JP6000247B2 - 計測のための光学的対称化 - Google Patents
計測のための光学的対称化 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6000247B2 JP6000247B2 JP2013523212A JP2013523212A JP6000247B2 JP 6000247 B2 JP6000247 B2 JP 6000247B2 JP 2013523212 A JP2013523212 A JP 2013523212A JP 2013523212 A JP2013523212 A JP 2013523212A JP 6000247 B2 JP6000247 B2 JP 6000247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ism
- light
- channel
- illumination
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 86
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 40
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000000829 induction skull melting Methods 0.000 description 4
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
[関連出願]
米国特許商標庁の法定外の必要条件のため、本出願は、2010年8月3日出願の出願シリアル番号第61/370,347号の米国仮特許出願、発明者Amnon Manassen,Daniel Kandel,Moshe Baruch,Joel Seligson,Alexander Svizher,Guy Cohen,Efraim Rotem,Ohad Bachar,Daria NegriおよびNoam Sapiensの”OPTICS SYMMETRIZATION FOR METROLOGY”の正式の(仮でない)特許出願を構成する。
Claims (22)
- 照射源と、
前記照射源からの光の第1の部分を第1の光学アームに沿って方向付け、光の第2の部分を第2の光学アームに沿って方向付けるように構成された第1のビームスプリッタと、
前記第1の光学アームに配置された、少なくとも1つの照射対称化モジュール(ISM)であって、前記照射源からの光の前記第1の部分に対して対称化プロセスを適用するよう構成された1又は複数の光学部材を含むISMと、
光学計測ツールのツール誘起シフトが選択されたレベル以下となるように、前記ISMにより処理された、前記第1の光学アームからの光の前記第1の部分と、前記第2の光学アームからの光の前記第2の部分と、を合成して対称化された出力ビームを形成し、および、前記対称化された出力ビームを1または複数の試料の表面へ方向付けるように構成された第2のビームスプリッタと、
主光軸に沿って配置され、前記1つまたは複数の試料の前記表面から反射された光の部分を収集するよう構成された検出器と、を備える、
照射を対称化する機器。 - 前記少なくとも1つのISMが、前記照射源からの光の第1の部分に180度回転対称化変換を実行するよう構成された180度対称化モジュールを備える、
請求項1に記載の機器。 - 前記少なくとも1つのISMが、前記照射源から放射する照射にY反射対称化変換を実行するよう構成されたY反射対称化モジュールを備える、
請求項1に記載の機器。 - 前記少なくとも1つのISMが、第1のISMおよび少なくとも第2のISMを備え、前記第1のISMおよび前記少なくとも第2のISMは、前記第1のISMの出力が前記少なくとも第2のISMの入力に光学的に接続されるように直列で組み合わされた、
請求項1に記載の機器。 - 前記少なくとも1つのISMが、第1のISMおよび少なくとも第2のISMを備え、前記第1のISMおよび前記少なくとも第2のISMは、前記第1のISMの出力が前記少なくとも第2のISMの入力に光学的に接続されるように直列で組み合わされ、前記第1のISMが前記第2のISMと実質的に同一である、
請求項1に記載の機器。 - 前記少なくとも1つのISMが、第1のISMおよび少なくとも第2のISMを備え、前記第1のISMおよび前記少なくとも第2のISMは、前記第1のISMの出力が前記少なくとも第2のISMの入力に光学的に接続されるように直列で組み合わされ、前記第1のISMが前記第2のISMと異なる、
請求項1に記載の機器。 - オブジェクトパスおよび参照パスが、2ビーム干渉集束システムの部分を形成する、請求項1に記載の機器。
- 前記2ビーム干渉集束システムが、Linnik干渉計を備える、請求項7に記載の機器。
- 照射源と、
前記照射源から放射する光の第1の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成されたダイレクトチャネルと、
前記照射源から放射する光の第2の部分を、前記1つまたは複数の試料の前記表面へ伝送するよう構成された回転チャネルであって、前記光の第2の部分を180度回転するよう構成された光学回転モジュールを有する回転チャネルと、
前記回転チャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第1のシャッタと、
前記ダイレクトチャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第2のシャッタと、
前記1つまたは複数の試料の前記表面から反射された光の部分を収集するよう構成され、前記光の部分は前記ダイレクトチャネルからの光または前記回転チャネルからの光のうち少なくとも1つを含む、検出器と、を備える、
ツール誘起シフトを測定する機器。 - 前記回転チャネルの前記光学回転モジュールが、1対1回転画像化モジュールを有する、請求項9に記載の機器。
- 前記回転チャネルが、光学戻りモジュールを有する、請求項9に記載の機器。
- 前記光学戻りモジュールが、前記回転チャネルの光を対物レンズへ方向付けるよう構成された平面のミラーのセットを有する、請求項11に記載の機器。
- 前記照射源から放射する光を前記ダイレクトチャネルに沿って方向付けること、または、前記照射源から放射する光を前記試料の前記表面へ伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第1のビームスプリッタをさらに備える、
請求項9に記載の機器。 - 前記回転チャネルから現れる光を前記試料の前記表面へ方向付けること、または、光を参照パスに沿って伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第2のビームスプリッタをさらに備える、
請求項9に記載の機器。 - 少なくとも1つの照射対称化モジュールをさらに備える、
請求項9に記載の機器。 - 前記少なくとも1つの照射対称化モジュールが、前記照射源から放射する光を、前記回転チャネルに入る前に処理するよう構成された少なくとも1つの照射対称化モジュールを有する、
請求項15に記載の機器。 - 照射源と、
前記照射源から放射する光の第1の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成されたダイレクトチャネルと、
前記照射源から放射する光の第2の部分を、前記1つまたは複数の試料の前記表面へ伝送するよう構成された回転チャネルであって、前記光の第2の部分を180度回転するよう構成された光学反射モジュールを有する回転チャネルと、
前記回転チャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第1のシャッタと、
前記ダイレクトチャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第2のシャッタと、
前記1つまたは複数の試料の前記表面から反射された光の部分を収集するよう構成され、前記光の部分は前記ダイレクトチャネルからの光または前記回転チャネルからの光のうち少なくとも1つを含む、検出器と、を備える、
ツール誘起シフトを測定する機器。 - 前記回転チャネルの前記光学反射モジュールが、入射照射で180°回転対称化動作を実行するよう構成された凹面鏡のセットを有する、請求項17に記載の機器。
- 前記照射源から放射する光を前記ダイレクトチャネルに沿って方向付けること、または、前記照射源から放射する光を前記試料の前記表面へ伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第1のビームスプリッタをさらに備える、
請求項17に記載の機器。 - 前記回転チャネルから現れる光を前記試料の前記表面へ方向付けること、または、光を参照パスに沿って伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第2のビームスプリッタをさらに備える、
請求項17に記載の機器。 - 少なくとも1つの照射対称化モジュールをさらに備える、
請求項17に記載の機器。 - 前記少なくとも1つの照射対称化モジュールが、前記照射源から放射する光を、前記回転チャネルに入る前に処理するよう構成された少なくとも1つの照射対称化モジュールを有する、
請求項21に記載の機器。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37034710P | 2010-08-03 | 2010-08-03 | |
US61/370,347 | 2010-08-03 | ||
US13/188,623 US9164397B2 (en) | 2010-08-03 | 2011-07-22 | Optics symmetrization for metrology |
US13/188,623 | 2011-07-22 | ||
PCT/US2011/045784 WO2012018674A2 (en) | 2010-08-03 | 2011-07-28 | Optics symmetrization for metrology |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013541694A JP2013541694A (ja) | 2013-11-14 |
JP6000247B2 true JP6000247B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=45555938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013523212A Active JP6000247B2 (ja) | 2010-08-03 | 2011-07-28 | 計測のための光学的対称化 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9164397B2 (ja) |
JP (1) | JP6000247B2 (ja) |
KR (2) | KR101787157B1 (ja) |
TW (1) | TWI484304B (ja) |
WO (1) | WO2012018674A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL217843A (en) | 2011-02-11 | 2016-11-30 | Asml Netherlands Bv | A system and method for testing, a lithographic system, a cell for lithographic processing, and a method for producing a device |
EP2865003A1 (en) * | 2012-06-26 | 2015-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology |
TW201935147A (zh) * | 2013-07-26 | 2019-09-01 | 美商克萊譚克公司 | 反射對稱式散射量測之重疊目標及方法 |
KR101982694B1 (ko) * | 2014-12-15 | 2019-05-27 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 광학적 퓨필 대칭화를 위한 방법 및 장치 |
US10048197B2 (en) * | 2015-04-28 | 2018-08-14 | Taiwan Biophotonic Corporation | Optical measurement device and optical measurement method |
KR102699399B1 (ko) | 2016-09-15 | 2024-08-26 | 케이엘에이 코포레이션 | 이미징 기반 오버레이 계측을 위한 포커스 최적화를 위한 시스템 및 방법 |
CN110709778B (zh) * | 2017-06-02 | 2021-12-21 | Asml荷兰有限公司 | 量测设备 |
DE102018200036B3 (de) * | 2018-01-03 | 2019-01-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Anordnung zur direkten Laserinterferenzstrukturierung |
KR20240050469A (ko) * | 2018-09-19 | 2024-04-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 그 장치 |
US11861824B1 (en) | 2022-02-03 | 2024-01-02 | Kla Corporation | Reference image grouping in overlay metrology |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3345912A (en) * | 1964-03-10 | 1967-10-10 | Ibm | Rotary shearing interferometer |
US4355871A (en) * | 1980-07-14 | 1982-10-26 | Diversitronics, Inc. | Keratometer |
JPS60123160A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 走査ビーム径切換装置 |
US4662750A (en) * | 1984-03-14 | 1987-05-05 | Barger Richard L | Angle sensitive interferometer and control method and apparatus |
US4818110A (en) | 1986-05-06 | 1989-04-04 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus of using a two beam interference microscope for inspection of integrated circuits and the like |
JP2512873B2 (ja) | 1987-07-22 | 1996-07-03 | 株式会社ニコン | 光束安定装置 |
JP2536023B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1996-09-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、及び露光方法 |
JP3102076B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
KR0148695B1 (ko) * | 1992-08-08 | 1998-09-15 | 강진구 | 비데오 카메라의 고화질화 장치 |
JP3284641B2 (ja) * | 1992-09-03 | 2002-05-20 | ソニー株式会社 | 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法 |
US5438413A (en) * | 1993-03-03 | 1995-08-01 | Kla Instruments Corporation | Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication |
JP3303595B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた観察装置 |
JP3594384B2 (ja) * | 1995-12-08 | 2004-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体露光装置、投影露光装置及び回路パターン製造方法 |
KR100483981B1 (ko) * | 1996-02-22 | 2005-11-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 펄스폭신장광학계및이러한광학계를갖춘노광장치 |
US6172349B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-01-09 | Kla-Tencor Corporation | Autofocusing apparatus and method for high resolution microscope system |
JP3796363B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた露光装置 |
US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7009704B1 (en) * | 2000-10-26 | 2006-03-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay error detection |
US6795168B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-21 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for exposing a wafer using multiple masks during an integrated circuit manufacturing process |
US7440105B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
US20040227944A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-11-18 | Nikon Corporation | Mark position detection apparatus |
JP4734261B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-07-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法 |
US7417743B2 (en) | 2004-03-15 | 2008-08-26 | Zygo Corporation | Interferometry systems and methods |
JP4528580B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
US7511826B2 (en) | 2006-02-27 | 2009-03-31 | Asml Holding N.V. | Symmetrical illumination forming system and method |
US8045786B2 (en) * | 2006-10-24 | 2011-10-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Waferless recipe optimization |
NL1035986A1 (nl) | 2007-09-28 | 2009-03-31 | Asml Holding Nv | Controlling fluctuations in pointing, positioning, size or divergence errors of a beam of light for an optical apparatus. |
US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
-
2011
- 2011-07-22 US US13/188,623 patent/US9164397B2/en active Active
- 2011-07-28 JP JP2013523212A patent/JP6000247B2/ja active Active
- 2011-07-28 WO PCT/US2011/045784 patent/WO2012018674A2/en active Application Filing
- 2011-07-28 KR KR1020137004986A patent/KR101787157B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-28 KR KR1020177004872A patent/KR101831568B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-03 TW TW100127617A patent/TWI484304B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012018674A2 (en) | 2012-02-09 |
JP2013541694A (ja) | 2013-11-14 |
US9164397B2 (en) | 2015-10-20 |
KR20170021925A (ko) | 2017-02-28 |
TWI484304B (zh) | 2015-05-11 |
KR101787157B1 (ko) | 2017-10-18 |
TW201229677A (en) | 2012-07-16 |
KR20140002609A (ko) | 2014-01-08 |
US20120033226A1 (en) | 2012-02-09 |
WO2012018674A3 (en) | 2012-05-18 |
KR101831568B1 (ko) | 2018-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6000247B2 (ja) | 計測のための光学的対称化 | |
EP2724361B1 (en) | Illumination control | |
US9170156B2 (en) | Normal-incidence broadband spectroscopic polarimeter containing reference beam and optical measurement system | |
TW201921132A (zh) | 使用多重參數組態之疊對度量 | |
JP6505111B2 (ja) | 低ノイズ高安定性の深紫外線連続波レーザー | |
US11262661B2 (en) | Metrology apparatus | |
CN109416507A (zh) | 光学系统及使用此系统校正掩模缺陷的方法 | |
US20160274029A1 (en) | Measuring arrangement for measuring optical properties of a reflective optical element, in particular for microlithography | |
TWI739990B (zh) | 非對稱放大檢查系統和照明模組 | |
JP7141411B2 (ja) | フォトニック集積回路をテストするための装置、装置を含む検査システム、及びフォトニック集積回路をテストするための方法 | |
JP2003533733A (ja) | 光学機器用オートフォーカシング装置 | |
JP7275198B2 (ja) | マイクロリソグラフィマスクを特徴付けるための装置および方法 | |
US10976249B1 (en) | Reflective pupil relay system | |
JP2013205367A (ja) | 検査装置、検査方法、およびデバイス製造方法 | |
JP2006250675A (ja) | マッハツェンダー型干渉計 | |
TW202429056A (zh) | 光學波前檢測裝置及其檢測方法 | |
JP5930350B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系を調節する方法 | |
KR20240006149A (ko) | 검사 장치 및 검사 방법 | |
JP2013195088A (ja) | 検査装置、検査方法、およびデバイス製造方法 | |
JP2017062355A (ja) | 位相差シフトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP2010223828A (ja) | レンズ性能検査装置 | |
JP2012128156A (ja) | 光軸ズレ補正装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140725 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6000247 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |