の粘度に調整される。
導電性フィラーの含有量は、導電性ペーストＡ，Ｂの全重量に対して、８５重量％〜９５重量％程度であり、９０重量％〜９３重量％程度が好ましい。バインダ樹脂の含有量は、１重量％〜１０重量％程度であり、２重量％〜７重量％程度が好ましい。溶剤等の添加剤は、必要により添加される。溶剤は、バインダ樹脂の種類等によっても異なるが、少なくとも１重量％以上含有されることが好ましく、２重量％〜１０重量％程度含有されることが特に好ましい。
導電性ペーストＡ，Ｂは、導電性フィラー、バインダ樹脂、及び添加剤の少なくとも何れかについて、その種類又は含有量の少なくとも一方が互いに異なる。例えば、レオロジー調整剤を導電性ペーストＢに添加せず、導電性ペーストＡだけに添加してρB＜ρAとしてもよい。また、溶剤や可塑剤を導電性ペーストＢだけに添加してρB＜ρAとしてもよい。
また、導電性フィラーとして、フレーク状フィラー及び球状フィラーを含む導電性フィラーを用いてもよい。フレーク状フィラーとは、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したフィラーのアスペクト比（長径／短径）が１．５以上であるものを意味し、球状フィラーとは、アスペクト比が１．５未満のものを意味する。例えば、導電性ペーストＡ，Ｂにおいて、フレーク状フィラー及び球状フィラーの割合を変更することでρB＜ρAとしてもよい。
ρB＜ρAとする第１の好適な手法として、導電性ペーストＢの溶剤の含有量を、導電性ペーストＡの溶剤の含有量よりも多くすることが挙げられる。溶剤は、導電性ペーストＡ，Ｂで同じものを用いることができる。この手法は、導電性ペーストＡ，Ｂで溶剤量を変更するだけであるから粘度調整作業が簡便である。また、この手法によれば、第１電極３０及び第２電極４０の構成材料が同じものとなり、例えば、品質管理が容易である。
溶剤は、バインダ樹脂の種類や印刷条件等に応じて適宜選択される。好適な溶剤の１つとして、ＢＣＡが例示できる。例えば、バインダ樹脂がエポキシ系樹脂、溶剤がＢＣＡである場合、導電性ペーストＡは、５％程度のＢＣＡを含有し、導電性ペーストＢは、６％程度のＢＣＡを含有する。
ρB＜ρAとする第２の好適な手法として、導電性ペーストＡ，Ｂで種類が異なる溶剤を用いることが挙げられる。バインダ樹脂には、導電性ペーストＡ，Ｂで同じものを用いることができる。バインダ樹脂が同じである場合、導電性ペーストＢでは、導電性ペーストＡの場合よりもバインダ樹脂を溶かし易い溶剤を用いることが好適である。例えば、導電性ペーストＢでは、導電性ペーストＡよりもバインダ樹脂の溶解性パラメータ（ＳＰ値）に近いＳＰ値をもつ溶剤を用いる。この手法によれば、第１の手法と同様に、第１電極３０及び第２電極４０の構成材料が同じものとなる。
ρB＜ρAとする第３の好適な手法として、導電性ペーストＡ，Ｂで種類が異なるバインダ樹脂を用いることが挙げられる。具体的には、導電性ペーストＡ，Ｂで組成が異なるバインダ樹脂を用いる場合や、組成は区別できないが分子量が異なるバインダ樹脂を用いる場合が例示できる。後者の場合は、導電性ペーストＢの方に分子量の小さなバインダ樹脂を用いる。この手法によれば、第１電極３０及び第２電極４０の構成材料が異なるものとなる。
ρB＜ρAとする他の手法としては、導電性ペーストＡ，Ｂで種類が異なる導電性フィラーを用いることが挙げられる。或いは、導電性ペーストＡ，Ｂで導電性フィラーの含有量を変更してもよい。この手法によれば、第１電極３０及び第２電極４０の構成材料が異なるものとなる。なお、上記各手法を組み合わせてρB＜ρAとしてもよい。
図６は、粘度ρAの導電性ペーストＡと粘度ρBの導電性ペーストＢとの粘度比（ρB／ρA）、線幅Ｗ30の第１電極３０及び線幅Ｗ40の第２電極４０の線幅比（Ｗ40／Ｗ30）との関係を示す図である。図６の■は、ρB／ρA＝１．０の場合、即ちＳ１１，Ｓ１２の工程で同一の導電性ペーストを用いる従来工程の場合を示している。図６に示す関係は、粘度が異なる導電性ペーストを用いたこと以外は同じ条件として導かれたものである。この関係は、スクリーン印刷が可能な範囲において他の条件を変更した場合にも概ね当てはまる。
ρB／ρA＝１．０である従来工程の場合、Ｓ１２の工程では、Ｓ１１の工程に比べて、スクリーン版６１が裏面に接触してから離間するまでの時間が長くなり易く、版離れがスムーズに起こらない場合がある。この一因として、スキージ５０に押されてスクリーン版５１が裏面に接触したときに、開口部６４に充填された導電性ペーストＢが版を裏面上に繋ぎ止めることが挙げられる（図５参照）。開口部６４の数は開口部５４よりも多いため、版を繋ぎ止める力は裏面側において大きくなる。版離れが遅れると、導電性ペーストＢが開口部６４の壁面等に接触している時間が長くなって付着し易くなり、導電性ペーストＢが版に残り易くなる。このため、導電性ペーストＢが転写されないことにより発生する第２電極４０の断線がＳ１１の工程に比べて発生し易くなる。そこで、本電極形成工程では、上記のように、Ｓ１２の工程で用いる導電性ペーストＢを、Ｓ１１の工程で用いる導電性ペーストＡよりも低粘度とする。
図６に示すように、ρB／ρAが小さくなるほどＷ40／Ｗ30が大きくなる。即ち、ρBを低くするほど第２電極４０の線幅が太くなる。例えば、ρB／ρAを０．６程度にすると、ρB／ρA＝１．０でＷ30よりも５％程度細かったＷ40がＷ30と同程度の太さとなる。そして、ρBを低くするほど、第２電極４０の断線が発生し難くなる傾向が見られる。この主な要因は、ρBを低くしたことで導電性ペーストＢが裏面上に広がり易くなって線幅Ｗ40が太くなり、導電性ペーストＢと裏面との接触面積が大きくなったためと考えられる。開口部６４に導電性ペーストＢが残る原因は、導電性ペーストＢと版との付着力が導電性ペーストＢと裏面との付着力よりも強いためであるが、本工程の場合は、導電性ペーストＢと裏面との接触面積が大きくなることで後者の付着力が強くなって第２電極４０の断線が抑制される。
以上のように、本工程では、導電性ペーストＡよりも粘度が低い導電性ペーストＢのスクリーン印刷により、第１電極３０よりも大面積の第２電極４０を形成する。即ち、電極面積に応じて適切な粘度の導電性ペーストを使用することにより、大面積の電極を形成する場合に発生し易い導電性ペーストの吐出量の減少や、断線の発生を抑制する。
こうして製造される太陽電池１０は、断線等の不具合がなく、目的とする形態に形成された電極を有する。また、本工程では、スクリーン版６１に持ち去られる導電性ペーストＢの量が減少するため、表面凹凸が小さく表面が平坦な第２電極４０を形成できる。
１０ 太陽電池、２０ 光電変換部、２１ 基板、２２，２３ 非晶質半導体層、２４，２５ 透明導電層、３０ 第１電極、３１，４１ フィンガー部、３２，４２ バスバー部、４０ 第２電極、５０ スキージ、５１，６１ スクリーン版、５２，６２ メッシュ、５３，６３ マスク材、５４，６４ 開口部、Ａ，Ｂ，Ａ30，Ｂ40 導電性ペースト。
Claims (7)
- 太陽電池の製造方法であって、
導電性フィラー、バインダ樹脂、及び添加剤を含有する第１導電性ペーストのスクリーン印刷により、光電変換部の一方の面上に互いに平行に形成された複数の第１フィンガー部を備える第１電極を形成し、
導電性フィラー、バインダ樹脂、及び添加剤を含有し前記第１導電性ペーストよりも粘度が低い第２導電性ペーストの前記スクリーン印刷により、前記光電変換部の他方の面上に前記第１電極よりも大面積であって、互いに平行に形成された複数の第２フィンガー部を備える第２電極を形成し、
加熱により、前記第１導電性ペースト及び前記第２導電性ペーストを硬化させて、前記各バインダ樹脂中に前記各導電性フィラーが分散した構造を有する前記第１電極及び前記第２電極を形成し、
前記導電性フィラー、前記バインダ樹脂、及び前記添加剤の少なくとも１つについて、その種類又は含有量の少なくとも一方が、前記第１導電性ペーストと前記第２導電性ペーストとで異なる、太陽電池の製造方法。 - 請求項１に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記添加剤には、溶剤が含まれ、
前記第２導電性ペーストの前記溶剤の含有量は、前記第１導電性ペーストの前記溶剤の含有量よりも多い、太陽電池の製造方法。 - 請求項１に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第１導電性ペーストは、前記添加剤として第１溶剤を含有し、
前記第２導電性ペーストは、前記添加剤として前記第１溶剤と種類が異なる第２溶剤を含有する、太陽電池の製造方法。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第１導電性ペーストは、前記バインダ樹脂として第１バインダ樹脂を含有し、
前記第２導電性ペーストは、前記バインダ樹脂として前記第１バインダ樹脂と種類が異なる第２バインダ樹脂を含有する、太陽電池の製造方法。 - 請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第２導電性ペーストは、前記第２電極の面積が大きくなるほど粘度を低くする、太陽電池の製造方法。 - 請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第１電極、前記第２電極を形成する工程の前に、結晶系の半導体基板の一方の面上及び他方の面上に、それぞれ、非晶質半導体層を形成して、前記光電変換部を形成する、太陽電池の製造方法。 - 請求項６に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第１電極及び前記第２電極の硬化は、２００℃以下の加熱により行われる、太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2012/072147 WO2014033908A1 (ja) | 2012-08-31 | 2012-08-31 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2014033908A1 JPWO2014033908A1 (ja) | 2016-08-08 |
| JP6065912B2 true JP6065912B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=50182756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014532677A Active JP6065912B2 (ja) | 2012-08-31 | 2012-08-31 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9755088B2 (ja) |
| JP (1) | JP6065912B2 (ja) |
| DE (1) | DE112012006858T5 (ja) |
| WO (1) | WO2014033908A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150117762A (ko) * | 2014-04-10 | 2015-10-21 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8143326B2 (en) * | 2004-09-28 | 2012-03-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Spin-printing of electronic and display components |
| US7242573B2 (en) * | 2004-10-19 | 2007-07-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive paste composition |
| JP5025135B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
| JPWO2007091412A1 (ja) * | 2006-02-08 | 2009-07-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | パターン膜形成方法及びパターン膜形成装置 |
| CN101512778B (zh) * | 2006-08-31 | 2012-05-09 | 信越半导体股份有限公司 | 半导体基板、形成电极的方法、及太阳能电池的制造方法 |
| ATE460750T1 (de) * | 2006-10-24 | 2010-03-15 | Commissariat Energie Atomique | Metallisierungseinrichtung und verfahren |
| US20100317147A1 (en) * | 2006-10-24 | 2010-12-16 | Commissariat A L'energie Atomique | Metallizing device and method |
| JP5100206B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2012-12-19 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| TW201015589A (en) * | 2008-09-05 | 2010-04-16 | Du Pont | Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells |
| KR101099237B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2011-12-27 | 엘에스전선 주식회사 | 전도성 페이스트와 이를 이용한 전도성 기판 |
| JP5178489B2 (ja) | 2008-12-17 | 2013-04-10 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| DE102011001999A1 (de) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Schott Solar Ag | Solarzelle |
| EP2717332A4 (en) * | 2011-06-03 | 2015-03-25 | Sanyo Electric Co | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SOLAR CELLS |
| CN103998387B (zh) * | 2011-08-26 | 2017-12-08 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于SINx和更好BSF形成的烧透铝膏 |
| US20140238476A1 (en) * | 2011-10-27 | 2014-08-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof, and photoelectric conversion module |
| US8894888B2 (en) * | 2011-12-21 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition with synthetic clay additive and its use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2015509269A (ja) * | 2012-01-17 | 2015-03-26 | バラスト エナジー インコーポレイテッド | 電極および電池 |
| US9082901B2 (en) * | 2012-04-11 | 2015-07-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell and manufacturing method of the same |
-
2012
- 2012-08-31 DE DE112012006858.0T patent/DE112012006858T5/de active Pending
- 2012-08-31 JP JP2014532677A patent/JP6065912B2/ja active Active
- 2012-08-31 WO PCT/JP2012/072147 patent/WO2014033908A1/ja active Application Filing
-
2015
- 2015-02-17 US US14/623,854 patent/US9755088B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9755088B2 (en) | 2017-09-05 |
| WO2014033908A1 (ja) | 2014-03-06 |
| JPWO2014033908A1 (ja) | 2016-08-08 |
| US20160043243A1 (en) | 2016-02-11 |
| DE112012006858T5 (de) | 2015-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9812594B2 (en) | Solar cell and method of manufacture thereof, and solar cell module | |
| CN105449014B (zh) | 具有电镀的金属格栅的太阳能电池 | |
| US9216607B2 (en) | Screen printing plate for solar cell and method for printing solar cell electrode | |
| US9553228B2 (en) | Solar cell, production method therefor, and solar cell module | |
| US9484485B2 (en) | Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor | |
| US20130000716A1 (en) | Manufacturing method of front electrode of solar cell | |
| WO2012147956A1 (ja) | 導電性部材、その製造方法、タッチパネル及び太陽電池 | |
| US20110214734A1 (en) | Method for manufacturing electrode for solar cell, substrate for solar cell manufactured by the same, and solar cell manufactured by the same | |
| JP2012084585A (ja) | 太陽電池素子並びにその製造方法 | |
| KR20100011945A (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2002076398A (ja) | 光起電力素子 | |
| WO2013141333A1 (ja) | 導電性部材、その製造方法、タッチパネル、及び太陽電池 | |
| JP6065912B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP6120680B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール | |
| Bottosso et al. | Reliable metallization process for ultra fine line printing | |
| JP5589668B2 (ja) | サブストレート型薄膜太陽電池の反射電極層及びその製造方法 | |
| JP5477233B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP6037135B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| Jeffries | Reactive Ink Metallization for Next Generation Photovoltaics | |
| JP2014229712A (ja) | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール | |
| JP6361881B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| WO2019003818A1 (ja) | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール | |
| WO2012014806A1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| KR101598501B1 (ko) | 실버프린팅을 이용한 태양전지의 투명전극의 제조방법과 이를 이용한 태양전지의 제조방법 | |
| JP2014014960A (ja) | 太陽電池素子の製造方法及びスクリーン印刷機 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161011 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161212 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6065912 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |