JP6003700B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6003700B2 JP6003700B2 JP2013023495A JP2013023495A JP6003700B2 JP 6003700 B2 JP6003700 B2 JP 6003700B2 JP 2013023495 A JP2013023495 A JP 2013023495A JP 2013023495 A JP2013023495 A JP 2013023495A JP 6003700 B2 JP6003700 B2 JP 6003700B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive member
- electrophotographic photosensitive
- image forming
- forming apparatus
- undercoat layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
電子写真感光体に関して、繰り返し使用における電子写真特性の安定性を確保する観点から、導電性基体上に少なくとも下引層と感光層を有し、下引層が金属酸化物微粒子と該金属酸化物微粒子と反応可能な基を有するアクセプター性化合物とを含有するものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）
また、特許文献２には、「少なくとも、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、を備え、前記下引層が金属酸化物粒子を含有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が１０ｍＨｚ以上１５０ｍＨｚ以下の周波数の範囲内にある電子写真感光体」が提案されている。
また、特許文献３には、「少なくとも、導電性基体と、下引層と、電荷発生層と、を備え、前記下引層が金属酸化物粒子を含有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．３Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下の周波数の範囲内にある、直流電圧のみが印加される接触帯電方式の帯電装置を有する画像形成装置に用いる電子写真感光体」が提案されている。
本発明は、直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加する接触帯電方式の帯電装置（以下「直流・交流接触帯電装置」と称する）を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つ前画像の履歴が残る残像現象（以下「ゴースト」と称する）を抑制する画像形成装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、以下の発明が提供される。
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にある電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体を露光して、該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記静電潜像を現像剤によりトナー像に現像する現像装置と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写装置と、
を有する画像形成装置。
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にある電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体を露光して、該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記静電潜像を現像剤によりトナー像に現像する現像装置と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写装置と、
を有する画像形成装置。
請求項２に係る発明は、
前記インピーダンスの位相差θの極大点が、０．１７Ｈｚ以上０．２Ｈｚ以下の周波数の範囲内にある請求項１に記載の画像形成装置。
前記インピーダンスの位相差θの極大点が、０．１７Ｈｚ以上０．２Ｈｚ以下の周波数の範囲内にある請求項１に記載の画像形成装置。
請求項３に係る発明は、
前記静電潜像形成装置以外に、前記電子写真感光体を露光する光源を有しない請求項１又は２に記載の画像形成装置。
前記静電潜像形成装置以外に、前記電子写真感光体を露光する光源を有しない請求項１又は２に記載の画像形成装置。
請求項４に係る発明は、
前記電子受容性物質が、アントラキノンを基本骨格とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記電子受容性物質が、アントラキノンを基本骨格とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
請求項５に係る発明は、
前記電子受容性物質が、水酸基及びエトキシ基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記電子受容性物質が、水酸基及びエトキシ基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
請求項６に係る発明は、
前記電子受容性物質が、水酸基及び一つのエトキシ基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記電子受容性物質が、水酸基及び一つのエトキシ基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
請求項７に係る発明は、
前記金属酸化物粒子が、下記一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤で表面処理されてなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記金属酸化物粒子が、下記一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤で表面処理されてなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
（一般式（Ｓ）中、Ｒ１は、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ２は、水素原子、フェニル基、又は末端にアミノ基を有するアルキル基を表す。）
請求項８に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にある電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して前記電子写真感光体を帯電する帯電装置と、
を有し、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にある電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して前記電子写真感光体を帯電する帯電装置と、
を有し、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
請求項９に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、
前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にあり、
電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置を有する画像形成装置に用いる電子写真感光体。
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、
前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にあり、
電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置を有する画像形成装置に用いる電子写真感光体。
請求項１に係る発明によれば、電子写真感光体に下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲外である場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項２に係る発明によれば、電子写真感光体に下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．２Ｈｚ以下の周波数の範囲外である場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位上昇の抑制を実現する画像形成装置が提供される。
請求項３に係る発明によれば、電子写真感光体に下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲外である場合に比べ、静電潜像形成装置以外に、電子写真感光体を露光する光源を有しない画像形成装置であっても、ゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項２に係る発明によれば、電子写真感光体に下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．２Ｈｚ以下の周波数の範囲外である場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位上昇の抑制を実現する画像形成装置が提供される。
請求項３に係る発明によれば、電子写真感光体に下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲外である場合に比べ、静電潜像形成装置以外に、電子写真感光体を露光する光源を有しない画像形成装置であっても、ゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項４に係る発明によれば、電子受容性物質として、アントラキノン以外を基本骨格とする物質を適用した場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項５、又は６に係る発明によれば、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質として、水酸基及びアルコキシ基を有さない物資を適用した場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項７に係る発明によれば、金属酸化物粒子が下記一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤以外で表面処理されてなる場合に比べ、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項５、又は６に係る発明によれば、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質として、水酸基及びアルコキシ基を有さない物資を適用した場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置において、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項７に係る発明によれば、金属酸化物粒子が下記一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤以外で表面処理されてなる場合に比べ、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストを抑制する画像形成装置が提供される。
請求項８に係る発明によれば、電子写真感光体に下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲外である場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備えるプロセスカートリッジにおいて、電子写真感光体の残留電位上昇の抑制を実現するプロセスカートリッジが提供される。
請求項９に係る発明によれば、下引層のインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲外である場合に比べ、直流・交流接触帯電装置を備える画像形成装置に用いたとき、残留電位上昇の抑制を実現する電子写真感光体が提供される。
以下、実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は適宜省略する。
＜電子写真感光体＞
本実施形態の電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、金属酸化物粒子及び電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有する。
そして、下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点を０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内とする。
なお、本実施形態の電子写真感光体は、直流・交流接触帯電装置（電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置）を備える画像形成装置に用いられる。
本実施形態の電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、金属酸化物粒子及び電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有する。
そして、下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点を０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内とする。
なお、本実施形態の電子写真感光体は、直流・交流接触帯電装置（電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置）を備える画像形成装置に用いられる。
ここで、電子写真感光体の帯電方式としては、コロトロン等を用いた非接触型方式のほかに、帯電ロールやブラシを用いた接触型帯電方式がある。接触帯電方式は環境面で優れる方式であるため採用されつつあるが、非接触帯電方式と比較して残留電位が上昇しやすことが知られている。また、接触帯電方式のなかでも、直流電圧に交流電圧を重畳した電圧を印加する帯電方式の場合、直流電圧のみを印加する帯電方式の場合より、残留電位の上昇が増大することが明らかとなってきている。また、ゴースト（前画像の履歴が残る残像現象）も発生し易くなることも明らかとなってきている。
残留電位の上昇が起こると、例えば、濃度異常や画像へのカブリといった画質欠陥の原因となる。この原因は明らかではないが、異常放電が生じやすくなること等に起因するものと考えられる。また、ゴーストの発生の原因も明らかではないが、感光体中に残存してしまうキャリア等に起因するものと考えられる。
これら現象を検討した結果、下引層におけるインピーダンスの位相差θの極大点が特定の周波数の範囲内にあるときに、直流・交流接触帯電装置を有する画像形成装置に用いても、残留電位の上昇及びゴーストが共に抑制されることが明らかとなった。
なお、直流・交流接触帯電装置が、電子写真感光体と接触する特定の領域をその接触時に、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して帯電させる方式であるため、下引層の帯電の応答性を適切な範囲に調整することが、残留電位上昇及びゴーストを共に抑制するのに効果的であることがわかり、本実施形態の電子写真感光体に至った。
なお、直流・交流接触帯電装置が、電子写真感光体と接触する特定の領域をその接触時に、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して帯電させる方式であるため、下引層の帯電の応答性を適切な範囲に調整することが、残留電位上昇及びゴーストを共に抑制するのに効果的であることがわかり、本実施形態の電子写真感光体に至った。
このように、本実施形態の電子写真感光体は、下引層におけるインピーダンスの位相差θの極大点を特定の周波数の範囲内と適切に調整することで、電子写真感光体の残留電位の上昇の抑制を実現し、且つゴーストが抑制される。なお、当該極大点を０．３Ｈｚ未満の周波数にすることで、帯電の応答性が高すぎることによる画像ムラの発生が抑制され易くなる。
特に、帯電ローラを用いた直流・交流接触帯電装置を備えた画像形成装置の場合、一般的には残留電位の上昇が発生し易いが、本実施形態の電子写真感光体を適用すると、これが改善される。
また、静電潜像形成装置以外に、電子写真感光体を露光する光源（例えば除電装置）を有しない画像形成装置では、ゴーストが発生し易いが、本実施形態の電子写真感光体を適用すると、これが改善される。
また、静電潜像形成装置以外に、電子写真感光体を露光する光源（例えば除電装置）を有しない画像形成装置では、ゴーストが発生し易いが、本実施形態の電子写真感光体を適用すると、これが改善される。
本実施形態の電子写真感光体において、残留電位上昇の抑制かつゴーストの更なる抑制の観点から、インピーダンスの位相差θの極大点は、０．１５Ｈｚ以上０．２Ｈｚ以下であることが望ましい。
ここで、下引層におけるインピーダンスの位相差θの極大点の測定方法について説明する。
インピーダンスの測定には、電源、電流計としてＳＩ １２８７ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ （東陽テクニカ製）、電流アンプとして１２９６ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ製）を用いる。
インピーダンスの測定には、電源、電流計としてＳＩ １２８７ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ （東陽テクニカ製）、電流アンプとして１２９６ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ製）を用いる。
まず、後述の下引層用塗布液にアルミパイプを浸漬して塗布した後、電子写真感光体において下引層を形成するときと同じ条件で乾燥を行い、電子写真感光体に付与する下引層と同じ厚さの下引層単層膜を形成する。例えば、１７０℃２４分で乾燥硬化した膜厚１５μｍの下引層を有する電子写真感光体を作製したときには、インピーダンスの測定試料用の下引層単層膜も、１７０℃、２４分で乾燥硬化して、膜厚１５μｍとする。この下引層単層膜について、対向電極として１００ｎｍの金電極を真空蒸着法により蒸着し、測定試料を作製する。
作製した測定試料のアルミパイプを陰極、金電極を陽極として、温度２０℃、湿度５０ＲＨ％の環境下で、１Ｖｐ−ｐの交流電圧を周波数１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲で高周波側から印加して、インピーダンスを測定する。
インピーダンスは印加電圧に対する応答電流の振幅比と印加電圧と応答電流の位相差の２つのパラメータで表現され、印加電圧の周波数に対する印加電圧−応答電流間の位相差をプロットし、位相差θが極大になる周波数を求める。
本実施形態の電子写真感光体において、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ以下の周波数の範囲内にある下引層は、電荷を捕捉する物質の添加を低減したり、硬化条件を変えたりして、電荷が移動し易いように設計することで達成される。なお、硬化における加熱温度や加熱時間などによっては電荷を捕捉する物質の捕捉能が低下する場合があり複合的な要因を勘案する必要があるため、下引層の成分や温度条件などで個別に規定するのではなく、インピーダンスの位相差θの極大点を示す周波数の範囲として総合的に規定することが肝要である。具体的な下引層の調整方法については、後述する。
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本実施形態の電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図２は本実施形態の電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
図１は、本実施形態の電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図２は本実施形態の電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
図１に示す電子写真感光体７Ａでは、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、及び電荷輸送層３が順次形成された構造を有するものである。図２に示す電子写真感光体７Ｂは、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、及び電荷発生層２が順次形成された構造を有するものである。
そして、上記図１及び図２に示す電子写真感光体７Ａ及び７Ｂにおいて、下引層１が上記規定の構成となっている。
なお、図１及び２に示す電子写真感光体は、感光層として、電荷発生層及び電荷輸送層を有する機能分離型の電子写真感光体の例を示している。
なお、図１及び２に示す電子写真感光体は、感光層として、電荷発生層及び電荷輸送層を有する機能分離型の電子写真感光体の例を示している。
以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。なお、以下、符号を省略して説明する。
［導電性基体］
導電性基体について説明する。なお、「導電性」とは、例えば体積抵抗率が１０１３Ω・ｃｍ以下を意味する。
導電性基体としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、薄膜（例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、およびアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の膜）を設けた樹脂フィルム等、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙、導電性付与剤を塗布又は含浸させた樹脂フィルム等が挙げられる。導電性基体の形状は円筒状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。
導電性基体について説明する。なお、「導電性」とは、例えば体積抵抗率が１０１３Ω・ｃｍ以下を意味する。
導電性基体としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、薄膜（例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、およびアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の膜）を設けた樹脂フィルム等、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙、導電性付与剤を塗布又は含浸させた樹脂フィルム等が挙げられる。導電性基体の形状は円筒状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。
導電性基体として金属パイプを用いる場合、表面は素管のままであってもよいし、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、湿式ホーニングなどの処理が行われていてもよい。
［下引層］
次に、下引層について説明する。
下引層１は、結着樹脂、金属酸化物粒子及び電子受容性物質を含む。
次に、下引層について説明する。
下引層１は、結着樹脂、金属酸化物粒子及び電子受容性物質を含む。
−結着樹脂−
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、不飽和ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子樹脂化合物が挙げられる。また、結着樹脂としては、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、ポリアニリン等の導電性樹脂等も挙げられる。
これらの中でも、結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が望ましく、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、不飽和ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子樹脂化合物が挙げられる。また、結着樹脂としては、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、ポリアニリン等の導電性樹脂等も挙げられる。
これらの中でも、結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が望ましく、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
−金属酸化物粒子−
金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物粒子が挙げられ、酸化亜鉛、酸化チタンを用いることが望ましい。金属酸化物粒子は単種の使用であっても、２種以上の併用であってもよい。
金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物粒子が挙げられ、酸化亜鉛、酸化チタンを用いることが望ましい。金属酸化物粒子は単種の使用であっても、２種以上の併用であってもよい。
金属酸化物粒子の平均粒子径は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましく、６０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより望ましく、７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが更に望ましい。金属酸化物粒子の上記範囲内の平均粒子径を有する金属酸化物粒子は、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点を０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ以下の周波数の範囲内にする点から望ましい。
なお、一般に、金属酸化物粒子の添加量を変えずに平均粒子径を大きくすると、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は、高周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点を鑑みて、用いる金属酸化物粒子の平均粒子径を選択することが望ましい。
なお、一般に、金属酸化物粒子の添加量を変えずに平均粒子径を大きくすると、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は、高周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点を鑑みて、用いる金属酸化物粒子の平均粒子径を選択することが望ましい。
金属酸化物粒子の平均粒子径は、レーザ回析式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００：堀場製作所製）を用いて測定を行う。測定法としては、分散液となっている状態の試料を固形分で２ｇになるよう調整し、これにイオン交換水を添加して４０ｍｌにし、これをセルに適当な濃度になるまで投入し、２分待ったところで測定を行う。得られたチャンネルごとの体積平均粒径を小さい方から累積し、累積５０％になったところを平均粒子径（つまり体積平均粒子径）とする。
金属酸化物粒子の含有量は、３０質量％以上９０質量％以下であることが望ましく、５５質量％以上８０質量％以下であることがより望ましく、６０質量％以上７５質量％以下であることが更に望ましい。
一般に、金属酸化物粒子の含有率を多くすると、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は、低周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点での周波数を鑑みて、金属酸化物粒子の含有率を調整することが望ましい。
一般に、金属酸化物粒子の含有率を多くすると、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は、低周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点での周波数を鑑みて、金属酸化物粒子の含有率を調整することが望ましい。
金属酸化物粒子は、表面処理剤で表面処理が施されていてもよい。表面処理剤としては、所望の特性が得られるものであればよく、公知の材料から選択される。例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性材等が挙げられる。シランカップリング剤による表面処理によって、粉体抵抗が制御される。アミノ基を有するシランカップリング剤は下引層に良好なブロッキング性を与えるため望ましく用いられる。
一般に、カップリング剤は電荷を捕捉する性質を有するため、カップリング剤の処理量を多くすると、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は低周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点での周波数を鑑みて、カップリング剤の処理量を調整することが望ましい。
また、下引層におけるインピーダンスの位相差θの極大点での周波数を上記範囲内とする観点から、カップリング剤を用いる場合には、アミノ基を含むシランカップリング剤を用いることが望ましく、下記一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤を用いることが更に望ましい。
一般式（Ｓ）中、Ｒ１は、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ２は、水素原子、フェニル基、又は末端にアミノ基を有するアルキル基を表す。
Ｒ１が表すアルコキシ基の炭素数は、１または２がよい。３つのＲ１は、同一の基（又は原子）を表してもよいし、異なる基（又は原子）を表してもよい。
Ｒ２が表すアルキル基（アミノ基を有するアルキル基）の炭素数は、２または３がよい。３つのＲ２は、同一の基（又は原子）を表してもよいし、異なる基（又は原子）を表してもよい。
Ｒ１が表すアルコキシ基の炭素数は、１または２がよい。３つのＲ１は、同一の基（又は原子）を表してもよいし、異なる基（又は原子）を表してもよい。
Ｒ２が表すアルキル基（アミノ基を有するアルキル基）の炭素数は、２または３がよい。３つのＲ２は、同一の基（又は原子）を表してもよいし、異なる基（又は原子）を表してもよい。
ここで、一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤は、Ｒ１がメトキシ基を表し、Ｒ２がアミノエチル基を表すシランカップリング剤であることが好適である。
一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤として具体的には、例えば、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、等が挙げられる。
これらの中でも、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランが好適である。
これらの中でも、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランが好適である。
カップリング剤（特に一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤）の処理量は、金属酸化物粒子に対して、０．７５質量％以上１．５質量％以下が望ましい。
−電子受容性物質−
電子受容性物質は、金属酸化物粒子と共に下引層を含有させることで、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性に優れた下引層が得られる。
電子受容性物質は、金属酸化物粒子と共に下引層を含有させることで、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性に優れた下引層が得られる。
電子受容性物質としては、目的とする特性が得られるものならばいかなるものでも使用可能であるが、例えば、キノン基を有する化合物が挙げられる。
電子受容性物質としては、特に、残留電位上昇の抑制かつゴーストの更なる抑制の観点から、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質（アントラキノン構造を有する電子受容性物質）がよく、特に、水酸基を有するアントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質（水酸基を有するアントラキノン構造を有する電子受容性物質）が望ましい。
アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物等が挙げられる。この電子受容性物資として具体的には、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン、１−ヒドロキシアントラキノン、２−アミノ−３−ヒドロキシアントラキノン、１−アミノ−４−ヒドロキシアントラキノン、４−メトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン、４−ブトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン等が挙げられる。
これらの中でも、残留電位上昇の抑制かつゴーストの更なる抑制の観点から、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質としては、水酸基及びアルコキシ基（例えば、炭素数１以上１０以下、望ましくは１以上８以下、より望ましくは１以上６以下のアルコキシ基）を有する電子受容性物質であることがよい。
特に、同観点から、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質としては、水酸基及びエトキシ基を有する電子受容性物質が望ましく、より望ましくは、水酸基及び一つのエトキシ基を有する電子受容性物質である。
電子受容性物質としては、特に、残留電位上昇の抑制かつゴーストの更なる抑制の観点から、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質（アントラキノン構造を有する電子受容性物質）がよく、特に、水酸基を有するアントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質（水酸基を有するアントラキノン構造を有する電子受容性物質）が望ましい。
アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物等が挙げられる。この電子受容性物資として具体的には、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン、１−ヒドロキシアントラキノン、２−アミノ−３−ヒドロキシアントラキノン、１−アミノ−４−ヒドロキシアントラキノン、４−メトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン、４−ブトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン等が挙げられる。
これらの中でも、残留電位上昇の抑制かつゴーストの更なる抑制の観点から、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質としては、水酸基及びアルコキシ基（例えば、炭素数１以上１０以下、望ましくは１以上８以下、より望ましくは１以上６以下のアルコキシ基）を有する電子受容性物質であることがよい。
特に、同観点から、アントラキノンを基本骨格とする電子受容性物質としては、水酸基及びエトキシ基を有する電子受容性物質が望ましく、より望ましくは、水酸基及び一つのエトキシ基を有する電子受容性物質である。
電子受容性物質の含有量は、目的とする特性が得られる範囲であれば限定されないが、望ましくは金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲であることがよい。更に、電荷蓄積防止と金属酸化物粒子の凝集を防止する観点から０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲で添加されることが望ましい。
なお、一般に、電子受容性物質の添加量を多くすると、下引層におけるインピーダンスの位相差θの極大点は、低周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点を鑑みて、用いる電子受容性物質の添加量を選択することが望ましい。
電子受容性物質は、金属酸化物粒子とは個別に結着樹脂中に分散して下引層中に含まれてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で下引層中に含まれてもよい。
電子受容性物質を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
乾式法は、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性物質を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって、電子受容性物質を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法である。添加又は噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが望ましい。溶剤の沸点以下の温度で噴霧すると、電子受容性物質が局部的に偏在するのを抑える。添加又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば目的とする範囲で実施される。
湿式法は、金属酸化物粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミル等を用いて分散し、電子受容性物質を添加し攪拌又は分散した後、溶剤除去することによって、電子受容性物質を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法である。溶剤除去方法はろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては電子受容性物質を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として電子受容性物質に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いてもよい。
−その他−
下引層には、表面粗さ調整のために樹脂粒子を添加してもよい。樹脂粒子としては、シリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）樹脂粒子等が挙げられる。なお、表面粗さ調整のために下引層を形成後、その表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が用いられる。
下引層には、表面粗さ調整のために樹脂粒子を添加してもよい。樹脂粒子としては、シリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）樹脂粒子等が挙げられる。なお、表面粗さ調整のために下引層を形成後、その表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が用いられる。
−下引層の形成−
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
かかる溶媒としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状又は直鎖状エーテル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤、などの有機溶剤が挙げられる。これらの溶剤は単独で用いても、２種以上の併用であってもよい。
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
かかる溶媒としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状又は直鎖状エーテル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤、などの有機溶剤が挙げられる。これらの溶剤は単独で用いても、２種以上の併用であってもよい。
下引層形成用塗布液中に各粒子を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。ここで、高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
塗布後、乾燥して下引層１が形成される。乾燥温度は、１００℃以上２００℃以下であることが望ましく、１５０℃以上１９０℃以下であることがより望ましく、１６５℃以上１７５℃以下であることが更に望ましい。また、乾燥時間は、１５分以上９０分以下であることが望ましく、２０分以上６０分以下であることがより望ましく、２０分以上３０分以下であることが更に望ましい。
なお、乾燥のための加熱温度を高くしたりして硬化条件を厳しくすると、膜中における残留溶剤等を原因とする電荷トラップサイトの低減により電荷の移動がし易くなり、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は高周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点での周波数を鑑みて、乾燥条件を調節することが望ましい。
なお、乾燥のための加熱温度を高くしたりして硬化条件を厳しくすると、膜中における残留溶剤等を原因とする電荷トラップサイトの低減により電荷の移動がし易くなり、下引層１におけるインピーダンスの位相差θの極大点は高周波数側に移動する。よって、上記位相差θの極大点での周波数を鑑みて、乾燥条件を調節することが望ましい。
下引層の膜厚は、例えば、望ましくは１５μｍ以上、より望ましくは１５μｍ以上４０μｍ以下の範囲内に設定される。
［中間層］
ここで、図示は省略するが、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために、下引層上に（下引層と感光層との間に）、中間層をさらに設けてもよい。
ここで、図示は省略するが、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために、下引層上に（下引層と感光層との間に）、中間層をさらに設けてもよい。
中間層に用いられる結着樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素原子などを含有する有機金属化合物などが挙げられる。これらの化合物は、単独に若しくは複数の化合物の混合物、又は重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウム、又はケイ素原子を含有する有機金属化合物がよい。
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行われる。
中間層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層は上層の塗布性改善の他に、電気的なブロッキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引起こすことがある。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上３μｍ以下の膜厚範囲に設定することがよい。
［電荷発生層］
次に、電荷発生層について説明する。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含んで構成される。なお、電荷発生層は、例えば、電荷発生材料の蒸着膜で構成されていてもよい。
次に、電荷発生層について説明する。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含んで構成される。なお、電荷発生層は、例えば、電荷発生材料の蒸着膜で構成されていてもよい。
電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられ、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜および２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．７゜、９．３゜、１６．９゜、１７．５゜、２２．４゜および２８．８゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜および２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも９．６゜、２４．１゜および２７．２゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。
その他、電荷発生材料としては、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。
これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上を混合して用いてもよい。
これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上を混合して用いてもよい。
電荷発生層における結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂（例えば、ビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂）、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、例えば１０：１乃至１：１０の範囲が望ましい。
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
なお、電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、望ましくは０．０１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲に設定される。
［電荷輸送層］
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂を含んで構成、又は高分子電荷輸送材を含んで構成される。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂を含んで構成、又は高分子電荷輸送材を含んで構成される。
電荷輸送材料としては、公知のものが挙げられ、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリス［４−（４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエニル）フェニル］アミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロモアントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、及び上記した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。
これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
電荷輸送層における結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂（例えば、ビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂）、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で、例えば１０：１乃至１：５が望ましい。
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶媒に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いられる。
なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
電荷輸送層の膜厚は、例えば、望ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より望ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲内に設定される。
［最表面層］
図１及び図２では図示しないが、電子写真感光体の最表面層として保護層を設けてもよい。保護層は、例えば、導電性材料と結着樹脂とを含んで構成される。また、保護層は、例えば、重合性官能基を有する電荷輸送性材料の硬化膜で構成されていてもよい。硬化膜は、必要に応じて、他の樹脂を含んでいてもよい。保護層の構成は、周知の構成が採用される。
図１及び図２では図示しないが、電子写真感光体の最表面層として保護層を設けてもよい。保護層は、例えば、導電性材料と結着樹脂とを含んで構成される。また、保護層は、例えば、重合性官能基を有する電荷輸送性材料の硬化膜で構成されていてもよい。硬化膜は、必要に応じて、他の樹脂を含んでいてもよい。保護層の構成は、周知の構成が採用される。
電子写真感光体の最表面層となる層（例えば、保護層または電荷輸送層）は、更に、潤滑性を付与させ、表面層を磨耗しにくくしたり、傷がつきにくくするため、また電子写真感光体表面に付着した現像剤のクリーニング性を高めるために、潤滑性粒子（例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子）を含有することが好ましい。これらの潤滑性粒子は、２種以上を混合して用いてもよい。特に、フッ素系樹脂粒子は望ましく用いられる。
フッ素系樹脂粒子としては、４フッ化エチレン、３フッ化エチレン、６フッ化プロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のフッ素系樹脂粒子、フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーとを共重合させた樹脂粒子が挙げられる。特に、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂の粒子が好ましい。
フッ素系樹脂粒子の一次粒径は０．０５μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下がより好ましい。一次粒径が０．０５μｍを下回ると分散時の凝集が進みやすくなる。一方、１μｍを上回ると画質欠陥が発生し易くなる。
フッ素系樹脂粒子の一次粒径は０．０５μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下がより好ましい。一次粒径が０．０５μｍを下回ると分散時の凝集が進みやすくなる。一方、１μｍを上回ると画質欠陥が発生し易くなる。
電荷輸送層が最表面層となる場合、電荷輸送層の全固形分に対するフッ素系樹脂粒子の含有量は２質量％以上１５質量％以下であることが好ましい。なお、電荷輸送層の全固形分に対するフッ素系樹脂粒子の含有量が２質量％未満の場合、フッ素系樹脂粒子分散による電荷輸送層の改質が不十分となることがある。また、当該含有量が１５質量％を超えると、分散性が悪化し、膜強度の低下が生じることがある。
最表面層中にフッ素系樹脂粒子を分散させるための塗布液の分散方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー、ナノマイザー等のメディアレス分散機が利用される。さらに、高圧ホモジナイザーとして、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
また、最表面層中のフッ素系樹脂粒子の分散安定剤として、フッ素系界面活性剤や、フッ素系グラフトポリマーを用いることで、塗布液としての分散性が安定する。フッ素系グラフトポリマーとしては、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、スチレン化合物等からなるマクロモノマー及びパーフルオロアルキルエチルメタクリレートよりグラフト重合された樹脂が好ましい。
フッ素系界面活性剤やフッ素系グラフトポリマーの含有量は、フッ素系樹脂粒子の全質量に対して１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。
フッ素系界面活性剤やフッ素系グラフトポリマーの含有量は、フッ素系樹脂粒子の全質量に対して１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。
さらに、表面の平滑性を向上させる目的で、最表面層中にフッ素変性シリコーンオイルを添加してもよい。このフッ素変性シリコーンオイルは、フルオロアルキル基を有するものが望ましい。
また、同様の目的で、最表面層にはシリコーンオイル等のオイルを添加してもよい。シリコーンオイルとしては、たとえば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル、アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノ−ル変性ポリシロキサン、フッ素変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル等が挙げられる。このなかでも、表面の平滑性を向上させる観点からは、フッ素変性シリコーンオイルが望ましく、フルオロアルキル基を有するものがより望ましい。
フッ素変性シリコーンオイルは所望の特性が得られる範囲であれば添加量に制限は無く、例えば、電荷輸送層用塗布液中に０．１ｐｐｍから１０００ｐｐｍの範囲で使用され、０．５ｐｐｍから５００ｐｐｍの範囲が望ましい。フッ素変性シリコーンオイルの添加量が上記範囲内にあると、十分な平滑面が得られ、電子写真感光体を繰り返し使用したときに残留電位の上昇が抑えられる。
［その他の成分］
画像形成装置中で発生するオゾンや窒素酸化物、又は光、熱による電子写真感光体の劣化を防止するため、感光層を構成する各層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤などの添加剤を添加してもよい。
例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよびそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機リン化合物等が挙げられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチルピペン等の誘導体が挙げられる。
画像形成装置中で発生するオゾンや窒素酸化物、又は光、熱による電子写真感光体の劣化を防止するため、感光層を構成する各層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤などの添加剤を添加してもよい。
例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよびそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機リン化合物等が挙げられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチルピペン等の誘導体が挙げられる。
＜画像形成装置＞
次に、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置について説明する。
−第１実施形態−
図３は、第１実施形態の画像形成装置の基本構成を概略的に示している。図３に示す画像形成装置２００は、本実施形態の電子写真感光体７と、電源２０９に接続され、電子写真感光体７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８と、帯電装置２０８により帯電された電子写真感光体７を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成装置（露光装置）２１０と、静電潜像形成装置２１０により形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、電子写真感光体７の表面に形成されたトナー像を被転写媒体５００に転写する転写装置２１２と、転写後、電子写真感光体７の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３と、被転写媒体５００に転写されたトナー像を被転写媒体５００に定着させる定着装置２１５と、を備える。
また、図３に示す画像形成装置２００は、電子写真感光体表面のトナー像が転写された後、電子写真感光体表面に残留した電荷を除去する除電装置を備えない、イレーズレス方式の画像形成装置である。
次に、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置について説明する。
−第１実施形態−
図３は、第１実施形態の画像形成装置の基本構成を概略的に示している。図３に示す画像形成装置２００は、本実施形態の電子写真感光体７と、電源２０９に接続され、電子写真感光体７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８と、帯電装置２０８により帯電された電子写真感光体７を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成装置（露光装置）２１０と、静電潜像形成装置２１０により形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、電子写真感光体７の表面に形成されたトナー像を被転写媒体５００に転写する転写装置２１２と、転写後、電子写真感光体７の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３と、被転写媒体５００に転写されたトナー像を被転写媒体５００に定着させる定着装置２１５と、を備える。
また、図３に示す画像形成装置２００は、電子写真感光体表面のトナー像が転写された後、電子写真感光体表面に残留した電荷を除去する除電装置を備えない、イレーズレス方式の画像形成装置である。
帯電装置２０８は、直流・交流接触帯電装置（電子写真感光体７に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体７を帯電する帯電装置）である。
具体的には、帯電装置２０８は、帯電部材を有しており、電子写真感光体７を帯電させる際には帯電部材に直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される。電圧の範囲としては、直流電圧成分として感光体帯電電位に応じて正又は負の５０Ｖ以上２０００Ｖ以下が望ましく、１００Ｖ以上１５００Ｖ以下がより望ましい。
交流電圧成分としてピーク間電圧が４００Ｖ以上１８００Ｖ以下、望ましくは８００Ｖ以上１６００Ｖ以下、さらに望ましくは１２００Ｖ以上１６００Ｖ以下が望ましい。交流電圧の周波数は５０Ｈｚ以上２００００Ｈｚ以下、望ましくは１００Ｈｚ以上５０００Ｈｚ以下である。
具体的には、帯電装置２０８は、帯電部材を有しており、電子写真感光体７を帯電させる際には帯電部材に直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される。電圧の範囲としては、直流電圧成分として感光体帯電電位に応じて正又は負の５０Ｖ以上２０００Ｖ以下が望ましく、１００Ｖ以上１５００Ｖ以下がより望ましい。
交流電圧成分としてピーク間電圧が４００Ｖ以上１８００Ｖ以下、望ましくは８００Ｖ以上１６００Ｖ以下、さらに望ましくは１２００Ｖ以上１６００Ｖ以下が望ましい。交流電圧の周波数は５０Ｈｚ以上２００００Ｈｚ以下、望ましくは１００Ｈｚ以上５０００Ｈｚ以下である。
帯電部材としては、例えば、ローラ、ブラシ、フィルム等が挙げられる。その中でもローラ状の帯電部材（以下、「帯電ローラ」と称する場合がある）としては、例えば電気抵抗が１０３Ω以上１０８Ω以下の範囲に調整された材料から構成されるものが挙げられる。また帯電ローラは、単層でもよく、複数の層から構成されていてもよい。
帯電部材として帯電ローラを用いる場合、電子写真感光体７に接触する圧力としては、例えば、２５０ｍｇｆ以上６００ｍｇｆ以下の範囲が挙げられる。
帯電部材として帯電ローラを用いる場合、電子写真感光体７に接触する圧力としては、例えば、２５０ｍｇｆ以上６００ｍｇｆ以下の範囲が挙げられる。
帯電部材を構成する材質としては、例えば、ウレタンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、ＥＰＤＭ（エチレン−プロピレン−ジエン共重合ゴム）、エピクロロヒドリンゴム等の合成ゴムやポリオレフィン、ポリスチレン、塩化ビニル等からなるエラストマーを主材料とし、導電性カーボン、金属酸化物、イオン導電剤等の導電性付与剤を適量配合したもの等が挙げられる。
さらにナイロン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリウレタン、シリコーン等の樹脂を塗料化し、そこに導電性カーボン、金属酸化物、イオン導電剤等の導電性付与剤を適量配合し、得られた塗料を浸漬、スプレー、ロール塗布等の手法により、積層して用いてもよい。
さらにナイロン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリウレタン、シリコーン等の樹脂を塗料化し、そこに導電性カーボン、金属酸化物、イオン導電剤等の導電性付与剤を適量配合し、得られた塗料を浸漬、スプレー、ロール塗布等の手法により、積層して用いてもよい。
帯電部材として帯電ロールを用いる場合、帯電ロールを電子写真感光体７の表面に接触させることにより、帯電手段が駆動手段を有していなくても電子写真感光体７に従動して回転するが、帯電ロールに駆動手段を取り付け、電子写真感光体７と異なる周速度で回転させてもよい。
静電潜像形成装置（露光装置）２１０としては、電子写真感光体７の表面を、半導体レーザ、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源により所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。
現像装置２１１としては、一成分系、二成分系等の正規又は反転現像剤を用いた公知の現像装置等が用いられる。現像装置２１１に使用されるトナーの形状については、特に制限はなく、不定形、球形又は他の特定形状のものを使用してもよい。
転写装置２１２としては、ローラ状の接触型帯電部材の他、ベルト、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、又はコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。
トナー除去装置２１３は、転写工程後の電子写真感光体７の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された電子写真感光体７は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。トナー除去装置２１３としては、異物除去部材（クリーニングブレード）の他、ブラシクリーニング、ロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが望ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
−第２実施形態−
図４は第２実施形態の画像形成装置の基本構成を概略的に示している。図４に示す画像形成装置２２０は中間転写方式の画像形成装置であり、ハウジング４００内において４つの電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄが中間転写ベルト４０９に沿って相互に並列に配置されている。例えば、電子写真感光体７１ａがイエロー、電子写真感光体７１ｂがマゼンタ、電子写真感光体７１ｃがシアン、電子写真感光体７１ｄがブラックの色からなる画像をそれぞれ形成する。
図４は第２実施形態の画像形成装置の基本構成を概略的に示している。図４に示す画像形成装置２２０は中間転写方式の画像形成装置であり、ハウジング４００内において４つの電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄが中間転写ベルト４０９に沿って相互に並列に配置されている。例えば、電子写真感光体７１ａがイエロー、電子写真感光体７１ｂがマゼンタ、電子写真感光体７１ｃがシアン、電子写真感光体７１ｄがブラックの色からなる画像をそれぞれ形成する。
ここで、画像形成装置２２０に搭載されている電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、それぞれ本実施形態の電子写真感光体である。
電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄはそれぞれ一方向（紙面上は反時計回り）に回転し、その回転方向に沿って帯電ロール４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄ、現像装置４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄ、１次転写ロール４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ，４１０ｄ、クリーニングブレード４１５ａ，４１５ｂ，４１５ｃ，４１５ｄが配置されている。現像装置４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄはそれぞれトナーカートリッジ４０５ａ，４０５ｂ，４０５ｃ，４０５ｄに収容されたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの４色のトナーを供給し、また、１次転写ロール４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ，４１０ｄはそれぞれ中間転写ベルト４０９を介して電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄに接している。なお、ロール４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄは、子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄにそれぞれ直接接触して電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを帯電する。
電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄはそれぞれ一方向（紙面上は反時計回り）に回転し、その回転方向に沿って帯電ロール４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄ、現像装置４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄ、１次転写ロール４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ，４１０ｄ、クリーニングブレード４１５ａ，４１５ｂ，４１５ｃ，４１５ｄが配置されている。現像装置４０４ａ，４０４ｂ，４０４ｃ，４０４ｄはそれぞれトナーカートリッジ４０５ａ，４０５ｂ，４０５ｃ，４０５ｄに収容されたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの４色のトナーを供給し、また、１次転写ロール４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃ，４１０ｄはそれぞれ中間転写ベルト４０９を介して電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄに接している。なお、ロール４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄは、子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄにそれぞれ直接接触して電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを帯電する。
さらに、ハウジング４００内にはレーザ光源（露光装置）４０３が配置されており、レーザ光源４０３から出射されたレーザ光を帯電後の電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの表面に照射する。これにより、電子写真感光体７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの回転工程において帯電、露光、現像、１次転写、クリーニング（トナー等の異物除去）の各工程が順次行われ、各色のトナー像が中間転写ベルト４０９上に重ねて転写される。中間転写ベルト４０９は駆動ロール４０６、背面ロール４０８及び支持ロール４０７によって張力をもって支持されており、これらのロールの回転によりたわみを生じることなく回転する。また、２次転写ロール４１３は、中間転写ベルト４０９を介して背面ロール４０８と接するように配置されている。背面ロール４０８と２次転写ロール４１３との間を通った中間転写ベルト４０９は、例えば駆動ロール４０６と対向して配置されたクリーニングブレード４１６により清浄面化された後、次の画像形成プロセスに繰り返し供される。
また、ハウジング４００内には被転写媒体を収容する容器４１１が設けられており、容器４１１内の紙などの被転写媒体５００が移送ロール４１２により中間転写ベルト４０９と２次転写ロール４１３との間、さらには相互に接する２個の定着ロール４１４の間に順次移送された後、ハウジング４００の外部に排出される。
なお、上述の説明においては中間転写体として中間転写ベルト４０９を使用する場合について説明したが、中間転写体は、上記中間転写ベルト４０９のようにベルト状であってもよいし、ドラム状であってもよい。ベルト状とする場合、中間転写体の基材を構成する樹脂材料としては、公知の樹脂が用いられる。例えば、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアルキレンテレフタレート（ＰＡＴ）、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）／ＰＣ、ＥＴＦＥ／ＰＡＴ、ＰＣ／ＰＡＴのブレンド材料、ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド等の樹脂材料及びこれらを主原料としてなる樹脂材料が挙げられる。さらに、樹脂材料と弾性材料をブレンドして用いてもよい。
また、上記実施形態にかかる被転写媒体とは、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写する媒体であれば特に制限はない。例えば、図３に示した第１実施形態のように電子写真感光体７から直接、紙等の被転写媒体に転写する場合は、紙等が被転写媒体である。また、図４に示した第２実施形態のように中間転写体を用いる場合には、中間転写体が被転写媒体である。
＜プロセスカートリッジ＞
図５は、本実施形態の電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジの一例の基本構成を概略的に示している。このプロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体７と共に、電子写真感光体７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８、露光により電子写真感光体７上に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤によりトナー像に現像する現像装置２１１、転写後、電子写真感光体７の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３、及び露光のための開口部２１８を、取り付けレール２１６を用いて組み合わせて一体化したものである。
図５は、本実施形態の電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジの一例の基本構成を概略的に示している。このプロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体７と共に、電子写真感光体７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８、露光により電子写真感光体７上に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤によりトナー像に現像する現像装置２１１、転写後、電子写真感光体７の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３、及び露光のための開口部２１８を、取り付けレール２１６を用いて組み合わせて一体化したものである。
そして、このプロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体７の表面に形成されたトナー像を被転写媒体５００に転写する転写装置２１２と、被転写媒体５００に転写されたトナー像を被転写媒体５００に定着させる定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置とともに画像形成装置を構成する。
プロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体１、帯電装置２０８、現像装置２１１、トナー除去装置２１３、及び露光のための開口部２１８のほかに、電子写真感光体１の表面を露光する露光装置（図示せず）、トナー除去装置２１３を備えていてもよい。
なお、本実施形態のプロセ氏カートリッジでは、電子写真感光体１と帯電装置２０８とを少なくとも備えていればよい。
プロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体１、帯電装置２０８、現像装置２１１、トナー除去装置２１３、及び露光のための開口部２１８のほかに、電子写真感光体１の表面を露光する露光装置（図示せず）、トナー除去装置２１３を備えていてもよい。
なお、本実施形態のプロセ氏カートリッジでは、電子写真感光体１と帯電装置２０８とを少なくとも備えていればよい。
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
−下引層の形成−
酸化亜鉛粒子（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）１質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−１を得た。
表面処理した酸化亜鉛粒子−１： ２５質量部と、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン０．６質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）４．０質量部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を、浸漬塗布法にて直径３０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、２４分の乾燥硬化を行い、厚さ１５μｍの下引層を得た。
−下引層の形成−
酸化亜鉛粒子（平均粒子径：７０ｎｍ、テイカ社製、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）１質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−１を得た。
表面処理した酸化亜鉛粒子−１： ２５質量部と、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン０．６質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）４．０質量部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を、浸漬塗布法にて直径３０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、２４分の乾燥硬化を行い、厚さ１５μｍの下引層を得た。
−電荷発生層の形成−
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０質量部およびｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この塗布液を前記下引層上に浸漬塗布し、乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を得た。
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０質量部およびｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この塗布液を前記下引層上に浸漬塗布し、乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を得た。
−電荷輸送層の形成−
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（重量平均分子量３００００）０．０１質量部とを、テトラヒドロフラン４質量部、トルエン１質量部とともに２０℃の液温に保ち、４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（重量平均分子量３００００）０．０１質量部とを、テトラヒドロフラン４質量部、トルエン１質量部とともに２０℃の液温に保ち、４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
次に、電荷輸送物質として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４質量部と、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：４０，０００）６質量部、酸化防止剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．１質量部を混合して、テトラヒドロフラン２４質量部及びトルエン１１質量部を混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。
このＢ液に前記Ａ液を加えて攪拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興行株式会社製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧しての分散処理を６回繰り返した液に、フッ素変性シリコーンオイル（商品名：ＦＬ−１００ 信越化学工業社製）を５ｐｐｍ添加し、十分に撹拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に２１．０μｍ塗布して１４０℃で２５分間乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例１の感光体１を得た。
[比較例１]
実施例１の下引層形成用塗布液において、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン０．６質量部を添加しなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の比較感光体１を作製した。
実施例１の下引層形成用塗布液において、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノン０．６質量部を添加しなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の比較感光体１を作製した。
［実施例２］
実施例１の下引層形成用塗布液において、更に、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノンの添加量を１質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、実施例２の感光体２を作製した。
実施例１の下引層形成用塗布液において、更に、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノンの添加量を１質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、実施例２の感光体２を作製した。
［実施例３］
実施例２の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−２に代えたこと以外は、実施例２と同様にして実施例３の感光体を作製した。
実施例２の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−２に代えたこと以外は、実施例２と同様にして実施例３の感光体を作製した。
（酸化亜鉛粒子−２の作製）
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−２を得た。
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−２を得た。
［実施例４］
実施例２の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤で表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−３に代え、下引層の乾燥硬化条件を１８０℃、４０分としたこと以外は、実施例２と同様にして実施例４の感光体４を作製した。
実施例２の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤で表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−３に代え、下引層の乾燥硬化条件を１８０℃、４０分としたこと以外は、実施例２と同様にして実施例４の感光体４を作製した。
（酸化亜鉛粒子−３の作製）
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−３を得た。
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−３を得た。
［比較例２］
比較例１の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤で表面処理を施した酸化亜鉛粒子−４に代え、更に、アリザリン０．６質量部を添加したこと以外は、比較例２と同様にして比較例２の比較感光体２を作製した。
比較例１の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤で表面処理を施した酸化亜鉛粒子−４に代え、更に、アリザリン０．６質量部を添加したこと以外は、比較例２と同様にして比較例２の比較感光体２を作製した。
（酸化亜鉛粒子−４の作製）
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）２質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−４を得た。
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）２質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−４を得た。
［比較例３］
比較例１の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−５に代えたこと以外は、比較例１と同様にして比較例３の比較感光体３を作製した。
比較例１の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子-１を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−５に代えたこと以外は、比較例１と同様にして比較例３の比較感光体３を作製した。
（酸化亜鉛粒子−５の作製）
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）２．５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−５を得た。
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）２．５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−５を得た。
［比較例４］
下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−６に代え、更に、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノンの添加量を０．６質量部に変更したこと以外は、実施例３と同様にして比較例４の比較感光体４を作製した。
下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−６に代え、更に、４−エトキシ−１，２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキノンの添加量を０．６質量部に変更したこと以外は、実施例３と同様にして比較例４の比較感光体４を作製した。
（酸化亜鉛粒子−６の作製）
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）０．５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−６を得た。
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化学工業社製）０．５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−６を得た。
［比較例５］
比較例１の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−７に代えたこと以外は、比較例１と同様にして比較例５の比較感光体５を作製した。
比較例１の下引層形成用塗布液に用いた酸化亜鉛粒子を、シランカップリング剤表面処理を施した下記酸化亜鉛粒子−７に代えたこと以外は、比較例１と同様にして比較例５の比較感光体５を作製した。
（酸化亜鉛粒子−７の作製）
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−５７３（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
：信越化学工業社製）４．８質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−５を得た。
酸化亜鉛粒子１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、ＫＢＭ−５７３（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
：信越化学工業社製）４．８質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子−５を得た。
［下引層のインピーダンス測定］
−測定試料の作製−
上記実施例及び比較例の感光体を作製する際に用いた下引層用塗布液をそれぞれアルミパイプに浸漬塗布し、上記感光体の下引層を作製したときと同じ条件により乾燥を行い（例えば、実施例では１７０℃２４分で乾燥硬化）、膜厚１５μｍの下引層単層膜を形成した。この下引層単層膜について、対向電極として１００ｎｍの金電極を真空蒸着法により装着し、インピーダンス測定用試料とした。
−測定試料の作製−
上記実施例及び比較例の感光体を作製する際に用いた下引層用塗布液をそれぞれアルミパイプに浸漬塗布し、上記感光体の下引層を作製したときと同じ条件により乾燥を行い（例えば、実施例では１７０℃２４分で乾燥硬化）、膜厚１５μｍの下引層単層膜を形成した。この下引層単層膜について、対向電極として１００ｎｍの金電極を真空蒸着法により装着し、インピーダンス測定用試料とした。
−測定方法−
インピーダンスの測定には電源としてＳＩ １２８７ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ （東陽テクニカ製）、電流計としてＳＩ １２６０ ｉｎｐｅｄａｎｃｅ／ｇａｉｎ ｐｈａｓｅ ａｎａｌｙｚｅｒ（東陽テクニカ製）、電流アンプとして１２９６ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ製）を用いた。
インピーダンスの測定には電源としてＳＩ １２８７ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ （東陽テクニカ製）、電流計としてＳＩ １２６０ ｉｎｐｅｄａｎｃｅ／ｇａｉｎ ｐｈａｓｅ ａｎａｌｙｚｅｒ（東陽テクニカ製）、電流アンプとして１２９６ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ製）を用いた。
インピーダンス測定用試料におけるアルミパイプを陰極、金電極を陽極として、１Ｖｐ−ｐの交流電圧を周波数１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲で高周波側から印加し、各試料のインピーダンスを測定した。インピーダンスは印加電圧に対する応答電流の振幅比と印加電圧と応答電流の位相差の２つのパラメータで現される。インピーダンス測定用試料の位相差θが極大となった周波数を表１に示す。
なお、この位相差θが極大となった周波数が「インピーダンスの位相差θの極大点」である。
なお、この位相差θが極大となった周波数が「インピーダンスの位相差θの極大点」である。
［評価］
ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ｃ３３００の改造機に、上記作製の感光体を組みこんで、高温高湿（２８℃８５％ＲＨ）の条件下にてゴースト評価および残留電位測定を行った。得られた結果を表１に示す。
なお、ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ５０５ａの改造機に搭載される帯電装置は、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される接触帯電方式の帯電装置であり、印加電圧−７００Ｖ、交流電圧のピーク間電圧１４００Ｖで感光体を帯電させる。
ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ｃ３３００の改造機に、上記作製の感光体を組みこんで、高温高湿（２８℃８５％ＲＨ）の条件下にてゴースト評価および残留電位測定を行った。得られた結果を表１に示す。
なお、ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ ５０５ａの改造機に搭載される帯電装置は、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される接触帯電方式の帯電装置であり、印加電圧−７００Ｖ、交流電圧のピーク間電圧１４００Ｖで感光体を帯電させる。
−ゴースト評価基準−
ゴースト評価は、図６（Ａ）に示すごとく、「Ｇ」の文字と「黒ベタ領域」とを有するパターンのチャートを１万枚出力し、黒ベタ領域における「Ｇ」の文字（ゴースト）の現れ具合を目視にて観察し、以下の基準で評価した。
Ａ＋： さらにチャートを１万枚出力しても、図６（Ａ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字が確認されない。
Ａ ： 図６（Ａ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字が確認されない。
Ｂ ： 図６（Ｂ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字が若干確認される。
Ｃ ： 図６（Ｃ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字がはっきり確認される。
ゴースト評価は、図６（Ａ）に示すごとく、「Ｇ」の文字と「黒ベタ領域」とを有するパターンのチャートを１万枚出力し、黒ベタ領域における「Ｇ」の文字（ゴースト）の現れ具合を目視にて観察し、以下の基準で評価した。
Ａ＋： さらにチャートを１万枚出力しても、図６（Ａ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字が確認されない。
Ａ ： 図６（Ａ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字が確認されない。
Ｂ ： 図６（Ｂ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字が若干確認される。
Ｃ ： 図６（Ｃ）のごとく、黒ベタ領域には「Ｇ」の文字がはっきり確認される。
−残留電位の測定−
感光体の残留電位の測定は、前記実験機の中に電位プローブを取り付け、画像濃度３０％のハーフトーン画像をＡ４紙に１万枚出力し、初期（画像出力前）と画像出力後との残留電位を測定し、その差を算出した。
Ａ＋： 上記差が３８Ｖ未満
Ａ ： 上記差が３８Ｖ以上４５Ｖ未満
Ｂ ： 上記差が４５Ｖ以上６０Ｖ未満
Ｃ ： 上記差が６０Ｖ以上
感光体の残留電位の測定は、前記実験機の中に電位プローブを取り付け、画像濃度３０％のハーフトーン画像をＡ４紙に１万枚出力し、初期（画像出力前）と画像出力後との残留電位を測定し、その差を算出した。
Ａ＋： 上記差が３８Ｖ未満
Ａ ： 上記差が３８Ｖ以上４５Ｖ未満
Ｂ ： 上記差が４５Ｖ以上６０Ｖ未満
Ｃ ： 上記差が６０Ｖ以上
表１に示すとおり、実施例１から４の感光体、即ちインピーダンスの位相差θの極大点が０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ以下の周波数に現れる感光体は、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される接触帯電方式の帯電装置を有する画像形成装置に用いたときに、寿命（ライフ）に関わる経時における残留電位の上昇およびゴーストが抑制された。
これに対して、０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ以下の周波数の範囲外に極大点を有する比較例１から５の感光体は、いずれも直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される接触帯電方式の帯電装置を有する画像形成装置に用いたときに、残留電位の上昇およびゴーストが発生した。
これに対して、０．１５Ｈｚ以上０．３Ｈｚ以下の周波数の範囲外に極大点を有する比較例１から５の感光体は、いずれも直流電圧に交流電圧が重畳された電圧が印加される接触帯電方式の帯電装置を有する画像形成装置に用いたときに、残留電位の上昇およびゴーストが発生した。
また、下引層の構成と、位相差θが極大をとる周波数との関係を以下に示す。
上記表における下引層１２、１３及び１４は、実施例１の下引層と同様にして、但し酸化亜鉛粒子の平均粒径または添加量を上記表のように変えて作製した。
上記表における下引層２１は、実施例４の下引層と同様にして、但し乾燥条件を上記表のように変えて作製した。また、下引層２３、２４及び２６は、実施例５の下引層と同様にして、但し乾燥条件を上記表のように変えて作製した。
１…下引層、２…電荷発生層、３…電荷輸送層、４…導電性基体、７，７Ａ，７Ｂ…電子写真感光体、２００…画像形成装置、２０８…帯電装置、２１０…静電潜像形成装置（露光装置）、２１１…現像装置、２１２…転写装置、２１３…トナー除去装置、２１５…定着装置、２１６…取り付けレール、２１８…露光のための開口部、２２０…画像形成装置、３００…プロセスカートリッジ、４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄ…帯電ロール、５００…被転写媒体
Claims (9)
- 導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にある電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体を露光して、該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記静電潜像を現像剤によりトナー像に現像する現像装置と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写装置と、
を有する画像形成装置。 - 前記インピーダンスの位相差θの極大点が、０．１７Ｈｚ以上０．２Ｈｚ以下の周波数の範囲内にある請求項１に記載の画像形成装置。
- 前記静電潜像形成装置以外に、前記電子写真感光体を露光する光源を有しない請求項１又は２に記載の画像形成装置。
- 前記電子受容性物質が、アントラキノンを基本骨格とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
- 前記電子受容性物質が、水酸基及びエトキシ基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
- 前記電子受容性物質が、水酸基及び一つのエトキシ基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
- 前記金属酸化物粒子が、下記一般式（Ｓ）で示されるシランカップリング剤で表面処理されてなる請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
（一般式（Ｓ）中、Ｒ１は、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ２は、水素原子、フェニル基、又は末端にアミノ基を有するアルキル基を表す。） - 導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にある電子写真感光体と、
前記電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して前記電子写真感光体を帯電する帯電装置と、
を有し、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。 - 導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子（ただし金属酸化物で被覆されている中空粒子、及び金属酸化物で構成された中空粒子を除く）及び水酸基及びアルコキシ基を有する電子受容性物質を含む下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、
前記下引層のインピーダンスを１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲の交流電圧で測定したとき、インピーダンスの位相差θの極大点が０．１７Ｈｚ以上０．３Ｈｚ未満の周波数の範囲内にあり、
電子写真感光体に直接接触し、直流電圧に交流電圧が重畳された電圧を印加して電子写真感光体を帯電する帯電装置を有する画像形成装置に用いる電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013023495A JP6003700B2 (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013023495A JP6003700B2 (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014153550A JP2014153550A (ja) | 2014-08-25 |
| JP6003700B2 true JP6003700B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=51575466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013023495A Active JP6003700B2 (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6003700B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6447178B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2019-01-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
| JP6801283B2 (ja) * | 2016-08-01 | 2020-12-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
| JP6825382B2 (ja) | 2017-01-23 | 2021-02-03 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| US11112719B2 (en) * | 2019-10-18 | 2021-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Process cartridge and electrophotographic apparatus capable of suppressing lateral running while maintaining satisfactory potential function |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4456954B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-04-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
| JP2006221094A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| JP5470874B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2014-04-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
| JP2012063719A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| JP2012073353A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2012189959A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法、画像形成装置、プロセスカートリッジ、並びに、中空金属酸化物粒子及びその製造方法 |
| JP2012194260A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法、プロセスカートリッジ、並びに画像形成装置 |
| JP5708126B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-04-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 |
| JP6061640B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
-
2013
- 2013-02-08 JP JP2013023495A patent/JP6003700B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014153550A (ja) | 2014-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5915363B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP5493395B2 (ja) | プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
| JP5807507B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2013190494A (ja) | 画像形成装置およびプロセスカートリッジ | |
| JP5857804B2 (ja) | 画像形成装置およびプロセスカートリッジ | |
| US20100248100A1 (en) | Electrophotographic photoreceptor, image-forming device, and process cartridge | |
| JP2013242483A (ja) | 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ | |
| JP5708126B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 | |
| JP5786563B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 | |
| JP6003760B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JP6003700B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP5659647B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2012073353A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP6011021B2 (ja) | 電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジ | |
| JP6221853B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2013186342A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
| JP2013068825A (ja) | 画像形成装置およびプロセスカートリッジ | |
| JP5609200B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2013186260A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP6003693B2 (ja) | 画像形成装置およびプロセスカートリッジ | |
| JP5444987B2 (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法並びにプロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
| JP4140469B2 (ja) | 電子写真感光体、電子写真装置及びプロセスカートリッジ | |
| JP2014066755A (ja) | 電子写真感光体、画像形成装置、およびプロセスカートリッジ | |
| JP2013200418A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置 | |
| JP2013195710A (ja) | 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150306 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160428 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160809 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160822 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6003700 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |