CN111048396B - 半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

一种半导体设备的介质窗的清洗方法,该半导体设备包括：反应腔室、介质窗、感应线圈、清洗电极、射频源组件以及阻抗调节组件。射频源组件用于向感应线圈以及清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件与清洗电极电连接，并与射频源的输出端可通断地连接。该清洗方法包括：通过调节阻抗调节组件使得射频源组件的输出端与清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，以使射频功率加载于感应线圈之上实现反应腔室内等离子体起辉；以及通过调节阻抗调节组件使得阻抗小于第一预设值，以使射频功率加载于清洗电极上，以维持等离子体实现对介质窗进行清洗。

Description

半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备
技术领域
本发明是有关于半导体加工领域，详细来说，是有关于一种半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备。
背景技术
半导体加工设备在对工作件(如晶圆)进行加工，举例来说，对工作件(如晶圆)进行刻蚀时，因刻蚀所产生的反应副产物、等离子体轰击工作件(如晶圆)所产生的掩膜或工作件(如晶圆)所溅射出来的固形物等会附着于腔室内壁上，其中，介电窗作为射频功率馈入腔室的通道，介电窗上附着物的沉积情况将严重影响对工作件(如晶圆)进行加工的工艺结果。然而，目前的半导体加工设备针对介电窗的清洗效率并不显著，长久下来将造成半导体加工设备的工艺效果降低。
发明内容
本发明公开一种半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备，来解决背景技术中的问题，如避免介电窗上附着物的沉积情况影响工作件(如晶圆)的工艺结果。
依据本发明的一实施例，公开一种半导体设备的介质窗的清洗方法。所述半导体设备包括：反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗；感应线圈和清洗电极，置于所述介电窗之上；射频源组件，所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件，所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源的输出端可通断地连接。所述清洗方法包括：通过调节所述阻抗调节组件，使得所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，以使所述射频功率加载于所述感应线圈之上，实现所述反应腔室内等离子体起辉；以及通过调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于第一预设值，以使所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体实现对所述介质窗进行清洗。
本实施例所公开的清洗方法通过调节射频源组件与电极之间的阻抗的技术手段来加入物理清洗及化学清洗的效果，进而大幅增加对介电窗的清洗效率，避免介电窗上的附着物影响对工作件(如晶圆)的工艺结果。
依据本发明的一实施例，公开一种半导体加工设备，包括：反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗、置于所述介电窗之上的感应线圈和清洗电极、射频源组件以及阻抗调节组件。所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率。所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源的输出端可通断地连接。所述阻抗调节组件用于调节所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗；当阻抗调节组件与所述射频源组件的输出端连通时，调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗大于第一预设值，所述射频功率加载于所述感应线圈之上并将所述射频功率耦合至所述介电窗下方实现等离子体起辉；调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于第一预设值，所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体以对所述介质窗进行清洗。
本实施例所公开的半导体加工设备利用调节射频源组件与电极之间的阻抗的技术手段来同时加入物理清洗及化学清洗的效果，进而大幅增加对介电窗的清洗效率，避免介电窗上的附着物影响对工作件(如晶圆)的工艺结果。
附图说明
图1是依据本发明一实施例之半导体加工设备的示意图。
图2是依据本发明一实施例之阻抗调节组件的示意图。
图3是依据本发明另一实施例之阻抗调节组件的示意图。
图4是依据本发明一实施例之电极的结构示意图。
图5是依据本发明一实施例之半导体设备的介电窗的清洗方法流程图。
具体实施方式
以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随申请专利范围所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
半导体加工设备在对工作件(如晶圆)进行加工，举例来说，对工作件(如晶圆)进行刻蚀时，因刻蚀所产生的反应副产物、等离子体轰击工作件(如晶圆)所产生的掩膜或工作件(如晶圆)所溅射出来的固形物会附着于腔室内壁及介电窗上，其中，介电窗作为射频功率馈入腔室的通道，介电窗上附着物的沉积情况将严重影响对工作件(如晶圆)进行加工的工艺结果。详细来说，若工作件(如晶圆)包含金属或者使用金属作掩膜，在对工作件(如晶圆)进行加工时，金属颗粒会溅射到介电窗上，如此将导致其他副产物围绕金属颗粒附着。当外界条件变化时，金属颗粒连同副产物掉落，进而形成污染源；另外，金属颗粒附着在介电窗上会形成类似于法拉第屏蔽的金属膜层，该法拉第屏蔽的金属膜层会改变射频功率的耦合情况，造成等离子体起辉困难以及等离子体成份变化等问题，进而影响对工作件(如晶圆)进行加工的工艺结果。
本发明公开一种半导体设备的介电窗的清洗方法以及相关半导体加工设备来增加对介电窗的清洗效率，避免介电窗上的附着物的沉积情况影响工作件(如晶圆)的工艺结果。
图1是依据本发明一实施例的半导体加工设备1的示意图。半导体加工设备1用于对工作件(如晶圆)进行加工。举例来说，半导体加工设备1可以是一种刻蚀装置，用于对工作件(如晶圆)进行刻蚀，同时可实现对介质窗进行清洗工艺。半导体加工设备1包括壳体10、介电窗11、射频源组件12、感应线圈14、清洗电极15及阻抗调节组件16。壳体10所包围的空间定义为反应腔室CH，且介电窗11置于反应腔室CH之中。
射频源组件12、感应线圈14、清洗电极15及阻抗调节组件16组成对介电窗11进行清洗的清洗机制。射频源组件包括射频源121、匹配电路122以及一输出端OUT，其中射频源121通过匹配电路122经由输出端OUT耦接至感应线圈14，并且射频源121通过匹配电路122向感应线圈14及清洗电极15加载射频功率。匹配电路122用于匹配射频源121后方的阻抗，使得射频源121输出的射频功率有最大的耦合效率。感应线圈14和清洗电极15置于介电窗11之上。
阻抗调节组件16与清洗电极15电连接，并且与射频源组件12的输出端OUT可通断地连接。阻抗调节组件16用于调节射频源组件12的输出端OUT与清洗电极15之间的阻抗。清洗电极15包括导电材料，举例来说，清洗电极15可以是金属电极。需说明的是，在本发明中，“耦接”一词并不限定于直接地、物理性地连接，“耦接”可代表通过其他第三者间接地、非物理性地连接。
当半导体加工设备1对介电窗11进行清洗时，阻抗调节组件16调节清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗大于第一预设值，使得清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径形成断路。如此一来，射频源组件12所产生的射频功率加载至感应线圈14之上。感应线圈14以感应耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma,ICP)的方式将射频功率耦合至介电窗11的下方，以将反应腔室CH内的等离子体起辉。
接着，阻抗调节组件16调节清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗小于第一预设值，使得清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径形成通路。如此一来，部分射频功率将分配至清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径，并加载于清洗电极15之上。加载于清洗电极15之上的射频功率在清洗电极15上产生偏置电压以吸引等离子体朝向介电窗11移动，借以对介电窗11进行清洗。在本实施例中，偏置电压在1200伏特至1800伏特的范围时，可以顺利地吸引等离子体。优选地，偏置电压为1500伏特。
在本实施例中，等离子体包括由第一清洗气体电离产生的第一等离子体以及由第二清洗气体电离产生的第二等离子体。在本实施例中，第一清洗气体包括氩气，当第一清洗气体被电离成第一等离子体后，第一等离子体内所包括的氩离子受到清洗电极15上的偏置电压吸引向介电窗11的方向移动，藉此对介电窗11上的金属颗粒进行轰击，达到物理清洗的效果；在本实施例中，第二清洗气体包括氧气及六氟化硫，当第二清洗气体被电离成第二等离子体后，第二等离子体内所包括的氧离子及氟离子受到清洗电极15上的偏置电压吸引向介电窗11的方向移动，藉此对介电窗11上除金属颗粒外的加工副产物进行反应，达到化学清洗的效果。
详细来说，当半导体加工设备1对介电窗11进行清洗时，阻抗调节组件16调节清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗大于第一预设值，当阻抗大于第一预设值时，清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径形成断路，并使清洗电极15处于悬浮状态。在本实施例中，第一预设值在1800欧姆至2200欧姆的范围内。优选地，第一预设值大约为2千欧姆。由于清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径形成断路，射频源121通过匹配电路122所产生的射频功率加载至感应线圈14之上。感应线圈14以ICP的方式将射频功率耦合至介电窗11的下方，来将第一清洗气体电离成第一等离子体，并且将第二清洗气体电离成第二等离子体。需说明的是，在反应腔室CH内部气压50毫托、射频源121的输出功率设置为1500瓦特且阻抗为2千欧姆的情况下，此时清洗电极15上的偏置电压通过射频功率的耦合作用达到200伏特。
接着，阻抗调节组件16调节清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗小于第一预设值，使得清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径形成通路。由于清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径形成通路，射频源组件12所产生的射频功率部分加载至清洗电极15之上，进而增加清洗电极15上的偏置电压。当阻抗调节组件16将清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径阻抗调节至第二预设值时，清洗电极15上的偏置电压吸引第一等离子体与第二等离子体朝向介电窗11的方向移动，并对介电窗11进行清洗。在本实施例中，第二预设值在100欧姆至150欧姆的范围内。优选地，第二预设值大约为133欧姆。需说明的是，在反应腔室CH内部气压为50毫托、射频源121的输出功率设置为1500瓦特且阻抗为133欧姆的情况下，此时清洗电极15上的偏置电压大约为1500伏特，可以顺利地吸引第一等离子体及第二等离子体朝向介电窗11的方向移动以并对介电窗11进行清洗。
由于本发明使用了物理清洗以及化学清洗，可以大幅增加对介电窗11的清洗效率，避免介电窗11上的附着物影响对工作件(如晶圆)的工艺结果。
需注意的是，本技术领域具有通常知识者应能轻易理解半导体加工设备1还包括其他装置及组件来实现对工作件(如晶圆)的加工。举例来说，半导体加工设备1还包括进气通道，用于将第一清洗气体以及第二清洗气体通入反应腔室CH内。举例来说，半导体加工设备1还包括置于反应腔室CH内的下部电极平台，用于当半导体加工设备1对工作件(如晶圆)进行加工时承载工作件(如晶圆)。为求图示的简洁，图1所示的实施例仅描绘与本发明精神相关的装置及组件。
图2是依据本发明一实施例之阻抗调节阻件16的示意图。阻抗调节阻件16包括可变阻抗21、感测器22以及控制组件23。在图2的实施例中，可变阻抗21以可变电容实现。然而，此并非本发明的一限制，本技术领域具有通常知识者应能轻易理解，只要能达到调节清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗的目的，可变阻抗21并不限定以可变电容来实现。在某些实施例中，可变阻抗21可以由可变电阻或可变电感来实现。本发明在后续的段落中以可变电容21说明。在本实施例中，可变电容21的电容值在10皮法拉至500皮法拉的范围内。可变电容21的一端耦接至清洗电极15，可变电容21的另一端与输出端OUT可通断地连接。通过调节可变电容21的电容值，阻抗调节阻件16可达到调节清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗的目的。
感测器22的一端耦接至清洗电极15，感测器22的另一端耦接至输出端OUT。感测器22与可变电容21形成并联连接，其中感测器22用于感测清洗电极15上的偏置电压，并依据偏置电压输出控制信号CTRL。控制组件23的一端耦接至感测器22，控制组件23的另一端耦接至可变电容21，其中控制组件23用于依据控制信号CTRL来调节可变电容21的电容值。在本实施例中，感测器22包括双通道的VI-感测器，其可用于感测清洗电极15上的偏置电压，并输出控制信号CTRL；VI-感测器还可用于感测匹配电路122的输出电压，避免匹配电路122的输出电压过大造成打火等问题。在本实施例中，控制组件23包括可控制可变电容21转动的步进马达，其可依据控制信号CTRL来调节可变电容21的电容值。
当半导体加工设备1对介电窗11进行清洗时，阻抗调节组件16将可变电容21的电容值调节为第一电容值，藉此将清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗调节为第一预设值。优选地，所述第一电容值为10皮法拉，此时，清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗大约为2000欧姆(即第一预设值)。接着，由于清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径形成断路，射频源组件12所产生的射频功率加载于感应线圈14之上。感应线圈14以ICP的方式将射频功率耦合至介电窗11的下方，来使等离子体起辉。
接着，阻抗调节组件16通过感测器22来感测清洗电极15上的偏置电压并输出控制信号CTRL，再通过控制组件23依据控制信号CTRL来调节可变电容21的电容值，使得清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径形成通路，射频源组件12所产生的射频功率部分分配至清洗电极15之上，进而增加清洗电极15上的偏置电压。详细来说，可变电容21与清洗电极15为串联连接，当清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径形成通路时，射频功率将分配至清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径上，并且在可变电容21上产生电压差以及在清洗电极15上产生偏置电压。通过将可变电容21的电容值增加，可变电容21的等效阻抗逐步地减小，因此产生在清洗电极15上的偏置电压将相应地增加。在本实施例中，在可变电容21的两端的电压差以及清洗电极15上产生的偏置电压的比值位于0.1至10的范围内。
当可变电容21的电容值调节至第二电容值时，清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗为第二预设值。优选地，所述第二电容值大约为150皮法拉，此时，清洗电极15与输出端OUT之间的阻抗大约为133欧姆(即第二预设值)，且清洗电极15上的偏置电压大约为1500伏特，可吸引等离子体向介电窗11的方向移动以对介电窗11进行清洗。
在图2的实施例中，当半导体加工设备1对介电窗11进行清洗时，阻抗调节组件16将可变电容21的电容值调节为第一电容值，藉此使得清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径形成断路，然而，为了更有效地将清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径断开，阻抗调节组件16并不限定于图2所示的结构。参考图3，图3是依据本发明另一实施例之阻抗调节组件16的示意图。图3所示的阻抗调节组件16与图2所示的阻抗调节组件16大致相同，差异仅在于图3所示的阻抗调节组件16另外包括了开关24。开关24的一端耦接至输出端OUT，开关24的另一端耦接至可变电容21。
当半导体加工设备1对介电窗11进行清洗时，阻抗调节组件16断开开关24，使得清洗电极15与输出端OUT之间的电性路径形成断路。当控制组件23调节可变电容21的电容值时，阻抗调节组件16启动开关24，使得清洗电极15与匹配电路122之间的电性路径形成通路。本技术领域具有通常知识者在阅读完上述段落后，应能轻易理解图3所示的实施例，详细说明在此省略以省篇幅。
图4是依据本发明一实施例之清洗电极15的结构示意图。如图4所示，清洗电极15呈现树枝状结构。在本实施例中，清洗电极15的孔隙率在90％以上。需注意的是，只要清洗电极15的孔隙率在90％以上，本发明并不限定清洗电极15仅能为图4所示的结构。在其他实施例中，清洗电极15可以是网状结构或星状结构。
图5是依据本发明一实施例之半导体设备的介电窗的清洗方法5的流程图。倘若大体上能得到大致相同的结果，本发明并不限定完全依照图5所示的流程步骤来执行。方法5的流程大致可归纳如下:
步骤501:调节阻抗调节组件使得射频源组件的输出端与清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，以使射频功率加载于感应线圈之上。
步骤502:调节阻抗调节组件使得射频源组件的输出端与清洗电极之间的阻抗小于第一预设值，以使部分射频功率加载于清洗电极之上。
本技术领域具有通常知识者在阅读完图1至图4的实施例后，应能轻易理解图5所示的流程图，详细说明在此省略以省篇幅。
简单归纳本发明，本发明公开一种半导体设备的介电窗的清洗方法以及相关半导体加工设备，通过调节清洗电极与射频源组件的输出端之间的阻抗来起辉等离子体；另外，通过调节清洗电极与射频源组件的输出端之间的阻抗来增加电极上的偏置电压，使得所述偏置电压吸引等离子体向介电窗移动，同时进行物理清洗与化学清洗。由于本发明使用了物理清洗以及化学清洗，可以大幅增加对介电窗的清洗效率，避免介电窗上的附着物影响对工作件(如晶圆)的工艺结果。

Claims (18)

1.一种半导体设备的介质窗的清洗方法，其中，所述半导体设备包括：反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗；感应线圈和清洗电极，其置于所述介质窗之上且所述清洗电极位于所述感应线圈下方；射频源组件，所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件，所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源的输出端可通断地连接，其特征在于，所述方法包括：
通过调节所述阻抗调节组件，使得所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，其中所述第一预设值使得所述清洗电极与所述输出端之间形成断路并使得所述射频功率加载于所述感应线圈之上，实现所述反应腔室内等离子体起辉；以及
通过调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于所述第一预设值，以使所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体实现对所述介质窗进行清洗，
所述等离子体包括由第一清洗气体电离产生的第一等离子体以及由第二清洗气体电离产生的第二等离子体，所述第一清洗气体包括氩气，所述第二清洗气体包括氧气及六氟化硫。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，通过调节所述阻抗调节组件包括：
调节所述阻抗调节组件中的可变电容的电容值来调节所述阻抗，其中所述可变电容的一端耦接至所述清洗电极，另一端与所述射频源的输出端可通断地连接。
3.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述可变电容的电容值在10至500皮法拉的范围内。
4.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，调节所述阻抗调节组件中的所述可变电容的所述电容值来调节所述阻抗包括：
通过所述阻抗调节组件中的感测器来感测所述清洗电极的电压值，其中所述感测器的一端耦接至所述清洗电极；
依据所述电压值输出控制信号；以及
通过所述阻抗调节组件中的控制组件并依据所述控制信号来调整所述可变电容，其中所述控制组件的一端耦接至所述感测器，另一端耦接至所述可变电容。
5.如权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述控制组件包括步进马达。
6.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，还包括：
通过所述阻抗调节组件中的开关来控制所述阻抗调节组件与所述射频源组件的所述输出端之间的导通状态，其中，所述开关的一端耦接至所述可变电容，另一端耦接至所述射频源组件的输出端。
7.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述可变电容的两端具有电压差，所述电压差与所述清洗电极的电压值的比值在0.1至10的范围内。
8.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗电极为孔隙结构，且孔隙率大于90％。
9.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设值在1800欧姆至2200欧姆的范围内。
10.如权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设值是2000欧姆。
11.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，通过调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于所述第一预设值包括：
调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗至第二预设值以吸引所述等离子体朝向所述介质窗移动来进行清洗。
12.如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，所述第二预设值在100欧姆至150欧姆的范围内。
13.一种半导体加工设备，其特征在于，包括:
反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗；
感应线圈和清洗电极，置于所述介质窗之上且所述清洗电极位于所述感应线圈下方；
射频源组件，所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率；
阻抗调节组件，所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源组件的输出端可通断地连接，所述阻抗调节组件用于调节所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗；当阻抗调节组件与所述射频源组件的输出端连通时，调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗大于第一预设值，其中所述第一预设值使得所述清洗电极与所述输出端之间形成断路并使得所述射频功率加载于所述感应线圈之上并将所述射频功率耦合至所述介质窗下方实现等离子体起辉；调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于第一预设值，所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体以对所述介质窗进行清洗。
14.如权利要求13所述的半导体加工设备，其特征在于，所述阻抗调节组件包括可变电容，所述可变电容的一端耦接至所述清洗电极，另一端与所述射频源的输出端可通断地连接，通过调节所述可变电容的电容值来调节所述阻抗。
15.如权利要求14所述的半导体加工设备，其特征在于，所述阻抗调节组件还包括:
感测器，所述感测器的一端耦接至所述清洗电极，其中所述感测器用于感测所述清洗电极的电压值，并依据所述电压值输出控制信号；及
控制组件，所述控制组件的一端耦接至所述感测器，另一端耦接至所述可变电容，其中所述控制组件用于依据所述控制信号调整所述可变电容。
16.如权利要求15所述的半导体加工设备，其特征在于，所述控制组件包括步进马达。
17.如权利要求14所述的半导体加工设备，其特征在于，所述阻抗调节组件还包括:
开关，所述开关的一端耦接至所述可变电容，另一端耦接至所述射频源组件的输出端，所述开关用于控制所述阻抗调节组件与所述射频源组件的输出端的导通状态。
18.如权利要求13所述的半导体加工设备，其特征在于，所述射频源组件包括射频源和匹配器，所述射频源通过所述匹配器向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率。
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