JP6049804B2

JP6049804B2 - 環系芳香族のフッ素化

Info

Publication number: JP6049804B2
Application number: JP2015107073A
Authority: JP
Inventors: ディマグノ，ステファン
Original assignee: ヌテクベンチャーズ
Priority date: 2008-10-21
Filing date: 2015-05-27
Publication date: 2016-12-21
Anticipated expiration: 2029-10-20
Also published as: ES2627825T3; US20120004417A1; US8604213B2; JP2015180668A; CA2741967A1; EP2537826B1; AU2009307715B2; WO2010048170A3; WO2010048170A2; ES2861578T3; EP3284736A1; EP3284736B1; JP2012506440A; EP2349977A2; AU2009307715A1; EP2537826A1; EP2349977A4

Description

連邦がスポンサーである研究または開発
米国政府は、国立科学機構（ＮａｔｉｏｎａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏ
ｎ）が授与したグラント番号ＣＨＥ−０７１７５６２に係る本発明の一部の権利を有する
。

関連出願の相互参照
本出願は、２００８年１０月２１日に受理された米国特許仮出願第６１／１０７，１５
６号および２００９年８月２１日に受理された同第６１／２３６，０３７号の優先権を主
張するものであり、これら双方の仮出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれ
ている。

本開示は、フッ化アリールの合成、例えば、^１８Ｆで標識された放射性トレーサーの調
製において有用な試薬および方法に関する。本明細書で提供される試薬および方法は、芳
香族化合物、複素芳香族化合物、アミノ酸、ヌクレオチドおよび合成化合物を含めての広
範囲の化合物を利用するために使用することができる。

フッ化アリールは、天然産品、ならびに陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）用のトレーサー
および医薬品を含めての多数の重要な医薬化合物においてその構造の一部分である。

したがって、かかるフッ化アリールを生成するための方法および試薬、例えば、フッ化
アリールを生成するための効率的な方法が望まれている。

本明細書では、ジアリールヨードニウム化合物および中間体を使用して置換された、ア
リールおよびヘテロアリール環系を調製する方法が提供される。例えば、本明細書で提供
されるのと同様なジアリールヨードニウム塩およびフッ化ジアリールヨードニウムを分解
することによってフッ化アリールを調製をすることができる。

例えば、本明細書では、式（１）

［式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｘは、ｐＫａが１２未満
の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法が提供される。一実施形態で
は、その方法は、Ｍが対イオン、Ｘが式（１）に定義した通りである化合物ＭＸと、式（
２）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｙは、脱離基
であり、Ａｒ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応
させるステップを含む。反応した後に、極性溶媒は、反応混合物から除去することができ
、残留混合物は、非極性溶媒と合わせ、加熱することができる。別の実施形態では、非極
性溶媒、化合物ＭＸおよび式（２）の化合物を含む溶液は、加熱することによって式（１
）の化合物を提供することができる。

一部の実施形態では、ＭＸと式（２）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱前
にろ過することができる。ろ過ステップによって、反応混合物中に残留するどんな不溶解
材料（例えば、不溶解塩）を除去することができる。一部の実施形態では、溶媒は、加熱
前にろ液から除去することができる（つまり、残渣は、それだけで加熱することができる
。）。

さらなる実施形態では、ＭＸと式（２）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱
前にろ過することができ、非極性溶媒は、除去（例えば、蒸発によって）することができ
、試料の加熱は、異なる溶媒中で実施することができる。

一部の実施形態では、Ｘは、ハライド、カルボン酸アリール、カルボン酸アルキル、ホ
スファート、ホスホナート、ホスホニット、アジド、チオシアナート、シアナート、フェ
ノキシド、トリフラート、トリフルオロエトキシド、チオラートおよび安定化エノラート
から選択することができる。例えば、Ｘは、フルオリド、クロリド、ブロミド、ヨージド
、トリフラート、トリフルオロアセタート、ベンゾアート、アセタート、フェノキシド、
トリフルオロエトキシド、シアナート、アジド、チオシアナート、チオラート、ホスファ
ートおよび安定化エノラートから選択することができる。一部の実施形態では、Ｘは、フ
ルオリドである。一部の実施形態では、Ｘは、放射性アイソトープであり、例えば、Ｘは
、フルオリドの放射性アイソトープ（例えば、^１８Ｆ）であってよい。

本明細書に記載された方法を使用することによって、フッ素化された、アリールまたは
ヘテロアリール環系（例えば、放射化標識され、フッ素化された、アリールまたはヘテロ
アリール環系）を調製することができる。例えば、本明細書では、式（３）

［式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を調製する方
法が提供される。一実施形態では、その方法は、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、上に
記載した式（２）の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップを含む。反応した後に、
極性溶媒は、反応混合物から除去することができ、残留混合物は、非極性溶媒と合わせ、
加熱することができる。別の実施形態では、非極性溶媒、化合物ＭＦおよび式（２）の化
合物を含む溶液は、加熱することによって式（３）の化合物を提供することができる。

一部の実施形態では、ＭＦと式（２）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱前
にろ過することができる。ろ過ステップによって、反応混合物中に残留するどんな不溶解
材料（例えば、不溶解塩）も除去することができる。一部の実施形態では、溶媒は、加熱
前にろ液から除去することができる（つまり、残渣は、それだけで加熱することができる
。）。

さらなる実施形態では、ＭＦと式（２）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱
前にろ過することができ、非極性溶媒は、除去（例えば、蒸発によって）することができ
、試料の加熱は、異なる溶媒中で実施することができる。

Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系である。例えば、Ａｒ^１−Ｈ
は、ベンゼンより容易に酸化することができる。一部の実施形態では、部分Ａｒ^１は、ハ
メットのσ_ｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換することができる。例え
ば、置換基は、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）ハロアルキル、（Ｃ_２
−Ｃ_１０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル
、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択
することができる。一部の実施形態では、Ａｒ^１は、

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５は、Ｈ、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−（
Ｃ_１−Ｃ_１０）ハロアルキル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルキニ
ル、−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、ア
リールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４および
Ｒ^５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を
形成する。］であってよい。

Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。一部の実施形態では、Ａｒ^２は
、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体（typtophan derivati
ve）、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される。一部の実施形態
では、Ａｒ^２は、

［式中、Ｐ^１、Ｐ^２およびＰ^６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１お
よびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３、Ｐ^４およびＰ^７のそれぞれ
は、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸
素保護基を形成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される。

本明細書ではまた、式（６）

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ
^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、
アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形
成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法も提供される。一実
施形態では、その方法は、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと式（７）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｙは、脱離基
であり、Ｐ^１、Ｐ^２、Ｐ^３、Ｐ^４およびＰ^５は、上に定義した通りである。］の化合物と
を極性溶媒中で反応させるステップを含む。反応した後に、極性溶媒は、反応混合物から
除去することができ、残留混合物は、非極性溶媒と合わせ、加熱することができる。別の
実施形態では、非極性溶媒、化合物ＭＦおよび式（７）の化合物を含む溶液は、加熱する
ことによって式（６）の化合物を提供することができる。

一部の実施形態では、ＭＦと式（７）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱前
にろ過することができる。ろ過ステップによって、反応混合物中に残留するどんな不溶解
材料（例えば、不溶解塩）も除去することができる。一部の実施形態では、溶媒は、加熱
前にろ液から除去することができる（つまり、残渣は、それだけで加熱することができる
。）。

さらなる実施形態では、ＭＦと式（７）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱
前にろ過することができ、非極性溶媒は、除去（例えば、蒸発によって）することができ
、試料の加熱は、異なる溶媒中で実施することができる。

上に記載された方法では、Ｙは、任意の脱離基であってよく、例えば、Ｙは、例えば、
トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、
ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフ
ルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラー
ト、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドまたはヨージドであっ
てよい。

Ｍは、Ｘ部分の性質に応じて変わることができる。一部の実施形態では、Ｍは、カリウ
ム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリ
ウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンまたはホスホニウ
ムカチオンであってよい。

本明細書で記載の方法で使用される非極性溶媒は、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ−
キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シク
ロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンまたはそれらの混合物
であってよい。一部の実施形態では、非極性溶媒は、ベンゼンを含む。一部の実施形態で
は、非極性溶媒は、トルエンを含む。

本明細書で記載の方法で使用される極性溶媒は、例えば、アセトニトリル、アセトン、
ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジ
フルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドまたはそれらの混合物であってよい。

反応混合物の加熱は、約２５℃〜約２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含むこ
とができる。一部の実施形態では、加熱ステップは、約１秒〜約２５分の間で行ってよい
。一部の実施形態では、加熱ステップは、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイ
クロウエーブ法で実施される。

一部の実施形態では、式（２）の化合物は、

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ
^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、
アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形
成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される。例えば、式（２）の化合物
は、

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ
^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、
アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形
成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］であってよい。一部の実施形態では、式（２
）の化合物は、

であってよい。一部の実施形態では、式（２）の化合物は、

であってよい。

一部の実施形態では、式（２）の化合物は、

から選択される。

一部の実施形態では、式（２）の化合物は、

［式中、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択さ
れる。

一部の実施形態では、式（１）または式（３）の化合物は、

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ
^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、
アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形
成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される。

から選択される。

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ
^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、
アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形
成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］であってよい。例えば、式（１）または式（
３）の化合物は、

であってよい。一部の実施形態では、式（１）または式（３）の化合物は、

であってよい。

一部の実施形態では、式（７）の化合物は、

であってよい。例えば、式（７）の化合物は、

であってよい。

一部の実施形態では、式（６）の化合物は、

であってよい。

本明細書ではまた、非極性溶媒および式（５）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ａｒ^２および
Ｘは、式（１）に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含
むことができる、式（１）の化合物を作製するための方法が提供される。一部の実施形態
では、反応混合物は、加熱前にろ過される（つまり、不溶解材料を除去するために）。一
部の実施形態では、反応混合物は、ろ過され、非極性溶媒は、除去され、生成残渣は、加
熱前に極性溶媒中に溶解される。一部の実施形態では、Ｘは、Ｆ（例えば、^１８Ｆ）であ
る。

本明細書ではまた、非極性溶媒および式（４）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ａｒ^２は、式
（３）に対して定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む
ことができる、式（３）の化合物を作製するための方法が提供される。一部の実施形態で
は、反応混合物は、加熱前にろ過される（つまり、不溶解材料を除去するために）。一部
の実施形態では、反応混合物は、ろ過され、非極性溶媒は、除去され、生成残渣は、加熱
前に極性溶媒中に溶解される。

本明細書ではさらに、式（８）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｐ^１およびＰ
^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単
一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であ
り、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、Ｐ^５は、カルボ
ン酸保護基である。］の化合物が提供される。一部の実施形態では、式（８）の化合物は
、

である。一部の実施形態では、式（８）の化合物は、

である。

式（６）の化合物もまた、提供される。その化合物は、本明細書で記載された任意の方
法を使用して調製することができる。

本発明の１つまたは複数の実施形態の詳細は、添付の図面および以下の説明で述べられ
る。本発明のその他の特徴、目的および利点は、その説明および図面、ならびに特許請求
の範囲から明白であろう。

９０℃におけるアセトニトリル中のＭＴＥＢ−Ｉ−Ｆの分解を示す図である。９０℃におけるベンゼン中のＭＴＥＢ−Ｉ−Ｆの分解を示す図である。６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡの^１ＨＮＭＲの詳細を示す図である。６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡの^１９ＦＮＭＲの詳細を示す図である。

定義
別段の定義がない限り、本明細書で使用される技術および科学用語はすべて、本開示の
分野に属する当業者によって通常理解されているのと同じ意味を有する。特許、出願特許
、公開特許およびその他の刊行物はすべて、その全体が参照により組み込まれている。本
明細書中の一つの用語に対する複数の定義が存在する場合、別段の指示がない限り、当該
セクションにおける定義がそこで適用されるものとする。

本明細書では、文脈が明白に別段の指示をしない限り、単数形「ａ」、「ａｎ」および
「ｔｈｅ」は複数の指示対象を含むものとする。

一般には、「アリール」という用語には、ベンゼンやフェニルなどの５および６員の単
環芳香族基を含めての、環構造を形成し芳香族特性を有する５〜１４個の炭素原子を有す
る基が含まれる。さらには、「アリール」という用語には、多環式アリール基、例えば、
ナフタレンやアントラセンなどの三環式、二環式が含まれる。

「ヘテロアリール」という用語には、１〜４個のヘテロ原子を有する５および６員の単
環芳香族基、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、チアゾール、イソチアオゾール、
イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾ
ール、ピリジン、ピラジン、ピリダジンおよびピリミジンなどを含めての、環構造を形成
し芳香族特性を有する５〜１４個の原子を有する基が含まれる。さらには、「ヘテロアリ
ール」という用語には、ベンゾオキサゾール、ベンゾジオキサゾール、ベンゾチアゾール
、ベンゾイミダゾール、ベンゾチオフェン、メチレンジオキシフェニル、キノリン、イソ
キノリン、ナプトリジン、インドール、ベンゾフラン、プリン、ベンゾフラン、デアザプ
リン、インダゾールまたはインドリジンなどの、多環式ヘテロアリール基、例えば、三環
式、二環式が含まれる。

「置換された」という用語は、原子または原子群が、別の基に結合した「置換基」とし
て構造上水素を置換することを意味する。アリールおよびヘテロアリール基の場合、「置
換された」という用語は、別段の指示がない限り、任意の数の置換、即ち、その置換が許
される限り、１つの、２つの、３つの、４つのまたは５つの置換を表す。置換基は、独立
に選択され、置換は、化学的に可能な任意の位置であってよい。

本明細書で提供される化合物は、多様な立体化学形態および互変異性体を包含すること
ができる。化合物はまた、ジアステレオマー、ならびに光学異性体、例えば、ある種の化
合物において構造不斉の結果として発生するラセミ混合物を含むエナンチオマー混合物、
および個々のエナンチオマーおよびジアステレオマーも包含する。個々の異性体の分離ま
たは個々の異性体の選択的合成は、当業者に周知の多様な方法を適用することによって実
施される。

本明細書で使用される「電子に富む」という用語は、ベンゼンより容易に酸化されるア
リールまたはアリールヘテロ環系を指す。例えば、アリールまたはアリールヘテロ環系は
、ハメットのσ_ｐ値がゼロ未満である１つまたは複数の置換基によって置換することがで
きる。

別段の明確な指示がない限り、「フッ素」という用語には、フッ素のアイソトープすべ
てが含まれる。多数のフッ素アイソトープが公知であるが、^１９Ｆのみが安定である。放
射性アイソトープ^１８Ｆの半減期は１０９．８分であり、放射性崩壊中に陽電子を放出す
る。本開示の化合物中の指定された位置に存在する^１８Ｆの相対量は、その化合物を作製
するのに使用された^１８Ｆ標識試薬のアイソトープ純度、その化合物を調製するのに使用
された多様な合成ステップにおける^１８Ｆ組込みの効率および^１８Ｆの生成後の時間の長
さを含めての多数の因子によって決まることになる。本開示の方法および化合物において
ある位置が、^１８Ｆであると具体的に示された場合、その位置は、少なくとも約０．０１
％、少なくとも約０．１％、少なくとも約１％、少なくとも約２％、少なくとも約３％、
少なくとも約４％、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、少なくとも約１５％、少な
くとも約２０％、少なくとも約２５％、少なくとも約３０％、少なくとも約３５％、少な
くとも約４５％、少なくとも約５０％、少なくとも約５５％、少なくとも約６０％、少な
くとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％または
少なくとも約８５％のサイトで^１８Ｆの組込みが行われていると理解されたい。

置換アリールおよびヘテロアリール環系を調製する方法
本明細書では、ジアリールヨードニウム化合物および中間体を使用して置換アリールま
たはヘテロアリール環系を調製する方法が提供される。例えば、本明細書で提供されるの
と同様なジアリールヨードニウム塩およびフッ化ジアリールヨードニウムを分解すること
によってフッ化アリールを調製することができる。

例えば、本明細書では、式（１）

［式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法が提
供される。一部の実施形態では、式（１）の化合物は、スキーム１に示すのと同様に調製
することができる。

一部の実施形態では、方法は、Ｍが対イオン、Ｘが式（１）で定義した通りである化合
物ＭＸと、式（２）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｙは、脱離基
であり、Ａｒ^２およびＸは、式（１）で上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶
媒中で反応させるステップを含むことができる。次いで、極性溶媒は、反応混合物から除
去することができる。次いで、残留混合物は非極性溶媒と合わせ、加熱することによって
式（１）の化合物を生成することができる。

一部の実施形態では、方法は、非極性溶媒、化合物ＭＸおよび式（２）の化合物を含む
混合物を加熱するステップを含むことができる。

一部の実施形態では、ＭＸと式（２）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱前
にろ過することができる。ろ過ステップによって、反応混合物中に残留するどんな不溶解
材料（例えば、不溶解塩）も除去することができる。一部の実施形態では、溶媒は、加熱
前にろ液から除去することができる（つまり、残渣は、それだけで加熱することができる
。）。

本明細書に記載の方法を使用して調製される置換アリールおよびヘテロアリールは、Ｈ
−Ｘ（つまり、Ｘの共役酸）のｐＫａが１２未満であるような任意の部分を含むＸ部分を
有することができる。一部の場合、Ｘは放射性アイソトープ（例えば、^１８Ｆ、^１２３Ｉ
、^１３１Ｉ、ならびに^３２Ｐおよび^３３Ｐを有する化合物）である。一部の実施形態では
、Ｘは、ハライド、カルボン酸アリール、カルボン酸アルキル、ホスファート、ホスホナ
ート、ホスホニット、アジド、チオシアナート、シアナート、フェノキシド、トリフラー
ト、トリフルオロエトキシド、チオラートおよび安定化エノラートから選択することがで
きる。例えば、Ｘは、フルオリド、クロリド、ブロミド、ヨージド、トリフルオロアセタ
ート、ベンゾアートおよびアセタートであってよい。一部の実施形態では、Ｘは、フルオ
リドである。一部の実施形態では、Ｘは、フルオリドの放射性アイソトープ（例えば、^１
^８Ｆ）である。

Ｙは、任意の適切な脱離基であってよい。一部の実施形態では、Ｙは、弱く配位したア
ニオン（つまり、ヨウ素と弱くしか配位しないアニオン）である。例えば、Ｙは、強酸の
共役塩基、例えば、共役酸（Ｈ−Ｙ）のｐＫａが約１未満であるような任意のアニオンで
あってよい。例えば、Ｙは、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート
、トルエンスルフォナート（トシラート）、ニトロフェニルスルホナート（ノシラート）
、ブロモフェニルスルホナート（ブロシラート）、ペルフルオロアルキルスルホナート（
例えば、ペルフルオロＣ_２−１０アルキルスルホナート）、テトラフェニルボラート、ヘ
キサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、ペルフルオロアルキルカルボキシ
ラート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ヘキサフルオロスチバート、ヘキサ
クロロスチバート、クロリド、ブロミドまたはヨージドであってよい。一部の実施形態で
は、アセタートやベンゾアートなどのわずかにより塩基性の脱離基を使用することができ
る。

対イオンＭは、所望のＸに対して任意の適切なカチオンであってよい。Ｘ源（X source
）、したがってＭの選択は、容易に当業者の知見の範囲内にある。例えば、Ｍは、例えば
、カルシウム、マグネシウム、カリウム、ナトリウムおよび亜鉛塩などのアルカリ金属、
アルカリ土類金属および遷移金属塩から選択してよい。金属カチオンはまた、クリプタン
ドまたはクラウンエーテルと錯体を形成することによってその溶解度を増進し、Ｘ部分を
不安定化することもできる。Ｍはまた、例えば、Ｎ，Ｎ’ジベンジルエチレンジアミン、
クロロプロカイン、コリン、ジエタノールアミン、エチレンジアミン、メグルミン（Ｎ−
メチルグルカミン）およびプロカインから誘導された第四級アミンから作製された有機塩
を含むこともできる。一部の実施形態では、Ｍは、クリプタンドもしくはクラウンエーテ
ルと一緒になったリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウム、四置換アンモニウム
カチオンあるいはホスホニウムカチオンであってよい。Ｘがフルオリドである場合、フル
オリド源の選択はやはり、容易に当業者の知見の範囲内にある。本明細書で提供されるフ
ッ素化アリールおよびヘテロアリール化合物を調製する際に、限定されないが、ＮａＦ、
ＫＦ、ＣｓＦ、フッ化テトラブチルアンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウム
を含めての多様なフルオリド源を使用することができる。ある場合には、フルオリド源の
選択は、式（２）の化合物上に存在する官能基で決まることになる。

上に説明された方法は、フッ素化アリールおよびヘテロアリール環系の調製において有
用であり得る。例えば、こうした方法は、式（３）

［式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を調製するの
に使用することができる。詳細には、こうした方法は、放射標識されたフッ素化アリール
およびヘテロアリール環系（例えば、ＰＥＴ放射トレーサー）を調製するのに使用するこ
とができる。一部の実施形態では、こうした方法は、化合物ＭＦと式（２）の化合物とを
極性溶媒中で反応させるステップを含むことができる。次いで、極性溶媒は、反応混合物
から除去することができる。次いで、残留混合物は非極性溶媒と合わせ、加熱することに
よって式（３）の化合物を生成することができる。

一部の実施形態では、こうした方法は、非極性溶媒、化合物ＭＦおよび式（２）の化合
物を含む混合物を加熱するステップを含むことができる。

一部の実施形態では、ＭＦと式（２）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱前
にろ過することができ、非極性溶媒は、除去（例えば、蒸発によって）することができ、
試料の加熱は、異なる溶媒中で実施することができる。

一部の実施形態では、式（３）の化合物は、式（６）

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ
^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、
アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形
成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物であってよい。一部の実施形態では
、方法は、化合物ＭＦと、式（７）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｙは、脱離基
であり、Ｐ^１、Ｐ^２、Ｐ^３、Ｐ^４およびＰ^５は、式（６）で定義した通りである。］の化
合物とを極性溶媒中で反応させるステップを含むことができる。次いで、極性溶媒は、反
応混合物から除去することができる。次いで、残留混合物は非極性溶媒と合わせ、加熱す
ることによって式（６）の化合物を生成することができる。

一部の実施形態では、方法は、非極性溶媒、化合物ＭＦおよび式（７）の化合物を含む
混合物を加熱するステップを含むことができる。

一部の実施形態では、ＭＸと式（７）の化合物との反応混合物の非極性溶液は、加熱前
にろ過することができる。ろ過ステップによって、反応混合物中に残留するどんな不溶解
材料（例えば、不溶解塩）も除去することができる。一部の実施形態では、溶媒は、加熱
前にろ液から除去することができる（つまり、残渣は、それだけで加熱することができる
。）。

式（６）の化合物は、例えば、

であってよい。一部の実施形態では、式（６）の化合物は、

である。したがって、式（７）の化合物は、例えば、

であってよい。一部の実施形態では、式（７）の化合物は、

であってよい。

部分Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であってよい。例えば、
一部の実施形態では、Ａｒ^１−Ｈは、ベンゼンより容易に酸化される。一部の実施形態で
は、Ａｒ^１は、ハメットのσ_ｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換するこ
とができる（例えば、「ＡｓｕｒｖｅｙｏｆＨａｍｍｅｔｔｓｕｂｓｔｉｔｕｅ
ｎｔｃｏｎｓｔａｎｔｓａｎｄｒｅｓｏｎａｎｃｅａｎｄｆｉｅｌｄｐａｒ
ａｍｅｔｅｒｓ」、Ｃｏｒｗｉｎ．Ｈａｎｓｃｈ、Ａ．Ｌｅｏ、Ｒ．Ｗ．ＴａｆｔＣｈ
ｅｍ．Ｒｅｖ．、１９９１、９１（２）、１６５〜１９５頁を参照されたい）。例えば、
Ａｒ^１は、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）ハロアルキル、（Ｃ_２−Ｃ
_１０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−
Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールのうちの少な
くとも１つで置換することができる。一部の実施形態では、Ａｒ^１は、

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５は、Ｈ、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−（
Ｃ_１−Ｃ_１０）ハロアルキル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルキニ
ル、−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、ア
リールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４および
Ｒ^５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を
形成する。］である。

一部の実施形態では、Ａｒ^１は、Ａｒ^２と同じである。一部の実施形態では、Ａｒ^１は
、Ａｒ^２より容易に酸化される。

一部の実施形態では、Ａｒ^１は、固体担体で置換することができる。「固体担体」は、
本方法で使用されるどんな溶媒にも不溶性であるが、共有結合をすることができる（例え
ば、Ａｒ^１とまたは任意選択のリンカーと）任意の適切な固相担体であってよい。適切な
固体担体の例として、ポリスチレン（これは例えばポリエチレングリコールとブロックグ
ラフトしていてもよい）、ポリアクリルアミドまたはポリプロピレンなどのポリマー、あ
るいはかかるポリマーでコートされたガラスもしくは珪素が挙げられる。固体担体は、ビ
ーズやピンなど個々の小粒子の形態であってもよく、また反応容器、例えば、カートリッ
ジもしくはマイクロ容器（microfabricated vessel）の内面上のコーティングとして存在
してもよい。例えば、米国特許出願公開第２００７／００９２４４１号を参照されたい。

一部の実施形態では、固体担体は、リンカーの使用を介してＡｒ^１と共有結合している
。「リンカー」は、反応性を最大にするように、固体担体の構造からＡｒ^１を離すのに役
立つ任意の適切な有機基であってよい。例えば、リンカーは、固体担体、例えば、アミド
エーテルによる樹脂または合成の容易なスルホンアミドボンドに結合したＣ_１−２０アル
キルまたはＣ_１−２０アルコキシを含むことができる。リンカーはまた、ポリエチレング
リコール（ＰＥＧ）リンカーであってもよい。かかるリンカーの例は、固相化学分野の当
業者にとって周知である。

本明細書に記載の方法は、多様なアリールまたはヘテロアリール環系で使用することが
できる。当業者にはよく理解されているように、本明細書に記載のアリールまたはヘテロ
アリール環系の求核置換を効率的に実施するためには、Ａｒ^１がＡｒ^２より容易に酸化さ
れる（つまり、より電子に富む）ことが必要である。しかし、Ａｒ^２部分は、この制限内
では、Ｘ（例えば、^１８ＦなどのＦ）による置換が望まれる任意のアリールまたはヘテロ
アリール環系であってよい。例えば、Ａｒ^２は、フェニルアラニン、チロシン、チプトフ
ァンまたはヒスチジン誘導体、およびエストラジオール誘導体であってよい。一部の実施
形態では、Ａｒ^２は、

［式中、Ｐ^１、Ｐ^２およびＰ^６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１お
よびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３、Ｐ^４、Ｐ⁵およびＰ^７のそ
れぞれは、独立に、酸素保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸
素保護基を形成する。］から選択することができる。一部の実施形態では、Ａｒ^２は、電
子に富むアリールまたはヘテロアリール環系である。

保護基は、反応する可能性のある官能基が望ましくない化学変化を受けないように保護
する一時的な置換基であってよい。用いる特定の保護基の選択は、当業者の技術の範囲に
十分入る。限定されないが、保護される官能基、分子内に存在する他の官能基、合成順序
の各ステップにおける反応条件、分子内に存在する他の保護基、保護基をはずすのに必要
な条件に対する官能基の耐性、および本明細書で提供される化合物を熱分解するための反
応条件を含めての多数の事項を考慮することによって選択すべき保護基を決定することが
できる。保護基の化学に関する分野の総説がある（Ｇｒｅｅｎｅ，Ｔ．Ｗ．；Ｗｕｔｓ，
Ｐ．Ｇ．Ｍ．ＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓｉｎＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈ
ｅｓｉｓ、第２版；Ｗｉｌｅｙ：ＮｅｗＹｏｒｋ、１９９１）。

窒素保護基は、アミン部分が望ましくない化学変化を受けないように保護する任意の一
時的な置換基であってよい。かかる保護基の例として、限定されないが、アリルアミン、
ベンジルアミン（例えば、ベジルアミン（bezylamine）、ｐ−メトキシベンジルアミン、
２，４−ジメトキシベンジルアミンおよびトリチルアミン）、アセチルアミド、トリクロ
ロアセトアミド、トリフルオロアセトアミド、ペント−４−エンアミド、フタルイミド、
カルバマート（例えば、メチルカルバマート、ｔ−ブチルカルバマート、ベンジルカルバ
マート、アリルカルバマート、２，２，２−トリクロロエチルカルバマートおよび９−フ
ルオレニルメチルカルバマート）、イミンおよびスルホンアミド（例えば、ベンゼンスル
ホンアミド、ｐ−トルエンスルホンアミドおよびｐ−ニトロベンゼンスルホンアミド）が
挙げられる。

酸素保護基は、ヒドロキシル部分が望ましくない化学変化を受けないように保護する任
意の一時的な置換基であってよい。かかる保護基の例として、限定されないが、エステル
（例えば、アセチル、ｔ−ブチルカルボニルおよびベンゾイル）、ベンジル（例えば、ベ
ンジル、ｐ−メトキシベンジルおよび２，４−ジメトキシベンジル、ならびにトリチル）
、カルボナート（例えば、メチルカルボナート、アリルカルボナート、２，２，２−トリ
クロロエチルカルボナートおよびベンジルカルボナート）、ケタールおよびアセタールお
よびエーテルが挙げられる。

一部の実施形態では、本明細書で提供される式（２）の化合物は、

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１および
Ｐ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に
、酸素保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し
、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択することができる。例えば、式（２）の
化合物は、

であってよい。

一部の実施形態では、式（２）の化合物は、

であってよい。

一部の実施形態では、式（２）の化合物は、

から選択される。他の実施形態では、式（２）の化合物は、

［式中、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択
される。

［式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１および
Ｐ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に
、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を
形成し、Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択することができる。例えば、式（
１）または式（３）の化合物は、

であってよい。

であってよい。

から選択することができる。

非極性溶媒は、誘電定数が約１０未満である任意の溶媒であってよい。例えば、非極性
溶媒は、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベン
ゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シクロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニ
トロベンゼンおよびそれらの混合物から選択することができる。一部の実施形態では、非
極性溶媒は、ベンゼンを含む。一部の実施形態では、非極性溶媒は、トルエンを含む。一
部の実施形態では、非極性溶媒は、シクロヘキサンを含む。一部の実施形態では、非極性
溶媒は、混合物、例えば、シクロヘキサンとトルエンの混合物である。

極性溶媒は、誘電定数が約１０を超える溶媒である。一部の実施形態では、極性溶媒は
、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメ
チルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの
混合物など非プロトン性極性溶媒である。一部の実施形態では、非プロトン性極性溶媒は
、アセトニトリルである。

加熱は、従来の方法（例えば、加熱浴、オーブン、ヒートガン、ホットプレート、ブン
ゼンバーナー、加熱マントルなど）によって、マイクロウエーブの使用によってまたはフ
ラッシュ熱分解によって実施することができる。通常、反応混合物は、約２５℃〜約２５
０℃（例えば、約８０℃〜約２００℃、１００℃〜約２００℃、約１２０℃〜約１７０℃
、約１２０℃〜約１６０℃、約１２０℃〜約１５０℃および約１３０℃〜約１５０℃）の
範囲の温度で加熱される。一部の実施形態では、反応混合物は、約１４０℃まで加熱され
る。加熱は、反応を完結させるのに必要な任意の時間で行うことができる。例えば、加熱
は、約１秒〜約２５分間（例えば、約２秒、約５秒、約１０秒、約３０秒、約１分、約９
０秒、約２分、約３分、約５分、約８分、約１０分、約１２分、約１５分、約２０分およ
び約２４分）行うことができる。一部の実施形態では、加熱は、約１秒〜約１５分間行う
ことができる。

さらに本明細書では、非極性溶媒および式（５）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ａｒ^２および
Ｘは、式（１）に対して定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステッ
プを含む、式（１）の化合物を作製する方法が提供される。一部の実施形態では、方法は
、加熱前に混合物をろ過するステップを含むことができる。上に述べたろ過では、不溶性
塩などの不溶解材料を除去することができる。一部の実施形態では、方法は、加熱前に混
合物をろ過するステップ、非極性溶媒を除去するステップおよび続いて残留反応混合物と
極性溶媒の溶液を加熱するステップを含むことができる。

上に述べたように、本明細書に記載の方法は、フッ素化（例えば、^１８Ｆ）アリールお
よびヘテロアリール環系を調製するのに使用することができる。したがって、本明細書で
はさらに、非極性溶媒および式（４）

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ａｒ^２は、式
（３）に対して定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む
、式（３）の化合物を作製する方法が提供される。一部の実施形態では、方法は、加熱前
に混合物をろ過するステップを含むことができる。上に述べたろ過では、不溶性塩などの
不溶解材料を除去することができる。別の実施形態では、方法は、加熱前に混合物をろ過
するステップ、非極性溶媒を除去するステップおよび続いて残留反応混合物と極性溶媒の
溶液を加熱するステップを含むことができる。

本明細書に記載の方法では、所望の温度が用いた溶媒の沸点を超える場合に、圧力管ま
たは他の補強され、閉じられたシステムを使用することができる。

反応は、窒素やアルゴンなどの不活性ガスの存在下で実施することができる。一部の実
施形態では、反応溶媒および出発材料から酸素および／または水を除去するためのステッ
プが採用される。このステップは、水と反応するおよび／または水を分離する試薬の存在
下で、および不活性ガス雰囲気下で溶媒を蒸留するステップ、ならびに不活性ガスで反応
容器をパージするステップを含めての多数の方法によって実施することができる。

本明細書に記載の方法は、ＭＸ（例えば、ＭＦ）が、約１ピコモル〜約１０ミリモル（
例えば、約１ピコモル〜約５ミリモル、約１ピコモル〜約１ミリモル、約１ピコモル〜約
５００マイクロモル、約１ピコモル〜約１００マイクロモル、約１ピコモル〜約５０マイ
クロモル、約１ピコモル〜約５マイクロモル、約１ピコモル〜約１マイクロモル、約１ピ
コモル〜約５００ナノモル、約１ピコモル〜約１００ナノモル、約１ピコモル〜約５０ナ
ノモル、約１ピコモル〜約５ナノモル、約１ピコモル〜約１ナノモル、約１００ピコモル
〜約１０ミリモル、約５００ピコモル〜約１０ミリモル、約１ナノモル〜約１０ミリモル
、約５０ナノモル〜約１０ミリモル、約１００ナノモル〜約１０ミリモル、約５００ナノ
モル〜約１０ミリモル、約１マイクロモル〜約１０ミリモル、約５０マイクロモル〜約１
０ミリモル、約１００マイクロモル〜約１０ミリモル、約５００マイクロモル〜約１０ミ
リモルおよび約１ミリモル〜約１０ミリモル）の範囲の量で反応する場合、使用すること
ができる。一部の実施形態では、ＭＸは、約１０ミリモル未満の量で試料中で反応する。
多くの場合、試料中に存在するＭＸの量と比較すると、式（２）の化合物は、過剰に使用
される。一部の実施形態では、ＭＸを含む反応混合物は、追加の化合物をさらに含み、そ
の化合物は、ＭＸに対して過剰に存在する場合がある。例えば、追加の化合物は、ＭＸに
対してその１００万倍を超える過剰率で存在する場合がある。

化合物
ジアリールヨードニウム化合物、例えば、式（２）、（４）、（７）および（８）の化
合物も本明細書でさらに提供される。例えば、式（８）の化合物

［式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、Ｐ^１およびＰ
^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単
一の窒素保護基を形成し、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であ
り、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、Ｐ^５は、カルボ
ン酸保護基である。］が提供される。一部の実施形態では、式（８）の化合物は、

であってよい。一部の実施形態では、式（８）の化合物は、

であってよい。

式（２）、（４）および（７）のジアリールヨードニウム化合物は、当業者に公知の多
様な方法を使用することによって、市販の出発材料から調製することができる。こうした
化合物を合成するために使用される方法は、Ａｒ^２中に存在する電子性および官能基によ
って決まることになる。ジアリールヨードニウム化合物を合成する前に保護基を使用する
ことによってＡｒ^２中に存在する反応性があると思われる官能基をマスクすることができ
る。ジアリールヨードニウム化合物を調製するために用いられる特定の方法は、容易に、
当業者には明かであろう。例えば、こうした化合物は、スキーム２に示される以下の一般
的な反応を使用することによって作製することができる。

受容基上に高感度の官能基を有する化合物では、より共有性（より安定な）のＣ−Ｍ結
合を特徴とする有機金属試薬を使用することができる。例えば、スズ、ホウ素および亜鉛
を含む有機金属化合物。官能基との不適合性が存在しない場合、より塩基性の有機金属試
薬（有機リチウム、グリニャールなど）が、ジアリールヨードニウム塩を調製するのに使
用することができる。

当業者であれば、それによって本明細書で規定された化合物の取得が可能になる上述の
方法の変形形態および代替形態にも気付くであろう。

上述の方法のある種の内部では、用いる合成ステップの順序は、変更可能であり、とり
わけ、特定の基質に存在する他の官能基の性質、重要な中間体についての利用可能性およ
び採用される保護基に関する戦術（もし存在すれば）などの因子に依存するであろうとい
うことも当業者には理解されよう。かかる因子はまた、前記合成ステップで使用するため
の試薬の選択にも影響することになることは明白である。

当業者には、記載されたジアリールヨードニウム化合物は、本明細書で記載のもの以外
の方法によって、本明細書で記載の方法の改作および／または当技術分野で公知の方法、
例えば、米国特許出願公開第２００７／００９２４４１号の方法の改作によって、あるい
は「ＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｓ−
−ＡＧｕｉｄｅｔｏＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＧｒｏｕｐＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎｓ」、ＲＣＬａｒｏｃｋ、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ（１９９９またはその後の版）お
よびＳｃｉｅｎｃｅｏｆＳｙｎｔｈｅｓｉｓ、３１ａ巻、２００７（Ｈｏｕｂｅｎ−
Ｗｅｙｌ，Ｔｈｉｅｍｅ）などの標準的テキストブックを使用することによって作成する
ことが可能であろうことが理解されよう。

本明細書で述べた合成転換方法は例示のためのみであり、所望の化合物の合成が効率的
にできるようにかかる方法は多様な順序で実施してもよいことも理解されよう。所与の目
標化合物を合成するための反応順序を最も効率的にすることに関して、練達の化学者なら
自己の判断および技術を行使するであろう。

以下の実施例で例示されるように、ある種のフッ化ジアリールヨードニウムは、ＡｒＩ
（ＯＡｃ）_２を用いて芳香族フッ素前駆体をＨ_２ＳＯ_４触媒下で親電子的芳香族置換し、
続いてイオン交換することによって調製することができる。所望のフッ化ジアリールヨー
ドニウムは、以下に示すスキーム３で例示するように、フッ化テトラブチルアンモニウム
などのフルオリド源と生成したジアリールヨードニウム塩を反応させることによって形成
される。

スキーム４で例示するように、フッ化ジアリールヨードニウムはまた、芳香族フッ素前
駆体の対応するトリブチルスタンナニル誘導体をｐ−ＭｅＯＰｈＩ（ＯＨ）（ＯＴｓ）と
反応させ、続いてイオン交換し、さらに生成したジアリールヨードニウム塩をフッ化テト
ラブチルアンモニウムなどのフルオリド源と反応させることによって調製することもでき
る。

フルオリド源の選択は、容易に当業者の知見の範囲内である。本明細書で提供されるフ
ッ化ジアリールヨードニウムの調製では、限定されないが、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、フッ
化テトラブチルアンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムを含めての多様なフ
ルオリド源を使用することができる。ある種の場合、フルオリド源の選択は、芳香族フル
オリド前駆体上に存在する官能基によって決まることになろう。

本明細書で記載の方法によって調製される式（１）および式（３）の化合物がさらに提
供される。例えば、式（６）の化合物が提供され、その化合物は、上に記載したのと同様
に調製される。

［実施例］
一般的な方法
フッ化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＦ、Ａｌｄｒｉｃｈ）および硝酸ジフェニル
ヨードニウムをダイナミック真空下で乾燥ピストル（Ｐ_２Ｏ_５を装入）中、６０〜８０℃
で１週間乾燥した。塩化ヘキサブチル二スズおよび塩化トリブチルスズ（Ａｌｄｒｉｃｈ
）を乾燥窒素下で蒸留して火炎乾燥貯蔵管に入れた。アセトニトリルおよびアセトニトリ
ル−ｄ_３をＰ_２Ｏ_５を用いて終夜還流し、ベンゼンおよびベンゼン−ｄ_６をＣａＨ_２を用
いて終夜還流し、それらを乾燥窒素下で蒸留して火炎乾燥貯蔵管に直接入れた。ガラス器
具、シリンジおよびＮＭＲ管をすべて、２４時間を越えてオーブン乾燥（１４０℃）した
後、グローブボックスに移し、使用に備えた。他の試薬をすべて、市販品より購入し、納
入された状態で使用した。ＮＭＲの実験をすべて、ＢｒｕｋｅｒＡｖａｎｃｅ４００
ＭＨｚＮＭＲ分光器を使用することによって実施した。

ｐ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタートの調製
ｐ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタート：ｐ−ヨードアニソール２．３４ｇ（
１０ｍｍｏｌ）を氷酢酸９０ｍＬに溶解した。その溶液を攪拌し、４０℃まで加熱し、過
ホウ酸ナトリウム四水和物１３．６ｇ（１１０ｍｍｏｌ）を１時間かけて徐々に添加した
。反応混合物を４０℃で８時間保持した後、室温まで冷却した。酢酸の半分（約４５ｍＬ
）を除去して、Ｄ．Ｉ．水１００ｍＬを添加した。ジクロロメタン３×４０ｍＬを使用し
て水溶液を抽出した。合わせた有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥し、溶媒を蒸発させてｐ
−メトキシヨードニウムジアセタート２．２５ｇ（６４％）を得、真空で乾燥し、さらな
る精製を行わずに使用した。対応するヨードアレーンから類似の手順を使用することによ
って、ｏ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタート（６５％）、ｍ−シアノヘニルヨ
ードニウムジアセタート（７０％）、ｍ−トリフルオロメチルヨードニウムジアセタート
（８０％）および２，６−ジメトキシフェニルヨードニウジアセタート（８３％）を合成
した。

ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセタートの調製
ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセタート：Ｎ_２保護下で、
ｐ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタート１．４１ｇ（４ｍｍｏｌ）を乾燥ジクロ
ロメタン３０ｍＬに溶解し、その溶液を−３０℃まで冷却した。トリフルオロ酢酸０．６
１ｍＬ（８ｍｍｏｌ）を添加し、その溶液をゆっくりと室温までもどし、３０分間攪拌し
た。その溶液を再び、−３０℃まで冷却し、アニソール０．４４ｍＬ（４ｍｍｏｌ）をゆ
っくりと添加し、その混合物を室温まで温めもどし、１時間攪拌した。溶媒を蒸発させ、
残留固体をジエチルエーテル／ジクロロメタンから再結晶させて、ビス（ｐ−メトキシフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロアセタート（７１％）１．５３ｇを得た。

ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムトシラートの調製
ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムトシラート：Ｎ_２保護下で、ｐ−メトキシ
フェニルヨードニウムジアセタート３５２ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を乾燥アセトニトリル１．
５ｍＬに溶解した。その溶液を、トシル酸一水和物１９０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を乾燥アセ
トニトリル１．５ｍＬに溶かした溶液と合わせた。ｐ−ヨードアニソール０．１１ｍＬ（
１ｍｍｏｌ）を添加した後、その混合物を室温で２時間反応させた。次いで、溶媒を除去
し、残留固体をジエチルエーテル／ジクロロメタンから再結晶させて、ビス（ｐ−メトキ
シフェニル）ヨードニウムトシラート（８２％）４２２ｍｇを得た。

ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファートの調製
ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート：Ｎ_２保護下
で、ｐ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタート３５２ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を乾燥ア
セトニトリル１．５ｍＬに溶解した。その溶液を、トシル酸一水和物１９０ｍｇ（１ｍｍ
ｏｌ）を乾燥アセトニトリル１．５ｍＬに溶かした溶液と合わせた。ｐ−ヨードアニソー
ル０．１１ｍＬ（１ｍｍｏｌ）を添加した後、その混合物を室温で２時間反応させた。水
１０ｍＬを反応混合物に添加した後、ヘキサン３×５ｍＬで抽出した。水層をＮａＰＦ_６
５０２ｍｇ（３ｍｍｏｌ）で処理した。白色沈殿を取り出し、ジクロロメタン中に投入し
、ジエチルエーテル／ジクロロメタンによる再結晶でビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨー
ドニウムヘキサフルオロホスファート（８０．５％）３９１ｍｇを得た。

フェニル−４−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファートの調製
フェニル−４−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファートをビス（ｐ
−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファートの合成に対して記載した
手順に従って、対応するアリールヨードニウムジアセタートおよびアニソールから合成し
た。（７７．９％）

２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファー
トの調製
２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファ
ートをビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファートの合成に
対して記載した手順に従って、対応するアリールヨードニウムジアセタートおよびアニソ
ールから合成した。（８３．３％）

３−シアノフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート
の調製
３−シアノフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファー
トをビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファートの合成に対
して記載した手順に従って、対応するアリールヨードニウムジアセタートおよびアニソー
ルから合成した。（７３．７％）

３−（トリフルオロメチル）フェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフル
オロホスファートの調製
３−（トリフルオロメチル）フェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフ
ルオロホスファートをビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフ
ァートの合成に対して記載した手順に従って、対応するアリールヨードニウムジアセター
トおよびアニソールから合成した。（９６．１％）

２，６−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホス
ファートの調製
２，６−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホ
スファートをビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファートの
合成に対して記載した手順に従って、対応するアリールヨードニウムジアセタートおよび
アニソールから合成した。（８６％）

２−ブロモ−４，５−ジメトキシルベンゼンエタンアミンの調製
２−ブロモ−４，５−ジメトキシルベンゼンエタンアミン：酢酸（１０ｍＬ）中の臭素
（１．１ｍＬ、２２ｍｍｏｌ）を、激しく攪拌した２−（３，４−ジメトキシフェニル）
エチルアミン（３．４ｍＬ、２０ｍｍｏｌ）を酢酸５０ｍＬに溶かした溶液にゆっくりと
添加した。２−ブロモ−４，５−ジメトキシルベンゼンエタンアミンが１５分後に沈殿し
た。混合物をさらに２時間攪拌し、ろ過し、ジクロロメタン１０ｍＬ×３および石油エー
テル１０ｍＬ×３で洗浄した。生成固体を取り出し、水中に投入し、ｐＨをＫＯＨ水溶液
で１０まで上げた。ジクロロメタンによる抽出の後、溶媒を蒸発させて２−ブロモ−４，
５−ジメトキシルベンゼンエタンアミン４．１２ｇ（７８％）を得た。粗生成物をダイナ
ミック真空下で終夜乾燥し、さらなる精製なしで使用した。

２−ブロモ−４，５−ジメトキシル−（２−フタルイミドエチル）ベンゼンの調製
２−ブロモ−４，５−ジメトキシル−（２−フタルイミドエチル）ベンゼン：２−ブロ
モ−４，５−ジメトキシルベンゼンエタンアミン（３．５ｇ、１３．２ｍｍｏｌ）を乾燥
アセトニトリル５０ｍＬに溶解し、攪拌した。二塩化フタロイル２．１４ｍＬ（１．１当
量）およびヒューニヒの塩基７ｍＬ（３当量）を添加した。混合物を終夜室温で攪拌した
。次いで、アセトニトリルを除去し、残留生成物を取り出し、ジクロロメタン中に投入し
、塩基性の水（ｐＨ＝１１）で洗浄した。水性洗浄水をジクロロメタン３×１５ｍＬで抽
出した。有機画分を合わせ、硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を除去して粗生成物を得
た。次いでこれをカラムクロマトグラフィーで精製した。計算上の収率：１．８ｇ（３４
％）。

３，４−ジメトキシフェニルトリブチルスズの調製
３，４−ジメトキシフェニルトリブチルスズ：Ｎ_２保護下で、４−ブロモベラトロール
１．０８５ｇ（５ｍｍｏｌ）およびＰｄ（０）（ＰＰｈ_３）_４２８９ｍｇ（５ｍｏｌ％）
を乾燥トルエン１５ｍＬに溶解し、その溶液をテフロン（登録商標）製ケムキャップシー
ル（ＴｅｆｌｏｎＣｈｅｍｃａｐＳｅａｌ）を備えた貯蔵管に移し、ヘキサブチル二
スズ３．１９ｇ（５ｍｍｏｌ）を添加した。管を密封し、１２０℃まで加熱し、１２０℃
で４８時間保持した。反応混合物を室温まで放置冷却し、ヘキサン１５ｍＬで希釈した。
ＫＦ飽和水溶液１５ｍＬを添加し、混合物を３０分間攪拌した後、セライトでろ過した。
有機層を分離し、溶媒を除去して黄色油として粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／ジクロロメタン９８／２、塩基性アルミニウム）で精製して純
３，４−ジメトキシフェニルトリブチルスズ１．６９ｇ（７９．１％）を得た。

３，４−ジメトキシ−２−メチルフェニルトリブチルスズの調製
３，４−ジメトキシ−２−メチルフェニルトリブチルスズを、３，４−ジメトキシフェ
ニルトリブチルスズの合成手順で記載したのと類似の仕方で対応するブロモ前駆体から合
成した。（７６．２％）

３，４−ジメトキシ−２−（２−フタルイミド）フェニルトリブチルスズの調製
３，４−ジメトキシ−２−（２−フタルイミド）フェニルトリブチルスズを、３，４−
ジメトキシフェニルトリブチルスズの合成手順で記載したのと類似の仕方で対応するブロ
モ前駆体から合成した。（２０％）

３，４−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホス
ファート
３，４−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホ
スファート：Ｎ_２保護下で、ｐ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタート３５２ｍｇ
（１ｍｍｏｌ）を乾燥アセトニトリル１．５ｍＬに溶解した。その溶液を、トシル酸一水
和物１９０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を乾燥アセトニトリル１．５ｍＬに溶かした溶液と合わせ
た。３，４−ジメトキシフェニルトリブチルスズ４２７ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を添加した後
、その混合物を室温で２時間反応させた。水１０ｍＬを反応混合物に添加した後、ヘキサ
ン３×５ｍＬで抽出した。水層をＮａＰＦ_６５０２ｍｇ（３ｍｍｏｌ）で処理した。白色
沈殿を取り出し、ジクロロメタン中に投入し、ジエチルエーテル／ジクロロメタンによる
再結晶で３，４−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフル
オロホスファート３７０ｍｇ（７１．７％）を得た。

３，４−ジメトキシ−２−メチルフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサ
フルオロホスファートの調製
３，４−ジメトキシ−２−メチルフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキ
サフルオロホスファートを、３，４−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨー
ドニウムヘキサフルオロホスファートと類似の仕方でｐ−メトキシフェニルヨードニウム
ジアセタートおよび対応するアリールスズ前駆体から合成した。（７５％）

３，４−ジメトキシ−２−（２−フタルイミドエチル）フェニル−４’−メトキシフェニ
ルヨードニウムヘキサフルオロホスファートの調製
３，４−ジメトキシ−２−（２−フタルイミドエチル）フェニル−４’−メトキシフェ
ニルヨードニウムヘキサフルオロホスファートヘキサフルオロホスファートを、３，４−
ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート
と類似の仕方でｐ−メトキシフェニルヨードニウムジアセタートおよび対応するアリール
スズ前駆体から合成した。（５５％）

フッ化２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムの調製
フッ化２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウム：Ｎ_２保護下で、
２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファー
ト９７．２ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）および無水フッ化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ
Ｆ）１７．７ｍｇ（０．９５当量）を乾燥アセトニトリル１ｍＬに溶解した。溶媒を真空
で除去した後、乾燥ベンゼン５ｍＬを添加した。不溶性ＴＭＡＰＦ_６をろ過によって除去
し、溶媒を真空で再び除去してフッ化２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨ
ードニウム３０．３ｍｇ（４２％）を得た。

フッ化フェニル−４−メトキシフェニルヨードニウムの調製
フッ化フェニル−４−メトキシフェニルヨードニウムをフッ化２−メトキシフェニル−
４’−メトキシフェニルヨードニウムについて記載した手順と類似の仕方で対応するヘキ
サフルオロホスファートから合成した。（９６％）

フッ化３−シアノフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムの調製
フッ化３−シアノフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムを、フッ化２−メト
キシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムについて記載した手順と類似の仕方
で対応するヘキサフルオロホスファートから合成した。（２５％）

フッ化３−（トリフルオロメチル）フェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムの調
製
フッ化３−（トリフルオロメチル）フェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムを
、フッ化２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムについて記載した
手順と類似の仕方で対応するヘキサフルオロホスファートから合成した。（５６％）

フッ化２，６−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムの調製
フッ化２，６−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムを、フッ化
２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムについて記載した手順と類
似の仕方で対応するヘキサフルオロホスファートから合成した。（１５％）

フッ化３，４−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムの調製
フッ化３，４−ジメトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムを、フッ化
２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムについて記載した手順と類
似の仕方で対応するヘキサフルオロホスファートから合成した。（９０％）

フッ化３，４−ジメトキシ−２−メチルフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウム
の調製
フッ化３，４−ジメトキシ−２−メチルフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウ
ムを、フッ化２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨードニウムについて記載
した手順と類似の仕方で対応するヘキサフルオロホスファートから合成した。（８０％）

フッ化３，４−ジメトキシ−２−（２−フタルイミドエチル）フェニル−４’−メトキシ
フェニルヨードニウムの調製
フッ化３，４−ジメトキシ−２−（２−フタルイミドエチル）フェニル−４’−メトキ
シフェニルヨードニウムを、フッ化２−メトキシフェニル−４’−メトキシフェニルヨー
ドニウムについて記載した手順と類似の仕方で対応するヘキサフルオロホスファートから
合成した。（４５％）

フッ化ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウムの調製
フッ化ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨードニウム：ビス（ｐ−メトキシフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロアセタート４５４ｍｇ（１ｍｍｏｌ）と無水ＴＢＡＦ２６２ｍｇ
（１ｍｍｏｌ）の混合物に乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１ｍＬを添加した。その溶
液を１時間静置し、白色沈殿を集め、ＴＨＦ３×０．５ｍＬで洗浄した。計算上の収率：
２８８．７ｍｇ（８０．２％）

フッ化ジアリールヨードニウムの分解
グローブボックスで、乾燥ｄ_６−ベンゼン０．５ｍＬをフッ化ジアリールヨードニウム
０．０２ｍｍｏｌに添加し、溶液／混合物をＪ−ＹｏｕｎｇＮＭＲ管に移した。管を１
４０℃まで加熱し、１４０℃で５〜１５分間保持した。生成した溶液をＮＭＲおよびＧＣ
によって分析し、生成物を決定した。

上で調製したフッ化ジアリールヨードニウムの熱分解物の観測された収率を表１に記載
する。

添加塩のＦ−ＭＴＥＢに対する影響
（３−シアノ−５−（（２−メチルチアゾール−４−イル）エチニル）フェニル）（４
−メトキシフェニル）ヨードニウムトリフラート（Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ）の分解中に
おける溶液中に存在する塩の影響を、ベンゼンおよびアセトニトリル中で９０℃で調査し
た。各溶媒について、塩なしの場合、塩１当量が存在する場合、および塩２当量が存在す
る場合を試験した。それぞれの反応条件の調製を以下に要約した。３．３ｍｇ／ｍＬで脱
ガス乾燥アセトニトリルに溶かしたＴＭＡＦ原液を調製してそれぞれの反応管に添加した
。

アセトニトリルで塩なし
ヨードニウムトリフラート前駆体（０．００４ｇ、６．６μｍｏｌ）を、窒素雰囲気下
でＴＭＡＦ原液１８μＬ（６．６μｍｏｌ）を含む脱ガス乾燥アセトニトリル０．３８ｍ
Ｌに溶解した。次いで、脱ガス乾燥ベンゼン０．４ｍＬを残渣に添加し、０．２２μｍＰ
ＴＦＥメンブランフィルターを２回通過させた。その溶液を再び真空にかけて溶媒を除去
し、残留残渣を脱ガス乾燥ｄ_３−アセトニトリル０．４ｍＬに溶解した。反応混合物をシ
リコン油浴中に置き、９０℃で観測した。

アセトニトリル＋ＴＭＡＯＴｆ１当量
窒素雰囲気下で、ヨードニウムトリフラート前駆体（０．００４ｇ、６．６μｍｏｌ）
を脱ガス乾燥ｄ_３−アセトニトリル０．３８ｍＬに溶解し、ＴＭＡＦ原液１８μＬ（６．
６μｍｏｌ）と合わせた。反応混合物をシリコン油浴中に置き、９０℃で観測した。

アセトニトリル＋ＴＭＡＯＴｆ２当量
窒素雰囲気下で、ヨードニウムトリフラート前駆体（０．００４ｇ、６．６μｍｏｌ）
を脱ガス乾燥ｄ_３−アセトニトリル０．３８ｍＬに溶解し、ＴＭＡＦ原液１８μＬ（６．
６μｍｏｌ）と合わせ、次いで、反応混合物にテトラメチルアンモニウムトリフラート（
０．００１５ｇ、６．６μｍｏｌ）を添加した。次いで、その溶液をシリコン油浴中に置
き、９０℃で観測した。

ベンゼンで塩なし
窒素雰囲気下で、ヨードニウムトリフラート前駆体（０．００４ｇ、６．６μｍｏｌ）
を脱ガス乾燥アセトニトリル０．３８ｍＬに溶解し、ＴＭＡＦ原液１８μＬ（６．６μｍ
ｏｌ）と合わせた。このアセトニトリルを真空で除去し、残留残渣を脱ガス乾燥ｄ_６−ベ
ンゼン０．４ｍＬに再溶解した。溶液は、０．２２μｍＰＴＦＥフィルターを２回通過さ
せ、窒素下で密封し、シリコン油浴中で９０℃で観測した。

ベンゼン＋ＴＭＡＯＴｆ１当量
窒素雰囲気下で、ヨードニウムトリフラート前駆体（０．００４ｇ、６．６μｍｏｌ）
を脱ガス乾燥アセトニトリル０．３８ｍＬに溶解し、ＴＭＡＦ原液１８μＬ（６．６μｍ
ｏｌ）と合わせた。このアセトニトリルを真空で除去し、残留残渣を脱ガス乾燥ｄ_６−ベ
ンゼン０．４ｍＬに再溶解した。反応混合物を、窒素下で密封し、シリコン油浴中で９０
℃で観測した。

ベンゼン＋ＴＭＡＯＴｆ２当量
窒素雰囲気下で、ヨードニウムトリフラート前駆体（０．００４ｇ、６．６μｍｏｌ）
を脱ガス乾燥ｄ_３−アセトニトリル０．３８ｍＬに溶解し、ＴＭＡＦ原液１８μＬ（６．
６μｍｏｌ）と合わせ、次いで、反応混合物にテトラメチルアンモニウムトリフラート（
０．００１５ｇ、６．６μｍｏｌ）を添加した。このアセトニトリルを真空で除去し、残
留残渣をｄ_６−ベンゼン０．４ｍＬに再溶解した。次いで、溶液をシリコン油浴中に置き
、９０℃で観測した。

こうした実験の結果を図１および２に示す。添加塩は、アセトニトリル中の反応の収率
に大きな負の影響を及ぼすが、非極性溶媒のベンゼン中で行われる分解反応に対する結果
にはそれほど大きな影響を及ぼさないことは明白である。後者の結果は、ＴＭＡＯＴｆが
非常にわずかしかベンゼンに溶解しないという事実のためと思われる。

通常の条件下におけるＭＴＥＢの放射フッ素化のフッ素化
それぞれの反応において、ヨードニウム前駆体Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）を３
００μＬのアセトニトリル、ＤＭＦまたはＤＭＳＯに溶解した。

Ｋｒｙｐｔｏｆｉｘ２２２／Ｋ_２ＣＯ_３ ^１８Ｆ源の調製：［^１８Ｆ］フルオリドを含
む［^１８Ｏ］Ｈ_２Ｏ５０〜１００μＬ＋１ＭＫ_２ＣＯ_３（水溶液）１５μＬ＋ＣＨ_３Ｃ
Ｎ８００μＬの混合物をマイクロウエーブセル中で２０Ｗで３分間加熱した。混合物を
ＣＨ_３ＣＮ８００μＬで処理し、再び加熱した。過剰の溶媒を乾燥窒素流下で８０℃で
除去した。

ラン１：Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）をＤＭＦ３００μＬに溶かした溶液を乾
燥Ｋｒｙｐｔｏｆｉｘ２２２／Ｋ_２ＣＯ_３Ｋ^１８Ｆ源に添加し、マイクロウエーブ（
５０Ｗ、１．５分）で加熱した。検出可能な放射標識ＭＴＥＢは放射ＴＬＣによって観察
されなかった。３または６分間の追加のマイクロウエーブセル加熱でも^１８Ｆ−ＭＴＥＢ
はもたらされなかった。

ラン２：Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）をＤＭＳＯ３００μＬに溶かした溶液を
乾燥Ｋｒｙｐｔｏｆｉｘ２２２／Ｋ_２ＣＯ_３Ｋ^１８Ｆ源に添加し、従来の油浴で１２０
℃で１５分間加熱した。検出可能な放射標識ＭＴＥＢは放射ＴＬＣによって観察されなか
った。１５または３０分間の追加の加熱でも検出可能な^１８Ｆ−ＭＴＥＢの形成はもたら
されなかった。

ラン３および４では、［^１８Ｆ］フルオリドを含む［^１８Ｏ］Ｈ_２Ｏ溶液にＴＢＡＯＨ
を添加することによって、［^１８Ｆ］ＴＢＡＦ溶液を調製した。乾燥を真空で実施した。
生成固体をＣＨ_３ＣＮ８００μＬで処理し、乾燥窒素流下で８０℃まで加熱することによ
って乾燥した。

ラン３：Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）をＤＭＦ３００μＬに溶かした溶液を［
^１８Ｆ］ＴＢＡＦに添加し、１５０℃の油浴で１５分、３０分および１時間加熱した。検
出可能な放射標識ＭＴＥＢは放射ＴＬＣによって観察されなかった。

ラン６：Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）をＤＭＳＯ３００μＬに溶かした溶液を
［^１８Ｆ］ＴＢＡＦに添加し、１２０℃の油浴で１５分、３０分および１時間加熱した。
収率６．３％の放射標識ＭＴＥＢが放射ＴＬＣによって観察された。

塩の除去による^１８Ｆ−ＭＴＥＢの調製
減圧下（−１０ｍｍＨｇ）で、９０℃で［^１８Ｆ］ＴＢＡＦをＭｅＣＮを用いて２回乾
燥した。Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）をＭｅＣＮ（３００μＬ）に溶解し、乾燥［
^１８Ｆ］ＴＢＡＦを含むバイアルに添加した。反応混合物を９０℃で攪拌し、減圧下（−
１０ｍｍＨｇ）で、ＭｅＣＮを蒸発させた。残留残渣を乾燥ベンゼン２ｍＬに再び溶解し
、０．２２ｍｍシリンジフィルターを通し、２０分間１００℃まで加熱した（放射ＨＰＬ
Ｃおよび放射ＴＬＣで求められた放射化学収率（ＲＣＹ）＝約７０％）。

塩の除去による^１８Ｆ−ＭＴＥＢの調製
減圧下（−１０ｍｍＨｇ）で、９０℃で［^１８Ｆ］ＴＢＡＦをＭｅＣＮを用いて２回乾
燥した。Ａｒ−ＭＴＥＢ−ＯＴｆ（２ｍｇ）をＭｅＣＮ（３００μＬ）に溶解し、乾燥［
^１８Ｆ］ＴＢＡＦを含むバイアルに添加した。反応混合物を９０℃で攪拌し、減圧下（−
１０ｍｍＨｇ）で、ＭｅＣＮを蒸発させた。残留残渣を乾燥ベンゼン２ｍＬに再び溶解し
、０．２２ｍｍシリンジフィルターを通し、２０分間１３０℃まで加熱した（放射ＨＰＬ
Ｃおよび放射ＴＬＣで求められた放射化学収率（ＲＣＹ）＝約９０％）。

［^１８Ｆ］−６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡの調製

Ａｒ−ＬＤＯＰＡ−ＯＴｆ（２ｍｇ）を乾燥アセトニトリル３００μＬに溶解し、乾燥
［^１８Ｆ］ＴＢＡＦを含むバイアルに添加した。溶液を９０℃まで温め、溶媒を減圧下で
除去した。乾燥トルエン（５００μＬ）を残渣に添加し、溶液は０．２２μｍＰＴＦＥメ
ンブランフィルターを通し、２０分間１３０℃まで加熱した（密封容器で）。溶媒を減圧
下で除去し、残渣を４８％ＨＢｒ（５００μＬ）で処理し、１４０℃で８分間加熱して保
護基を除去した。［^１８Ｆ］−６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡを逆相クロマトグラフィーで
精製した。

フッ素化アリールアミノ酸およびその誘導体を調製するための一般的手順
適切な（４−メトキシフェニル）アリールヨードニウムトリフラート（２〜３ｍｇ）を
乾燥アセトニトリル３００μＬに溶解し、乾燥［^１８Ｆ］ＴＢＡＦを含むバイアルに添加
する。溶液を９０℃まで温め、溶媒を減圧下で除去する。乾燥トルエンまたはベンゼン（
５００μＬ）を残渣に添加し、溶液は０．２２μｍＰＴＦＥメンブランフィルターを通し
、１３０℃まで２０分間加熱する（密封容器で）。溶媒を減圧下で除去し、残渣を４８％
ＨＢｒ（５００μＬ）で処理し、１４０℃で８分間加熱して保護基を除去する。［^１８Ｆ
］−フッ素化アリールアミノ酸または誘導体を逆相クロマトグラフィーで精製する。

６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡの調製
前駆体Ａｒ−ＬＤＯＰＡ−ＯＴｆ（２０ｍｇ）を乾燥ＣＤ_３ＣＮ０．７ｍＬに溶解し、
ＴＭＡＦ１当量で処理した。溶媒を除去し、残渣をｄ_６−ベンゼン０．７ｍＬに溶解し、
ＰＴＦＥバルブを備えたＮＭＲ管内に置き、１４０℃まで２０分間加熱した。^１Ｈおよび
^１９ＦＮＭＲスペクトル（図３および４）は、反応の収率が８５％であり、４−フルオ
ロアニソールの収率が約１％であることを示した。

６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡの脱保護
粗６−フルオロ−Ｌ−ＤＯＰＡ（実施例３４）を含む反応混合物から溶媒を除去した。
残渣をＨＢｒ４８％水溶液１ｍＬに溶解し、溶液を１４０℃まで１０分間加熱した。溶液
を重炭酸ナトリウムで中和し、水を蒸発させた。^１Ｈおよび^１９ＦＮＭＲスペクトル（
Ｄ_２Ｏ）は、信頼のおける標準と同一であったが、これは、独立に得られた６−フルオロ
−Ｌ−ＤＯＰＡをＮＭＲ管に添加することによって確認された。

本発明の多数の実施形態が説明された。しかし、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく多様な改変形態の作製が可能であることは理解されよう。したがって、他の実施形態は、以下の特許請求の範囲内である。
[１] 式（１）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオン、Ｘが上に定義した通りである化合物ＭＸと、式（２）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[２] 式（１）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒、Ｍが対イオンであり、Ｘが上に定義した通りである化合物ＭＸ、および式（２）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物を含む溶液を加熱するステップを含む方法。
[３] 式（１）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成溶液をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[４] 式（１）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[５] Ａｒ ^１ −Ｈが、ベンゼンより容易に酸化される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[６] Ｘが、放射性アイソトープである、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[７] Ａｒ ^１が、ハメットのσ _ｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換されている、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[８] 置換基が、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）ハロアルキル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルケニル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択される、上記[７]に記載の方法。
[９] Ｘが、ハライド、カルボン酸アリール、カルボン酸アルキル、ホスファート、ホスホナート、ホスホニット、アジド、チオシアナート、シアナート、フェノキシド、トリフラート、トリフルオロエトキシド、チオラートおよび安定化エノラートから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１０] Ｘが、フルオリド、クロリド、ブロミド、ヨージド、トリフラート、トリフルオロアセタート、ベンゾアート、アセタート、フェノキシド、トリフルオロエトキシド、シアナート、アジド、チオシアナート、チオラート、ホスファートおよび安定化エノラートから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１１] Ｘが、フルオリドである、上記[１０]に記載の方法。
[１２] Ｘが、フルオリドの放射性アイソトープである、上記[１１]に記載の方法。
[１３] Ａｒ ^１およびＡｒ ^２が、同じである、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１４] Ａｒ ^１が、

[式中、Ｒ ^１、Ｒ ^２、Ｒ ^３、Ｒ ^４およびＲ ^５は、Ｈ、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）ハロアルキル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルケニル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ ^１、Ｒ ^２、Ｒ ^３、Ｒ ^４およびＲ ^５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を形成する。］である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１５] Ａｒ ^２が、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１６] Ａｒ ^２が、

［式中、Ｐ ^１、Ｐ ^２およびＰ ^６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^７のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１７] 非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シクロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンおよびそれらの混合物から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[１８] 非極性溶媒が、ベンゼンを含む、上記[１７]に記載の方法。
[１９] 非極性溶媒が、トルエンを含む、上記[１７]に記載の方法。
[２０] 加熱ステップが、約２５℃〜約２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含む、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２１] 加熱ステップが、約１秒〜約２５分の間行われる、上記[２０]に記載の方法。
[２２] 加熱ステップが、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイクロウエーブ法で実施される、上記[２０]に記載の方法。
[２３] 非極性溶媒を含む混合物が、加熱前にろ過される、上記[１]および[２]のいずれか１項に記載の方法。
[２４] 極性溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの混合物から選択される、上記[１]および[３]のいずれか１項に記載の方法。
[２５] Ｙが、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドおよびヨージドから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２６] Ｍが、カリウム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンおよびホスホニウムカチオンから選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２７] 不溶解材料が、不溶解塩を含む、上記[３]および[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２８] 溶媒が、加熱前にろ液から除去される、上記[３]および[４]のいずれか１項に記載の方法。
[２９] 式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３０] 式（１）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３１] 式（２）の化合物が、

から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３２] 式（１）の化合物が、

から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３３] 式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３４] 式（１）の化合物が、

[式中、Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３５] 式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３６] 式（２）の化合物が、

である、上記[３５]に記載の方法。
[３７] 式（２）の化合物が、

である、上記[３６]に記載の方法。
[３８] 式（１）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[３９] 式（１）の化合物が、

である、上記[３８]に記載の方法。
[４０] 式（１）の化合物が、

である、上記[１]〜[４]のいずれか１項に記載の方法。
[４１] 式（３）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[４２] 式（３）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦ、および式（２）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[４３] 式（３）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成溶液をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[４４] 式（３）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[４５] Ａｒ ^１ −Ｈが、ベンゼンより容易に酸化される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[４６] Ｘが、放射性アイソトープである、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[４７] Ａｒ ^１が、ハメットのσ _ｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換されている、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[４８] 置換基が、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）ハロアルキル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルケニル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択される、上記[４７]に記載の方法。
[４９] Ｆが、フッ素の放射性アイソトープである、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５０] Ａｒ ^１およびＡｒ ^２が、同じである、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５１] Ａｒ ^１が、

[式中、Ｒ ^１、Ｒ ^２、Ｒ ^３、Ｒ ^４およびＲ ^５は、Ｈ、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）ハロアルキル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルケニル、（Ｃ _２ −Ｃ _１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ _１ −Ｃ _１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ ^１、Ｒ ^２、Ｒ ^３、Ｒ ^４およびＲ ^５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を形成する。］である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５２] Ａｒ ^２が、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５３] Ａｒ ^２が、

［式中、Ｐ ^１、Ｐ ^２およびＰ ^６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^７のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５４] 非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、四塩化炭素、ヘキサン、シクロヘキサン、フルオロベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンおよびそれらの混合物から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５５] 非極性溶媒が、ベンゼンを含む、上記[５４]に記載の方法。
[５６] 非極性溶媒が、トルエンを含む、上記[５４]に記載の方法。
[５７] 加熱ステップが、約２５℃〜約２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含む、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[５８] 加熱ステップが、約１秒〜約２５分の間行われる、上記[５７]に記載の方法。
[５９] 加熱ステップが、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイクロウエーブ法で実施される、上記[５７]に記載の方法。
[６０] 極性溶媒を含む混合物が、加熱前にろ過される、上記[４１]および[４２]のいずれか１項に記載の方法。
[６１] 極性溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの混合物から選択される、上記[４１]および[４３]のいずれか１項に記載の方法。
[６２] Ｙが、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドおよびヨージドから選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６３] Ｍが、カリウム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンおよびホスホニウムカチオンから選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６４] 不溶解材料が、不溶解塩を含む、上記[４３]および[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６５] 溶媒が、加熱前にろ液から除去される、上記[４３]および[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６６] 式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６７] 式（３）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６８] 式（２）の化合物が、

から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[６９] 式（３）の化合物が、

から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７０] 式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７１] 式（３）の化合物が、

[式中、Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７２] 式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７３] 式（２）の化合物が、

である、上記[７２]に記載の方法。
[７４] 式（２）の化合物が、

である、上記[７２]に記載の方法。
[７５] 式（３）の化合物が、

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７６] 式（３）の化合物が、

である、上記[７５]に記載の方法。
[７７] 式（３）の化合物が、

である、上記[４１]〜[４４]のいずれか１項に記載の方法。
[７８] 式（１）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒および式（５）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[７９] 式（１）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｘは、ｐＫａが１２未満の酸Ｈ−Ｘの部分である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒と、式（５）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８０] 式（１）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ ^２およびＸは、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
非極性溶媒を除去するステップと、
残渣および極性溶媒を含む溶液を加熱するステップを含む方法。
[８１] 式（３）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒および式（４）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[８２] 式（３）

[式中、Ａｒ ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒と、式（４）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８３] 式（３）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ａｒ ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを合わせるステップと、
混合物をろ過するステップと、
非極性溶媒を除去するステップと、
残渣および極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[８４] Ｆが、フルオリドの放射性アイソトープである、上記[８１]〜[８３]のいずれか１項に記載の方法。
[８５] 式（６）

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法。
[８６] 式（６）

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、
非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦおよび
式（７）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法。
[８７] 式（６）

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製する方法であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８８] 式（６）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法。
[８９] 式（７）の化合物が、

である、上記[８５]〜[８８]のいずれか１項に記載の方法。
[９０] 式（７）の化合物が、

である、上記[８９]に記載の方法。
[９１] 式（６）の化合物が、

である、上記[８５]〜[８８]のいずれか１項に記載の方法。
[９２] Ａｒ ^１が、ベンゼンより容易に酸化される、上記[８５]〜[８８]のいずれか１項に記載の方法。
[９３] 式（８）の化合物

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］。
[９４] 式（８）の化合物が、

である、上記[９３]に記載の方法。
[９５] 式（８）の化合物が、

である、上記[９３]に記載の方法。
[９６] 式（６）

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含む方法によって調製される化合物。
[９７] 式（６）

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物であって、
非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦおよび
式（７）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含む方法によって調製される化合物。
[９８] 式（６）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法によって調製される化合物。
[９９] 式（６）

[式中、Ｐ ^１およびＰ ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ ^１およびＰ ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ ^３およびＰ ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ ^３およびＰ ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ ^５は、カルボン酸保護基である。］の化合物を作製するための方法であって、
Ｍが対イオンである化合物ＭＦと
式（７）

[式中、Ａｒ ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ｐ ^１、Ｐ ^２、Ｐ ^３、Ｐ ^４およびＰ ^５は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含む方法によって化合物が調製される方法。
[１００] 式（７）の化合物が、

である、上記[９６]〜[９９]のいずれか１項に記載の化合物。
[１０１] 式（７）の化合物が、

である、上記[１００]に記載の化合物。
[１０２] 式（６）の化合物が、

である、上記[９６]〜[９９]のいずれか１項に記載の化合物。
[１０３] Ａｒ ^１が、ベンゼンより容易に酸化される、上記[９６]〜[９９]のいずれか１項に記載の化合物。

Claims

式（３）

[式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）

[式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物および非極性溶媒を含む溶液を加熱するステップとを含み、
前記非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アニソール、またはそれらの混合物を含む、方法。
式（３）

[式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、非極性溶媒、Ｍが対イオンである化合物ＭＦ、および式（２）

[式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ^２は、上に定義した通りである。］の化合物を含む混合物を加熱するステップを含み、
前記非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アニソール、またはそれらの混合物を含む、方法。
式（３）

[式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）

[式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物から極性溶媒を除去するステップと、
残留混合物を非極性溶媒と合わせるステップと、
生成溶液をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含み、
前記非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アニソール、またはそれらの混合物を含む、方法。
式（３）

[式中、Ａｒ^２は、アリールまたはヘテロアリール環系である。］の化合物を作製するための方法であって、Ｍが対イオンである化合物ＭＦと、式（２）

[式中、Ａｒ^１は、電子に富むアリールまたはヘテロアリール環系であり、
Ｙは、脱離基であり、
Ａｒ^２は、上に定義した通りである。］の化合物とを非極性溶媒中で反応させるステップと、
反応混合物をろ過することによって不溶解材料を除去するステップと、
ろ液を加熱するステップとを含み、
前記非極性溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アニソール、またはそれらの混合物を含む、方法。
Ａｒ^１−Ｈが、ベンゼンより容易に酸化される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
Ａｒ^１が、ハメットのσ_ｐ値がゼロ未満である少なくとも１つの置換基で置換されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
置換基が、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）ハロアルキル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから選択される、請求項６に記載の方法。
Ｆが、フッ素の放射性アイソトープである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
Ａｒ^１およびＡｒ^２が、同じである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
Ａｒ^１が、

[式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５は、Ｈ、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−（Ｃ_１−Ｃ_１０）ハロアルキル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_１０）アルキニル、−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−（Ｃ_１−Ｃ_１０）アルキル、アリールおよびヘテロアリールから独立に選択され、またはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５のうちの２つ以上が一緒になって、縮合した、アリールまたはヘテロアリール環系を形成する。］である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
Ａｒ^２が、フェニルアラニン誘導体、チロシン誘導体、チプトファン誘導体、ヒスチジン誘導体およびエストラジオール誘導体から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
Ａｒ^２が、

［式中、Ｐ^１、Ｐ^２およびＰ^６のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ^３、Ｐ^４およびＰ^７のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
非極性溶媒が、ベンゼンを含む、請求項１に記載の方法。
非極性溶媒が、トルエンを含む、請求項１に記載の方法。
加熱ステップが、２５℃〜２５０℃の範囲の温度で加熱するステップを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
加熱ステップが、１秒〜２５分の間行われる、請求項１５に記載の方法。
加熱ステップが、フラッシュ熱分解法、従来の加熱法またはマイクロウエーブ法で実施される、請求項１５に記載の方法。
非極性溶媒を含む混合物が、加熱前にろ過される、請求項１および２のいずれか１項に記載の方法。
極性溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、１，２−ジフルオロベンゼン、ベンゾトリフルオリドおよびそれらの混合物から選択される、請求項１および３のいずれか１項に記載の方法。
Ｙが、トリフラート、メシラート、ノナフラート、ヘキサフラート、トシラート、ノシラート、ブロシラート、ペルフルオロアルキルスルホナート、テトラフェニルボラート、ヘキサフルオロホスファート、トリフルオロアセタート、テトラフルオロボラート、ペルクロラート、ペルフルオロアルキルカルボキシラート、クロリド、ブロミドおよびヨージドから選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
Ｍが、カリウム、ナトリウム、セシウム、クリプタンドもしくはクラウンエーテルとリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムとの錯体、四置換アンモニウムカチオンおよびホスホニウムカチオンから選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
不溶解材料が、不溶解塩を含む、請求項３および４のいずれか１項に記載の方法。
溶媒が、加熱前にろ液から除去される、請求項３および４のいずれか１項に記載の方法。
式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（３）の化合物が、

[式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（２）の化合物が、

から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（３）の化合物が、

から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（３）の化合物が、

[式中、Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基である。］から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（２）の化合物が、

[式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（２）の化合物が、

である、請求項３０に記載の方法。
式（２）の化合物が、

である、請求項３０に記載の方法。
式（３）の化合物が、

[式中、Ｐ^１およびＰ^２のそれぞれは、独立に、窒素保護基であり、またはＰ^１およびＰ^２は、一緒になって単一の窒素保護基を形成し、
Ｐ^３およびＰ^４のそれぞれは、独立に、アルコール保護基であり、またはＰ^３およびＰ^４は、一緒になって単一の酸素保護基を形成し、
Ｐ^５は、カルボン酸保護基である。］である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
式（３）の化合物が、

である、請求項３３に記載の方法。
式（３）の化合物が、

である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。