JP6065727B2 - Ｍｅｍｓスイッチの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＭＥＭＳスイッチの製造方法に関する。

従来、ＭＥＭＳスイッチが用いられている。ＭＥＭＳスイッチは、制御信号により導通及び遮断が制御される機械式スイッチにより形成されるので、半導体スイッチと比べて、スイッチングにおける損失が低く、高い絶縁性又は良好な歪み特性を有する。

例えば、ＭＥＭＳスイッチは、可動接点を有し基板の面方向に運動可能な可動部と、可動接点と対向するように、基板に固定された固定接点を有する。駆動部によって、可動部が運動することにより、可動接点が固定接点と接離する。

特開２０１１−１８７３７３号公報 特開２００４−１４４７１号公報 特開２００９−２５２５１６号公報

上述した可動接点及び固定接点の表面には、導電層が形成される。

可動接点及び固定接点の表面の面方向は、基板の面に対して垂直な方向を有しており、両接点の間隔は狭い。

可動接点及び固定接点の表面に導電層を形成する時には、例えば、スパッタ法等の成膜技術を用いて、高アスペクト比の空間に対向するように各導電層が成膜される。

そのため、可動接点又は固定接点の表面に形成される導電層の厚さが不十分となって、可動接点又は固定接点の導電性が低くなり、良好な導通状態が得られない場合があった。

そこで、本明細書では、上述した問題点を解決するＭＥＭＳスイッチの製造方法を提案することを目的とする。

本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一形態によれば、第１工程であって、支持層と、上記支持層上に積層される中間酸化膜と、上記中間酸化膜上に積層される活性層を有する第１基板に対して、上記活性層をパターニングして、上記第１基板の面方向と交差する方向の可動接触面と可動部電極パターンを有する可動部パターン、及び、上記可動部電極パターンに対して間隔をあけて対向する固定部電極パターンを形成し、上記可動接触面上に可動接触電極を形成し、且つ、上記可動部電極パターン上に可動部電極を形成し、且つ、上記固定部電極パターン上に、上記可動部電極と対向する固定部電極を形成し、上記可動部パターンの下に位置する上記中間酸化膜の部分を除去して、上記可動接触電極及び上記可動部電極を有し、上記第１基板の面方向に運動可能な可動部を形成する第１工程と、第２工程であって、第２基板をパターニングして、上記第２基板の面方向と交差する方向の固定接触面を有する固定接触電極パターンを第２基板上に形成し、上記固定接触面上に固定接触電極を形成する第２工程と、第３工程であって、上記固定接触電極と、上記可動接触電極とが間隔をあけて対向するように、上記第１基板と上記第２基板とを接合する第３工程と、を備える。

上述した本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一形態によれば、良好な導通状態を有するＭＥＭＳスイッチが得られる。

本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。

前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。

本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの一実施形態を示す平面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、ＭＥＭＳスイッチの要部を示す端面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、第１基板が、第２基板に対して回転して接合されたＭＥＭＳスイッチの要部を示す図ある。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その１）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その２）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その３）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その４）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その５）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その６）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その７）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その８）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その９）である。 本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの製造方法の一実施形態の製造工程を示す（その１０）である。

以下、本明細書で開示するＭＥＭＳスイッチの好ましい一実施形態を、図面を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。

図１は、本明細書に開示するＭＥＭＳスイッチの一実施形態を示す平面図である。図２（Ａ）は、図１のＸ１−Ｘ１線を通るＭＥＭＳスイッチの要部を示す端面図である。図２（Ｂ）は、図１のＸ２−Ｘ２線を通るＭＥＭＳスイッチの要部を示す端面図である。

本実施形態のＭＥＭＳスイッチ１は、固定接触電極２１と、固定接触電極２１と接離可能に間隔をあけて対抗する可動接触電極１３を有する。

ＭＥＭＳスイッチ１は、固定接触電極２１が配置された第２基板２０と、可動接触電極１３を有する可動部１１が配置された第１基板１０とが、シール部３０を介して、間隔をあけて対向するように接合して形成される。可動部１１が第１基板１０の面方向と平行な方向に運動することにより、可動接触電極１３が固定接触電極２１と接離する。図１には、ＭＥＭＳスイッチ１の構造が分かり易いように、第２基板２０は示されていない。

第１基板１０と第２基板２０との間には空間Ｒが形成されており、この空間Ｒ内に、固定接触電極２１及び可動接触電極１３が配置される。

第１基板１０は、支持層１０ａと、支持層１０ａ上に配置される中間酸化膜１０ｂと、中間酸化膜１０ｂ上に配置される活性層１０ｃを有する。第１基板１０として、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。

第１基板１０には、可動部１１を第１基板１０に接合する基部１１ｂが配置される。基部１１ｂは、第１基板１０の活性層１０ｃがパターニングされて形成される。

可動部１１は、基部１１ｂから固定接触電極２１に向かって延びる本体部１１ａと、本体部１１ａの両側部から間隔を開けて外方に向かって延びる複数の可動部電極１２を有する。複数の可動部電極１２は、櫛歯状の電極を形成する。

可動部１１は、第１基板１０の活性層１０ｃがパターニングされて形成される。可動部１１と第１基板１０との間の中間酸化膜１０ｂの部分は除去されており、可動部１１と第１基板１０の支持層１０ａとの間には空間が配置される。

本体部１１ａの長手方向における固定接触電極２１側の端部には、可動接触電極１３が配置される。また、本体部１１ａの中央には、本体部１１ａを貫通する空洞である中空部１１ｃが配置される。

可動部電極１２は、活性層１０ｃがパターニングされた可動部電極パターン１０ｅ上に導電層が積層されて形成される。図２（Ａ）に示すように、可動部電極１２と第１基板１０の支持層１０ａとの間には空間が配置される。

可動接触電極１３は、活性層１０ｃがパターニングされて形成された可動接触面１０ｆ上に導電層が積層されて形成される。可動接触面１０ｆは、第１基板１０の面方向と交差する方向の面を有する。本実施形態では、可動接触面１０ｆは、第１基板１０の面方向と直交する方向の面を有する。

図１に示すように、可動接触電極１３は、固定接触電極２１に向かって凸な形状を有する。

本体部１１ａ上には、各可動部電極１２を電気的に接続し、基部１１ｂに向かって延びる配線１６ａ、１６ｃが配置される。また、本体部１１ａ上には、可動接触電極１３から基部１１ｂに向かって延びる配線１６ｂが配置される。

基部１１ｂ上には、配線１６ａ、１６ｂ、１６ｃと電気的に接続するパッド１７ａ、１７ｂ、１７ｃが配置される。パッド１７ａ、１７ｂ、１７ｃそれぞれは、第２基板２０を貫通する貫通電極（図示せず）と電気的に接続する。可動部電極１２には、貫通電極（図示せず）から、パッド１７ａ、１７ｃ及び配線１６ａ、１６ｃを介して駆動電力が供給される。可動接触電極１３には、貫通電極（図示せず）から、パッド１７ｂ及び配線１６ｂを介して信号が入出力する。

また、本体部１１ａの両側部からは、対向する第１基板１０の活性層１０ｃに向かって梁１５が延びている。可動部１１の長手方向の可動接触電極１３側の端部は、２つの梁１５によって両側から支えられている。梁１５は、活性層１０ｃがパターニングされて形成される。梁１５と第１基板１０との間の中間酸化膜１０ｂの部分は除去されており、梁１５と第１基板１０の支持層１０ａとの間には空間が配置される。

固定部電極１４は、横長の基部１４ａから間隔をあけて可動部１１の本体部１１ａに向かって延びるように配置される。固定部電極１４は、可動部電極１２と間隔をあけて対向するように配置される。複数の固定部電極１４は、櫛歯状の電極を形成する。

固定部電極１４及び基部１４ａは、第１基板１０の活性層１０ｃ及び中間酸化膜１０ｂがパターニングされて形成される。

基部１４ａ上には、各固定部電極１４を電気的に接続する配線１８が配置される。配線１８は、第２基板２０を貫通する貫通電極（図示せず）と電気的に接続する。固定部電極１４には、貫通電極（図示せず）から、配線１８を介して駆動電力が供給される。

第２基板２０は、支持層２０ａと、支持層２０ａ上に配置される中間酸化膜２０ｂと、中間酸化膜２０ｂ上に配置される活性層２０ｃを有する。第２基板２０として、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。

第２基板２０には、固定接触電極２１が配置される。固定接触電極２１は、活性層２０ｃがパターニングされて形成された固定接触電極パターン２０ｄの固定接触面２０ｅ上に導電層が積層されて形成される。固定接触面２０ｅは、第２基板２０の面方向と交差する方向の面を有する。本実施形態では、固定接触面２０ｅは、第２基板２０の面方向と直交する方向の面を有する。

図１に示すように、固定接触電極２１は、可動接触電極１３に向かって凹な形状を有しており、可動接触電極１３に対して相補的な形状をしている。

図２（Ｂ）に示すように、固定接触電極２１は、中間酸化膜２０ｂ上に配置された配線２３及び第２基板２０を貫通する貫通電極２２を介して、支持層２０ａ上のパッド２４と電気的に接続している。固定接触電極２１には、パッド２４から、貫通電極２２及び配線２３を介して駆動電力が供給される。

また、ＭＥＭＳスイッチ１は、第１基板１０と、第２基板２０とを接合するシール部３０を有する。シール部３０は、第１基板１０及び第２基板２０の周縁同士を接合するように配置される。第１基板１０と第２基板２０との間には、シール部３０により囲まれて密閉された空間Ｒが形成される。シール部３０は導電性を有する。第２基板２０には、基板を貫通する貫通電極（図示せず）が配置されており、シール部３０は、この貫通電極を介して接地される。

次に、ＭＥＭＳスイッチ１の動作例を、以下に説明する。

固定部電極１４及び可動部電極１２に駆動電圧を印加することにより、固定部電極１４及び可動部電極１２の間に静電引力が生じ、可動部１１が固定接触電極２１側に向かって運動することにより、可動接触電極１３が固定接触電極２１と電気的に接触する。可動部１１の運動により、梁１５は撓む。

一方、固定部電極１４及び可動部電極１２に対する駆動電圧の印加を停止することにより、撓んだ梁１５の復元力によって、可動部１１が基部１１ｂ側に向かって運動することにより、可動接触電極１３が固定接触電極２１と離間する。

可動接触電極１３及び固定接触電極２１の接離による信号は、パッド１７ｂ及びパッド２４から入出力される。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、第１基板が、第２基板に対して回転して接合されたＭＥＭＳスイッチの要部を示す図である。

上述したＭＥＭＳスイッチ１は、例えば、接合装置（図示せず）を用いて、固定接触電極２１が配置された第２基板２０と、可動接触電極１３を有する可動部１１が配置された第１基板１０とが接合されて形成される。この時、図３（Ａ）に示すように、接合装置の精度に起因して、第２基板２０と第１基板１０とが、回転方向にずれて接合される場合がある。

図３（Ｂ）に示すように、ＭＥＭＳスイッチ１では、可動接触電極１３が、固定接触電極２１に向かって凸な形状を有するので、可動接触電極１３と固定接触電極２１との間に、少なくとも点による接触が確保されて、両電極間の導通状態が達成される。

また、ＭＥＭＳスイッチ１では、固定接触電極２１が可動接触電極１３に対して相補的な凹の形状を有するので、図３（Ａ）に示すように、第１基板１０が第２基板２０に対して回転して接合された時でも、両電極が所定の間隔をあけて対向する状態が確保される。

次に、上述した本実施形態のＭＥＭＳスイッチの製造方法の好ましい一実施形態を、図面を参照して、以下に説明する。

まず、第１基板１０上に可動部１１を形成する工程を説明した後、第２基板２０上に固定接触電極２１を形成する工程を説明する。

まず、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、支持層１０ａと、支持層１０ａ上に配置される中間酸化膜１０ｂと、中間酸化膜１０ｂ上に配置される活性層１０ｃを有する第１基板１０が用意される。図４（Ａ）は、図２（Ａ）に対応しており、可動部電極１２及び固定部電極１４が形成される部分を示す。また、図４（Ｂ）は、図２（Ｂ）に対応しており、可動接触電極１３が形成される部分を示す。このことは、以下の図面においても同様である。本実施形態では、第１基板１０として、ＳＯＩ基板を用いた。

次に、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すように、第１基板１０の活性層１０ｃがパターニングされて、第１基板１０の面方向と直交する方向の可動接触面１０ｆと可動部電極パターン１０ｅを有する可動部パターン１０ｄ及び基部１１ｂが形成される。可動部電極パターン１０ｅは、櫛歯状に形成される。可動部電極パターン１０ｅ及び本体部１１ａ及び中空部１１ｃは、可動部パターン１０ｄの一部である。図５（Ｃ）に示すように、可動部パターン１０ｄは、可動接触面１０ｆが、外方に向かって凸な形状を有するようにパターニングされる。ここで、図５（Ｂ）は、図５（Ｃ）のＹ１−Ｙ１線端面図である。

同時に、第１基板１０の活性層１０ｃがパターニングされて、可動部電極パターン１０ｅに対して間隔をあけて対向する固定部電極パターン１０ｇと、基部１４ａが形成される。固定部電極パターン１０ｇは、櫛歯状に形成される。また、このパターニングによって、梁１５もパターニングされる。更に、このパターニングによって、活性層１０ｃが除去されて、空間Ｒが形成される。

なお、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）には、基部１１ｂ、１４ａは示していない。

本実施形態では、活性層１０ｃのパターニング技術として、フォトリソグラフィ法及ディープ反応性イオンエッチング(Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ)法を用いた。

次に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、可動接触面１０ｆ上及び可動部電極パターン１０ｅ上及び固定部電極パターン１０ｇ上に導電層４０を形成する。本実施形態では、スパッタ法を用いて、厚さ５０ｎｍのチタンと、厚さ５００ｎｍの金と、厚さ５０ｎｍのモリブデンとが、順番に積層されて導電層４０が形成された。

可動接触面１０ｆと、第１基板１０上の可動接触面１０ｆと対向する部分との間は、１００μｍ以上離れていることが、可動接触面１０ｆ上に十分な厚さの導電層４０を形成する観点から好ましい。本実施形態では、可動接触面１０ｆは空間Ｒに面しており、可動接触面１０ｆから１００μｍ以内には、可動接触面１０ｆと対向するものは第１基板１０上に配置されない。

また、本実施形態では、可動接触面１０ｆ上に導電層４０を積層する時には、可動部パターン１０ｄにおける第１基板１０の面方向と平行な部分の上にも導電層４０が積層される。そして、可動接触面１０ｆ上に積層される導電層４０の厚さは、可動部パターン１０ｄにおける第１基板１０の面方向と平行な部分の上に積層される導電層４０の厚さに対して５０％以上、特に８０％以上であることが好ましい。導電層４０を形成する技術として、第１基板１０の面方向と交差する方向の面に対して、高い成膜速度を有する方法を用いることが、可動接触面１０ｆ上に十分な厚さの導電層４０を形成する観点から好ましい。

なお、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）には、基部１１ｂ及び基部１４ａ及び梁１５及び本体部１１ａの全体を示されていない。

また、図６（Ａ）に示す例では、可動部電極パターン１０ｅは、固定部電極パターン１０ｇと対向していない側の面の上にも導電層４０が形成されているが、こちら側の面には導電層を形成しなくても良い。また、図６（Ｂ）に示す例では、可動部パターン１０ｄにおいて、中空部１１ｃに面しており、第１基板の面方向と直交する方向の面の上にも導電層４０が形成されているが、この面には導電層を形成しなくても良い。

次に、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、導電層４０がパターニングされて、可動接触電極１３と、可動部電極１２と、固定部電極１４と、配線１６ａ〜１６ｃと、パッド１７ａ〜１７ｃと、配線１８が形成される。なお、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）には、配線１６ａ、１６ｃと、パッド１７ａ〜１７ｃと、配線１８は示されていない。

本実施形態では、導電層４０のパターニング技術として、フォトリソグラフィ法及ディープ反応性イオンミリング法を用いた。

そして、可動部パターン１０ｄの下に位置する中間酸化膜１０ｂの部分が除去されて、図１３(Ａ)及び図１３（Ｂ）に示すように、可動接触電極１３及び櫛歯状の可動部電極１２を有し、第１基板１０の面方向に運動可能な可動部１１（図１及び図２参照）が形成される。

本実施形態では、中間酸化膜１０ｂは、バッファードフッ酸を用いたエッチング法により除去された。以上が、第１基板１０上に可動部１１を形成する工程の説明である。次に、第２基板２０上に固定接触電極２１を形成する工程を説明する。

まず、図８に示すように、支持層２０ａと、支持層２０ａ上に配置される中間酸化膜２０ｂと、中間酸化膜２０ｂ上に配置される活性層２０ｃを有する第２基板２０が用意される。図８は、図２（Ａ）に対応しており、固定接触電極２１が形成される部分を示す。

次に、図９に示すように、第２基板２０に対して、支持層２０ａ側から中間酸化膜２０ｂまで延びる孔が形成された後、孔内に導電体が充填されて、将来貫通電極となる電極２２が形成される。また、支持層２０ａ上には、電極２２と電気的に接続するパッド２４が形成される。

次に、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、第２基板２０の活性層２０ｃがパターニングされて、第２基板２０の面方向と直交する方向の固定接触面２０ｅを有する固定接触電極パターン２０ｄが第２基板２０上に形成される。図１０（Ｂ）に示すように、活性層２０ｃは、固定接触面２０ｅが、外方に向かって凹な形状を有するようにパターニングされる。ここで、図１０（Ａ）は、図１０（Ｂ）のＹ２−Ｙ２線端面図である。

本実施形態では、活性層２０ｃのパターニング技術として、フォトリソグラフィ法及ディープ反応性イオンエッチング(Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ)法を用いた。

また、このパターニングにより、活性層２０ｃが除去されて、電極２２は、支持層２０ａ及び中間酸化膜２０ｂを貫通する貫通電極となる。貫通電極２２の端面は、中間酸化膜２０ｂの表面に露出する。

次に、図１１に示すように、固定接触面２０ｅ上及び固定接触電極パターン２０ｄ上に導電層４１を形成する。本実施形態では、スパッタ法を用いて、厚さ５０ｎｍのチタンと、厚さ５００ｎｍの金と、厚さ５０ｎｍのモリブデンとが、順番に積層されて導電層４１が形成された。

固定接触面２０ｅと、第２基板２０上の固定接触面２０ｅと対向する部分との間は、１００μｍ以上離れていることが、固定接触面２０ｅ上に十分な厚さの導電層４１を形成する観点から好ましい。本実施形態では、固定接触面２０ｅから１００μｍ以内には、固定接触面２０ｅと対向するものは第２基板２０上に配置されない。

また、本実施形態では、固定接触面２０ｅ上に導電層４１を積層する時には、固定接触電極パターン２０ｄにおける第２基板２０の面方向と平行な部分の上にも導電層４１が積層される。そして、固定接触面２０ｅ上に積層される導電層４１の厚さは、固定接触電極パターン２０ｄにおける第２基板２０の面方向と平行な部分の上に積層される導電層４１の厚さに対して５０％以上、特に８０％以上であることが好ましい。導電層４１を形成する技術として、第２基板２０の面方向と交差する方向の面に対して、高い成膜速度を有する方法を用いることが、固定接触面２０ｅ１上に十分な厚さの導電層４１を形成する観点から好ましい。

また、第２基板２０上には、シール部３０（図示せず）が形成される。シール部３０は、第２基板２０の周縁に沿って形成される。シール部３０は、スパッタ法又はメッキ法を用いて形成することができる。シール部３０は、導電層４１と同時に形成しても良い。

次に、図１２に示すように、導電層４１がパターニングされて、固定接触電極２１と、配線２３が形成される。本実施形態では、導電層４１のパターニング技術として、フォトリソグラフィ法及ディープ反応性イオンミリング法を用いた。

以上が、第２基板２０上に固定接触電極２１を形成する工程の説明である。第１基板１０上に可動部１１を形成する工程と、第２基板２０上に固定接触電極２１を形成する工程とは、どちらが先でも良い。また、両工程を同時に行っても良い。

次に、図１３(Ａ)及び図１３（Ｂ）に示すように、固定接触電極２１と、可動接触電極１３とが間隔をあけて対向するように、第１基板１０と第２基板２０とを、シール部３０（図示せず）を介して接合する。

上述した本実施形態のＭＥＭＳスイッチの製造方法によれば、固定接触電極２１及び可動接触電極１３それぞれが別々に形成されるので、十分な厚さを有する導電層を形成することができるため、良好な導通状態を有するＭＥＭＳスイッチが得られる。

本発明では、上述した実施形態のＭＥＭＳスイッチ及びＭＥＭＳスイッチの製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。

例えば、上述したＭＥＭＳスイッチの製造方法の実施形態では、可動接触面１０ｆが凸な形状を有し、固定接触面２０ｅが凹な形状を有していた。しかし、可動接触面１０ｆが凹な形状を有するように活性層１０ｃをパターニングし、固定接触面２０ｅが凸な形状を有するように活性層２０ｃをパターニングしても良い。

ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。

１ ＭＥＭＳスイッチ
１０ 第１基板
１０ａ 支持層
１０ｂ 中間酸化膜
１０ｃ 活性層
１０ｄ 可動部パターン
１０ｅ 可動部電極パターン
１０ｆ 可動接触面
１０ｇ 固定部電極パターン
１１ 可動部
１１ａ 本体部
１１ｂ 基部
１１ｃ 中空部
１２ 可動部電極
１３ 可動接触電極
１４ 固定部電極
１４ａ 基部
１５ 梁
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ 配線
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ パッド
１８ 配線
２０ 第２基板
２０ａ 支持層
２０ｂ 中間酸化膜
２０ｃ 活性層
２０ｄ 固定接触電極パターン
２０ｅ 固定接触面
２１ 固定接触電極
２２ 貫通電極
２３ 配線
２４ パッド
３０ シール部
Ｒ 空間
４０ 導電層
４１ 導電層

Claims (7)

1. 第１工程であって、
   支持層と、前記支持層上に積層される中間酸化膜と、前記中間酸化膜上に積層される活性層を有する第１基板に対して、前記活性層をパターニングして、前記第１基板の面方向と交差する方向の可動接触面と可動部電極パターンを有する可動部パターン、及び、前記可動部電極パターンに対して間隔をあけて対向する固定部電極パターンを形成し、
   前記可動接触面上に可動接触電極を形成し、且つ、前記可動部電極パターン上に可動部電極を形成し、且つ、前記固定部電極パターン上に、前記可動部電極と対向する固定部電極を形成し、
   前記可動部パターンの下に位置する前記中間酸化膜の部分を除去して、前記可動接触電極及び前記可動部電極を有し、前記第１基板の面方向に運動可能な可動部を形成する第１工程と、
   第２工程であって、
   第２基板をパターニングして、前記第２基板の面方向と交差する方向の固定接触面を有する固定接触電極パターンを第２基板上に形成し、
   前記固定接触面上に固定接触電極を形成する第２工程と、
   第３工程であって、
   前記固定接触電極と、前記可動接触電極とが間隔をあけて対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを接合する第３工程と、
   を備えるＭＥＭＳスイッチの製造方法。
2. 前記可動接触面が凸な形状を有するように、前記活性層をパターニングする請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
3. 前記固定接触面が凹な形状を有するように、前記第２基板をパターニングする請求項２に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
4. 前記可動接触面と、前記第１基板上の前記可動接触面と対向する部分との間は、１００μｍ以上離れている請求項１〜３の何れか一項に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
5. 前記固定接触面と、前記第２基板上の前記固定接触面と対向する部分との間は、１００μｍ以上離れている請求項１〜４の何れか一項に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
6. 前記可動接触面上に前記第１導電層を積層して前記可動接触電極を形成し、
   前記可動接触面上に前記第１導電層を積層する時には、前記可動部パターンにおける前記第１基板の面方向と平行な部分の上にも前記第１導電層を積層し、
   前記可動接触面上に積層される前記第１導電層の厚さは、前記可動部パターンにおける前記第１基板の面方向と平行な部分の上に積層される前記第１導電層の厚さに対して５０％以上である請求項１〜５の何れか一項に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。
7. 前記固定接触面上に前記第２導電層を積層して前記固定接触電極を形成し、
   前記固定接触面上に前記第２導電層を積層する時には、前記固定接触電極パターンにおける前記第２基板の面方向と平行な部分の上にも前記第２導電層を積層し、
   前記固定接触面上に積層される前記第２導電層の厚さは、前記固定接触電極パターンにおける前記第２基板の面方向と平行な部分の上に積層される前記第２導電層の厚さに対して５０％以上である請求項１〜６の何れか一項に記載のＭＥＭＳスイッチの製造方法。

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