JP6017904B2 - 実装基板、表示パネルおよび表示装置 - Google Patents

実装基板、表示パネルおよび表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6017904B2
JP6017904B2 JP2012208128A JP2012208128A JP6017904B2 JP 6017904 B2 JP6017904 B2 JP 6017904B2 JP 2012208128 A JP2012208128 A JP 2012208128A JP 2012208128 A JP2012208128 A JP 2012208128A JP 6017904 B2 JP6017904 B2 JP 6017904B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
substrate
emitting device
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012208128A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014063033A5 (ja
JP2014063033A (ja
Inventor
小堀 勇
勇 小堀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2012208128A priority Critical patent/JP6017904B2/ja
Priority to US14/017,704 priority patent/US8872415B2/en
Priority to CN201310412888.5A priority patent/CN103682058B/zh
Publication of JP2014063033A publication Critical patent/JP2014063033A/ja
Publication of JP2014063033A5 publication Critical patent/JP2014063033A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6017904B2 publication Critical patent/JP6017904B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02Combinations of only two kinds of elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本技術は、画素ごとに複数の発光ダイオード(LED)を含む実装基板、およびその実装基板を1つまたは複数、備えた表示パネルに関する。本技術は、また、上記の表示パネルを備えた表示装置に関する。
近年、無機物で青色光を発する発光ダイオード(LED)における輝度向上に伴い、赤色、緑色および青色の3原色の発光をLEDで行うフルカラーLEDディスプレイが提案されている(特許文献1参照)。フルカラーLEDディスプレイでは、1画素に含まれる各発光色のLEDにおいて、光の指向性が互いに等しくなっていることが、色合いの視野角依存性をなくす点で非常に重要である。しかし、実際には、1画素に含まれる各発光色のLEDにおいて、光の指向性が互いに微妙に異なるので、色合いの視野角依存性を低減する方策が必要となる。
例えば、特許文献2には、画素ごとに、発光色の互いに異なる複数の無機EL(Electro Luminescence)を含む表示装置において、無機ELの光取り出し側に光散乱体を設けることが記載されている。この光散乱体をLEDの光取り出し側に設けることで、色合いの視野角依存性を低減することが可能である。また、例えば、特許文献3には、対向基板の前面のうち表示領域全体に拡散フィルムを設けることが記載されている。
特開2009−272591号公報 特開2002−270365号公報 特開2003−162229号公報
しかし、上述したように、特許文献2に記載の光散乱体をLEDの光取り出し側に設けた場合、互いに隣り合う画素間には、LEDから発せられた光を遮るものがないので、LEDから発せられた光が隣の画素に侵入し、画像ボケが生じてしまう。また、特許文献3に記載の拡散フィルムを表示領域全体に形成した場合、LEDから発せられた光が拡散フィルム内を伝播し、所望の場所とは異なる場所から出射されるので、画像ボケが生じてしまう。さらに、拡散フィルムが外光を反射するので、コントラストが低下してしまう。
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケおよびコントラストの低下を抑制することの可能な実装基板、そのような実装基板を1つまたは複数、備えた表示パネル、ならびに、そのような表示パネルを備えた表示装置を提供することにある。
本技術の実装基板は、発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の発光装置を備えている。この実装基板は、さらに、複数の光散乱層と、遮光部とを備えている。各光散乱層は、発光装置の上面に、発光装置ごとに設けられている。遮光部は、互いに隣接する発光装置間の間隙全体を覆うように設けられている。
本技術の表示パネルは、1または複数の実装基板を備えている。この実装基板は、上記の実装基板と同一の構成要素を有している。
本技術の表示装置は、1または複数の実装基板を有する表示パネルを備えている。この実装基板は、上記の実装基板と同一の構成要素を有している。
本技術の実装基板、表示パネルおよび表示装置では、共通の配線基板上に実装された各発光装置の上面に、光散乱層が発光装置ごとに別個に設けられている。これにより、各発光装置から発せられた光は、光散乱層によって散乱されるので、色合いの視野角依存性が低減される。さらに、本技術では、互いに隣接する発光装置間の間隙全体を覆うように遮光部が設けられている。つまり、光散乱層は各発光装置の上面をまたいで形成されておらず、配線基板の法線方向から見ると、各光散乱層は、遮光部に囲まれている。これにより、各発光装置から発せられた光が光散乱層内を伝播し、所望の場所とは異なる場所から出射されることがなく、さらに、各発光装置から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、遮光部によって遮られる。
本技術の実装基板、表示パネルおよび表示装置によれば、共通の配線基板上に実装された各発光装置の上面に、光散乱層を発光装置ごとに別個に設け、さらに、互いに隣接する発光装置間の間隙全体を覆うように遮光部を設けたので、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケおよびコントラストの低下を抑制することができる。
本技術の一実施の形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。 図1の実装基板の構成の一例を表す斜視図である。 図1の実装基板の構成の他の例を表す斜視図である。 図2、図3の実装基板のレイアウトの一例を表す平面図である。 図1の表示装置の断面構成の一例を表す図である。 図5の表示装置の他の断面構成例を表す図である。 図2、図3の実装基板のレイアウトの他の例を表す平面図である。 図1の表示装置の断面構成の第1変形例を表す図である。 図8の表示装置の他の断面構成例を表す図である。 図1の実装基板のレイアウトの一変形例を表す平面図である。 図1の実装基板のレイアウトの他の変形例を表す平面図である。 図1の表示装置の断面構成の第2変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第3変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第4変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第5変形例を表す図である。 図6〜図9、図12〜図15の表示装置における対向基板の断面構成の第1変形例を表す図である。 図6〜図9、図12〜図15の表示装置における対向基板の断面構成の第2変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第6変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第7変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第8変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第9変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第10変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第11変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第12変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第13変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第14変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第15変形例を表す図である。 図24〜図27の表示装置における対向基板の断面構成の第1変形例を表す図である。 図24〜図27の表示装置における対向基板の断面構成の第2変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第16変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第17変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第18変形例を表す図である。 図1の表示装置の断面構成の第19変形例を表す図である。 各図に記載されている構成要素の対応関係をまとめた図である。
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

1.実施の形態(図1〜図13)
2.変形例(図14〜図33)
3.実施例
<1.実施の形態>
[構成]
図1は、本技術の一実施の形態に係る表示装置1の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。この表示装置1は、例えば、図1に示したように、表示パネル10と、表示パネル10(具体的には後述する発光装置40)を駆動する駆動回路20とを備えている。
(表示パネル10)
表示パネル10は、実装基板10Aと、対向基板10Bとを互いに重ね合わせたものである。対向基板10Bの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。
(実装基板10A)
図2、図3は、実装基板10Aの構成の一例を表したものである。実装基板10Aは、例えば、図2に示したように、1枚の基板で構成されていてもよいし、例えば、図3に示したように2次元配置された複数の実装基板10Cで構成されていてもよい。図4は、実装基板10A(または実装基板10C)の対向基板10B側の表面のうち表示領域に対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板10A(または実装基板10C)は、当該実装基板10A(または当該実装基板10C)の表面のうち表示領域に対応する領域に、例えば、複数のY配線14と、複数のX配線15とを有している。Y配線14およびX配線15は、例えば、実装基板10A(または実装基板10C)の内部に形成されており、発光装置40(後述)を実装する実装面には形成されていない。
Y配線14は、映像信号に応じた信号が駆動回路20によって入力されるデータ配線である。映像信号に応じた信号は、例えば、発光装置40のオン期間(発光期間)を制御する信号である。複数のY配線14は、所定の方向(図中では列方向)に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。
X配線15は、発光装置40を選択する信号が駆動回路20によって入力されるスキャン配線である。発光装置40を選択する信号は、例えば、発光装置40に対して駆動電流を供給する信号である。複数のX配線15は、Y配線14と交差(例えば直交)する方向(図中では行方向)に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。Y配線14およびX配線15は、例えば、Cu(銅)などの導電性材料からなる。X配線15は、例えば、Y配線14よりも深い層内、具体的には、後述の支持基板11とY配線14を含む層との間の層内に配置されている。
実装基板10Aは、表示画素に相当する複数の発光装置40を有している。複数の発光装置40は、例えば、Y配線14と平行な方向およびX配線15と平行な方向に並んで配置されている。つまり、複数の発光装置40は、表示領域内において2次元配置されている。各発光装置40は、導電性の接続部19Aを介して、Y配線14と電気的に接続されるとともに、導電性の接続部19Bを介して、X配線15と電気的に接続されている。
図5、図6は、表示パネル10の断面構成の一例を表したものである。図5には、表示パネル10をX軸方向と平行な方向に切断したときの断面構成の一例が示されている。図6には、表示パネル10をY軸方向と平行な方向に切断したときの断面構成の一例が示されている。図7は、実装基板10A(または実装基板10C)の上面構成の一例を表したものである。
実装基板10Aは、例えば、図5、図6に示したように、共通の配線基板30上に複数の発光装置40が実装されたものである。配線基板30は、例えば、支持基板11上に、層間絶縁膜12および層間絶縁膜13をこの順に積層して構成されたものである。支持基板11は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。層間絶縁膜12および層間絶縁膜13は、例えば、SiN、SiO2、またはAl23からなる。ここで、層間絶縁膜13は、支持基板11の最表面を構成する層であり、Y配線14が、例えば、最表層である層間絶縁膜13と同一層内に形成されている。このとき、Y配線14は、層間絶縁膜13と同一層内に形成された導電性の接続部16を介して接続部19Aに電気的に接続されている。一方、X配線15は、例えば、支持基板11と層間絶縁膜13との間の層内に形成されており、例えば、層間絶縁膜12と同一層内に形成されている。このとき、X配線15は、層間絶縁膜12,13と同一層内に形成された導電性の接続部17,18を介して接続部19Bに電気的に接続されている。
実装基板10Aは、さらに、例えば、図5〜図7に示したように、表示画素に相当するひとかたまりの発光装置群(複数の発光装置40)の直上に、表示画素ごとに1つずつ設けられた複数の光散乱部50を有している。光散乱部50は、表示画素の上面に接して形成されている。各光散乱部50は、互いに接しておらず、所定の間隙を介して配置されている。つまり、各光散乱部50は、隣接する表示画素にまでまたがって形成されておらず、隣接する表示画素の直上の光散乱部50とは空間分離されている。各光散乱部50の大きさは、概ね、表示画素の上面と同等の大きさとなっている。
実装基板10Aは、さらに、例えば、図5〜図7に示したように、互いに隣接する表示画素間の間隙に設けられた遮光部60を有している。遮光部60は、配線基板30の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙全体を覆うように形成されている。遮光部60は、表示画素の側面に接して形成されている。従って、配線基板30の法線方向から見ると、各光散乱部50は、遮光部60に囲まれている。遮光部60の上面には、光散乱部50によって覆われていない露出領域が存在している。遮光部60の露出領域は、互いに隣接する光散乱部50間の間隙に存在している。なお、遮光部60は、互いに隣接する表示画素間の間隙だけでなく、例えば、互いに隣接する発光装置40間の間隙にも設けられていてもよい。各光散乱部50は、例えば、遮光部60が形成された後に形成されており、各光散乱部50の端部が、遮光部60の上面に接している。
なお、図8、図9に示したように、光散乱部50が発光装置40の直上に、発光装置40ごとに1つずつ設けられていてもよい。この場合、光散乱部50の大きさは、概ね、発光装置40の上面と比べて、同等の大きさまたは若干小さな大きさとなっている。また、この場合、遮光部60は、例えば、光散乱部50が形成された後に形成されており、各光散乱部50の端部(または端面)が、遮光部60によって埋め込まれている。
光散乱部50は、表示画素内の各発光装置40から発せられた光を散乱させ、表示画素から発せられた光の色合いの視野角依存性を低減するようになっている。光散乱部50は、0よりも大きなヘイズ値を有しており、やや白濁している。光散乱部50は、表示画素内の各発光装置40の上面に接している。光散乱部50は、例えば、複数の散乱体をバインダー内に分散させた塗料を固化させたものである。バインダーは、例えば、シリコーンを主成分とする材料によって構成されている。散乱体は、例えば、酸化チタンによって構成されている。
遮光部60は、表示画素内の各発光装置40から発せられた光が他の表示画素内に侵入するのを抑制するものである。遮光部60は、例えば、各発光装置40から発せられた光を吸収する材料を含んで構成されており、例えば、カーボンをシリコーン内に分散させた塗料を固化させたものである。
(対向基板10B)
対向基板10Bは、所定の間隙を介して、配線基板30と対向する位置に配置されている。対向基板10Bは、例えば、図5に示したように、支持基板21と、支持基板21の実装基板10A側に形成されたブラックマトリクス22とを有している。ブラックマトリクス22は、配線基板30の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙と対向する対向領域に設けられている。支持基板21は、各発光装置40から発せられた光を透過する光透過性の基板であり、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板などからなる。ブラックマトリクス22は、各発光装置40から発せられた光を吸収するようになっており、例えば、例えば、カーボンをシリコーン内に分散させた塗料を固化させたものである。
次に、発光装置40の内部構成について説明する。発光装置40は、例えば、LEDチップである。LEDチップは、マイクロメータオーダーのチップサイズとなっており、例えば、数10μm角となっている。LEDチップは、例えば、導電型の互いに異なる半導体層で活性層を挟み込んだ積層構造を含む半導体層と、この半導体層の共通の面(同一面)に配置された2つの電極とを有している。一方の電極は、発光装置40の半導体層内の一方の導電型の半導体層と電気的に接続されており、他方の電極は、発光装置40の半導体層内の他方の導電型の半導体層と電気的に接続されている。なお、全ての発光装置40の構造が互いに等しくなっていてもよいし、発光装置40の構造が、発光色ごとに異なっていてもよい。
表示画素に相当するひとかたまりの発光装置群には、発光色の互いに異なる複数種類の発光装置40が含まれている。上記発光装置群には、例えば、赤色光を発する発光装置40と、緑色光を発する発光装置40と、青色光を発する発光装置40とが含まれている。この場合、各表示画素からは、3原色の光が発せられる。なお、上記発光装置群には、例えば、赤色光を発する発光装置40と、緑色光を発する発光装置40と、青色光を発する発光装置40と、シアン色、マゼンダ色もしくは白色を発する発光装置40が含まれていてもよい。この場合、各表示画素からは、4色の光が発せられる。
なお、上記発光装置群に含まれる複数の発光装置40が、例えば、素子基板上に実装され、さらに、絶縁性の樹脂で素子基板に固定されていてもよい。この場合、上記発光装置群は、例えば、図10に示したように、複数種類の発光色を発する発光装置40Xとなる。このとき、各光散乱部50は、発光装置40Xの直上に、発光装置40Xごとに1つずつ設けられている。各光散乱部50は、互いに接しておらず、所定の間隙を介して配置されている。つまり、各光散乱部50は、隣接する発光装置40Xにまでまたがって形成されておらず、隣接する発光装置40Xの直上の光散乱部50とは空間分離されている。光散乱部50の大きさは、例えば、図11、図12に示したように、概ね、発光装置40Xの上面と同等の大きさとなっている。このとき、光散乱部50は、例えば、遮光部60が形成された後に形成されており、各光散乱部50の端部が、遮光部60の上面に接している。
なお、光散乱部50の大きさが、例えば、図13に示したように、概ね、発光装置40の上面と比べて、同等の大きさまたは若干小さな大きさとなっていてもよい。この場合、遮光部60は、例えば、光散乱部50が形成された後に形成されており、各光散乱部50の端部(または端面)が、遮光部60によって埋め込まれている。
[製造方法]
次に、実装基板10A(または実装基板10C)の製造方法の一例について説明する。まず、発光色の互いに異なる複数種類の発光装置40を含む複数の表示画素が共通の配線基板30上に2次元配置された基板を用意する。次に、その基板の表面であって、かつ、互いに隣接する表示画素間の間隙に遮光部60を形成する。続いて、表示画素の直上に、表示画素ごとに別個に光散乱部50を形成する。例えば、表示画素の上面に接するように、光散乱部50を形成する。このようにして、実装基板10A(または実装基板10C)が製造される。
なお、以下の方法によっても、実装基板10A(または実装基板10C)を製造することが可能である。まず、発光色の互いに異なる複数種類の発光装置40を含む複数の表示画素が共通の配線基板30上に2次元配置された基板を用意する。次に、表示画素の直上に、表示画素ごとに別個に光散乱部50を形成する。例えば、表示画素の上面に接するように、光散乱部50を形成する。続いて、上述の基板の表面であって、かつ、互いに隣接する表示画素間の間隙に遮光部60を形成する。このようにして、実装基板10A(または実装基板10C)が製造される。
[作用・効果]
次に、表示装置1の作用、効果について説明する。本実施の形態の表示装置1では、共通の配線基板30上に2次元配置された各表示画素の直上に、光散乱部50が表示画素ごとに別個に設けられている。これにより、各表示画素から発せられた光は、光散乱部50によって散乱されるので、色合いの視野角依存性が低減される。また、本実施の形態では、互いに隣接する表示画素間の間隙に、遮光部60が設けられており、さらに、配線基板30の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙と対向する対向領域に、ブラックマトリクス22が設けられている。つまり、光散乱部50は各表示画素の直上をまたいで形成されておらず、配線基板30の法線方向から見ると、各光散乱部50は、遮光部60およびブラックマトリクス22に囲まれている。これにより、各表示画素から発せられた光が光散乱部50内を伝播し、所望の場所とは異なる場所から出射されることがない。さらに、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、遮光部60およびブラックマトリクス22によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケおよびコントラストの低下を抑制することができる。
また、本実施の形態では、色合いの視野角依存性が、光散乱部50の作用を利用して低減されるので、タイリング技術を駆使したり、光学補償フィルムを用いたりすることにより、色合いの視野角依存性を低減しようとした場合と比べて、より簡易に、しかも、より確実に、色合いの視野角依存性を低減することができる。
<2.変形例>
[変形例1]
上記実施の形態において、例えば、図14、図15に示したように、遮光部60が省略されていてもよい。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、ブラックマトリクス22によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケを抑制することができる。
[変形例2]
上記実施の形態において、例えば、図16に示したように、ブラックマトリクス22が省略されていてもよい。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、遮光部60によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケを抑制することができる。
[変形例3]
上記実施の形態において、例えば、図17に示したように、支持基板21の、配線基板30側の表面に、ブラックマトリクス22とともにカラーフィルタ23が設けられていてもよい。カラーフィルタ23は、支持基板21に支持されており、各表示画素の直上に形成されている。カラーフィルタ23は、直下の発光装置40から発せられる光と同色の光を選択的に透過させるものである。そのため、カラーフィルタ23は、隣接する他の発光装置40から発せられた光を遮断することができる。従って、カラーフィルタ23を設けることによって、画像ボケをより一層、抑制することができる。
[変形例4]
上記変形例3において、例えば、図18、図19に示したように、遮光部60が省略されていてもよい。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、ブラックマトリクス22によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケを抑制することができる。
[変形例5]
上記変形例2において、例えば、図20、図21、図22および図23に示したように、支持基板21の、配線基板30側の表面に、カラーフィルタ23が設けられていてもよい。このとき、カラーフィルタ23は、支持基板21の、配線基板30側の表面全体に設けられていてもよい。このようにした場合には、カラーフィルタ23の作用によって、画像ボケをより一層、抑制することができる。
[変形例6]
上記実施の形態において、例えば、図24、図25に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例1において、例えば、図26、図27に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例2において、例えば、図28に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例3において、例えば、図29に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例4において、例えば、図30、図31に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例5において、例えば、図図32、図33に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。なお、カラーフィルタ23および光散乱部50が支持基板21に積層される場合には、カラーフィルタ23が光散乱部50よりも支持基板21側に配置される。
このとき、光散乱部50は、支持基板21に支持されており、かつ、表示画素の直上に、表示画素ごとに1つずつ設けられている。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光は、光散乱部50によって散乱されるので、色合いの視野角依存性を低減することができる。また、光散乱部50が各表示画素の直上に、表示画素ごとに別個に設けられているので、光散乱部が表示領域全体に形成されている場合と比べて、高いコントラストを得ることができる。
なお、図34において、各図に記載されている構成要素の対応関係をまとめておく。なお、図34において、「下BL」とは、遮光部60を指しており、「下SL」とは、配線基板30側に配置された光散乱部50を指している。また、図34において、「上BL」とは、ブラックマトリクス22を指しており、「上CL」とは、カラーフィルタ23を指しており、「上SL」とは、支持基板21側に配置された光散乱部50を指している。また、図34において、○とは、対応する構成要素を備えていることを指しており、×とは、対応する構成要素を備えていないことを指している。
<3.実施例>
次に、表示装置1の実施例について、比較例と対比しつつ説明する。本実施例に係る表示装置では、R,G,BのLEDを各色1つずつ、表示画素に設け、表示画素に含まれるR,G,Bの3個のLEDを、横50μm、縦100μmの領域内に配置した。各LEDを、支持基板に実装し、支持基板とは反対側に光が出射されるようにした。横270μm、縦286μmのピッチで、縦625mm、横1107mmの領域に、各表示画素をマトリックス状に配置し、横4096個、縦2180個のLEDを配置した。各LEDのチップサイズを、17.5μm角とした。
各LEDの直上に、LEDごとに1つずつ、18μm角の散乱層を形成した。散乱層は、信越化学シリコーンKER6075に、粒径約2μmの酸化チタンを5wt%分散させた塗料を、スクリーン印刷法で厚さ約20μmになるように塗布した。次に、スクリーン印刷法で、各表示画素間を光吸収の黒色レジストで埋め込んだ。表示画素内には黒色レジストを塗布しなかった。このようにして、実施例に係る表示装置を作成した。
一方、比較例に係る表示装置では、LEDの直上を含む表面全体に、上記と同様の方法で作成した塗料を塗布して、散乱層を形成した。
実施例に係る表示装置では、隣接する画素への光入射がなくなり、画像のボケが抑えられていた。また、視野角による色合いの変化はなかった。一方、比較例に係る表示装置では、視野角による色合いの変化はなかったが、画像のボケがやや見られ、解像度の低下がみられた。
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
(1)
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を備えた
基板。
(2)
前記遮光部は、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙全体を覆うように形成され、
前記光散乱部は、前記画素に接して形成されている
(1)に記載の基板。
(3)
所定の間隙を介して、前記配線基板と対向する位置に配置された対向基板を備え、
前記遮光部および前記光散乱部は、ともに、前記対向基板に支持され、
前記遮光部は、前記配線基板の法線方向から見たときに前記対向領域全体を覆うように形成されている
(1)に記載の基板。
(4)
前記画素の直上に形成され、かつ前記対向基板に支持されたカラーフィルタを備えた
(3)に記載の基板。
(5)
1または複数の基板を備え、
前記基板は、
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を有する
表示パネル。
(6)
1または複数の基板を有する表示パネルを備え、
前記基板は、
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を有する
表示装置。
1…表示装置、10…表示パネル、10A,10C…実装基板、10B…対向基板、11,21…支持基板、12,13…層間絶縁膜、14…Y配線、15…X配線、16,17,18,19A,19B…接続部、20…駆動回路、22…ブラックマトリクス、23…カラーフィルタ、40,40X…発光装置、50…光散乱部。

Claims (5)

  1. 発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に実装された複数の発光装置と、
    前記発光装置の上面に、前記発光装置ごとに設けられた複数の光散乱層と、
    互いに隣接する発光装置間の間隙全体を覆うように設けられた遮光部と
    を備えた
    実装基板。
  2. 1または複数の実装基板を備え、
    各前記実装基板は、
    発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に実装された複数の発光装置と、
    前記発光装置の上面に、前記発光装置ごとに設けられた複数の光散乱層と、
    互いに隣接する発光装置間の間隙全体を覆うように設けられた遮光部と
    を有する
    表示パネル。
  3. 1または複数の前記実装基板における前記発光装置側の面と対向する位置に配置された対向基板をさらに備え、
    前記対向基板は、
    光透過性基板と、
    前記光透過性基板の前記発光装置側の面のうち、互いに隣接する発光装置間の間隙と対向する領域に設けられたブラックマトリクスと
    を有する
    請求項2に記載の表示パネル。
  4. 1または複数の実装基板を有する表示パネルを備え、
    各前記実装基板は、
    発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に実装された複数の発光装置と、
    前記発光装置の上面に、前記発光装置ごとに設けられた複数の光散乱層と、
    互いに隣接する発光装置間の間隙全体を覆うように設けられた遮光部と
    を有する
    表示装置。
  5. 各前記実装基板は、1または複数の前記実装基板における前記発光装置側の面と対向する位置に配置された対向基板をさらに備え、
    前記対向基板は、
    光透過性基板と、
    前記光透過性基板の前記発光装置側の面のうち、互いに隣接する発光装置間の間隙と対向する領域に設けられたブラックマトリクスと
    を有する
    請求項4に記載の表示装置。
JP2012208128A 2012-09-21 2012-09-21 実装基板、表示パネルおよび表示装置 Active JP6017904B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012208128A JP6017904B2 (ja) 2012-09-21 2012-09-21 実装基板、表示パネルおよび表示装置
US14/017,704 US8872415B2 (en) 2012-09-21 2013-09-04 Substrate, display panel, and display apparatus
CN201310412888.5A CN103682058B (zh) 2012-09-21 2013-09-11 基板、显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012208128A JP6017904B2 (ja) 2012-09-21 2012-09-21 実装基板、表示パネルおよび表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014063033A JP2014063033A (ja) 2014-04-10
JP2014063033A5 JP2014063033A5 (ja) 2015-04-09
JP6017904B2 true JP6017904B2 (ja) 2016-11-02

Family

ID=50318942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012208128A Active JP6017904B2 (ja) 2012-09-21 2012-09-21 実装基板、表示パネルおよび表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8872415B2 (ja)
JP (1) JP6017904B2 (ja)
CN (1) CN103682058B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI576798B (zh) 2015-06-22 2017-04-01 宏齊科技股份有限公司 顯示面板與應用其之複合式顯示面板
DE102016108776A1 (de) 2016-05-12 2017-11-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Anordnung und Anzeigegerät
KR102349395B1 (ko) 2017-12-04 2022-01-07 퉁수 그룹 컴퍼니 리미티드 초소형 led 컴포넌트용 상부 기판, 초소형 led 컴포넌트, 및 초소형 led 디스플레이 장치
CN110390886A (zh) * 2018-04-18 2019-10-29 群创光电股份有限公司 面板及其拼接装置
US10839740B2 (en) * 2018-04-18 2020-11-17 Innolux Corporation Panel and tiled device thereof
JP2020053447A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
CN113454703B (zh) * 2020-01-21 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 发光板、线路板以及显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH067300B2 (ja) * 1985-08-13 1994-01-26 松下電器産業株式会社 発光ダイオ−ドデイスプレイ装置
JPH118070A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
JP2002270365A (ja) 2001-03-12 2002-09-20 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> El素子
JP2003162229A (ja) 2001-09-14 2003-06-06 Sony Corp 画像表示装置用フィルタ及び画像表示装置、並びに画像表示装置の製造方法
US20060244371A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-02 Eastman Kodak Company OLED device having improved lifetime and output
US20070103056A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7710026B2 (en) * 2005-12-08 2010-05-04 Global Oled Technology Llc LED device having improved output and contrast
JP4479737B2 (ja) * 2007-03-07 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
WO2011027712A1 (ja) * 2009-09-07 2011-03-10 凸版印刷株式会社 有機el表示装置、カラーフィルタ基板、及び有機el表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8872415B2 (en) 2014-10-28
CN103682058B (zh) 2017-06-16
CN103682058A (zh) 2014-03-26
US20140084775A1 (en) 2014-03-27
JP2014063033A (ja) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6017904B2 (ja) 実装基板、表示パネルおよび表示装置
JP6595444B2 (ja) 表示装置
EP2476137B1 (en) Tiled display with overlapping flexible substrates
US9136443B2 (en) Display device and manufacturing method of the same
JP4835187B2 (ja) エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP5974910B2 (ja) 表示パネルおよび表示装置
KR20210021216A (ko) 표시 장치
TW201409679A (zh) 有機發光顯示器及其製造方法
JP2010153070A (ja) El装置、el装置の製造方法、及び電子機器
JP2007234301A (ja) エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP2013258021A (ja) 表示装置
JP2015149231A (ja) 有機el表示装置
WO2014174773A1 (ja) パッシブマトリクス駆動型ディスプレイ及びタイリングディスプレイ
CN111146263A (zh) 彩膜基板、显示面板和显示装置
JP2001092389A (ja) 配列型表示装置
CN111048655B (zh) 发光二极管芯片、显示面板及其制备方法和显示装置
KR20220088541A (ko) 표시 장치
JP2008091067A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2013120286A (ja) 表示パネル
CN115643776A (zh) 显示设备及包括其的拼接显示器
KR20230096219A (ko) 표시 장치
CN118159090A (zh) 显示装置和头戴式显示装置
KR20210084877A (ko) 표시장치
KR20200145391A (ko) 표시 패널 및 다중 표시 패널을 이용한 표시 장치
CN115132816A (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150219

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160518

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20160720

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20160721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160906

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160929

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6017904

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250