JP5938756B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、各種ディスプレイ、表示装置および照明等に適用される有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置に関するものである。

各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明等の光源として用いられる面発光体は、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有することから、近年注目されている。このような面発光体の中でも、有機材料を用いて正負の各電極からの電気エネルギーによって発光させる有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能であり、薄膜型の完全固体素子であり、省スペースである等の理由から、特に近年注目されている。

有機ＥＬ素子の高効率化には光取り出し効率の向上が必須であるが、有機ＥＬ素子は発光層と金属電極との距離が数十ｎｍオーダーと近いため、表面プラズモンモード光の導波損失が大きく、光取り出し効率が上がらないという課題を有している。表面プラズモンモード光の導波損失を少なくする手段としては、トップエミッション型の構成を取ることが挙げられる。

トップエミッション型有機ＥＬ素子のカソード電極としては、アルミニウムや銀を薄膜化した電極が検討されているが、アルミニウムと銀は、ともに仕事関数が深く、電子注入性が不足するため、駆動電圧が下がらない課題があった。

特許文献１では、カソード電極に半透過性のリチウム−銀電極を用いることで電子注入性を向上させる検討がなされている。しかし、リチウム等のアルカリ金属は酸化され易い材料であるので、素子作製時や素子作製後の保存時にリチウムが酸化されてしまうことで駆動電圧の上昇する課題を有していることがわかった。また、半透過性であるため、素子の透過率があまり高くないという課題を有していることがわかった。

特許文献２では、仕事関数が浅い材料を含む内側電極上に膜密度が高く、かつ光透過率が高い材料から成る外側電極を積層し、当該外側電極に内側電極の保護層としての機能を持たせる検討が成されている。しかし、当該外側電極はＩＴＯ等の材料で検討されており、公知の通りＩＴＯ膜はスパッタ法などの高エネルギーを要する成膜方法で形成する必要があるため、外側電極を形成するときに上述の仕事関数が浅い材料が酸化されてしまう課題を有していることがわかった。

特表２００７−５２５７０６号公報 特開２０１１−０４０１７３号公報

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、駆動電圧が低く、素子の透過率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置を提供することにある。

本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。

１．透過率が５０％以上であるカソード電極と発光層を有しており、前記カソード電極は、前記発光層に近い側から、アルカリ金属と銀との合金またはアルカリ土類金属と銀との合金を含んで成る、膜厚が１〜１０ｎｍの電極層と、前記電極層を保護する、膜厚が１〜５ｎｍの金属保護層とを積層させた積層体を含んで成り、前記金属保護層は、酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーよりも負側に大きい金属元素を含んで成り、前記電極層よりも酸化が優先的に行われることによって前記電極層に含まれているアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化を防止する酸化防止層として機能し、前記カソード電極と前記発光層の間に、電子輸送性化合物を含む電子輸送層を有しており、前記電子輸送性化合物が、下記一般式（１）で表される化合物を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
一般式（１）
（Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１
〔式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は下記一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式（１）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。〕

〔式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ３およびＹ４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。〕

２．前記金属保護層が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、−１０００ｋＪ／ｍｏｌよりも負側に大きいことを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

３．前記電子輸送性化合物が、下記一般式（２）で表される化合物を有することを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、およびＹ８またはＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３およびｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕

４．前記電子輸送性化合物が、下記一般式（３）で表される化合物を有することを特徴とする前記３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ７１〜Ｅ７９の少なくとも１つおよびＥ８０〜Ｅ８８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｎ３およびｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕

５．前記電子輸送層にカリウムまたはカリウム化合物がドープされていることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

６．前記発光層が、下記一般式（４）で表される化合物を有していることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕

７．前記一般式（４）で表される化合物が、下記一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする前記６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚは、炭化水素環基または複素環基を表す。Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−または−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１、Ｒ０２は、各々水素原子または置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕

８．前記Ｍ１がイリジウムであることを特徴とする前記６または７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

９．前記電極層と前記金属保護層との間に、補助電極を有することを特徴とする前記１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１０．両面エミッション型であることを特徴とする前記１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１１．前記１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。

本発明により、駆動電圧が低く、素子の透過率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置を提供することができた。

本発明のカソード電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の一例を示す構成断面図である。 本発明のカソード電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の他の一例を示す構成断面図である。 本発明の照明装置の一態様を示す概略断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明するが、以下に記載する内容は、本発明の実施態様の代表例であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に限定されない。

《有機ＥＬ素子》
はじめに、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）１Ａの層構成の好ましい具体例を説明する。
本発明に係る有機ＥＬ素子１Ａの層構成の好ましい具体例としては、図１に示すように、（ｉ）支持基板２／アノード電極３／正孔注入層４／正孔輸送層５／発光層６／電子輸送層７／カソード電極８（電極層８１／金属保護層８２）を挙げることができる。
なお、図示はしないが、本発明の有機ＥＬ素子の層構成は、この他にも次のような層構成とすることもできる。
（ｉｉ）支持基板／アノード電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード電極（電極層／金属保護層）
（ｉｉｉ）支持基板／アノード電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／正孔阻止層／カソード電極（電極層／金属保護層）
（ｉｖ）支持基板／アノード電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／正孔阻止層／カソード電極（電極層／金属保護層）
（ｖ）支持基板／アノード電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／電子輸送層／電子注入層／正孔阻止層／カソード電極（電極層／金属保護層）
各層の詳しい説明は後述する。

本発明の有機ＥＬ素子１Ａは、実質的に透明なカソード電極８と発光層６を有している。
このカソード電極８は、発光層６に近い側から、アルカリ金属と銀との合金またはアルカリ土類金属と銀との合金を含んで成る電極層８１と、この電極層８１を保護する金属保護層８２とを積層させた積層体を含んで成る。
そして、この金属保護層８２は、酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、前記したアルカリ金属または前記したアルカリ土類金属が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーよりも負側に大きい金属元素を含んで成る。

このように、本発明における金属保護層８２には、酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、前記したアルカリ金属またはアルカリ土類金属が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーよりも負側に大きい金属元素が含まれている。従って、素子作製時や素子作製後の保存時の酸素による金属保護層８２の酸化が優先的に行われる結果、電極層８１のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化を防止することができる。そのため、低駆動電圧を維持できる。また、金属保護層８２の金属元素が酸化されることによって消衰係数が低くなり、透過率が高まるため、トップエミッション用の透明なカソード電極８の保護層として、より好ましいものとすることができる。

本発明の有機ＥＬ素子１Ａは、カソード電極８が実質的に透明であることを特徴とする。なお、本発明において、「実質的に透明である」とは、カソード電極の透過率については３８％以上、素子の透過率については３０％以上であることをいう。このような透過率は、電極層８１および金属保護層８２を後記する材料および膜厚で形成することで具現することができる。

アノード電極３は、アプリケーションによって透明、不透明のどちらも選択することができる。発光層６は、少なくとも発光色の異なる２種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層６からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層５には、正孔注入層４、電子阻止層（図示せず）も含まれることもある。詳しくは後ほど説明する。
なお、本発明の有機ＥＬ素子１Ａは、トップエミッション型または両面エミッション型の構成を取ることができ、例えば、面発光体として用いることができる。
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子１Ａの構成について、説明の便宜上、上層となるカソード電極８から順に説明する。

《カソード電極》
本発明におけるカソード電極８（単にカソード、陰極等ともいう）は、前記したように、発光層６に近い側から、アルカリ金属と銀との合金またはアルカリ土類金属と銀との合金を含んで成る電極層８１が形成されており、さらに、この電極層８１上に、金属保護層８２を有する積層体を含んで成る。
そして、かかる金属保護層８２に含まれる金属元素が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、電極層８１のアルカリ金属またはアルカリ土類金属が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーよりも負側に大きいことを特徴としている。

（電極層）
本発明における電極層８１は、アルカリ金属と銀との合金またはアルカリ土類金属と銀との合金を含んで成る層であり、電極として機能する。
ここで、アルカリ金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムを挙げることができる。
また、アルカリ土類金属としては、例えば、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムを挙げることができる。

かかる電極層８１は共蒸着法で成膜することが好ましい。
また、電極層８１は膜厚が１〜１０ｎｍの範囲にあることが好ましい。膜厚が１０ｎｍより厚いと層の吸収が多くなり、素子の透過率が下がるため好ましくない。また、膜厚が１ｎｍより薄いと層の導電性が不足し、電圧が増加するため好ましくない。

電極層８１のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の銀に対する混合比は、１〜５０ｗｔ％（質量％）にあることが好ましい。より好ましい範囲は３〜２０質量％である。
電極層８１に含まれるその他の材料としては、マグネシウムやインジウムや銅などの蒸着温度が１０００℃以下である金属元素が挙げられるが、これらに限定されない。
銀と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と、を共蒸着することによって、電極層８１の形状を制御でき、より薄い膜厚にしても導電性を維持することが可能となる。結果として、透過率を向上させることが可能になる。また、銀と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と、を共蒸着することによって、電子注入性が上がり、駆動電圧を下げることが可能になる。

（金属保護層）
本発明における金属保護層８２は、主として、電極層８１に含まれるアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化を防止する酸化防止層として機能する。
かかる金属保護層８２は蒸着法で成膜することが好ましい。
また、金属保護層８２は膜厚が１〜５ｎｍの範囲にあることが好ましい。膜厚が５ｎｍより厚いと層の吸収が多くなり、素子の透過率が下がるため好ましくない。また、膜厚が１ｎｍより薄いと酸化防止層としての機能が不足し、電圧が増加するため好ましくない。

金属保護層８２に含まれる金属元素としては、当該金属元素が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、電極層８１に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーよりも負側に大きければよく、また、そのような関係となるように適宜決定して用いることができる。

例えば、電極層８１に含まれるアルカリ金属としてリチウムを用いた場合、リチウムが酸化物（Ｌｉ₂Ｏ）を生成するときの標準生成エンタルピーは−５９８．７ｋＪ／ｍｏｌである。従って、金属保護層８２に含まれる金属元素としては、酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが負側に大きくなるカルシウム、鉄およびアルミニウムの中から１種または２種以上選択して用いることができる。なお、カルシウムが酸化物（ＣａＯ）を生成するときの標準生成エンタルピーは−６３５．１ｋＪ／ｍｏｌであり、鉄が酸化物（Ｆｅ₂Ｏ₃）を生成するときの標準生成エンタルピーは−８２５．５ｋＪ／ｍｏｌであり、アルミニウムが酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）を生成するときの標準生成エンタルピーは−１６７５．０ｋＪ／ｍｏｌである。

また、例えば、電極層８１に含まれるアルカリ土類金属としてマグネシウムを用いた場合、マグネシウムが酸化物（ＭｇＯ）を生成するときの標準生成エンタルピーは−４６０．７ｋＪ／ｍｏｌである。従って、この場合は、金属保護層８２に含まれる金属元素として、前記した金属元素に加えてリチウムを用いることもできる。なお、リチウムが酸化物（Ｌｉ₂Ｏ）を生成するときの標準生成エンタルピーは前記したとおりである。

金属保護層８２に含まれる金属元素が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが負側に大きいほど、当該金属元素の酸化反応が優先的に生じるので、電極層８１に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化防止効果が大きくなる。そのため、かかる金属元素としては、標準生成エンタルピーが−１０００ｋＪ／ｍｏｌよりも負側に大きいアルミニウムを用いると好適である。

《補助電極》
なお、本発明では図２に示すように、金属保護層８２と電極層８１との間に抵抗を下げる目的で補助電極９を設けた有機ＥＬ素子１Ｂとすることもできる。
補助電極９を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。補助電極９の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極９の線幅は、電極層８１の開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極９の厚さは、導電性の観点から１μ以上であることが好ましい。

《電子輸送層》
本発明においては、カソード電極８と発光層６の間に、さらに電子輸送性化合物を含む電子輸送層７を有していることが好ましい。
電子輸送層７は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層（図示せず）、正孔阻止層（図示せず）も電子輸送層７に含まれる。電子輸送層７は単層または複数層設けることができる。

従来、単層の電子輸送層７、および複数層とする場合は発光層６に対してカソード側に隣接する電子輸送層７に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層６に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体およびオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層７の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層７の材料として用いることができる。

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層７の材料として好ましく用いることができる。また、発光層６の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層７の材料として用いることができるし、正孔注入層４、正孔輸送層５と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層７の材料として用いることができる。

電子輸送層７は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層７の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層７は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、電子輸送層７に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに、本発明においては、電子輸送層７にカリウムやカリウム化合物などを含有させてもよい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層７のｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

本発明においては、電子輸送層７の材料（電子輸送性化合物）として、好ましくは、下記一般式（１）で表される化合物を用いることができる。

一般式（１）
（Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１

但し、式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は後記する一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式（１）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）において、Ｙ１で表されるｎ１価の連結基としては、具体的には、２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基など）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、１−メチルビニレン基、１−メチルプロペニレン基、２−メチルプロペニレン基、１−メチルペンテニレン基、３−メチルペンテニレン基、１−エチルビニレン基、１−エチルプロペニレン基、１−エチルブテニレン基、３−エチルブテニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、１−プロピニレン基、１−ブチニレン基、１−ペンチニレン基、１−ヘキシニレン基、２−ブチニレン基、２−ペンチニレン基、１−メチルエチニレン基、３−メチル−１−プロピニレン基、３−メチル−１−ブチニレン基等）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等）、ヘテロアリーレン基（例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等）、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等（ここで、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等）が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ１で表される３価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｙ１で表される４価の連結基としては、上記の３価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、１，３−プロパンジイル−２−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。

なお、上記の２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基は、各々さらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有していてもよい。

一般式（１）で表される化合物の好ましい態様としては、Ｙ１が３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環が好ましい。また、ｎ１が２以上であることが好ましい。

さらに、一般式（１）で表される化合物は、分子内に上記の３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。

また、Ｙ１がｎ１価の連結基を表す場合、一般式（１）で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Ｙ１は非共役であることが好ましく、さらに、Ｔｇ（ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう）を向上させる点から、芳香環（芳香族炭化水素環＋芳香族複素環）で構成されていることが好ましい。

ここで、非共役とは、連結基が単結合（一重結合ともいう）と二重結合の繰り返しによって表記できないか、または連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。

（一般式（Ａ）で表される基）
一般式（１）中におけるＡｒ１は、下記一般式（Ａ）で表される基を表す。

但し、式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ３およびＹ４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。

ここで、一般式（Ａ）のＸで表される−Ｎ（Ｒ）−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ’およびＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

また、一般式（Ａ）において、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。

さらに、一般式（Ａ）において、Ｙ３およびＹ４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる５員または６員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

さらに、Ｙ３およびＹ４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

（Ｙ３で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ３で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。

（Ｙ４で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ４で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子として含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Ｙ４がピリジン環から導出される基であることである。

（一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様としては、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）または（Ａ−４）のいずれかで表される基が挙げられる。

式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ１１〜Ｅ２０は、−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、Ｅ１１、Ｅ１２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ２１〜Ｅ２５は−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ２６〜Ｅ３０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ２１〜Ｅ３０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３およびＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ２１またはＥ２２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ３１〜Ｅ３５は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ３６〜Ｅ４０は−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ３１〜Ｅ４０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３およびＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ３２またはＥ３３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ４１〜Ｅ５０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３およびＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ４２またはＥ４３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。

以下、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）のいずれかで表される基について説明する。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかのＸで表される−Ｎ（Ｒ）−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ’およびＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかにおいて、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。

一般式（Ａ−１）のＥ１１〜Ｅ２０、一般式（Ａ−２）のＥ２１〜Ｅ３０、一般式（Ａ−３）のＥ３１〜Ｅ４０、一般式（Ａ−４）のＥ４１〜Ｅ５０で、各々表される−Ｃ（Ｒ２）＝のＲ２で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

次に、本発明に係る一般式（１）で表される化合物のさらに好ましい態様について説明する。

《一般式（２）で表される化合物》
本発明では、上記一般式（１）で表される化合物の中でも、一般式（２）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（２）で表される化合物について説明する。

式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、およびＹ８またはＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３およびｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

一般式（２）において、Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。

Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

一般式（２）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（２）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される基としては、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上およびＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

一般式（２）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（２）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（２）において、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、およびＹ８またはＹ９の少なくとも一方で表されるＮ原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるＮ原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

一般式（２）において、Ｙ７、Ｙ９で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。

また、一般式（２）において、Ｙ６およびＹ８で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。

さらに、本発明に係る一般式（２）で表される化合物の中でもさらに好ましい態様について説明する。

《一般式（３）で表される化合物》
本発明では、上記一般式（２）で表される化合物の中でも、さらに一般式（３）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。

式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ７１〜Ｅ７９の少なくとも１つおよびＥ８０〜Ｅ８８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｎ３およびｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。

一般式（３）において、Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。

Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

一般式（３）において、Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（３）において、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上およびＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

一般式（３）において、Ｅ７５〜Ｅ７９の少なくとも１つおよびＥ８４〜Ｅ８８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

さらには、一般式（３）において、Ｅ７５〜Ｅ７９のいずれか１つおよびＥ８４〜Ｅ８８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

また、一般式（３）において、Ｅ７１〜Ｅ７４およびＥ８０〜Ｅ８３が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。

さらに、一般式（２）または一般式（３）で表される化合物において、Ｅ５３が−Ｃ（Ｒ３）＝で表され、且つ、Ｒ３が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ６１も同時に−Ｃ（Ｒ３）＝で表され、且つ、Ｒ３が連結部位を表すことが好ましい。

さらに、Ｅ７５およびＥ８４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ７１〜Ｅ７４およびＥ８０〜Ｅ８３が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。

以下に、本発明に係る一般式（１）、（２）または（３）で表される化合物の具体例（１〜１１１）を示すが、これらに限定されない。

以下に代表的な化合物として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。

《化合物５の合成例》

工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、３，６−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）をＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍＬ中に混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。

工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍＬに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。

工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η₆−Ｃ₆Ｈ₆）ＲｕＣｌ₂］₂（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）をＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。濾液は減圧下に溶媒を留去し（８００Ｐａ、８０℃）、（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ₂Ｃｌ₂：Ｅｔ₃Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。

各フラクションを集めて溶媒を減圧下に留去後、残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去して化合物５を収率６８％で得た。

《発光層》
本発明で用いられる発光層６は、発光材料として燐光発光化合物が含有されている。
発光層６は、電極または電子輸送層７、正孔輸送層５から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層６の層内であっても発光層６と隣接する層との界面であってもよい。
発光層６としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。また、各発光層６間には非発光性の中間層（図示せず）を有していることが好ましい。

発光層６の膜厚の総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍである。なお、発光層６の膜厚の総和とは、発光層６間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。
個々の発光層６の膜厚としては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。青、緑、赤の各発光層６の膜厚の関係については、特に制限はない。

発光層６は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により製膜して形成することができる。
各発光層６は、複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）を同一発光層６中に混合して用いてもよい。
発光層６の構成として、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）、発光材料（発光ドーパント化合物ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

（ホスト化合物）
有機ＥＬ素子１Ａの発光層６に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が０．０１未満である。また、発光層６に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子１Ａを高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。

以下に、本発明で用いることのできるホスト化合物の具体例（Ｈ１〜Ｈ７９）を示すが、これらに限定されない。なお、ホスト化合物Ｈ６８〜Ｈ７１において、ｘおよびｙはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、ｘ：ｙ＝１：１０などとすることができる。また、ｐ、ｑ、ｒおよびｎは繰り返し数を表わす。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。

（発光材料）
本発明で用いることのできる発光材料としては、燐光発光性化合物（燐光性化合物、燐光発光材料ともいう）が挙げられる。
燐光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。

上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

燐光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光性化合物に移動させることで燐光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは、燐光発光性化合物がキャリアトラップとなり、燐光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こり燐光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、燐光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

燐光発光性化合物は、有機ＥＬ素子１Ａの発光層６に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、少なくとも一つの発光層６に２種以上の燐光発光性化合物を含有していてもよく、発光層６における燐光発光性化合物の濃度比が発光層６の厚さ方向で変化していてもよい。
燐光発光性化合物は好ましくは発光層６の総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。

（一般式（４）で表わされる化合物）
発光層６に含まれる化合物（燐光発光性化合物）は、下記一般式（４）で表わされる化合物であることが好ましい。
なお、一般式（４）で表される燐光発光性化合物（燐光発光性の金属錯体ともいう）は、本発明に係る有機ＥＬ素子１Ａの発光層６に発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層６以外の構成層（本発明に係る有機ＥＬ素子１Ａの構成層については後に詳細に説明する。）に含有されていてもよい。

式中、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（４）において、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表す。
そして、一般式（４）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（４）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（４）において、Ａ２が、Ｑ−Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（４）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。
Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

一般式（４）において、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３を表す。中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（４）において、Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウムが好ましい。

（一般式（５）で表される化合物）
一般式（４）で表される化合物の中でも、一般式（５）で表される化合物であることがさらに好ましい。

式中、Ｚは、炭化水素環基または複素環基を表す。Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−または−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１、Ｒ０２は、各々水素原子または置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。

一般式（５）において、Ｚで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（５）において、Ｚで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

好ましくは、Ｚで表される基は芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。

一般式（５）において、Ａ１が、Ｐ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（５）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。

ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（５）のＡ３で表される、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−において、Ｒ０１、Ｒ０２で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（５）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。

また、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３を表す。中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。

一般式（５）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）は、一般式（４）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

《一般式（６）で表される化合物》
上記一般式（５）で表される化合物の好ましい態様のひとつとして、下記一般式（６）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ０３は置換基を表し、Ｒ０４は水素原子または置換基を表し、複数のＲ０４は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０１は１〜４の整数を表す。Ｒ０５は水素原子または置換基を表し、複数のＲ０５は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０２は１〜２の整数を表す。Ｒ０６は水素原子または置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０３は１〜４の整数を表す。Ｚ１はＣ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員もしくは６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ２は炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｒ０３とＲ０６、Ｒ０４とＲ０６およびＲ０５とＲ０６は互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（６）において、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５、Ｒ０６で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。

一般式（６）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する５員または６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

これらの環はさらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）において、Ｚ２で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。

また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）において、Ｚ２で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でもよく、また、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの環は無置換でもよく、さらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。

一般式（６）において、Ｚ１およびＺ２で形成される基としては、ベンゼン環が好ましい。

一般式（６）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子は、一般式（４）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子と同義である。

一般式（６）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、一般式（４）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。

また、燐光発光性化合物は、有機ＥＬ素子１Ａの発光層６に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明に係る燐光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明に係る燐光発光性化合物の具体例（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ｏｓ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−４５）を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、ｍおよびｎは繰り返し数を表わす。

上記の燐光発光性化合物（燐光発光性金属錯体等ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ．３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

（中間層）
前記したように、発光層６を複数層形成する場合、各発光層６の間に非発光性の中間層（非発光層、非ドープ領域、非ドープ発光層等ともいう）を設けることもできる。
非発光性の中間層とは、複数の発光層６を有する場合、その発光層６間に設けられる層をいう。非発光性の中間層の膜厚としては１〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましいが、３〜１０ｎｍの範囲にあると、隣接する発光層６間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないため、より好ましい。
この非発光性の中間層に用いられる材料は、発光層６のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する２つの発光層６の少なくとも一方の発光層６のホスト化合物と同一の材料であることが好ましい。
また、非発光性の中間層には、発光層６に用いられる化合物（例えば、ホスト化合物等）と共通する化合物（共通ホスト材料という）を含有させるようにすることもできる。非発光性の中間層が、共通ホスト材料を含有することにより、発光層６と非発光層の間の注入障壁が低減され、電圧（電流）を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。また、非発光性の中間層に共通ホスト材料を用いると、従来の有機ＥＬ素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。なお、共通ホスト材料を用いるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等をいう。
非発光性の中間層に用いられる材料は、キャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有するものであることが好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は、正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。
また、一方では、正孔や電子の注入バランスを最適に調整するため、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。

本発明に係る有機ＥＬ素子１Ａは、構成層として阻止層（正孔阻止層（図示せず）、電子阻止層（図示せず））、注入層（電子注入層（図示せず）、正孔注入層４（図１参照））等を有していてもよい。

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層７の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層７の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層６に隣接して設けられていることが好ましい。
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層５の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層５の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層の膜厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。

（注入層：電子注入層、正孔注入層）
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層（発光層６）の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層４（図１参照）と電子注入層とがある。
注入層は、必要に応じて設けることができる。上記の如くアノード電極３と発光層６または正孔輸送層５の間、およびカソード電極８と発光層６または電子輸送層７との間に存在させてもよい。
正孔注入層４は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明における電子注入層は、金属層とアルカリ金属ハライド層との積層構成か、酸化物層と金属層とアルカリ金属ハライド層との積層構成であるものが好ましく、金属酸化物にアルカリ金属がドープされていてもよい。金属酸化物にドープするアルカリ金属の量は、１〜１０質量％が好ましい。上記電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。

〔正孔輸送層〕
正孔輸送層５は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層５に含まれる。正孔輸送層５は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂、ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層５は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層５の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層５は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、正孔輸送層５の材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
このように、正孔輸送層５のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

《アノード電極》
カソード電極８と対になるアノード電極３（対向電極）としては、前述の透明導電性を構成するカソード電極８で説明した材料を用いてもよいし、金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものを用いることもできる。
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
対向電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、対向電極としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子１Ａに用いることのできる支持基板２（以下、基材、基体、基板、支持体等とも言う。）としては、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、支持基板２は透明であっても不透明であってもよい。支持基板２から光を取り出す場合には、支持基板２は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板２としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板２は、有機ＥＬ素子１Ａにフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

このような樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましく、さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０^-3ｍＬ／（ｍ²・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０^-5ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

バリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等で形成した無機層を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。なお、バリア性フィルムの膜厚は、概ね５〜２０００ｎｍとすればよい。

有機層は、公知の重合性有機化合物を用いて形成することができるが、その中でも、分子内にエチレン性不飽和結合を有する重合可能なエチレン性不飽和結合含有化合物が好ましく、また、一般的なラジカル重合性のモノマー類、光、熱、紫外線等により硬化する樹脂に一般的に用いられる分子内に付加重合可能なエチレン性二重結合を複数有する多官能モノマー類や多官能オリゴマー類を用いることができる。

これらの重合可能なエチレン性不飽和結合含有化合物に特に限定は無いが、好ましいものとして、例えば、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、グリセロールアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルオキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルオキシヘキサノリドアクリレート、１，３−ジオキサンアルコールのε−カプロラクトン付加物のアクリレート、１，３−ジオキソランアクリレート等の単官能アクリル酸エステル類、或いはこれらのアクリレートをメタクリレート、イタコネート、クロトネート、マレエートに替えたメタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸エステル、例えば、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ハイドロキノンジアクリレート、レゾルシンジアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールのジアクリレート、ネオペンチルグリコールアジペートのジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールのε−カプロラクトン付加物のジアクリレート、２−（２−ヒドロキシ−１，１−ジメチルエチル）−５−ヒドロキシメチル−５−エチル−１，３−ジオキサンジアクリレート、トリシクロデカンジメチロールアクリレート、トリシクロデカンジメチロールアクリレートのε−カプロラクトン付加物、１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエーテルのジアクリレート等の２官能アクリル酸エステル類、或いはこれらのアクリレートをメタクリレート、イタコネート、クロトネート、マレエートに替えたメタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸エステル、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートのε−カプロラクトン付加物、ピロガロールトリアクリレート、プロピオン酸・ジペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピオン酸・ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ヒドロキシピバリルアルデヒド変性ジメチロールプロパントリアクリレート等の多官能アクリル酸エステル酸、或いはこれらのアクリレートをメタクリレート、イタコネート、クロトネート、マレエートに替えたメタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸エステル等を挙げることができる。

また、プレポリマーも上記同様に使用することができる。プレポリマーは、１種又は２種以上を併用してもよいし、上述の単量体及び／又はオリゴマーと混合して用いてもよい。

プレポリマーとしては、例えば、アジピン酸、トリメリット酸、マレイン酸、フタル酸、テレフタル酸、ハイミック酸、マロン酸、こはく酸、グルタール酸、イタコン酸、ピロメリット酸、フマル酸、グルタール酸、ピメリン酸、セバシン酸、ドデカン酸、テトラヒドロフタル酸等の多塩基酸と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレンオキサイド、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ソルビトール、１，６−ヘキサンジオール、１，２，６−ヘキサントリオール等の多価のアルコールの結合で得られるポリエステルに（メタ）アクリル酸を導入したポリエステルアクリレート類が挙げられる。このようなポリエステルアクリレート類としては、例えば、ビスフェノールＡ・エピクロルヒドリン・（メタ）アクリル酸、フェノールノボラック・エピクロルヒドリン・（メタ）アクリル酸のようにエポキシ樹脂に（メタ）アクリル酸を導入したエポキシアクリレート類、例えば、エチレングリコール・アジピン酸・トリレンジイソシアネート・２−ヒドロキシエチルアクリレート、ポリエチレングリコール・トリレンジイソシアネート・２−ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルフタリルメタクリレート・キシレンジイソシアネート、１，２−ポリブタジエングリコール・トリレンジイソシアネート・２−ヒドロキシエチルアクリレート、トリメチロールプロパン・プロピレングリコール・トリレンジイソシアネート・２−ヒドロキシエチルアクリレートのように、ウレタン樹脂に（メタ）アクリル酸を導入したウレタンアクリレート、例えば、ポリシロキサンアクリレート、ポリシロキサン・ジイソシアネート・２−ヒドロキシエチルアクリレート等のシリコーン樹脂アクリレート類、その他、油変性アルキッド樹脂に（メタ）アクリロイル基を導入したアルキッド変性アクリレート類、スピラン樹脂アクリレート類等のプレポリマーが挙げられる。

また、有機層に適用可能な有機ポリマーとしては、薄膜形成性ガスとしてプラズマ重合可能な有機物を用いることでも容易に形成できる。プラズマ重合可能な有機物としては、炭化水素、ビニル化合物、含ハロゲン化合物、含窒素化合物を挙げることができる。

炭化水素としては、例えば、エタン、エチレン、メタン、アセチレン、シクロヘキサン、ベンゼン、キシレン、フェニルアセチレン、ナフタレン、プロピレン、カンフォー、メントール、トルエン、イソブチレン等を挙げることができる。

ビニル化合物としては、例えば、アクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレート、アリルメタクリレート、アクリルアミド、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルピリジン、酢酸ビニル、ビニルメチルエーテル等を挙げることができる。

含ハロゲン化合物としては、例えば、四フッ化メタン、四フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、フロロアルキルメタクリレート等を挙げることができる。

含窒素化合物としては、例えば、ピリジン、アリルアミン、ブチルアミン、アクリロニトリル、アセトニトリル、ベンゾニトリル、メタクリロニトリル、アミノベンゼン等を挙げることができる。

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

不透明な支持基板２としては、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板２とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。

封止部材としては、有機ＥＬ素子１Ａの発光領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。電極は、封止部材に設けられ、かつ、有機ＥＬ素子１Ａと導通できるように設けられていればよい。

封止部材として、具体的には、ガラス基板、ポリマ基板・フィルム、金属基板・フィルム等が挙げられる。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマ基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウムおよびタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。

さらには、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^-3ｍＬ／（ｍ²・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^-3ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。

また、エポキシ系等の熱および化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機ＥＬ素子１Ａが熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、有機層を挟み支持基板２と対向する側の電極（図１においてはカソード電極８）の外側に当該電極と有機層を被覆し、支持基板２と接する形で無機物、有機物の層を形成し、封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。

さらに当該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機層の積層構造を持たせることが好ましい。なお、有機層は、例えば、上述した公知の重合性有機化合物を用いて形成することができる。

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

封止部材と有機ＥＬ素子１Ａの発光領域との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物および過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板２と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス基板、ポリマ基板・フィルム、金属基板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

《有機ＥＬ素子の製造方法》
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、図１に示す支持基板２／アノード電極３／正孔注入層４／正孔輸送層５／発光層６／電子輸送層７／カソード電極８からなる有機ＥＬ素子１Ａの製造方法について説明する。

まず、適当な支持基板２上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、アノード電極３を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。

この有機化合物を含有する薄膜の薄膜化の方法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。

製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０^-6Ｐａ〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、膜厚０．１μｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、カソード電極８を設けることにより所望の有機ＥＬ素子１Ａが得られる。

また、製膜順序を逆にして、支持基板２上に、カソード電極８、電子輸送層７、発光層６、正孔輸送層５、正孔注入層４、アノード電極３の順にすることも可能である。

このようにして製造された有機ＥＬ素子１Ａに、直流電圧を印加する場合にはアノード電極３を＋、カソード電極８を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

本発明の有機ＥＬ素子１Ａの製造は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層４からカソード電極８まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子１Ａは、前述したように面発光体として用いることができるが、これの他にも表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではなく、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
また、本発明の有機ＥＬ素子１Ａは、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子１Ａを２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
以下では、用途の一例として、照明装置について説明する。

《照明装置》
本発明の照明装置１０（図３参照）は、上記有機ＥＬ素子１Ａ（および／または有機ＥＬ素子１Ｂ）を有する。
なお、本発明の照明装置１０は、上記有機ＥＬ素子１Ａに共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。
このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。

なお、本発明の有機ＥＬ素子１Ａに用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子ともいう）に適用できる。また、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。
また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。

発光層６、正孔輸送層５あるいは電子輸送層７等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、有機ＥＬ素子１Ａ自体が白色を発光する。

発光層６に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
以上に説明した白色有機ＥＬ素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置１０を作製することが可能である。

《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機ＥＬ素子１Ａを備えた、本発明の照明装置１０の一態様について説明する。なお、図３は、本発明の照明装置１０の一態様を示す概略断面図である。

図３に概略的に示すように、本発明の照明装置１０は、アノード電極３を形成した支持基板２と、発光層６と、カソード電極８とを含む有機ＥＬ素子１Ａが、シール材（例えば、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ））によって封止用のガラス基板１１上に固定されている。ガラス基板１１に固定された有機ＥＬ素子１Ａは、ガラス基板１１と封止部材であるガラスケース１２と、シール材１３とによって封止されている。シール材１３は、有機ＥＬ素子１Ａの固定に使用したものと同じものを用いることができる。なお、ガラスケース１２の内部は、有機ＥＬ素子１Ａを大気に接触させないようにするため窒素ガス１４が充填されている。そのため、ガラスケース１２での封止作業は、窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）内で行うのが好ましい。また、ガラスケース１２の内部には吸湿化合物１５が設けられている。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

《両面エミッション型有機ＥＬ素子の作製》
表１に示す番号１〜２２に係る有機ＥＬ素子を発光面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。作製した番号１〜２２に係る有機ＥＬ素子を用いてそれぞれ照明装置を作製した。以下、実施例の説明において、番号１〜２２に係る有機ＥＬ素子を備えた各照明装置を、便宜上、有機ＥＬ素子１〜２２という。

〔有機ＥＬ素子１の作製〕
（陽極の形成）
透明なガラス製の支持基板の上に厚さ１００ｎｍとなる条件でＩＴＯをスパッタ法で成膜した後、パターニングを行い、ＩＴＯ層から成るアノード電極（陽極）を形成した。次いで、ＩＴＯ層を設けた基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

（正孔注入層〜電子注入層の形成）
このＩＴＯ層を設けた支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、各タンタル製抵抗加熱ボードにα−ＮＰＤ、化合物Ｈ４（以下、単にＨ４という）、化合物Ｉｒ−４（以下、単にＩｒ−４という）、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ₃、塩化カリウム、フッ化カリウム、フッ化リチウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。なお、α−ＮＰＤ、ＢＡｌｑおよびＡｌｑ₃の構造は以下のとおりである。

さらに、各タングステン製抵抗加熱ボードに銀、リチウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第２真空槽に取り付けた。

まず、第１真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒でＩＴＯ層上に膜厚２０ｎｍの正孔注入層を兼ねた正孔輸送層を設けた。
さらに、Ｈ４の入った前記加熱ボードとＩｒ−４の入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＨ４と発光ドーパントであるＩｒ−４の蒸着速度が１００：６になるように調節し、膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。
次いで、ＢＡｌｑの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。
さらに、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。
さらに、フッ化リチウムの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚１ｎｍの電子注入層を設けた。

（陰極の形成）
次に、電子注入層まで成膜した素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚１０ｎｍの銀から成る層を形成し、カソード電極（陰極）を形成した。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子１を得た。

〔有機ＥＬ素子２の作製〕
（陽極〜電子注入層の形成）
陽極〜電子注入層までは有機ＥＬ素子１と同様な方法で形成した。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとリチウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、リチウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの銀とリチウムからなる電極層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子２を得た。

〔有機ＥＬ素子３の作製〕
（陽極〜電子注入層の形成）
陽極〜電子注入層までは有機ＥＬ素子１と同様な方法で形成した。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとリチウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、リチウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの銀とリチウムからなる電極層を形成した。
さらに、マグネシウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子３を得た。

〔有機ＥＬ素子４の作製〕
（陽極〜電子注入層の形成）
陽極〜電子注入層までは有機ＥＬ素子１と同様な方法で形成した。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとリチウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、リチウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの銀とリチウムからなる電極層を形成した。
さらに、カルシウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子４を得た。

〔有機ＥＬ素子５の作製〕
（陽極〜電子注入層の形成）
陽極〜電子注入層までは有機ＥＬ素子１と同様な方法で形成した。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとマグネシウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、マグネシウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの銀とマグネシウムからなる層を形成した。
さらに、リチウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子５を得た。

〔有機ＥＬ素子６〜７の作製〕
表１に記載の如く、金属保護層の材料をリチウムから、それぞれカルシウム、アルミニウムに変更した以外は、有機ＥＬ素子５と同様な方法で有機ＥＬ素子６〜７を作製した。

〔有機ＥＬ素子８〜１０の作製〕
表１に記載の如く、電子輸送層の電子輸送材料をＡｌｑ₃から、それぞれ化合物（９９）、化合物（９４）、化合物（１０）に変更した以外は、有機ＥＬ素子７と同様な方法で有機ＥＬ素子８〜１０を作製した。

〔有機ＥＬ素子１１〜１２の作製〕
表１に記載の如く、電極層の膜厚をそれぞれ７ｎｍ、５ｎｍに変更した以外は、有機ＥＬ素子１０と同様な方法で有機ＥＬ素子１１〜１２を作製した。

〔有機ＥＬ素子１３の作製〕
表１に記載の如く、電子注入層の材料をフッ化リチウムからフッ化カリウム、膜厚を１ｎｍから２ｎｍに変更した以外は、有機ＥＬ素子１２と同様な方法で有機ＥＬ素子１３を作製した。

〔有機ＥＬ素子１４の作製〕
（陽極〜正孔阻止層の形成）
陽極〜正孔阻止層までは有機ＥＬ素子１３と同様な方法で形成した。

（電子輸送層〜電子注入層の形成）
次に、化合物（１０）の入った前記加熱ボードとフッ化カリウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、化合物（１０）とフッ化カリウムの蒸着速度が７５：２５になるように調節し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
さらに、フッ化カリウムの入った前記加熱ボードに通電して加熱し蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの電子注入層を設けた。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとマグネシウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、マグネシウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの電極層を形成した。
さらに、アルミニウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子１４を得た。

〔有機ＥＬ素子１５の作製〕
（陽極〜電子輸送層の形成）
陽極〜電子輸送層までは有機ＥＬ素子１４と同様な方法で形成した。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとマグネシウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、マグネシウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの電極層を形成した。
さらに、アルミニウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子１５を得た。

〔有機ＥＬ素子１６〜１８の作製〕
表１に記載の如く、発光層の発光ドーパントをＩｒ−４からＩｒ−１２、Ｉｒ−２４、Ｉｒ−２６に変更した以外は有機ＥＬ素子１３と同様な方法で有機ＥＬ素子１６〜１８を作製した。

〔有機ＥＬ素子１９の作製〕
（陽極〜正孔阻止層の形成）
陽極〜正孔阻止層までは有機ＥＬ素子１８と同様な方法で形成した。

（電子輸送層〜電子注入層の形成）
次に、化合物（１０）の入った前記加熱ボードとフッ化カリウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、化合物（１０）とフッ化カリウムの蒸着速度が７５：２５になるように調節し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
さらに、フッ化カリウムの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの電子注入層を設けた。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとマグネシウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、マグネシウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの電極層を形成した。
さらに、アルミニウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子１９を得た。

〔有機ＥＬ素子２０の作製〕
（陽極〜電子輸送層の形成）
陽極〜電子輸送層までは有機ＥＬ素子１９と同様な方法で形成した。

（陰極（カソード）の形成）
次に、得られた素子を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードとマグネシウムの入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して、マグネシウムの比率が１０質量％になるように蒸着速度を調整し、膜厚１０ｎｍの電極層を形成した。
さらに、アルミニウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子２０を得た。

〔有機ＥＬ素子２１の作製〕
（陽極〜陰極の形成）
陽極〜陰極までは有機ＥＬ素子１８と同様な方法で形成した。

（補助電極の形成）
但し、電極層を形成した後、当該電極層上に、シャドーマスクを用いて蒸着法で線幅５０μｍ、厚み１μｍ、ピッチ１ｍｍの間隔でライン状の銀パターンから成る補助電極を形成した。
そして、その後、アルミニウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子２１を得た。

〔有機ＥＬ素子２２の作製〕
（陽極〜陰極の形成）
陽極〜陰極までは有機ＥＬ素子２０と同様な方法で形成した。

（補助電極の形成）
但し、電極層を形成した後、当該電極層上に、シャドーマスクを用いて蒸着法で線幅５０μｍ、厚み１μｍ、ピッチ１ｍｍの間隔でライン状の銀パターンから成る補助電極を形成した。
そして、その後、アルミニウムの入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚２ｎｍの金属保護層を形成し、陰極を得た。

（素子の封止）
最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを素子の支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化・封止して、有機ＥＬ素子２２を得た。

《有機ＥＬ素子の評価》
上記で作製した各有機ＥＬ素子（照明装置）に対し、駆動電圧の測定と、カソード電極の透過率の測定と、素子の透過率の測定とを行った。これらの評価は次のようにして行った。

〔駆動電圧の測定〕
上記で作製した各有機ＥＬ素子に対し、陽極側と陰極側の両側の正面輝度の和が１０００ｃｄ／ｍ²となるときの電圧を各素子の電圧とした。まず素子を作製直後に電圧を測定し、得られた数値を高温保存前の電圧とした。次に、各素子を８０℃で１００時間保存した後の電圧を測定し、得られた数値を高温保存後の電圧とした。なお、輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。得られた電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表わす。

〔カソード電極の透過率の測定〕
カソード電極の透過率を測定するために、別途カソード電極まで成膜した試料とカソード電極の手前まで成膜した試料を作製し、カソード電極の手前まで成膜した試料をベースラインとして、カソード電極まで成膜した試料をファイバマルチチャンネル分光器（オーシャンオプティクス製）で測定し、得られた値をカソード電極の透過率とした。本発明におけるカソード電極は透過率が３８％以上であるものを優良と評価した。

〔素子の透過率の測定〕
上記作製した各有機ＥＬ素子に対し、ファイバマルチチャンネル分光器（オーシャンオプティクス製）を用いて、素子の透過率を測定した。素子の透過率が３０％以上であるものを優良と評価した。

以上により得られた評価結果を表１に示す。

表１に記載の結果より明らかな様に、有機ＥＬ素子４〜２２は、有機ＥＬ素子１〜３と比較して駆動電圧が低く、カソード電極の透過率および素子の透過率が高かった。

１Ａ，１Ｂ 有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
２ 支持基板
３ アノード電極
４ 正孔注入層
５ 正孔輸送層
６ 発光層
７ 電子輸送層
８ カソード電極
８１ 電極層
８２ 金属保護層
９ 補助電極
１０ 照明装置
１１ ガラス基板
１２ ガラスケース
１３ シール材
１４ 窒素ガス
１５ 吸湿化合物

Claims (11)

1. 透過率が５０％以上であるカソード電極と発光層を有しており、
   前記カソード電極は、前記発光層に近い側から、アルカリ金属と銀との合金またはアルカリ土類金属と銀との合金を含んで成る、膜厚が１〜１０ｎｍの電極層と、前記電極層を保護する、膜厚が１〜５ｎｍの金属保護層とを積層させた積層体を含んで成り、
   前記金属保護層は、酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーよりも負側に大きい金属元素を含んで成り、前記電極層よりも酸化が優先的に行われることによって前記電極層に含まれているアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化を防止する酸化防止層として機能し、
   前記カソード電極と前記発光層の間に、電子輸送性化合物を含む電子輸送層を有しており、前記電子輸送性化合物が、下記一般式（１）で表される化合物を有する
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   一般式（１）
   （Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１
   〔式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は下記一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式（１）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。〕
   

   

   〔式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’およびＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ３およびＹ４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。〕
2. 前記金属保護層が酸化物を生成するときの標準生成エンタルピーが、−１０００ｋＪ／ｍｏｌよりも負側に大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記電子輸送性化合物が、下記一般式（２）で表される化合物を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、およびＹ８またはＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３およびｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕
4. 前記電子輸送性化合物が、下記一般式（３）で表される化合物を有することを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ７１〜Ｅ７９の少なくとも１つおよびＥ８０〜Ｅ８８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｎ３およびｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。〕
5. 前記電子輸送層にカリウムまたはカリウム化合物がドープされていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記発光層が、下記一般式（４）で表される化合物を有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２はＱ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
7. 前記一般式（４）で表される化合物が、下記一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚは、炭化水素環基または複素環基を表す。Ｐ、Ｑは、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ａ１はＰ−Ｃと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−または−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１、Ｒ０２は、各々水素原子または置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１、Ｐ２は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１、Ｐ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２または３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。〕
8. 前記Ｍ１がイリジウムであることを特徴とする請求項６または７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記電極層と前記金属保護層との間に、補助電極を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 両面エミッション型であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。

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