JP6003144B2

JP6003144B2 - 透明電極の製造方法

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Publication number: JP6003144B2
Application number: JP2012072822A
Authority: JP
Inventors: 松村　智之; 智之松村
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2012-03-28
Filing date: 2012-03-28
Publication date: 2016-10-05
Anticipated expiration: 2032-03-28
Also published as: JP2013206649A

Description

本発明は、透明電極の製造方法に関し、更に詳しくは、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極の製造方法に関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと略記する。）を利用した有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を備えている。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として、近年注目されている。

このような有機電界発光素子は、対向する２枚の電極間に有機材料等から構成されている発光層を挟持させた構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。

透明電極としては、スズドープ酸化インジウム（ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ、ＩＴＯと略記する。）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられており、ＩＴＯと銀とを積層することにより、低抵抗化を図った検討もなされている（例えば、特許文献１及び２参照。）。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルであるインジウムを使用しているため、材料として高価であり、また抵抗を下げるためには、成膜した後に３００℃程度でアニール処理を施す必要がある。そこで、電気伝導率の高い銀等の金属材料を薄膜化した構成や、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い膜厚で導電性を確保する構成も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。また、真空製膜工程を用いないで、銀の錯体化合物用いて、有機酸金属塩を有する下地層の上に塗布することにより、より安価な設備を用いて透明導電膜を製造する方法も開示されている（例えば、特許文献４参照。）。

しかしながら、上記提案されている各方法においては、電気伝導率の高い銀やアルミニウムを用いて構成された透明電極であったとしても、十分な導電性と電極としての高い光透過性との両立を図ることは困難であった。

特開２００２−１５６２３号公報特開２００６−１６４９６１号公報特開２００９−１５１９６３号公報特表２０１０−５３１０３３号公報

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、十分な導電性と高い光透過性とを兼ね備えた透明電極の製造方法を提供することである。

本発明者は、上記問題に鑑み鋭意検討を進めた結果、基材上に、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物Ａを用いて下地層を形成し、該下地層上に特定の構造を有する銀原子を含む銀錯体化合物Ｂを含有する溶液を用い、湿式塗布方式で電極層を形成し、シート抵抗値が３０Ω／□以下の透明電極を製造することを特徴とする透明電極の製造方法により、導電性と光透過性の両性能を共に向上させることができ透明電極を製造することができることを見出し、本発明に至った次第である。

すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。

１．窒素原子を含む化合物Ａを用いて下地層を形成し、該下地層上に銀原子を含む銀錯体化合物Ｂを含有する溶液を用いて湿式塗布方式で電極層を形成し、シート抵抗値が３０Ω／□以下の透明電極を製造し、
前記窒素原子を含む化合物Ａが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であり、
かつ前記銀錯体化合物Ｂが、２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体及び２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体から選ばれる少なくとも一種である
ことを特徴とする透明電極の製造方法。

２．前記窒素原子を含む化合物Ａが、ピリジン環を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極の製造方法。

３．前記窒素原子を含む化合物Ａが、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする第１項または第２項に記載の透明電極の製造方法。

一般式（１）
（Ａｒ_１）_ｎ１−Ｙ_１
〔式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ_１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ_１は下記一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ_１は同一でも異なっていてもよい。また、一般式（１）で表される化合物は、分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。〕

〔式中、Ｘは、Ｎ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ_１〜Ｅ_８は、Ｃ（Ｒ_１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１は各々水素原子、置換基または一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。＊は一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。Ｙ_２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ_３及びＹ_４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。〕
４．前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする第３項に記載の透明電極の製造方法。

〔式中、Ｙ_５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ_５１〜Ｅ_６６は、各々Ｃ（Ｒ_３）または窒素原子を表し、Ｒ_３は水素原子または置換基を表す。Ｙ_６〜Ｙ_９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ_６及びＹ_７の少なくとも一方と、Ｙ_８及びＹ_９の少なくとも一方は、各々窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は各々０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕
５．前記一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする第４項に記載の透明電極の製造方法。

〔式中、Ｙ_５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ_５１〜Ｅ_６６、Ｅ_７１〜Ｅ_８８は、各々Ｃ（Ｒ_３）または窒素原子を表し、Ｒ_３は水素原子または置換基を表す。また、Ｅ_７１〜Ｅ_７９の少なくとも１つ、及びＥ_８０〜Ｅ_８８の少なくとも１つは窒素原子を表す。ｎ３及びｎ４は各々０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕

６．前記電極層の膜厚を、４〜９ｎｍの範囲内とすることを特徴とする第１項から第５項のいずれか一項に記載の透明電極の製造方法。

本発明の上記手段により、透明電極における導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることができ、かつ湿式塗布方式を適用して生産適性（生産コスト及び生産性）に優れた透明電極の製造方法を提供することができる。

本発明で規定する構成により、上記問題を解決することができたのは、以下の理由によるものと推測している。

本発明の透明電極の製造方法は、基材上に、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物を用いて構成された下地層の上部に、特定の構造を有する銀原子を有する化合物を含有する溶液を用い、湿式塗布方式により塗設ことにより得られる電極層を形成する方法である。このように、湿式塗布方式を用いて下地層の上部に電極層を成膜する際に、電極層を構成する塗布液が含有する銀原子が、下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、下地層面における銀原子を有する化合物の凝集が抑制される。その結果、極めて薄い膜厚でありながらも、液寄り、モトルや凝集の発生が抑制された均一な膜厚の電極層を形成することができる。この様な特性を備えた透明電極とすることにより、より薄い膜厚であるため、高い光透過率を有すると共に、優れた導電性を確保することができる。

また、本発明の透明電極の作製方法は、上記のように、湿式塗布方式を適用して電極層を形成することを特徴とするものであり、従来のような大型設備が必要とされる真空蒸着法による薄膜形成方式に対し、設備投資費用を極めて低く抑えることができ、加えて、透明電極作製時の製造条件の許容幅が真空蒸着法に比較して広く、電極層等の形成プロセスに要する時間が短時間であり、更には、基材としてフレキシブルなフィルム材料、例えば、樹脂フィルムや、薄膜ガラスフィルム等を用いた場合、ロール・トゥ・ロールのプロセスへの適用が容易あること等、工業的に、製造コストの低減と生産効率の向上を達成でき、より大量生産に適性を備えている、といった利点を有している。

本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図本発明の透明電極を適用した有機電界発光素子の一例を示す概略断面図本発明の透明電極を適用した有機電界発光素子の他の一例を示す概略断面図本発明の透明電極を適用した有機電界発光素子の他の一例を示す概略断面図本発明の透明電極を備えた有機電界発光素子を用いて、発光面を大面積化した照明装置の一例を示す概略断面図実施例にて作製した有機電界発光素子の構成を説明する概略断面図

本発明の透明電極の製造方法は、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物Ａを用いて下地層を形成し、該下地層上に特定の構造を有する銀原子を含む銀錯体化合物Ｂを含有する溶液を用い、湿式塗布方式で電極層を形成し、シート抵抗値が３０Ω／□以下の透明電極を製造することを特徴とし、透明電極における導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることができる。この特徴は、請求項１から請求項６に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、前記窒素原子を含む化合物Ａが、ピリジン環を有する化合物であることが好ましい。また、前記窒素原子を含む化合物Ａが、前記一般式（１）で表される化合物であること、前記一般式（１）で表される化合物が、前記一般式（２）で表される化合物であること、更には、前記一般式（２）で表される化合物が、前記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。また、前記電極層の膜厚が、４〜９ｎｍの範囲内であることが好ましい態様である。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本発明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

以下、本発明の透明電極の構成とその製造方法、透明電極の用途等の詳細について、図を交えて説明する。

《透明電極》
［透明電極の構成］
図１は、本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図である。

図１に示すように、本発明の透明電極１は、基材１１上に、下地層１ａと、この上部に湿式塗布方式により成膜された電極層１ｂとを積層した２層構造であり、例えば、基材１１の上部に、下地層１ａ、電極層１ｂの順に設けられている。このうち下地層１ａは、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物Ａを用いて形成された構成された層であり、電極層１ｂは、特定の構造を有する銀原子を含む化合物Ｂを含有する溶液を湿式塗布方式により形成された層である。

次に、このような積層構造の透明電極１の形成に用いる基材１１、透明電極１を構成する下地層１ａ、電極層１ｂの詳細な構成について説明する。尚、本発明の透明電極１でいう透明とは、波長５５０ｎｍで測定した時の光透過率が５０％以上であることをいう。

〔基材〕
本発明の透明電極１の形成に用いることのできる基材１１としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材１１は透明であっても不透明であってもよい。本発明の透明電極１が、基材１１側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材１１は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基材１１としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、下地層１ａとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施す方法、あるいは無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜を形成する方法等が適用される。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名、三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物から構成される被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。また、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスの劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに、当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

一方、基材１１が不透明なものである場合、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。

〔下地層〕
本発明に係る下地層１ａは、窒素原子を含む化合物Ａを用いて形成された層である。このような下地層１ａが、基材１１上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、特に制限はなく、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などの湿式塗布方式（ウェットプロセル）を用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法（エレクトロンビーム法）など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。

下地層１ａを構成する窒素原子を含んだ化合物Ａは、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であることを特徴とする。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、例えば、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等の各基が挙げられる。

また、本発明においては、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物として特に好ましいのは、下記一般式（１）〜（３）で表される化合物である。

以下に、本発明に好適に用いることのできる一般式（１）〜（３）で表される化合物の詳細について説明する。

（一般式（１）で表される化合物）
一般式（１）
（Ａｒ_１）_ｎ１−Ｙ_１
上記一般式（１）において、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ_１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ_１は下記一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ_１は同一でも異なっていてもよい。また、一般式（１）で表される化合物は、分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基の例としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）において、Ｙ_１で表されるｎ１価の連結基としては、具体的には、２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ_１で表される２価の連結基としては、例えば、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基等）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、１−メチルビニレン基、１−メチルプロペニレン基、２−メチルプロペニレン基、１−メチルペンテニレン基、３−メチルペンテニレン基、１−エチルビニレン基、１−エチルプロペニレン基、１−エチルブテニレン基、３−エチルブテニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、１−プロピニレン基、１−ブチニレン基、１−ペンチニレン基、１−ヘキシニレン基、２−ブチニレン基、２−ペンチニレン基、１−メチルエチニレン基、３−メチル−１−プロピニレン基、３−メチル−１−ブチニレン基等）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等）、ヘテロアリーレン基（例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す。）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等）、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等（ここで、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはＮ、Ｏ及びＳから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す。）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等）が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ_１で表される３価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ_１で表される４価の連結基としては、上記の３価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、１，３−プロパンジイル−２−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。

なお、上記の２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基は、各々さらに、一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基を有していてもよい。

一般式（１）で表される化合物の好ましい態様としては、Ｙ_１が３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環が好ましい。また、ｎ１が２以上であることが好ましい。

さらに、一般式（１）で表される化合物は、分子内に上記の３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

また、Ｙ_１がｎ１価の連結基を表す場合、一般式（１）で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Ｙ_１は非共役であることが好ましく、さらに、Ｔｇ（ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう）を向上させる点から、芳香環（芳香族炭化水素環＋芳香族複素環）で構成されていることが好ましい。ここでいう非共役とは、連結基が単結合（一重結合ともいう）と二重結合の繰り返しによって表記できないか、または連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。

（一般式（Ａ）で表される基）
上記一般式（１）において、Ａｒ_１は下記一般式（Ａ）で表される基を表す。

上記一般式（Ａ）において、Ｘは、Ｎ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ_１〜Ｅ_８は、Ｃ（Ｒ_１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１は各々水素原子、置換基または一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。＊は一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。Ｙ_２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ_３及びＹ_４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。

ここで、一般式（Ａ）のＸで表されるＮ（Ｒ）またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）、Ｅ_１〜Ｅ_８で表されるＣ（Ｒ_１）において、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１で各々表される置換基は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基と同義である。

また、一般式（Ａ）において、Ｙ_２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ_１で表される２価の連結基と同義である。

さらに、一般式（Ａ）において、Ｙ_３及びＹ_４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる５員または６員の芳香族環としては、例えば、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

さらに、Ｙ_３及びＹ_４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

〈Ｙ_３で表される基の好ましい態様〉
上記一般式（Ａ）において、Ｙ_３で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。

〈Ｙ_４で表される基の好ましい態様〉
上記一般式（Ａ）において、Ｙ_４で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子と含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Ｙ_４がピリジン環から導出される基であることである。

〈一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様〉
上記一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様としては、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）または（Ａ−４）のいずれかで表される基が挙げられる。

上記一般式（Ａ−１）において、ＸはＮ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ_１〜Ｅ_８は、各々Ｃ（Ｒ_１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１は各々水素原子、置換基または前記一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。Ｙ_２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ_１１〜Ｅ_２０は、各々Ｃ（Ｒ_２）または窒素原子を表し、Ｅ_１１〜Ｅ_２０の少なくとも１つは窒素原子を表す。Ｒ_２は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、Ｅ_１１及びＥ_１２の少なくとも１つは、Ｃ（Ｒ_２）を表し、Ｒ_２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−２）において、ＸはＮ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ_１〜Ｅ_８は、各々Ｃ（Ｒ_１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１は各々水素原子、置換基または前記一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。Ｙ_２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ_２１〜Ｅ_２５は、各々Ｃ（Ｒ_２）または窒素原子を表し、Ｅ_２６〜Ｅ_３０は各々Ｃ（Ｒ_２）、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ_３）（Ｒ_４）を表し、Ｅ_２１〜Ｅ_３０の少なくとも１つは窒素原子を表す。Ｒ_２は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、Ｅ_１１及びＥ_１２の少なくとも１つは、Ｃ（Ｒ_２）を表し、Ｒ_２は連結部位を表し、Ｒ_３及びＲ_４は各々水素原子または置換基を表す。ただし、Ｅ_２１及びＥ_２２の少なくとも１つはＣ（Ｒ_２）を表し、Ｒ_２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−３）において、ＸはＮ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ_１〜Ｅ_８は各々Ｃ（Ｒ_１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１は各々水素原子、置換基または一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。Ｙ_２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ_３１〜Ｅ_３５は各々Ｃ（Ｒ_２）、窒素原子、酸素原子、硫黄元素またはＳｉ（Ｒ_３）（Ｒ_４）を表し、Ｅ_３６〜Ｅ_４０は各々Ｃ（Ｒ_２）または窒素原子を表し、Ｅ_３１〜Ｅ_４０の少なくとも１つは窒素原子を表す。Ｒ_２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ_３及びＲ_４は各々水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ_３２及びＥ_３３の少なくとも１つはＣ（Ｒ_２）を表し、Ｒ_２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。

上記一般式（Ａ−４）において、ＸはＮ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ_１〜Ｅ_８は各々Ｃ（Ｒ_１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１は各々水素原子、置換基または一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。Ｙ_２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ_４１〜Ｅ_５０は各々Ｃ（Ｒ_２）、窒素原子、酸素原子、硫黄元素またはＳｉ（Ｒ_３）（Ｒ_４）を表し、少なくとも１つは窒素原子を表す。Ｒ_２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ_３及びＲ_４は各々水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ_４２及びＥ_４３の少なくとも１つはＣ（Ｒ_２）を表し、Ｒ_２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）におけるＹ_１との連結部位を表す。

以下、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）のいずれかで表される基について、更に説明する。

前記一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基で、Ｘで表されるＮ（Ｒ）またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）、及びＥ_１〜Ｅ_８で表されるＣ（Ｒ_１）において、Ｒ、Ｒ′及びＲ_１で各々表される置換基は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基と同義である。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基において、Ｙ_２で表される２価の連結基としては、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される２価の連結基と同義である。

一般式（Ａ−１）におけるＥ_１１〜Ｅ_２０、一般式（Ａ−２）におけるＥ_２１〜Ｅ_３０、一般式（Ａ−３）におけるＥ_３１〜Ｅ_４０、一般式（Ａ−４）におけるＥ_４１〜Ｅ_５０において、各々表されるＣ（Ｒ_２）のＲ_２で表される置換基は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基と同義である。

次に、本発明に係る一般式（１）で表される化合物のさらに好ましい態様について説明する。

（一般式（２）で表される化合物）
本発明では、前記一般式（１）で表される化合物の中でも、下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（２）で表される化合物について説明する。

上記一般式（２）において、Ｙ_５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ_５１〜Ｅ_６６は、各々Ｃ（Ｒ_３）または窒素原子を表し、Ｒ_３は水素原子または置換基を表す。Ｙ_６〜Ｙ_９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ_６及びＹ_７の少なくとも一方と、Ｙ_８及びＹ_９の少なくとも一方は、各々窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は各々０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

上記一般式（２）において、Ｙ_５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。

Ｙ_５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中で、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

上記一般式（２）で、Ｅ_５１〜Ｅ_６６で各々表されるＣ（Ｒ_３）において、Ｒ_３で表される置換基は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基と同義である。

上記一般式（２）において、Ｅ_５１〜Ｅ_６６で各々表される基としては、Ｅ_５１〜Ｅ_５８のうちの６つ以上及びＥ_５９〜Ｅ_６６のうちの６つ以上が、各々Ｃ（Ｒ_３）で表されることが好ましい。

上記一般式（２）において、Ｙ_６〜Ｙ_９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表すが、芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

さらに、前記芳香族炭化水素環は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基を有してもよい。

一般式（２）におけるＹ_６〜Ｙ_９において、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基を有してもよい。

上記一般式（２）において、Ｙ_６及びＹ_７の少なくとも一方と、Ｙ_８及びＹ_９の少なくとも一方で表される窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる窒素原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、イン
ドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つが、更に窒素原子で置換されている環を示す。）等が挙げられる。

上記一般式（２）において、Ｙ_７及びＹ_９で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。

また、一般式（２）において、Ｙ_６及びＹ_８で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。

（一般式（３）で表される化合物）
本発明では、上記説明した一般式（２）で表される化合物の中でも、さらに下記一般式（３）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。

上記一般式（３）において、Ｙ_５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ_５１〜Ｅ_６６、Ｅ_７１〜Ｅ_８８は、各々Ｃ（Ｒ_３）または窒素原子を表し、Ｒ_３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ_７１〜Ｅ_７９の少なくとも１つ及びＥ_８０〜Ｅ_８８の少なくとも１つは窒素原子を表す。ｎ３及びｎ４は各々０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

上記一般式（３）において、Ｙ_５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ_１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。

Ｙ_５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基で、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

上記一般式（３）におけるＥ_５１〜Ｅ_６６、Ｅ_７１〜Ｅ_８８で各々表されるＣ（Ｒ_３）において、Ｒ_３で表される置換基としては、一般式（１）において、Ｙ_１で表される置換基と同義である。

一般式（３）において、Ｅ_５１〜Ｅ_５８のうちの６つ以上及びＥ_５９〜Ｅ_６６のうちの６つ以上は、各々Ｃ（Ｒ_３）で表されることが好ましい。

一般式（３）において、Ｅ_７５〜Ｅ_７９の少なくとも１つまたはＥ_８４〜Ｅ_８８の少なくとも１つは、窒素原子であることが好ましい。

更には、一般式（３）において、Ｅ_７５〜Ｅ_７９の少なくとも１つ及びＥ_８４〜Ｅ_８８の少なくとも１つは、各々窒素原子であることが好ましい。

また、一般式（３）において、Ｅ_７１〜Ｅ_７４及びＥ_８０〜Ｅ_８３が、各々Ｃ（Ｒ_３）で表されることが好ましい態様として挙げられる。

更に、一般式（２）または一般式（３）で表される化合物において、Ｅ_５３がＣ（Ｒ_３）で表され、かつＲ_３が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ_６１も同時にＣ（Ｒ_３）で表され、かつＲ_３が連結部位を表すことが好ましい。

更に、Ｅ_７５及びＥ_８４が各々窒素原子であることが好ましく、Ｅ_７１〜Ｅ_７４及びＥ_８０〜Ｅ_８３が、各々Ｃ（Ｒ_３）で表されることが好ましい。

（一般式（１）、（２）及び（３）で表される化合物の具体例）
以下に、本発明に係る一般式（１）、（２）及び（３）で表される化合物の合成例の一例として、例示化合物５の合成例を示す。

〈例示化合物５の合成〉
下記の合成フローに従って、例示化合物５を合成した。

工程１：中間体１の合成
窒素雰囲気下、３，６−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中に混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。

工程２：中間体２の合成
室温、大気下で、中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。

工程３：化合物５の合成
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η_６−Ｃ_６Ｈ_６）ＲｕＣｌ_２］_２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。濾液は減圧下に溶媒を留去し（８００Ｐａ、８０℃）、（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ_２Ｃｌ_２：Ｅｔ_３Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。

各フラクションを集めて溶媒を減圧下で留去した後、残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄後した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧下に留去して、化合物５を収率６８％で得た。

次いで、本発明に係る一般式（１）、（２）及び（３）で表される化合物の具体例（例示化合物１〜１１２）を示すが、本発明はこれらに限定されない。

〔電極層〕
本発明に係る電極層１ｂは、下地層上に銀原子を含む化合物Ｂを含有する溶液を用い、湿式塗布方式で形成されることを特徴とする。

本発明に係る電極層の形成に用いられる銀原子を含む化合物Ｂとしては、２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体及び２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする。

（銀原子を含む化合物Ｂ）
本発明に適用可能な銀錯体化合物の好ましい一例として、下記一般式（４）で表される銀化合物と、一般式（５）のアンモニウムカルバメート系化合物、一般式（６）のアンモニウムカーボネート系化合物、一般式（７）のアンモニウムバイカーボネート系化合物またはこれらの混合物とを反応させて得られる銀錯体化合物が挙げられる。

一般式（４）
Ａｇ_ｎＸ
上記一般式（４）において、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアネート基（シアナート基ともいう）、カーボネート基（カルボナート基ともいう）、ニトレート基（ニトラート基ともいう）、ニトライト基（ニトリット基ともいう）、サルフェート基（サルファート基ともいう）、ホスフェート基（ホスファート基ともいう）、チオシアネート基（チオシアナート基ともいう）、クロレート基（クロラート基ともいう）、パークロレート基（パークロラート基ともいう）、テトラフロロボレート基（テトラフロロボラート基ともいう）、アセチルアセトネート基（アセチルアセトナート基ともいう）、カルボキシレート基（カルボキシラート基ともいう）及びこれらの誘導体から選ばれる置換基を表す。ｎは、１〜４の整数である。

上記一般式（５）〜（７）において、Ｒ^１〜Ｒ^６は、互いに独立して、水素原子、置換若しくは非置換の、炭素数が１〜３０の範囲内にある脂肪族アルキル基、脂環族アルキル基、アリール基またはアラルキル基、複素環化合物基、または高分子化合物基を表す。Ｒ^１とＲ^２またはＲ^４とＲ^５は、互いに独立して、ヘテロ原子が含まれるか含まれないアルキレンで連結されて環を形成することができる。

上記一般式（４）で表される化合物を具体的に挙げると、酸化銀、チオシアナート化銀、シアン化銀、シアナート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、燐酸銀、過塩素酸化銀、四フッ素ボラート化銀、アセチルアセトナート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀、及びこれらの誘導体などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、上記一般式（５）〜（７）において、Ｒ^１〜Ｒ^６は、具体的には、例えば、水素原子や、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリール、ヒドロキシ、メトキシ、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジルの各基及びその誘導体、そしてポリアリルアミンやポリエチレンアミンのような高分子化合物及びこれらの誘導体から選択できるが、これらに限定されるものではない。

前記一般式（５）で表されるアンモニウムカルバメート系化合物の具体例としては、例えば、アンモニウムカルバメート（ａｍｍｏｎｉｕｍｃａｒｂａｍａｔｅ）、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２―メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメート、及びこれらの誘導体からなる群から選ばれた１種または２種以上の混合物が挙げられる。

また、前記一般式（６）で表されるのアンモニウムカーボネート系化合物の具体例としては、例えば、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネート、及びこれらの誘導体から選択される１種または２種以上の混合物が挙げられる。

また、前記一般式（７）で表されるアンモニウムバイカーボネート系化合物の具体例としては、例えば、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、イソプロピルアンモニウムバイカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムバイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムバイカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムバイカーボネート、ピリジニウムバイカーボネート、トリエチレンジアミニウムバイカーボネート、及びこれらの誘導体から選択される１種または２種以上の混合物が含まれる。

一方、上記のアンモニウムカルバメート系化合物、アンモニウムカーボネート系化合物またはアンモニウムバイカーボネート系化合物の種類及び製造方法は、特に制限する必要はない。例えば、米国特許第４，５４２，２１４号明細書（１９８５．９．１７）では、第１アミン、第２アミン、第３アミンまたは少なくとも一つ以上のこれらの混合物と二酸化炭素からアンモニウムカルバメート系化合物を製造することができると記述しており、前記アミン１モル当たり水０．５モルをさらに添加すると、アンモニウムカーボネート系化合物が得られ、水１モル以上を添加する場合は、アンモニウムバイカーボネート系化合物が得られる。この際、常圧または加圧状態で、特別な溶媒無しに製造することができるが、溶媒を使用する場合、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素系、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒、またはこれらの混合溶媒などが挙げられ、二酸化炭素は、気相状態でバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）するか、固相ドライアイスを使用することができ、超臨界（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ）状態でも反応できる。本発明で使用されるアンモニウムカルバメート系、アンモニウムカーボネート系またはアンモニウムバイカーボネート系誘導体の製造には、前記の方法の他にも、最終物質の構造が同じであれば、公知のいかなる方法を使用してもよい。即ち、製造のための溶媒、反応温度、濃度または触媒などを特に限定する必要はなく、製造収率にも影響しない。

このように製造されたアンモニウムカルバメート系化合物、アンモニウムカーボネート系化合物またはアンモニウムバイカーボネート系化合物と、銀化合物とを反応させて有機銀錯体化合物または銀錯体混合物を製造することができる。

例えば、一般式（４）に示したような、少なくとも一つ以上の銀化合物と、一般式（５）〜（７）に示したような化合物またはこれらの混合物とを、窒素雰囲気下で、常圧または加圧状態で、溶媒無しに直接反応させることができる。また、溶媒を使用する場合には、溶媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒、またはこれらの混合溶媒などを使用することができる。

（銀錯体化合物の合成例）
以下に、本発明に係る銀原子を含む化合物Ｂの代表例である銀錯体化合物の代表的な合成例を示す。

〈銀錯体化合物（１）の合成：２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀と２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメートとを反応させて、銀錯体化合物（１）として、２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメートの３．２５ｇ（１０．７５ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加して常温で反応させた。反応溶液は、最初は黒色懸濁液で反応が進行し、銀錯体化合物が生成されるにつれて色が薄くなり、透明な色に変わることが観察されて、２時間反応した結果、無色の透明な溶液に変わった。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用して濾過し、未反応の酸化銀を除去した後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られる。これをエチルアセテートで再結晶して乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（１）として、２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体が、４．２２ｇ（収率：９９．４％）得られた。得られた銀錯体化合物（１）の融点は５７〜５８℃であって、熱質量分析の結果、銀含量は２２．０質量％であった。

〈銀錯体化合物（２）の合成：ｎ−プロピルアンモニウム−ｎ−プロピルカルバメート銀錯体の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀とｎ−プロピルアンモニウムｎ−プロピルカルバメートとを反応させて、銀錯体化合物（２）として、ｎ−プロピルアンモニウム−ｎ−プロピルカルバメート銀錯体を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、ｎ−プロピルアンモニウム−ｎ−プロピルカルバメートの１．７４ｇ（１０．７５ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加して、常温で２時間攪拌して反応させた結果、上記と同様な反応によって無色の透明な銀錯体化合物溶液が得られた。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタした後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られるが、これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（２）として、ｎ−プロピルアンモニウム−ｎ−プロピルカルバメート銀錯体が、２．４２ｇ（収率：８８．３％）得られた。熱質量分析の結果、１３０℃以下で大部分の分解が完了して銀金属が残留し、銀含量は３８．４質量％であった。

〈銀錯体化合物（３）の合成：イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート銀錯体の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀とイソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメートとを反応させて、銀錯体化合物（３）として、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート銀錯体を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメートの１．６０ｇ（１０．７５ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加して常温で反応させた。この反応溶液は、最初は黒色懸濁液で反応が進行され、銀錯体化合物が生成されるにつれて色が薄くなり、透明に変わることが観察されて、２時間攪拌して反応させた結果、無色の透明な溶液が得られた。

この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタした後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られ、これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（３）として、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート銀錯体が２．４８ｇ（収率：９５．５％）得られた。熱質量分析の結果、１３０℃以下で大部分の分解が完了して銀金属が残留し、銀含量は３７．２質量％であった。

〈銀錯体化合物（４）の合成：ｎ−ブチルアンモニウム−ｎ−ブチルカルバメート銀錯体の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀とｎ−ブチルアンモニウム−ｎ−ブチルカルバメートとを反応させて、銀錯体化合物（４）として、ｎ−ブチルアンモニウム−ｎ−ブチルカルバメート銀錯体を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、ｎ−ブチルアンモニウム−ｎ−ブチルカルバメートの２．０４ｇ（１０．７５ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加して常温で反応させた。この反応溶液は、最初は黒色懸濁液で反応が進行され、銀錯体化合物が生成されるにつれて色が薄くなり、透明に変わることが観察され、２時間攪拌して反応させた結果、無色の透明な溶液が得られた。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタした後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られた。これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（４）として、ｎ−ブチルアンモニウム−ｎ−ブチルカルバメート銀錯体が２．７９ｇ（収率：９２．０％）得られた。熱質量分析の結果、１３０℃以下で大部分の分解が完了され、銀金属が残り、銀含量は３３．２質量％であった。

〈銀錯体化合物（５）の合成：２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀と２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネートとを反応させて、銀錯体化合物（５）として、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ首フラスコに、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネートの３．７２ｇ（１１．６１ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加した。この反応溶液は、黒色懸濁液で反応が進行されるにつれて、だんだん透明な色に変わることが観察されて、２時間が経った後には、完全に無色の透明な溶液に変わった。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタし、未反応の酸化銀粒子を除去して、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られ、これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（５）として、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体が４．０２ｇ（収率：８５．２％）が得られた。この銀錯体化合物（５）の融点は５５〜５７℃で、熱質量分析結果、銀含量は２１．４３質量％であった。

〈銀錯体化合物（６）の合成：イソプロピルアンモニウムカーボネート銀錯体（１）の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀とイソプロピルアンモニウムカーボネートとを反応させて、銀錯体化合物（６）として、イソプロピルアンモニウムカーボネート銀錯体（１）を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、イソプロピルアンモニウムカーボネートの２．０１ｇ（１１．１８ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加した。この反応溶液は、黒色懸濁液で反応が進行されるにつれて、だんだん透明な色に変わることが観察されて、２時間が経った後には、完全に無色の透明な溶液に変化した。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタした後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られ、これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（６）として、イソプロピルアンモニウムカーボネート銀錯体（１）が２．４１ｇ（収率：８０．２％）得られた。熱質量分析の結果、１３０℃以下で銀金属が残り、銀含量は、３８．６質量％であった。

〈銀錯体化合物（７）の合成：イソプロピルアンモニウムカーボネート銀錯体（２）の合成〉
下記の方法に従って、炭酸銀とイソプロピルアンモニウムカーボネートとを反応させて、銀錯体化合物（７）として、イソプロピルアンモニウムカーボネート銀錯体（２）を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、イソプロピルアンモニウムカーボネートの２．０７ｇ（１１．５２ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、炭酸銀を１．０ｇ（３．６０ミリモル）添加した。この反応溶液は、黄色懸濁液で反応が進行されるにつれて、だんだん透明な色に変わることが観察されて、６時間が経った後には、完全に無色の透明な溶液に変化した。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタした後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られるが、これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化合物（７）として、イソプロピルアンモニウムカーボネート銀錯体（２）が２．４２ｇ（収率：７８．８％）得られた。熱質量分析の結果、１３０℃以下で銀金属が残って、銀含量は３２．２３質量％であった。

〈銀錯体化合物（８）の合成：２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体の合成〉
下記の方法に従って、酸化銀と２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネートとを反応させて、銀錯体化合物（８）として、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体を合成した。

攪拌器付き５０ｍｌの三つ口フラスコに、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネートの４．８６ｇ（２５．３７ミリモル）を、１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀を１．０ｇ（４．３１ミリモル）添加した。この反応溶液は、黒色懸濁液で反応が進行されるにつれて、だんだん透明な色に変わることが観察されて、２時間が経った後には、完全に無色の透明な溶液に変化した。この溶液を０．４５ミクロンのメンブランフィルタを使用してフィルタした後、真空下で溶媒を全て除去すると、白色の固体が得られるが、これを乾燥した後、質量を測定した結果、銀錯体化物（８）として、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体が４．３３ｇ（収率：７３．９％）得られた。前記銀錯体化合物の融点は５６〜５７℃であって、熱質量分析の結果、銀含量は２１．４８質量％であった。

本発明に係る銀錯体化合物としては、上記で示した合成法で得られる化合物に限定されるものではなく、他の銀錯体化合物の例として、例えば、特開平９−２３５２８７号公報や、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４（３），ｐｐ１４１９-１４２１に記載の化合物等を挙げることができる。

本発明に係る銀原子を含む化合物Ｂ、例えば、上記説明した銀錯体化合物を、下地層上に湿式塗布方式により塗布するのに用いる溶液（以下、電極層形成用塗布液ともいう。）を調製する際には、塗布液の粘度調節や円滑な薄膜形成のために、溶媒が必要な場合があるが、この際に使用できる溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−メトキシプロパノール、ブタノール、エチルヘキシルアルコール、テルピネオールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、メトキシプロピルアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテートのようなアセテート類、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリドンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタン、ドデカン、パラフィンオイル、ミネラルスピリットのような炭化水素系、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素系、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、またはこれらの混合溶媒などを挙げることができる。

本発明の透明電極を形成する際には、本発明に係る電極層１ｂは、下地層１ａ上に湿式塗布方式を用いて成膜されるが、電極層は成膜後に高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することができることを特徴とするが、必要に応じて、８０〜１５０℃程度の比較的低温でのアニール処理等を行うことが好ましい。アニール処理の時間に特に限定は無いが、例えば、１〜３０分間程度の処理が好ましい。アニールの方法としては、ホットプレート、温風処理、赤外線照射方式、輻射熱方式等が挙げられる。リジッドガラス等を基材に用いる場合には、どのようなアニール方法を用いても結果として大きな差は生じないが、樹脂フィルム等のフレキシブル基材を用いる場合は、温風処理、赤外線照射方式、輻射熱方式等の非接触方式が好ましい。

前記導電性付与のための電極層のコーティング方法は、湿式塗布方法であれば特に制限はなく、電極層形成用塗布液の物性によって、それぞれスピンコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、フロー（ｆｌｏｗ）コーティング、ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒｂｌａｄｅ）とディスペンシング、インクジェットプリンティング、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、パッド（ｐａｄ）プリンティング、グラビアプリンティング、フレキソプリンティング、ステンシルプリンティング、インプリンティング（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）、ゼログラフィー（ｘｅｒｏｇｒａｐｈｙ）、リソグラフィーなどを選択して使用することができ、特に好ましいし湿式塗布方式としては、スピンコーティング、スプレーコーティング、インクジェットプリンティング方式を挙げることができる。

本発明に係る電極層１ｂは、膜厚が４〜９ｎｍの範囲にあることが好ましい。膜厚が９ｎｍ以下であれば、層の吸収成分または反射成分が少なく、透明電極の透過率を高く維持できる観点から好ましい。また、膜厚が４ｎｍ以上であれば、電極層の導電性が十分となり好ましい。

上記の膜厚は、上記塗布方式毎に、その塗布方式に適した銀原子を含有する化合物の塗布液濃度と塗布時のウェット膜厚を適宜設定することにより、所望の膜厚を有する電極層を得ることができる。

下地層１ａとこの上部に成膜された電極層１ｂとからなる積層構造の透明電極１は、電極層１ｂの上部が更に保護膜で覆われている構成、あるいは他の導電性層が積層されている構成であってもよい。この場合、透明電極１の光透過性を損なうことのないように、保護膜や導電性層が、共に光透過性を有することが好ましい。また、下地層１ａの下部、すなわち下地層１ａと基材１１との間にも、必要に応じて、他の層を設けた構成としても良い。

〔透明電極の特性〕
以上のような構成からなる本発明の透明電極１は、窒素原子を含んだ化合物Ａを用いて構成された下地層１ａ上に、銀原子を有する化合物Ｂを含有する溶液を湿式塗布方式を用いて塗布することにより得られる電極層１ｂを設けた構成である。これにより、下地層１ａの上部に電極層１ｂを成膜する際には、電極層１ｂを構成する銀原子が下地層１ａを構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の下地層１ａ表面において銀原子を含有する化合物の凝集が抑えられる。

ここで、一般的に銀を主成分とした電極層１ｂの塗布成膜においては、銀粒子が島状にモトル等を形成して孤立し易く、膜厚が薄いときは均一の導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。したがって、そのような場合には、導電性を確保するには膜厚を厚くする必要があるが、膜厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。

しかしながら、本発明で規定する構成からなる透明電極１によれば、上述したように下地層１ａ上に塗設した際に銀の凝集が抑えられるため、銀を主成分とした電極層１ｂの成膜において、前述の銀粒子を用いた場合のように、島状に孤立する状態が起こりにくく、安定して均一な電極層塗膜を得ることができ、導電性の観点で有利となる。

また、本発明の透明電極１でいう透明とは、前述のように波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいうが、下地層１ａとして用いられる上述した各材料は、銀粒子を主成分とした電極層に比較して、散乱が生じにくく、溶解状態で銀成分が存在しているため、十分な光透過性を備えた膜を得ることができる。

一方、透明電極１の導電性は主に電極層１ｂによって確保される。したがって上述のように、銀を主成分とした化合物により電極層１ｂを形成するため、より薄い膜厚で導電性を確保することができ、透明電極１における導電性の向上と光透過性の向上の両立を図ることが可能になるのである。

《透明電極の用途》
上述した構成の本発明の透明電極１は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機電界発光素子、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、上述の透明電極１を用いることができる。

以下、用途の一例として、透明電極を用いた有機電界発光素子の実施の形態を説明する。

［透明電極の有機電界発光素子への適用］
〔有機電界発光素子の第１例〕
（有機電界発光素子の構成）
図２は、本発明の有機電界発光素子の一例として、上述した透明電極１を用いた有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）の第１例を示す概略断面図である。以下、図２に基づいて、有機電界発光素子１００の構成を説明する。

図２に示す有機電界発光素子１００は、透明基板１３上に設けられており、透明基板１３側から順に、透明電極１、有機材料等を用いて構成された発光機能層３、及び対向電極５ａをこの順に積層して構成されている。この有機電界発光素子１００においては、透明電極１としては、本発明の下地層１ａと電極層１ｂから構成される透明電極１を用いているところが特徴的である。

このため、有機電界発光素子１００では、発生させた光（以下、発光光ｈと記す）を、少なくとも透明基板１３側から取り出すように構成されている。

また、有機電界発光素子１００の層構造は、限定されることはなく、一般的な層構造であって良い。ここでは、透明電極１がアノード（すなわち陽極）として機能し、対向電極５ａがカソード（すなわち陰極）として機能することとする。この場合、例えば、発光機能層３は、アノードである透明電極１側から正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄ／電子注入層３ｅの順で積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。正孔注入層３ａ及び正孔輸送層３ｂは、正孔輸送／注入層とした単一層とし設けられてもよい。同じく、電子輸送層３ｄ及び電子注入層３ｅは、電子輸送／注入層とした単一層として設けられていてもよい。またこれらの発光機能層３のうち、例えば、電子注入層３ｅは無機材料で構成されている場合もある。

また、発光機能層３としては、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに発光層３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を複数層有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させた構造としても良い。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。さらにカソードである対向電極５ａも、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、透明電極１と対向電極５ａとで発光機能層３が挟持された部分のみが、有機電界発光素子１００における発光領域となる。

また、上記のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１の電極層１ｂに接して補助電極１５が設けられていても良い。

以上のような構成の有機電界発光素子１００は、有機材料等を用いて構成された発光機能層３の劣化を防止することを目的として、透明基板１３上に、後述する封止材１７で封止されている。この封止材１７は、接着剤１９を介して透明基板１３側に固定されている。ただし、透明電極１及び対向電極５ａの端子部分は、透明基板１３上において発光機能層３によって互いに絶縁性を保った状態で封止材１７から露出させた状態で設けられていることとする。

以下、上述した有機電界発光素子１００を構成するための主要各層の詳細を、透明基板１３、透明電極１、対向電極５ａ、発光機能層３の発光層３ｃ、発光機能層３の他の層、補助電極１５、及び封止材１７の順に説明する。その後、有機電界発光素子の作製方法について説明する。

（透明基板１３）
透明基板１３は、先に説明した本発明の透明電極１が設けられる基材（図１における１１）であり、先に図１にて説明した基材１１のうち、光透過性を有する透明な基材１１が用いられる。

（透明電極１：アノード）
透明電極１は、先に説明した本発明の透明電極１であり、透明基板１３側から下地層１ａ及び電極層１ｂの順に成膜した構成である。ここでは、特に、透明電極１はアノードとして機能するものであり、電極層１ｂが実質的なアノードとなる。

（対向電極５ａ：カソード）
対向電極５ａは、発光機能層３に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体などが挙げられる。

対向電極５ａは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極５ａとしてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

尚、この有機電界発光素子１００が、対向電極５ａ側からも発光光ｈを取り出すものである場合であれば、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して対向電極５ａを構成すれば良い。

（発光層３ｃ）
本発明に用いられる発光層３ｃは、発光材料として燐光発光化合物が含有されていることが好ましい。

この発光層３ｃは、電極または電子輸送層３ｄから注入された電子と、正孔輸送層３ｂから注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層３ｃの層内であっても発光層３ｃと隣接する層との界面であってもよい。

このような発光層３ｃとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層３ｃ間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。

発光層３ｃの膜厚の総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができる観点から、１〜３０ｎｍの範囲内である。尚、発光層３ｃの膜厚の総和とは、発光層３ｃ間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。

複数の層を積層した構成の発光層３ｃの場合、個々の発光層の膜厚としては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは１〜２０ｎｍの範囲に調整することである。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。

以上のような構成からなる発光層３ｃには、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により製膜して形成することができる。

また、発光層３ｃには、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層３ｃ中に混合して用いてもよい。

発光層３ｃの構成として、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

〈ホスト化合物〉
発光層３ｃに含有されるホスト化合物としては、発光層が発光材料として燐光発光化合物を含有する場合には、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が０．０１未満である。また、発光層３ｃに含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子１００を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（ＤｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌＳｃａｎｎｉｎｇＣｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

以下に、本発明で用いることのできるホスト化合物の具体例（Ｈ１〜Ｈ７９）を示すが、これらに限定されない。なお、ホスト化合物Ｈ６８〜Ｈ７９において、ｘ及びｙはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、ｘ：ｙ＝１：１０などとすることができる。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。

〈発光材料〉
本発明に係る発光層３ｃで用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。

燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

燐光発光性化合物は、一般的な有機電界発光素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、少なくとも一つの発光層３ｃに２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層３ｃにおける燐光発光性化合物の濃度比が発光層３ｃの厚さ方向で変化していてもよい。

燐光発光性化合物は好ましくは発光層３ｃの総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。

発光層３ｃに含まれる発光材料（燐光発光性化合物）としては、下記一般式（８）〜（１０）で表される化合物であることが好ましい。

〈一般式（８）で表される化合物〉
下記一般式（８）で表される燐光発光性化合物（燐光発光性の金属錯体ともいう）は、有機電界発光素子１００の発光層３ｃに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層３ｃ以外の発光機能層に含有されていてもよい。

上記一般式（８）において、Ｐ及びＱは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ_１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ_２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２は２座の配位子を表し、Ｐ_１及びＰ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ_１はＰ_１及びＰ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ_１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（８）において、Ｐ及びＱは、各々炭素原子または窒素原子を表す。

一般式（８）において、Ａ_１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環は、更に前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基を有してもよい。

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一般式（８）において、Ａ_１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上の窒素原子で置き換わったものを示す。

一般式（８）において、Ａ_２がＱ−Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

一般式（８）において、Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２は２座の配位子を表し、Ｐ_１及びＰ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ_１はＰ_１及びＰ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。

Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２で表される２座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

一般式（８）において、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（８）において、Ｍ_１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。

〈一般式（９）で表される化合物〉
上記一般式（８）で表される化合物の中でも、下記一般式（９）で表される化合物であることがさらに好ましい。

上記一般式（９）において、Ｚは、炭化水素環基または複素環基を表す。Ｐ及びＱは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ_１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ_３は−Ｃ（Ｒ_０１）＝Ｃ（Ｒ_０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ_０２）−、−Ｃ（Ｒ_０１）＝Ｎ−または−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ_０１及びＲ_０２は、各々水素原子または置換基を表す。Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２は２座の配位子を表し、Ｐ_１及びＰ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ_１はＰ_１及びＰ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ_１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（９）において、Ｚで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、あるいは前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基を有してもよい。

一般式（９）において、Ｚで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げられる。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

Ｚで表される基は、好ましくは芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。

一般式（９）において、Ａ_１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基を有してもよい。

一般式（９）において、Ａ_１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。

一般式（９）においてＡ_３で表される、−Ｃ（Ｒ_０１）＝Ｃ（Ｒ_０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ_０２）−、−Ｃ（Ｒ_０１）＝Ｎ−において、Ｒ_０１、Ｒ_０２で各々表される置換基は、前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基と同義である。

一般式（９）において、Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２で表される２座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

また、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（９）において、Ｍ_１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）は、一般式（８）において説明したＭ_１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

〈一般式（１０）で表される化合物〉
上記一般式（９）で表される化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式（１０）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（１０）において、Ｒ_０３は置換基を表し、Ｒ_０４は水素原子または置換基を表し、複数のＲ_０４は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０１は１〜４の整数を表す。Ｒ_０５は水素原子または置換基を表し、複数のＲ_０５は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０２は１〜２の整数を表す。Ｒ_０６は水素原子または置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０３は１〜４の整数を表す。Ｚ_１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環もしくは、５員または６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ_２は炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２は２座の配位子を表し、Ｐ_１及びＰ_２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ_１は、Ｐ_１及びＰ_２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ_１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｒ_０３とＲ_０６、Ｒ_０４とＲ_０６及びＲ_０５とＲ_０６は互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１０）において、Ｒ_０３、Ｒ_０４、Ｒ_０５及びＲ_０６で各々表される置換基は、前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基と同義である。

一般式（１０）において、Ｚ_１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。

一般式（１０）において、Ｚ_１がＣ−Ｃと共に形成する５員または６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

一般式（１０）において、Ｚ_２で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ｚ_２で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でもよく、また、前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基を有してもよい。

これらの環は無置換でもよく、さらに、前記一般式（１）において説明したＹ_１で表される置換基を有してもよい。

一般式（１０）において、Ｚ_１及びＺ_２で形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。

一般式（１０）において、Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２で表される２座の配位子としては、前記一般式（８）において、Ｐ_１−Ｌ_１−Ｐ_２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（１０）において、Ｍ_１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、前記一般式（８）において、Ｍ_１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

また、燐光発光性化合物は、有機電界発光素子１００の発光層３ｃに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明に係る燐光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

以下に、本発明に係る燐光発光性化合物の具体例（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ａ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−４５）を示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、ｍ及びｎは繰り返し数を表す。

本発明に適用可能な燐光発光性化合物は、例えば、ＯｒｇａｎｉｃＬｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、ＮｅｗＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、ＥｕｒｏｐｅａｎＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

〈蛍光発光材料〉
本発明においては、発光材料として蛍光発光材料を用いることができる。蛍光発光材料としては、例えば、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

（注入層：電子注入層３ｅ、正孔注入層３ａ）
本発明でいう注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層３ｃとの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）にその詳細が記載されており、正孔注入層３ａと電子注入層３ｅとがある。

注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層３ａであれば、アノードと発光層３ｃまたは正孔輸送層３ｂの間、電子注入層３ｅであればカソードと発光層３ｃまたは電子輸送層３ｄとの間に存在させてもよい。

正孔注入層３ａは、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層の具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。

電子注入層３ｅは、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明の電子注入層３ｅはごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。

（正孔輸送層３ｂ）
正孔輸送層３ｂは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層３ａや電子阻止層も、正孔輸送層３ｂのカテゴリーに含まれる。正孔輸送層３ｂは、単層または複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものでありばよく、有機物あるいは無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記例示した化合物を使用することができるが、その中でも、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（以下、ＴＰＤと略記。）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、ＮＰＤと略記。）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと略記。）等が挙げられる。

さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、あるいはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇｅｔ．ａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層３ｂは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層３ｂの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層３ｂは、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層３ｂの材料に不純物をドープして、ｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層３ｂのｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層３ｄ）
電子輸送層３ｄは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層３ｅ及び正孔阻止層（図示せず）も、電子輸送層３ｄのカテゴリーに含まれる。電子輸送層３ｄは、単層構造または複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層３ｄ、及び積層構造の電子輸送層３ｄにおいて、発光層３ｃに隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層３ｃに伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ_３と略記。）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（以下、Ｚｎｑと略記。）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層３ｄの材料として好ましく用いることができる。また、発光層３ｃの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層３ｄの材料として用いることができるし、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂと同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層３ｄの材料として用いることができる。

電子輸送層３ｄは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層３ｄの膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層３ｄは上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、電子輸送層３ｄに不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。更に、電子輸送層３ｄには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、
例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層３ｄのｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。

また、電子輸送層３ｄの材料（電子輸送性化合物）として、本発明の透明電極に係る下地層１ａを構成する材料と同様のものを用いても良い。これは、電子注入層３ｅを兼ねた電子輸送層３ｄであっても同様であり、上述した下地層１ａを構成する材料と同様のものを用いても良い。すなわち、図４に示すように、電子輸送層３ｄ上に、本発明に係る電極層１ｂを形成する構成である場合には、電子輸送層３ｄが透明電極１を構成する下地層１ａであってもよい。

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられる発光機能層である。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層３ｄの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記説明した電子輸送層３ｄの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層３ｃに隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層３ｂの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記説明した正孔輸送層３ｂの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。正孔阻止層の膜厚としては、概ね３〜１００ｎｍであり、好ましくは５〜３０ｎｍである。

（補助電極１５）
補助電極１５は、本発明の透明電極１の抵抗を下げる目的で設けるものであって、透明電極１の電極層１ｂに接して設けられる。補助電極１５を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面１３ａからの発光光ｈの取り出しに影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極１５の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極１５の線幅は、光を取り出す開口率に影響を与えない観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極１５の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。

（封止材１７）
封止材１７は、有機電界発光素子１００を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって、接着剤１９によって透明基板１３側に固定されるものであっても良く、封止膜であっても良い。このような封止材１７は、有機電界発光素子１００における透明電極１及び対向電極５ａの端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層３を覆う形態で設けられている。また、封止材１７に電極を設け、有機電界発光素子１００の透明電極１及び対向電極５ａの端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていても良い。

板状（フィルム状）の封止材１７としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄膜状フィルムにして用いても良い。ガラス基板としては、特に、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。

なかでも、有機電界発光素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄膜状フィルムにしたものを好ましく使用することができる。

さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳＫ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳＫ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材１７として用いても良い。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

また、このような板状の封止材１７を、透明基板１３側に固定するための接着剤１９は、封止材１７と透明基板１３との間に挟持された有機電界発光素子１００を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤１９は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

またこのような接着剤１９としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機電界発光素子１００を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤１９は、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤１９中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止材１７と透明基板１３との接着部分への接着剤１９の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、板状の封止材１７と透明基板１３と接着剤１９との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

一方、封止材１７として封止膜を用いる場合、有機電界発光素子１００における発光機能層３を完全に覆い、かつ有機電界発光素子１００における透明電極１及び対向電極５ａの端子部分を露出させる状態で、透明基板１３上に封止膜が設けられる。

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機電界発光素子１００における発光機能層３の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

（保護膜及び保護板）
前記説明した図２においては記載を省略したが、透明基板１３との間に有機電界発光素子１００及び封止材１７を挟んで保護膜もしくは保護板を設けても良い。この保護膜もしくは保護板は、有機電界発光素子１００を機械的に保護するためのものであり、特に封止材１７が封止膜である場合には、有機電界発光素子１００に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜もしくは保護板を設けることが好ましい。

以上のような保護膜もしくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、またはポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

（有機電界発光素子１００の作製方法）
ここでは一例として、図２に示す有機電界発光素子１００の製造方法の一例を説明する。

はじめに、透明基板１３上に窒素原子を含む化合物Ａからなる下地層１ａを、１μｍ以下、好ましくは１０〜１００ｎｍの膜厚になるように蒸着法等の公知の薄膜形成方法に従って形成する。次に、銀原子を含む化合物Ｂ、例えば、銀錯体化合物を含有する溶液（電極形成用塗布液）を用いて、湿式塗布方式により、電極層１ｂを１２ｎｍ以下、好ましくは４〜９ｎｍの膜厚の範囲となるように下地層１ａ上に塗布して形成し、アノードとなる透明電極１を作製する。

次に、この上に、上記説明した正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄをこの順で成膜し、発光機能層３を形成する。これらの各層の成膜は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０^−６〜１×１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１〜５μｍの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。

以上のようにして、発光機能層３を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極５ａを、蒸着法やスパッタ法などの従来公知の成膜法によって形成する。この際、対向電極５ａは、発光機能層３によって透明電極１に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層３の上方から透明基板１３の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機電界発光素子１００が得られる。また、その後には、有機電界発光素子１００における透明電極１及び対向電極５ａの端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層３を覆う封止材１７を設ける。

以上により、透明基板１３上に所望の有機電界発光素子１００が形成される。このような有機電界発光素子１００の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層３から対向電極５ａまで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板１３を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

このようにして得られた有機電界発光素子１００に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極１を＋の極性とし、カソードである対向電極５ａを−の極性として、電圧２Ｖ以上４０Ｖ以下程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

（有機電界発光素子１００の効果）
以上説明した有機電界発光素子１００は、本発明の導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極１をアノードとして用い、この上部に発光機能層３とカソードとなる対向電極５ａとを設けた構成である。このため、透明電極１と対向電極５ａとの間に、十分な電圧を印加して有機電界発光素子１００での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

〔有機電界発光素子の第２例〕
（有機電界発光素子２００の構成）
図３に示す有機電界発光素子２００は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極１を用いた有機電界発光素子２００の第２例を示す概略断面図である。

図３に示す第２例の有機電界発光素子２００が、図２を用いて説明した第１例の有機電界発光素子１００と異なる構成は、透明電極１をカソードとして用いるところにある。以下、第１例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第２例の有機電界発光素子２００の特徴的な構成を説明する。

図３に示す有機電界発光素子２００は、透明基板１３上に設けられており、第１例と同様に、透明基板１３上の透明電極１として先に説明した本発明の透明電極１を用いているところが特徴的である。このため有機電界発光素子２００は、少なくとも透明基板１３側から発光光ｈを取り出すように構成されている。ただし、この透明電極１は、カソード（陰極）として用いられる。このため、対向電極５ｂは、アノードとして用いられることになる。

このような有機電界発光素子２００の層構造が限定されることはく、一般的な層構造であって良いことは、第１例と同様である。ここで説明する第２例の場合は、一例として、カソードとして機能する透明電極１の上部に、電子注入層３ｅ／電子輸送層３ｄ／発光層３ｃ／正孔輸送層３ｂ／正孔注入層３ａをこの順に積層した発光機能層３の構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成された発光層３ｃを有することが必須である。

なお、本発明に係る発光機能層３においては、これら例示した層の他にも、第１例で説明したと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用される。このような構成において、透明電極１と対向電極５ｂとで発光機能層３が挟持された部分のみが、有機電界発光素子２００における発光領域となることも第１例と同様である。

また、以上のような層構成においては、透明電極１の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極１の電極層１ｂに接して補助電極１５が設けられていても良いことも、第１例と同様である。

ここで、アノードとして用いられる対向電極５ｂは、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体などが挙げられる。

以上のような対向電極５ｂは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極５ｂとしてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

尚、この有機電界発光素子２００が、対向電極５ｂ側からも発光光ｈを取り出すものである場合、対向電極５ｂを構成する材料として、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択すれば良い。

以上のような構成の有機電界発光素子２００は、発光機能層３の劣化を防止することを目的として、第１例と同様に封止材１７で封止されている。

以上説明した有機電界発光素子２００を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極５ｂ以外の構成要素の詳細な構成、及び有機電界発光素子２００の作製方法は、第１例で説明した有機電界発光素子１００の作製方法と同様である。このため詳細な説明は省略する。

（有機電界発光素子２００の効果）
以上説明した有機電界発光素子２００は、本発明の導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極１をカソードとして用い、この上部に発光機能層３とアノードとなる対向電極５ｂとを設けた構成である。このため、第１例と同様に、透明電極１（カソード）と対向電極５ｂ（アノード）との間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子２００での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るため、駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。

〔有機電界発光素子の第３例〕
（有機電界発光素子３００の構成）
図４は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した本発明の透明電極１を用いた有機電界発光素子３００の第３例を示す概略断面図である。図４に示す第３例の有機電界発光素子３００は、図２を用いて説明した第１例の有機電界発光素子１００と異なるところは、基板１３１側に対向電極５ｃを設け、この上部に発光機能層３と透明電極１とをこの順に積層したところにある。以下、図２で説明した第１例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第３例の有機電界発光素子３００の特徴的な構成を説明する。

図４に示す有機電界発光素子３００は、基板１３１上に設けられており、基板１３１側から順に、アノードとなる対向電極５ｃ、発光機能層３、及びカソードとなる透明電極１が積層されている。このうち、透明電極１として、先に説明した本発明の透明電極１を用いているところが特徴的である。このため有機電界発光素子ＥＬ３００は、少なくとも基板１３１とは逆の透明電極１側から発光光ｈを取り出すように構成されている。

本発明に係る有機電界発光素子３００の層構造は、ここで例示した構成に限定されることはく、一般的な層構造であって良いことは、第１例と同様である。図４で例示した第３例の場合、その構成の一例として、アノードとして機能する対向電極５ｃの上部に、正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。また、電子輸送層３ｄは、電子注入層３ｅを兼ねたもので、電子注入性を有する電子輸送層３ｄとして設けられていることとする。

そして、特に、第３例として示した有機電界発光素子３００に特徴的な構成としては、電子注入性を有する電子輸送層３ｄが、透明電極１における下地層１ａとして設けられているところにある。すなわち、図４に示す第３例においては、カソードとして用いられる透明電極１が、電子注入性を有する電子輸送層３ｄを兼ねる下地層１ａと、この上部に設けられた電極層１ｂとで構成されているのである。

このような電子輸送層３ｄは、先に述べた上述した透明電極１の下地層１ａを構成する材料を用いて構成されていることが重要である。

なお、発光機能層３は、これらの層の他にも、図２で示した第１例で説明したのと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用されるが、透明電極１の下地層１ａを兼ねる電子輸送層３ｄと、透明電極１の電極層１ｂとの間には、電子注入層や正孔阻止層が設けられることはない。

以上のような構成において、透明電極１と対向電極５ｃとで発光機能層３が挟持された部分のみが、有機電界発光素子３００における発光領域となることは、第１例と同様である。

さらに、アノードとして用いられる対向電極５ｃは、金属、合金、有機または無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２等の酸化物半導体などが挙げられる。

以上のような対向電極５ｃは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、対向電極５ｃとしてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

尚、この有機電界発光素子ＥＬ３００が、対向電極５ｃ側からも発光光ｈを取り出す方式の場合には、対向電極５ｃを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち、光透過性の良好な導電性材料を選択して用いれば良い。また、この場合、基板１３１としても、第１例で説明した透明基板１３と同様のものが用いられ、基板１３１の外側に向かう面が光取り出し面１３１ａとなる。

（有機電界発光素子３００の効果）
以上説明した図４に示す構成からなる有機電界発光素子３００は、発光機能層３の最上部を構成する電子注入性を有する電子輸送層３ｄを下地層１ａとし、この上部に電極層１ｂを設けることにより、下地層１ａとこの上部の電極層１ｂとからなる透明電極１をカソードとして設けた構成である。このため、第１例及び第２例と同様に、透明電極１と対向電極５ｃとの間に十分な電圧を印加して有機電界発光素子３００での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光ｈの取り出し効率が向上することにより、高輝度化を達成することが可能である。さらに、所望の輝度を得るため、駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。また、以上のような構成において、対向電極５ｃが光透過性を有する場合であれば、この対向電極５ｃ側からも発光光ｈを取り出すことができる。

尚、以上の第３例においては、透明電極１の下地層１ａが電子注入性を有する電子輸送層３ｄを兼ねた構成を説明した。しかしながら、下地層１ａは、電子注入層を兼ねるものであっても、あるいは電子注入性を持たない電子輸送層３ｄを兼ねるものであっても良く、また、発光機能に影響を及ぼさない程度に極薄膜として設けられる場合であれば、電子輸送性及び電子注入性を持たなくても良い。

さらに、透明電極１の下地層１ａが発光機能に影響を及ぼさない程度に極薄膜として設けられる場合であれば、基板１３１側の対向電極をカソードとし、発光機能層３上の透明電極１をアノードとしても良い。この場合、発光機能層３は、基板１３１上の対向電極（カソード）側から順に、例えば電子注入層３ｅ／電子輸送層３ｄ／発光層３ｃ／正孔輸送層３ｂ／正孔注入層３ａが積層される。そしてこの上部に極薄い下地層１ａと電極層１ｂ
との積層構造からなる透明電極１が、アノードとして設けられる。

《有機電界発光素子の用途》
上述した本発明の透明電極を具備した各構成の有機電界発光素子は、上述したように面発光体であるため、各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これに限定するものではなく、特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

また、本発明に係る有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化に伴い、有機電界発光素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化しても良い。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また異なる発光色を有する本発明の有機電界発光素子を２種以上使用することにより、カラーまたはフルカラー表示装置を作製することが可能である。

以下では、本発明に係る有機電界発光素子の用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。

〔照明装置−１〕
本発明適用可能な照明装置は、本発明に係る有機電界発光素子を具備することが好ましい。

本発明に係る照明装置に用いる有機電界発光素子は、上述した構成の本発明に係る各有機電界発光素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造として構成された有機電界発光素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

なお、本発明に係る有機電界発光素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機電界発光素子（白色有機電界発光素子ともいう）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機電界発光素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。

このような白色有機電界発光素子は、各色発光の有機電界発光素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機電界発光素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の成膜にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。

また、このような白色有機電界発光素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。

以上に説明した白色有機電界発光素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。

〔照明装置−２〕
図５には、本発明の透明電極を具備した有機電界発光素子を複数用いて発光面を大面積化した照明装置の概略断面構成図を示す。

図５に示す照明装置２１は、例えば、透明基板１３上に有機電界発光素子１００を設けた複数の発光パネル２２を、支持基板２３上に複数配列する（すなわちタイリングする）ことによって発光面を大面積化した構成である。支持基板２３は、封止材を兼ねるものであっても良く、この支持基板２３と、発光パネル２２の透明基板１３との間に有機電界発光素子１００を挟持する状態で、各発光パネル２２をタイリングする。支持基板２３と透明基板１３との間には接着剤１９を充填し、これによって有機電界発光素子１００を封止しても良い。尚、発光パネルの周囲には、アノードである透明電極１及びカソードである対向電極５ａの端部を露出させておく。ただし、図面においては対向電極５ａの露出部分のみを図示した。

このような構成の照明装置２１では、各発光パネル２２の中央が発光領域Ａとなり、発光パネル２２間には非発光領域Ｂが発生する。このため、非発光領域Ｂからの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面１３ａの非発光領域Ｂに設けても良い。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。

実施例１
《透明電極の作製》
以下に説明する手順に従って、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍの透明電極１〜２１を作製した。なお、透明電極１〜４は、比較例となる透明電極であり、透明電極５〜２１は、本発明に係る透明電極である。

〔透明電極１の作製〕
下記の方法に従って、単層構造の透明電極１を作製した。

厚さ０．５ｍｍの透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボードに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．１５ｎｍ／秒で、基材上に銀から構成される単層の電極層１を形成して、透明電極１を作製した。透明電極１における電極層１の膜厚は８ｎｍであった。

〔透明電極２の作製〕
下記の方法に従って、単層構造の透明電極２を作製した。

透明な無アルカリガラス製の基材を、スピンコーターに設置し、前述の銀錯体化合物（１）（２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体）の１質量％メタノール溶液を２５ｍｌ、ガラス製の基板上に付与した後、回転数１００ｒｐｍで２分間回転させて電極層２を形成し、１２０℃で５分間のアニール処理を行って、透明電極２を作製した。透明電極２における電極層２の膜厚は、５ｎｍであった。

〔透明電極３の作製〕
下記の方法に従って、単層構造の透明電極３を作製した。

透明な無アルカリガラス製の基材を、スピンコーターに設置し、前述の銀錯体化合物（５）（２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体）の１質量％メタノール溶液を２５ｍｌ、ガラス基板上に付与した後、回転数５０ｒｐｍで２分間回転させて電極層３を形成し、１２０℃で５分間のアニール処理を行って、透明電極３を作製した。作製した透明電極３における電極層３の膜厚は、５ｎｍであった。

〔透明電極４の作製〕
下記の方法に従って、下地層１及び電極層４から構成される透明電極４を作製した。ただし、下地層は、窒素原子を含有しない比較の化合物を含む塗布液を用いて形成した。

透明な無アルカリガラス製の基材を、スピンコーターに設置し、カルシウム含有量が０．３．０質量％となる濃度に調整したネオデカン酸カルシウムのヘキサン溶液の２０ｍｌをガラス基板上に付与した後、回転数５０ｒｐｍで２分間回転させて下地層１を形成し、１００℃で１分間アニール処理を施した。次いで、下地層１を形成した基材をふたたびスピンコーターに設置し、銀錯体化合物（１）（前出）の１質量％メタノール溶液の２５ｍｌを、ガラス基板上に付与して、回転数１００ｒｐｍで２分間回転させて電極層４を形成し、１２０℃で５分間のアニール処理を行って、透明電極４を作製した。透明電極４における下地層１の膜厚は２０ｎｍ、電極層４の膜厚は５ｎｍであった。

〔透明電極５の作製〕
〈下地層２の形成〉
透明な無アルカリガラス製の基材上に、窒素原子を含有する例示化合物１１２を用いて、下記の方法に従って、下地層２を、湿式塗布法により成膜した。

０．７５ｇの例示化合物１１２を、１００ｇの２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに溶解して得た下地層形成用塗布液２を、スピンコーターにて、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件で基材上に塗布した。次に、基板の表面温度を１２０℃まで加熱し、３０分加熱して、例示化合物１１２から構成される下地層２を得た。別途用意した基材にて、上記と同条件で、例示化合物１１２から成る下地層２を塗布成膜し、膜厚を測定したところ、膜厚は２５ｎｍであった。

〈電極層５の形成〉
次に、下地層２を設けた基材を、スピンコーターに設置し、銀錯体化合物（１）（前出）の１質量％メタノール溶液を２５ｍｌ、ガラス基板に形成した下地層２上に付与し、１００ｒｐｍで２分間回転させて電極層５を形成し、１２０℃で５分間のアニール処理を行って、透明電極５を作製した。透明電極５における電極層５の膜厚は６ｎｍであった。

〔透明電極６の作製〕
上記透明電極５の作製において、電極層５を、下記の方法で作製した電極層６に変更した以外は同様にして、透明電極６を作製した。

〈電極層６の形成〉
下地層２を形成した基材を、スピンコーターに設置し、銀錯体化合物（５）（前出）の１質量％メタノール溶液を１７ｍｌ、ガラス基板に形成した下地層２上に付与し、１００ｒｐｍで２分間回転させて電極層５を形成し、１２０℃で５分間のアニール処理を行って、透明電極６を作製した。透明電極６における電極層６の膜厚は、４ｎｍであった。

〔透明電極７の作製〕
上記透明電極５の作製において、電極層５を、下記の方法で作製した電極層７に変更した以外は同様にして、透明電極７を作製した。

〈電極層７の形成〉
下地層２を形成した基材を、スピンコーターに設置し、銀錯体化合物（８）（２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体）の１質量％メタノール溶液を３７．５ｍｌ、ガラス基板に形成した下地層２上に付与し、１００ｒｐｍで２分間回転させて電極層７を形成し、１２０℃で５分間のアニール処理を行って、透明電極７を作製した。透明電極７における電極層７の膜厚は、９ｎｍであった。

〔透明電極８の作製〕
上記透明電極５の作製において、下地層２を、下記の方法で作製した下地層３に変更した以外は同様にして、透明電極８を作製した。

〈下地層３の形成〉
透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記ＴＰＤをタンタル製抵抗加熱ボードに入れ、この基板ホルダーと加熱ボードとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。

この状態で、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、ＴＰＤの入った加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．１５ｎｍ／秒で、基材上に膜厚２５ｎｍのＴＰＤからなる下地層３を設けた。

〔透明電極９の作製〕
上記透明電極８の作製において、下地層３の形成に用いたＴＰＤに代えて、下記ポルフィリン誘導体を用いて下地層４を形成した以外は同様にして、透明電極９を作製した。

〔透明電極１０の作製〕
上記透明電極８の作製において、下地層３の形成に用いたＴＰＤに代えて、例示化合物９９を用いて下地層５を形成した以外は同様にして、透明電極１０を作製した。

〔透明電極１１の作製〕
上記透明電極８の作製において、下地層３の形成に用いたＴＰＤに代えて、例示化合物９４を用いて下地層６を形成した以外は同様にして、透明電極１１を作製した。

〔透明電極１２の作製〕
上記透明電極８の作製において、下地層３の形成に用いたＴＰＤに代えて、例示化合物１０を用いて下地層７を形成した以外は同様にして、透明電極１２を作製した。

〔透明電極１３〜１５の作製〕
上記透明電極５〜７の作製において、基材を無アルカリガラスから、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（表には、ＰＥＴと略記する。）にそれぞれ変更した以外は同様にして、透明電極１３〜１５を作製した。

《透明電極の評価》
上記作製した各透明電極について、下記の方法に従って、透過率及びシート抵抗の測定を行った。

〔透過率の測定〕
各透明電極について、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、各透明電極の基材をリファレンスとして、測定波長５５０ｎｍにおける透過率Ｔ（％）を測定した。

〔シート抵抗の測定〕
各透明電極について、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で、シート抵抗（Ω／□）を測定した。

以上により得られた各測定結果を、表１に示す。

表１に記載の結果より明らかなように、窒素原子を含む化合物Ａを用いて形成した下地層上に、銀を含む化合物Ｂとして銀錯体化合物を用いて電極層（銀膜）を形成することで得られた本発明の透明電極５〜１５は、光透過率が５０％以上であり、かつシート抵抗値が３０Ω／□以下に抑えられている。これに対して、比較例である透明電極１〜４は、光透過率が５０％未満であり、かつシート抵抗値が５００Ω／□以上、あるいは測定が不能な特性である。

以上の結果より、本発明で規定する構成からなる透明電極は、高い光透過率と導電性とを兼ね備えていることを確認することができた。

実施例２
《発光パネルの作製》
下記の手順に従って、実施例１にて作製した透明電極１〜１５をアノードとして用い、電子デバイスとして図６に記載の構成からなる両面発光型の有機電界発光素子（４００）１〜１５を作製し、次いで、図６に示す有機電界発光素子４００を具備した発光パネル１〜１５を作製した。

はじめに、実施例１で作製した透明電極１〜１５の透明基板１３側を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、透明電極１の形成面側に蒸着マスクを対向配置した。また、真空蒸着装置内の加熱ボードの各々に、各発光機能層３を構成する各材料を、それぞれの層の成膜に最適な量で充填した。なお、各加熱ボードはタングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。

次いで、真空蒸着装置の蒸着室内を、真空度４×１０^−４Ｐａまで減圧し、各材料が入った加熱ボードを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を成膜した。

まず、正孔輸送注入材料として、下記α−ＮＰＤが入った加熱ボードに通電して加熱し、α−ＮＰＤよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層３１を、透明電極１を構成する電極層１ｂ上に成膜した。この際、蒸着速度は０．１５ｎｍ／秒、膜厚は２０ｎｍとした。

次に、ホスト材料として例示化合物Ｈ４の入った加熱ボードと、燐光発光性化合物として例示化合物Ｉｒ−４の入った加熱ボードとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４と燐光発光性化合物Ｉｒ−４からなる発光層３ｃを、正孔輸送・注入層３１上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：燐光発光性化合物Ｉｒ−４＝１００：６となるように、加熱ボードの通電条件を調節した。また、発光層３ｃの膜厚は３０ｎｍとした。

次いで、正孔阻止材料として下記ＢＡｌｑが入った加熱ボードに通電して加熱し、ＢＡｌｑよりなる正孔阻止層３３を、発光層３ｃ上に成膜した。この際、蒸着速度０．１５ｎｎｍ／秒で、膜厚は１０ｎｍとした。

次いで、電子輸送材料として、例示化合物１０の入った加熱ボードと、フッ化カリウムの入った加熱ボードとを、それぞれ独立に通電し、例示化合物１０とフッ化カリウムからなる電子輸送層３ｄを、正孔阻止層３３上に成膜した。この際、蒸着速度が例示化合物１０：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボードの通電量を調節した。膜厚は３０ｎｍとした。

次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボードに通電して加熱し、フッ化カリウムより構成される電子注入層３ｅを、電子輸送層３ｄ上に成膜した。この際、蒸着速度０．０１５ｎｍ／秒で、膜厚は１ｎｍとした。

その後、電子注入層３ｅまで成膜した透明基板１３を、真空蒸着装置の蒸着室から、対向電極材料としてＩＴＯのターゲットが取り付けられたスパッタ装置の処理室内に、真空状態を保持したまま移送した。次いで、処理室内において、成膜速度０．４ｎｍ／秒で、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯからなる光透過性の対向電極５ａをカソードとして成膜した。以上により透明基板１３上に有機電界発光素子４００を形成した。

その後、有機電界発光素子４００を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材１７で覆い、有機電界発光素子４００を囲む状態で、封止材１７と透明基板１３との間に接着剤１９（シール材）を充填した。接着剤１９としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材１７と透明基板１３との間に充填した接着剤１９に対して、ガラス基板（封止材１７）側からＵＶ光を照射し、接着剤１９を硬化させて有機電界発光素子４００を封止した。

なお、有機電界発光素子４００の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの透明基板１３における中央の４．５ｃｍ×４．５ｃｍを発光領域Ａとし、発光領域Ａの全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域Ｂを設けた。また、アノードである透明電極１とカソードである対向電極５ａとは、正孔輸送・注入層３１〜電子注入層３ｅまでの発光機能層３によって絶縁された状態で、透明基板１３の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。

以上のようにして、各透明電極を有する透明基板１３上に有機電界発光素子４００を設け、これを封止材１７と接着剤１９とで封止した電子デバイスである発光パネル（２１）１〜１５を作製した。

これらの各発光パネル２１は、発光層３ｃで発生した各色の発光光ｈが、透明電極１側すなわち基板１３側と、対向電極５ａ側すなわち封止材１７側との両方から取り出される方式である。

《発光パネルの評価》
上記作製した各発光パネル２１を構成する有機電界発光素子４００について、下記の各測定を行った。

〔光透過率の測定〕
上記作製した各有機電界発光素子４００について、分光光度計（日立製作所製Ｕ−３３００）を用い、各有機電界発光素子４００の作製に用いた透明基材１３をリファレンスとして、測定波長５５０ｎｍにおける透過率Ｔ（％）を測定した。

〔駆動電圧の測定〕
上記作製した各有機電界発光素子４００の透明電極１側（すなわち透明基板１３側）と、対向電極５ａ側（すなわち封止材１７側）との両側での正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧として測定した。尚、輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、低電圧で駆動することができ、好ましい結果であることを表す。

以上により得られた結果を、表２に示す。

表２に記載の結果より明らかなように、本発明の透明電極をアノードとして用いて作製した有機電界発光素子５〜１５は、光透過率（５５０ｎｍ）がいずれも４４％以上であり、かつ駆動電圧も４．８Ｖ以下に抑えられている。これに対し、比較例である透明電極をアノードに用いた有機電界発光素子１〜４は、光透過率が３６％以下と低く、かつ駆動電圧が６．２Ｖあるいは電圧を印加しても発光しなかった。

上記結果より、本発明で規定する構成からなる透明電極をアノードとして用いた有機電界発光素子は、低い駆動電圧で高輝度発光が可能であることが確認された。また、これにより、所望の輝度を得るための駆動電圧の低減と、発光寿命の向上が見込まれることが確認された。

１透明電極
１ａ下地層
１ｂ電極層
３発光機能層
３ａ正孔注入層
３ｂ正孔輸送層
３ｃ発光層
３ｄ電子輸送層
３ｅ電子注入層
５ａ、５ｃ対向電極
１１基材
１３、１３１透明基板
１３ａ、１３１ａ光取り出し面
１５補助電極
１７封止材
１９接着剤
２１照明装置
２２発光パネル
２３支持基板
３１正孔輸送・注入層
３３正孔阻止層
１００、２００、３００、４００有機電界発光素子
Ａ発光領域
Ｂ非発光領域
ｈ発光光

Claims

窒素原子を含む化合物Ａを用いて下地層を形成し、該下地層上に銀原子を含む銀錯体化合物Ｂを含有する溶液を用いて湿式塗布方式で電極層を形成し、シート抵抗値が３０Ω／□以下の透明電極を製造し、
前記窒素原子を含む化合物Ａが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であり、
かつ前記銀錯体化合物Ｂが、２−エチルヘキシルアンモニウム−２−エチルヘキシルカルバメート銀錯体、２−エチルヘキシルアンモニウムカーボネート銀錯体及び２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート銀錯体から選ばれる少なくとも一種である
ことを特徴とする透明電極の製造方法。
前記窒素原子を含む化合物Ａが、ピリジン環を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極の製造方法。
前記窒素原子を含む化合物Ａが、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明電極の製造方法。
一般式（１）
（Ａｒ _１） _ｎ１ −Ｙ _１
〔式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ _１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ _１は下記一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ _１は同一でも異なっていてもよい。また、一般式（１）で表される化合物は、分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。〕

〔式中、Ｘは、Ｎ（Ｒ）、酸素原子、硫黄原子またはＳｉ（Ｒ）（Ｒ′）を表し、Ｅ _１〜Ｅ _８は、Ｃ（Ｒ _１）または窒素原子を表し、Ｒ、Ｒ′及びＲ _１は各々水素原子、置換基または一般式（１）におけるＹ _１との連結部位を表す。＊は一般式（１）におけるＹ _１との連結部位を表す。Ｙ _２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ _３及びＹ _４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。〕
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の透明電極の製造方法。

〔式中、Ｙ _５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ _５１〜Ｅ _６６は、各々Ｃ（Ｒ _３）または窒素原子を表し、Ｒ _３は水素原子または置換基を表す。Ｙ _６〜Ｙ _９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ _６及びＹ _７の少なくとも一方と、Ｙ _８及びＹ _９の少なくとも一方は、各々窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は各々０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕
前記一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の透明電極の製造方法。

〔式中、Ｙ _５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ _５１〜Ｅ _６６、Ｅ _７１〜Ｅ _８８は、各々Ｃ（Ｒ _３）または窒素原子を表し、Ｒ _３は水素原子または置換基を表す。また、Ｅ _７１〜Ｅ _７９の少なくとも１つ、及びＥ _８０〜Ｅ _８８の少なくとも１つは窒素原子を表す。ｎ３及びｎ４は各々０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕
前記電極層の膜厚を、４〜９ｎｍの範囲内とすることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の透明電極の製造方法。