JP6026146B2 - サイクロトロン - Google Patents

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Description

本発明は、サイクロトロンに係り、特に超伝導コイルを収容する真空容器の支持構造を改良したサイクロトロンに関する。
特開2002−43117号公報には、サイクロトロンの一例が開示されている。サイクロトロンでは、ビーム加速軌道用の空間の周りに配置した超伝導コイルから磁界を生じさせることにより、この空間内に所定のビーム加速軌道が形成される。超伝導コイルは、真空容器に収容されており、真空容器は、超伝導コイルの巻回軸の方向と巻回軸に垂直な方向のそれぞれでヨークに対して支持されている。
特開2002−43117号公報
ところで、真空容器には、巻回軸に交差する方向に作用する荷重により損傷が及ぶことがある。例えば、超伝導コイルには、巻回軸に交差する方向の熱収縮が生じる場合がある。この場合、超伝導コイルを収容する真空容器には、超伝導コイルの熱収縮に起因して巻回軸に交差する方向の荷重が作用することになり、損傷が及ぶことがある。
ここで、巻回軸に交差する方向に作用する荷重による損傷を抑制するために、巻回軸に交差する方向で真空容器の移動を許容するように真空容器の支持構造を改良することが考えられる。
しかし、真空容器の移動を許容しても、真空容器の円滑な移動が確保されなければ、真空容器の損傷を確実に抑制できないことが想定される。例えば、超伝導コイルの熱収縮に追従した真空容器の円滑な移動が確保されなければ、真空容器の損傷を確実に抑制できなくなってしまう。
また、真空容器の移動を許容することで、ビーム加速軌道形成のために超伝導コイルの位置調整が必要となり、真空容器を巻回軸に交差する方向へ移動する必要が生じる場合が想定される。この場合、超伝導コイルを含む真空容器の重量が大きいので、ジャッキなどを用いた移動作業に多大な労力を要してしまう。
このため、本発明は、超伝導コイルの巻回軸に交差する方向で真空容器を円滑に移動できるサイクロトロンを提供しようとするものである。
本発明に係るサイクロトロンは、一対の磁極と、磁極の周囲を巻回する超伝導コイルと、超伝導コイルを収容する真空容器と、真空容器に対して超伝導コイルを支持する荷重支持体と、超伝導コイルの巻回軸に交差する方向に延伸している支持面と、巻回軸に沿う方向へ延伸している側面を有し、支持面により巻回軸の方向で真空容器を支持するヨークと、を備え、巻回軸に交差する方向において側面と真空容器の外側面との間には隙間が形成されていることで、真空容器は巻回軸に交差する方向において支持面に対して摺動可能であり、支持面とヨークの間に設けられる摩擦低減部を更に備える。
本発明に係るサイクロトロンによれば、摩擦低減部が設けられるので、真空容器が巻回軸に交差する方向へ移動する際に真空容器とヨークの間に生じる摩擦抵抗が低減される。よって、巻回軸に交差する方向で真空容器を円滑に移動できる。
また、摩擦低減部は、支持面に配置されたシート材でもよい。これにより、摩擦低減部を簡単に実現できる。シート材としては、例えばポリテトラフルオロエチレン製シートが好適に用いられる。
また、摩擦低減部は、支持面に設けられた表面処理層でもよい。これにより、真空容器とヨークの間に空間を確保せずとも摩擦低減部を実現できる。また、巻回軸の方向に作用する荷重による摩擦低減部の損傷を抑制できる。表面処理層としては、例えば、ガス軟窒化処理層またはダイヤモンドライクカーボン(DLC)処理層が好適に用いられる。
本発明によれば、超伝導コイルの巻回軸に交差する方向で真空容器を円滑に移動できるサイクロトロンを提供することができる。
サイクロトロンの全体構成を示す概略図である。 本発明の実施形態に係るサイクロトロンを示す断面図である。 縦・横荷重支持体と冷凍機の配置関係を示す図である。 真空容器の支持構造を示す断面図である。 図4に示す支持構造の動作を示す図である。 摩擦低減部を伴う支持構造を示す断面図である。 図6に示す支持構造の動作を示す図である。 図6に示す摩擦低減部の変形例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
まず、図1から図4を参照して、本発明の実施形態に係るサイクロトロン1の構成について説明する。図1は、サイクロトロン1の全体構成を示す概略図である。サイクロトロン1は、荷電粒子を加速して荷電粒子線を出射するものであり、例えば、陽子線治療装置の陽子加速器として用いられる。荷電粒子の例としては、水素、炭素、リチウム等のイオンが挙げられる。
図1に示すように、サイクロトロン1は、ディー電極2と、ビーム引出系3、4(デフレクタ3および磁気チャンネル4)と、ビーム出口5の先に配置されたビーム輸送系6とを備えている。サイクロトロン1では、装置中心部のイオン源(不図示)から発生する荷電粒子がビーム加速軌道7に沿って加速され、ビーム加速軌道7の最外周部を通過中にビーム引出系3、4の静電場および磁場の作用により引出軌道8が形成される。ビーム調整時には、デフレクタ3の電圧や磁気チャンネル4の電流を微調整することにより、引出軌道8がビーム出口5へ向けられる。
図2は、本発明の実施形態に係るサイクロトロン1を示す断面図である。図3は、サイクロトロン1上における縦・横荷重支持体30、40と冷凍機60の配置関係を示す図である。サイクロトロン1は、超伝導コイル10を収容する真空容器20の支持構造を改良したものである。
図2に示すように、サイクロトロン1は、超伝導コイル10、真空容器20、縦荷重支持体30(荷重支持体)、横荷重支持体40、ヨーク50および冷凍機60を備えている。
超伝導コイル10は、筒状の巻枠11と巻枠11に巻回された超伝導線材12とから構成されている。超伝導線材12は、巻回軸Cを基準として巻枠11に例えば上下一対に巻回されている。巻枠11の内側には、上磁極71と下磁極72とが離間して配置され、磁極71、72間にビーム加速軌道7(図1)用の空間73が設けられている。空間73には、超伝導コイル10、磁極71、72により、荷電粒子を加速するための磁場が形成される。なお、図2では、空間73に配置されるディー電極2、ビーム引出系3、4の表示が省略されている。
真空容器20は、超伝導コイル10を収容する気密容器として構成されている。真空容器20は、ステンレススチールなどの非磁性体からなる。真空容器20の内部空間は、サイクロトロン1の運転中、上下の蓋体21a、21bにより密閉され、真空ポンプ等の排気手段(不図示)を用いて真空状態に維持される。真空容器20には、超伝導コイル10を取り囲むように熱シールド板(不図示)が設けられている。
縦荷重支持体30は、巻回軸Cの方向(縦方向)で真空容器20に対して超伝導コイル10を支持する部材である。縦荷重支持体30としては、例えば高強度の絶縁材料(GFRP、CFRP等)が用いられる。縦荷重支持体30は、真空容器20内で真空容器20に対して超伝導コイル10を縦方向に支持している。縦荷重支持体30は、超伝導コイル10の上部と下部をそれぞれ支持する上支持部材31aと下支持部材31bからなる。上支持部材31aと下支持部材31bは、真空容器20の蓋体21a、21bを介して超伝導コイル10とヨーク50の間に配置されている。
横荷重支持体40は、巻回軸Cに垂直な方向(横方向)で真空容器20に対して超伝導コイル10を支持する部材である。横荷重支持体40としては、例えば高強度の絶縁材料(GFRP、CFRP等)が用いられる。横荷重支持体40は、真空容器20内で真空容器20に対して超伝導コイル10を横方向に支持している。横荷重支持体40は、超伝導コイル10の側部を支持するように、真空容器20の側部とヨーク50の側部との間に配置されている。なお、サイクロトロン1を90°回転させて使用する場合、縦荷重支持体30が横方向に配置され、横荷重支持体40が縦方向に配置されることになる。
ヨーク50は、巻回軸Cに垂直な方向(横方向)で真空容器20の移動を許容した状態において巻回軸Cの方向(縦方向)で真空容器20を支持する鉄心として構成されている。ヨーク50は、超伝導コイル10により生成される磁束の均一化を図るように機能する。例えば、ヨーク50は、巻回軸Cが鉛直方向をなす場合、水平方向で真空容器20の移動を許容した状態において、鉛直方向で真空容器20を支持する。
ヨーク50には、真空容器20を取り囲むように穴51が穿設されている。また、ヨーク50には、その一部として穴51の上下を塞ぐヨークブロック52a、52bが固定されている。ここで、ヨーク50には、縦方向に真空容器20を移動させるための縦ジャッキ74と、横方向に真空容器20を移動させるための横ジャッキ75が固定されている。また、詳細は後述するが、ヨークブロック52a、52bには蓋体21a、21bを受容する凹部53(図4参照)が設けられている。
冷凍機60は、超伝導コイル10を冷却する冷却手段として構成されている。冷凍機60としては、例えば小型のGM式(ギフォードマクマホン式)の冷凍機が用いられる。冷凍機60は、伝熱材を介してコールドヘッドを巻枠11に接触させて超伝導コイル10を例えば4Kに冷却する。
図3には、縦・横荷重支持体30、40と冷凍機60の配置関係が平面的に示されている。図3に示すように、ヨーク50には、例えば45°の間隔で4組の縦荷重支持体30と冷凍機60が交互に配置され、例えば90°の間隔で4つの横荷重支持体40が配置される。
図4は、真空容器20の支持構造を示す図である。なお、以下では、上支持部材31a周辺の構造について説明するが、下支持部材31b周辺の構造についても同様に説明される。
図4に示すように、ヨークブロック52aには、蓋体21aを受容する凹部53が設けられている。凹部53は、真空容器20の端部(蓋体21a)を支持する支持面54を有している。支持面54は、その幅が蓋体21aの幅より大きく形成されている。また、凹部53の側面と蓋体21aの側面の間には、例えば1mm程度の間隙Sが確保されている。ヨーク50は、支持面54により巻回軸Cの方向で真空容器20を支持するとともに、間隙Sにより巻回軸Cに交差する方向で真空容器20の移動を許容する。これにより、巻回軸Cに交差する方向で真空容器20が摺動可能となるので、支持面54は摺動面54としても機能することになる。
つぎに、図5を参照して、図4に示すサイクロトロン1の動作について説明する。
真空容器20には、巻回軸Cに交差する方向に作用する荷重により損傷が及ぶことがある。例えば、超伝導コイル10には、冷凍機60の冷却作用により巻回軸Cに交差する方向(超伝導コイル10の巻回中心に向かう方向)の熱収縮が生じる場合がある。この場合、超伝導コイル10を収容する真空容器20には、超伝導コイル10の熱収縮に起因して巻回軸Cに交差する方向の荷重Lが作用することになり、損傷が及ぶことがある。
しかし、巻回軸Cに交差する方向で真空容器20の移動を許容した状態において巻回軸Cの方向で真空容器20が支持されるので、図5に示すように、巻回軸Cに交差する方向に作用する荷重Lに追従した真空容器20の移動が許容される。よって、真空容器20では、その移動を許容しない場合よりも荷重Lに抵抗する内部応力の発生が低減されるので、真空容器20の損傷を抑制できる。
図6は、摩擦低減部81を伴う支持構造を示す図である。なお、以下でも、上支持部材31a周辺の構造について説明するが、下支持部材31b周辺の構造についても同様に説明される。
図6に示すように、ヨークブロック52aには、真空容器20との間の摺動面54(図4参照)、より詳しくは蓋体21aとの間の摺動面54に摩擦低減部81が設けられている。摩擦低減部81は、真空容器20が巻回軸Cに垂直な方向(横方向)へ摺動する際に、真空容器20とヨーク50(ヨークブロック52a)の間に生じる摩擦抵抗を低減可能な任意のシート材からなる。シート材は、好ましくはポリテトラフルオロエチレン製シートである。
つぎに、図7を参照して、図6に示すサイクロトロン1の動作について説明する。
図5に示すように真空容器20の移動を許容しても、真空容器20の円滑な移動が確保されなければ、真空容器20の損傷を確実に抑制できないことが想定される。例えば、超伝導コイル10の熱収縮に追従した真空容器20の円滑な移動が確保されなければ、真空容器20の損傷を確実に抑制できなくなってしまう。
また、真空容器20の移動を許容することで、ビーム加速軌道7形成のために超伝導コイル10の位置調整が必要となる。これは、超伝導コイル10の巻回中心とビーム加速軌道7の中心が一致しなければ、サイクロトロン1からのビーム出力が低下するためである。よって、超伝導コイル10の位置調整のために、真空容器20を巻回軸Cに交差する方向へ移動する必要が生じる場合が想定される。この場合、超伝導コイル10を含む真空容器20の重量が大きいので、ジャッキ75などを用いた移動作業に多大な労力を要してしまう。
しかし、図7に示すように真空容器20とヨーク50の間の摺動面54に摩擦低減部81が設けられるので、真空容器20が巻回軸Cに交差する方向へ移動する際に真空容器20とヨーク50の間に生じる摩擦抵抗Fが低減される。よって、摩擦低減部81を設けない場合よりも巻回軸Cに交差する方向で真空容器20を円滑に移動できる。
より詳しくは、例えば図5に示すように、巻回軸Cに交差する方向で真空容器20に荷重L(熱収縮に伴う荷重またはジャッキ荷重)が作用すると、荷重Lと反対の方向の摩擦力Fが摺動面54に生じる。ここで、熱収縮に伴う荷重は、超伝導コイル10から上支持部材31aを通じて真空容器20に作用し、ジャッキ荷重は、ジャッキ75から横荷重支持体40(図2参照)を通じて真空容器20に作用する。そして、比較的大きな摩擦力Fが摺動面54に生じるので、熱収縮に伴う荷重による移動が妨げられると荷重Lに抵抗する比較的大きな応力が真空容器20に生じ、また位置調整に際しては比較的大きな摩擦抵抗Fを克服するようなジャッキ荷重が必要となってしまう。
一方、図7に示すように、摺動面54に摩擦低減部81が設けられると、摩擦低減部81が設けられない場合よりも摺動面54(図5参照)に生じる摩擦力Fが低減される。そして、摩擦力Fが低減されることにより、熱収縮荷重による移動の妨げが抑制されて真空容器20に生じる応力を低減でき、また位置調整に要するジャッキ荷重を低減できる。
ここで、摩擦低減部81としては、シート材に代えて表面処理層が用いられてもよい。図8は、図6に示す摩擦低減部81の変形例を示す図である。
図8に示すように、摩擦低減部82は、真空容器20とヨーク50(ヨークブロック52a)の間の摺動面54(図4参照)、より詳しくは真空容器20およびヨーク50の少なくとも一方の面に設けられた表面処理層として構成される。なお、図8では、表面処理層が蓋体21a側に設けられているが、蓋体21a側に代えて凹部53側に設けられてもよく、蓋体21a側とともに凹部53側に設けられてもよい。
表面処理層は、真空容器20が巻回軸Cに垂直な方向(横方向)へ摺動する際に、真空容器20とヨーク50の間に生じる摩擦抵抗を低減可能な任意の表面処理層からなる。表面処理層は、好ましくはガス軟窒化処理層またはダイヤモンドライクカーボン(DLC)処理層である。ここで、摺動面54の摩擦係数は、ガス軟窒化処理層により約0.05〜0.12、DLC処理層により約0.01に低減できる。
以上説明したように、本発明の実施形態に係るサイクロトロン1によれば、真空容器20とヨーク50の間の摺動面54に摩擦低減部81、82が設けられるので、真空容器20が巻回軸Cに交差する方向へ移動する際に真空容器20とヨーク50の間に生じる摩擦抵抗Fが低減される。よって、巻回軸Cに交差する方向で真空容器20を円滑に移動できる。
また、摺動面54にシート材を配置することにより、摩擦低減部81を簡単に実現できる。シート材としては、例えばポリテトラフルオロエチレン製シートが好適に用いられる。
また、摺動面54に表面処理層を設けることにより、真空容器20とヨーク50の間に空間を確保せずとも摩擦低減部82を実現できる。また、巻回軸Cの方向に作用する荷重による摩擦低減部82の損傷を抑制できる。表面処理層としては、例えば、ガス軟窒化処理層またはダイヤモンドライクカーボン(DLC)処理層が好適に用いられる。
なお、前述した実施形態は、本発明に係るサイクロトロン1の最良な実施形態を説明したものであり、本発明に係るサイクロトロン1は、本実施形態に記載したものに限定されるものではない。本発明に係るサイクロトロン1は、各請求項に記載した発明の要旨を逸脱しない範囲で本実施形態に係るサイクロトロン1を変形し、または他のものに適用したものであってもよい。
例えば、前述した実施形態では、巻回軸Cに垂直な方向で真空容器20の移動を許容した状態において巻回軸Cの方向で真空容器20を支持するようにヨーク50を構成する場合について説明した。しかし、ヨーク50は、巻回軸Cに交差する任意の方向で真空容器20の移動を許容した状態において巻回軸Cの方向で真空容器20を支持するように構成されてもよい。
1…サイクロトロン、10…超伝導コイル、20…真空容器、30…縦荷重支持体、40…横荷重支持体、50…ヨーク、53…凹部、54…摺動面、60…冷凍機、81、82…摩擦低減部、C…巻回軸。

Claims (3)

  1. 一対の磁極と、
    前記磁極の周囲を巻回する超伝導コイルと、
    前記超伝導コイルを収容する真空容器と、
    前記真空容器に対して前記超伝導コイルを支持する荷重支持体と、
    前記超伝導コイルの巻回軸に交差する方向に延伸している支持面と、前記巻回軸に沿う方向へ延伸している側面を有し、前記支持面により前記巻回軸の方向で前記真空容器を支持するヨークと、を備え、
    前記巻回軸に交差する方向において前記側面と前記真空容器の外側面との間には隙間が形成されていることで、前記真空容器は前記巻回軸に交差する方向において前記支持面に対して摺動可能であり、
    前記支持面と前記ヨークの間に設けられる摩擦低減部を更に備える
    サイクロトロン。
  2. 前記摩擦低減部は、前記支持面に配置されたシート材である、請求項1に記載のサイクロトロン。
  3. 前記シート材は、ポリテトラフルオロエチレンからなる、請求項2に記載のサイクロトロン。
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