JP6003994B2 - 振動装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図14及び図15は、上述した第1の実施形態の振動装置1の変形例に係る振動装置70を説明するための図である。図14は本変形例に係る振動装置70の模式的平面図であり、図15は図14中のX−X線に沿う部分の断面図である。本変形例の振動装置70では、以下に述べるマイクロローディング効果抑制パターン71,71が設けられている点と、n型Si層の上面及び下面にSiO2膜が設けられていない点と、シード層である圧電薄膜が設けられていな点、Si基板の下面にSiO2膜が設けられていない点とが第1の実施形態の振動装置1と異なっており、その他の構造は同じである。
2…支持部
3a,3b,3c…振動腕
4…質量付加部
5,6…側枠
11…n型Si層
12,13,13A…SiO2膜
14…励振部
15…圧電薄膜
15a,15b…圧電薄膜
16…第1の電極
17…第2の電極
18…質量付加膜
21…Si基板
21a…凹部
22…SiO2膜
41…振動装置
42…支持部
43a,43b…振動腕
43c…貫通孔
44…質量付加部
45…質量付加膜
51…n型Si層
52…第1の電極
53…圧電薄膜
54…第2の電極
55…励振部
70…振動装置
71…マイクロローディング効果抑制パターン
Claims (6)
- 支持部と、
前記支持部に接続されており、片持ちで支持されている複数本の振動腕とを備え、
前記振動腕が、5×1019/cm3以上のドーピング濃度を有し、縮退半導体からなるn型Si層と、前記n型Si層上に設けられた励振部とを有し、
前記振動腕と前記n型Si層の[100]結晶軸またはこれと等価な結晶軸とのなす回転角が、0〜15度または75〜90度の範囲内にあり、該励振部が、圧電薄膜と、圧電薄膜を挟むように設けられた第1,第2の電極とを有し、前記励振部により前記振動腕を面外屈曲振動の基本波で振動させる、振動装置。 - 前記複数本の振動腕が、3以上の奇数本の振動腕である、請求項1に記載の振動装置。
- 前記振動腕の前記支持部に接続されている側とは反対側の端部に質量付加部が設けられている、請求項1または2に記載の振動装置。
- 前記n型Si層と、前記励振部との間に酸化シリコン膜が配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の振動装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の振動装置の製造方法であって、
支持部に接続されているn型Si層を用意する工程と、
前記n型Si層上に、第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に圧電薄膜を形成する工程と、
前記圧電薄膜上に第2の電極を構成する工程とを備える、振動装置の製造方法。 - 前記支持部にn型Si層が接続されている構造を用意する工程が、
1つの面に凹部を有し、Siからなる支持基板を用意する工程と、
前記支持基板の前記凹部を覆うようにn型Si層を積層する工程とを有する、請求項5に記載の振動装置の製造方法。
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