JP6011079B2 - Resin sheet with support - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 119
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 97
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 97
- -1 ester compound Chemical class 0.000 claims description 84
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 32
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 26
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 19
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 17
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 15
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 14
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 14
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 13
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 13
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 206010042674 Swelling Diseases 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 9
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 8
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 8
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 6
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 6
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diol Chemical compound OC1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 4
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- GLTDLAUASUFHNK-UHFFFAOYSA-N n-silylaniline Chemical compound [SiH3]NC1=CC=CC=C1 GLTDLAUASUFHNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylcyclohexane Chemical group CC1CCCCC1(C)C MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzenedithiol Chemical compound SC1=CC=CC=C1S JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYWSZYFQXSLSFY-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrotriazine-5,6-dithione Chemical compound SC1=CN=NN=C1S AYWSZYFQXSLSFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRBJZNAPDVBCQM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxynaphthalene-1-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 WRBJZNAPDVBCQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010054404 Adenylyl-sulfate kinase Proteins 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N Phenolphthalin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 102100039024 Sphingosine kinase 1 Human genes 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N benzenecarbothioic s-acid Chemical compound SC(=O)C1=CC=CC=C1 UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2,5-dicarboxylic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C1=CN=C(C(O)=O)C=N1 KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000002298 terpene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical class SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
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- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
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- B32B2457/00—Electrical equipment
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Description
本発明は、支持体付き樹脂シートに関する。さらに当該支持体付き樹脂シートを含有する、多層プリント配線板、半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin sheet with a support. Furthermore, it is related with the multilayer printed wiring board and semiconductor device containing the said resin sheet with a support body.
近年、電子機器の小型化、高性能化が進み、半導体パッケージ基板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められていた。 In recent years, miniaturization and high performance of electronic devices have progressed, and in a semiconductor package substrate, a build-up layer has been formed into multiple layers, and miniaturization and high density of wiring have been demanded.
これに対して様々な取組みがなされていた。例えば、特許文献1には、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂を含む樹脂組成物が開示されていた。これらの組成物により形成される絶縁層が、誘電特性と耐熱性を両立しうることが記載されている。しかし、その性能は必ずしも満足いくものではなかった。 Various efforts were made against this. For example, Patent Document 1 discloses a resin composition containing an epoxy resin and an active ester resin. It is described that the insulating layer formed of these compositions can achieve both dielectric properties and heat resistance. However, its performance was not always satisfactory.
樹脂組成物において、誘電特性に優れた硬化物とするには活性エステル化合物を多く、熱膨張率を低下させるには無機充填材を多く配合するのが好ましいが、この場合、炭酸ガスレーザーによるビア形成において、レーザー加工性やスミア除去性が悪化しやすいという問題が新たに見出された。一方、活性エステル化合物を減量していくと、スミア除去性は改善されるものの、誘電正接が上昇してしまい、デスミア後に形成する銅めっきに関してメッキピール強度が低下しやすくなるという問題があることを確認した。 In a resin composition, it is preferable to add a large amount of an active ester compound to obtain a cured product having excellent dielectric properties, and a large amount of an inorganic filler to reduce the coefficient of thermal expansion. In the formation, a new problem has been found that laser processability and smear removability are likely to deteriorate. On the other hand, if the amount of the active ester compound is reduced, the smear removability is improved, but the dielectric loss tangent increases, and there is a problem that the plating peel strength tends to decrease with respect to the copper plating formed after desmearing. confirmed.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、誘電正接、線熱膨張係数が低いにもかかわらず、スミア除去性、メッキピール強度に優れた支持体付き樹脂シートを提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the problem to be solved by the present invention is a support excellent in smear removability and plating peel strength despite a low dielectric loss tangent and linear thermal expansion coefficient. It is to provide a resin sheet with a body.
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、支持体と、前記支持体上に形成された特定の第1層と、前記第1層上に形成された特定の第2層と、を有することを特徴とする支持体付き樹脂シートを用いることにより、本発明を完成するに至った。 As a result of earnest research to solve the above problems, the present inventor has found a support, a specific first layer formed on the support, and a specific second layer formed on the first layer. Thus, the present invention has been completed by using a resin sheet with a support characterized by having.
すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。
〔1〕支持体と、前記支持体上に形成された、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する第1層であって、前記第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以上である第1層と、前記第1層上に形成された、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する第2層であって、前記第2層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以下である第2層と、を有することを特徴とする支持体付き樹脂シート。
〔2〕前記無機充填材の平均粒径が、0.01〜3μmであることを特徴とする上記〔1〕記載の支持体付き樹脂シート。
〔3〕前記無機充填材の含有量が、40〜90質量%であることを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載の支持体付き樹脂シート。
〔4〕前記無機充填材が、表面処理剤で表面処理されていることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔5〕前記無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量が、0.02〜1mg/m2であることを特徴とする〔4〕記載の支持体付き樹脂シート。
〔6〕前記第2層の厚みが、2μm以上であることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔7〕前記樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層の線熱膨張係数が、25ppm以下となることを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔8〕前記樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層の誘電正接(測定周波数5.8GHz)が、0.0065以下であることを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔9〕前記樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理した後の算術平均粗さ(Ra)が150nm以下であり、二乗平均平方根粗さ(Rq)が220nm以下であることを特徴とする〔1〕〜〔8〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔10〕前記樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理し、メッキして得られる導体層と該絶縁層とのピール強度が、0.5kgf/cm以上であることを特徴とする〔1〕〜〔9〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔11〕多層プリント配線板の絶縁層用支持体付き樹脂シートであることを特徴とする〔1〕〜〔10〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔12〕多層プリント配線板のビルドアップ層用支持体付き樹脂シートであることを特徴とする〔1〕〜〔11〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シート。
〔13〕(A)〔1〕〜〔12〕のいずれか記載の支持体付き樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程、(B)支持体付き樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程、(C)絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する工程、(D)支持体を剥離する工程、(E)絶縁層表面を粗化処理する工程、(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程、を含有する多層プリント配線板の製造方法であって、前記(C)絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する工程において、絶縁層のビアホールのトップ径(直径)が65μm以下であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
〔14〕〔13〕に記載の方法により製造された多層プリント配線板を用いることを特徴とする半導体装置。
That is, the present invention includes the following contents.
[1] A first layer containing a support and an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler formed on the support, wherein the nonvolatile component in the first layer is 100% by mass A second layer containing an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler formed on the first layer, the first layer having an active ester compound content of 5% by mass or more, A resin sheet with a support, comprising: a second layer in which the active ester compound is 5% by mass or less when the nonvolatile component in the layer is 100% by mass.
[2] The resin sheet with a support according to [1], wherein the inorganic filler has an average particle size of 0.01 to 3 μm.
[3] The resin sheet with a support according to [1] or [2], wherein the content of the inorganic filler is 40 to 90% by mass.
[4] The resin sheet with a support according to any one of [1] to [3], wherein the inorganic filler is surface-treated with a surface treatment agent.
[5] The resin sheet with a support according to [4], wherein the inorganic filler has a carbon amount per unit surface area of 0.02 to 1 mg / m 2 .
[6] The resin sheet with a support according to any one of [1] to [5], wherein the thickness of the second layer is 2 μm or more.
[7] The support according to any one of [1] to [6], wherein the resin sheet is thermoset to form an insulating layer, and the linear thermal expansion coefficient of the insulating layer is 25 ppm or less. With resin sheet.
[8] The resin sheet is thermally cured to form an insulating layer, and a dielectric loss tangent (measurement frequency: 5.8 GHz) of the insulating layer is 0.0065 or less [1] to [7] The resin sheet with a support body in any one of these.
[9] The resin sheet is thermally cured to form an insulating layer, and the arithmetic average roughness (Ra) after roughening the surface of the insulating layer is 150 nm or less, and the root mean square roughness (Rq) is The resin sheet with a support according to any one of [1] to [8], which is 220 nm or less.
[10] The resin sheet is thermally cured to form an insulating layer, the surface of the insulating layer is roughened, and the peel strength between the conductive layer obtained by plating and the insulating layer is 0.5 kgf / cm or more The resin sheet with a support according to any one of [1] to [9], wherein
[11] The resin sheet with a support according to any one of [1] to [10], which is a resin sheet with a support for an insulating layer of a multilayer printed wiring board.
[12] The resin sheet with a support according to any one of [1] to [11], which is a resin sheet with a support for a buildup layer of a multilayer printed wiring board.
[13] (A) A step of laminating the resin sheet with a support according to any one of [1] to [12] on one or both surfaces of the inner circuit board, (B) insulating the resin sheet with a support by thermosetting A step of forming a layer, (C) a step of drilling the insulating layer to form a via hole, (D) a step of peeling the support, (E) a step of roughening the surface of the insulating layer, (F) roughening A process for forming a conductor layer by plating on the surface of the insulating layer after the treatment, wherein (C) in the step of drilling the insulating layer to form a via hole, A method for producing a multilayer printed wiring board, wherein a top diameter (diameter) of a via hole of a layer is 65 μm or less.
[14] A semiconductor device using a multilayer printed wiring board manufactured by the method according to [13].
支持体と、前記支持体上に形成された特定の第1層と、前記第1層上に形成された特定の第2層と、を有することを特徴とする支持体付き樹脂シートを用いることにより、誘電正接、線熱膨張係数が低いにもかかわらず、スミア除去性、メッキピール強度に優れた支持体付き樹脂シートを提供できるようになった。 Use of a resin sheet with a support comprising a support, a specific first layer formed on the support, and a specific second layer formed on the first layer Accordingly, it is possible to provide a resin sheet with a support excellent in smear removability and plating peel strength even though the dielectric loss tangent and the coefficient of linear thermal expansion are low.
[支持体付き樹脂シート]
本発明の支持体付き樹脂シートは、支持体と、前記支持体上に形成された、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する第1層であって、前記第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以上である第1層と、前記第1層上に形成された、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する第2層であって、前記第2層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以下である第2層と、を有することを特徴とする。なお、第2層の露出面側には、ごみ等の付着防止のために保護フィルムを有しても良い。
[Resin sheet with support]
The resin sheet with a support of the present invention is a first layer containing a support and an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler formed on the support, the nonvolatile layer in the first layer When the component is 100% by mass, the first layer containing 5% by mass or more of the active ester compound, and the second layer containing the epoxy resin, the active ester compound and the inorganic filler formed on the first layer. And when the non-volatile component in the said 2nd layer is 100 mass%, it has the 2nd layer whose active ester compound is 5 mass% or less, It is characterized by the above-mentioned. In addition, you may have a protective film in the exposed surface side of a 2nd layer in order to prevent adhesion of refuse etc.
本発明の支持体付き樹脂シートにおいて、第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以上であることで、誘電正接を低くし、メッキピール強度を良好にすることができる。そして、第2層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以下であることで、熱膨張係数を低くし、炭酸ガスレーザー加工でのスミア除去性を良好にすることができる。そのため、多層プリント配線板の層間導通信頼性に優れ、多層プリント配線板の絶縁層用支持体付き樹脂シートとして好適となる。更に、多層プリント配線板のビルドアップ層用支持体付き樹脂シートや、メッキにより導体層を形成するための支持体付き樹脂シートとしてより好適に使用することが出来る。 In the resin sheet with a support of the present invention, when the nonvolatile component in the first layer is 100% by mass, the active ester compound is 5% by mass or more, so that the dielectric loss tangent is lowered and the plating peel strength is improved. can do. And when the non-volatile component in a 2nd layer is 100 mass%, an active ester compound is 5 mass% or less, a thermal expansion coefficient is made low and the smear removal property in a carbon dioxide laser processing is made favorable. be able to. Therefore, the multilayer printed wiring board is excellent in interlayer conduction reliability, and is suitable as a resin sheet with a support for an insulating layer of the multilayer printed wiring board. Furthermore, it can be used more suitably as a resin sheet with a support for a buildup layer of a multilayer printed wiring board or a resin sheet with a support for forming a conductor layer by plating.
[支持体]
本発明の支持体としては、プラスチックフィルムや金属箔が挙げられる。具体的に、プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET 」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、アクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムが好ましく、特に安価なポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔などが挙げられる。汎用性の点から、プラスチックフィルムが好ましく、プラスチックフィルムを使用する場合、剥離性を向上させるために、第1層と接する面が離型処理された支持体を使用するのが好ましい。離型処理に使用する離型剤としては、第1層が支持体から剥離可能であれば特に限定されず、例えば、シリコン系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。なお、市販されている離型層付きプラスチックフィルムを用いてもよく、好ましいものとしては、例えば、アルキッド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムであるSK−1、AL−5、AL−7(リンテック(株)製)などが挙げられる。また、プラスチックフィルムはマット処理、コロナ処理を施してあってもよく、当該処理面上に離型層を形成してもよい。一方、金属箔はエッチング溶液により除去することもできるし、除去せずに該金属箔を導体層として利用してもよい。支持体の厚さは特に限定されないが、10〜150μmの範囲が好ましく、25〜50μmの範囲がより好ましい。
[Support]
Examples of the support of the present invention include plastic films and metal foils. Specifically, as the plastic film, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyester such as polyethylene naphthalate, polycarbonate, acrylic, cyclic polyolefin, triacetyl cellulose, polyether sulfide, polyether ketone And polyimide. Among these, a polyethylene terephthalate film and a polyethylene naphthalate film are preferable, and an inexpensive polyethylene terephthalate film is particularly preferable. Examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil. From the viewpoint of versatility, a plastic film is preferable, and when a plastic film is used, it is preferable to use a support having a surface that is in contact with the first layer, in order to improve releasability. The release agent used for the release treatment is not particularly limited as long as the first layer can be peeled from the support. For example, a silicon release agent, an alkyd resin release agent, a polyolefin resin, a urethane resin, A fluororesin etc. are mentioned. In addition, you may use the plastic film with a release layer marketed as a preferable thing, For example, SK-1, AL which is a PET film which has a release layer which has an alkyd resin type release agent as a main component, for example -5, AL-7 (manufactured by Lintec Corporation) and the like. Further, the plastic film may be subjected to mat treatment or corona treatment, and a release layer may be formed on the treated surface. On the other hand, the metal foil can be removed by an etching solution, or the metal foil may be used as a conductor layer without being removed. Although the thickness of a support body is not specifically limited, The range of 10-150 micrometers is preferable and the range of 25-50 micrometers is more preferable.
保護フィルムを有する場合には、支持体と同様のプラスチックフィルムを使用することができる。また保護フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよく、上記と同様の離型処理が施してあってもよい。保護フィルムの厚みは、3〜30μmが好ましい。 When it has a protective film, the plastic film similar to a support body can be used. The protective film may be subjected to a surface treatment such as a mud treatment or a corona treatment, or may be subjected to a mold release treatment similar to the above. As for the thickness of a protective film, 3-30 micrometers is preferable.
[樹脂組成物]
本発明の第1層と第2層は、樹脂組成物を層形成した樹脂シートである。樹脂組成物としては、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有すれば特に制限なく使用できる。また、さらに熱可塑性樹脂や硬化促進剤、その他成分を配合することもできる。以下、配合成分について述べる。
[Resin composition]
The first layer and the second layer of the present invention are resin sheets formed by layering a resin composition. The resin composition can be used without particular limitation as long as it contains an epoxy resin, an active ester compound, and an inorganic filler. Further, a thermoplastic resin, a curing accelerator, and other components can be blended. Hereinafter, the blending components will be described.
(a)エポキシ樹脂
本発明に使用するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有するのが好ましい。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
(A) Epoxy resin Although it does not specifically limit as an epoxy resin used for this invention, It is preferable to contain the epoxy resin which has a 2 or more epoxy group in 1 molecule. Specifically, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene Type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure Epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, halo Emissions epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more.
これらの中でも、耐熱性向上という観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「エピコート828EL」、「YL980」)、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「jER806H」、「YL983U」)、ナフタレン型2官能エポキシ樹脂(DIC(株)製「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」、「EXA4032SS」)、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(DIC(株)製「HP4700」、「HP4710」)、ナフトール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ESN−475V」)、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂(ダイセル化学工業(株)製「PB−3600」)、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3100」、三菱化学(株)製「YX4000」、「YX4000H」、「YX4000HK」、「YL6121」)、アントラセン型エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX8800」)、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC(株)製「EXA−7310」、「EXA−7311」、「EXA−7311L」、「EXA7311−G3」)、グリシジルエステル型エポキシ樹脂(ナガセケムテックス(株)製「EX711」、「EX721」、(株)プリンテック製「R540」)などが挙げられる。 Among these, from the viewpoint of improving heat resistance, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin An anthracene type epoxy resin and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable. Specifically, for example, bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 828EL”, “YL980” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), bisphenol F type epoxy resin (“jER806H”, “YL983U” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Naphthalene type bifunctional epoxy resin (“HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS”, “EXA4032SS” manufactured by DIC Corporation), naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (“HP4700”, “HP4710” manufactured by DIC Corporation), Naphthol type epoxy resin (“ESN-475V” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), epoxy resin having butadiene structure (“PB-3600” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), epoxy resin having biphenyl structure (Nipponization) “NC3000H”, “NC3000L”, “NC31” manufactured by Yakuhin Co., Ltd. "00", "YX4000", "YX4000H", "YX4000HK", "YL6121") manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, anthracene type epoxy resin ("YX8800" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), naphthylene ether type epoxy resin (DIC) “EXA-7310”, “EXA-7311”, “EXA-7311L”, “EXA7311-G3”), glycidyl ester type epoxy resin (“EX711”, “EX721” manufactured by Nagase ChemteX Corp.) ("R540" manufactured by Printec Co., Ltd.).
エポキシ樹脂は液状エポキシ樹脂を含むことで樹脂シートの取り扱い性を向上させることができる。更に、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用することが好ましい。液状エポキシ樹脂としては1分子中に2個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で液状の芳香族系エポキシ樹脂が好ましく、固体状エポキシ樹脂としては1分子中に3個以上のエポキシ基を有し、温度20℃で固体状の芳香族系エポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明でいう芳香族系エポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環構造を有するエポキシ樹脂を意味する。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用する場合、樹脂組成物の硬化物性のバランスを備えるという点から、その配合割合(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は質量比で1:0.1〜1:2の範囲が好ましく、1:0.3〜1:1.8の範囲がより好ましく、1:0.6〜1:1.5の範囲が更に好ましい。 The epoxy resin can improve the handleability of the resin sheet by including a liquid epoxy resin. Furthermore, it is preferable to use a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination. The liquid epoxy resin is preferably an aromatic epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule and a liquid at a temperature of 20 ° C. The solid epoxy resin has three or more epoxy groups in one molecule. And an aromatic epoxy resin that is solid at a temperature of 20 ° C. is preferable. In addition, the aromatic epoxy resin as used in the field of this invention means the epoxy resin which has an aromatic ring structure in the molecule | numerator. When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as an epoxy resin, the blending ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is 1: The range of 0.1 to 1: 2 is preferable, the range of 1: 0.3 to 1: 1.8 is more preferable, and the range of 1: 0.6 to 1: 1.5 is still more preferable.
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。固体状エポキシ樹脂としては、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましく、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。 The liquid epoxy resin is preferably bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, naphthalene. A type epoxy resin is more preferable. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types. Solid epoxy resins include tetrafunctional naphthalene type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol epoxy resins, naphthol type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and naphthylene ethers. Type epoxy resin is preferable, and naphthol type epoxy resin and biphenyl type epoxy resin are more preferable. You may use these 1 type or in combination of 2 or more types.
エポキシ樹脂の含有量は、樹脂シートの硬化物の線熱膨張係数を低下させるという観点から、第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合は、3〜40質量%であるのが好ましく、5〜30質量%であるのがより好ましく、7〜20質量%であるのが更に好ましい。第2層も同様の範囲が好ましい。 From the viewpoint of reducing the linear thermal expansion coefficient of the cured product of the resin sheet, the content of the epoxy resin is preferably 3 to 40% by mass when the nonvolatile component in the first layer is 100% by mass. More preferably, it is 5-30 mass%, and it is still more preferable that it is 7-20 mass%. The same range is preferable for the second layer.
(b)活性エステル化合物
本発明に使用する活性エステル化合物は、1分子中に活性エステル基を1個以上有する化合物である。活性エステル化合物はエポキシ樹脂等と反応することができ、1分子中に活性エステル基を2個以上有する化合物が好ましい。一般的には、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましく用いられる。
(B) Active ester compound The active ester compound used in the present invention is a compound having one or more active ester groups in one molecule. The active ester compound can react with an epoxy resin or the like, and a compound having two or more active ester groups in one molecule is preferable. In general, compounds having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, are preferably used. .
耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物とを縮合反応させたものから得られる活性エステル化合物がより好ましい。そして、カルボン酸化合物と、フェノール化合物、ナフトール化合物、チオール化合物とから選択される1種又は2種以上とを反応させたものから得られる活性エステル化合物が更に好ましい。そして、カルボン酸化合物とフェノール性水酸基を有する芳香族化合物とを反応させたものから得られる1分子中に2個以上の活性エステル基を有する芳香族化合物が更に一層好ましい。そして、少なくとも2個以上のカルボン酸を1分子中に有する化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物とを反応させたものから得られる芳香族化合物であり、かつ該芳香族化合物の1分子中に2個以上の活性エステル基を有する芳香族化合物が殊更好ましい。また、直鎖状または多分岐状であってもよい。また、少なくとも2個以上のカルボン酸を1分子中に有する化合物が脂肪族鎖を含む化合物であれば樹脂組成物との相溶性を高くすることができ、芳香族環を有する化合物であれば耐熱性を高くすることができる。 From the viewpoint of improving heat resistance, an active ester compound obtained from a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound is more preferable. An active ester compound obtained by reacting a carboxylic acid compound with one or more selected from a phenol compound, a naphthol compound, and a thiol compound is more preferable. An aromatic compound having two or more active ester groups in one molecule obtained by reacting a carboxylic acid compound with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group is even more preferable. And an aromatic compound obtained by reacting a compound having at least two or more carboxylic acids in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, and in one molecule of the aromatic compound. Especially preferred are aromatic compounds having two or more active ester groups. Further, it may be linear or multi-branched. In addition, if the compound having at least two carboxylic acids in one molecule is a compound containing an aliphatic chain, the compatibility with the resin composition can be increased, and if it is a compound having an aromatic ring, it is heat resistant. Sexuality can be increased.
カルボン酸化合物としては、具体的には、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。なかでも耐熱性の観点からコハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸が好ましく、イソフタル酸、テレフタル酸がより好ましい。チオカルボン酸化合物としては、具体的には、チオ酢酸、チオ安息香酸等が挙げられる。 Specific examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Of these, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid are preferred, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferred from the viewpoint of heat resistance. Specific examples of the thiocarboxylic acid compound include thioacetic acid and thiobenzoic acid.
フェノール化合物又はナフトール化合物としては、具体的には、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。なかでも耐熱性向上、溶解性向上の観点から、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックが好ましく、カテコール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックがより好ましく、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックが更に好ましく、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックが更に一層好ましく、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエニルジフェノールが殊更好ましく、ジシクロペンタジエニルジフェノールが特に好ましい。チオール化合物としては、具体的には、ベンゼンジチオール、トリアジンジチオール等が挙げられる。活性エステル化合物は1種又は2種以上を併用してもよい。 Specific examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, and o-cresol. , M-cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone Phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac and the like. Among them, from the viewpoint of improving heat resistance and solubility, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5 -Dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac are preferred, catechol, 1 , 5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophene Non-tetrahydrobenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, and phenol novolak are more preferable. 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxy More preferred are hydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadienyl diphenol, Phenol novolac is even more preferred, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthal Emissions, dicyclopentadienyl diphenol especially preferred, dicyclopentadienyl diphenol is particularly preferred. Specific examples of the thiol compound include benzenedithiol and triazinedithiol. The active ester compound may be used alone or in combination of two or more.
具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、なかでもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。市販品としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、EXB9451、EXB9460、EXB9460S、HPC−8000−65T(DIC(株)製)、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてEXB9416−70BK(DIC(株)製)、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物としてDC808(三菱化学(株)製)、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物としてYLH1026(三菱化学(株)製)、などが挙げられる。 Specifically, an active ester compound containing a dicyclopentadienyl diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated product of a phenol novolak, and an active ester compound containing a benzoylated product of a phenol novolak are preferred. Of these, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadienyl diphenol structure are more preferred. Commercially available products include EXB9451, EXB9460, EXB9460S, HPC-8000-65T (manufactured by DIC Corporation) as active ester compounds containing a dicyclopentadienyl diphenol structure, and EXB9416-70BK as an active ester compound containing a naphthalene structure. (Manufactured by DIC Corporation), DC808 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac, YLH1026 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing a benzoylated product of phenol novolac, Etc.
第1層に含まれる活性エステル化合物の含有量は、誘電正接を低くし、メッキピール強度を向上させるという観点、更には支持体付きで熱硬化した際にも十分なピール強度を発揮できるという点から、第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、5質量%以上となる。好ましくは5〜30質量%であり、より好ましくは5〜25質量%であり、更に好ましくは5〜20質量%である。一方、第2層に含まれる活性エステル化合物の含有量は、線熱膨張係数を低くし、炭酸ガスレーザー加工でのスミア除去性を良好にするという観点から、第2層中の不揮発成分を100質量%とした場合、5質量%以下となる。好ましくは0〜5質量%であり、より好ましくは0.5〜5質量%であり、更に好ましくは1〜4質量%である。 The content of the active ester compound contained in the first layer is that the dielectric loss tangent is lowered and the plating peel strength is improved, and further, sufficient peel strength can be exhibited even when thermally cured with a support. Therefore, when the nonvolatile component in the first layer is 100% by mass, the content is 5% by mass or more. Preferably it is 5-30 mass%, More preferably, it is 5-25 mass%, More preferably, it is 5-20 mass%. On the other hand, the content of the active ester compound contained in the second layer lowers the linear thermal expansion coefficient and improves the smear removability in the carbon dioxide laser processing from 100% of the non-volatile component in the second layer. In the case of mass%, it is 5 mass% or less. Preferably it is 0-5 mass%, More preferably, it is 0.5-5 mass%, More preferably, it is 1-4 mass%.
また、(a)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、硬化物の機械特性を向上させるという点から、(b)活性エステル化合物の反応基数は、0.2〜2が好ましく、0.3〜1.5がより好ましく、0.4〜1が更に好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値である。また、「反応基」とはエポキシ基と反応することができる官能基のことを意味し、「反応基数」とは、樹脂組成物中に存在する活性エステル化合物の固形分質量を反応基当量で除した値を全て合計した値である。 Moreover, when the number of epoxy groups of the (a) epoxy resin is 1, the reactive group number of the active ester compound (b) is preferably 0.2 to 2 from the viewpoint of improving the mechanical properties of the cured product. -1.5 is more preferable, and 0.4-1 is still more preferable. Here, “the number of epoxy groups of the epoxy resin” is a value obtained by totaling the values obtained by dividing the solid mass of each epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent for all epoxy resins. The “reactive group” means a functional group capable of reacting with an epoxy group, and the “reactive group number” means the solid content mass of the active ester compound present in the resin composition in terms of the reactive group equivalent. This is the sum of all the divided values.
(c)無機充填材
本発明に使用する無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、雲母、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン等が挙げられ、シリカ、アルミナが好ましく、特に無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ、球状シリカ等のシリカが好ましく、球状シリカ、溶融シリカがより好ましい。樹脂シートへの充填性向上の観点から、球状溶融シリカが更に好ましい。これらは1種又は2種以上を使用することができる。市販されている球状溶融シリカとして、(株)アドマテックス製「SOC2」、「SOC1」が挙げられる。
(C) Inorganic filler Examples of the inorganic filler used in the present invention include silica, alumina, mica, mica, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, and titanium oxide, and silica and alumina are preferable. In particular, silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica, and spherical silica is preferable, and spherical silica and fused silica are more preferable. From the viewpoint of improving the filling property to the resin sheet, spherical fused silica is more preferable. These can use 1 type (s) or 2 or more types. Examples of commercially available spherical fused silica include “SOC2” and “SOC1” manufactured by Admatechs.
無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、絶縁層上へ微細配線形成を行うという観点、無機充填材の総表面積を増大させることで穴あけ加工時のスミア発生を抑制させるという観点から、3μm以下が好ましく、2μm以下がより好ましく、1μm以下が更に好ましく、0.8μm以下が更に一層好ましく、0.6μm以下が殊更好ましい。一方、樹脂組成物をワニスとした場合に、ワニスの粘度が上昇し、取り扱い性が低下するのを防止するという観点から、0.01μm以上が好ましく、0.03μm以上がより好ましく、0.07μm以上が更に好ましく、0.1μm以上が更に一層好ましい。上記無機充填材の平均粒径はミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、(株)堀場製作所製 LA−950等を使用することができる。 Although the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, it is possible to suppress the occurrence of smear during drilling by increasing the total surface area of the inorganic filler from the viewpoint of forming fine wiring on the insulating layer. In view of the above, it is preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less, still more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.8 μm or less, and even more preferably 0.6 μm or less. On the other hand, when the resin composition is a varnish, it is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.03 μm or more, more preferably 0.07 μm, from the viewpoint of preventing the viscosity of the varnish from increasing and handling properties from decreasing. The above is more preferable, and 0.1 μm or more is even more preferable. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in water by ultrasonic waves can be preferably used. As a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, LA-950 manufactured by Horiba, Ltd. or the like can be used.
無機充填材の含有量は、特に制限されないが、シート形態の可撓性が低下するのを防止するという観点から、第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、90質量%以下が好ましく、85質量%以下がより好ましく80質量%以下が更に好ましい。第2層も同様の範囲が好ましい。また、絶縁層の熱膨張率を低くするという観点、無機充填材の総表面積を増大させることで穴あけ加工時のスミア発生を抑制させ、粗化処理時にスミアを除去しやすくするという観点から、第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以上が好ましく、50質量%以上がより好ましく、60質量%以上が更に好ましく、65質量%以上が更に一層好ましい。第2層も同様の範囲が好ましい。 The content of the inorganic filler is not particularly limited, but from the viewpoint of preventing the flexibility of the sheet form from being reduced, when the nonvolatile component in the first layer is 100% by mass, the content is 90% by mass or less. Preferably, 85 mass% or less is more preferable, and 80 mass% or less is still more preferable. The same range is preferable for the second layer. In addition, from the viewpoint of reducing the thermal expansion coefficient of the insulating layer, increasing the total surface area of the inorganic filler to suppress smearing during drilling, and making it easier to remove smear during roughening treatment, When the nonvolatile component in one layer is 100% by mass, 40% by mass or more is preferable, 50% by mass or more is more preferable, 60% by mass or more is further preferable, and 65% by mass or more is even more preferable. The same range is preferable for the second layer.
無機充填材は、耐湿性向上、分散性向上のために表面処理剤で表面されたものが好ましい。表面処理剤としては、エポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤から選択される1種以上が好ましい。これらのなかでもアミノシラン系カップリング剤は耐湿性、分散性、硬化物の特性などに優れていて好ましい。市販品としては、信越化学工業(株)製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製「SZ−31」(ヘキサメチルジシラザン)等が挙げられる。 The inorganic filler is preferably surface-treated with a surface treatment agent in order to improve moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, one or more selected from an epoxysilane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an organosilazane compound, and a titanate coupling agent are preferable. . Of these, aminosilane coupling agents are preferred because of their excellent moisture resistance, dispersibility, and properties of cured products. Commercially available products include “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Co., Ltd., "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM103" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ”(Phenyltrimethoxysilane),“ SZ-31 ”(hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.
また、表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤(例えば、メチルエチルケトン)により洗浄処理した後の無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所製「EMIA−320V」等を使用することができる。 Moreover, the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent can measure the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler after being washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent and ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid, the carbon amount per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by HORIBA, Ltd. can be used.
無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の点で、0.02mg/m2以上が好ましく、0.1mg/m2以上がより好ましく、0.2mg/m2以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やフィルム形態での溶融粘度の上昇を防止するという点で、1mg/m2以下が好ましく、0.8mg/m2以下がより好ましく、0.5mg/m2以下が更に好ましい。 Carbon content per unit surface area of the inorganic filler, in terms of improving dispersibility of the inorganic filler is preferably 0.02 mg / m 2 or more, 0.1 mg / m 2 or more preferably, 0.2 mg / m 2 The above is more preferable. On the other hand, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less is preferable in terms of preventing an increase in the melt viscosity of the resin varnish or the film form. Further preferred.
(d)熱可塑性樹脂
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
(D) Thermoplastic resin Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyethersulfone resin, and polysulfone resin, and phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は8000〜70000の範囲が好ましく、10000〜60000の範囲がより好ましく、20000〜60000の範囲が更に好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として(株)島津製作所製LC−9A/RID−6Aを、カラムとして昭和電工(株)製Shodex K−800P/K−804L/K−804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。 The polystyrene-reduced weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably in the range of 8000 to 70000, more preferably in the range of 10,000 to 60000, and still more preferably in the range of 20000 to 60000. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the polystyrene-reduced weight average molecular weight of the thermoplastic resin is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, and Shodex K-800P / K- manufactured by Showa Denko KK as a column. 804L / K-804L can be measured at a column temperature of 40 ° C. using chloroform or the like as a mobile phase, and can be calculated using a standard polystyrene calibration curve.
フェノキシ樹脂としては、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格から選択される1種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が好ましい。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学(株)製「1256」、「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)、「YL7553」(フルオレン骨格含有フェノキシ樹脂)、東都化成(株)製「FX280」、「FX293」、三菱化学(株)製「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7482」等が挙げられる。 Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton, And a phenoxy resin having one or more skeletons selected from a trimethylcyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Specific examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin), “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), “YX6954” (bisphenolacetophenone) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Skeleton-containing phenoxy resin), "YL7553" (fluorene skeleton-containing phenoxy resin), "FX280", "FX293" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7290", " YL7482 "etc. are mentioned.
ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製の電化ブチラール4000−2、5000−A、6000−C、6000−EP、積水化学工業(株)製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ、KSシリーズ、BLシリーズ、BMシリーズ等が挙げられる。 Specific examples of the polyvinyl acetal resin include: Electric Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., S-Lec BH Series, BX Series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. KS series, BL series, BM series, etc. are mentioned.
熱可塑性樹脂の含有量は、第1層中の不揮発成分100質量%に対して、0.5〜15質量%が好ましい。第2層も同様の範囲が好ましい。 As for content of a thermoplastic resin, 0.5-15 mass% is preferable with respect to 100 mass% of non-volatile components in a 1st layer. The same range is preferable for the second layer.
(e)硬化促進剤
硬化促進剤としては、例えば、有機ホスフィン化合物、イミダゾール化合物、アミンアダクト化合物、及び3級アミン化合物などが挙げられる。硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物の不揮発成分の合計を100質量%とした場合、0.01〜3質量%の範囲で使用することが好ましい。硬化促進剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
(E) Curing accelerator Examples of the curing accelerator include organic phosphine compounds, imidazole compounds, amine adduct compounds, and tertiary amine compounds. The content of the curing accelerator is preferably used in the range of 0.01 to 3% by mass when the total of the nonvolatile components of the epoxy resin and the active ester compound is 100% by mass. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
本願発明の樹脂組成物には、さらにフェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等の硬化剤、リン系化合物、水酸化金属物等の難燃剤、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー、ゴム粒子等の有機充填剤、有機溶剤、添加剤などを適宜配合することができる。 The resin composition of the present invention further includes a curing agent such as phenol resin, cyanate ester resin, benzoxazine resin, a flame retardant such as phosphorus compound, metal hydroxide, silicon powder, nylon powder, fluorine powder, rubber particles, etc. Organic fillers, organic solvents, additives and the like can be appropriately blended.
本発明の樹脂組成物は、上記成分を適宜混合し、また、必要に応じて三本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等の混練手段、あるいはスーパーミキサー、プラネタリーミキサー等の撹拌手段により混練または混合することにより、樹脂ワニスとして製造することができる。 The resin composition of the present invention is appropriately mixed with the above components and, if necessary, kneaded or mixed by a kneading means such as a three-roll, ball mill, bead mill, or sand mill, or a stirring means such as a super mixer or a planetary mixer. By doing so, it can be produced as a resin varnish.
[第1層]
本願発明の第1層は、支持体上に樹脂組成物を層形成した樹脂組成物層として作製できる。樹脂組成物層は、例えば、有機溶剤を含む樹脂組成物を調製し、支持体上に該樹脂組成物を塗布し、乾燥、加熱により樹脂組成物層を形成させることができる。乾燥、加熱条件としては、80〜170℃で1〜60分の範囲で適宜設定可能であるが、80〜130℃で1〜30分が好ましい。
[First layer]
The first layer of the present invention can be produced as a resin composition layer in which a resin composition is formed on a support. The resin composition layer can be formed, for example, by preparing a resin composition containing an organic solvent, applying the resin composition on a support, drying and heating. The drying and heating conditions can be set as appropriate within a range of 1 to 60 minutes at 80 to 170 ° C, but preferably 1 to 30 minutes at 80 to 130 ° C.
樹脂シートの誘電正接を低くし、メッキピール強度を向上させるために、第1層の厚みは2μm以上が好ましい。より好ましくは2〜50μm、更に好ましくは4〜35μmとなる。 In order to reduce the dielectric loss tangent of the resin sheet and improve the plating peel strength, the thickness of the first layer is preferably 2 μm or more. More preferably, it is 2-50 micrometers, More preferably, it is 4-35 micrometers.
[第2層]
本願発明の第2層は、第1層上に樹脂組成物を層形成した樹脂組成物層として作製できる。乾燥条件等は第1層と同様にして、適宜設定できる。
[Second layer]
The second layer of the present invention can be produced as a resin composition layer in which a resin composition is formed on the first layer. The drying conditions and the like can be appropriately set in the same manner as in the first layer.
樹脂シートの熱膨張係数を低くし、スミア除去性を向上させるために、第2層の厚みは2μm以上が好ましい。より好ましくは2〜50μm、更に好ましくは4〜35μmとなる。 In order to reduce the thermal expansion coefficient of the resin sheet and improve the smear removability, the thickness of the second layer is preferably 2 μm or more. More preferably, it is 2-50 micrometers, More preferably, it is 4-35 micrometers.
[支持体付き樹脂シートの作製方法]
支持体付き樹脂シートの作製方法としては種々の方法を用いることができる。例えば、支持体上に第1層である樹脂組成物層を形成し、その上に、樹脂組成物を塗布し、乾燥により第2層である樹脂組成物層を形成させることができる。また、支持体上に第1層である樹脂組成物層を形成したもの、別の支持体上に第2層である樹脂組成物層を形成したものをそれぞれ作製した後、それぞれの樹脂組成物層面をラミネートにより貼り合わせる方法も挙げられる。ラミネートにより貼り合わせる際の条件は、ラミネート温度70〜110℃、ラミネート時間5〜30秒、ラミネート圧力1〜10kgf/cm2が好ましい。また、支持体上に樹脂組成物を塗布しながら、その上に同時に別の樹脂組成物を塗布し、その後乾燥させ、第1層と第2層を同時に作成することもできる。
[Production method of resin sheet with support]
Various methods can be used as a method for producing the resin sheet with a support. For example, a resin composition layer as a first layer can be formed on a support, a resin composition can be applied thereon, and a resin composition layer as a second layer can be formed by drying. Moreover, after producing what formed the resin composition layer which is the 1st layer on the support body, and what formed the resin composition layer which is the 2nd layer on another support body, respectively, each resin composition A method of laminating the layer surfaces by lamination is also mentioned. The conditions for laminating together are preferably a laminating temperature of 70 to 110 ° C., a laminating time of 5 to 30 seconds, and a laminating pressure of 1 to 10 kgf / cm 2 . Further, while applying the resin composition on the support, another resin composition may be simultaneously applied thereon and then dried to simultaneously produce the first layer and the second layer.
第1層と第2層の厚みの比は、必要な性能に応じて適宜設定することができるが、1:9〜9:1であることが好ましく、3:7〜7:3であることがより好ましい。 The ratio of the thickness of the first layer and the second layer can be appropriately set according to the required performance, but is preferably 1: 9 to 9: 1, and is 3: 7 to 7: 3. Is more preferable.
[支持体付き樹脂シートを用いた多層プリント配線板]
以下、本発明の支持体付き樹脂シートを使用した多層プリント配線板の製造方法の一例について詳述する。
[Multilayer printed wiring board using resin sheet with support]
Hereinafter, an example of the manufacturing method of the multilayer printed wiring board using the resin sheet with a support body of this invention is explained in full detail.
本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、(A)支持体付き樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程、(B)支持体付き樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程、(C)絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する工程、(D)支持体を剥離する工程、(E)絶縁層表面を粗化処理する工程、(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程、等を含むことができる。 In the method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, (A) a step of laminating a resin sheet with a support on one or both sides of an inner circuit board, (B) an insulating layer by thermosetting the resin sheet with a support Forming step, (C) forming a via hole by drilling in the insulating layer, (D) removing the support, (E) roughening the surface of the insulating layer, (F) after the roughing treatment A step of plating the surface of the insulating layer to form a conductor layer, and the like.
(A)支持体付き樹脂シートを内層回路基板の片面又は両面に積層する工程((A)工程)では、支持体付き樹脂シートの第2層を内層回路基板側にして、内層回路基板の片面又は両面に積層する。ここでいう内層回路基板とは、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板の片面又は両面にパターン加工された(回路形成された)導体層を有し、多層プリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層及び導体層が形成されるべき中間製造物を言う。なお導体層表面は黒化処理等により予め粗化処理が施されていた方が絶縁層と内層回路基板の密着性向上の観点から好ましい。 (A) In the step of laminating the resin sheet with a support on one or both sides of the inner layer circuit board (step (A)), the second layer of the resin sheet with the support is on the inner layer circuit board side, and one side of the inner layer circuit board Or laminate on both sides. As used herein, the inner layer circuit board refers to a conductive layer patterned (circuit formed) on one or both sides of a glass epoxy board, a metal board, a polyester board, a polyimide board, a BT resin board, or a thermosetting polyphenylene ether board. And an intermediate product in which an insulating layer and a conductor layer are to be formed when a multilayer printed wiring board is manufactured. In addition, it is preferable from the viewpoint of improving the adhesion between the insulating layer and the inner circuit board that the surface of the conductor layer has been previously roughened by blackening or the like.
(A)工程において、支持体付き樹脂シートが保護フィルムを有している場合には該保護フィルムを除去した後、必要に応じて支持体付き樹脂シート及び内層回路基板をプレヒートし、支持体付き樹脂シートを加圧及び加熱しながら内層回路基板に圧着する。本発明の支持体付き樹脂シートにおいては、真空ラミネート法により減圧下で回路基板に積層する方法が好適に用いられる。ラミネートの条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度(ラミネート温度)を好ましくは70〜140℃、圧着圧力(ラミネート圧力)を好ましくは1〜11kgf/cm2(9.8×104〜107.9×104N/m2)とし、圧着時間(ラミネート時間)を好ましくは5〜180秒とし、空気圧20mmHg(26.7hPa)以下の減圧下でラミネートするのが好ましい。また、ラミネートの方法は、バッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。真空ラミネートは、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニチゴー・モートン(株)製バキュームアップリケーター、(株)名機製作所製真空加圧式ラミネーター、(株)日立インダストリイズ製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー(株)製真空ラミネーター等を挙げることができる。 In the step (A), when the resin sheet with a support has a protective film, the protective film is removed, and then the resin sheet with the support and the inner layer circuit board are preheated as necessary, with the support. The resin sheet is pressed against the inner circuit board while being pressurized and heated. In the resin sheet with a support of the present invention, a method of laminating on a circuit board under reduced pressure by a vacuum laminating method is suitably used. Lamination conditions are not particularly limited. For example, the pressure bonding temperature (laminating temperature) is preferably 70 to 140 ° C., and the pressure bonding pressure (laminating pressure) is preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ), the pressure bonding time (laminating time) is preferably 5 to 180 seconds, and the lamination is preferably performed under reduced pressure with an air pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. The laminating method may be a batch method or a continuous method using a roll. The vacuum lamination can be performed using a commercially available vacuum laminator. Commercially available vacuum laminators include, for example, a vacuum applicator manufactured by Nichigo-Morton Co., Ltd., a vacuum pressurizing laminator manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., a roll dry coater manufactured by Hitachi Industries, Ltd., and Hitachi AIC Co., Ltd. ) Made vacuum laminator and the like.
(B)支持体付き樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程((B)工程)では、支持体付き樹脂シートを内層回路基板に積層した後、樹脂シートを熱硬化することにより内層回路基板上に絶縁層(硬化物)を形成することができる。熱硬化の条件は、樹脂組成物中の樹脂成分の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは150℃〜220℃で20分〜180分、より好ましくは160℃〜210℃で30〜120分の範囲で選択される。また、支持体を剥離せずに熱硬化することで、熱硬化中のごみや埃等の異物付着を防止することができる。 (B) In the step of thermally curing the resin sheet with a support to form an insulating layer (step (B)), the resin sheet with the support is laminated on the inner circuit board, and then the inner layer is formed by thermosetting the resin sheet. An insulating layer (cured product) can be formed on the circuit board. The thermosetting conditions may be appropriately selected according to the type and content of the resin component in the resin composition, but preferably 150 ° C. to 220 ° C. for 20 minutes to 180 minutes, more preferably 160 ° C. to 210 ° C. It is selected in the range of 30 to 120 minutes at ° C. Further, by thermosetting without peeling off the support, it is possible to prevent adhesion of foreign matters such as dust and dust during thermosetting.
樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層の線熱膨張係数が、25ppm以下となるのが好ましく、20ppm以下となるのがより好ましい。下限値に特に制限はないが、一般的に4ppmとなる。これにより、ビルドアップ層と配線とのひずみを防止し、信頼性の高い多層プリント配線板を得ることができる。 The resin sheet is thermally cured to form an insulating layer, and the linear thermal expansion coefficient of the insulating layer is preferably 25 ppm or less, and more preferably 20 ppm or less. The lower limit is not particularly limited, but is generally 4 ppm. Thereby, distortion with a buildup layer and wiring can be prevented and a highly reliable multilayer printed wiring board can be obtained.
樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層の誘電正接(測定周波数5.8GHz)は、0.0065以下が好ましく、0.006以下がより好ましい下限値に特に制限はないが、一般的に0.001となる。これにより、電気信号ロスの少ない多層プリント配線板を得ることができる。 The resin sheet is thermally cured to form an insulating layer, and the dielectric loss tangent (measurement frequency 5.8 GHz) of the insulating layer is preferably 0.0065 or less, and 0.006 or less is more preferably a lower limit, although not particularly limited. Generally, it is 0.001. Thereby, a multilayer printed wiring board with little electric signal loss can be obtained.
(C)絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する工程((C)工程)では、絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する。穴あけ加工は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができるが、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー等のレーザーによる穴あけ加工が好ましく、汎用性の観点から炭酸ガスレーザーがより好ましい。 (C) In the step of forming a via hole by drilling the insulating layer (step (C)), the via hole is formed by drilling the insulating layer. The drilling can be performed by a known method such as drilling, laser, or plasma, or a combination of these methods if necessary. However, drilling by a laser such as a carbon dioxide laser or YAG laser is preferable and versatile. In view of the above, a carbon dioxide laser is more preferable.
炭酸ガスレーザーでビアホールを形成する場合は、ショット数は、形成すべきビアホールの深さ、孔径によっても異なるが、通常1〜5ショットの間で選択される。ビアホールの加工速度を速め、多層プリント配線板の生産性を向上させるためにショット数は少ない方が良く、ショット数は1〜3が好ましい。なお、複数のショットで加工する場合、連続的なショットであるバーストモードでもよく、時間的間隔を持たせた複数ショットであるサイクルモードでもよい。 When forming a via hole with a carbon dioxide laser, the number of shots is usually selected from 1 to 5 shots, although it depends on the depth and hole diameter of the via hole to be formed. In order to increase the processing speed of the via hole and improve the productivity of the multilayer printed wiring board, it is better that the number of shots is small, and the number of shots is preferably 1 to 3. When processing with a plurality of shots, a burst mode that is continuous shots or a cycle mode that is a plurality of shots with time intervals may be used.
炭酸ガスレーザーのパルス幅は特に限定されず、28μ秒のミドルレンジから4μ秒の短パルスまで広い範囲で選択可能である。効率性の観点から、10μ秒〜26μ秒がより好ましい。 The pulse width of the carbon dioxide laser is not particularly limited, and can be selected in a wide range from a middle range of 28 μs to a short pulse of 4 μs. From the viewpoint of efficiency, 10 μs to 26 μs is more preferable.
炭酸ガスレーザーにより穴あけ加工する場合、本発明の支持体付き樹脂シートにおいては、スミア除去性を良好にするという点から、レーザーエネルギーを0.1〜3Wに調整することが好ましく、0.3〜2Wに調整することがより好ましい。 When drilling with a carbon dioxide laser, in the resin sheet with a support of the present invention, it is preferable to adjust the laser energy to 0.1 to 3 W from the viewpoint of improving smear removability. It is more preferable to adjust to 2W.
本発明の支持体付き樹脂シートは、スミア除去性が向上しているため、多層プリント配線板の薄膜化のために、絶縁層のビアホールのトップ径(直径)を小径にしても、良好な穴あけ加工が可能である。具体的には、(C)工程において、絶縁層のビアホールのトップ径(直径)は、65μm以下が好ましく、60μm以下がより好ましく、55μm以下が更に好ましい。一方で、ビアホール内の粗化処理が行いづらくなるのを防止するために、ビアホールのトップ径(直径)は15μm以上とするのが好ましい。 Since the resin sheet with a support of the present invention has improved smear removability, good drilling can be achieved even if the top diameter (diameter) of the via hole in the insulating layer is made small in order to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board. Processing is possible. Specifically, in step (C), the top diameter (diameter) of the via hole in the insulating layer is preferably 65 μm or less, more preferably 60 μm or less, and even more preferably 55 μm or less. On the other hand, the top diameter (diameter) of the via hole is preferably set to 15 μm or more in order to prevent the roughening process in the via hole from being difficult to be performed.
(D)支持体を剥離する工程((D)工程)では、支持体を剥離する。基材がプラスチックフィルムの場合は、基材の剥離は、手動または自動剥離装置により機械的に除去することによって行うことができる。また、基材が金属箔の場合は、エッチング液などにより金属箔を溶解して、金属箔を剥離、除去することができる。なお、(D)工程は、(C)工程の前に行ってもよく、(C)工程の後に行ってもよいが、スミア除去性向上の点から、(C)工程を(D)工程の前に行うことが好ましい。 (D) In the step of peeling the support (step (D)), the support is peeled off. When the substrate is a plastic film, the substrate can be peeled by mechanical removal with a manual or automatic peeling device. When the substrate is a metal foil, the metal foil can be peeled and removed by dissolving the metal foil with an etching solution or the like. In addition, although (D) process may be performed before (C) process and may be performed after (C) process, from the point of smear removal improvement, (C) process is changed to (D) process. Preferably it is done before.
(E)絶縁層表面を粗化処理する工程((E)工程)では、支持体剥離後、絶縁層表面を粗化処理する。乾式の粗化処理の場合はプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の場合は膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。湿式の粗化処理の方が、絶縁層表面に凸凹のアンカーを形成しながら、ビアホール内のスミアを除去することができる点で好ましい。 (E) In the step of roughening the surface of the insulating layer (step (E)), the surface of the insulating layer is roughened after peeling off the support. In the case of dry-type roughening treatment, plasma treatment or the like can be mentioned. It is done. The wet roughening treatment is preferable in that smear in the via hole can be removed while forming an uneven anchor on the surface of the insulating layer.
膨潤液による膨潤処理は、絶縁層を50〜80℃で5〜20分間(好ましくは55〜70℃で8〜15分間)、膨潤液に浸漬させることで行われる。膨潤液としてはアルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等が挙げられる。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスP(Swelling Dip Securiganth P)、スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU(Swelling Dip Securiganth SBU)等を挙げることができる。 The swelling treatment with the swelling liquid is performed by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 50 to 80 ° C. for 5 to 20 minutes (preferably at 55 to 70 ° C. for 8 to 15 minutes). Examples of the swelling liquid include an alkaline solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferable. Examples of the alkaline solution include a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth S) and Swelling Dip Securiganth SBU (ABUTEC Japan). be able to.
酸化剤による粗化処理は、絶縁層を60〜80℃で10〜30分間(好ましくは70〜80℃で15〜25分間)、酸化剤溶液に浸漬させることで行われる。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素/硫酸、硝酸等を挙げることができる。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は5〜10重量%とするのが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン(株)製のコンセントレート・コンパクト CP、ドージングソリューション セキュリガンスP等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。 The roughening treatment with an oxidizing agent is performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution at 60 to 80 ° C. for 10 to 30 minutes (preferably at 70 to 80 ° C. for 15 to 25 minutes). Examples of the oxidizing agent include alkaline permanganate solution in which potassium permanganate and sodium permanganate are dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide, dichromate, ozone, hydrogen peroxide / sulfuric acid, nitric acid and the like. it can. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5 to 10% by weight. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as Concentrate Compact CP and Dosing Solution Securigans P manufactured by Atotech Japan.
中和液による中和処理は、30〜50℃で3〜10分間(好ましくは35〜45℃で3〜8分間)、中和液に浸漬させることで行われる。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、アトテックジャパン(株)製のリダクションソリューシン・セキュリガントPが挙げられる。 The neutralization treatment with the neutralizing solution is performed by immersing in a neutralizing solution at 30 to 50 ° C. for 3 to 10 minutes (preferably at 35 to 45 ° C. for 3 to 8 minutes). As the neutralizing solution, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercially available product, Reduction Solution / Secligant P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned.
樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理した後の表面粗さは、微細配線形成向上のために、算術平均粗さ(Ra)が150nm以下となるのが好ましく、100nm以下となるのがより好ましい。算術平均粗さ(Ra)の下限値に制限はないが、一般的に10nm以上となる。二乗平均平方根粗さ(Rq)は220nm以下となるのが好ましく、200nm以下となるのがより好ましく、150nm以下となるのが更に好ましく、100nm以下となるのが更に一層好ましい。二乗平均平方根粗さ(Rq)の下限値に制限はないが、一般的に20nm以上となる。なお、二乗平均平方根粗さ(Rq)は絶縁層表面の局所的な状態が反映されるため、Rqの把握によってより緻密で平滑な絶縁層表面になっていることが確認できる。 The surface roughness after heat-curing the resin sheet to form an insulating layer and roughening the surface of the insulating layer has an arithmetic average roughness (Ra) of 150 nm or less in order to improve the formation of fine wiring. Is preferable, and it is more preferably 100 nm or less. The lower limit value of the arithmetic average roughness (Ra) is not limited, but is generally 10 nm or more. The root mean square roughness (Rq) is preferably 220 nm or less, more preferably 200 nm or less, even more preferably 150 nm or less, and even more preferably 100 nm or less. The lower limit value of the root mean square roughness (Rq) is not limited, but is generally 20 nm or more. Since the root mean square roughness (Rq) reflects the local state of the insulating layer surface, it can be confirmed that the surface of the insulating layer is denser and smoother by grasping Rq.
(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程((F工程))では、絶縁層表面に導体層を形成することができる。メッキ形成の方法として、乾式メッキ又は湿式メッキにより絶縁層上に導体層を形成することが挙げられる。乾式メッキとしては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知の方法を使用することができる。湿式メッキとしては、粗化処理後に無電解メッキと電解メッキとを組み合わせて導体層を形成する方法、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで導体層を形成する方法、等が挙げられる。その後のパターン形成の方法として、例えば、当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。 (F) In the step of forming the conductor layer by plating on the surface of the insulating layer after the roughening treatment ((F step)), the conductor layer can be formed on the surface of the insulating layer. As a method for forming the plating, a conductor layer is formed on the insulating layer by dry plating or wet plating. As the dry plating, a known method such as vapor deposition, sputtering, or ion plating can be used. As wet plating, a method of forming a conductor layer by combining electroless plating and electrolytic plating after the roughening treatment, a method of forming a plating resist having a pattern opposite to that of the conductor layer, and forming the conductor layer only by electroless plating , Etc. As a subsequent pattern formation method, for example, a subtractive method or a semi-additive method known to those skilled in the art can be used.
樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理し、メッキして得られる導体層と該絶縁層とのピール強度は、0.5kgf/cm以上が好ましい。上限値に特に制限はないが、一般的に1.2kgf/cmとなる。 The peel strength between the insulating layer and the conductor layer obtained by thermosetting the resin sheet to form an insulating layer, roughening the surface of the insulating layer, and plating is preferably 0.5 kgf / cm or more. The upper limit is not particularly limited, but is generally 1.2 kgf / cm.
上述の一連の工程を複数回繰り返すことで、ビルドアップ層を多段に積層した多層プリント配線板となる。本発明では、誘電正接、線熱膨張係数が低いにもかかわらず、スミア除去性、メッキピール強度に優れることから、多層プリント配線板のビルドアップ層用支持体付き樹脂シートとして好適に使用することができる。 By repeating the above-described series of steps a plurality of times, a multilayer printed wiring board in which build-up layers are laminated in multiple stages is obtained. In the present invention, although it has a low dielectric loss tangent and linear thermal expansion coefficient, it is excellent in smear removability and plating peel strength, so it can be suitably used as a resin sheet with a support for a buildup layer of a multilayer printed wiring board. Can do.
<半導体装置>
本発明の方法により製造された多層プリント配線板を用いることで半導体装置を製造することができる。本発明の多層プリント配線板の導通箇所に、半導体チップを実装することにより半導体装置を製造することができる。「導通箇所」とは、「多層プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。
<Semiconductor device>
A semiconductor device can be manufactured by using the multilayer printed wiring board manufactured by the method of the present invention. A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor chip in a conductive portion of the multilayer printed wiring board of the present invention. The “conduction location” is a “location where an electrical signal is transmitted in a multilayer printed wiring board”, and the location may be a surface or an embedded location. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor.
本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、などが挙げられる。 The semiconductor chip mounting method for manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, but specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and no bumps. Examples include a mounting method using a build-up layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a mounting method using a non-conductive film (NCF).
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載中の「部」は「質量部」を意味する。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, “part” means “part by mass”.
まず、本明細書での物性評価における測定方法・評価方法について説明する。 First, measurement methods and evaluation methods in the physical property evaluation in this specification will be described.
<算術平均粗さ(Ra値)、二乗平均平方根粗さ(Rq値)、ピール強度の測定用サンプルの調製>
(1)内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.3mm、松下電工(株)製R5715ES)の両面をメック(株)製CZ8100にて1umエッチングして銅表面の粗化処理をおこなった。
<Preparation of samples for measurement of arithmetic average roughness (Ra value), root mean square roughness (Rq value), peel strength>
(1) Underlayer treatment of inner layer circuit board Both sides of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.3 mm, Matsushita Electric Works R5715ES) on which an inner layer circuit is formed The copper surface was roughened by etching 1 μm with CZ8100 manufactured by MEC Co., Ltd.
(2)支持体付き樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作成した支持体付き樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーターMVLP-500(名機(株)製商品名)を用いて、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃、圧力0.74MPaで圧着することにより行った。
(2) Lamination of resin sheet with support Using the batch type vacuum pressure laminator MVLP-500 (trade name, manufactured by Meiki Co., Ltd.) as an inner layer circuit, the resin sheets with support prepared in Examples and Comparative Examples were used. Laminated on both sides of the substrate. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressure bonding for 30 seconds at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa.
(3)樹脂組成物の硬化
ラミネートされた接着フィルムを80℃、30分続けて170℃、30分の硬化条件で樹脂組成物を硬化して絶縁層を形成した。
(3) Curing of Resin Composition The laminated adhesive film was continuously cured at 80 ° C. for 30 minutes under the curing conditions of 170 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer.
(4)ビアホール形成
日立ビアメカニクス(株)製CO2レーザー加工機(LC−2E21B/1C)を使用し、マスク径1.60mm、フォーカスオフセット値0.050、パルス幅25μs、パワー0.66W、アパーチャー13、ショット数2、バーストモードの条件で絶縁層を穴あけして、絶縁層表面におけるビアホールのトップ径(直径)が50μmのビアホールを形成した。その後、PETフィルムを剥離した。
(4) Via hole formation Using a CO 2 laser processing machine (LC-2E21B / 1C) manufactured by Hitachi Via Mechanics, mask diameter 1.60 mm, focus offset value 0.050, pulse width 25 μs, power 0.66 W, The insulating layer was drilled under the conditions of aperture 13, number of shots 2 and burst mode to form a via hole having a top diameter (diameter) of 50 μm on the surface of the insulating layer. Thereafter, the PET film was peeled off.
(5)粗化処理
絶縁層を形成した内層回路基板を、膨潤液である、アトテックジャパン(株)のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガントP(グリコールエーテル類、水酸化ナトリウムの水溶液)に60℃で10分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン(株)のコンセントレート・コンパクトP(KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で20分間浸漬、最後に中和液として、アトテックジャパン(株)のリダクションショリューシン・セキュリガントP(硫酸の水溶液)に40℃で5分間浸漬し、その後80℃で30分で乾燥した。この基板を評価基板Aとした。
(5) Roughening treatment The inner layer circuit board on which the insulating layer is formed is a swelling liquid, diethylene glycol monobutyl ether-containing swelling dip securigant P (glycol ethers, aqueous solution of sodium hydroxide) of Atotech Japan Co., Ltd. Immerse at 60 ° C for 10 minutes, and then as a roughening solution, immerse in Atotech Japan's Concentrate Compact P (KMnO4: 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) at 80 ° C for 20 minutes. As a neutralizing solution, it was immersed in Atotech Japan Co., Ltd. Reduction Sholyshin Securigant P (aqueous solution of sulfuric acid) at 40 ° C. for 5 minutes, and then dried at 80 ° C. for 30 minutes. This substrate was designated as evaluation substrate A.
(6)セミアディティブ工法によるメッキ
評価基板Aを、PdCl2を含む無電解メッキ用溶液に40℃で5分間浸漬し、次に無電解銅メッキ液に25℃で20分間浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、30μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を200℃にて60分間行った。この基板を評価基板Bとした。
(6) Plating by semi-additive method Evaluation board A was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 at 40 ° C. for 5 minutes, and then immersed in an electroless copper plating solution at 25 ° C. for 20 minutes. After annealing for 30 minutes at 150 ° C., an etching resist was formed. After pattern formation by etching, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a conductor layer with a thickness of 30 μm. Next, annealing was performed at 200 ° C. for 60 minutes. This substrate was designated as evaluation substrate B.
<算術平均粗さ(Ra値)、二乗平均平方根粗さ(Rq値)の測定及び評価>
評価基板Aを、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製WYKO NT3300)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして得られる数値によりRa値、Rq値を求めた。それぞれ、無作為に選んだ10点の平均値を求めることにより測定した。評価は以下の通りである。
○:Ra値が150nm以下
×:Ra値が150nmより大きい
○:Rq値が220nm以下
×:Rq値が220nmより大きい
<Measurement and Evaluation of Arithmetic Average Roughness (Ra Value) and Root Mean Square Roughness (Rq Value)>
Using a non-contact type surface roughness meter (WYKO NT3300, manufactured by Bee Coins Instruments Co., Ltd.), Ra value and Rq value are obtained from numerical values obtained with a measurement range of 121 μm × 92 μm using a 50 × lens. It was. Each was measured by determining the average value of 10 points selected at random. The evaluation is as follows.
○: Ra value is 150 nm or less ×: Ra value is greater than 150 nm ○: Rq value is 220 nm or less ×: Rq value is greater than 220 nm
<メッキ導体層の引き剥がし強さ(ピール強度)の測定及び評価>
評価基板Bの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具(株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機 AC−50C−SL)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。評価は以下の通りである。
○:ピール強度が0.5kgf/cm以上
×:ピール強度が0.5kgf/cm未満
<Measurement and Evaluation of Peeling Strength (Peel Strength) of Plating Conductor Layer>
Cut the 10mm width and 100mm length into the conductor layer of the evaluation board B, peel off one end and grasp it with a gripping tool (TSE Co., Ltd., Autocom type testing machine AC-50C-SL). The load (kgf / cm) when 35 mm was peeled off in the vertical direction at a speed of 50 mm / min at room temperature was measured. The evaluation is as follows.
○: Peel strength is 0.5 kgf / cm or more ×: Peel strength is less than 0.5 kgf / cm
<ビアホール底部のスミア除去性の評価>
ビアホール底部の周囲を走査電子顕微鏡(SEM)にて観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。評価は以下の通りである。
○:最大スミア長が3μm未満
×:最大スミア長が3μm以上
<Evaluation of smear removability at the bottom of via hole>
The periphery of the via hole bottom was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the maximum smear length from the wall surface of the via hole bottom was measured from the obtained image. The evaluation is as follows.
○: Maximum smear length is less than 3 μm ×: Maximum smear length is 3 μm or more
<線熱膨張係数の測定及び評価>
実施例及び比較例において得られた支持体付き樹脂シートを200℃で90分間加熱することで熱硬化させ、PETフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。その硬化物を、幅約5mm、長さ約15mmの試験片に切断し、熱機械分析装置Thermo Plus TMA8310((株)リガク製)を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。2回目の測定における25℃から150℃までの平均線熱膨張係数(ppm)を算出した。評価は以下の通りである。
○:平均線熱膨張係数が20ppm未満
△:平均線熱膨張係数が20ppm以上25ppm以下
×:平均線熱膨張係数が25ppmより大きい
<Measurement and evaluation of linear thermal expansion coefficient>
The resin sheet with a support obtained in Examples and Comparative Examples was thermally cured by heating at 200 ° C. for 90 minutes, and a sheet-like cured product was obtained by peeling the PET film. The cured product was cut into a test piece having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm, and thermomechanical analysis was performed by a tensile load method using a thermomechanical analyzer Thermo Plus TMA8310 (manufactured by Rigaku Corporation). After mounting the test piece on the apparatus, the test piece was measured twice continuously under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. The average linear thermal expansion coefficient (ppm) from 25 ° C. to 150 ° C. in the second measurement was calculated. The evaluation is as follows.
○: Average linear thermal expansion coefficient is less than 20 ppm Δ: Average linear thermal expansion coefficient is 20 ppm or more and 25 ppm or less
X: Average linear thermal expansion coefficient is larger than 25 ppm
<誘電正接の測定及び評価>
実施例及び比較例において得られた支持体付き樹脂シートを200℃で90分間加熱することで熱硬化させ、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。その硬化物を長さ80mm、幅2mmに切り出し評価サンプルとした。この評価サンプルについてアジレントテクノロジーズ(Agilent Technologies)社製HP8362B装置を用い空洞共振摂動法により測定周波数5.8GHz、測定温度23℃にて誘電正接を測定した。2本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。評価は以下の通りである。
○:誘電正接が0.0065以下
×:誘電正接が0.0065より大きい
<Measurement and evaluation of dielectric loss tangent>
The resin sheet with a support obtained in Examples and Comparative Examples was cured by heating at 200 ° C. for 90 minutes, and the support was peeled to obtain a sheet-like cured product. The cured product was cut into a length of 80 mm and a width of 2 mm and used as an evaluation sample. The dielectric loss tangent of this evaluation sample was measured at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 ° C. by a cavity resonance perturbation method using an HP 8362B apparatus manufactured by Agilent Technologies. Two test pieces were measured, and the average value was calculated. The evaluation is as follows.
○: Dissipation factor is 0.0065 or less ×: Dissipation factor is greater than 0.0065
<樹脂ワニス1の調整>
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、結晶性2官能エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ30部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性基当量約223の不揮発分65質量%のトルエン溶液)40部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)7部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド、平均粒径2μm)2部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)160部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を作製した。活性エステル化合物は12質量%であった。
<Adjustment of resin varnish 1>
5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type), crystalline bifunctional epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) , Epoxy equivalent of about 185), 10 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), phenoxy resin (“YL7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, MEK solution having a solid content of 30% by mass) 10 parts were dissolved by heating in 30 parts of solvent naphtha with stirring. After cooling to room temperature, 40 parts of an active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, a toluene solution having a nonvolatile content of 65% by mass with an active group equivalent of about 223), a curing accelerator (4-dimethylamino) 7 parts of pyridine, MEK solution having a solid content of 2% by mass, flame retardant (“HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd.), 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phos 2 parts of faphenanthrene-10-oxide (average particle size 2 μm), spherical silica (average particle size 0.5 μm) surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) , “SOC2” manufactured by Admatechs Co., Ltd., 160 parts of carbon per unit area 0.39 mg / m 2 , were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish 1. The active ester compound was 12% by mass.
<樹脂ワニス2の調整>
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、結晶性2官能エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ30部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性基当量約223の不揮発分65質量%のトルエン溶液)20部、ナフトール系硬化剤(水酸基当量215、新日鐵化学(株)製「SN−485」)の固形分60%のMEK溶液12部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)4部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド、平均粒径2μm)2部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)150部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス2を作製した。活性エステル化合物は6.5質量%であった。
<Adjustment of resin varnish 2>
5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type), crystalline bifunctional epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) , Epoxy equivalent of about 185), 10 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), phenoxy resin (“YL7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, MEK solution having a solid content of 30% by mass) 10 parts were dissolved by heating in 30 parts of solvent naphtha with stirring. After cooling to room temperature, 20 parts of an active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, a toluene solution having a nonvolatile content of 65% by mass with an active group equivalent of about 223), a naphthol-based curing agent (hydroxyl group equivalent of 215) 12 parts of MEK solution with a solid content of 60%, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 4 parts of curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, MEK solution with a solid content of 2% by mass), flame retardant (“Sanko Co., Ltd.“ HCA-HQ ”, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle size 2 μm) 2 parts , Spherical silica (average particle size 0.5 μm, Admatex Co., Ltd. “SOC2”, carbon per unit area, surface-treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Quantity 0. The resin varnish 2 was prepared by mixing 150 parts of 39 mg / m 2 ) and uniformly dispersing with a high-speed rotary mixer. The active ester compound was 6.5% by mass.
<樹脂ワニス3の調整>
ビスフェノール型エポキシ樹脂(新日鐵化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型とビスフェノールF型の1:1混合品)5部、結晶性2官能エポキシ樹脂(三菱化学(株)製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)10部、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製「NC3000H」)10部、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK溶液)10部を、ソルベントナフサ30部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、活性エステル化合物(DIC(株)製「HPC8000−65T」、活性基当量約223の不揮発分65質量%のトルエン溶液)10部、トリアジン含有フェノール系硬化剤(水酸基当量146、DIC(株)製「LA−1356」)の固形分60%のMEK溶液10部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン、固形分2質量%のMEK溶液)3部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド、平均粒径2μm)2部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、(株)アドマテックス製「SOC2」、単位面積当たりのカーボン量0.39mg/m2)140部、を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を作製した。活性エステル化合物は3.6質量%であった。
<Adjustment of resin varnish 3>
5 parts of bisphenol type epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., 1: 1 mixture of bisphenol A type and bisphenol F type), crystalline bifunctional epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) , Epoxy equivalent of about 185), 10 parts of biphenyl type epoxy resin (“NC3000H” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), phenoxy resin (“YL7553BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, MEK solution having a solid content of 30% by mass) 10 parts were dissolved by heating in 30 parts of solvent naphtha with stirring. After cooling to room temperature, 10 parts of an active ester compound (“HPC8000-65T” manufactured by DIC Corporation, a toluene solution having a nonvolatile content of 65% by mass with an active group equivalent of about 223), a triazine-containing phenolic curing agent (hydroxyl group) Equivalent 146, 10 parts of MEK solution with 60% solid content of “LA-1356” manufactured by DIC Corporation), 3 parts of curing accelerator (4-dimethylaminopyridine, 2% by weight MEK solution with solid content), flame retardant ( “HCA-HQ” manufactured by Sanko Co., Ltd., 2 parts of 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, average particle size 2 μm), Spherical silica surface treated with a phenylaminosilane coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (average particle size 0.5 μm, “SOC2” manufactured by Admatechs Co., Ltd.) -Bon amount 0.39 mg / m 2 ) 140 parts were mixed and dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish 3. The active ester compound was 3.6% by mass.
<実施例1>
(支持体付き樹脂シート1の作製)
ETFE処理した離型PET(三菱樹脂(株)製「フルオロージュRL50KSE」、厚み50μm)の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層厚みが15μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニス1を塗布し、100℃で1分間乾燥させた。さらに、その樹脂組成物層上に乾燥後の樹脂組成物層の総厚みが30μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニス3を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で4分間乾燥させて、樹脂面に厚さ15μmのポリプロピレンカバーフィルム(王子特殊紙(株)製「アルファンMA−411」)の平滑面側を貼り合わせ、離型PET/樹脂組成物層1/樹脂組成物層3/カバーフィルムという構成の支持体付き樹脂シートを得た。
<Example 1>
(Preparation of resin sheet 1 with support)
Resin varnish 1 is applied with a die coater on the release surface of ETFE-treated release PET ("Fluoroge RL50KSE" manufactured by Mitsubishi Plastics Co., Ltd., thickness 50 μm) so that the resin composition layer thickness after drying is 15 μm. And dried at 100 ° C. for 1 minute. Furthermore, the resin varnish 3 is applied on the resin composition layer with a die coater so that the total thickness of the resin composition layer after drying is 30 μm, and dried at 80 to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 4 minutes. Then, the smooth surface side of a 15 μm thick polypropylene cover film (“Alphan MA-411” manufactured by Oji Specialty Paper Co., Ltd.) is bonded to the resin surface, and the release PET / resin composition layer 1 / resin composition layer 3 / A resin sheet with a support having a structure of a cover film was obtained.
<実施例2>
(支持体付き樹脂シート2の作製)
実施例1と同様にして、離型PET/樹脂組成物層2/樹脂組成物層3/カバーフィルムという構成の支持体付き樹脂シートを得た。
<Example 2>
(Preparation of resin sheet 2 with support)
In the same manner as in Example 1, a resin sheet with a support having a structure of release PET / resin composition layer 2 / resin composition layer 3 / cover film was obtained.
<比較例1>
(支持体付き樹脂シート3の作製)
離型PET上に、乾燥後の樹脂組成物層厚みが30μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニス1を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させたこと以外は、実施例1と同様にして、離型PET/樹脂組成物層1/カバーフィルムという構成の支持体付き樹脂シートを得た。
<Comparative Example 1>
(Preparation of resin sheet 3 with support)
Except that the resin varnish 1 was applied with a die coater on the release PET so that the resin composition layer thickness after drying was 30 μm and dried at 80 to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 5 minutes, In the same manner as in Example 1, a resin sheet with a support having a structure of release PET / resin composition layer 1 / cover film was obtained.
<比較例2>
(支持体付き樹脂シート4の作製)
離型PET上に、乾燥後の樹脂組成物層厚みが30μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニス2を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させたこと以外は、実施例1と同様にして、離型PET/樹脂組成物層2/カバーフィルムという構成の支持体付き樹脂シートを得た。
<Comparative example 2>
(Preparation of resin sheet 4 with support)
Except that the resin varnish 2 was applied with a die coater so that the resin composition layer thickness after drying was 30 μm on the release PET and dried at 80 to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 5 minutes, In the same manner as in Example 1, a resin sheet with a support having a structure of release PET / resin composition layer 2 / cover film was obtained.
<比較例3>
(支持体付き樹脂シート5の作製)
離型PET上に、乾燥後の樹脂組成物層厚みが30μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニス3を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で5分間乾燥させたこと以外は、実施例1と同様にして、離型PET/樹脂組成物層3/カバーフィルムという構成の支持体付き樹脂シートを得た。
<Comparative Example 3>
(Preparation of resin sheet 5 with support)
Except that the resin varnish 3 was applied with a die coater so that the resin composition layer thickness after drying was 30 μm on the release PET and dried at 80 to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 5 minutes, In the same manner as in Example 1, a resin sheet with a support having a structure of release PET / resin composition layer 3 / cover film was obtained.
評価結果を表1に示す。 The evaluation results are shown in Table 1.
表1の結果から明らかなように、実施例1〜2の支持体付き樹脂シートは優れた特性を示している。一方、比較例1及び2ではスミア除去性が悪かった。比較例3では表面粗さが大きく、ピール強度も低い上に、誘電正接も大きくなってしまった。 As is clear from the results in Table 1, the resin sheets with supports of Examples 1 and 2 have excellent characteristics. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the smear removability was poor. In Comparative Example 3, the surface roughness was large, the peel strength was low, and the dielectric loss tangent was also large.
本発明において、誘電正接、線熱膨張係数が低いにもかかわらず、スミア除去性、メッキピール強度に優れた支持体付き樹脂シートを提供できるようになった。更にそれを用いた多層プリント配線板、半導体装置を提供できるようになった。更にこれらを搭載した、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ、テレビ、等の電気製品や、自動二輪車、自動車、電車、船舶、航空機、等の乗物も提供できるようになった。 In the present invention, it has become possible to provide a resin sheet with a support excellent in smear removability and plating peel strength despite having a low dielectric loss tangent and linear thermal expansion coefficient. Furthermore, a multilayer printed wiring board and a semiconductor device using the same can be provided. Furthermore, electric products such as computers, mobile phones, digital cameras, and televisions, and vehicles such as motorcycles, automobiles, trains, ships, and airplanes equipped with these can be provided.
Claims (13)
前記支持体上に形成された、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する第1層であって、前記第1層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%〜30質量%である第1層と、
前記第1層上に形成された、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び無機充填材を含有する第2層であって、前記第2層中の不揮発成分を100質量%とした場合、活性エステル化合物が5質量%以下である第2層と、
を有することを特徴とする支持体付き樹脂シート。 A support;
When the first layer is formed on the support and contains an epoxy resin, an active ester compound, and an inorganic filler, and the nonvolatile component in the first layer is 100% by mass, the active ester compound is 5 %. A first layer of from 30% to 30% by weight ;
A second layer containing an epoxy resin, an active ester compound and an inorganic filler formed on the first layer, wherein the active ester compound is 100% by mass when the nonvolatile component in the second layer is 100% by mass. A second layer that is 5% by weight or less;
A resin sheet with a support, comprising:
(B)支持体付き樹脂シートを熱硬化して絶縁層を形成する工程、
(C)絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する工程、
(D)支持体を剥離する工程、
(E)絶縁層表面を粗化処理する工程、
(F)粗化処理後の絶縁層表面にメッキして導体層を形成する工程、
を含有する多層プリント配線板の製造方法であって、
前記(C)絶縁層に穴あけ加工してビアホールを形成する工程において、絶縁層のビアホールのトップ径(直径)が65μm以下であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 (A) A step of laminating the resin sheet with a support according to any one of claims 1 to 12 on one side or both sides of an inner circuit board,
(B) a step of thermosetting the support-attached resin sheet to form an insulating layer;
(C) forming a via hole by drilling in the insulating layer;
(D) a step of peeling the support,
(E) a step of roughening the surface of the insulating layer;
(F) a step of plating the surface of the insulating layer after the roughening treatment to form a conductor layer;
A method for producing a multilayer printed wiring board containing
(C) In the step of forming a via hole by drilling a hole in the insulating layer, the top diameter (diameter) of the via hole in the insulating layer is 65 μm or less.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012151151A JP6011079B2 (en) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | Resin sheet with support |
TW102121946A TWI616333B (en) | 2012-07-05 | 2013-06-20 | Resin sheet with support |
KR1020130076868A KR102088628B1 (en) | 2012-07-05 | 2013-07-02 | Resin sheet attached with support |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012151151A JP6011079B2 (en) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | Resin sheet with support |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014013854A JP2014013854A (en) | 2014-01-23 |
JP6011079B2 true JP6011079B2 (en) | 2016-10-19 |
Family
ID=50109364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012151151A Active JP6011079B2 (en) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | Resin sheet with support |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6011079B2 (en) |
KR (1) | KR102088628B1 (en) |
TW (1) | TWI616333B (en) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6098988B2 (en) * | 2012-09-28 | 2017-03-22 | 味の素株式会社 | Support-containing prepolymer sheet |
JP6164113B2 (en) * | 2014-02-19 | 2017-07-19 | 味の素株式会社 | Resin sheet with support |
JP6413654B2 (en) * | 2014-11-04 | 2018-10-31 | 味の素株式会社 | Circuit board and manufacturing method thereof |
KR102414820B1 (en) * | 2015-01-21 | 2022-07-01 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Method for producing resin sheet |
JP6413831B2 (en) * | 2015-02-24 | 2018-10-31 | 味の素株式会社 | Circuit board and manufacturing method thereof |
JP2016219478A (en) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | イビデン株式会社 | Wiring board and manufacturing method therefor |
JP6623632B2 (en) * | 2015-09-11 | 2019-12-25 | 日立化成株式会社 | Insulating resin film and multilayer printed wiring board |
CN105357872A (en) * | 2015-10-22 | 2016-02-24 | 重庆方正高密电子有限公司 | Detection method for glue residue on hole wall of PCB |
JP6728760B2 (en) * | 2016-02-25 | 2020-07-22 | 味の素株式会社 | Resin sheet with support |
JP6627575B2 (en) * | 2016-03-02 | 2020-01-08 | 味の素株式会社 | Resin sheet with support |
JP6676593B2 (en) * | 2017-09-08 | 2020-04-08 | リンテック株式会社 | Resin sheet and semiconductor device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008090835A1 (en) * | 2007-01-23 | 2010-05-20 | 味の素株式会社 | Manufacturing method of multilayer printed wiring board |
JP4922207B2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-04-25 | 積水化学工業株式会社 | Manufacturing method of multilayer insulating film and multilayer printed wiring board |
JP5181769B2 (en) * | 2008-03-26 | 2013-04-10 | Dic株式会社 | Epoxy resin composition and cured product thereof |
JP2010267712A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Sekisui Chem Co Ltd | Method of manufacturing multilayer circuit board |
JP5249903B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-07-31 | 味の素株式会社 | Resin composition |
JP5408046B2 (en) * | 2010-06-10 | 2014-02-05 | 味の素株式会社 | Resin composition |
-
2012
- 2012-07-05 JP JP2012151151A patent/JP6011079B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-20 TW TW102121946A patent/TWI616333B/en active
- 2013-07-02 KR KR1020130076868A patent/KR102088628B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201414606A (en) | 2014-04-16 |
KR20140005782A (en) | 2014-01-15 |
KR102088628B1 (en) | 2020-03-16 |
JP2014013854A (en) | 2014-01-23 |
TWI616333B (en) | 2018-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150529 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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