KR101618279B1 - 유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전기발광소자 - Google Patents

유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전기발광소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전기발광소자에 관한 것이다.
본 별명의 하기 화학식 1로 표시되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 리간드 내에 전자 밀도와 전자 전달 특성을 높일 수 있는 황 화합물(Ar)을 포함하고, 피리딘의 질소 원자의 전자 밀도를 낮추어 줄 수 있는 작용기(R1)로 설계하여 발광파장 스펙트럼에서 적색 인광 특성을 가지는 발광재료로서 유용하다. 나아가, 본 발명은 상기 유기금속 화합물으로 이루어진 발광층을 포함함으로써, 색 순도 및 발광효율이 우수한 유기전기발광소자를 제공할 수 있다.
화학식 1
Figure 112014009722975-pat00034

(상기 화학식 1에서, Ar, R1, R2, R3 및 R4는 명세서에서 정의한 바와 같다.)

Description

유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전기발광소자{ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME}
본 발명은 유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전기발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 리간드 내에 전자 밀도와 전자 전달 특성을 높일 수 있는 황 화합물(Ar)을 포함하고, 피리딘의 질소 원자의 전자 밀도를 낮추어 줄 수 있는 작용기(R1)로 설계하여 적색 인광 발광재료로서 유용한 하기 화학식 1로 표시되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전기발광소자에 관한 것이다.
화학식 1
Figure 112014009722975-pat00001
(상기 화학식 1에서, Ar, R1, R2, R3 및 R4는 명세서에서 정의한 바와 같다.)
최근 평판 정보표시소자(Flat Panel Display)의 한 종류로서 유기전기발광소자의 가능성이 충분히 인식되면서 개발이 활발히 진행되어 유기전기발광소자를 사용한 다수의 제품들이 출시되고 있다.
유기전기발광소자는 자가 발광형식의 평판 정보표시소자로서, 고휘도 및 저전압 구동이 가능하고, 휴대성이 우수하고, 완전 고체 상태 소자의 특성으로 인하여 높은 내충격성의 이점이 있다.
더불어, 유기전기발광소자는 액정 디스플레이 소자, 플라즈마 디스플레이 소자 등에 비하여 제작 공정이 단순하고 생산 수율이 높으며 발광색의 다양화가 가능한 장점을 꼽을 수 있다.
이러한 유기전기발광소자용 화합물은 크게 고분자형 화합물과 저분자형 화합물로 나눠진다.
먼저 고분자형 화합물을 이용하여 유기전기발광소자를 제작한 경우, 습식 공정을 이용해야 하는데, 이러한 습식 공정은 핀홀(pin-hole) 등과 같은 소자의 불완전성에 크게 영향을 미치는 문제가 발생한다.
반면에, 저분자형 화합물을 이용한 유기전기발광소자는 이러한 소자의 불완전성을 최소화할 수 있는 장점을 가진다. 이때, 저분자형 화합물을 이용한 유기전기발광소자의 개발에 있어서 유기전기발광소자의 장점인 다양한 색의 구현이 매우 중요하다. 따라서, 다양한 색을 구현하기 위하여, 유기전기발광소자의 발광층을 두 개 이상의 화합물을 혼합하여 적층하는 기술이 진행되고 있다.
유기전기발광소자를 구성하는 발광층(emissive layer)에 주입된 전자와 정공이 결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고 상기 엑시톤의 전기 에너지가 빛 에너지로 전환되는 과정에서 발광층의 에너지 밴드 갭에 해당하는 색상의 빛을 구현한다. 이러한 과정에서 스핀이 0인 단일항(singlet) 상태의 엑시톤과 스핀이 1인 삼중항(triplet) 엑시톤이 1:3의 비율로 생성된다.
일반적으로 단일항에서 떨어지는 에너지를 가지는 형광색소를 도핑한 유기전기발광소자의 경우 최대 내부 양자 효율은 25%로 제한된다. 그러나, 스핀-궤도 결합(spin-orbital coupling)이 크면 단일항 형태와 삼중항 상태가 혼재되어 단일항-삼중항 상태 사이에서 계간전이(inter-system crossing)가 일어나므로 삼중항 엑시톤도 바닥상태로 인광을 내며 전이할 수 있다. 결국 삼중항 엑시톤을 사용하는 물질들은 이론적으로 내부 양자 효율이 75%에 달하게 된다.
특히, 저분자형 화합물을 이용한 유기전기발광소자의 개발에 있어서 유기 화합물의 삼중항 상태(triplet state)를 이용하는 기술이 적색 유기전기발광소자 개발에 많이 이용되는데, 상기 삼중항 상태를 이용하여 제작된 적색 유기전기발광소자의 향상된 발광 효율이 보고되고 있다.
또한, 스핀-궤도 결합은 원자번호의 4제곱에 비례하므로 백금(Pt), 이리듐(Ir), 유로피움(Eu), 터븀(Tb) 등과 같은 무거운 원자의 착화합물의 경우 인광 효율이 높은 것으로 알려져 있다.
그 일례로 대한민국특허 제497552호에서는 삼중항 상태의 여기자가 인광을 통하여 발광하는 원리를 이용하여 유기전기발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 유기금속 화합물을 보고하고 있으며, 상기 유기금속 화합물이 황색 발광특성을 보유하여 유기전기발광소자(OLED), 전계효과 트랜지스터(field effect transistor), 광다이오드(photodiode), 광기전셀(solar cell), 유기 레이저 및 레이저 다이오드(LD) 등의 발광물질로 응용될 수 있음을 제시하고 있다.
유기금속 화합물 중에서 백금 착화합물의 경우 가장 낮은 삼중항 엑시톤을 리간드 중심을 두고 있는 리간드 중심체(ligand-centered)의 엑시톤이지만, 이리듐 착화합물은 가장 낮은 에너지를 갖는 삼중항 엑시톤이 중심 금속-리간드 사이의 전하전달 상태(metal-ligand charge transfer, MLCT)이다. 따라서 이리듐 착화합물은 백금 착화합물과 비교하여 더 큰 스핀-궤도 결합을 형성하므로, 훨씬 짧은 삼중항 엑시톤 수명을 가지고 높은 인광 효율을 나타낼 것으로 기대할 수 있다.
이에, 본 발명자들은 종래 문제점을 해소하고자 노력한 결과, 리간드 내에 전자 밀도와 전자 전달 특성을 제어할 수 있는 작용기를 설계하여 적색 인광 발광재료로서 유용한 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 합성하고, 상기 유기금속 화합물을 진공증착법 또는 용액공정법에 의해 발광층을 형성하고, 이를 포함하여 높은 색 순도 및 발광 효율이 개선된 유기전기발광소자 제공을 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 적색 인광 발광재료로서 유용한 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 제공하는 것이다,
본 발명의 다른 목적은 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 발광층으로 포함한 유기전기발광소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 제공한다.
화학식 1
Figure 112014009722975-pat00002
(상기 화학식 1에서, Ar은 황을 포함하는 방향족 고리화합물이고, R1은 할로겐 원자, 트리플루오로기, 시아나이드기 및 디메틸아민기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 카복시기, 아미노기, 시아노기, 니트로기, C1∼C6 알킬기, C6∼C18 아릴기, C1∼C6 알콕시기, C6∼C20의 방향족 고리화합물 및 S 또는 N을 포함하는 헤테로 고리화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이다.)
본 발명의 화학식 1에서, Ar은 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 화학식 2로 표시되는 화합물로 치환된 것이 바람직하다.
화학식 2
Figure 112014009722975-pat00003
화학식 3
Figure 112014009722975-pat00004
또한, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
화학식 1-1
Figure 112014009722975-pat00005
화학식 1-2
Figure 112014009722975-pat00006
화학식 1-3
Figure 112014009722975-pat00007
화학식 1-4
Figure 112014009722975-pat00008
화학식 1-5
Figure 112014009722975-pat00009
화학식 1-6
Figure 112014009722975-pat00010
이상의 화학식 1로 표시되는 화합물은 적색 인광 발광재료로서 유용하다.
또한, 본 발명은 하기 화학식 (A)로 표시되는 화합물을 스즈끼 커플링 반응시켜 하기 화학식(B)로 표시되는 화합물을 합성하는 단계;
하기 화학식 (B)로 표시되는 화합물을 전이금속과 고리화 반응에 의해 다이머 구조의 하기 화학식 (C)로 표시되는 화합물을 합성하는 단계; 및
하기 화학식 (C)로 표시되는 화합물을 킬레이션 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는, 하기 반응식 1에 의해 수행되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 제조방법을 제공한다.
반응식 1
Figure 112014009722975-pat00011
(상기 화학식 1에서, Ar, R1, R2, R3 및 R4는 상기에서 정의한 바와 같다.)
나아가 본 발명은 상기의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 발광층으로 포함하는 유기전기발광소자를 제공한다.
이때, 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 발광층에 단독 또는 도판트로서 도핑되어 존재하며, 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 발광층으로 포함하는 유기전자발광소자는 적색 인광을 방출한다.
또한, 본 발명의 유기전기발광소자는 진공증착법 또는 용액공정법에 의해 발광층을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 리간드 내에 전자 밀도와 전자 전달 특성을 제어할 수 있는 작용기를 설계하고, 특히, 리간드 내 황화합물을 포함하도록 설계함으로써, 용해도, 열적 특성, 색 순도가 우수한 적색 인광 발광재료를 제공할 수 있다.
본 발명의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 진공증착법 뿐만 아니라 용액공정법에 의해서도 발광층을 형성할 수 있으므로, 제조공정의 경제성과 효율성을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 적색 인광 발광재료로서 유기전기발광소자용 유기금속 화합물로 이루어진 발광층을 포함함으로써, 높은 색 순도 및 발광 효율이 개선된 유기전기발광소자를 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에서 제조된 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 자외선 흡수 스펙트럼과 발광파장 스펙트럼이고,
도 2는 본 발명에 따른 다층 구조의 유기발광소자의 단면도이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 제공한다.
화학식 1
Figure 112014009722975-pat00012
(상기 화학식 1에서, Ar은 황을 포함하는 방향족 고리화합물이고, R1은 할로겐 원자, 트리플루오로기, 시아나이드기 및 디메틸아민기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 카복시기, 아미노기, 시아노기, 니트로기, C1∼C6 알킬기, C6∼C18 아릴기, C1∼C6 알콕시기, C6∼C20의 방향족 고리화합물 및 S 또는 N을 포함하는 헤테로 고리화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이다.)
본 발명의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 리간드 내 전자 밀도와 전자 전달 특성을 높일 수 있는 황 화합물을 리간드 중심체(Ar)로 가지며, 피리딘의 질소 원자의 전자 밀도를 낮추어 줄 수 있는 작용기(R1)를 가지는 것을 특징으로 하는 적색 이리듐 착화합물이다.
이에, 본 발명의 실시예에서는 화학식 1의 Ar에 대하여, 바람직한 일례로 하기 화학식 2로 표시되는 디싸이에노[3,2-b: 3', 2'-d]싸이오펜 또는 화학식 3으로 표시되는 싸이에노[3,2-b]싸이오펜이 치환된 것을 예시하고 구체적으로 설명하고 있으나, 이에 한정되지는 아니할 것이다.
화학식 2
Figure 112014009722975-pat00013
화학식 3
Figure 112014009722975-pat00014
또한, 본 발명의 화학식 1에서 피리딘의 질소 원자의 전자 밀도를 낮추어 줄 수 있는 작용기(R1)로서, 본 발명의 실시예에서는 트리플루오로기, 시아나이드기 또는 디메틸아민기를 바람직한 일례로 설명하고 있으나 이에 한정되는 것이 아니다.
이에, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이나, 상기 화학식 1에서 정의된 범위 내에서 다양한 치환기로 설계될 수 있다.
화학식 1-1
Figure 112014009722975-pat00015
화학식 1-2
Figure 112014009722975-pat00016
화학식 1-3
Figure 112014009722975-pat00017
화학식 1-4
Figure 112014009722975-pat00018
화학식 1-5
Figure 112014009722975-pat00019
화학식 1-6
Figure 112014009722975-pat00020
이상의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물에 대한 광학특성에 대하여, 도 1은 실시예 1에서 제조된 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 자외선 흡수 스펙트럼(UV-visible spectrometer)과 발광파장 스펙트럼(Photoluminescence) 결과이다.
상기 결과로부터, 실시예 1에서 제조된 이리듐 착화합물의 발광파장으로부터, 스펙트럼 상에 적색의 인광 특성을 보임으로써, 본 발명의 유기금속 화합물은 유기전기발광소자에 적색의 인광 특성을 가진 발광재료로 사용할 수 있다.
또한, 실시예 1에서 제조된 이리듐 착화합물은 주리간드로서 황 화합물을 포함함으로써 종래 적색 발광재료 대비 현저히 향상된 용해도, 열적 특성 및 색 순도를 구현하는 발광특성과 발광 효율을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명은 하기 반응식 1에 의해 수행되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 제조방법을 제공한다.
더욱 구체적으로는, 하기 화학식 (A)로 표시되는 화합물을 스즈끼 커플링 반응시켜 하기 화학식(B)로 표시되는 화합물을 합성하는 단계;
하기 화학식 (B)로 표시되는 화합물을 전이금속과 고리화 반응에 의해 다이머 구조의 하기 화학식 (C)로 표시되는 화합물을 합성하는 단계; 및
하기 화학식 (C)로 표시되는 화합물을 킬레이션 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성하는 단계;를 포함한다.
Figure 112014009722975-pat00021
(상기 화학식 1에서, Ar, R1, R2, R3 및 R4는 상기에서 정의한 바와 같다.)
도 2는 본 발명에 따른 다층 구조의 유기발광소자의 단면도로서, 본 발명은 상기의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 발광층으로 포함하는 유기전기발광소자를 제공한다.
이때, 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 발광층에 단독으로 존재할 수 있으며, 상기 유기금속 화합물을 도판트로서 고분자에 도핑할 수 있다.
이때, 상기 고분자는 해당 분야에서 사용되는 통상의 물질에 제한없이 사용될 수 있으며, 일례로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리(N-비닐카바졸)(PVK)등이 사용될 수 있다.
이상의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 더욱 구체적으로 이리듐 착화합물은 적색 인광 발광재료로서, 종래 형광 특성의 발광재료보다 발광효율 구현에 유리하다.
이에, 본 발명의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물은 인광 특성을 갖는 발광 재료 중에서 특히 적색 발광특성과 발광 효율이 우수할 뿐만 아니라, 각종 유기용매에 대한 가용성 또는 상용성이 우수하여, 이를 발광층으로 포함하는 유기전기발광소자의 성능 향상에 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 발광층에 도핑시킴으로써 발광 스펙트럼과 색 순도에 있어서 크게 향상된 소자를 제공할 수 있다.
나아가, 본 발명의 유기전기발광소자는 유기금속 화합물을 발광층에 진공증착법에 의해 단일층으로 형성하거나, 저분자 또는 고분자 물질에 유기금속 화합물을 도핑시켜 스핀 코팅, 잉크젯 등의 용액공정법에 의해 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
이는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> 화학식 1-1로 표시되는 화합물 제조
Figure 112014009722975-pat00022
1. 스즈끼 커플링(Suzuki coupling) 반응: 이구 플라스크에 2-브로모-4-(트리플로로메틸)피리딘 1g(226mol) 기준, 디싸이에노[3,2-b: 3', 2'-d]싸이오펜 1.1∼1.2 당량, Pd(PPh3)4 0.04 당량, Na2CO3 3 당량, Aliguat 336 0.4 당량을 용매 THF 80㎖ 및 H20 50㎖를 넣고 질소 분위기하에서 85∼90℃ 온도에서 5시간 동안 교반하였다. 상기 교반 이후, 생성물이 포함된 유기물 층을 유리필터를 이용하여 분리하고 유기물로서 헥산으로 세척하고, 무기물로서 증류수로 세척 및 정제하여 스즈끼 커플링(Suzuki coupling) 반응에 의해 리간드를 수득하였다.
2. 노노야먀(nonoyama) 첫 번째 반응: 이구 플라스크에 상기 단계 1에서 수득된 리간드 1g를 기준으로 IrCl3ㆍH20 0.33 당량, 용매로 2-에톡시 에탄올과 증류수(3:1 부피%)의 혼합용매 60㎖: 20㎖를 넣어 125∼130℃온도에서 24시간 동안 교반하였다.
3. 노노야먀(nonoyama) 두 번째 반응: 상기 단계 2에서 얻어진 반응생성물0.8g(1818.89mol)을 기준으로 아세틸아세톤 4.5 당량, Na2CO3 2.5 당량, 용매로 2-에톡시 에탄올 60㎖를 이구 플라스크에 넣어 수분이 전혀 없는 상태로 24시간 135℃의 온도로 질소 분위기 상태를 유지한 채 교반하여 목적화합물 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 제조하였다.
< 실시예 2> 화학식 1-4로 표시되는 화합물 제조
Figure 112014009722975-pat00023
1. 스즈끼 커플링(Suzuki coupling) 반응: 이구 플라스크에 2-브로모-4-(트리플로로메틸)피리딘 1g(226mol) 기준, 싸이에노[3,2-b]싸이오펜 1.1∼1.2 당량, Pd(PPh3) 0.04 당량, Na2CO3 3 당량, Aliguat 336 0.4 당량을 용매 THF 80㎖ 및 H20 50㎖를 넣고 질소 분위기하에서 85∼90℃ 온도에서 5시간 동안 교반하였다. 상기 교반 이후, 생성물이 포함된 유기물 층을 유리필터를 이용하여 분리하고 유기물로서 헥산으로 세척하고, 무기물로서 증류수로 세척 및 정제하여 스즈끼 커플링(Suzuki coupling) 반응에 의해 리간드를 수득하였다.
2. 노노야먀(nonoyama) 첫 번째 반응: 2구 플라스크에 상기 단계 1에서 수득된 리간드 1g를 기준으로 IrCl3ㆍH20 0.33 당량, 용매로 2-에톡시 에탄올과 증류수(3:1 부피%)의 혼합용매 60㎖: 20㎖를 넣어 125∼130℃온도에서 24시간 동안 교반하였다.
3. 노노야먀(nonoyama) 두 번째 반응: 상기 단계 2에서 얻어진 반응생성물0.8g(1818.89mol)을 기준으로 아세틸아세톤 4.5 당량, Na2CO3 2.5 당량, 용매로 2-에톡시 에탄올 60㎖를 2구 플라스크에 넣어 수분이 전혀 없는 상태로 24시간 135℃의 온도로 질소 분위기 상태를 유지한 채 교반하여 목적화합물 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 제조하였다.
< 실시예 3> 진공증착법에 의한 유기전기발광소자 제작
상기 실시예 1에서 제조된 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 이용하여 유기전기발광소자를 제작하였다. 구체적으로는, OLED용 글래스 기판상에 투명전극 ITO 박막을 형성하고, 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올, 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다.
다음으로, 진공 증착 장비의 기판 폴더에 ITO 기판을 설치하고, 진공 증착 장비 내의 셀에 N,N'-비스(α-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(NPB)을 넣고, 챔버 내의 진공도가 10-6torr에 도달할 때까지 배기시켰다. 그 후, 셀에 전류를 인가하여 NPB를 증발시켜 ITO 기판 상에 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 4,4',4"-트리스(N,N-(2-나프틸)-페닐아미노)트리페닐 아민(2T-NATA)을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 2-TNATA를 증발시켜 정공주입층 상에 정공수송층을 증착하였다.
상기 정공주입층, 정공수송층을 형성시킨 후, 그 위에 실시예 1에서 제조된 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 진공증착 장비 내의 한쪽 셀에 넣고 발광층을 증착시켰다. 이어서, 전자수송층(6)으로서 트리스(8-하이드록시퀴놀린)알루미늄(Ⅲ)(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Ⅲ): Alq3)를 증착한 후, Al 음극을 증착하여 OLED를 제작하였다.
< 실시예 4∼8> 진공증착법에 의한 유기전기발광소자 제작
상기 실시예 3의 화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신에, 화학식 1-2 내지 화학식 1-6으로 표시되는 각각의 화합물을 이용하여 진공증착법으로 발광층을 형성하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 3과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
< 실시예 9> 용액공정법에 의한 유기전기발광소자 제작
상기 실시예 1에서 제조된 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 이용하여 발광층을 형성하되, 용액공정법에 의해 유기발광조사를 제작하였다.
< 실시예 10∼14> 용액공정법에 의한 유기전기발광소자 제작
상기 실시예 9의 화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신에, 화학식 1-2 내지 화학식 1-6으로 표시되는 각각의 화합물을 이용하여 용액공정법으로 발광층을 형성하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 9과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 적색 인광을 발광하는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물, 특히 리간드 내에 전자 밀도와 전자 전달 특성을 높일 수 있는 황 화합물(Ar)을 포함하고, 피리딘의 질소 원자의 전자 밀도를 낮추어 줄 수 있는 작용기(R1)로 설계된 화학식 1의 이리듐 착화합물을 제공하였다.
본 발명은 진공증착법뿐만 아니라 용액공정법에 의해서도 발광층을 형성할 수 있는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 제조방법을 제공함으로써, 제조공정의 경제성과 효율성을 구현할 수 있다.
나아가, 본 발명은 유기전기발광소자용 유기금속 화합물이 발광층으로 포함하여, 높은 색 순도 및 발광 효율이 개선되는 적색 인광의 유기전기발광소자 제공을 기대할 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물:
    화학식 1
    Figure 112016018767336-pat00024

    화학식 2
    Figure 112016018767336-pat00037

    화학식 3
    Figure 112016018767336-pat00038

    상기 화학식 1에서, Ar은 황을 고리에 포함하는 헤테로고리 방향족 화합물로 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물에서 선택된 어느 하나이고, R1은 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기 및 시아나이드기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 또는 C1∼C6 알킬기에서 선택된 어느 하나이다.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식으로 표시되는 화합물들 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물.
    화학식 1-1
    Figure 112016018767336-pat00027

    화학식 1-2
    Figure 112016018767336-pat00028

    화학식 1-4
    Figure 112016018767336-pat00030

    화학식 1-5
    Figure 112016018767336-pat00031
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 적색 인광 발광재료인 것을 특징으로 하는 상기 유기전기발광소자용 유기금속 화합물.
  5. 하기 화학식 (A)로 표시되는 화합물을 스즈끼 커플링 반응시켜 하기 화학식(B)로 표시되는 화합물을 합성하는 단계;
    하기 화학식 (B)로 표시되는 화합물을 전이금속과 고리화 반응에 의해 다이머 구조의 하기 화학식 (C)로 표시되는 화합물을 합성하는 단계; 및
    하기 화학식 (C)로 표시되는 화합물을 킬레이션 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성하는 단계;를 포함하는, 하기 반응식 1에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 유기금속 화합물의 제조방법:
    Figure 112014009722975-pat00033

    상기 화학식 1에서, Ar, R1, R2, R3 및 R4는 제1항에 정의한 바와 같다.
  6. 제1항, 제3항 및 4항 중 어느 한 항의 유기전기발광소자용 유기금속 화합물로 이루어진 발광층으로 포함하는 유기전기발광소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 발광층에 유기전기발광소자용 유기금속 화합물 단독 또는 상기 유기금속 화합물에 도판트가 도핑되어 존재하는 것을 특징으로 하는 상기 유기전기발광소자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 발광층이 유기전기발광소자용 유기금속 화합물에 의해 적색 인광을 발광하는 것을 특징으로 하는 상기 유기전기발광소자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 발광층이 유기전기발광소자용 유기금속 화합물을 이용하여 진공증착법 또는 용액공정법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자.
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