JP6045574B2 - プラズマチャンバのための通電グリッド - Google Patents
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Description
[適用例1]プラズマ処理チャンバであって、
基板を受けるための静電チャックと、
前記チャンバの上部につながれた誘電体窓であって、その内側は、前記静電チャックの上方のプラズマ処理領域に面し、その外側は、前記プラズマ処理領域の外である、誘電体窓と、
前記誘電体窓の外側の上方に配置され、第1のRF電源に接続される内コイル及び外コイルと、
前記誘電体窓の前記外側と、前記内コイル及び外コイルとの間に配置され、前記第1のRF電源から独立している第2のRF電源に接続される通電グリッドと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。
[適用例2]適用例1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記通電グリッドは、開口領域によって隔てられた複数の金属構造で画定される、プラズマ処理チャンバ。
[適用例3]適用例1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内コイル及び外コイルに接続される前記第1のRF電源は、変圧器結合プラズマ(TCP)電力を提供する、プラズマ処理チャンバ。
[適用例4]適用例1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記通電グリッドは、金属構造を伴った基板で画定される、プラズマ処理チャンバ。
[適用例5]適用例4に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記通電グリッドの前記基板は、前記誘電体窓の前記外側に接触している、プラズマ処理チャンバ。
[適用例6]適用例1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第2のRF電源は、動作時に、前記チャンバ内のプラズマの負荷に整合するように周波数を調節可能である、プラズマ処理チャンバ。
[適用例7]適用例1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記通電グリッドは、中心に開口を有する円盤形状であり、前記中心の開口は、金属性であり、複数の伝導性スポークに接続されている、プラズマ処理チャンバ。
[適用例8]チャンバであって、
ケースと、
前記ケース内でウエハを支えるためのチャックと、
誘電体窓によって画定される前記ケースの上部と、
前記誘電体窓の上に配置される通電グリッドと、
前記通電グリッドの上に配置されるTCPコイルと、
前記TCPコイルとは独立に前記通電グリッドに接続されるRF電力と、
を備えるチャンバ。
[適用例9]適用例8に記載のチャンバであって、
前記通電グリッドは、開口領域によって隔てられた複数の伝導性構造を含む、チャンバ。
[適用例10]チャンバであって、
前記チャンバ内でウエハを支えるためのチャックと、
誘電体窓によって画定される前記チャンバの上部と、
前記誘電体窓の上に配置される通電グリッドと、
前記通電グリッドの上に配置されるTCPコイルと、
前記TCPコイルとは独立に前記通電グリッドに接続されるRF電力と、
を備えるチャンバ。
[適用例11]適用例10に記載のチャンバであって、
前記通電グリッドは、開口領域によって隔てられた複数の伝導性構造を含む、チャンバ。
[適用例12]適用例10に記載のチャンバであって、
前記通電グリッドに接続される前記RF電力は、前記TCPコイルに接続される前記RF電力から切り離されている、チャンバ。
[適用例13]プラズマエッチングチャンバ内でウエハを処理するための方法であって、
前記プラズマエッチングチャンバの上部誘電体窓の上に第1のRF電力を印加することであって、前記第1のRF電力は、内コイル及び外コイルに印加される、ことと、
前記プラズマエッチングチャンバの前記上部誘電体窓の上に第2のRF電力を印加することであって、前記第2のRF電力は、前記内コイル及び外コイルと前記誘電体窓との間に配置される通電グリッドに印加される、ことと、
前記第1のRF電力を前記第2のRF電力の設定とは独立に設定することであって、前記第2のRF電力によって印加される周波数及び電力レベルは、前記第1のRF電力によって印加される周波数及び電力レベルと異なる、ことと、
を備える方法。
[適用例14]適用例13に記載の方法であって、
前記第2のRF電力の周波数は、1.5MHzから2.5MHzの間の範囲の低周波数に設定され、前記プラズマエッチングチャンバ内で処理されるプラズマからの、前記通電グリッドから見た負荷に同調される、方法。
[適用例15]適用例13に記載の方法であって、
前記第2のRF電力のワット単位の電力レベルは、前記第1のRF電力のワット単位の電力レベルとは独立に調節可能である、方法。
[適用例16]適用例13に記載の方法であって、
前記第1のRF電力の周波数は、前記TCPコイルに印加されるときに約13.56MHzであるように設定される、方法。
[適用例17]適用例13に記載の方法であって、
前記通電グリッドは、前記誘電体窓の外表面を覆うように配置される、方法。
[適用例18]適用例17に記載の方法であって、
前記誘電体窓の前記外表面を覆うことは、前記通電グリッドの伝導性構造間に空間を画定することを含む、方法。
[適用例19]適用例13に記載の方法であって、
前記第2のRF電力は、前記プラズマエッチングチャンバ内における処理時に整合部から見た負荷に基づいて前記第2のRF電力の周波数を自動的に調節するための調整機能を有する、方法。
[適用例20]適用例19に記載の方法であって、
前記自動調節は、前記プラズマエッチングチャンバ内の条件に基づいて、処理時に経時的に動的に生じる、方法。
Claims (11)
- プラズマ処理チャンバであって、
基板を受けるための静電チャックと、
前記チャンバの上部につながれた誘電体窓であって、その内側は、前記静電チャックの上方のプラズマ処理領域に面し、その外側は、前記プラズマ処理領域の外である、誘電体窓と、
前記誘電体窓の外側の上方に配置され、第1のRF電源に接続される内コイル及び外コイルと、
前記誘電体窓の前記外側と、前記内コイル及び外コイルとの間に配置され、前記第1のRF電源から独立している第2のRF電源に金属製のストラップを介して接続されるようにされた通電グリッドと、
を備え、
前記通電グリッドは、金属材製であり、中心に開口を有する円盤形状であり、前記中心の開口の周りに金属材料のリングを含み、前記金属材料のリングに接続され該リングから前記通電グリッドの外縁まで延びる複数の金属製のスポークを含み、
前記通電グリッドは、金属構造を伴った基板で画定され、前記通電グリッドの前記基板は、前記誘電体窓の前記外側に接触しており、
前記ストラップは、前記通電グリッドの中心の開口における前記金属材料のリングに接続されて、前記第2のRF電源から前記金属材料のリングおよび前記金属製のスポークを介して前記通電グリッドの外縁にRF電力を供給可能である
プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記通電グリッドは、開口領域によって隔てられた複数の金属構造で画定される、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記内コイル及び外コイルに接続される前記第1のRF電源は、変圧器結合プラズマ(TCP)電力を提供する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第2のRF電源は、動作時に、前記チャンバ内のプラズマの負荷に整合するように周波数を調節可能である、プラズマ処理チャンバ。 - プラズマエッチングチャンバ内でウエハを処理するための方法であって、
前記プラズマエッチングチャンバの上部誘電体窓の上に第1のRF電力を印加することであって、前記第1のRF電力は、内コイル及び外コイルに印加される、ことと、
中心に開口を有する円盤形状であり、前記中心の開口の周りに金属材料のリングを含む金属製の通電グリッドであり、前記金属材料のリングに接続され該リングから前記通電グリッドの外縁まで延びる複数の金属製のスポークを含み、前記通電グリッドは、金属構造を伴った基板で画定され、前記通電グリッドの前記基板は、前記誘電体窓の前記外側に接触する、ことと、
前記プラズマエッチングチャンバの前記上部誘電体窓の上に第2のRF電力を印加することであって、前記第2のRF電力は、前記内コイル及び外コイルと前記誘電体窓との間に配置される前記通電グリッドに金属製のストラップを介して印加される、ことと、
前記ストラップは、前記通電グリッドの中心の開口における前記金属材料のリングに接続されて、前記第2のRF電源から前記金属材料のリングおよび前記金属製のスポークを介して前記通電グリッドの外縁にRF電力を供給可能である、ことと、
前記第1のRF電力を前記第2のRF電力の設定とは独立に設定することであって、前記第2のRF電力によって印加される周波数及び電力レベルは、前記第1のRF電力によって印加される周波数及び電力レベルと異なる、ことと、
を備える方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記第2のRF電力の周波数は、1.5MHzから2.5MHzの間の範囲の低周波数に設定され、前記プラズマエッチングチャンバ内で処理されるプラズマからの、前記通電グリッドから見た負荷に同調される、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記第2のRF電力のワット単位の電力レベルは、前記第1のRF電力のワット単位の電力レベルとは独立に調節可能である、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記第1のRF電力の周波数は、前記TCPコイルに印加されるときに約13.56MHzであるように設定される、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記誘電体窓の前記外表面を覆うことは、前記通電グリッドの伝導性構造間に空間を画定することを含む、方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記第2のRF電力は、前記プラズマエッチングチャンバ内における処理時に整合部から見た負荷に基づいて前記第2のRF電力の周波数を自動的に調節するための調整機能を有する、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記自動調節は、前記プラズマエッチングチャンバ内の条件に基づいて、処理時に経時的かつ動的に生じる、方法。
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