JP6019618B2 - 周期的分極反転構造の形成方法及び波長変換素子の形成方法 - Google Patents
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Description
まず、図1(A)〜(C)を参照して、この発明の周期的分極反転構造の形成方法の概要について説明する。図1(A)は、周期的分極反転領域(以下、素子領域とも称する。)のみを備える基板の模式的な平面図であり、従来型に対応する。図1(B)は、素子領域に加えて電荷量調整領域(以下、調整領域とも称する。)を備える基板の模式的な平面図であり、本発明に対応する。なお、図1(B)中には、素子領域の一部を拡大した部分拡大図を記してある。図1(C)は、調整領域の有無による電荷移動量の変化を模式的に示す特性図である。なお、図1(C)において、縦軸は任意単位の電荷移動量とはみ出し成長の成長速度とし、横軸は任意単位の時間とする。また、図1(A)及び(B)には、基板の結晶軸の方向を矢印X、Y及びZとして記してある。
図2及び図3を参照して、周期的分極反転構造の形成方法について説明する。図2は領域区画工程の説明に供する、図1(B)のP−P線に沿った断面図である。図3は分極反転構造形成工程の説明に供する模式図であり、(A)は分極反転前における基板を装置とともに模式的に示す断面図であり、(B)は分極反転後における基板を装置とともに模式的に示す断面図である。なお、図2には、基板の結晶軸の方向を矢印X、Y及びZとして記してある。
図2を参照すると、領域区画工程では、基板30の第1主面30aに、周期的な帯状領域12a、及び電荷移動量を調整するための調整領域Bを設ける。具体的には、第1主面30aを被覆する絶縁膜32に設けた開口部として、両領域12a及びBを区画する。上述のように、絶縁膜32の開口部である帯状領域12aと、絶縁膜32で被覆された帯間領域12bとで素子領域Aが構成される。帯状領域12aのストライプ状の開口部は、周期的に並列されている。つまり、帯状領域12aのストライプ状の開口部は、結晶軸のX軸方向に関して等間隔に配置されている。帯状領域12aは、ストライプの長手方向が基板30の結晶軸のY軸方向と平行に配置されている。次に行われる分極反転構造形成工程で、帯状領域12aと調整領域Bの基板30には、分極反転領域が形成される。
続いて、図3(A)及び(B)を参照して、分極反転構造形成工程について説明する。まず、図3(A)を参照して、分極反転構造形成工程で用いられる装置60について、簡単に説明する。装置60は、第1及び第2部分62及び64と、電圧印加部66とを備える。
この実施形態の周期的分極反転構造の形成方法では、上述のように、調整領域Bを設けることで、帯状領域12aの電荷移動量を小さくしている。その結果、分極反転領域が新たに生成される速度が従来に比べて小さくなり、はみ出し成長幅を容易に制御することができる。
以下、この実施形態の変形例について説明する。この実施形態では反転電圧の持続時間が100秒の場合を例示したが、持続時間に特に制限は無く、従来同様にμ秒オーダーの極短パルス状でもよい。ただし、この実施形態のように調整領域Bを適切に設ければ、今まで、隣接する分極反転領域が繋がってしまい正常な形成が難しかった0.1秒以上の持続時間の反転電圧でも、周期的分極反転領域を正常に形成できる。
以下、図5を参照して、波長変換素子の形成方法について説明する。図5は、波長変換素子の構造を模式的に示す斜視図である。なお、図5においては、基板30と波長変換素子80との対応関係を示すために、概略的に基板30をも記してある。
Λ=λω/{2(N2ω−Nω)}・・・ (1)
ここで、λωは被変換光INの波長、Nωは被変換光INに対する光導波路82の等価屈折率、N2ωは変換済光OUTに対する光導波路82の等価屈折率である。被変換光IN又は変換済光OUTに対する等価屈折率とは、光導波路82を伝播する被変換光IN又は変換済光OUTの伝播定数と波数の関係を規格化して表した数値である。被変換光IN又は変換済光OUTが光導波路82を伝播する際は、この等価屈折率の空間中を伝播するものとして両者の位相速度を扱うことができる。
12a 帯状領域
12b 帯間領域
30a 第1主面
30b 第2主面
32 絶縁膜
34 電源
36 第1ロッド電極
38 第2ロッド電極
40 第2容器
42,44 O−リング
46 第1容器
50 第2電解質水溶液
52 第1電解質水溶液
60 装置
62 第1部分
64 第2部分
66 電圧印加部
72 第1電極
70 第2電極
80 波長変換素子
82 光導波路
84 コア
A 素子領域
B 調整領域
Claims (9)
- 自発分極の向きに直交する平面でカットされた平行平板でかつ単一ドメインの強誘電体結晶基板を準備し、
該強誘電体結晶基板の第1主面に、周期的な帯状領域、及び荷移動量を調整するための電荷量調整領域を前記帯状領域とは離間した領域に設ける領域区画工程と、
前記強誘電体結晶基板の前記第1主面と、該第1主面に対向する第2主面との間に分極反転用電圧を印加する分極反転構造形成工程とを備え、
前記分極反転構造形成工程において、前記第2主面と前記帯状領域との間の電荷移動量が設定すべき値となる面積で、前記電荷量調整領域を形成することを特徴とする周期的分極反転構造の形成方法。 - 前記分極反転構造形成工程において、前記第2主面と前記帯状領域との間の電荷移動量が7μC/(秒・cm2)以下となる面積に前記電荷量調整領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の周期的分極反転構造の形成方法。
- 前記電荷量調整領域の面積を、前記帯状領域の面積の総和の4.75倍以上とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の周期的分極反転構造の形成方法。
- 前記分極反転構造形成工程において、前記第2主面と前記帯状領域との間の電荷移動量が1μC/(秒・cm2)以下となる面積に前記電荷量調整領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の周期的分極反転構造の形成方法。
- 前記電荷量調整領域の面積を、前記帯状領域の面積の総和の16.2倍以上とすることを特徴とする請求項1又は4に記載の周期的分極反転構造の形成方法。
- 前記分極反転用電圧として、0.1秒以上持続する直流電圧を印加することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の周期的分極反転構造の形成方法。
- 基板形成工程と光導波路形成工程とを備えており、
前記基板形成工程として、請求項1〜6の何れか一項に記載の周期的分極反転構造の形成方法を用い、
前記基板形成工程において、前記分極反転構造形成工程により、前記周期的な帯状領域の下側に形成された分極反転領域と、隣接する2つの該分極反転領域の間の非分極反転領域とを備えた素子領域を形成し、
前記光導波路形成工程において、前記素子領域に、前記分極反転領域及び前記非分極反転領域の境界面に対して非平行な光伝搬方向に沿って延在するコアを備える光導波路を形成することを特徴とする波長変換素子の形成方法。 - 自発分極の向きに直交する平面でカットされた平行平板でかつ単一ドメインの強誘電体結晶基板を準備し、
該強誘電体結晶基板の第1主面に、周期的な帯状領域、及び電荷移動量を調整するための電荷量調整領域を前記帯状領域とは離間した領域に設ける領域区画工程と、
前記強誘電体結晶基板の前記第1主面と、該第1主面に対向する第2主面との間に分極反転用電圧を印加する分極反転構造形成工程と、
前記強誘電体結晶基板から前記帯状領域を切り出すことによって、前記電荷量調整領域を除去する切り出し工程と
を備える
ことを特徴とする周期的分極反転構造の形成方法。 - 基板形成工程と光導波路形成工程とを備えており、
前記基板形成工程として、請求項8に記載の周期的分極反転構造の形成方法を用い、
前記基板形成工程において、前記分極反転構造形成工程により、前記周期的な帯状領域の下側に形成された分極反転領域と、隣接する2つの該分極反転領域の間の非分極反転領域とを備えた素子領域を形成し、
前記分極反転構造形成工程と前記切り出し工程との間、又は前記切り出し工程の後に、前記光導波路形成工程を行い、
前記光導波路形成工程において、前記素子領域に、前記分極反転領域及び前記非分極反転領域の境界面に対して非平行な光伝搬方向に沿って延在するコアを備える光導波路を形成することを特徴とする波長変換素子の形成方法。
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JP2012043220A JP6019618B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 周期的分極反転構造の形成方法及び波長変換素子の形成方法 |
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JP2013178442A JP2013178442A (ja) | 2013-09-09 |
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JP2008158404A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 波長変換素子およびその製造方法 |
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2012
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