JP5999432B2 - 発光装置及び照明装置 - Google Patents

発光装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5999432B2
JP5999432B2 JP2013018991A JP2013018991A JP5999432B2 JP 5999432 B2 JP5999432 B2 JP 5999432B2 JP 2013018991 A JP2013018991 A JP 2013018991A JP 2013018991 A JP2013018991 A JP 2013018991A JP 5999432 B2 JP5999432 B2 JP 5999432B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
connector
light emitting
emitting device
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013018991A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014150006A (ja
Inventor
本間　卓也
卓也 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP2013018991A priority Critical patent/JP5999432B2/ja
Priority to US14/025,228 priority patent/US20140217455A1/en
Priority to EP13184175.1A priority patent/EP2763516A2/en
Priority to CN201310421492.7A priority patent/CN103968282A/zh
Priority to TW102133568A priority patent/TW201432191A/zh
Publication of JP2014150006A publication Critical patent/JP2014150006A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5999432B2 publication Critical patent/JP5999432B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/0979—Redundant conductors or connections, i.e. more than one current path between two points
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Description

本発明の実施形態は、発光装置及び照明装置に関する。
例えば、半導体発光素子と、半導体発光素子が実装される配線基板と、を有する発光装置がある。このような発光装置は、例えば、投光機などの照明装置などに応用される。発光装置の出力を上げ、光量を高めることが望まれている。これに伴い、発光装置に含まれる部材への熱負荷が大きくなる。例えば、点灯時の温度負荷に加え、点滅時のヒートショックも大きくなる。特に、発光装置に使用されるはんだなどの接合部材において熱負荷が大きくなり、信頼性を劣化させる要因になる。
特開２０１２−２４３４６２号公報
本発明の実施形態は、高出力で高信頼性の発光装置及び照明装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、セラミック基板と、発光素子と、第１金属層と、第２金属層と、金属コネクタと、第１接合部材と、第２接合部材と、を含む発光装置が提供される。前記セラミック基板は、主面を有する。前記発光素子は、前記主面上に設けられる。前記第１金属層は、前記主面上に設けられ前記発光素子と電気的に接続される。前記第２金属層は、前記主面上において前記第１金属層と離間し前記第１金属層と電気的に接続される。前記金属コネクタは、前記主面上において前記主面と離間し、前記発光素子に供給される電流が流れる配線と接続されるコネクタ部と、前記コネクタ部の一端から延出し少なくとも一部が前記第１金属層の上に設けられた第１延出部と、前記コネクタ部の他端から延出し少なくとも一部が前記第２金属層の上に設けられた第２延出部と、を含む。前記第１接合部材は、前記第１延出部の前記少なくとも一部と前記第１金属層とを接合する。前記第２接合部材は、前記第２延出部の前記少なくとも一部と前記第２金属層とを接合する。前記第１接合部材の前記コネクタ部側の側面のうちの下側部分と、前記第１接合部材の前記第１金属層に接する下面と、の間の角度は、９０度以下である。前記第１延出部の前記コネクタ部とは反対側の第１端部のうちの、前記第１延出部の厚さの３分２以上の厚さの部分が前記第１接合部材により覆われている。前記第１延出部は、前記コネクタ部とは反対側の第１端部と、前記第１端部と前記コネクタ部との間に設けられ前記コネクタ部に接続され前記主面との距離が第１距離の第１部分と、前記第１端部と前記第１部分との間に設けられ前記主面との距離が前記第１距離よりも短い第２距離の第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、を含む。前記主面に対して平行な平面と前記第３部分との間の第３角度は、前記平面と前記第１部分との間の第１角度よりも大きく、前記平面と前記第２部分との間の第２角度よりも大きい。前記第１金属層は、前記平面に投影したときに前記コネクタ部の側の第１金属層端と、前記第１金属層端とは反対側の第２金属層端と、を有する。前記平面に対して平行で前記第１部分から前記第１端部に向かう方向に対して平行な第１方向に沿う前記第１端部の位置は、前記第１金属層端と前記第２金属層端との間に位置する。前記第１部分と前記第３部分との境界の前記第１方向に沿う位置は、前記第１金属層端と前記第２金属層端との間に位置する。前記第１接合部材は、前記第１部分の下面の少なくとも一部と、前記第２部分の下面と、前記第３部分の下面と、前記第１端部と、を、前記第１金属層に接合する。
本発明の実施形態によれば、高出力で高信頼性の発光装置及び照明装置が提供される。
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｄ）は、参考例の発光装置を例示する模式的断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。 第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的斜視図である。 第４の実施形態に係る発光装置を例示する模式的斜視図である。 図８は、第５の実施形態に係る照明装置を例示する模式的斜視図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図１（ａ）は、模式的斜視図である。図１（ｂ）は、発光装置の一部を例示する模式的平面図である。図１（ｃ）は、発光装置に含まれる金属コネクタの部分を拡大した模式的斜視図である。図１（ｄ）は、発光装置に用いられる配線を例示する模式的斜視図である。
図１（ａ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、セラミック基板１０と、発光素子２０と、金属膜１１と、金属コネクタ４０と、を含む。
セラミック基板１０は、主面１０ｕを有する。主面１０ｕは、セラミック基板１０の上面である。
セラミック基板１０の主面１０ｕに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
図１（ｂ）に表したように、この例では、セラミック基板１０の平面形状は、略矩形である。この例では、セラミック基板１０の１つの辺の延在方向が、Ｘ軸方向に対応し、他の辺の延在方向が、Ｙ軸方向に対応している。実施形態において、辺と軸方向との関係は任意である。さらに、実施形態において、セラミック基板１０の平面形状は任意である。
発光素子２０は、セラミック基板１０の主面１０ｕ上に設けられる。発光素子２０には、半導体発光素子（例えばＬＥＤ）などが用いられる。この例では、高い光出力を得るために、複数の発光素子２０が設けられている。図１（ｂ）においては、図を見易くするために、発光素子２０は省略されている。
金属膜１１には、例えば、銅層が用いられる。銅層の上に、さらに、ニッケル層と、ニッケル層の上に設けられた金層と、金層の上に設けられたパラジウム層と、を含む積層膜をさらに設けても良い。この構成により、高い導電率と共に、高い光反射性が得られる。光の損失が抑制でき、高い効率が得られる。さらに、高い腐食性が得られ、高い信頼性が得られる。
金属膜１１は、複数のパターン部１２を含む。複数のパターン部１２の一部の上に、発光素子２０が配置される。
本願明細書において、上に設けられる状態は、直接接して設けられる状態に加え、間に別の要素（空間も含む）が挿入されている状態も含む。
複数のパターン部１２の他のいずれかの少なくとも一部の上に、金属コネクタ４０が設けられる。この例では、２つの金属コネクタ４０が設けられている。すなわち、金属コネクタ４０は、セラミック基板１０の主面１０ｕの上に設けられる。
２つの金属コネクタ４０として、第１金属コネクタ４５と、第２金属コネクタ４６と、が設けられている。例えば、第１金属コネクタ４５は、アノード側コネクタ及びカソード側コネクタのいずれか一方である。第２金属コネクタ４６は、アノード側コネクタ及びカソード側コネクタのいずれか他方である。
この例では、電子部品４８がさらに設けられている。電子部品４８は、金属膜１１による複数のパターン部１２のいずれかの上に配置されている。電子部品４８は、例えば、キャパシタである。
例えば、第１金属コネクタ４５及び第２金属コネクタ４６に、配線が接続され、金属膜１１を介して、発光素子２０に電流が供給される。これにより、発光素子２０から光が放出される。
第２金属コネクタ４６の構造は、第１金属コネクタ４５の構造に類似しているので、以下では、第１金属コネクタ４５について説明する。
図１（ｃ）に表したように、セラミック基板１０の主面１０ｕの上に、第１金属層５１及び第２金属層５２が設けられている。これらの金属層は、金属膜１１（パターン部１２）の一部である。
第１金属層５１は、発光素子２０と電気的に接続される。例えば、発光素子２０に接続された配線パターン５４が、第１金属層５１に接続される。配線パターン５４は、金属膜１１の一部である。
本願明細書において、電気的に接続されている状態は、２つの導電体が物理的に接触している状態、２つの導電体が別の導電体により接続されている状態、及び、２つの導電体の間に電子素子（例えば電子部品４８）等が設けられ、電子素子を介して、２つの導電体の間を電流が流れる状態が形成可能な状態を含む。電子素子（電子部品４８など）には、例えば、キャパシタ、抵抗、インダクタ、スイッチング素子、ダイオード（半導体発光素子も含む）などが含まれる。
第２金属層５２は、セラミック基板１０の主面１０ｕ上において、第１金属層５１と離間している。第２金属層５２は、第１金属層５１と電気的に接続されている。この例では、第１金属層５１と第２金属層５２とが、中間配線パターン５３により電気的に接続されている。中間配線パターン５３は、金属膜１１の一部である。
この例では、第１金属層５１から第２金属層５２に向かう方向がＹ軸方向とされている。第１金属層５１のＸ軸方向に沿う幅、及び、第２金属層５２のＸ軸方向に沿う幅のそれぞれは、中間配線パターン５３のＸ軸方向に沿う幅よりも広い。
第１金属層５１及び第２金属層５２の上に、第１金属コネクタ４５の少なくとも一部が配置される。
図１（ｃ）においては、図を見易くするために、第１金属コネクタ４５は、第１金属層５１及び第２金属層５２から分離して描かれている。
図１（ｃ）に表したように、第１金属コネクタ４５（金属コネクタ４０）は、コネクタ部４３と、第１延出部４１と、第２延出部４２と、を含む。
コネクタ部４３は、セラミック基板１０の主面１０ｕ上に設けられる。コネクタ部４３は、主面１０ｕと離間している。コネクタ部４３は、発光素子２０に供給される電流が流れる配線と接続される。この例では、コネクタ部４３の上面には、開口部４４が設けられている。
第１延出部４１は、コネクタ部４３の一端４３ａから延出する。第１延出部４１の少なくとも一部は、第１金属層５１の上に設けられる。第２延出部４２は、コネクタ部４３の他端４３ｂから延出する。第２延出部４２の少なくとも一部は、第２金属層５２の上に設けられる。
コネクタ部４３、第１延出部４１及び第２延出部４２には、金属が用いられる。この金属には、例えば、鉄とクロムとを含む合金などが用いられる。この金属は、さらにニッケルを含んでも良い。第１金属コネクタ４５（金属コネクタ４０）には、例えば、ステンレス鋼などが用いられる。
図１（ｄ）は、発光素子２０に供給される電流が流れる配線８０を例示している。
図１（ｄ）に表したように、配線８０は、ワイヤ８１と、ワイヤ８１の先端に設けられた挿入端子８３と、を含む。挿入端子８３の側面には、突起部８４が設けられている。挿入端子８３が、第１金属コネクタ４５のコネクタ部４３に挿入される。コネクタ部４３は、挿入端子８３が挿入される空間を有している。挿入端子８３がコネクタ部４３に挿入されている状態において、挿入端子８３の突起部８４が、コネクタ部４３の開口部４４に噛合する。これにより脱落が抑制される。
第１金属層５１と第１延出部４１との接続、及び、第２金属層５２と第２延出部４２との接続は、例えば、はんだなどにより行われる。
図２は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図２は、金属コネクタ４０（第１金属コネクタ４５）の部分を拡大した模式的断面図である。
第１延出部４１の少なくとも一部が、第１金属層５１の上に設けられ、第２延出部４２の少なくとも一部が、第２金属層５２の上に設けられている。
発光装置１１０においては、第１接合部材６１及び第２接合部材６２がさらに設けられている。これらの接合部材には、例えば、はんだが用いられる。
第１接合部材６１は、第１延出部４１の少なくとも一部と、第１金属層５１と、を接合する。第２接合部材６２は、第２延出部４２の少なくとも一部と、第２金属層５２と、を接合する。
第１金属コネクタ４５は、第１延出部４１及び第２延出部４２により、セラミック基板１０の主面１０ｕ上に固定される。一方、コネクタ部４３は、主面１０ｕと離間している。コネクタ部４３と、主面１０ｕとの間に空間が形成される。これにより、動作時に発生する熱により第１金属コネクタ４５に応力が加わった場合においても、応力が緩和され、第１金属コネクタ４５の良好な接合が維持できる。
以下、本実施形態に係る発光装置１１０に関して、第１延出部４１における接合状態の例に関して説明する。以下の第１延出部４１に関する説明は、第２延出部４２にも適用できる。
図３は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図３は、第１金属コネクタ４５の第１延出部４１の部分を拡大した模式的断面図である。
図３に表したように、例えば、第１延出部４１は、コネクタ部４３から、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行に延出した後、下方に屈曲し、その後、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行に延出し、第１端部４１ｅに至る。このような形状を有する第１延出部４１が、第１接合部材６１により、第１金属層５１に接続されている。
第１接合部材６１は、コネクタ部４３側の側面６１ｓを有している。さらに、第１接合部材６１は、第１金属層５１と接する下面６１ｌを有している。
本実施形態においては、第１接合部材６１のコネクタ部４３側の側面６１ｓのうちの下側部分６１ｓｌと、第１接合部材６１の第１金属層５１に接する下面６１ｌと、の間の角度（第１角度θ１）は、９０度以下である。例えば、第１接合部材６１の側面６１ｓの下側部分６１ｓｌは、順テーパ状である。
図３に例示したように、この例では、第１接合部材６１のコネクタ部４３側の側面６１ｓは、曲面状である。このとき、側面６１ｓの傾斜は、第１金属層５１からの距離によって変化する。本実施形態においては、側面６１ｓのうちの下側部分６１ｓｌの上端６１ｓｌｈの、第１金属層５１の上面５１ｕ（すなわち第１接合部材６１の下面６１ｌ）からの高さは、側面６１ｓのＺ軸方向に沿った長さ（後述する第２高さｈ２）の１／５の位置とする。
一方、側面６１ｓと第１金属層５１とが接する部分は、微視的に観察すると、断面形状が安定していないこともある。本実施形態においては、側面６１ｓのうちの下側部分６１ｓｌの下端６１ｓｌｌの第１金属層５１の上面５１ｕからの高さは、側面６１ｓのＺ軸方向に沿った長さ（第２高さｈ２）の１／５０の位置とする。
側面６１ｓのうちの下側部分６１ｓｌの上端６１ｓｌｈと下端６１ｓｌｌとの間において、側面６１ｓの傾斜が変化するときにおいても、側面６１ｓのそれぞれの位置において下面６１ｌとの間の第１角度θ１が定義できる。それぞれの第１角度θ１は、９０度以下である。便宜的に、側面６１ｓのそれぞれの位置における側面６１ｓと下面６１ｌとの間の角度の平均を第１角度θ１として用いても良い。
第１角度θ１を９０度以下とすることで、第１接合部材６１の下面６１ｌと、第１金属層５１の上面５１ｕと、の間での剥離が抑制できる。
一方、第１延出部４１は、コネクタ部４３とは反対側の第１端部４１ｅを有している。第１端部４１ｅにおいては、第１端部４１ｅのうちの、第１延出部４１の厚さＴ１の３分の２以上の厚さの部分が、第１接合部材６１により覆われている。第１端部４１ｅの厚さは、実質的に第１延出部４１の厚さＴ１と同じである。すなわち、第１端部４１ｅが、第１端部４１ｅの厚さの３分の２以上において、第１接合部材６１により覆われる。例えば、第１端部４１ｅの厚さ方向の全てが、第１接合部材６１により覆われても良い。
例えば、第１接合部材６１は、第１延出部４１の第１端部４１ｅと接する上端６１ｃｕを有している。上端６１ｃｕは、第１端部４１ｅの下端４１ｅｌから、第１延出部４１の厚さＴ１の３分の２の位置と同じ高さ、または、上方である。例えば、第１接合部材６１の第１端部４１ｅと接する上端６１ｃｕと、第１金属層５１の上面５１ｕと、の間の距離（Ｚ軸方向に沿った距離であり、第１高さｈ１）は、第１端部４１ｅの下端４１ｅｌから第１延出部４１の厚さＴ１の３分２の位置と、第１金属層５１の上面５１ｕと、の距離（Ｚ軸方向に沿った距離）以上である。
第１端部４１ｅが、厚さの３分の２以上の厚さにおいて第１接合部材６１により覆われることで、第１接合部材６１による第１端部４１ｅと第１金属層５１との接合が強固となり、高い信頼性が得られる。
実施形態においては、高出力で発生する熱が多量であり、熱負荷が大きくなる。実施形態においては、このときにおいても、接合部材における高い接合信頼性が得られる。接合部分の強度が高いため、熱により大きな応力が発生した場合においても、接合部分の不良が抑制できる。特に、発光装置を点滅したときにおいては、大きなヒートショックが接合部分に加わる。このときにも高い信頼性が維持できる。実施形態においては、金属コネクタ４０の接合部分（延出部）と金属層との間を接合するはんだの形状（すなわち、濡れ性に基づく形状）を特殊な形状に規定する。これにより、熱応力を低減し、機械的強度が向上できる。
図４（ａ）〜図４（ｄ）は、参考例の発光装置を例示する模式的断面図である。
これらの図は、第１延出部４１の接合状態を例示している。
図４（ａ）に例示したように、第１参考例の発光装置１１９ａにおいては、第１接合部材６１のコネクタ部４３側の側面６１ｓのうちの下側部分６１ｓｌにおいて、第１角度θ１は、９０度を超えている。すなわち、側面６１ｓの下側部分６１ｓｌは、逆テーパ状である。
このため、図４（ｂ）に例示したように、コネクタ部４３側の側面６１ｓにおいて、第１接合部材６１の下面６１ｌと、第１金属層５１の上面５１ｕと、が剥離し易い。この現象は、特に、高出力で発生する熱が多量であり、熱負荷が大きくなるときに、発生し易い。発光装置を点滅し大きなヒートショックが加わったときに、特に生じ易い。
一方、図４（ｃ）に例示したように、第２参考例の発光装置１１９ｂにおいては、第１延出部４１の第１端部４１ｅが、第１接合部材６１に覆われている高さは、第１延出部４１の厚さの３分の２未満である。
このため、図４（ｄ）に例示したように、第１端部４１ｅの側において、第１接合部材６１の下面６１ｌと、第１金属層５１の上面５１ｕと、が剥離し易い。この現象は、特に、高出力で発生する熱が多量であり、熱負荷が大きくなるときに、発生し易い。発光装置を点滅し大きなヒートショックが加わったときに、特に生じ易い。特に、第１金属コネクタ４５に配線８０を接続する作業中に、第１金属コネクタ４５に機械的な力が加わり、この力により、第１接合部材６１または第１接合部材６１の界面部分に損傷が生じたときに、特に発生しやすい。
本願発明者は、第１金属層５１及び第１延出部４１の種々の形状に関して、第１接合部材６１の材料（例えばはんだ）の量および形成条件（例えば、はんだ温度、時間およびコネクタ抑え荷重）を変えて、第１角度θ１と、第１端部４１ｅが第１接合部材６１に覆われる高さと、を変えた試料（発光装置）を作製した。そして、その試料に関して、動作及び点滅の試験を行った。この試験においては、ヒートショックが印加される。このような試験の結果により、第１角度θ１が９０度以下であり、かつ、第１端部４１ｅが第１接合部材６１に覆われる高さが第１延出部４１の厚さの３分の２以上であるときに、良好な接合が得られることが分かった。実施形態に係る上記の構成は、この実験結果に基づくものである。
本実施形態に係る発光装置１１０は、高出力の発光装置である。本実施形態においては、得られる光束発散度は、例えば、１０ｌｍ／ｍｍ２以上である。なお、光束発散度は、発光装置の光量として得られる光束（ｌｍ）を、その発光装置においてその光量が出射する面積で割った値である。その光量が出射する面積は、例えば、複数の発光素子２０を覆うように形成される蛍光体を含んだ樹脂で構成された波長変換層の出光面の面積の総和（ｍｍ２）に対応する。このように高出力の発光装置においては、発生する熱が多量であり、熱負荷が大きい。このため、高い放熱性を得るために、発光素子２０が実装される基板として、セラミック基板１０が用いられる。これにより、良好な絶縁性と共に高い放熱性が得られる。さらに、セラミック基板１０の上に設けられるコネクタとして、金属コネクタ４０が用いられる。コネクタとして、例えば樹脂を含むコネクタと用いると、樹脂が、発光素子２０から放出される強い光により劣化する。本実施形態においては、金属のコネクタを用いることで、強い光が照射されても劣化が実質的に生じない。
例えば、樹脂を用いるコネクタを用いる場合には、応力が発生したとしても、樹脂の柔軟性により、応力が緩和され易い。一方、本実施形態のように、高出力の発光装置において特別に用いられる金属コネクタにおいては、樹脂コネクタに比べて、大きな応力が金属コネクタに加わり易い。このような大きな応力が加わった状態で、動作及び点滅により、高温及びヒートショックが、金属コネクタ４０と金属層とを接合する接合部材に加わる。
このような、高出力の発光装置における特殊な条件においても、安定した接合を維持して高い信頼性を実現することが必要となる。このような新しい課題を、本実施形態は解決できる。本実施形態においては、第１角度θ１を９０度以下とし、かつ、第１端部４１ｅが第１接合部材６１に覆われる高さを第１延出部４１の厚さの３分の２以上とすることで、高出力で高信頼性の発光装置を提供することができる。
本実施形態においては、金属コネクタ４０（第１金属コネクタ４５）は独特の構造を有している。すなわち、コネクタ部４３と、コネクタ部４３から延出する第１延出部４１及び第２延出部４２が設けられている。これらの延出部が金属層と接合され、コネクタ部４３は、セラミック基板１０から上方に、セラミック基板１０から離間して固定される。これにより、動作時に金属コネクタ４０の温度が上昇したときにおいても、例えば、金属コネクタ４０と金属層（またはセラミック基板１０）との熱膨張係数の差に起因する応力を緩和し易い。特に、点滅時の大きなヒートショックが発生した場合でも、応力が抑制され、安定した接合を維持し易い。
第１延出部４１の構造の例について、さらに説明する。
図３に表したように、第１延出部４１は、第１端部４１ｅに加えて、第１部分４１ａと、第２部分４１ｂと、第３部分４１ｃと、境界４１ｄと、をさらに含む。
既に説明したように、第１端部４１ｅは、コネクタ部４３とは反対側の端である。第１部分４１ａは、第１端部４１ｅと、コネクタ部４３と、の間に設けられる。第１部分４１ａは、コネクタ部４３に接続されている。第１部分４１ａと、セラミック基板１０の主面１０ｕとの距離を第１距離ｄ１とする。第１距離ｄ１は、第１部分４１ａの下面４１ａｌと、主面１０ｕと、の間のＺ軸方向に沿う距離である。例えば、第１距離ｄ１は、実質的に、コネクタ部４３と主面１０ｕとの間の距離に相当する。
第２部分４１ｂは、第１端部４１ｅと、第１部分４１ａと、の間に設けられる。第２部分４１ｂと主面１０ｕとの距離を第２距離ｄ２とする。第２距離ｄ２は、第１距離ｄ１よりも短い。すなわち、第２部分４１ｂは、第１部分４１ａよりも下方に位置する。
第３部分４１ｃは、第１部分４１ａと第２部分４１ｂとの間に設けられる。第３部分４１ｃは、第１部分４１ａと第２部分４１ｂとを接続する。
境界４１ｄは、第１部分４１ａと第３部分４１ｃとの間の部分である。
第２部分４１ｂは、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行に延在する。この例では、第１部分４１ａも、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行に延在する。第３部分４１ｃは、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。主面１０ｕに対して平行な平面（Ｘ−Ｙ平面）と、第１部分４１ａの延在方向と、との間の角度を第１角度とする。その平面（Ｘ−Ｙ平面）と、第２部分４１ｂの延在方向と、の間の角度を第２角度とする。その平面（Ｘ−Ｙ平面）と、第３部分４１ｃの延在方向と、の間の角度を第３角度とする。第３角度は、第１角度よりも大きく、第２角度よりも大きい。例えば、第１角度は、２０度未満であり、第２角度も２０度未満である。これに対して、第３角度は、例えば、２０度以上である。すなわち、第３部分４１ｃは、屈曲部分である。
第１部分４１ａは、コネクタ部４３に接続される部分であり、この例では、コネクタ部４３の延在方向と実質的に平行に延びる。第１部分４１ａが、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行であることにより、コネクタ部４３もＸ−Ｙ平面に対して平行になる。コネクタ部４３がＸ−Ｙ平面に対して実質的に平行に配置されることで、コネクタ部４３は、第１延出部４１と第２延出部４２とにより、安定した状態で、主面１０ｕの上に配置される。第１部分４１ａは、Ｘ−Ｙ平面に対して交差する方向に延在しても良い。
第２部分４１ｂは、主面１０ｕ上に設けられる第１金属層５１の上に配置される部分である。第２部分４１ｂが実質的にＸ−Ｙ平面に対して平行であることにより、第２部分４１ｂにおける第１接合部材６１による接合強度が高くなる。
コネクタ部４３は、主面１０ｕの上方において、主面１０ｕから長い距離（第１距離ｄ１）によって、主面１０ｕと離間する。一方、主面１０ｕ上に設けられる第１金属層５１に接続される第２部分４１ｂは、第１部分４１ａよりも下方に配置される。そして、第１部分４１ａと第２部分４１ｂとが第３部分４１ｃにより接続されている。
このような構成により、第１金属コネクタ４５と第１金属層５１（及びセラミック基板１０）との熱膨張係数の差に起因する応力が緩和され易い。特に、点滅時の大きなヒートショックが発生した場合でも、応力が抑制され、安定した接合を維持し易い。
この例では、第１部分４１ａ、第２部分４１ｂ及び第３部分４１ｃは、１つの金属辺を折り曲げることにより形成される。第１部分４１ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿う厚さ）は、第２部分４１ｂの厚さ（Ｚ軸方向に沿う厚さ）と、実質的に同じである。例えば、第１部分４１ａの厚さは、第２部分４１ｂの厚さの０．８倍以上１．２倍以下である。第３部分４１ｃの厚さ（第３部分４１ｃの延在方向に対して垂直な方向の厚さ）は、第２部分４１ｂの厚さと同じである。
以下、第１延出部４１と第１金属層５１とに関して、Ｙ軸方向に関する位置関係の例について説明する。Ｙ軸方向は、第１金属層５１から第２金属層５２に向かう方向である。Ｙ軸方向は、第１延出部４１から第２延出部４２に向かう方向に対応する。
Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２部分４１ｂ及び第３部分４１ｃは、第１金属層５１と重なる。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１金属層５１は、コネクタ部４３の側の第１金属層端５１ａと、第１金属層端５１ａとは反対側の第２金属層端５１ｂと、を有する。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１金属層端５１ａと第２金属層端５１ｂとの間に、第２部分４１ｂ及び第３部分４１ｃが配置される。
第１部分４１ａから第１端部４１ｅに向かう方向を、延出方向とする。Ｘ−Ｙ平面に対して平行で、延出方向に対して平行な方向を第１方向Ｄ１とする。この例では、第１方向Ｄ１は、Ｙ軸方向に対して平行である。
第１方向Ｄ１に沿う、第１端部４１ｅの位置は、第１金属層端５１ａと、第２金属層端５１ｂと、の間に位置する。
さらに、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１金属層５１は、第１部分４１ａの少なくとも一部と重なる。すなわち、第１部分４１ａと第３部分４１ｃとの境界４１ｄの、第１方向Ｄ１に沿う位置は、第１金属層端５１ａと第２金属層端５１ｂとの間に位置する。
例えば、第１接合部材６１は、第１金属層５１の上面５１ｕを覆う。例えば、第１接合部材６１は、第１金属層端５１ａに接し、第２金属層端５１ｂに接する。第１接合部材６１は、第１金属層端５１ａと、第１延出部４１の第１部分４１ａと、の間を接合する。すなわち、第１接合部材６１は、第１部分４１ａの下面４１ａｌの少なくとも一部と、第１金属層５１と、を接合する第１接合部分６１ａを含む。この例では、第１接合部分６１ａは、第１金属層端５１ａに接している。第１接合部分６１ａは、第１金属層端５１ａ付近の端面、すなわち第１接合部材６１の第１接合部分６１ａ側における側面に接していてもよい。第１接合部分６１ａは、第３部分４１ｃの下面４１ｃｌと、第１金属層５１と、をさらに接合する。
さらに、第１接合部材６１は、第２部分４１ｂと第１金属層５１とを接合する。すなわち、第１接合部材６１は、第２部分４１ｂの下面４１ｂｌと、第１金属層５１と、を接合する第２接合部分６１ｂをさらに含む。
さらに、第１接合部材６１は、第１端部４１ｅと第１金属層５１とを接合する。すなわち、第１接合部材６１は、第１端部４１ｅと第１金属層５１とを接合する第３接合部分６１ｃをさらに含む。
このように、第１接合部材６１は、第１部分４１ａの下面４１ａｌの少なくとも一部と、第２部分４１ｂの下面４１ａｌと、第３部分４１ｃの下面４１ｃｌと、第１端部４１ｅと、を、第１金属層５１に接合する。
この構成により、第１延出部４１と、第１金属層５１と、の間が、安定して接合される。これにより、高い信頼性が得られる。
既に説明した、第１接合部材６１の第１端部４１ｅと接する上端６１ｃｕは、第１接合部材６１のうちの第３接合部分６１ｃの第１端部４１ｅと接する上端に対応する。第３接合部分６１ｃの第１端部４１ｅと接する上端６１ｃｕと、第１金属層５１の上面５１ｕと、の間のＺ軸方向に沿った距離が、第１高さｈ１となる。既に説明したように、第１高さｈ１は、第１延出部４１の厚さＴ１の３分の２以上である。第１端部４１ｅの上端または下端の形状が安定していない場合がある。このため、第１延出部４１の厚さＴ１は、便宜的に、第２部分４１ｂのＺ軸方向に沿った厚さとする。
既に説明した第２高さｈ２（第１接合部材６１の側面６１ｓのＺ軸方向に沿った長さ）は、第１部分４１ａの下面４１ａｌと、第２部分４１ｂの下面４１ｂｌと、の間の、Ｚ軸方向（セラミック基板１０の主面１０ｕに対して垂直な第２方向Ｄ２）に沿った距離に対応する。
第１角度θ１が９０度以下であり、かつ、第１端部４１ｅが第１接合部材６１に覆われる高さを第１延出部４１の厚さの３分の２以上とするために、第１延出部４１及び第１金属層５１のＹ軸方向に関する位置に適切な関係が存在することが、実験から明らかになった。
すなわち、上記のように、実施形態においては、第１方向Ｄ１に沿う、第１端部４１ｅの位置は、第１金属層端５１ａと、第２金属層端５１ｂと、の間に位置する。すなわち、コネクタ部４３から見て、第２金属層端５１ｂは、第１端部４１ｅよりも、突出している。
例えば、第１方向Ｄ１に沿う第２金属層端５１ｂの位置が、第１端部４１ｅと第１金属層端５１ａとの間に配置される参考例においては、第１端部４１ｅが第１接合部材６１に十分に接触することが困難である。このため、十分な接合強度が得られない。
本実施形態のように、第１方向Ｄ１に沿う、第１端部４１ｅの位置を、第１金属層端５１ａと、第２金属層端５１ｂと、の間に配置することで、良好な接合が得られる。
さらに、第２金属層端５１ｂの突出量に適正な値がある。
第２金属層端５１ｂと第１端部４１ｅとの間の第１方向Ｄ１に沿う長さ（第２長さＬ２）は、第１延出部４１の厚さＴ１（例えば、第２部分４１ｂの厚さ）の０．５倍以上３倍以下であることが好ましい。
第２長さＬ２が、厚さＴ１の０．５倍未満の場合は、第１接合部材６１（第３接合部分６１ｃ）における接合強度が不十分になる。このため、例えば、コネクタ部４３に配線８０を挿入する際の力、または、熱によって生じる応力より、接合部が損傷を受け易い。
一方、第２長さＬ２が厚さＴ１の３倍を超えると、第１接合部材６１の材料（はんだ）が溶融時に流れて、第１端部４１ｅが第１接合部材６１に覆われる高さを第１延出部４１の厚さの３分の２以上とすることが困難になる。すなわち、第２長さＬ２が厚さＴ１の３倍を超えると、第１接合部材６１の形成工程において、所望の形状を得るための、溶融時における第１接合部材６１の量、流動性または温度の制御の精度が非常に厳しくなる。このため、所望の形状を得ることが実質的に困難になる。
さらに、強い接合強度を得るために、第１接合部材６１（例えば、はんだ）の光反射率が、セラミック基板１０の主面１０ｕの反射率よりも低くなる場合がある。この場合において、第２長さＬ２を過度に大きく（例えば厚さＴ１の３倍を超える）設定すると、反射率が過度に低下する。
実施形態においては、第２金属層端５１ｂと第１端部４１ｅとの間の第１方向Ｄ１に沿う長さ（第２長さＬ２）を、第１延出部４１の厚さＴ１の０．５倍以上３倍以下に設定することで、強い接合強度と共に、高い反射率を得ることができる。
一方、上記のように、実施形態においては、第１部分４１ａと第３部分４１ｃとの境界４１ｄの、第１方向Ｄ１に沿う位置は、第１金属層端５１ａと第２金属層端５１ｂとの間に配置される。これにより、第１角度θ１が９０度以下に設定することが容易になる。
例えば、第１金属層端５１ｂの第１方向Ｄ１に沿う位置が、境界４１ｄと第２金属層端５１ｂとの間に配置される場合は、第１角度θ１が９０度以上になる。第１接合部材６１の溶融状態においては、第３部分４１ｂの下面４１ｂｌと、第１部分４１ａの下面４１ａｌの少なくとも一部と、が、溶融状態の第１接合部材６１に覆われる。このとき、溶融状態の第１接合部材６１の側面の形状は、第１金属層端５１ｂの第１方向Ｄ１における位置に依存する。このとき、第１金属層端５１ａを、第１延出部４１が屈曲する境界４１ｄよりも、コネクタ部４３の側に突出させる。すなわち、境界４１ｄの第１方向Ｄ１に沿う位置を、第１金属層端５１ａと第２金属層端５１ｂとの間に配置する。これにより、第１角度θ１を９０度以下に設定することが容易になる。
さらに、第１金属層端５１ａの突出量に、適正な値がある。
第１金属層端５１ａと境界４１ｄとの間の第１方向Ｄ１に沿う長さ（第１長さＬ１）は、第２高さｈ２の０．１倍以上１．５倍以下であることが好ましい。第２高さｈ２は、第１部分４１ａの下面４１ａｌと、第２部分４１ｂの下面４１ｂｌと、の間の、Ｚ軸方向（セラミック基板１０の主面１０ｕに対して垂直な第２方向Ｄ２）に沿った距離である。
第１長さＬ１が、第２高さｈ２の０．１倍未満の場合は、例えば、溶融状態の第１接合部材６１の量を調整しても、第１角度θ１を９０度以下に設定することが困難である。このため、接合強度が不十分になり易い。
第１長さＬ１が、第２高さｈ２の１．５倍を超えると、例えば、溶融状態の第１接合部材６１が第１金属層５１を覆うように流れ、例えば、第１接合部分６１ａの高さ方向の中心部の幅が狭くなり、接合強度が低くなり易い。そして、第１長さＬ１が、第２高さｈ２の１．５倍を超えると、シートショックが加えられた場合に、第１金属コネクタ４５の熱収縮による応力により、第１接合部材６１（及びその界面）において、破壊が生じ易くなる。すなわち、高い信頼性の接合が得られない。
実施形態においては、第１長さＬ１を、第２高さｈ２の０．１倍以上１．５倍以下に設定するこことで、第１接合部材６１の形状を高信頼性が得られる形状に制御し易くなる。これにより、高出力で高信頼性の発光装置を得易くなる。
例えば、第３接合部分６１ｃの第１端部４２ｅとは反対側の端における第３接合部分６１ｃの側面６１ｃｓは、順テーパである。例えば、第３接合部分６１ｃの側面６１ｃｓと、第１接合部材６１の下面６１ｌと、の間の角度（第２角度θ２）は、５度以上６０度以下である。
例えば、第１接合部材６１のコネクタ部４３側の側面６１ｓのうちの上側部分６１ｓｈは、順テーパである。すなわち、第１接合部材６１のコネクタ部４３側の側面６１ｓのうちの上側部分６１ｓｈと、第１部分４１ａの下面４１ａｌとの間の角度（第３角度θ３）は、５度以上６０度以下である。
例えば、第１方向Ｄ１において、第１金属層端５１ａは、境界４１ｄと、第１接合部材６１のコネクタ部４３の側の端６１ａｅと、の間に位置する。
例えば、第１方向Ｄ１において、第１接合部材６１のコネクタ部４３の側の端６１ａｅは、第１金属層端５１ａとコネクタ部４３との間に位置する。
例えば、第１延出部４１の厚さＴ１（例えば第２部分４１ｂのＺ軸方向に沿った厚さ）は、１５０μｍ以上３００μｍ以下である。
第１高さｈ１は、厚さＴ１の３分の２倍以上である。
第２高さｈ２は、例えば、３００μｍ以上１０００μｍ以下、望ましくは３５０μｍ以上６５０μｍ以下である。
第１距離ｄ１は、例えば、３５０μｍ以上１０５０μｍ以下、望ましくは４００μｍ以上７００μｍ以下である。
第２距離ｄ２（すなわち、第２部分４１ｂの下面４１ｂｌと第１金属層５１の上面５１ｕとの間の距離）は、１０μｍ以上５０μｍ以下、望ましくは２０μｍ以上４０μｍ以下である。第２距離ｄ２は、第２部分４１ｂの下面４１ｂｌと、第１金属層５１の上面５１ｕと、の間における第１接合部材６１（第２接合部分６１ｂ）のＺ軸方向に沿う厚さに相当する。
第１長さＬ１は、例えば、５０μｍ以上１０００μｍ以下、望ましくは１００μｍ以上３００μｍである。
第２長さＬ２は、例えば、３５０μｍ以上４５０μｍ以下である。
第１接合部材６１のコネクタ部４３の側の端６１ａｅと、境界４１ｄと、の間の第１方向Ｄ１に沿った距離（第１幅ｗ１、図３参照）は、例えば、３５０μｍ以上５５０μｍ以下である。
例えば、第３部分４１ｃと、第１接合部材６１のコネクタ部４３の側の側面６１ｓと、の第１方向Ｄ１に沿った距離（例えば第２幅ｗ２、図３参照）の最小値は、２００μｍ以上４００μｍ以下である。第２幅ｗ２は、例えば、第１金属層５１の上面５１ｕと、第１部分４１ａの下面４１ａｌと、の中心を通るＸ−Ｙ平面内において、第３部分４１ｃと側面６１ｓとの第１方向Ｄ１に沿った距離に、実質的に対応する。すなわち、実施形態において、例えば、第１金属層５１の上面５１ｕと、第１部分４１ａの下面４１ａｌと、の中心を通るＸ−Ｙ平面内の、第３部分４１ｃと側面６１ｓとの距離は、２００μｍ以上３００μｍ以下である。
例えば、境界４１ｄと、第２部分４１ｂのコネクタ部４３の側の端４１ｂａと、の第１方向Ｄ１に沿った距離（例えば第３幅ｗ３、図３参照）は、４００μｍ以上６００μｍ以下である。
このような形状により、高出力で高信頼性の発光装置が得られる。
上記の第１金属コネクタ４５に関する構成は、第２金属コネクタ４６にも適用できる。これにより、第２金属コネクタ４６に関して高い信頼性が得られ、高出力で高信頼性の発光装置が得られる。
（第２の実施形態）
本実施形態は、電子部品４８の接合に係る。本実施形態に係る発光装置は、セラミック基板１０と、発光素子２０と、金属膜１１と、金属コネクタ４０と、に加え、電子部品４８をさらに含む。本実施形態においては、セラミック基板１０、発光素子２０、金属膜１１及び金属コネクタ４０の構成は、第１の実施形態に関して説明した構成が適用できる。以下では、電子部品４８の構成の例について説明する。
図５は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図５は、電子部品４８の部分を拡大した模式的断面図である。セラミック基板１０の主面１０ｕの上に、第１電子部品金属層５５と、第２電子部品金属層５６と、が設けられている。第２電子部品金属層５６は、第１電子部品金属層５５と離間している。第１電子部品金属層５５及び第２電子部品金属層５６は、金属膜１１の一部である。
電子部品４８は、第１端子４８ａと、第１端子４８ａから離間した第２端子４８ｂと、第１端子４８ａと第２端子４８ｂとの間に設けられた素子部分４８ｃと、を含む。電子部品４８は、例えば電解コンデンサである。電子部品４８においては、例えば、外囲器が金属である。外囲器が樹脂の場合は、光による劣化が生じる。金属の外囲器を用いることで、光による劣化が抑制できる。
第１端子４８ａの少なくとも一部は、第１電子部品金属層５５の上に配置される。第２端子４８ｂの少なくとも一部が、第２電子部品金属層５６の上に配置される。この例では、第１端子４８ａから第２端子４８ｂに向かう方向がＹ軸方向に設定されている。Ｙ軸方向は、第１電子部品金属層５５から第２電子部品金属層５６に向かう方向に対応する。
第１端子４８ａと第１電子部品金属層５５とが、第１電子部品接合部材６５（例えば、はんだ）により接合される、第２端子４８ｂと第２電子部品金属層５６とが、第２電子部品接合部材６６により接合される。
電子部品４８を除去した場合には、第２電子部品金属層５６は、第１電子部品金属層５５と、絶縁される。
本実施形態においては、第１端子４８ａが第１電子部品接合部材６５により覆われる部分のＺ軸方向に沿う長さ（第３高さｈ３）は、第１端子４８ａの厚さＴ２の３分の２以上である。第２端子４８ｂ第２電子部品接合部材６６により覆われる部分のＺ軸方向に沿う長さは、第２端子４８ｂの厚さの３分の２以上である。第２端子４８ｂの厚さは、例えば、第１端子４８ａの厚さＴ２と同じである。例えば、第１端子４８ａの厚さＴ２は、例えば、５０００μｍ以上１００００μｍ以下である。
第２端子４８ｂにおいても、第１端子４８ａと同様な構成が適用される。このような構成により、動作時及び点滅時のヒートショックが生じた際に、熱応力に対する高い耐性と、高い機械的強度が得られる。これにより、電子部品４８の安定した接合が得られる。これにより、高出力で高信頼性の発光装置が得られる。
本実施形態において、第１電子部品金属層５５のＹ軸方向の一端５５ａと、第１電子部品金属層５５のＹ軸方向の他端５５ｂと、の間に、第１端子４８ａの端４８ａｅが配置される。一端５５ａは、第１電子部品金属層５５の、素子部分４８ｃの側の端である。他端５５ｂは、第１電子部品金属層５５の、一端５５ａとは反対側の端である。第１端子４８ａの端４８ａｅは、第１端子４８ａの素子部分４８ｃとは反対側の端である。
第１電子部品金属層５５の他端５５ｂと、第１端子４８ａの端４８ａｅと、の間のＹ軸方向に沿った距離（第３長さＬ３）は、例えば、５００μｍ以上１０００μｍ以下である。第２端子４８ｂと第２電子部品金属層５６とにおいても、第１端子４８ａと第１電子部品金属層５５との同様の構成が適用できる。
第１端子４８ａと第１電子部品金属層５５との間の距離、すなわち、それらの間に設けられる第１電子部品接合部材６５の厚さは、例えば、１５μｍ以上４０μｍ以下である。同様に、第２端子４８ｂと第２電子部品金属層５６との間の距離、すなわち、それらの間に設けられる第２電子部品接合部材６６の厚さは、例えば、１５μｍ以上４０μｍ以下である。
本実施形態においては、電子部品４８の安定した接合が得られ、高出力で高信頼性の発光装置が得られる。
（第３の実施形態）
本実施形態は、セラミック基板１０に係る。本実施形態に係る発光装置は、セラミック基板１０と、発光素子２０と、金属膜１１と、金属コネクタ４０と、を含む。本実施形態においては、発光素子２０、金属膜１１及び金属コネクタ４０の構成は、第１の実施形態に関して説明した構成が適用できる。以下では、セラミック基板１０の構成の例について説明する。
図６は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的斜視図である。
図６に表したように、本実施形態においては、セラミック基板１０の外縁１０ｒに沿って複数の切り込み７１が設けられている。例えば、セラミック基板１０は、大きな面積のセラミックの板を分割することで形成される。この分割に、例えば、レーザスクライブが用いられる。セラミックの板に、複数のスポットのレーザを照射し、セラミックの板に複数の孔を形成する。複数の孔は、セラミック基板１０の外縁１０ｒに沿う形状で並ぶ。複数の孔を形成した後に、セラミックの板に応力を印加する。これにより、複数の孔が並ぶ方向に沿って、セラミックの板が複数の部分に分断される。分断された複数の部分のそれぞれが、セラミック基板１０となる。
このような方法によってセラミック基板１０を形成すると、セラミック基板１０の外縁１０ｒに沿って、レーザスクライブ工程で形成された孔の痕跡が残る。セラミックの板の分断において、孔も分断されるため、セラミック基板１０の外縁１０ｒに実際に形成されるのは、切り込み７１となる。
このように、本実施形態に係るセラミック基板１０は、レーザスクライブを用いて、セラミックの板が分割されて形成される。
本実施形態においては、複数の切り込み７１のそれぞれの、セラミック基板１０の外縁１０ｒに沿う方向の長さＬＬは、４０μｍ以上６０μｍ以下である。長さＬＬは、セラミック基板１０の主面１０ｕ上での値である。
複数の切り込み７１のそれぞれの深さｄＬは、セラミック基板１０の厚さＴ３の０．０４倍以上０．３０倍以下である。例えば、セラミック基板１０の厚さＴ３は、約６２０μｍ以上６５０μｍ以下である。このとき、例えば、複数の切り込み７１のそれぞれの深さｄＬは、２２０μｍ以上２８０μｍ以下である。
複数の切り込み７１のピッチｐＬは、例えば、４５μｍ以上５５μｍ以下である。
セラミックの板の分割を行う際に、レーザスクライブの条件（径、ピッチ及び深さなど）によっては、レーザスクライブによって形成される切り込み７１部分から、クラックが生じる可能性があることが分かった。このクラックは、例えば、高い出力での動作により、セラミック基板１０及び他の部品の温度が高まったときに特に生じ易い。さらに、点滅により大きなヒートショックが加わった場合に、特に生じやすいことが分かった。
本願発明者は、レーザスクライブによる切り込み７１（すなわち、レーサにより形成される孔）の形、ピッチ及び深さなどを変えた試料を作製し、それらの試料を動作試験、及び点滅試験を行うことで、切り込み７１に適正な条件が存在することを掴んだ。
複数の切り込み７１のそれぞれの、セラミック基板１０の外縁１０ｒに沿う方向の長さＬＬを、４０μｍ以上６０μｍ以下とすることで、クラックが抑制できる。
さらに、複数の切り込み７１のそれぞれの深さｄＬを、セラミック基板１０の厚さＴ３の○倍以上○倍以下とすることで、良好な分断性を得つつ、クラックの発生を抑制できる。さらに、複数の切り込み７１のピッチを、４５μｍ以上５５μｍ以下とすることで、さらに良好な分断性を得つつ、クラックの発生をさらに抑制できる。
本実施形態においては、セラミック基板１０は、セラミックの板を分断することで形成される。この分断は、例えば、セラミック基板１０の上に発光素子２０及び金属コネクタ４０の少なくともいずれかを実装した後に、行われる。これにより、高い生産性が得られる。この分断は、例えば、セラミック基板１０の上に発光素子２０及び金属コネクタ４０の少なくともいずれかを実装する前に実施しても良い。
図６に例示したように、セラミック基板１０の主面１０ｕに溝７２が設けられる場合がある。この溝７２は、例えば、レーザマークである。所定の形状の溝７２が形成されることにより、セラミック基板１０に所望の記号などが付与できる。レーザマークとなる溝７２は、セラミック基板１０の裏面（主面１０ｕとは反対側の件）に設けても良い。
（第４の実施形態）
本実施形態は、セラミック基板１０の溝７２に係る。本実施形態に係る発光装置は、セラミック基板１０と、発光素子２０と、金属膜１１と、金属コネクタ４０と、を含む。本実施形態においては、発光素子２０、金属膜１１及び金属コネクタ４０の構成は、第１の実施形態に関して説明した構成が適用できる。以下では、セラミック基板１０の溝７２の構成の例について説明する。
図７は、第４の実施形態に係る発光装置を例示する模式的斜視図である。
図７は、図６のＣ１−Ｃ２線断面に相当する断面図である。
図７に表したように、セラミック基板１０の例えば主面１０ｕに溝７２が形成されている。溝７２、例えば、ＣＯ２レーザにより形成される。
溝７２の幅ｗｍは、例えば、１３０μｍ以上１７０μｍ以下である。溝７２の幅ｗｍは、溝７２の延在方向に対して垂直な方向における溝７２の幅である。溝７２の壁面がテーパ状である場合は、幅ｗｍは、溝７２の上端（すなわち、主面１０ｕ上の位置）における溝７２の幅とする。
一方、溝７２の深さｄｍは、セラミック基板１０の厚さＴ３の０．３１倍以上０．６３倍以下である。セラミック基板１０の厚さＴ３は、例えば、５００μｍ以上１０００μｍ以下である。セラミック基板１０の厚さＴ３が約６３５μｍのときには、溝７２の深さｄｍは、例えば２０μｍ以上４０μｍ以下に設定される。
このような溝７２により、クラックの発生が抑制できる。これにより、高出力で高信頼性の発光装置が提供できる。
本実施形態において、溝７２の部分には、レーザが照射されたことにより、セラミック基板１０となる材料（例えば酸化アルミニウム）の結晶化が進行する。結晶化が進行すると、結晶粒のサイズが大きくなる。このため、その部分の光透過率が部分的に高まる。
このように、溝７２の部分、及び、溝７２の部分の近傍においては、他の部分の光透過率よりも高い透過率が得られる。そして、溝７２の部分、及び、溝７２の部分の近傍における結晶の粒径は、他の部分の結晶の粒径よりも大きい。
第１〜第４の実施形態に係る発光装置は、例えば、投光機などの照明装置などの光源として利用することができる。
（第５の実施形態）
図８は、第５の実施形態に係る照明装置を例示する模式的斜視図である。
図８に表したように、本実施形態に係る照明装置２１０は、上記の実施形態に関して説明した発光装置と、その発光装置のセラミック基板に接続された基体１５０と、を含む。この例では、第１の実施形態に関して説明した発光装置１１０が用いられている。本実施形態において、上記の実施形態に関して説明した発光装置または、その変形の発光装置を用いることができる。
基体１５０として、放熱性の高い金属などの材料が用いられる。照明装置２１０においても、高出力で信頼性の高い照明装置が提供できる。
実施形態によれば、高出力で高信頼性の発光装置及び照明装置が提供される。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれるセラミック基板、金属層、金属コネクタ及び接合部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置及び照明装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置及び照明装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…セラミック基板、 １０ｒ…外縁、 １０ｕ…主面、 １１…金属膜、 １２…パターン部、 ２０…発光素子、 ４０…金属コネクタ、 ４１…第１延出部、 ４１ａ…第１部分、 ４１ａｌ…下面、 ４１ｂ…第２部分、 ４１ｂａ…端、 ４１ｂｌ…下面、 ４１ｃ…第３部分、 ４１ｃｌ…下面、 ４１ｄ…境界、 ４１ｅ…第１端部、 ４１ｅｌ…下端、 ４２…第２延出部、 ４３…コネクタ部、 ４３ａ…一端、 ４３ｂ…他端、 ４４…開口部、 ４５…第１金属コネクタ、 ４６…第２金属コネクタ、 ４８…電子部品、 ４８ａ…第１端子、 ４８ａｅ…端、 ４８ｂ…第２端子、 ４８ｃ…素子部分、 ５１…第１金属層、 ５１ａ…第１金属層端、 ５１ｂ…第２金属層端、 ５１ｕ…上面、 ５２…第２金属層、 ５３…中間配線パターン、 ５４…配線パターン、 ５５…第１電子部品金属層、 ５５ａ…一端、 ５５ｂ…他端、 ５６…第２電子部品金属層、 ６１…第１接合部材、 ６１ａ…第１接合部分、 ６１ａｅ…端、 ６１ｂ…第２接合部分、 ６１ｃ…第３接合部分、 ６１ｃｓ…側面、 ６１ｃｕ…上端、 ６１ｌ…下面、 ６１ｓ…側面、 ６１ｓｈ…上側部分、 ６１ｓｌ…下側部分、 ６１ｓｌｈ…上端、 ６１ｓｌｌ…下端、 ６２…第２接合部材、 ６５…第１電子部品接合部材、 ６６…第２電子部品接合部材、 ７１…切り込み、 ７２…溝、 ８０…配線、 ８１…ワイヤ、 ８３…挿入端子、 ８４…突起部、 θ１〜θ３…第１〜第３角度、 １１０、１１９ａ、１１９ｂ…発光装置、 １５０…基体、 ２１０…照明装置、 Ｄ１…第１方向、 Ｄ２…第２方向、 Ｌ１〜Ｌ３…第１〜第３長さ、 ＬＬ…長さ、 Ｔ１〜Ｔ３…厚さ、 ｄ１、ｄ２…第１、第２距離、 ｄＬ、ｄｍ…深さ、 ｈ１〜ｈ３…第１〜第３高さ、 ｐＬ…ピッチ、 ｗ１〜ｗ３…第１〜第３幅、 ｗｍ…幅

Claims (5)

  1. 主面を有するセラミック基板と、
    前記主面上に設けられた発光素子と、
    前記主面上に設けられ前記発光素子と電気的に接続された第１金属層と、
    前記主面上において前記第１金属層と離間し前記第１金属層と電気的に接続された第２金属層と、
    前記主面上において前記主面と離間し、前記発光素子に供給される電流が流れる配線と接続されるコネクタ部と、
    前記コネクタ部の一端から延出し少なくとも一部が前記第１金属層の上に設けられた第１延出部と、
    前記コネクタ部の他端から延出し少なくとも一部が前記第２金属層の上に設けられた第２延出部と、
    を含む金属コネクタと、
    前記第１延出部の前記少なくとも一部と前記第１金属層とを接合する第１接合部材と、
    前記第２延出部の前記少なくとも一部と前記第２金属層とを接合する第２接合部材と、
    を備え、
    前記第１接合部材の前記コネクタ部側の側面のうちの下側部分と、前記第１接合部材の前記第１金属層に接する下面と、の間の角度は、９０度以下であり、
    前記第１延出部の前記コネクタ部とは反対側の第１端部のうちの、前記第１延出部の厚さの３分２以上の厚さの部分が前記第１接合部材により覆われており、
    前記第１延出部は、
    前記コネクタ部とは反対側の第１端部と、
    前記第１端部と前記コネクタ部との間に設けられ前記コネクタ部に接続され前記主面との距離が第１距離の第１部分と、
    前記第１端部と前記第１部分との間に設けられ前記主面との距離が前記第１距離よりも短い第２距離の第２部分と、
    前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、
    を含み、
    前記主面に対して平行な平面と前記第３部分との間の第３角度は、前記平面と前記第１部分との間の第１角度よりも大きく、前記平面と前記第２部分との間の第２角度よりも大きく、
    前記第１金属層は、前記平面に投影したときに前記コネクタ部の側の第１金属層端と、前記第１金属層端とは反対側の第２金属層端と、を有し、
    前記平面に対して平行で前記第１部分から前記第１端部に向かう方向に対して平行な第１方向に沿う前記第１端部の位置は、前記第１金属層端と前記第２金属層端との間に位置し、
    前記第１部分と前記第３部分との境界の前記第１方向に沿う位置は、前記第１金属層端と前記第２金属層端との間に位置し、
    前記第１接合部材は、前記第１部分の下面の少なくとも一部と、前記第２部分の下面と、前記第３部分の下面と、前記第１端部と、を、前記第１金属層に接合する、発光装置。
  2. 前記境界と、前記第１金属層端と、の間の前記第１方向に沿った長さは、前記第１部分の前記下面と、前記第２部分の前記下面と、の間の、前記主面に対して垂直な第２方向に沿った距離の０．１倍以上１．５倍以下である請求項１記載の発光装置。
  3. 前記第２金属層端と前記第１端部との間の前記第１方向に沿う長さは、前記第２部分の厚さの０．５倍以上３倍以下である請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第２部分と前記第１金属層との間の距離は、１０μｍ以上５０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置と、
    前記セラミック基板と接続された基体と、
    を備えた照明装置。
JP2013018991A 2013-02-01 2013-02-01 発光装置及び照明装置 Expired - Fee Related JP5999432B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013018991A JP5999432B2 (ja) 2013-02-01 2013-02-01 発光装置及び照明装置
US14/025,228 US20140217455A1 (en) 2013-02-01 2013-09-12 Light-Emitting Device and Lighting Apparatus
EP13184175.1A EP2763516A2 (en) 2013-02-01 2013-09-12 Light-emitting device and lighting apparatus
CN201310421492.7A CN103968282A (zh) 2013-02-01 2013-09-16 发光装置及照明装置
TW102133568A TW201432191A (zh) 2013-02-01 2013-09-17 發光裝置及照明裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013018991A JP5999432B2 (ja) 2013-02-01 2013-02-01 発光装置及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014150006A JP2014150006A (ja) 2014-08-21
JP5999432B2 true JP5999432B2 (ja) 2016-09-28

Family

ID=49170594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013018991A Expired - Fee Related JP5999432B2 (ja) 2013-02-01 2013-02-01 発光装置及び照明装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140217455A1 (ja)
EP (1) EP2763516A2 (ja)
JP (1) JP5999432B2 (ja)
CN (1) CN103968282A (ja)
TW (1) TW201432191A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10656137B2 (en) * 2015-09-21 2020-05-19 Ethan Pfeiffer Method for producing a nano-gap in a brittle film assisted by a stabilizing substrate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01219547A (ja) * 1988-02-26 1989-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板検査装置
JPH0739187Y2 (ja) * 1990-02-20 1995-09-06 本多通信工業株式会社 ソケット
JPH0617225U (ja) * 1992-07-30 1994-03-04 日本航空電子工業株式会社 電子部品の端子
CN1612335A (zh) * 2003-10-28 2005-05-04 得州仪器公司 改进的半导体导线架
JP4818321B2 (ja) * 2005-02-24 2011-11-16 京セラ株式会社 高周波デバイスの製造方法
JP2006261014A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 接続端子接合セラミックヒータおよびその製造方法
JP4973837B2 (ja) * 2006-03-13 2012-07-11 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP5541991B2 (ja) * 2010-07-20 2014-07-09 タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 表面実装型コンタクト及びそれを用いたコネクタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014150006A (ja) 2014-08-21
US20140217455A1 (en) 2014-08-07
EP2763516A2 (en) 2014-08-06
TW201432191A (zh) 2014-08-16
CN103968282A (zh) 2014-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5279225B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
US20110260200A1 (en) Method of fabricating non-metal led substrate and non-metal led substrate and method of fabricating led device using the non-metal led substrate and led device with the non-metal led substrate
US20110024785A1 (en) Light Emitting Diode Device
JP2007189006A (ja) プリント配線板及びそれを使用したｌｅｄ装置
US10297937B2 (en) Composite flexible printed wiring board and method for manufacturing composite flexible printed wiring board
JP2005057144A (ja) 発光装置
JP2022009833A (ja) 発光装置
JP2010062249A (ja) バスバー、このバスバーが搭載されるプリント基板及びこのプリント基板を備える自動車用電装部品
JP2015173005A (ja) 回路基板及び回路基板の製造方法
JP6225834B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP5999432B2 (ja) 発光装置及び照明装置
US20170223816A1 (en) Flexible printed wiring board, electronic device having flexible printed wiring board, and method for manufacturing electronic device having flexible printed wiring board
JP2007165735A (ja) Ｌｅｄ実装基板及びその製造方法
JP2008294390A (ja) モジュール構成
JP6613089B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2015149321A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2013171912A (ja) 発光装置
JP2009038125A (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009188005A (ja) 表面実装型半導体装置
JP2010045167A (ja) 半導体装置
US8757837B2 (en) LED light bar and method for manufacturing the same
US9863585B2 (en) Light source assembly and method for producing the same
JP2008166432A (ja) クラックを生じにくい半田接合部、該半田接続部を備える回路基板などの電子部品、半導体装置、及び電子部品の製造方法
US20120267645A1 (en) Light emitting diode module package structure
US10319892B2 (en) Light-emitting element mounting substrate and method for manufacturing light-emitting element mounting substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160720

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160804

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160817

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5999432

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees