JP6000247B2 - 計測のための光学的対称化 - Google Patents

計測のための光学的対称化 Download PDF

Info

Publication number
JP6000247B2
JP6000247B2 JP2013523212A JP2013523212A JP6000247B2 JP 6000247 B2 JP6000247 B2 JP 6000247B2 JP 2013523212 A JP2013523212 A JP 2013523212A JP 2013523212 A JP2013523212 A JP 2013523212A JP 6000247 B2 JP6000247 B2 JP 6000247B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ism
light
channel
illumination
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013523212A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013541694A (ja
Inventor
アモン マナッセン
アモン マナッセン
ダニエル カンデル
ダニエル カンデル
モシェ バルーク
モシェ バルーク
ジョエル セリグソン
ジョエル セリグソン
アレキサンダー スビザー
アレキサンダー スビザー
ガイ コーエン
ガイ コーエン
エフライム ローテム
エフライム ローテム
オハッド バーカー
オハッド バーカー
ダリア ネグリ
ダリア ネグリ
ノーム サピエンス
ノーム サピエンス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Corp filed Critical KLA Corp
Publication of JP2013541694A publication Critical patent/JP2013541694A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6000247B2 publication Critical patent/JP6000247B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706843Metrology apparatus
    • G03F7/706851Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本出願は、下記に挙げる出願(「関連出願」)から最も早く有効な出願日の恩恵に関連し、また主張する(例えば、仮特許出願以外の最も早い可能な優先日を主張し、または、関連出願のいずれかおよび全ての特許出願、親出願、祖父出願などの仮特許出願についての米国特許法第119条(e)による恩恵を主張する)。
[関連出願]
米国特許商標庁の法定外の必要条件のため、本出願は、2010年8月3日出願の出願シリアル番号第61/370,347号の米国仮特許出願、発明者Amnon Manassen,Daniel Kandel,Moshe Baruch,Joel Seligson,Alexander Svizher,Guy Cohen,Efraim Rotem,Ohad Bachar,Daria NegriおよびNoam Sapiensの”OPTICS SYMMETRIZATION FOR METROLOGY”の正式の(仮でない)特許出願を構成する。
本発明は全般的に、光学計測システムのツール誘起シフト(Tool Induced Shift)(TIS)測定に関する。
半導体装置および構成要素の寸法が減少し続けるので、種々の層の間の整列制御(アライメントコントロール)の増加の必要、またはあるサンプルの単一の層内の機能は増え続ける。半導体処理の環境では、半導体ベースの装置は基板上に一連の層を加工することにより生産してもよく、いくつかまたは全ての層は種々の構造を有する。単一の層内と他の層内の構造に関連する両方のこれらの構造の相対的な位置は、装置の性能に重要である。
計測プロセスは、半導体製造プロセス間の種々のステップで、1つまたは複数の半導体層プロセスを監視および制御するのに使用される。例えば、計測プロセスは、処理ステップの間ウェハ上で形成される特性の寸法(例えば線幅、厚さなど)のようなウェハの1つまたは複数の特性を測定するのに使用され、そこではプロセスステップの質を1つまたは複数の特性を測定することにより測定可能である。1つのそのような特性は、オーバレイエラーを含む。
オーバレイ測定は、一般的に、第1のパターン層がどれだけ正確にその上方または下方に配置された第2のパターン層に対して整列するか、または第1のパターンが同一層上に配置された第2のパターンに対してどれだけ正確に整列するかを規定する。オーバレイエラーは、通常、作業片(例えば、半導体ウェハ)の1つまたは複数の層上に形成される構造を有するオーバレイターゲットで測定される。ある半導体装置の層またはパターンが適切に形成されていない場合、そのとき1つの層またはパターンの構造は、他の層またはパターンの構造に対して偏って(オフセットし)またはずれている傾向がある。半導体集積回路製造の異なる段階で使用されるパターンのいずれかの間のずれは、「オーバレイエラー」として知られている。
一般的な検知で、オーバレイ測定のような計測の適用は、高度なリソグラフィプロセスの必要条件を満たすため、高品質の光学部品を必要とする。オーバレイ計測の場合、実行システムの光学構成要素の光学的不完全(例えば収差)は、ツール誘起シフト(TIS)をもたらすかもしれない。この方法で、光学システムの光学的不完全は、実際のオーバレイに対する測定されたオーバレイの移動(シフト)を引き起こすかもしれない。例えば、計測の光学カラムに存在する光学収差が、TISにつながるかもしれない。TISの標準測定は、第1の位置でオーバレイを測定し、それからウェハを180度回転してオーバレイ測定を繰り返すことを含む。そのようなものとして、TISは以下のように定義される。
ここでOVL(0°)は第1の位置で測定されたオーバレイを示し、OVL(180°)は第1の位置に対してサンプルを180度回転した後に測定されたオーバレイを示す。
従来、TISの存在をなくすまたは限定する2つの方法がある。1つ目は、TISにつながる光学不完全の回避を補助するため、高価なハイエンド光学構成要素を計測システムの実行に使用するかもしれない。2つ目は、あるシステム内のTISを測定すると、そのあるシステムは観察されたTISレベルを修正するため、較正されるかもしれない。較正の必要により、TISの存在は、与えられた半導体加工プロセスのスループットの減少につながる。また、TISを避けるまたは限定するためのハイエンド光学構成要素の必要性は、半導体処理および計測のコストの上昇につながる。従って、より効率的なTIS計測プロセス、ならびに与えられたシステムでTISの量を減少させる、改善された光学システムを提供する方法および/またはシステムの提供が望ましいかもしれない。
米国特許出願公開第2005/0200856号明細書 米国特許第7,511,826号明細書 米国特許出願公開第2009/0086184号明細書
照射対称化に適切な機器が開示される。1つの態様では、機器は、照射源と、照射源から放射する光の少なくとも部分を対称化するよう構成された少なくとも1つの照射対称化モジュール(ISM)と、ISMにより処理された光の第1の部分を、オブジェクトパスに沿って1つまたは複数の試料の表面へ方向付け、および、ISMにより処理された光の第2の部分を参照パスに沿って方向付けるよう構成された第1のビームスプリッタと、一次光軸に沿って配置され、1つまたは複数の試料の表面から反射された光の部分を収集するよう構成された検出器を有してもよいが、それらに限定されない。
別の態様では、ツール誘起シフトを測定するのに適切な機器が開示される。機器は、照射源と、照射源から放射する光の第1の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成されたダイレクトチャネルと、照射源から放射する光の第2の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成された回転チャネルであって、光の第2の部分を180度回転するよう構成された光学回転モジュールを有する回転チャネルと、回転チャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第1のシャッタと、ダイレクトチャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第2のシャッタと、1つまたは複数の試料の表面から反射された光の部分を収集するよう構成され、光の部分はダイレクトチャネルからの光または回転チャネルからの光のうち少なくとも1つを含む、配置された検出器を有してもよいが、それらに限定されない。
別の態様では、ツール誘起シフトを測定するのに適切な機器が開示される。機器は、照射源と、照射源から放射する光の第1の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成されたダイレクトチャネルと、照射源から放射する光の第2の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成された回転チャネルであって、光の第2の部分を180度回転するよう構成された光学反射モジュールを有する回転チャネルと、回転チャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第1のシャッタと、ダイレクトチャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第2のシャッタと、1つまたは複数の試料の表面から反射された光の部分を収集するよう構成され、光の部分はダイレクトチャネルからの光または回転チャネルからの光のうち少なくとも1つを含む、検出器を有してもよいが、それらに限定されない。
前述の一般的な記載および後述の詳細な記載の両方は、例示および解説のみであり、必ずしも主張されるものとして本発明を制限するものではないことを理解すべきである。明細書に包含され一部を構成する添付の図は、本発明の実施形態を示し、一般の記載とともに本発明の原理を説明する。
本開示の多数の利点を、当業者は以下の添付の図を参照してよりよく理解するかもしれない。
本発明による、照射対称化に適切な機器のブロック図を示す。 本発明による、実施に適切な照射対称化モジュールのタイプのブロック図を示す。 本発明による、180度回転照射対称化モジュールのブロック図を示す。 本発明による、180度回転照射対称化モジュールのブロック図を示す。 本発明による、Y反射照射対称化モジュールのブロック図を示す。 本発明による、Y反射角度回転照射対称化モジュールのブロック図を示す。 本発明による、Y反射角度回転照射対称化モジュールおよび180度回転照射対称化モジュールの一組の組み合わせのブロック図を示す。 本発明による、Y反射角度回転照射対称化モジュールおよび180度回転照射対称化モジュールの一組の組み合わせのブロック図を示す。 本発明による、ツール誘起シフト測定に適切な機器のブロック図を示す。 本発明による、ツール誘起シフト測定に適切な機器のブロック図を示す。 本発明による、ツール誘起シフト測定に適切な機器のブロック図を示す。 本発明による、照射対称化モジュールと合わせて実行されるツール誘起シフト測定に適切な機器のブロック図を示す。 本発明による、照射対称化モジュールに合わせて実行されるツール誘起シフト測定に適切な機器のブロック図を示す。
添付の図に示された開示される対象を、詳細に説明する。
広く図1Aから図4Bを通して、照射対称化を提供するのに適切なシステム100を、本発明によって記す。1つの態様では、本発明は、照射対称化モジュールを使用する照射の対称化に向けられる。計測システムの照射の対称化は、与えられたシステム100内のツール誘起シフト(TIS)をなくすまたは限定するようはたらく。
本明細書では、本発明は既存の鏡検システムの適合または再構成から成り立つ(しかし成立を必要としない)と考えられる。例えば、本発明はKLA−Tencor Archer100オーバレイコントロールシステムの適合から成ってもよい。例えば、ISMを従来のシステム(例えば、Archer100システム)内に挿入してもよく、それによってISMおよび関連する適合された光学部品が、照射源と、システムの参照パスおよびオブジェクトパスに沿って光を伝送するために使用されるビームスプリッタとの間に取り付けられる。本発明はArcher100システムの適合に限定されないと認識すべきだが、むしろ前述は単に例示として解釈すべきである。本発明は、広範囲の鏡検およびオーバレイ計測システムに拡張してもよいことが予測される。
ここで図1Aを参照すると、照射対称化に適切なシステム100は、照射源102、照射対称化モジュール104、第1のビームスプリッタ108、および1つまたは複数の試料114(例えば、ウエハロットの1つまたは複数のウェハ)から反射された光を受けるよう構成されて配置された検出器110を有してもよい。
本発明の1つの態様で、照射対称化モジュール104は、照射源102から放射する光を対称化するよう構成される。例えば、光源102から放射する光が照射対称化モジュール104により処理され(すなわち対称化され)、システム100の付加的な光学構成要素(例えばオブジェクトパス112の対物レンズ109、参照パス113の参照ミラー、および検出器110)へ方向付けられるように、照射対称化モジュール104を、照射パス115に沿って配置してもよい。通常の検知では、当業者は照射対称化モジュール104を、与えられた試料114への光入射の対称性を向上するため、オーバレイ計測システム内で実行してもよいことを認識すべきである。照射源102から放射する光に実行される対称化操作の特定のタイプは、与えられた計測適用(例えば、オーバレイ計測、差分信号散乱計測オーバレイ計測、光学限界寸法計測)の特定の照射対称性の必要によってもよい。例えば、照射の対称性を180°の回転に向上することは、光学的不完全により引き起こされるオーバレイ計測測定におけるツール誘起シフト(TIS)の計測を減少させるかもしれない。他の場合では、与えられた軸(例えば、X軸またはY軸)についての反射対称性の向上は、ある差分信号散乱計測オーバレイ計測に必要とされる反射対称性の所望のレベルの達成を補助するかもしれない。
ここで図1Bを参照すると、システム100の照射対称化モジュール104は、180°度回転対称化モジュール200、Y反射対称化モジュール300、X反射対称化モジュール(図示せず)、または1つまたは複数の個々の照射対称化モジュールの直線状の組み合わせ400を有してもよいが、これらに限定されない。特定の所望の照射対称化操作を達成するのに必要とされる、照射対称化モジュール104のこれらの実施形態の具体的な光学部品の配置は、本明細書でさらにより詳細に述べる。
本発明の1つの態様で、試料114を試料ステージ118上に配置してもよい。1つの実施形態では、試料ステージ118は、通信可能に接続されたコンピュータシステム(図示せず)により制御可能な、変換可能ステージ(例えば、X−Y変換可能ステージ)および/または回転可能ステージ(例えば、シータ回転可能ステージ)を有してもよい。試料114が実質的にシステム100の一次光軸107に垂直に位置するように、試料114およびステージ118を配置してもよい。
システム100の照射源102は、当業界で公知のいずれの照射源を有してもよい。1つの実施形態では、照射源102は、広帯域光源(例えば白色光源)を有してもよい。例えば、照射源102は、ハロゲン光源(HLS)を有してもよいが、これに限定されない。例えば、ハロゲン光源は、タングステンベースハロゲン光源を有してもよいが、これに限定されない。例えば、照射源102は、キセノンアークランプを有してもよい。別の実施形態では、照射源102は、狭帯域光源を有してもよい。例えば、照射源102は、レーザ光源を有してもよいが、これに限定されない。
本発明の別の態様で、システム100の第1のビームスプリッタ108は、ISM104を通って2つのパス、オブジェクトパス112および参照パス113へ通過した後に、照射源102から放射する光ビームを分割してもよい。この検知で、システム100のオブジェクトパス112および参照パス113は、2ビーム干渉光学システムの部分を形成してもよい。例えば、第1のビームスプリッタ108は、オブジェクトパス112に沿って照射パス115から光のビームの第1の部分を方向付け、一方で照射パス115から光のビームの第2の部分が参照パス113に沿って伝送されるのを可能にしてもよい。より具体的にいうと、第1のビームスプリッタ108は、照射源102から放射する光の部分を、照射対称化モジュール104を通過した後、試料ステージ118上に配置された試料114の表面へ(例えばオブジェクトパス112を介して)方向付けてもよい。また、第1のビームスプリッタ108は、照射源102から放射する光の第2の部分を参照パス113の構成要素へ伝送してもよい。例えば、ビームスプリッタ108は、照射パス115から参照パス113に沿って参照ミラー(図示せず)へ光の部分を伝送してもよい。当業者は、当業界で公知のあらゆるビームスプリッタが、本発明の第1のビームスプリッタ108として実装に適切であることを認識すべきである。
当業者には、参照パス113が、参照ミラー、参照対物レンズ、および参照パス113を選択的に遮断するよう構成されたシャッタを有してもよいが、それらに限定されないことが明らかであるはずである。通常の検知では、2ビーム干渉光学システムをLinnik干渉計として構成してもよい。Linnik干渉測定は、概して1989年4月4日発行の米国特許第4,818,110号明細書、および2001年1月9日発行の米国特許第6,172,349号明細書に記載され、これらは参照により本明細書に組み込まれる。
別の実施形態では、システム100は、主対物レンズ109を有してもよい。主対物レンズ109は、光をオブジェクトパス112に沿って、試料ステージ118上に配置された試料114の表面へ方向付けるのを補助してもよい。例えば、ビームスプリッタ108は、照射源102から放射する光ビーム115の部分を、ISM104を通過した後に、オブジェクトパス112に沿って方向付けてもよい。第1のビームスプリッタ108による分割処理に続き、主対物レンズ109は、一次光軸107と同一直線上のオブジェクトパス112からの光を、試料114の表面に集光してもよい。通常の検知で、当業界で公知のあらゆる対物レンズが、本発明の主対物レンズ109として実装に適切であるかもしれない。
さらに、試料114の表面にあたる光の部分を試料114により反射し、一次光軸107に沿って、対物レンズ109およびビームスプリッタ108を介して検出器110へ方向付けてもよい。中間レンズ、付加的なビームスプリッタ(例えば光の部分を集束システムに分離するよう構成されたビームスプリッタ)のような中間光学部品、および画像化レンズを、対物レンズ109と検出器110の画像化面との間に取り付けてもよいことを、さらに認識すべきである。
本発明の別の態様では、システム100の検出器110をシステム100の一次光軸107に沿って配置してもよい。これに関連し、カメラ110を試料114の表面からの画像データを収集するよう配置してもよい。例えば、通常の検知で、試料114の表面から反射した後、光は一次光軸107に沿って、主対物レンズ109および第1のビームスプリッタ108を介して検出器110の画像面に進んでもよい。当業界で公知のあらゆる検出器システムが、本発明の実施に適切であることを認識するべきである。例えば、検出器110は、カメラシステムベースの電荷結合素子(CCD)を有してもよい。他の例示目的で、検出器110は、時間遅れ積分(TDI)−CCDベースのカメラシステムを有してもよい。さらなる態様で、検出器110を、コンピュータシステム(図示せず)と通信可能に接続してもよい。これに関連し、デジタル化画像データを検出器110からコンピュータシステムへ、有線信号(例えば、銅線、光ファイバケーブルなど)または無線信号(例えば、無線RF信号)のような信号により送信してもよい。
前述で検出器110をシステム100の一次光軸107に沿って位置付けられるものとして記載したが、この特性は、必要条件として解釈されるべきではない。本明細書では、検出器110はシステム100の付加的な光軸に沿っていてもよいと考えられる。例えば、通常の検知で、1つまたは複数の付加的なビームスプリッタを使用して、試料114の表面から反射され、オブジェクトパス112に沿って付加的な光軸上を進む光の部分をそらしてもよい。付加的な光軸に沿って進む光がカメラ110の画像面にあたるように、カメラ110配置してもよい。
図2Aおよび図2Bは、照射源102から放射する光の180°回転対称化操作の実行に適切な照射対称化モジュール200の実施形態を示す。図2Aおよび図2Bに示される180°回転対称化モジュール200は、処理された光の対称性を180°の回転に向上するよう作動してもよい。言い換えれば、180°回転対称化モジュール200は、照射源102から放射する光を、改良された180°度回転対称特性を有する照射へ変換するよう作動してもよい。
ここで図2Aを参照すると、180°照射対称化モジュール200の実施形態が示される。本発明の180°照射対称化モジュール200は、第1のビームスプリッタ202、第1のミラー204、1対1画像化モジュール206、第2のミラー208、および第2のビームスプリッタ210により形成された経路により画定された回転チャネル203と、第1のビームスプリッタ202および第2のビームスプリッタ210により形成された経路により画定されたダイレクトチャネル205と、を有してもよい。
1つの態様では、第1のビームスプリッタ202は、照射パス115からの(すなわち照射源102から放射する)光の第1の部分を、第1のミラー204へ180°ISMの回転パス203に沿ってそらす(迂回させる)よう配置される。第1のビームスプリッタ202は、光の第2の部分をダイレクトパス205に沿って第2ビームスプリッタ210へ伝送するようさらに構成され、ダイレクトパス205はシステム100の照射パス115と実質的に同一直線上にある。さらに、第1のミラー204は、第1のビームスプリッタ202から現れる光の部分を、1対1画像化モジュール206を通って第2のミラー208へ方向付けるよう配置される。1対1画像化モジュール206は、画像を最初の画像に対して180°回転し、一方で同時に画像の拡大を避けるよう構成される。1対1画像化モジュール206は、180°回転と1対1画像化を達成するのに適切な当業界で公知のあらゆる光学装置のセット、光学装置の配置および/または間隔を有してもよい。
さらに、第2のミラー208は、1対1回転モジュール206を通して伝送された光を第2のビームスプリッタ210へ方向付けるよう配置される。180°回転ISM200の第2のビームスプリッタ210は、それから、ダイレクトパス205からの光と回転パス203からの光を合成する(組み合わせる)。
当業者は、ダイレクトパス205からの光が回転されない照射で構成され、一方で回転チャネル203からの光が180°回転された光で構成されることを認識すべきである。ダイレクトチャネル205の回転されない光と回転チャネル203の180°回転された照射を合成する(組み合わせる)ことにより、第2のビームスプリッタ210を出る(およびシステム100の第1のビームスプリッタ108へ伝送される)光は、180°回転ISM200の第1のビームスプリッタ202へ入力される照射と比較して、回転対称性が向上しているかもしれないことを、さらに認識すべきである。通常の検知で、出願人は前述の180°回転ISM200のミラーおよびビームスプリッタのような光学構成要素が、当業界で公知のあらゆる適切な光学構成要素を有してもよいことを指摘する。
ここで図2Bを参照すると、180°回転ISM200の代替的な実施形態が示される。図2Bの180°回転ISM200は、第1のビームスプリッタ212、1対1画像化モジュール214、第2のミラー218、および第2のビームスプリッタ220により形成された経路により画定された回転チャネル213と、第1のビームスプリッタ212、第2のミラー216、および第2のビームスプリッタ220により画定されたダイレクトチャネル215と、を有してもよい。
図2Aに示された180°回転ISM200のそれと同様の方法で、図2BのISM200も、第2のビームスプリッタ220を使用して、ダイレクトチャネル215の回転されない光と回転チャネル213の回転された照射を合成する(組み合わせる)よう作動し、180°回転ISM200の第1のビームスプリッタ212へ入力される照射と比較して、向上された回転対称性をもたらす。図2Bで示される代替的な設計は、回転チャネル213およびダイレクトチャネル215の光学パス長の等化を容易に可能にすることをさらに認識すべきである。
ここで図3Aを参照すると、システム100のY反射モジュール300の1つの実施形態が示される。Y反射モジュール300は、第1のビームスプリッタ302、第1のミラー304、一対の反転ミラー306,307および第2のビームスプリッタ308により形成された経路により画定された反射チャネル303と、第1のビームスプリッタ302および第2のビームスプリッタ308により形成された経路により画定されたダイレクトチャネル305と、を有してもよい。
1つの態様では、第1のビームスプリッタ302は、照射パス115からの光の第1の部分を、第1のミラー304へY反射ISM300の反射チャネル303に沿ってそらす(迂回させる)よう配置される。第1のビームスプリッタ302は、光の第2の部分をダイレクトチャネル305に沿って第2のビームスプリッタ308へ伝送するようさらに構成され、ダイレクトチャネル305はシステム100の照射パス115と実質的に同一直線上にある。さらに、第1のミラー304は、第1のビームスプリッタ302から現れる光の部分を、一対の反転ミラー306,307へ方向付けるよう配置される。一対の反転ミラー306および307は、画像をY軸について最初の画像に対して反転し、反転ミラー307の表面から反射する光を第2のビームスプリッタ308へ方向付けるよう構成される。一対の反転ミラー306および307は、画像面のY軸についての画像反射に適切な当業界で公知のあらゆる光学装置のセット、光学装置の配置および/または光学装置の間隔を有してもよい。
さらに、第2のミラー208は、1対1回転モジュール206を通して伝送された光を第2のビームスプリッタ210へ方向付けるよう配置される。180°回転ISM200の第2のビームスプリッタ210は、それから、ダイレクトパス205からの光と回転パス203からの光を合成する(組み合わせる)。
当業者は、ダイレクトパス305からの光が反転されない照射で構成され、一方で反射チャネル303から現れる光がY軸について反射された照射で構成されることを認識すべきである。第2のビームスプリッタ308を使用して、ダイレクトチャネル305の反転されない光と反射チャネル303の反転された照射を合成する(組み合わせる)と、第2のビームスプリッタ308を出る(およびシステム100の第1のビームスプリッタ108へ伝送される)光は、Y反射ISM300の第1のビームスプリッタ302へ入力される照射と比較して、Y軸についての反射対称性が向上しているかもしれないことを、さらに認識すべきである。通常の検知で、出願人は前述のY反射ISM300のミラーおよびビームスプリッタのような光学構成要素が、当業界で公知のあらゆる適切な光学構成要素を有してもよいことを指摘する。
ここで図3Bを参照すると、Y反射ISM300の代替的な実施形態が示される。図3BのY反射モジュール300は、第1のビームスプリッタ310、一対の反転ミラー312,314および第2のビームスプリッタ318により形成された経路により画定された反射チャネル313と、第1のビームスプリッタ310、第1のミラー316、および第2のビームスプリッタ318により形成された経路により画定されたダイレクトチャネル315と、を有してもよい。
図3Aに示されるY反射ISM300のそれと同様の方法で、図3BのISM300も、第2のビームスプリッタ318を使用して、ダイレクトチャネル315の反転されない光と反射チャネル313のY反転された照射を合成する(組み合わせる)よう作動し、Y反射ISM300の第1のビームスプリッタ310へ入力される照射と比較して、Y軸について向上した反射対称性をもたらす。図3Bで示される代替的な設計は、反射チャネル313およびダイレクトチャネル315の光学パス長の容易な等化を可能にすることをさらに認識すべきである。
図2A、図2B、図3Aおよび図3Bに示されるISMモジュール200および300の設計により、システム100の照射のおよそ50%はシステムからそれ、システム100の共用ビームスプリッタ108に到達しないことを認識すべきである。この照射の損失は、ISM200または300の第2のビームスプリッタ(例えば、210、220、308および318)を移動ミラー(フリップインミラー)(図示せず)と置き換えれば実質的に避けられるかもしれないことを認識すべきである。この方法で、変換チャネル(例えば、180°回転チャネル203,213または反射チャネル303,313)およびダイレクトチャネル(例えば、205,215,305,315)の照射を順次測定してもよく、それぞれの測定から収集された画像を一緒に追加し、大幅に向上された対称化特性(例えば、180°回転対称性、Y反射対称性またはX反射対称性(図示せず))を有する合成画像を形成してもよい。出願人は、当業界で公知のあらゆる移動ミラー(フリップインミラー)システムが、本発明の実施に適切であることを指摘する。
代わりに、前述の光の損失を、所定のISM(例えば、200または300)の第1のビームスプリッタ(例えば、202,212,302,310)および第2のビームスプリッタ(例えば、210,220,308,318)を2つの同期されたチョッパと置き換えることで回避してもよい。この方法で、同期されたチョッパは、それぞれのチャネルから時間の50%に光を通過させるよう作動する。例えば、所定の時間1において、光が第1のチョッパを通して伝送され、一方で第2のチョッパでブロックされる。それから、時間2において、光が第1のチョッパでブロックされ、第2のチョッパにより伝送される。システム100の組み合わせたビームスプリッタ108へ通過された結果として生じる波形は、それから、変換チャネル(例えば、180°回転チャネル203,213または反射チャネル303,313)およびダイレクトチャネル(例えば、205,215,305,315)からの照射の代替パルスで構成される。出願人は、当業界で公知のあらゆるチョッパシステムが、本発明の実施に適切であることを指摘する。
図4Aおよび図4Bは、直線状に組み合わされた照射対称化モジュールの実施形態を示す。ISMの直線状の組み合わせを、与えられた画像の対称性のレベルを向上するため、または2つ以上の対称化プロセスが必要とされるときに使用してもよい。例えば、図4Aおよび図4Bに示されるように、Y反射ISM(例えば、404aまたは419a)を直列で、180°回転ISM(例えば、404bまたは419b)に(ビームスプリッタ410を介して)光学的に接続してもよい。例えば、照射源102から放射する光は、最初にY反射ISM404aによりY反射対称化プロセスを経てもよい。Y反射ISM404aを出ると、光は共用ビームスプリッタ410から伝送されて180°回転ISM404bに入ってもよい。180°回転ISM404bから現れる光は、向上した180°回転性およびY反射対称性を有することが認識される。
また、同一のISMを直列で組み合わせてもよい(図示せず)ことがさらに考慮される。例えば、第1の180°回転ISMを、共用ビームスプリッタを使用して第2の180°回転ISMと直列に光学的に接続してもよい。あらゆる数およびタイプのISMを直列で組み合わせてもよいことが、さらに予測される。出願人は、同一の直列で接続されたISMの使用が、実行されるISMの数およびタイプによって100倍まで対称化のレベルを向上することを指摘する。
同一のタイプの2つ以上のモジュールを組み合わせて照射対称性を向上してもよいことが、さらに考えられる。出願人は、同一の対称化タイプの2つの直列の組み合わされたISMを使用して、照射対称性の100倍の増加が得られるかもしれないことを指摘する。
図2Aから図4Bの種々のISMの前述の記載は、一連の限定を示すものでなく、むしろ特徴の一例として解釈されるべきであることを述べておく。本明細書では、さまざまな付加的な照射モジュールを構成してもよく、照射対称化モジュール構成要素の特定の選択は、与えられた適用に必要とされる特定の対称性のタイプによるかもしれないと考えられる。
概して図5Aから図7を参照すると、ツール誘起シフト測定に適切なシステム500、501、600および700が本発明によって記載される。1つの態様では、本発明は向上した(ツール誘起シフト)TIS測定速度を提供するシステムである。より速いTIS測定の使用は、TIS較正に必要とされる全体の時間を減少させ、与えられた半導体処理ステップのスループットを増すかもしれない。
図5Aおよび図5Bは、本発明によるツール誘起シフト測定に適切なシステム500および501の実施形態を示す。
ここで図5Aを参照すると、1つの実施形態では、システム500は照射源102、検出器110、回転チャネル506、ダイレクトチャネル507、第1のシャッタ504、および第2のシャッタ505を有してもよいが、これらに限定されない。本明細書で、図1Aに関して前述された照射源102および検出器110の記載は、本開示の残りの部分全体に適用されると解釈されるべきと認識される。
1つの態様では、システム500のダイレクトチャネル507は、第1のビームスプリッタ502および第2のビームスプリッタ508により画定された経路により形成される。照射源102から放射する照射は、回転チャネル506またはダイレクトチャネル507のどちらかを介して、第1のビームスプリッタ502と第2のビームスプリッタ508との間を通過してもよいことが認識される。
1つの実施形態では、第1のビームスプリッタ502は、照射パス115からの光の第1の部分を、ダイレクトチャネル507を介して第2のビームスプリッタ508へ方向付けるよう配置される。本実施形態で、ダイレクトチャネル507はシステム500のオブジェクトパス112(および一次光軸107)と実質的に同一直線上に整列されることを述べておく。第1のビームスプリッタ502は、照射源102からの光の第2の部分を、回転モジュールを通して光学戻りモジュール511へ、回転チャネル506を介して伝送するようさらに構成される。回転チャネル506に沿って進む光を、回転チャネル506の戻りモジュール511にあて、第2のビームスプリッタ508へ反射させてもよい。
1つの実施形態では、システム500の回転モジュールは、図5Aで示されるように1つまたは複数の1対1180°回転モジュール210を有してもよいが、これに限定されない。1対1画像化モジュール210を、最初の画像に対して180°画像を回転し、一方で同時に画像の拡大を回避するよう構成してもよい。1対1画像化モジュール210は、180°回転と1対1画像化に適切な当業界で公知のあらゆる光学装置のセット、配置および/または光学装置の間隔を有してもよい。1対1180°回転モジュール210を通過した後、回転チャネル506内の光は、光学戻りモジュール511の戻り光学部品のセットを通って進んでもよく、これが、回転チャネル506の上部アームからの光を、第2のビームスプリッタ508へ回転チャネル506の下部アームを介して再び方向付けるよう作動する。
1つの実施形態では、光学戻りモジュール511の戻り光学部品は第1のミラー510および第2のミラー512を有してもよいが、それらに限定されない。第1のミラー510を、1対1180°回転モジュール210を通して伝送された光を第2のミラー512へ反射するよう構成してもよい。第2のミラー512を、第1のミラー510から受けた光を第2のビームスプリッタ508へ反射するよう構成してもよい。さらなる実施形態で、図5Aで示されるように、戻り光学モジュール511の第1のミラー510および第2のミラー512は、実質的に平面のミラーを構成してもよい。
別の態様では、第1のシャッタ504を、回転チャネル506の光学パスを選択的にブロックするよう構成してもよい。この方法で、システム500は、照射源102からの光を、回転チャネル506を通して伝送されることから選択的にブロックするよう作動してもよい。同じ方法で、第2のシャッタ505を、ダイレクトチャネル507の光学パスを選択的にブロックするよう構成してもよい。この方法で、システム500は、光が照射源102からダイレクトチャネル507を通して伝送されるのを選択的にブロックするよう作動してもよい。
1つの実施形態では、この点で、第1のシャッタ504および第2のシャッタ505は、10ms以内で開閉可能なシャッタを有してもよいことが考えられる。本明細書で、当業界で公知のあらゆる適切なシャッタシステムを、本発明の第1のシャッタ504および/または第2のシャッタ505として使用してもよいことがさらに認識される。
第1のビームスプリッタ502と第2のビームスプリッタ508との間の使用される光学経路を、第1のシャッタ504および第2のシャッタ505の連結制御により選択してもよいことが、本発明の1つの態様である。第1の構成で、第2のシャッタ505が開いていて(すなわち、ダイレクトチャネルが開いている)第1のシャッタ504が閉じている(すなわち、回転チャネルが閉じている)とき、システム500は標準画像化マイクロスコープとして作動する。この方法で、照射パス115からの光は、第1のビームスプリッタ502を介してダイレクトチャネル507に沿って、試料114の表面へそらされる。第1のビームスプリッタ502を離れると、照射源102からの光は、それから第2のビームスプリッタ508および主対物レンズ109を通って、試料114の表面へダイレクトチャネル507と同一直線上のオブジェクトパス112に沿って伝送される。それから、あたる光が試料114の表面から反射され、検出器110の画像化面へ方向付けられる。
第2の構成で、第2のシャッタ505が閉じていて(すなわち、ダイレクトチャネル507が閉じている)第1のシャッタ504が開いている(すなわち、回転チャネル506が開いている)とき、システム500は、照射瞳およびウェハの画像の両方を180°回転する画像化マイクロスコープとして作動する。この方法で、照射源102からの光は、回転チャネル506を通って第2のビームスプリッタ508へ進んでもよい。第2のビームスプリッタ508は、それから、回転チャネル506の出力からの光を、試料114の表面へ対物レンズ109を介して方向付ける。試料114の表面へあたると、回転して転換された光を、それから検出器110の画像化面へ反射してもよい。一般的にそれに公知の中間レンズおよび画像化レンズのようなさまざまな付加的な光学構成要素が、システム500内に、存在してもよいがそれらに限定されないことがさらに認識される。
第3の構成で、シャッタ505およびシャッタ504の両方を開けて、照射パス115からの光が回転チャネル506およびダイレクトチャネル507の両方に沿って伝送されるのを可能にしてもよい。この構成は、参照パス113からの光がオブジェクトパス112からの光と干渉することを可能にし、集束システム(図示せず)の画像面において干渉縞を生成するので、2ビーム干渉ベース集束プロセスが実行されるのを可能にする。2ビーム干渉ベース自動集束システムの詳細は、1989年4月4日発行の米国特許第4,818,110号明細書、および2001年1月9日発行の米国特許第6,172,349号明細書に記載され、これらは参照により本明細書に組み込まれる。
前述のシステム500を、迅速なTIS測定の実行に使用してもよい。この方法で、システム500は、2つの連続測定を実行してもよい。第1の測定をダイレクトチャネル507で実行してもよく、一方で第2の測定を回転チャネル506を介して実行してもよい。まず、システム500は、照射源102のTISおよび第1のビームスプリッタ502と検出器110との間に位置決められたあらゆる光学構成要素の寄与を測定し、残余のTISを補正することでユーザにTIS測定値の較正を可能にする。出願人は、対物レンズ109または回転チャネルの光学構成要素の収差効果からのTIS寄与により、システム500がTIS寄与を測定していないことを指摘する。結果として、本迅速なTIS測定システムは、対物レンズ109および回転チャネル506の光学構成要素が高品質であるとき、最も有益である。
システム500は、0°および180°におけるオーバレイを順次測定することにより、TISを測定してもよい。この方法でシステムは、ダイレクトチャネル507からの光を使用して0°におけるオーバレイ(すなわち式1のOVL(0))を測定し、それから、回転チャネル506からの照射を利用して180°回転におけるオーバレイ(すなわち、式1のOVL(180))を測定してもよい。そのようにして、前述の式1を使用して測定されたTISを計算してもよい。
しかし、試料114に最も近い対物レンズの部分が、短時間で光学経路の内外に移動可能なモジュールを有し、画像を180度回転するよう作動可能であれば、対物レンズ109の部分のTIS寄与を測定してもよいことがさらに考えられる。この方法で、対物レンズの変更された部分が、回転チャネル506に沿って位置付けられた回転モジュール210を置換するよう作動する。TIS測定が、回転モジュールで、および無しでの2つの連続測定を用いて実行される。そのような光学設計は対物レンズの必要条件をゆるめ、目的の回転モジュールについてのみ高い必要条件を残す。
本明細書で、回転チャネル506の光学構成要素を、180°度回転以外の変換を実行する光学構成要素に置き換えてもよいことがさらに考えられる。例えば、照射でx−y反転を実行するのに適切な光学構成要素を、図5Aの回転チャネル506に示される光学部品を置き換えるため使用してもよい。照射源102からの光の異なるタイプの変換操作を適用する可能性は、TISの測定が対称性の動作に関連するとき有益である。
ここで図5Bを参照すると、ツール誘起シフト測定のためのシステムの代替的な実施形態が示される。図5Aのように、図5Bのシステム501は、照射源102、検出器110、回転チャネル506、ダイレクトチャネル507、第1のシャッタ518、および第2のシャッタ520を有してもよいが、それらに限定されない。
1つの態様では、システム501のダイレクトチャネル507は、第1のビームスプリッタ513、第1のミラー514、および第2のビームスプリッタ517により画定された経路により形成される。別の態様では、システム501の回転チャネル506は、第1のビームスプリッタ513、回転モジュール210、第2のミラー516、および第2のビームスプリッタ517により画定された経路により形成される。前述のシステム500のように、照射源102から放射する照射は、回転チャネル506またはダイレクトチャネル507のどちらかを介して、第1のビームスプリッタ513と第2のビームスプリッタ517との間を通過してもよいことを認識すべきである。光がダイレクトチャネル507および/または回転チャネルに沿って通過する方法を、シャッタ518および520のそれぞれを制御することにより制御してもよい。TIS測定システム500の動作に関連する前述の記載は、システム501に適用すると解釈されるべきである。
ここで図6を参照すると、ツール誘起シフト測定のためのシステムの代替的な実施形態が示される。システム600は、照射源102、検出器110、回転チャネル606、ダイレクトチャネル607、第1のシャッタ604、および第2のシャッタ605を有してもよいが、それらに限定されない。本発明のシステム500と異なり、システム600の回転チャネル606は回転モジュール506を欠く。逆にシステム600は、入射画像の180°回転を実行するよう構成された反射モジュール603を有する。1つの実施形態では、反射モジュール603は、一対の凸面鏡ミラー、ミラー602およびミラー604を有してもよい。ミラー604から現れるとミラー602の照射入射が画像のX軸およびY軸の両方にわたり反射し、180°回転された特徴を有する画像をもたらすよう、凹面鏡ミラー602および604を配置してもよい。システム500について前述のように、この180°回転された照射を、迅速なTIS測定で使用してもよい。従って、TIS測定システム500の動作に関連する前述の記載は、システム600に適用すると解釈されるべきである。
ここで図7Aおよび図7Bを参照すると、本明細書で、前述のような照射対称化モジュール104を、TIS測定システム500、501または600と関連して実行してもよいことがさらに考えられる。
本明細書に記載された全てのシステムおよび方法は、記憶媒体に方法の実施形態の1つまたは複数のステップの結果の格納を含んでもよい。結果は、本明細書に記載されたあらゆる結果を有してもよく、当業界で公知のどんな方法で格納してもよい。記憶媒体は、本明細書に記載されたあらゆる記憶媒体、または当業界で公知のあらゆる他の適切な記憶媒体を有してもよい。結果が格納された後、結果を、ユーザに表示するためフォーマットされた、他のソフトウェアモジュール、方法、またはシステムなどが使用した、本明細書に記載されたあらゆる方法またはシステムの実施形態により記憶媒体にアクセス、および使用が可能である。さらに、結果は、「永続的に」、「半永続的に」、「一時的に」、またはある期間格納してもよい。例えば、記憶媒体はランダムアクセスメモリ(RAM)であってもよく、結果は必ずしも記憶媒体内で無期限に存続しないかもしれない。
当業者は、本明細書に記載されたプロセスおよび/またはシステムおよび/または他の技術が影響されうる種々の手段があり(例えば、ハードウェア、ソフトウェア、および/またはファームウェア)、望ましい手段はプロセスおよび/またはシステムおよび/または他の技術が配置される関連で変わることを理解するだろう。例えば、開発者が速度および正確性が最重要だと判断する場合、開発者は主にハードウェアおよび/またはファームウェア手段を選択するかもしれない。代わりに柔軟性が最重要である場合、開発者は主にソフトウェア実装を選択するかもしれない。または、再度代わりに、開発者はハードウェア、ソフトウェア、および/またはファームウェアのいくつかの組み合わせを選択するかもしれない。よって、本明細書に記載されたプロセスおよび/または装置および/または他の技術が影響されるかもしれないいくつかの可能な手段があり、あらゆる使用される手段が、手段が配置される関連と、開発者の特定の関心(例えば、速度、柔軟性、または予測可能性)による選択であり、いずれも変わるかもしれないという点で、それらのどれも他の手段に本質的にまさらない。当業者は、実施の光学の態様が、通常は光学指向のハードウェア、ソフトウェア、および/またはファームウェアを採用することを認識するだろう。
当業者は、当業界で、本明細書で説明した様式の装置および/またはプロセスの記載、およびその後に技術手法を使用してそのような記載される装置および/またはプロセスをデータ処理システムに集積することがよくあることであると認識するだろう。すなわち、本明細書に記載された装置および/またはプロセスの少なくとも部分を、十分な量の実験を経てデータ処理システムに集積することが可能である。当業者は、一般的なデータ処理システムが通常、1つまたは複数のシステムユニット収容部、ビデオディスプレイ装置、揮発性および不揮発性メモリのようなメモリ、マイクロプロセッサおよびデジタル信号プロセッサのようなプロセッサ、オペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース、および応用プログラムのような計算エンティティ、タッチパッドまたはスクリーンのような1つまたは複数の相互作用装置、および/またはフィードバックループおよびコントロールモータ(例えば検知位置および/または速度のフィードバック、構成要素および/または量を移動および/または調整するコントロールモータ)を含むコントロールシステムを通常有することを認識するだろう。一般的なデータ処理システムを、通常データ計算/通信および/またはネットワークコンピューティング/通信システムに見出される構成要素のような、あらゆる適切な市販されている構成要素を使用して実行してもよい。
本明細書に記載される主題は、ときどき異なる他の構成要素に包含され、または接続される異なる構成要素を示す。そのような示された基本設計概念は単に例示的であり、同一の機能を達成する多くの他の基本設計概念が実際に実行可能であることを理解すべきである。概念的感覚では、同一の機能を達成する構成要素のあらゆる配置は、所望の機能が達成されるように効果的に「関連する」。よって、特定の機能を達成するため組み合わされた本明細書のあらゆる2つの構成要素は、基本設計概念または中間構成要素にかかわらず、所望の機能が達成されるように互いに「関連する」と見ることができる。同様に、そのように関連するあらゆる2つの構成要素は、所望の機能を達成するよう互いに「接続される」または「連結される」と見ることができ、そのように関連することが可能なあらゆる2つの構成要素は、所望の機能を達成するよう互いに「連結可能」であると見ることができる。特定の連結可能な例は、物理的に一致可能および/または物理的に相互に作用する構成要素、および/またはワイヤレスで相互に作用可能なおよび/またはワイヤレスで相互に作用する構成要素、および/または論理的に相互に作用するおよび/または論理的に相互に作用可能な構成要素を含むが、これらに限定されない。
本明細書に記載された本主題の特定の態様を示し記載したが、本明細書の教示に基づき、本明細書に記載された主題およびそのより広い態様から逸脱することなく変更および改良をしてもよく、従って、添付の請求項は、それらの範囲内に全てのそのような変更および改良を、本明細書に記載された主題の真の趣旨および範囲内にあるものとして包含するべきであることが、当業者に明らかになるであろう。
本発明の特定の実施形態を説明したが、前述の開示の範囲および趣旨から逸脱することなく、当業者が本発明の種々の改良および実施形態をなしてもよいことが明らかである。従って、本発明の範囲は本明細書に添付の請求項によってのみ限定されるべきである。
本開示および多くのその付随した利点は前述の記載により理解されると考えられ、種々の変更を、開示された主題から逸脱することなく、またはその器具の全ての利点を犠牲にすることなく、構成要素の形態、構造および配置を変更してもよいことが明らかになるであろう。記載された形態は単に説明であり、そのような変更を包含し含むのが後述の請求項の意図である。
さらに、本発明は添付の請求項により定義されることを理解すべきである。

Claims (22)

  1. 照射源と、
    前記照射源からの光の第1の部分を第1の光学アームに沿って方向付け、光の第2の部分を第2の光学アームに沿って方向付けるように構成された第1のビームスプリッタと、
    前記第1の光学アームに配置された、少なくとも1つの照射対称化モジュール(ISM)であって、前記照射源からの光の前記第1の部分に対して対称化プロセスを適用するよう構成された1又は複数の光学部材を含むISMと、
    光学計測ツールのツール誘起シフトが選択されたレベル以下となるように、前記ISMにより処理された、前記第1の光学アームからの光の前記第1の部分と、前記第2の光学アームからの光の前記第2の部分と、を合成して対称化された出力ビームを形成し、および、前記対称化された出力ビームを1または複数の試料の表面へ方向付けるように構成された第2のビームスプリッタと、
    光軸に沿って配置され、前記1つまたは複数の試料の前記表面から反射された光の部分を収集するよう構成された検出器と、を備える、
    照射を対称化する機器。
  2. 前記少なくとも1つのISMが、前記照射源からの光の第1の部分に180度回転対称化変換を実行するよう構成された180度対称化モジュールを備える、
    請求項1に記載の機器。
  3. 前記少なくとも1つのISMが、前記照射源から放射する照射にY反射対称化変換を実行するよう構成されたY反射対称化モジュールを備える、
    請求項1に記載の機器。
  4. 前記少なくとも1つのISMが、第1のISMおよび少なくとも第2のISMを備え、前記第1のISMおよび前記少なくとも第2のISMは、前記第1のISMの出力が前記少なくとも第2のISMの入力に光学的に接続されるように直列で組み合わされた、
    請求項1に記載の機器。
  5. 前記少なくとも1つのISMが、第1のISMおよび少なくとも第2のISMを備え、前記第1のISMおよび前記少なくとも第2のISMは、前記第1のISMの出力が前記少なくとも第2のISMの入力に光学的に接続されるように直列で組み合わされ、前記第1のISMが前記第2のISMと実質的に同一である、
    請求項1に記載の機器。
  6. 前記少なくとも1つのISMが、第1のISMおよび少なくとも第2のISMを備え、前記第1のISMおよび前記少なくとも第2のISMは、前記第1のISMの出力が前記少なくとも第2のISMの入力に光学的に接続されるように直列で組み合わされ、前記第1のISMが前記第2のISMと異なる、
    請求項1に記載の機器。
  7. オブジェクトパスおよび参照パスが、2ビーム干渉集束システムの部分を形成する、請求項1に記載の機器。
  8. 前記2ビーム干渉集束システムが、Linnik干渉計を備える、請求項7に記載の機器。
  9. 照射源と、
    前記照射源から放射する光の第1の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成されたダイレクトチャネルと、
    前記照射源から放射する光の第2の部分を、前記1つまたは複数の試料の前記表面へ伝送するよう構成された回転チャネルであって、前記光の第2の部分を180度回転するよう構成された光学回転モジュールを有する回転チャネルと、
    前記回転チャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第1のシャッタと、
    前記ダイレクトチャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第2のシャッタと、
    前記1つまたは複数の試料の前記表面から反射された光の部分を収集するよう構成され、前記光の部分は前記ダイレクトチャネルからの光または前記回転チャネルからの光のうち少なくとも1つを含む、検出器と、を備える、
    ツール誘起シフトを測定する機器。
  10. 前記回転チャネルの前記光学回転モジュールが、1対1回転画像化モジュールを有する、請求項9に記載の機器。
  11. 前記回転チャネルが、光学戻りモジュールを有する、請求項9に記載の機器。
  12. 前記光学戻りモジュールが、前記回転チャネルの光を対物レンズへ方向付けるよう構成された平面のミラーのセットを有する、請求項11に記載の機器。
  13. 前記照射源から放射する光を前記ダイレクトチャネルに沿って方向付けること、または、前記照射源から放射する光を前記試料の前記表面へ伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第1のビームスプリッタをさらに備える、
    請求項9に記載の機器。
  14. 前記回転チャネルから現れる光を前記試料の前記表面へ方向付けること、または、光を参照パスに沿って伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第2のビームスプリッタをさらに備える、
    請求項9に記載の機器。
  15. 少なくとも1つの照射対称化モジュールをさらに備える、
    請求項9に記載の機器。
  16. 前記少なくとも1つの照射対称化モジュールが、前記照射源から放射する光を、前記回転チャネルに入る前に処理するよう構成された少なくとも1つの照射対称化モジュールを有する、
    請求項15に記載の機器。
  17. 照射源と、
    前記照射源から放射する光の第1の部分を、1つまたは複数の試料の表面へ伝送するよう構成されたダイレクトチャネルと、
    前記照射源から放射する光の第2の部分を、前記1つまたは複数の試料の前記表面へ伝送するよう構成された回転チャネルであって、前記光の第2の部分を180度回転するよう構成された光学反射モジュールを有する回転チャネルと、
    前記回転チャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第1のシャッタと、
    前記ダイレクトチャネルの光学経路を選択的にブロックするよう構成された第2のシャッタと、
    前記1つまたは複数の試料の前記表面から反射された光の部分を収集するよう構成され、前記光の部分は前記ダイレクトチャネルからの光または前記回転チャネルからの光のうち少なくとも1つを含む、検出器と、を備える、
    ツール誘起シフトを測定する機器。
  18. 前記回転チャネルの前記光学反射モジュールが、入射照射で180°回転対称化動作を実行するよう構成された凹面鏡のセットを有する、請求項17に記載の機器。
  19. 前記照射源から放射する光を前記ダイレクトチャネルに沿って方向付けること、または、前記照射源から放射する光を前記試料の前記表面へ伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第1のビームスプリッタをさらに備える、
    請求項17に記載の機器。
  20. 前記回転チャネルから現れる光を前記試料の前記表面へ方向付けること、または、光を参照パスに沿って伝送することのうち少なくとも1つを実行するよう構成された第2のビームスプリッタをさらに備える、
    請求項17に記載の機器。
  21. 少なくとも1つの照射対称化モジュールをさらに備える、
    請求項17に記載の機器。
  22. 前記少なくとも1つの照射対称化モジュールが、前記照射源から放射する光を、前記回転チャネルに入る前に処理するよう構成された少なくとも1つの照射対称化モジュールを有する、
    請求項21に記載の機器。
JP2013523212A 2010-08-03 2011-07-28 計測のための光学的対称化 Active JP6000247B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37034710P 2010-08-03 2010-08-03
US61/370,347 2010-08-03
US13/188,623 US9164397B2 (en) 2010-08-03 2011-07-22 Optics symmetrization for metrology
US13/188,623 2011-07-22
PCT/US2011/045784 WO2012018674A2 (en) 2010-08-03 2011-07-28 Optics symmetrization for metrology

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013541694A JP2013541694A (ja) 2013-11-14
JP6000247B2 true JP6000247B2 (ja) 2016-09-28

Family

ID=45555938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013523212A Active JP6000247B2 (ja) 2010-08-03 2011-07-28 計測のための光学的対称化

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9164397B2 (ja)
JP (1) JP6000247B2 (ja)
KR (2) KR101787157B1 (ja)
TW (1) TWI484304B (ja)
WO (1) WO2012018674A2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL217843A (en) 2011-02-11 2016-11-30 Asml Netherlands Bv A system and method for testing, a lithographic system, a cell for lithographic processing, and a method for producing a device
EP2865003A1 (en) * 2012-06-26 2015-04-29 Kla-Tencor Corporation Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology
TW201935147A (zh) * 2013-07-26 2019-09-01 美商克萊譚克公司 反射對稱式散射量測之重疊目標及方法
KR101982694B1 (ko) * 2014-12-15 2019-05-27 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 광학적 퓨필 대칭화를 위한 방법 및 장치
US10048197B2 (en) * 2015-04-28 2018-08-14 Taiwan Biophotonic Corporation Optical measurement device and optical measurement method
KR102699399B1 (ko) 2016-09-15 2024-08-26 케이엘에이 코포레이션 이미징 기반 오버레이 계측을 위한 포커스 최적화를 위한 시스템 및 방법
CN110709778B (zh) * 2017-06-02 2021-12-21 Asml荷兰有限公司 量测设备
DE102018200036B3 (de) * 2018-01-03 2019-01-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische Anordnung zur direkten Laserinterferenzstrukturierung
KR20240050469A (ko) * 2018-09-19 2024-04-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 그 장치
US11861824B1 (en) 2022-02-03 2024-01-02 Kla Corporation Reference image grouping in overlay metrology

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3345912A (en) * 1964-03-10 1967-10-10 Ibm Rotary shearing interferometer
US4355871A (en) * 1980-07-14 1982-10-26 Diversitronics, Inc. Keratometer
JPS60123160A (ja) * 1983-12-06 1985-07-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 走査ビーム径切換装置
US4662750A (en) * 1984-03-14 1987-05-05 Barger Richard L Angle sensitive interferometer and control method and apparatus
US4818110A (en) 1986-05-06 1989-04-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus of using a two beam interference microscope for inspection of integrated circuits and the like
JP2512873B2 (ja) 1987-07-22 1996-07-03 株式会社ニコン 光束安定装置
JP2536023B2 (ja) * 1988-02-29 1996-09-18 株式会社ニコン 露光装置、及び露光方法
JP3102076B2 (ja) * 1991-08-09 2000-10-23 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
KR0148695B1 (ko) * 1992-08-08 1998-09-15 강진구 비데오 카메라의 고화질화 장치
JP3284641B2 (ja) * 1992-09-03 2002-05-20 ソニー株式会社 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法
US5438413A (en) * 1993-03-03 1995-08-01 Kla Instruments Corporation Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication
JP3303595B2 (ja) * 1995-03-24 2002-07-22 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた観察装置
JP3594384B2 (ja) * 1995-12-08 2004-11-24 ソニー株式会社 半導体露光装置、投影露光装置及び回路パターン製造方法
KR100483981B1 (ko) * 1996-02-22 2005-11-11 가부시키가이샤 니콘 펄스폭신장광학계및이러한광학계를갖춘노광장치
US6172349B1 (en) 1997-03-31 2001-01-09 Kla-Tencor Corporation Autofocusing apparatus and method for high resolution microscope system
JP3796363B2 (ja) * 1998-10-30 2006-07-12 キヤノン株式会社 位置検出装置及びそれを用いた露光装置
US7317531B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7009704B1 (en) * 2000-10-26 2006-03-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay error detection
US6795168B2 (en) * 2002-04-08 2004-09-21 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for exposing a wafer using multiple masks during an integrated circuit manufacturing process
US7440105B2 (en) 2002-12-05 2008-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuously varying offset mark and methods of determining overlay
US20040227944A1 (en) * 2003-02-28 2004-11-18 Nikon Corporation Mark position detection apparatus
JP4734261B2 (ja) * 2004-02-18 2011-07-27 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法
US7417743B2 (en) 2004-03-15 2008-08-26 Zygo Corporation Interferometry systems and methods
JP4528580B2 (ja) * 2004-08-24 2010-08-18 株式会社東芝 照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US7511826B2 (en) 2006-02-27 2009-03-31 Asml Holding N.V. Symmetrical illumination forming system and method
US8045786B2 (en) * 2006-10-24 2011-10-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Waferless recipe optimization
NL1035986A1 (nl) 2007-09-28 2009-03-31 Asml Holding Nv Controlling fluctuations in pointing, positioning, size or divergence errors of a beam of light for an optical apparatus.
US8681413B2 (en) * 2011-06-27 2014-03-25 Kla-Tencor Corporation Illumination control

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012018674A2 (en) 2012-02-09
JP2013541694A (ja) 2013-11-14
US9164397B2 (en) 2015-10-20
KR20170021925A (ko) 2017-02-28
TWI484304B (zh) 2015-05-11
KR101787157B1 (ko) 2017-10-18
TW201229677A (en) 2012-07-16
KR20140002609A (ko) 2014-01-08
US20120033226A1 (en) 2012-02-09
WO2012018674A3 (en) 2012-05-18
KR101831568B1 (ko) 2018-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6000247B2 (ja) 計測のための光学的対称化
EP2724361B1 (en) Illumination control
US9170156B2 (en) Normal-incidence broadband spectroscopic polarimeter containing reference beam and optical measurement system
TW201921132A (zh) 使用多重參數組態之疊對度量
JP6505111B2 (ja) 低ノイズ高安定性の深紫外線連続波レーザー
US11262661B2 (en) Metrology apparatus
CN109416507A (zh) 光学系统及使用此系统校正掩模缺陷的方法
US20160274029A1 (en) Measuring arrangement for measuring optical properties of a reflective optical element, in particular for microlithography
TWI739990B (zh) 非對稱放大檢查系統和照明模組
JP7141411B2 (ja) フォトニック集積回路をテストするための装置、装置を含む検査システム、及びフォトニック集積回路をテストするための方法
JP2003533733A (ja) 光学機器用オートフォーカシング装置
JP7275198B2 (ja) マイクロリソグラフィマスクを特徴付けるための装置および方法
US10976249B1 (en) Reflective pupil relay system
JP2013205367A (ja) 検査装置、検査方法、およびデバイス製造方法
JP2006250675A (ja) マッハツェンダー型干渉計
TW202429056A (zh) 光學波前檢測裝置及其檢測方法
JP5930350B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系を調節する方法
KR20240006149A (ko) 검사 장치 및 검사 방법
JP2013195088A (ja) 検査装置、検査方法、およびデバイス製造方法
JP2017062355A (ja) 位相差シフトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP2010223828A (ja) レンズ性能検査装置
JP2012128156A (ja) 光軸ズレ補正装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150514

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150602

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160802

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160830

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6000247

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250