JP2014063033A - 基板、表示パネルおよび表示装置 - Google Patents
基板、表示パネルおよび表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014063033A JP2014063033A JP2012208128A JP2012208128A JP2014063033A JP 2014063033 A JP2014063033 A JP 2014063033A JP 2012208128 A JP2012208128 A JP 2012208128A JP 2012208128 A JP2012208128 A JP 2012208128A JP 2014063033 A JP2014063033 A JP 2014063033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- pixels
- display
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 40
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
- F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】本技術の基板は、発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素を備えている。この基板は、さらに、複数の光散乱部と、遮光部とを備えている。各光散乱部は、画素の直上に、画素ごとに設けられている。遮光部は、互いに隣接する画素間の間隙、または、配線基板の法線方向から見たときに間隙と対向する対向領域に設けられている。
【選択図】図6
Description
1.実施の形態(図1〜図13)
2.変形例(図14〜図33)
3.実施例
[構成]
図1は、本技術の一実施の形態に係る表示装置1の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。この表示装置1は、例えば、図1に示したように、表示パネル10と、表示パネル10(具体的には後述する発光装置40)を駆動する駆動回路20とを備えている。
表示パネル10は、実装基板10Aと、対向基板10Bとを互いに重ね合わせたものである。対向基板10Bの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。
図2、図3は、実装基板10Aの構成の一例を表したものである。実装基板10Aは、例えば、図2に示したように、1枚の基板で構成されていてもよいし、例えば、図3に示したように2次元配置された複数の実装基板10Cで構成されていてもよい。図4は、実装基板10A(または実装基板10C)の対向基板10B側の表面のうち表示領域に対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板10A(または実装基板10C)は、当該実装基板10A(または当該実装基板10C)の表面のうち表示領域に対応する領域に、例えば、複数のY配線14と、複数のX配線15とを有している。Y配線14およびX配線15は、例えば、実装基板10A(または実装基板10C)の内部に形成されており、発光装置40(後述)を実装する実装面には形成されていない。
対向基板10Bは、所定の間隙を介して、配線基板30と対向する位置に配置されている。対向基板10Bは、例えば、図5に示したように、支持基板21と、支持基板21の実装基板10A側に形成されたブラックマトリクス22とを有している。ブラックマトリクス22は、配線基板30の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙と対向する対向領域に設けられている。支持基板21は、各発光装置40から発せられた光を透過する光透過性の基板であり、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板などからなる。ブラックマトリクス22は、各発光装置40から発せられた光を吸収するようになっており、例えば、例えば、カーボンをシリコーン内に分散させた塗料を固化させたものである。
次に、実装基板10A(または実装基板10C)の製造方法の一例について説明する。まず、発光色の互いに異なる複数種類の発光装置40を含む複数の表示画素が共通の配線基板30上に2次元配置された基板を用意する。次に、その基板の表面であって、かつ、互いに隣接する表示画素間の間隙に遮光部60を形成する。続いて、表示画素の直上に、表示画素ごとに別個に光散乱部50を形成する。例えば、表示画素の上面に接するように、光散乱部50を形成する。このようにして、実装基板10A(または実装基板10C)が製造される。
次に、表示装置1の作用、効果について説明する。本実施の形態の表示装置1では、共通の配線基板30上に2次元配置された各表示画素の直上に、光散乱部50が表示画素ごとに別個に設けられている。これにより、各表示画素から発せられた光は、光散乱部50によって散乱されるので、色合いの視野角依存性が低減される。また、本実施の形態では、互いに隣接する表示画素間の間隙に、遮光部60が設けられており、さらに、配線基板30の法線方向から見たときに、互いに隣接する表示画素間の間隙と対向する対向領域に、ブラックマトリクス22が設けられている。つまり、光散乱部50は各表示画素の直上をまたいで形成されておらず、配線基板30の法線方向から見ると、各光散乱部50は、遮光部60およびブラックマトリクス22に囲まれている。これにより、各表示画素から発せられた光が光散乱部50内を伝播し、所望の場所とは異なる場所から出射されることがない。さらに、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、遮光部60およびブラックマトリクス22によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケおよびコントラストの低下を抑制することができる。
[変形例1]
上記実施の形態において、例えば、図14、図15に示したように、遮光部60が省略されていてもよい。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、ブラックマトリクス22によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケを抑制することができる。
上記実施の形態において、例えば、図16に示したように、ブラックマトリクス22が省略されていてもよい。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、遮光部60によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケを抑制することができる。
上記実施の形態において、例えば、図17に示したように、支持基板21の、配線基板30側の表面に、ブラックマトリクス22とともにカラーフィルタ23が設けられていてもよい。カラーフィルタ23は、支持基板21に支持されており、各表示画素の直上に形成されている。カラーフィルタ23は、直下の発光装置40から発せられる光と同色の光を選択的に透過させるものである。そのため、カラーフィルタ23は、隣接する他の発光装置40から発せられた光を遮断することができる。従って、カラーフィルタ23を設けることによって、画像ボケをより一層、抑制することができる。
上記変形例3において、例えば、図18、図19に示したように、遮光部60が省略されていてもよい。このようにした場合であっても、各表示画素から発せられた光のうち斜めに伝播する成分は、ブラックマトリクス22によって遮られる。その結果、色合いの視野角依存性を低減しつつ、画像ボケを抑制することができる。
上記変形例2において、例えば、図20、図21、図22および図23に示したように、支持基板21の、配線基板30側の表面に、カラーフィルタ23が設けられていてもよい。このとき、カラーフィルタ23は、支持基板21の、配線基板30側の表面全体に設けられていてもよい。このようにした場合には、カラーフィルタ23の作用によって、画像ボケをより一層、抑制することができる。
上記実施の形態において、例えば、図24、図25に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例1において、例えば、図26、図27に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例2において、例えば、図28に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例3において、例えば、図29に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例4において、例えば、図30、図31に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。また、上記変形例5において、例えば、図図32、図33に示したように、光散乱部50が、配線基板30側から、支持基板21側に移転されていてもよい。なお、カラーフィルタ23および光散乱部50が支持基板21に積層される場合には、カラーフィルタ23が光散乱部50よりも支持基板21側に配置される。
次に、表示装置1の実施例について、比較例と対比しつつ説明する。本実施例に係る表示装置では、R,G,BのLEDを各色1つずつ、表示画素に設け、表示画素に含まれるR,G,Bの3個のLEDを、横50μm、縦100μmの領域内に配置した。各LEDを、支持基板に実装し、支持基板とは反対側に光が出射されるようにした。横270μm、縦286μmのピッチで、縦625mm、横1107mmの領域に、各表示画素をマトリックス状に配置し、横4096個、縦2180個のLEDを配置した。各LEDのチップサイズを、17.5μm角とした。
(1)
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を備えた
基板。
(2)
前記遮光部は、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙全体を覆うように形成され、
前記光散乱部は、前記画素に接して形成されている
(1)に記載の基板。
(3)
所定の間隙を介して、前記配線基板と対向する位置に配置された対向基板を備え、
前記遮光部および前記光散乱部は、ともに、前記対向基板に支持され、
前記遮光部は、前記配線基板の法線方向から見たときに前記対向領域全体を覆うように形成されている
(1)に記載の基板。
(4)
前記画素の直上に形成され、かつ前記対向基板に支持されたカラーフィルタを備えた
(3)に記載の基板。
(5)
1または複数の基板を備え、
前記基板は、
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を有する
表示パネル。
(6)
1または複数の基板を有する表示パネルを備え、
前記基板は、
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を有する
表示装置。
Claims (6)
- 発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を備えた
基板。 - 前記遮光部は、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙全体を覆うように形成され、
前記光散乱部は、前記画素に接して形成されている
請求項1に記載の基板。 - 所定の間隙を介して、前記配線基板と対向する位置に配置された対向基板を備え、
前記遮光部および前記光散乱部は、ともに、前記対向基板に支持され、
前記遮光部は、前記配線基板の法線方向から見たときに前記対向領域全体を覆うように形成されている
請求項1に記載の基板。 - 前記画素の直上に形成され、かつ前記対向基板に支持されたカラーフィルタを備えた
請求項3に記載の基板。 - 1または複数の基板を備え、
前記基板は、
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を有する
表示パネル。 - 1または複数の基板を有する表示パネルを備え、
前記基板は、
発光色の互いに異なる複数種類の発光素子を含み、かつ共通の配線基板上に2次元配置された複数の画素と、
前記画素の直上に、前記画素ごとに設けられた複数の光散乱部と、
互いに隣接する画素間の間隙、または、前記配線基板の法線方向から見たときに前記間隙と対向する対向領域に設けられた遮光部と
を有する
表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012208128A JP6017904B2 (ja) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | 実装基板、表示パネルおよび表示装置 |
US14/017,704 US8872415B2 (en) | 2012-09-21 | 2013-09-04 | Substrate, display panel, and display apparatus |
CN201310412888.5A CN103682058B (zh) | 2012-09-21 | 2013-09-11 | 基板、显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012208128A JP6017904B2 (ja) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | 実装基板、表示パネルおよび表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014063033A true JP2014063033A (ja) | 2014-04-10 |
JP2014063033A5 JP2014063033A5 (ja) | 2015-04-09 |
JP6017904B2 JP6017904B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=50318942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012208128A Active JP6017904B2 (ja) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | 実装基板、表示パネルおよび表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872415B2 (ja) |
JP (1) | JP6017904B2 (ja) |
CN (1) | CN103682058B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9563076B2 (en) | 2015-06-22 | 2017-02-07 | Harvatek Corporation | Display panel and composite display panel using the same |
JP2020053447A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
US11545607B2 (en) | 2017-12-04 | 2023-01-03 | Tunghsu Group Co., Ltd. | Upper substrate for miniature LED component, miniature LED component, and miniature LED display device |
JP7530795B2 (ja) | 2020-10-05 | 2024-08-08 | 株式会社東海理化電機製作所 | 表示装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016108776A1 (de) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Anordnung und Anzeigegerät |
CN110390886A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-10-29 | 群创光电股份有限公司 | 面板及其拼接装置 |
US10839740B2 (en) | 2018-04-18 | 2020-11-17 | Innolux Corporation | Panel and tiled device thereof |
CN115327815A (zh) * | 2020-01-21 | 2022-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光板、线路板以及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6238493A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | 松下電器産業株式会社 | 発光ダイオ−ドデイスプレイ装置 |
JPH118070A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2008218300A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
WO2011027712A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | 凸版印刷株式会社 | 有機el表示装置、カラーフィルタ基板、及び有機el表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270365A (ja) | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | El素子 |
JP2003162229A (ja) | 2001-09-14 | 2003-06-06 | Sony Corp | 画像表示装置用フィルタ及び画像表示装置、並びに画像表示装置の製造方法 |
US20060244371A1 (en) * | 2005-05-02 | 2006-11-02 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved lifetime and output |
US20070103056A1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-05-10 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
US7710026B2 (en) * | 2005-12-08 | 2010-05-04 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved output and contrast |
JP4479827B2 (ja) | 2008-05-12 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-09-21 JP JP2012208128A patent/JP6017904B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-04 US US14/017,704 patent/US8872415B2/en active Active
- 2013-09-11 CN CN201310412888.5A patent/CN103682058B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6238493A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | 松下電器産業株式会社 | 発光ダイオ−ドデイスプレイ装置 |
JPH118070A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
JP2008218300A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
WO2011027712A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | 凸版印刷株式会社 | 有機el表示装置、カラーフィルタ基板、及び有機el表示装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9563076B2 (en) | 2015-06-22 | 2017-02-07 | Harvatek Corporation | Display panel and composite display panel using the same |
TWI576798B (zh) * | 2015-06-22 | 2017-04-01 | 宏齊科技股份有限公司 | 顯示面板與應用其之複合式顯示面板 |
US11545607B2 (en) | 2017-12-04 | 2023-01-03 | Tunghsu Group Co., Ltd. | Upper substrate for miniature LED component, miniature LED component, and miniature LED display device |
JP2020053447A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
JP7530795B2 (ja) | 2020-10-05 | 2024-08-08 | 株式会社東海理化電機製作所 | 表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140084775A1 (en) | 2014-03-27 |
CN103682058B (zh) | 2017-06-16 |
US8872415B2 (en) | 2014-10-28 |
CN103682058A (zh) | 2014-03-26 |
JP6017904B2 (ja) | 2016-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6017904B2 (ja) | 実装基板、表示パネルおよび表示装置 | |
JP6595444B2 (ja) | 表示装置 | |
EP2476137B1 (en) | Tiled display with overlapping flexible substrates | |
CN111599843B (zh) | 显示装置 | |
KR101497224B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20210021216A (ko) | 표시 장치 | |
JP5974910B2 (ja) | 表示パネルおよび表示装置 | |
TW201409679A (zh) | 有機發光顯示器及其製造方法 | |
JP2010153070A (ja) | El装置、el装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2013258021A (ja) | 表示装置 | |
JP2007220395A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
JP2007234301A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
JP7515671B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2017147059A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2015149231A (ja) | 有機el表示装置 | |
WO2014174773A1 (ja) | パッシブマトリクス駆動型ディスプレイ及びタイリングディスプレイ | |
CN111146263A (zh) | 彩膜基板、显示面板和显示装置 | |
CN111048655B (zh) | 发光二极管芯片、显示面板及其制备方法和显示装置 | |
KR20230096219A (ko) | 표시 장치 | |
JP2008091067A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
EP4391777A1 (en) | Display device and head-mounted display device | |
JP2013120286A (ja) | 表示パネル | |
CN115643776A (zh) | 显示设备及包括其的拼接显示器 | |
US20240021594A1 (en) | Micro led display device | |
CN118284212A (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160518 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160720 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6017904 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |